KR20060047486A - 발광 장치 및 전자 기기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복잡한 제조 공정을 거치지 않고 배선이나 음극에서의 광반사를 억제하여 콘트라스트(contrast) 향상을 실현할 수 있고, 제조 비용을 억제할 수도 있는 발광 장치 및 상기 발광 장치를 탑재한 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판(2)을 투과한 입사광은 일부가 반투명경(half mirror)(14 또는 37)에서 반사되고, 나머지는 이 반투명경(14 또는 37)을 투과하며, 소스 배선(17)이나 음극(34)에서 반사되어 복귀한다. 따라서 반투명경(14)과 소스 배선(17), 반투명경(37)과 음극(34)의 거리를 각각 소정 거리로 함으로써, 반투명경(14 또는 37)에서 반사되는 광(光)과, 소스 배선(17) 또는 음극(34)에서 반사되는 광을 간섭시켜서 서로 상쇄하도록 할 수 있다.
입사광, 반투명, 반사, 소스 배선, 음극, half mirror
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 EL 장치의 전체 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 유기 2EL 장치의 평면도.
도 3은 도 2의 A-B 방향에서 본 유기 EL 장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 도 2의 C-D 방향에서 본 유기 EL 장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 5는 도 4의 일부를 확대한 단면 확대도.
도 6은 유기 EL 장치의 등가 회로를 개념적으로 나타내는 모식도.
도 7의 (a)는 반투명경을 설치하지 않았을 때의 유기 EL 장치의 설명도이며, 도 7의 (b)는 표시 화면을 나타내는 평면도.
도 8의 (a)는 반투명경을 설치했을 때의 유기 EL 장치의 원리 설명도이며, 도 8의 (b)는 표시 화면을 나타내는 평면도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 EL 장치의 전체 구성을 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명에 따른 전자 기기의 구성을 나타내는 사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
K … 화소 영역
L … 화소간(間)
1 … EL 장치
2 … 기판
3 … EL 소자
10 … 기체(基體)
11 … 하지 보호층
12 … 실리콘막
13 … 게이트 절연층
14, 37, 50 … 반투명경
15 … 게이트 배선
16 … 제 2 절연층
17 … 소스 배선
19 … 제 3 절연층
34 … 공통 전극
51 … 제 1 투명층
52 … 반사층
53 … 제 2 투명층
3000 … 휴대 전화
3003 … 표시부
본 발명은, 예를 들면 유기 EL(electro-luminescence) 장치, 무기 EL 장치로 대표되는 발광 장치 및 상기 발광 장치를 탑재한 전자 기기에 관한 것이다.
보텀 이미션(bottom emission)형 유기 EL 장치는, 예를 들면 유리 기판 등의 투명한 기판의 일면(一面)측에 절연막을 통해서 복수의 발광 소자(화소)가 설치되고, 각 화소간(間)에 대응하는 영역에는 배선 등이 형성된다. 각 화소에서 발생한 광은 상기 기판을 투과해서 사출된다. 이 기판은 발광층으로부터의 광을 외부에 투과하는 한편, 외부로부터의 광을 유기 EL 장치 내부에 입사시키는 경우도 있다. 유기 EL 장치의 내부에는 각 화소의 발광부와 그 이외의 화소간의 면적비가, 예를 들면 4:6 정도로 되어 있으며, 외부로부터 기판을 투과해 온 입사광의 대부분이 화소간에 설치된 배선에서 반사된다. 또한 배선에서 반사되지 않아도 화소 등을 투과하여 음극이 되는 공통 전극에서 반사되는 경우도 있다. 따라서 이 유기 EL 장치를 구동했을 때, 표시면에는 화소로부터의 발광과, 배선이나 공통 전극에 의한 반사광이 혼합되어 표시되기 때문에, 콘트라스트의 저하를 초래하게 된다.
이러한 콘트라스트의 저하를 억제하기 위해서, 종래에는, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시된 바와 같이, 배선간(間)에 광을 흡수하는 유기 재료를 블랙 매트릭스로서 배치함으로써 배선이나 공통 전극에 입사광이 도달되지 않도록 하는 방법이나, 표시부에 원 편광판을 중첩시킴으로써, 내부에서 반사된 광을 외부로 누출하지 않도록 하는 방법이 제안되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개평 10-214043 호 공보
그러나 원 편광판은 고가이기 때문에, 상기 원 편광판을 사용한 발광 장치의 비용은 증대한다. 한편, 상기 특허문헌 1에 기재된 방법에서는 배선간을 메우도록 블랙 매트릭스를 패터닝할 필요가 있어 제조 공정이 번잡하여 곤란해지는 데다가, 블랙 매트릭스에는 탄소가 포함되어 있기 때문에 탄소를 통해서 배선끼리 전기적으로 도통(導通)하게 될 가능성이 높았다.
이상과 같은 사정을 감안한 본 발명의 목적은 복잡한 제조 공정을 거치지 않더라도 배선이나 음극에서의 광반사를 억제하여 표시 콘트라스트의 향상을 실현할 수 있고, 또한 제조 비용을 억제할 수도 있는 발광 장치 및 상기 발광 장치를 탑재한 전자 기기를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 발광 장치는 투명한 기판과, 상기 기판의 일면(一面)측에 설치되어 전기 신호에 의해 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 상기 전기 신호를 전달하기 위한 도전부를 갖고, 상기 발광층으로부터의 광(光)이 상기 기판을 투과해서 사출되는 발광 장치로서, 상기 도전부와 상기 기판 사이에 상기 도전부와 소정 거리를 두고 상기 기판을 통해서 입사되는 입사광의 일부를 반사하고, 나머지 입사광을 투과하는 광반(半)투과 반(半)반사층이 설치된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는, 기판을 투과한 입사광은 일부가 광반투과 반반사층에서 반사 되고, 나머지가 광반투과 반반사층을 투과하여 도전부에서 반사되어 복귀한다. 따라서 광반투과 반반사층과 도전부의 거리를 소정 거리로 함으로써 광반투과 반반사층에서 반사되는 광과, 도전부에서 반사되는 광을 간섭시켜서 서로 상쇄할 수 있다. 이에 따라 상기 발광 장치를 구동했을 때 도전부로부터의 반사광이 보이지 않기 때문에 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명에서는, 예를 들면 도전부가 형성된 부분에 광반투과 반반사층을 형성하면 되기 때문에, 배선간을 메우는 패터닝은 필요없고, 원 편광판을 사용할 필요도 없다. 이에 따라 본 발명의 발광 장치는 번잡한 제조 공정을 거치지 않고 저비용으로 제조할 수 있다.
또한 광반투과 반반사층과 도전부 사이에는 다양한 투명 절연 부재를 삽입할 수 있고, 재료의 선택이 자유롭다. 또한, 예를 들면 블랙 매트릭스와 같이 광을 흡수하는 부재를 배치한 경우 변환된 열이 상기 광흡수 부재에 축적되어 발광 장치에 악영향을 끼칠 우려가 있지만, 본 발명에서는 광반투과 반반사층을 배치하고, 광을 간섭시켜서 서로 상쇄하도록 했으므로 축열(蓄熱)되는 경우도 없고, 발광 장치를 안정적으로 구동할 수 있다. 특히 본 발명을 유기 EL 장치에 적용한 경우에는 발광층에 악영향을 주지 않고 장치를 구동할 수 있다.
본 발명에서 「소정 거리」에 대해서는 광반투과 반반사층에서 반사되는 광과 도전부에서 반사되는 광이 간섭하여 서로 상쇄되는 거리, 예를 들면 0 차 간섭이 일어나는 거리로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 예를 들면 광반투과 반반사층과 도전부가 지나치게 가까워서 절연 부재를 삽입하는 것이 곤란한 경우 등에는 1 차 간섭이나 2 차 간섭이 일어나는 거리로 하여도 상관없다. 또한 입사광의 「일부 」 및 「나머지」라는 표현은 입사광의 강도 또는 광량에 따른 「일부」 및 「나머지」를 의미하는 것으로서, 파장 성분의 「일부」 및 「나머지」를 의미하는 것이 아니다.
또한 상기 광반투과 반반사층은 상기 도전부의 패턴과 거의 동일한 패턴이 되도록 설치되는 것이 바람직하다. 이 경우 광반투과 반반사층의 형상을 도전부의 형상과 동일해지도록 패턴을 형성해도 좋다. 이에 따라 도전부 및 광반투과 반반사층을 제작할 때에 동일한 공정을 되풀이하면 되고, 특별한 제조 공정을 설치할 필요가 없어진다. 또한 도전부로부터 광반투과 반반사층을 넓은 범위로 형성해도 좋다. 이에 따라, 예를 들면 경사 방향으로부터의 광을 투과·반사할 수도 있어 콘트라스트가 더욱 향상된다.
또한 본 발명은 상기 도전부 및 상기 발광층에 전기적으로 접속된 트랜지스터를 구비하고, 상기 도전부가 상기 트랜지스터의 게이트선 및 소스선 중 적어도 한쪽에 해당하는 것이 바람직하다. 보통 TFT 액티브 매트릭스형 발광 장치에는 각 발광층에 각각 트랜지스터가 형성되고, 각 트랜지스터에는 배선의 게이트선이나 소스선 등이 형성된다. 이와 같이 발광층 사이에 배선이 많이 형성되는 TFT 액티브 매트릭스형 발광 장치에서는 상기 배선에서의 반사를 억제할 수 있기 때문에, 본 발명의 의의는 특히 크다.
또한 상기 도전부는 상기 발광층의 공통 전극인 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 발광층을 투과하여 공통 전극에서 반사되는 광을 상쇄할 수 있으므로, 더욱 콘트라스트가 양호해진다. 이 경우, 광반투과 반반사층은 음극이 되는 공통 전 극으로부터 소정 거리를 두고 형성하는 것이 바람직하다.
또한 상기 소정 거리를 d1, 상기 입사광의 파장을 λ1, 상기 도전부와 상기 광반투과 반반사층 사이의 영역의 굴절율을 n1, 0 이상의 정수를 m1로 하면, 상기 거리 d1이,
d1 = λ1(1 / 2 + m1) / 2 n1 … (수학식 1)
로 나타내어지도록 상기 광반투과 반반사층이 설치되는 것이 바람직하다. 본 발명은 소위 브랙(Bragg)의 식을 사용하여 소정 거리 d1을 계산한 후에, 광반투과 반반사층을 배치하였으므로 간섭 정밀도를 높일 수 있다.
또한 상기 수학식 1에서의 λ1의 값이 가시광의 중심 파장 부근의 값인 것이 바람직하다. 가시광 중에서도 중심 파장 부근의 광은 인간에게 고감도로 인식된다. 본 발명에 의하면 상기 중심 파장 부근의 광의 반사를 억제할 수 있으므로, 다른 파장의 광의 반사를 억제한 경우에 비해서 반사광이 더 감소한다. 이에 따라 콘트라스트 향상 효과를 더욱 높일 수 있다.
또한 상기 광반투과 반반사층에서 반사되는 반사광의 강도와, 상기 광반투과 반반사막을 투과하여 상기 도전부에서 반사되고, 다시 상기 광반투과 반반사막을 투과한 복귀광의 강도가 거의 동일해지도록 상기 반투과 반반사층의 투과율과 반사율이 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 광반투과 반반사층에서 반사되는 광과 도전부에서 반사된 광은 대략 완전히 상쇄된다.
또한 상기 광반투과 반반사층이 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 본 발명의 광반투과 반반사층은 광의 간섭을 일으키기 위해서 필요한 부위이기 때문 에, 굴절율, 층두께 등의 물리적 특성이 변화되는 것은 바람직하지 않다. 금속은 일반적으로 수은 등의 액체 금속을 제외하고 고온하에서도 수지에 비해서 변형되기 어려운 성질을 갖는다. 따라서 상기 발광 장치를 구동했을 때에 발생하는 열에 의해서 변형되기 어렵고, 굴절율, 층두께 등의 물리적 특성이 변화되는 것은 없으므로, 높은 콘트라스트 상태를 유지할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 금속으로서는, 예를 들면 알루미늄 등의 반사성이 높은 금속이 바람직하다. 이러한 금속을 박막층으로 함으로써 광을 투과시킬 수도 있다. 이 경우 막질(膜質) 향상을 위해서 알루미늄에, 예를 들면 동(copper)이나 네오디뮴(neodymium) 등을 첨가해도 좋다.
본 발명의 다른 수단에 따른 발광 장치는 투명한 기판과, 상기 기판의 일면측에 설치되어 전기 신호에 의해 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 상기 전기 신호를 전달하기 위한 도전부를 갖고, 상기 발광층으로부터의 광이 상기 기판을 투과해서 사출되는 발광 장치로서, 상기 도전부와 상기 기판 사이에 설치되고, 상기 기판측으로부터의 광을 반사하는 광반사층과, 상기 광반사층과 상기 기판 사이에 상기 광반사층과 소정 거리를 두고 설치되고, 상기 기판을 통해서 입사되는 입사광의 일부를 반사하고, 나머지 입사광을 투과하는 광반투과 반반사층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 광반투과 반반사층을 투과한 광을 도전부에서 반사시키는 것이 아니고, 상기 광을 반사시키기 위한 광반사층을 별도로 설치하도록 했으므로, 도전부의 배치에 구속되지 않고 상기 광반사층을 임의의 장소에 설치할 수 있다. 예를 들면 도전부가 형성된 영역 뿐만 아니라, 발광층 주위의 전역(全域)에 광반투 과 반반사층 및 광반사층을 형성해도 좋다. 또한 광반사층을 구성하는 재료에 대해서는 특히 도전성을 갖고 있는지의 여부는 문제되지 않기 때문에, 반사 특성이 양호한 최적의 재료를 선택할 수 있다.
또한 상기 광반투과 반반사층이 상기 광반사층의 패턴과 거의 동일한 패턴이 되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우 광반투과 반반사층의 형상을 광반사층의 형상과 동일해지도록 패턴을 형성해도 좋다. 이에 따라 광반투과 반반사층 및 광반사층을 제작할 경우와 마찬가지의 공정을 되풀이하면 되고, 특별한 제조 공정을 설치할 필요가 없다. 또한 광반사층보다도 광반투과 반반사층을 넓은 범위로 형성해도 좋다. 이에 따라, 예를 들면 경사 방향으로부터의 광을 투과·반사시킬 수도 있어 콘트라스트가 더욱 향상된다.
또한, 상기 소정 거리를 d2, 상기 입사광의 파장을 λ2, 상기 광반사층과 상기 광반투과 반반사층 사이의 영역의 굴절율을 n2, 0 이상의 정수를 m2로 하면, 상기 거리 d2가,
d2 = λ2(1 / 2 + m2) / 2 n2 … (수학식 2)
로 나타내어지도록 광반사층과 상기 광반투과 반반사층이 설치되는 것이 바람직하다. 본 발명은 소위 브랙(Bragg)의 식을 사용하여 소정 거리 d2를 계산한 후에, 광반사층과 상기 광반투과 반반사층을 배치하므로 간섭 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 상기 수학식 2에서의 λ2의 값이 가시광의 중심 파장 부근의 값인 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면 시감도(示感度)가 높은 상기 중심 파장 부근의 광의 반사를 억제할 수 있으므로, 다른 파장의 광의 반사를 억제한 경우에 비해서 반사광을 보다 감소시킬 수 있다. 이에 따라 콘트라스트 향상 효과를 더욱 높일 수 있다.
또한 상기 광반투과 반반사층에서 반사되는 광의 강도와, 상기 광반투과 반반사막을 투과하여 상기 광반사층에서 반사되고, 다시 상기 광반투과 반반사막을 투과하는 광의 강도가 거의 동일해지도록 상기 반투과 반반사층의 투과율과 반사율이 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 광반투과 반반사층에서 반사되는 광과 광반사층에서 반사된 광은 대략 완전히 상쇄된다.
또한 상기 광반투과 반반사층이 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 발광 장치를 구동했을 때에 발생하는 열 등에 의해서 변형되기 어렵고, 굴절율, 층두께 등의 물리적 특성도 변화될 일이 없으므로, 높은 콘트라스트 상태를 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 기기는 상기 발광 장치를 탑재한 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 콘트라스트가 높고 제조 비용이 들지 않는 전자 기기를 얻을 수 있다.
(제 1 실시예)
본 발명의 제 1 실시예를 도면에 의거하여 설명한다. 이하의 도면에서는 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해서, 축척을 적당하게 변경하고 있다.
도 1은 유기 EL 장치(1)의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
유기 EL 장치(1)는 기판(2)에 회로 소자나 배선, 또한 절연층 등이 형성된 기체(10)(基體)와, 이 기체(10) 위에 형성된 유기 EL 소자(3)와, 기체(10)의 단부 에 부착된 외부 부착 회로부(4)를 갖고 있으며, 외부 부착 회로부(4)로부터 공급되는 전기 신호에 따라서 유기 EL 소자(3)가 발광하므로 화상이나 동영상 등을 표시할 수 있도록 되어 있다. 또한 유기 EL 소자(3) 및 기체(10)를 덮도록 밀봉부(5)가 형성되어 있다. 이하 본 실시예에서는 박막 트랜지스터(TFT, thin film transistor)가 형성된 액티브 매트릭스형이고, 또한 유기 EL 소자(3)에 의해 발생한 광이 기체(10)를 투과하여 취출(取出)되는 보텀 이미션형인 유기 EL 장치(1)를 예로 들어 설명한다.
도 2는 도 1의 유기 EL 장치(1)의 평면도이다. 이 도면에서는 도 1의 유기 EL 소자(3) 및 밀봉부(5)를 생략하고 있다. 도 3은 유기 EL 장치(1)의 A-B 단면을 나타내는 단면도이다. 도 4는 유기 EL 장치(1)의 C-D 단면을 나타내는 단면도이다. 도 5는 유기 EL 장치(1)의 실제 표시 영역(P)의 단면 확대도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 기체(10)는 화소부(7)(1 점 쇄선 내의 영역)와 둘레부(8)(1 점 쇄선 밖의 영역)로 구획되고, 화소부(7) 내에서는 실제 표시 영역(P)(2 점 쇄선 내의 영역)과 더미(dummy) 영역(Q)(1 점 쇄선과 2 점 쇄선 사이의 영역)으로 다시 구획된다. 또한 화소부(7)의 실제 표시 영역(P)은 유기 EL 소자(3)로부터의 광이 통과하는 화소 영역(K)과, 전극이나 배선 등이 배치되는 화소간(L)으로 구획된다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조해서 설명한다. 기체(10)의 구성 요소인 기판(2)은, 예를 들면 유리, 석영, 수지(플라스틱 시트, 플라스틱 필름) 등으로 이루어지는 투명 기판이다. 본 실시예에 따른 유기 EL 장치(1)는 보텀 이미션형이기 때문 에, 광을 취출하기 위해서는 기판(2)을 투명하게 할 필요가 있다. 또한 기판(2)을 투명하게 함으로써, 외부로부터의 광이 기판(2)을 투과하여 내부에 도달하는 경우도 있다. 기판(2)의 표면(2b)에는 하지(下地)로서, 예를 들면 SiO2 등의 투명한 하지 보호층(11)이 형성되어 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 화소부(7)의 실제 표시 영역(P)에는 하지 보호층(11) 위에, 실리콘막(12), 제 1 절연층(게이트 절연층)(13), 반투명경(14)(half mirror), 게이트 배선(15), 제 2 절연층(16), 소스 배선(17), 드레인 전극(18), 제 3 절연층(19)이 형성되어 있다. 이들은 화소간(L)에 형성된다. 또한, 도 3, 4에 나타낸 바와 같이 화소부(7)의 더미 영역(Q)에는 하지 보호층(11) 위에 주사 구동 회로(20), 데이터 구동 회로(21), 검사 회로(22) 등이 형성되어 있다. 또한 외부 부착 회로부(4)에 접속된 전원선(도시 생략)도 형성되어 있다.
실리콘막(12)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 구동용 트랜지스터를 형성한다. 실리콘막(12) 중 게이트 절연층(13)을 사이에 끼워서 게이트 배선(15)과 중첩되는 영역이 채널 영역(12a)이다. 채널 영역(12a)의 소스측에는 저농도 소스 영역(12b) 및 고농도 소스 영역(12s)이 형성되며, 채널 영역(12a)의 드레인측에는 저농도 드레인 영역(12c) 및 고농도 드레인 영역(12d)이 형성되어 있다. 이와 같이 하여 구동용 박막 트랜지스터는 LDD(light doped drain)구조를 갖는다.
고농도 소스 영역(12s) 및 고농도 드레인 영역(12d)에는 게이트 절연층(13)과 제 2 절연층(16)을 연속해서 개공(開孔)한 콘택트홀(23, 24)이 형성되어 있다. 또한 고농도 드레인 영역(12d)측에는 화소 전극(양극(31))에 접속되도록, 제 3 절연층(19)을 관통해서 콘택트홀(25)이 형성되어 있다.
게이트 절연층(13)은, 예를 들면 SiO2나 SiN 등으로 형성된 투명한 층이며, 실리콘막(12)과 게이트 배선(15)을 절연하고 있다.
게이트 배선(15) 및 소스 배선(17)은, 도 2에 나타낸 바와 같이 각각 매트릭스 형상으로 배열 설치되고, 게이트 배선(15)은, 예를 들면 알루미늄이나 동 등을 사용하여 도 2의 X방향으로 연장하도록 형성되고, 또한 소스 배선(17)은 게이트 배선(15)과 대략 직교하는 도 2의 Y방향으로 연장하도록 형성되어 있다. 소스 배선(17)은 콘택트홀(23) 및 소스 전극(17a)을 통해서 고농도 소스 영역(12s)에 접속된다. 또한 드레인 전극(18)은 고농도 드레인 영역(12d)에 접속되어 있다.
제 2 절연층(16)은 주로 SiO2로 이루어지는 투명한 층이며, 게이트 배선(15), 소스 배선(17), 드레인 전극(18)을 절연하고 있다.
게이트 절연층(13) 위에는, 예를 들면 소스 배선(17)과 동일한 형상으로 반투명경(14)이 형성된다. 반투명경(14)은, 예를 들면 알루미늄 등의 금속으로 이루어지고, 박막 형상으로 형성함으로써 기판(2), 하지 보호층(11) 및 게이트 절연층(13)을 투과한 광의 일부를 기판(2)으로 향해서 반사하고, 나머지 광을 투과시킬 수 있도록 되어 있다. 막질(膜質)을 향상시키기 위해서 알루미늄에, 예를 들면 동이나 네오디뮴 등을 첨가해도 좋다.
또한 외부로부터의 입사광의 파장을 λ1, 소스 배선(17)과 반투명경(14) 사 이의 영역(본 실시예에서는 제 2 절연층(16))의 굴절율을 n1, 0 이상의 정수를 m1로 하면, 소스 배선(17)으로부터,
d1 = λ1(1 / 2 + m1) / 2 n1
로 표시되는 거리 d1을 두고, 반투명경(14)을 설치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 설계하면 기판(2)을 투과하여 반투명경(14)에서 반사된 광과, 반투명경(14)을 그대로 투과하여 소스 배선(17)에서 반사된 광이 간섭하여 서로 상쇄된다.
또한 가시광 중에는 중심 파장 부근의 광이 인간에게 고감도로 인식되기 때문에, 중심 파장 부근의 광의 반사를 억제할 수 있으면, 다른 파장의 광의 반사를 억제한 경우에 비해서, 반사광을 더 감소시킬 수 있다. 따라서 λ1을 가시광의 중심 파장, 예를 들면 520 nm로 했을 때 산출되는 d1 거리에 반투명경(14)을 설치하는 것이 보다 바람직하다. 본 실시예에서는 제 2 절연층(16)(SiO2)의 굴절율이 1.46이기 때문에, 0 차 간섭(m1 = 0)은 d1 = 89 nm의 거리에서 일어나게 된다. 따라서 소스 배선(17)으로부터 89 nm의 거리에 반투명경(14)을 설치하도록 한다.
상술한 바와 같이 소정 거리에 반투명경(14)을 설치하기 위해서는, 예를 들면 소스 배선(17)과 반투명경(14) 사이에 끼워지는 제 2 절연층(16)의 막 두께를 적당하게 조절하면 좋다. 즉. d1 = 89 nm로 산출되었을 경우에는 제 2 절연층(16)의 막 두께를 89 nm로 함으로써 반투명경(14)을 원하는 거리에 배열 설치할 수 있다.
또한 반투명경(14)의 막 두께를 조절함으로써(즉 반사율 및 투과율의 조정), 이 반투명경(14)에서 반사되는 광의 강도 및 반투명경(14)을 투과하는 광의 강도를 변경할 수 있다. 예를 들면, 반투명경(14)의 막 두께를 얇게 하면 투과하는 광의 강도가 커지고 반사되는 광의 강도가 작아진다. 반대로 반투명경(14)의 막 두께를 두껍게 하면 투과하는 광의 강도가 작아지고 반사되는 광의 강도가 커진다. 따라서 기판(2)을 투과하여 반투명경(14)에서 반사된 광의 강도와, 반투명경(14)을 그대로 투과한 후 소스 배선(17)에서 반사되고, 다시 반투명경을 투과한 광의 강도가 동일해지는 막 두께(예를 들면 10 nm)에서, 또한 광의 위상이 반전되는 거리에 반투명경(14)을 형성하는 것이 적합하다. 이렇게 하면 반투명경(14)을 투과하여 소스 배선(17)에서 반사된 광과, 반투명경(14)에서 반사된 광이 대략 완전히 서로 간섭하여 상쇄되게 된다.
또한, 여기에서는 n1의 값을 제 2 절연층(16)의 굴절율로 했지만, 예를 들면 게이트 절연층(13) 내에 반투명경(14)을 설치할 경우에는 상기 반투명경(14)과 소스 배선(17) 사이의 영역에 게이트 절연층(13)과 제 2 절연층(16)이 포함되기 때문에, 이들의 굴절율을 바탕으로 d1을 산출한다. 또한, 상술한 바와 같이 반투명경(14)의 형상을 소스 배선(17)의 형상과 동일해지도록 패턴을 형성해도 좋고, 소스 배선(17)보다도 반투명경(14)이 넓어지도록 형성함으로써 경사 방향으로부터의 광을 투과·반사할 수 있도록 해도 좋다.
제 3 절연층(19)은, 예를 들면 아크릴계 수지로 형성하고, 소스 배선(17)과 드레인 전극(18) 및 콘택트홀(25)을 절연한다. 또한 아크릴계 절연막 이외의 재료, 예를 들면 SiN, SiO2 등을 사용할 수도 있다.
또한, 더미 영역(Q)에 설치되는 주사 구동 회로(20)는 시프트 레지스터 등의 메모리나 신호 레벨을 변환하는 레벨 시프터(level shifter) 등의 회로를 갖고 있으며, 게이트 배선(15)에 접속되어 있다. 데이터 구동 회로(21)는 상기 시프트 레지스터, 레벨 시프터 이외에, 비디오 라인이나 아날로그 시프터 등의 회로를 갖고 있으며, 소스 배선(17)에 접속되어 있다. 주사 구동 회로(20) 및 데이터 구동 회로(21)는 구동 제어 신호선(28a, 28b)(도 3, 4 참조)을 통해서 구동부(4)에 접속되어 있으며, 상기 외부 부착 회로부(4)의 제어에 의해 게이트 배선(15) 및 소스 배선(17)에 전기 신호를 출력한다. 검사 회로(22)는 유기 EL 장치(1)의 작동 상황을 검사하기 위한 회로이며, 예를 들면 검사 결과를 외부에 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시 생략) 등을 구비하고, 제조 도중이나 출하시 표시 장치의 품질, 하자의 검사를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 주사 구동 회로(20), 데이터 구동 회로(21) 및 검사 회로(22)는 구동 전원선(29a, 29b)을 통해서 전원에 접속된다.
둘레부(8)에는 유기 EL 소자(3)에 접속하는 접속용 배선(27)이 형성된다. 이 접속용 배선(27)은 외부 부착 회로부(4)에 접속되어 있으며, 상기 접속용 배선(27)을 통해서 외부 부착 회로부(4)로부터의 전기 신호를 유기 EL 소자(3)에 공급한다.
한편 유기 EL 소자(3)는 양극(31)(陽極), 정공 주입층(32), 발광층(33), 공통 전극(34)(음극)[陰極], 화소 개구막(35) 및 유기 뱅크층(36)을 갖는다. 이들은 상술한 기체(10) 위에 적층된다. 양극(31), 정공 주입층(32) 및 발광층(33)은 화소 영역(K)에 형성되고, 화소 개구막(35) 및 유기 뱅크층(36)은 주로 화소간(L)에 형성된다.
양극(31)은 정공 주입층(32)에 정공을 주입하는 투명한 전극이며, 예를 들면 ITO(indium tin oxide) 등으로 형성되고, 콘택트홀(25)을 통해서 드레인 전극(18)에 접속된다.
정공 주입층(32)은 양극(31)으로부터 주입된 정공을 발광층(33)에 수송하는 층이며, 예를 들면 폴리티오펜 유도체(polythiophene derivative), 폴리피롤 유도체(polypyrrole derivative), 또는 그들의 도핑체 등으로 형성되어 있다. 또한 음극(34)은 외부 부착 회로부(4)로부터의 전기 신호에 따라서 발광층(33)에 전자를 주입하는 층이며, 예를 들면 칼슘 등의 금속으로 형성되어 있다. 음극(34)은 실제 표시 영역(P) 및 더미 영역(Q)보다 넓은 면적을 구비하고, 각각의 영역을 덮도록 형성되며, 유기 EL 소자(3)의 외측을 덮은 상태로 형성되어 있다. 이 음극(34)은 접속용 배선(27)에 접속되고, 상기 접속용 배선(27)을 통해서 외부 부착 회로부(4)에 접속되어 있다. 또한 제조시의 음극(34)의 부식 방지를 위해서, 음극(34) 상층부에, 예를 들면 알루미늄 등의 보호층을 형성해도 좋다.
발광층(33)은 형광(螢光) 또는 인광(燐光)을 발광할 수 있는 공지의 발광 재료, 예를 들면 저분자 재료나 고분자 재료로 형성되어 있다. 이 발광층(33)에서는 정공 주입층(32)으로부터의 정공과 음극(34)으로부터의 전자가 결합해서 광이 발광된다. 발광층(33)에는 적색광을 발하는 층(33R), 녹색광을 발하는 층(33G), 청색광을 발하는 층(33B)의 3 종류가 있다. 각 발광층(33R, 33G, 33B)으로부터의 광이, 양극(31), 정공 주입층(32) 및 기체(10)를 투과함으로써 기판(2)의 실제 표시 영역(P)에 화상이나 동영상 등이 표시된다.
화소 개구막(35)은 화소 영역(K)을 구획하는 절연막이다. 이 화소 개구막(35)은 개구부(35a)에서 양극(31)으로부터의 정공의 이동을 가능하게 하는 동시에, 개구부(35a) 이외에서의 정공의 이동이 일어나지 않도록 격리하고 있다.
유기 뱅크층(36)은 정공 주입층(32)이나 발광층(33)을 잉크젯에 의한 액적 토출법 등으로 형성할 때의 격벽이며, 또한 인접하는 정공 주입층(32) 및 발광층(33) 사이에서 정공의 이동이 일어나지 않도록 하는 절연층이다. 유기 뱅크층(36)은, 예를 들면 아크릴이나 폴리이미드 등으로 형성된다. 또한 기판(2)으로부터 투과하여 내부에 입사된 광이 음극(34)에 도달하고, 상기 음극(34)에서 반사되는 경우도 있기 때문에, 이 유기 뱅크층(36) 내에 음극(34)으로부터 상술한 소정 거리 d1을 두고 반투명경(37)이 설치되어 있다. 반투명경(37)은 상술한 반투명경(14)과 마찬가지로 기판(2)을 통해서 입사된 광의 일부를 반사하고, 나머지를 투과할 수 있게 되어 있다.
도 6은 이와 같이 구성된 유기 EL 장치(1)의 배선 구조를 개념적으로 나타내는 모식도이다.
이 유기 EL 장치(1)에 의하면, 게이트 배선(15)을 통해서 게이트 신호가 하이(high) 전압 레벨이 되면 스위칭용 TFT(100)가 온(ON) 상태로 된다. 그러면 그 때의 소스 배선(17)의 전위가 유지 용량(101)에 유지되고, 상기 유지 용량(101)의 전위 상태에 따라서, 구동용 TFT(12)의 ON 전류값이 결정된다. 구동용 TFT(12)는 이 상태에 따라서 전원선(102)으로부터 양극(31)에 전류를 흘린다. 양극(31)은 정공 주입층(32)을 통해서 발광층(33)으로 정공을 공급하고, 음극(34)으로부터는 발광층(33)으로 전자가 이동한다. 이와 같이 전류가 양극(31)으로부터 음극(34)으로 흐름으로써, 발광층(33)은 이 전류량에 따라서 발광한다. 또한 유지 용량(101)은 상술한 반투명경(14)을 이용해서 형성해도 좋다.
이어서 본실시예에 따른 유기 EL 장치(1)의 제조 공정에 대해서 간단하게 설명한다. 또한, 본 실시예에서는 기체(10) 및 유기 EL 소자(3)의 화소부(7)의 영역을 형성하는 공정을 설명하고, 둘레부(8)를 형성하는 공정의 설명은 생략한다.
먼저 공지의 방법에 의해, 기판(2)에 하지 보호층(11)을 형성하고, 그 위에 실리콘막(12)을 형성하고, 레이저 어닐링으로 폴리실리콘화한다. 실리콘막(12)을 게이트 절연층(13)으로 덮은 후, 게이트 배선(15)을 형성한다.
이어서 게이트 절연층(13) 위에 소스 배선(17)과 거의 동일한 패턴이 되도록 반투명경(14)을 패터닝해서 형성한다. 반투명경(14) 위에는 상기 반투명경(14)과 소스 배선(17)의 거리가 상술한 거리 d1이 되도록 정해진 막 두께로, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
이어서 콘택트홀(23, 24) 및 이 콘택트홀(23, 24)을 통해서 반도체(12)의 소스 영역(12s) 및 드레인 영역(12d)과 접속하는 소스 전극(17a) 및 드레인 전극(18)을 형성하고, 또한 제 2 절연층(16) 위에 반투명경(14)과 동일한 패턴으로 반투명경(14)과 중첩되도록 소스 배선(17)을 패터닝한다. 이어서 소스 배선(17) 및 드레인 전극(18) 위에 전체를 덮는 제 3 절연층(19)을 형성하고, 드레인측의 콘택트홀 (25)을 에칭하여 형성한다. 또한 콘택트홀(25)은 양극(31)과 접속시키기 위해서 화소 영역(K)에 형성한다. 이와 같이 하여 구동 회로 부분이 형성된다.
다음에 유기 EL 소자(3)를 형성하는 공정을 설명한다.
기체(10)의 전면(全面)을 덮고 있는 제 3 절연층(19) 위에, 양극(31)으로 되는 투명한 도전막을 성막하고, 화소 영역(K)에 양극(31)이 형성되도록 이 도전막을 패터닝한다. 이와 동시에 더미 영역의 더미 패턴(도시 생략)도 형성한다. 본 공정에 의해 화소 영역(K)에서 콘택트홀(25)을 통해서 양극(31)과 드레인 전극(18)이 접속된다.
이어서 제 3 절연층(19)의 노출 부분 위에, 양극(31)과 약간 중첩되도록 절연층인 화소 개구막(35)을 형성한다.
이 화소 개구막(35) 위에, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 레지스트를 용매에 용해한 재료를 사용하고, 스핀 코팅법(spin coating), 딥 코팅법(deep coating) 등의 각종 도포법에 의해 유기 뱅크층(36)을 형성한다. 유기 뱅크층(36) 내에는 뱅크 형성 공정을 2 회로 나누고, 중간에 반투명경(37)을 형성해도 좋다.
이어서 전면(全面)을 소정 온도, 예를 들면 70~80 ℃로 가열하여 O2 플라즈마 처리를 실시한다. 이 플라즈마 처리는 대기 분위기 중에서 산소를 반응 가스로 하는 처리이며, 화소 개구막(35)의 벽면(35a), 상면(35b) 및 양극(31)의 표면을 각각 친액화한다. 또한 대기 분위기 중에서 4 불화 메탄(tetrafluoromethane)을 반응 가스로 하는 CF4 플라즈마 처리에 의해 유기 뱅크층(36)의 상면(36b) 및 개구부 (36a)를 발액성으로 한다. 그 후에 각 부분을 실온까지 냉각한다.
이어서, 예를 들면 잉크젯법 등의 액적 토출법이나, 스핀 코팅법 등에 의해 정공 주입층(32)을 주입한다. 그 후에 건조 처리 및 열처리를 행하고, 양극(31) 위에 정공 주입층(32)을 형성한다. 주입된 액적(液滴)은 친액성 처리가 된 양극(31) 위에서 넓어지고, 개구부(35a) 내를 메우며, 한편 발액성 처리된 유기 뱅크층(36)의 개구부(36a) 및 상면(36b)에서는 액적이 반발하여 부착되지 않는다. 또한 공정 이후에는 정공 주입층(32) 및 발광층(33)의 산화를 방지하기 위해서, 질소 분위기, 아르곤 분위기 등의 불활성 가스 분위기에서 행하는 것이 바람직하다.
정공 주입층(32)을 건조시켜서 어닐링한 후, 예를 들면 잉크젯법에 의해 발광층 형성 재료를 정공 주입층(32) 위에 토출하고, 건조 처리 및 열처리를 행하여 발광층(33)을 형성한다. 본 공정에서는, 예를 들면 발광층(33B)의 재료를 청색 표시 영역에 선택적으로 도포하고 건조 처리한 후, 마찬가지로 녹색(33G), 적색(33R)에 대해서도 각각 그 표시 영역에 1 색씩 선택적으로 도포하여 건조 처리한다. 또한 필요에 따라서 발광층(33) 위에 전자 주입층을 형성해도 좋다.
건조와 어닐링을 한 후에는, 예를 들면 증착법 등의 물리적 기상 증착법에 의해 칼슘을 성막하여 음극(34)을 형성한다. 음극(34)이 발광층(33), 유기 뱅크층(36)의 상면(36b), 유기 뱅크층(36)의 외측부를 형성하는 벽면(36c)(도 3)을 덮고, 상술한 접속용 배선(27)에 접속한다.
또한, 음극(34) 위에 음극 보호층을 형성할 경우에는 증착법 등의 물리적 기상 증착법에 의해 음극(34) 위에, 예를 들면 알루미늄 등의 막을 성막(成膜)한다. 이와 같이 하여 형성된 구동 회로부를 포함하는 기체(10) 및 유기 EL 소자(3)의 대략 전체를 밀봉부(5)에 의해 캔 밀봉하여 유기 EL 장치(1)가 완성된다.
다음에 도 7의 (a), (b), 및 도 8의 (a), (b)를 사용하여 본 실시예와 종래예를 비교한다. 또한 본 도면에서는 원리적인 곳만을 나타내고, 세부는 생략한다.
도 7은 본 실시예와는 달리 반투명경(14 또는 37)을 설치하지 않은 경우이며, 기판(2)을 통해서 입사된 광이 소스 배선(17)이나 음극(34) 등에서 반사되고, 발광층(33)에서 발광된 광과 함께 사출되기 때문에, 현저하게 표시 콘트라스트를 저하시키고 있다. 이 상태는 화소간에 있는 소스 배선(17)의 해치(hatch)의 유무로 표현하였다. 한편, 도 8에 나타낸 본 실시예의 경우 반투명경(14 또는 37)을 설치하였으므로, 기판(2)을 통해서 투과한 광은 그 일부가 반투명경(14 또는 37)에서 반사되고, 나머지 광은 이 반투명경(14 또는 37)을 투과하며, 소스 배선(17)이나 음극(34)에서 반사되어서 복귀한다. 그러나 이 때, 반투명경(14)과 소스 배선(17), 반투명경(37)과 음극(34)의 거리를 상술한 각각의 소정 거리 d1, d2로 함으로써 반투명경(14 또는 37)에서 반사되는 광과, 소스 배선(17) 또는 음극(34)에서 반사되는 회귀광을, 반투명경의 밖에서 간섭시켜서 서로 상쇄하도록 할 수 있다. 따라서 상기 유기 EL 장치(1)를 구동했을 때에 실제로 표시 영역(P)의 반사광이 억제되므로 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 또한 본 실시예에서는 소스 배선(17)이나 음극(34)이 형성된 부분에 반투명경(14 또는 37)을 형성하면 되기 때문에, 게이트 배선(15)이나 소스 배선(17) 등의 배선간에 블랙 매트릭스를 메울 필요가 없고, 원편광판 등을 사용할 필요도 없다. 이에 따라 번잡한 제조 공정을 거치지 않고 저비용의 유기 EL 장치를 제공할 수 있다.
(제 2 실시예)
다음에 본 발명에 따른 발광 장치의 제 2 실시예를 설명한다. 제 1 실시예와 마찬가지로 이하의 도면에서는 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해서, 축척을 적당히 변경하고 있다. 또한 제 1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 첨부하고 그 설명을 생략한다. 본 실시예에서는 반투명경의 구성이 제 1 실시예와 다르게 되어 있기 때문에, 이 점을 중심으로 설명한다.
도 9는 본 실시예에 따른 유기 EL 장치(200)의 단면을 나타내는 개략도이다.
유기 EL 장치(200)는 기판(2)에 회로 소자나 배선, 또한 절연층 등이 형성된 기체(10)(基體)와, 이 기체(10) 위에 형성된 유기 EL 소자(3)와, 기체(10)의 단부(2a)(도 2)에 부착된 외부 부착 회로부(4)를 갖고 있으며, 외부 부착 회로부(4)로부터 공급되는 전기 신호에 따라서 유기 EL 소자(3)가 발광함으로써 화상이나 동영상 등을 표시할 수 있도록 되어 있다. 본 실시예는 박막 트랜지스터(TFT, thin film transistor)가 형성된 액티브 매트릭스형이며, 또한 유기 EL 소자(3)에 의해 발생한 광이 기체(10)를 투과하여 취출되는 보텀 이미션형 유기 EL 장치이다. 따라서 본 실시예는 제 1 실시예와 거의 동일하지만 기체(10)의 하지 보호층(11) 위에 반투명경(50), 제 1 투명층(51), 반사층(52), 제 2 투명층(53)이 형성되는 점에서 다르다.
반투명경(50)은, 예를 들면 몰리브덴(molybdenum) 등의 금속에 의해 화소간(L) 전체를 덮도록 형성되어 있으며, 박막 형상으로 함으로써 기판(2) 및 하지 보 호층(11)을 투과한 광의 일부를 기판(2)으로 향해서 반사하고, 나머지를 투과할 수 있도록 되어 있다. 또한 반사층(52)은 반투명경(50)과 마찬가지로, 예를 들면 몰리브덴 등의 금속에 의해 제 1 투명층(51)을 사이에 끼워서 반투명경(50)과 중첩되도록 형성된다. 반사층(52)은 반투명경(50)을 투과한 광이 대략 전(全)반사되기에 충분한 두께, 예를 들면 50 nm 정도가 되도록 형성된다.
제 1 투명층(51)은 반투명경(50)을 덮도록 하지 보호층(11) 위에 설치되고, 제 2 투명층(53)은 반사층(52)을 덮도록 제 1 투명층(51) 위에 설치된다. 제 1 투명층(51) 및 제 2 투명층(53)은, 예를 들면 SiO2 등의 투명한 재료로 형성된다.
반투명경(50)과 반사층(52)은 동일한 형상이어도 좋고, 반투명경(50)이 반사층(52)보다도 넓어지도록 형성해도 좋다. 또한 반투명경(50)과 반사층(52)의 거리 d2는 입사광의 파장을 λ2, 제 1 투명층(51)의 굴절율을 n2, 0 이상의 정수를 m2로 하면,
d2 = λ2(1 / 2 + m2) / 2 n2
로 나타내는 거리 d2로 설정된다. 이와 같이 설계함으로써 제 1 실시예와 마찬가지로, 기판(2)을 투과하여 반투명경(50)에서 반사된 광과, 반투명경(50)을 그대로 투과하여 반사층(52)에서 반사된 광이, 다시 반투명경(50)을 투과한 광과 간섭하여 상쇄되게 된다.
상기 거리 d2에 적합한 두께로 제 1 투명층(51)을 조정하는 것은 어렵지 않고, 또 λ2를 가시광의 중심 파장 520 nm로 한 경우 효율적으로 콘트라스트를 향상 시킬 수 있는 점도 제 1 실시예와 동일하다. 또한 반투명경(50)에서 반사된 광의 강도와, 반투명경(50)을 2 회 투과한 복귀광의 강도가 거의 동일해지는 막 두께(바꿔 말하면 반사율과 투과율)로 반투명경(50)을 형성하면, 대략 완전히 간섭·감쇠시킬 수 있는 점에 대해서도, 제 1 실시예와 동일하다.
또한 반투명경(50)을 형성하는 공정에서는 하지 보호층(11)의 실제 표시 영역(P) 위의 일면에 몰리브덴 박막을 형성한 후, 패터닝에 의해 화소 영역(K) 부분을 제거하면 되기 때문에, 매우 용이하게 형성할 수 있다. 반사층(52)에 대해서도 마찬가지로 형성하는 것이 가능하다.
이와 같이, 본 실시예에 의하면 반투명경(50)을 투과한 광을 소스 배선(17)이나 음극(34)에서 반사시키는 것이 아니고, 상기 광을 반사시키기 위한 반사층(52)을 별도로 설치하도록 했으므로, 소스 배선(17)이나 음극(34)의 배치에 구속받지 않고 상기 반사층(52)을 임의 영역에 설치할 수 있다. 예를 들면 소스 배선(17)이 형성된 영역 뿐만 아니라, 화소간(L)의 전역(全域)에 반투명경(50) 및 반사층(52)을 형성해도 좋다. 또한 반사층(52)을 구성하는 재료에 대해서는 특히 도전성을 갖고 있는지의 여부는 문제되지 않기 때문에, 반사 특성이 양호한 최적의 재료를 선택할 수 있다.
(전자 기기)
이어서, 본 발명에 따른 전자 기기에 대해서, 휴대 전화를 예로 들어서 설명한다.
도 10은 휴대 전화(3000)의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
휴대 전화(3000)는 케이싱(3001), 복수의 조작 버튼이 설치된 조작부(3002), 화상이나 동영상, 문자 등을 표시하는 표시부(3003)를 갖는다. 표시부(3003)에는 본 발명에 따른 유기 EL 장치(1)가 탑재된다.
본 실시예는 상술한 바와 같이 복잡한 제조 공정을 거치지 않더라도 외광의 반사를 억제할 수 있는 유기 EL 장치(1)가 탑재되어 있으므로, 콘트라스트가 높고, 제조 비용이 들지 않는 전자 기기를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 기술(技術) 범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시예에서는 소스 배선(17) 및 음극(34)에 대해서 반투명경(14)을 형성하도록 했지만, 예를 들면 게이트 배선(15)이나 전원선(102)에 대해서도 반사광 대책용의 반투명경을 형성하는 것이 가능하다. 이에 따라 게이트 배선(15)이나 전원선(102)에서의 반사도 억제할 수 있기 때문에 콘트라스트를 더욱 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명에 따르면, 본 발명의 발광 장치는 복잡한 제조 공정을 거치지 않고도 배선이나 음극에서의 광반사를 억제하여 표시시의 콘트라스트의 향상을 실현할 수 있고, 아울러 제조 비용의 증가도 억제할 수 있다는 효과가 있다.
Claims (15)
- 투명한 기판과, 상기 기판의 일면(一面)측에 설치되어 전기 신호에 의해 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 상기 전기 신호를 전달하기 위한 도전부를 갖고, 상기 발광층으로부터의 광(光)이 상기 기판을 투과하여 사출되는 발광 장치로서,상기 도전부와 상기 기판 사이에 상기 도전부와 소정 거리를 두고 상기 기판을 통해서 입사되는 입사광의 일부를 반사하고, 나머지 입사광을 투과하는 광반(半)투과 반(半)반사층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층이 상기 도전부의 패턴과 거의 동일한 패턴이 되도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 도전부 및 상기 발광층에 전기적으로 접속된 트랜지스터를 구비하며,상기 도전부가 상기 트랜지스터의 게이트선 및 소스선 중의 적어도 한쪽에 해당하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 도전부가 상기 발광층의 공통 전극인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 소정 거리를 d1, 상기 입사광의 파장을 λ1, 상기 도전부와 상기 광반투과 반반사층 사이의 영역의 굴절률을 n1, 0 이상의 정수를 m1로 하면,상기 거리 d1이,d1 = λ1 (1 / 2 + m1) / 2 n1 … (수학식 1)로 나타내어지도록 상기 광반투과 반반사층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 수학식 1에서의 λ1의 값이 가시광의 중심 파장 부근의 값인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층에서 반사되는 반사광의 강도와, 상기 광반투과 반반사막을 투과하여 상기 도전부에서 반사되고, 다시 상기 광반투과 반반사막을 투과한 복귀광의 강도가 거의 동일해지도록 상기 반투과 반반사층의 투과율과 반사율이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 투명한 기판과, 상기 기판의 일면측에 설치되어 전기 신호에 의해 발광하는 발광층과, 상기 발광층에 상기 전기 신호를 전달하기 위한 도전부를 갖고, 상기 발광층으로부터의 광이 상기 기판을 투과해서 사출되는 발광 장치로서,상기 도전부와 상기 기판 사이에 설치되고, 상기 기판측으로부터의 광을 반사하는 광반사층과,상기 광반사층과 상기 기판 사이에 상기 광반사층과 소정 거리를 두고 설치되고, 상기 기판을 통해서 입사되는 입사광의 일부를 반사하며, 나머지 입사광을 투과하는 광반투과 반반사층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층이 상기 광반사층의 패턴과 거의 동일한 패턴이 되도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 소정 거리를 d2, 상기 입사광의 파장을 λ2, 상기 광반사층과 상기 광반투과 반반사층 사이의 영역의 굴절률을 n2, 0 이상의 정수를 m2로 하면,상기 거리 d2가,d2 = λ2(1 / 2 + m2) / 2 n2 … (수학식 2)로 나타내어지도록 광반사층과 상기 광반투과 반반사층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 수학식 2에서의 λ2의 값이 가시광의 중심 파장 부근의 값인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층에서 반사되는 광의 강도와, 상기 광반투과 반반사막을 투과하여 상기 광반사층에서 반사되고, 다시 상기 광반투과 반반사막을 투과하는 광의 강도가 거의 동일해지도록 상기 반투과 반반사층의 투과율과 반사율이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 광반투과 반반사층이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항 또는 제 9 항에 기재된 발광 장치를 탑재한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120041949A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100704258B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기 |
| US8288180B2 (en) * | 2005-07-04 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| KR100796603B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR100829750B1 (ko) | 2006-12-06 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5256909B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
| SE533026C2 (sv) * | 2008-04-04 | 2010-06-08 | Klas-Haakan Eklund | Fälteffekttransistor med isolerad gate seriekopplad med en JFET |
| TWI422072B (zh) | 2009-12-30 | 2014-01-01 | Au Optronics Corp | 上蓋結構及發光元件之封裝結構及發光元件之封裝方法 |
| JP5542710B2 (ja) * | 2011-02-02 | 2014-07-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置用アレイ基板及び表示装置 |
| KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016081562A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| KR102237107B1 (ko) * | 2014-12-02 | 2021-04-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| WO2019142582A1 (ja) * | 2018-01-18 | 2019-07-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1302547C (en) * | 1988-12-02 | 1992-06-02 | Jerzy A. Dobrowolski | Optical interference electroluminescent device having low reflectance |
| JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| GB2353400B (en) * | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
| JP3555759B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2004-08-18 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| US7242140B2 (en) * | 2002-05-10 | 2007-07-10 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same |
| JP4371297B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2009-11-25 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ |
| US6737800B1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
| US7030553B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
| JP4716699B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| KR100704258B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2007-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기 |
-
2005
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-
2009
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120041949A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US9660219B2 (en) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Methods of manufacturing display devices |
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