JP2005347073A - 有機el装置、電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光共振器構造の導入により色純度を高めつつ、発光効率の低下を抑制可能な有機EL装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機EL装置は、光反射性電極12と光透過性電極111との間に形成された有機EL層110bを具備してなり、前記有機EL層110bは、複数色を発光可能に構成されるとともに、画素単位毎に一の発光色を発光可能に構成されてなり、前記有機EL層110bからの光を選択的に透過ないし反射する半透過反射層126が、当該半透過反射層126と前記光反射性電極12とにより前記有機EL層110bを挟む形にて形成されてなる一方、前記画素内における前記半透過反射層126の反射率が、前記発光色の異なる画素毎に相違してなることを特徴とする。
【選択図】 図3

Description

本発明は、有機EL装置、電子機器に関するものである。
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称す)素子を画素毎に複数備える有機EL装置が提案されている。一般的に、有機EL素子は、対向する一対の電極の間に有機EL層(発光層)を含む有機機能層が配置された構成を有している。
このような有機EL装置として、例えば各画素の発光色について、その発光スペクトルの半値幅を縮小すべく光共振器を備えた構成のものが例えば特許文献1に開示されている。
特開平8−213174号公報
上記特許文献1に開示された有機EL装置では、発光層としての有機EL層を挟む半透明反射層と反射層とによって光共振器構造が構成されており、当該発光層から発せられる光のスペクトルの半値幅の縮小、又は発光効率の向上、可干渉光の発生などを実現できるものとされている。ここで、各色の画素に対して、それぞれ同一構造の光共振器を作り込む場合、全ての色について最適化を図ることが困難な場合が多い。これは、最適化する発光波長に対して光共振器の構造を最適化する場合、各色の画素毎に有機EL層の膜厚を大きく異ならせる必要があるからである。特に赤色(R)の画素の有機EL層では、極端に厚くせざるを得なく、駆動電圧の上昇、効率の低下を招くこととなる。また、有機EL装置では一般的に表色範囲が狭いが、光共振構造の導入によりその表色範囲を広げることができる一方、該光共振構造の導入に伴って発光効率が低下する場合がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、光共振器構造の導入により色純度を高めつつ、発光効率の低下を抑制可能な有機EL装置を提供することにある。また、本発明の異なる目的は、信頼性に優れた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の有機EL装置は、光反射性電極と光透過性電極との間に形成された有機EL層を具備してなる有機EL装置であって、前記有機EL層は、複数色を発光可能に構成されるとともに、画素単位毎に一の発光色を発光可能に構成されてなり、前記有機EL層からの光を透過ないし反射する半透過反射層が、当該半透過反射層と前記光反射性電極とにより前記有機EL層を挟む形にて形成されてなる一方、前記画素内における前記半透過反射層の反射率が、前記発光色の異なる画素間で相違してなることを特徴とする。
このような有機EL装置によると、半透過反射層は光反射性電極との間で光共振器を構成することとなり、つまり有機EL層から光反射性電極側に発せられた光は、該光反射性電極に反射され、その結果、光反射性電極と半透過反射層との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過するものとされている。一方、有機EL層から半透過反射層側に発せられた光は、その一部が該半透過反射層を透過し、他部が半透過反射層にて反射され、その結果、光反射性電極と半透過反射層との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過するものとされている。以上のように半透過反射層を透過した光は、当該有機EL装置から出射されて表示等に供されることとなるが、本発明では、反射光が共振の後に半透過反射層を透過するものとされているため、当該有機EL装置から出射される光の色純度が向上することとなる。
さらに、本発明では、半透過反射層の反射率を異なる色の画素間で相違するように構成しているため、例えば用いられる有機EL層のうち、相対的に色純度の低い有機EL層を含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対的に高く構成することができる。一方、相対的に色純度の高い有機EL層を含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対的に低く構成することができる。このような構成を採用することで、半透過反射層の導入によって生じ得る発光効率の低減を、該半透過反射層の導入による色純度の向上効果を保ちつつ最小限に抑えることが可能となる。
本発明の有機EL装置において、前記有機EL層を高分子有機EL材料にて構成し、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成する一方、前記画素内における半透過反射層の反射率が、(赤の画素での反射率)<(緑の画素での反射率)<(青の画素での反射率)の関係を有してなるように構成することができる。
有機EL層として高分子有機EL材料を用いた場合、一般的に赤の色純度は相対的に高くできる一方、緑と青(特に青)の色純度は相対的に低いものとなる。そこで、上記のように赤の画素での反射率を相対的に低くする一方、緑の画素、さらには青の画素での反射率を相対的に大きくすることで、各色の画素での色純度を一律に高くすることが可能となる。そして、このように一律に色純度を高めつつも、もともと色純度の高い赤の画素では反射率を低くすることで、好適に発光効率の低減を抑えることが可能となる。
なお、半透過反射層の反射率を画素毎に異ならしめる方法としては、例えば画素内における半透過反射層の平面内占有面積を、発光色の異なる画素毎に相違させるものとすることができる。この場合、有機EL層を高分子有機EL材料にて構成し、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成したときには、画素内における半透過反射層の平面内占有面積は、(赤の画素での占有面積)<(緑の画素での占有面積)<(青の画素での占有面積)の関係を有することとなる。
上述した通り、本発明の有機EL装置では、半透過反射層の反射率(例えば平面内占有面積)を赤、緑、青の順で高い構成とすることに特徴があるが、例えば赤の画素には半透過反射層を形成しないものとしても良い。つまり、本発明の有機EL装置において、前記半透過反射層が、緑と青の画素に対して選択的に形成されてなるものとすることができる。
また、前記緑と青の画素に対して、赤を吸収する赤吸収フィルターを半透過反射層よりも光出射側に選択的に形成することができる。この場合、当該有機EL装置の光出射側(表示面側)に偏光板等を配設しなくても、半透過反射層において反射した外光が当該有機EL装置から出射される不具合を解消することができるようになる。したがって、高コントラストで、色純度が高く、IVL(電流−電圧−輝度)特性に優れた有機EL装置を提供可能となる。なお、前記光透過性電極が所定の透光性基板内面に形成されてなるとともに、前記赤吸収フィルターが該透光性基板内面に形成されてなるものとすることができる。この場合、赤吸収フィルターの導入により、当該有機EL装置の外面に凹凸等が生じる不具合を解消できるとともに、透光性基板により赤吸収フィルターを保護すること可能となる。
次に、本発明の電子機器は、本発明の有機EL装置を例えば表示部として備えることを特徴とする。このような電子機器によれば、色純度が高く、高コントラストの表示を実現することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の有機EL装置の一実施形態について、特にアクティブマトリクス型の有機EL装置1の要部を模式的に示す説明図である。なお、有機EL装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
有機EL装置1は、基板2の上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部14、画素電極(陽極)111、有機EL層(有機EL素子)を含む機能層110、陰極12、及び封止部3等を順次積層した構造からなる。
基板2としては、本例ではガラス基板が用いられている。ガラス基板の他にも、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。基板2内には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で構成される。各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。
また、封止部3は、水や酸素の侵入を防いで陰極12あるいは機能層110の酸化を防止するものであり、基板2に塗布される封止樹脂、及び基板2に貼り合わされる封止基板3b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板2の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布される。封止基板3bは、ガラスや金属等からなり、基板2と封止基板3bとは封止樹脂を介して張り合わされる。
図2は、上記有機EL装置1の回路構造を示している。
図2において、基板2上には、複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線132に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域Aが形成されている。
信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131には、シフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
画素領域Aには、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスタ123と、この薄膜トランジスタ123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスタ124と、この薄膜トランジスタ124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極111(陽極)と、画素電極111と対向電極12(陰極)との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。機能層110は、有機EL素子としての有機EL層を含む。
画素領域Aでは、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ124の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスタ124のチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を通じて対向電極12(陰極)に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、機能層110が発光する。
図3は、上記有機EL装置1における表示領域の断面構造を拡大した図である。この図3には赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する3つの画素領域の断面構造が示されている。前述したように、有機EL装置1は、基板2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部14、画素電極(陽極)111、機能層110が形成された発光素子部11、及び陰極12が順次積層して構成されている。
この有機EL装置1では、機能層110から基板2側に発した光が、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるとともに、機能層110から基板2の反対側に発した光が陰極12により反射されて、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるようになっている。
回路素子部14においては、基板2上に遮光性材料からなる遮光層BMが島状に形成され、さらにこれを覆う形にてシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成されている。この下地保護膜2c上には、遮光層BMと平面的に重畳する位置に対し、多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。
さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成されており、該ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極(走査線)143が形成されている。また、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。各層間絶縁膜としては、例えばSiO或いはSiNからなるもの透光性絶縁膜を適当な膜厚(例えば200nm程度)としたものを採用することができる。
ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して、半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。
そして、第2層間絶縁膜144b上には、Al等の光反射性材料からなる半透過反射層126が所定パターンの島状に形成され、さらにこれを覆う形にて、ITO等からなる透明な画素電極111が島状に形成されている。
画素電極111は、上述したコンタクトホール145を介してTFT123に接続されている。なお、他方のコンタクトホール146は電源線133に接続されている。このようにして、回路素子部14には、画素電極111に接続された半導体膜141を含む駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量135及びスイッチング用の薄膜トランジスタ124も形成されているが、図3ではこれらの図示を省略している。
このように第2層間絶縁膜144b上には半透過反射層126及び画素電極111が形成されているが、半透過反射層126は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各画素で異なる反射率を有している。具体的には、不等号関係が(赤色の画素の反射率)<(緑色の画素の反射率)<(青色の画素の反射率)となるように各画素の半透過反射層126が形成されており、ここでは反射率を異ならせるために、半透過反射層126の各画素内での面内占有面積比を、(赤色の画素における占有面積):(緑色の画素における占有面積):(青色の画素における占有面積)=0:50:50としている。これにより、本実施形態での半透過反射層126の反射率比が、(赤色の画素の半透過反射層の反射率):(緑色の画素の半透過層の反射率):(青色の画素の半透過層の反射率)=0:50:50とされている。
半透過反射層126は、機能層110中の有機EL層(発光層)110bで発光した光の一部を反射し、一部を透過する機能を有し、画素開口と重なるように若しくは画素開口よりも若干大きな平面形状にて形成されている。なお、半透過反射層126はアルミニウム等からなる反射性金属膜を10nm程度の薄膜に形成したものである。
画素電極111は、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50nm〜200nm(例えば70nm)の範囲が好ましい。
そして、上記のような半透過反射層126及び画素電極111の上に発光素子部11が形成されている。発光素子部11は、画素電極111上に積層された機能層110と、機能層110同士の間に配されて各機能層110を区画するバンク部112とを主体として構成されている。機能層110上には、アルミニウム等の反射性金属膜からなる陰極12が配置されている。なお、半透過反射膜126と陰極12との間の光学的距離は、当該画素の発光波長と同じか、或いはその整数倍となるように設計されており、その結果、半透過反射層126と陰極12とが、当該画素から取り出したい光に対して光共振器を構成することとなる。
バンク部112は、図3に示すように、基板2側に位置する無機物バンク層(第1バンク層)112aと、基板2から離れて位置する有機物バンク層(第2バンク層)112bとの積層にて構成されている。無機物バンク層112aは、例えばSiO、TiO等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。
また、機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された有機EL層(発光層)110bとから構成されている。
正孔注入/輸送層110aは、正孔を有機EL層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と有機EL層110bの間に設けることにより、有機EL層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、有機EL層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12から注入される電子が有機EL層で再結合し、発光が得られる。
なお、正孔注入/輸送層110aは、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)との混合物(PEDOT/PSS)をインクジェット法にて成膜したもので、各画素共通で50nmの厚さに調整されている。
有機EL層110bは、赤色(R)の画素では、赤色(R)に発光する高分子材料からなる赤色有機EL層110bにて構成され、同様に緑色(G)の画素では、緑色(G)に発光する高分子材料からなる緑色有機EL層110bにて構成され、さらに青色(B)の画素では、青色(B)に発光する高分子材料からなる青色有機EL層110bにて構成されている。そして、各色画素は所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。なお、各有機EL層110b,110b,110bは、各発光材料(高分子材料)をインクジェット法にて成膜したもので、厚さは赤色の画素で80nm、緑色の画素で80nm、青色の画素で70nm程度とした。
赤色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばローダミン色素を添加したPPVやMEH−PPVあるいはポリフルオレン系などの有機EL材料からなるものを用いることができ、緑色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばPPV誘導体やF8BT+ポリジオクチルフルオレンなどのフルオレン誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。青色有機EL層110bを形成する発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレン誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。
一方、バンク部112は、画素電極111をパターニング形成した後、まずSiO等の無機材料からなる無機物バンク層112aを、画素開口を備える形にて厚さ50nm程度に形成し、その後、ポリイミド等の有機材料からなる有機物バンク層112bを、同じく画素開口を備える形にて厚さ2μm程度に形成することで得られるものである。
次に、陰極(対向電極)12は、発光素子部11の全面に形成されており、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この陰極12は、上記金属有機化合物150のリチウム(Li)イオンを還元できるものとして、本例ではカルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。アルミニウム層12bは、有機EL層110bから発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等を採用することもできる。また、その厚さは、例えば100nm〜1000nmの範囲とすることができる。
このように構成された有機EL装置1においては、半透過反射層126は陰極12との間で光共振器を構成することとなり、つまり有機EL層110から陰極12側に発せられた光は、該陰極12に反射され、その結果、陰極12と半透過反射層126との間で共振される。そして、共振の結果、半透過反射層126を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過することとなる。
一方、有機EL層110から半透過反射層126側に発せられた光は、その一部が該半透過反射層126を透過し、他部が半透過反射層126にて反射され、その結果、陰極12と半透過反射層126との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層126を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過することとなる。
以上のように半透過反射層126を透過した光は、当該有機EL装置1から出射されて表示等に供されることとなるが、本実施形態では、反射光が共振の後に半透過反射層126を透過するものとされているため、当該有機EL装置1を出射する光の色純度が向上し、これを表示装置として用いた場合に、高輝度、高コントラストの表示を得ることが可能とされている。本実施形態では、青色で色度(x,y=0.14,0.16)、緑色で色度(x,y=0.40,0.59)、赤色で色度(x,y=0.66,0.33)を得ることができた。なお、光共振器構造(つまり半透過反射層126)を備えない有機EL装置では、青色で色度(x,y=0.15,0.2)、緑色で色度(x,y=0.42,0.55)であった。
さらに、本実施形態では、有機EL層110として高分子材料を用いて構成しているが、青色と緑色は、赤色に比して色純度が相対的に低く、特に青色の色純度が低いものとなる。そこで、本実施形態のように、相対的に色純度の低い緑色(G)及び青色(B)の画素に対して半透過反射層126の反射率を大きくし、相対的に色純度の高い赤色(R)の画素に対して半透過反射層126の反射率(面内占有面積)を小さくすることで、各色の画素毎に色純度をバランス良く高めることが可能となる。
また、一般的に光共振構造を採用すると、色純度が向上するものの発光効率が低減する傾向にある。ところが、本実施形態では、半透過反射層126の反射率(面内占有面積)を異なる色の画素毎に相違するように構成しているため、該半透過反射層126の導入によって生じ得る発光効率の低減を最小限に抑えることが可能となる。具体的には、本実施形態の有機EL装置1では、全画素駆動による白表示の際に輝度250Cd/m、発光時で光量3lm/Wを得ることができ、一方、光共振器構造(つまり半透過反射層126)を備えない有機EL装置では、同250Cd/m、3.51lm/Wで、発光効率の大きな低減は生じなかった。
なお、本実施形態では、赤色(R)の画素に対して相対的に反射率(面内占有面積)の小さい半透過反射層126を形成したが、赤色(R)の画素に対して該半透過反射層126を形成しないものとしても良い。つまり、緑色(G)と青色(B)の画素にのみ選択的に半透過反射層126を形成するものとしても良い。
さらに、画素毎に半透過反射層126の反射率を異ならせるために、該半透過反射層126の厚さを画素毎に異なる構成としても良い。具体的には、半透過反射層126の層厚関係が、(赤色の画素の層厚)<(緑色の画素の層厚)<(青色の画素の層厚)となるように構成することが好ましい。
以下、第1実施形態の有機EL装置1の製造方法について説明する。
まず、基板2上に厚さ300nm程度の遮光層BMを公知のフォトリソグラフィ技術により形成した後、下地保護膜2c及びTFT123を形成するとともに、層間絶縁膜144a,144bを形成してEL装置の基体を作成する。
そして、第2層間絶縁膜144b上に、半透過反射層126としてAlを厚さ10nm程度に形成し、これを各画素における面内占有面積を上述した範囲に設計すべくパターニングを行う。
続いて、全画素に透明陽極としてのITOを厚さ70nm程度にパターン形成し、さらに画素開口膜たる無機物バンク層112aとしてSiOを厚さ50nm程度に、さらに有機物バンク層112bとしてポリイミドを厚さ2μm程度にパターン形成する。
そして、形成したバンク内にインクジェット法にて正孔注入/輸送層を形成する材料としてPEDOT/PSS材料を含む液状組成物を塗布し、各色の画素共通に厚さ50nmとした。
さらに高分子型発光材料を各色の画素にインクジェット法にて形成する。このときの膜厚は、赤色の画素で80nm、緑色の画素で80nm、青色の画素で70nmとした。続いて、陰極12を形成するとともに封止工程を行って、第1実施形態の有機EL装置1を得るものとしている。
(第2実施形態)
次に、有機EL装置の第2実施形態について図4を用いて説明する。本第2実施形態の有機EL装置100においては、第1実施形態の構成に加えて、緑色(G)と青色(B)の画素において半透過反射層126の光出射側に赤色を吸収する機能を備えた赤色吸収フィルター125が形成されている。なお、該赤色吸収フィルター125が形成されている点以外は、第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
このような赤色吸収フィルター125を導入することで、色純度の向上とともに外光反射を低減でき、その結果、当該有機EL装置100を一層視認性に優れた表示装置として構成することが可能となる。なお、このような外光反射を防止するためには、基板2の光出射側に公知の円偏光板を配設するものとしても良い。また、本第2実施形態では、半透過反射層126の各画素内での面内占有面積比を、(赤色の画素における占有面積):(緑色の画素における占有面積):(青色の画素における占有面積)=10:40:50としている。これにより、本実施形態での半透過反射層126の反射率比が、(赤色の画素の半透過反射層の反射率):(緑色の画素の半透過層の反射率):(青色の画素の半透過層の反射率)=10:40:50とされている。
ここで、赤色吸収フィルター125は、例えばSnフタロシアニン化合物等からなる樹脂層にて構成することができる。また、赤色吸収フィルター125を緑色(G)と青色(B)の画素に対して選択的に配設する方法としては、例えばインクジェット法或いはフォトリソグラフィ法等を採用することができる。具体的には、インクジェット法によるときは、まず第2層間絶縁膜144b上全面にCFプラズマを掛け、緑色(G)と青色(B)の画素上に紫外線を照射して表面改質しておけば、該フィルター125を均一に成膜できることとなる。
(第3実施形態)
図5は、本発明の電子機器の実施の形態例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機EL装置を表示手段として備えている。図5は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は前記の有機EL装置を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機EL装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光特性を得ることができるとともに、電子機器の低価格化を図ることができる。
第1実施形態の有機EL装置の構成を模式的に示す説明図。 アクティブマトリクス型有機EL装置の回路構成を示す回路図。 第1実施形態の有機EL装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。 第2実施形態の有機EL装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。 本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図。
符号の説明
1,100…有機EL装置、12…陰極(光反射性電極)、110b…有機EL層(発光層)、111…画素電極(陽極、光透過性電極)、126…半透過反射層

Claims (8)

  1. 光反射性電極と光透過性電極との間に形成された有機EL層を具備してなる有機EL装置であって、
    前記有機EL層は、複数色を発光可能に構成されるとともに、画素単位毎に一の発光色を発光可能に構成されてなり、
    前記有機EL層からの光を透過ないし反射する半透過反射層が、当該半透過反射層と前記光反射性電極とにより前記有機EL層を挟む形にて形成されてなる一方、
    前記画素内における前記半透過反射層の反射率が、前記発光色の異なる画素間で相違してなることを特徴とする有機EL装置。
  2. 前記半透過反射層は、前記光反射性電極との間で光共振器として作用することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
  3. 前記有機EL層が高分子有機EL材料にて構成され、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成される一方、
    前記画素内における前記半透過反射層の反射率が、
    (赤の画素での反射率)<(緑の画素での反射率)<(青の画素での反射率)
    の関係を有してなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL装置。
  4. 前記画素内における前記半透過反射層の平面内占有面積が、前記発光色の異なる画素毎に相違してなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機EL装置。
  5. 前記有機EL層が高分子有機EL材料にて構成され、且つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成される一方、
    前記画素内における前記半透過反射層の平面内占有面積が、
    (赤の画素での占有面積)<(緑の画素での占有面積)<(青の画素での占有面積)
    の関係を有してなることを特徴とする請求項4に記載の有機EL装置。
  6. 前記半透過反射層が、前記緑と青の画素に対して選択的に形成されてなることを特徴とする請求項3又は5に記載の有機EL装置。
  7. 前記緑と青の画素に対して、赤を吸収する赤吸収フィルターが、前記半透過反射層よりも光出射側に選択的に形成されてなることを特徴とする請求項3、5又は6に記載の有機EL装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。
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