CN1705417B - 有机el装置、电子机器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机EL装置，具有光反射性电极，以及光透过性电极，以及形成在上述光反射性电极与上述光透过性电极之间，构成为能够发光出多种颜色，同时在每个像素中能够发光出1个发光色的有机EL层，以及与上述光反射性电极之间夹持上述有机EL层，对从上述像素中所选择出的规定颜色的像素，让来自上述有机EL层的光透过或反射的半透过反射层。

Description

有机EL装置、电子机器

技术领域

本发明涉及一种有机EL装置、电子机器。

背景技术

近年来，作为在笔记本计算机、移动电话机、电子记事本等电子机器中显示信息的机构，有人提案了在每个像素中具有多个有机场致发光(以下称为有机EL)元件的有机EL装置。一般来说，有机EL元件，在相面对的一对电极之间，设有包含有有机EL层(发光层)的有机功能层。

作为这样的有机EL装置，例如在专利文献(特开平8-213174号公报)中，公开了一种对各个像素的发光色，具有应当缩小其发光光谱的半幅值的光谐振器的构成。

上述专利文献中所公开的有机EL装置中，具有通过将作为发光层的有机EL层夹在中间的半透明反射层与反射层所构成的光谐振器，能够实现该发光层所发出的光的半光谱幅值的缩小，以及发光效率的提高、可干扰光的发生等。这里，在对各色像素分别制造相同构造的光谐振器的情况下，很难对所有的颜色实现最佳化。这是由于，在对最佳化的发光波长让光谐振器的构造也最佳化的情况下，各色的像素中各自的有机EL层的膜厚也必须极为不同。特别是红色(R)像素的有机EL层中，必须让膜厚非常之厚，从而导致了驱动电压的上升以及效率的低下。

另外，有机EL装置中，一般来说色度范围较窄，但通过光谐振构造的导入，能够扩展其色度范围，另外，伴随着该光谐振构造的导入，有时候发光效率会降低。

发明内容

本发明为了解决上述以前的问题而作出，其目的在于提供一种在具有光谐振器构造的有机EL装置中，对所有的颜色能够得到高色纯度，且不会因为有机EL层的厚度在各个像素中不同而产生驱动电压上升等不便之处的有机EL装置。

另外，本发明的另一个目的在于，提供一种通过光谐振器的导入而使得色纯度较高，同时能够抑制发光效率降低的有机EL装置。另外，本发明的再另一个目的在于，提供一种可行性较好的电子机器。

为解决上述问题，本发明的有机EL装置的特征在于，具有层积结构，具有形成在光反射性电极与光透过性电极之间的有机EL层，上述有机EL层，构成为能够发光出多种颜色，并且在每个像素中能够发光出1个发光色；和对从上述像素中所选择出的规定颜色的像素，让来自上述有机EL层的光透过乃至反射的半透过反射层，上述有机EL层配置在上述光反射性电极与上述半透过反射层之间；上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发出红、绿、蓝各色的光；上述半透过反射层形成为：俯视下，在与层积方向垂直的方向的平面内，该半透过反射层的面积在绿色和蓝色像素区域的开口的面积以上，且被上述光透过性电极覆盖。

通过这样的有机EL装置，半透过反射层与光反射性电极共同构成光谐振器，也即，从有机EL层向光反射性电极侧所发射的光，被该光反射性电极所反射，其结果是，在光反射性电极与半透过反射层之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层的波长时，反射光便从其中透过。另外，从有机EL层向半透过反射层所发射的光，其一部分透过该半透过反射层，另一部分被半透过反射层所反射，其结果是，在光反射性电极与半透过反射层之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层的波长时，反射光便从其中透过。像这样透过半透过反射层的光，从该有机EL装置中出射出来用于进行显示等，本实施方式中，由于反射光谐振之后透过半透过反射层，因此提高了从该有机EL装置中所出射的光的颜色纯度。

另外，本发明中，只对规定颜色有选择地形成半透过反射层，例如，可以对所使用的有机EL层中，颜色纯度相对低的有机EL层有选择地形成半透过反射层，这种情况下，不需要为了对颜色纯度进行校准，而采用有机EL层的膜厚在各个颜色中不同等特殊的构成。也即，通过本发明的构成，能够让有机EL层在各个像素中共同进行薄膜化，其结果是，能够防止乃至抑制以前那样的因有机EL层的厚膜化所导致的驱动电压的上升、驱动效率的下降等不便之处。另外，防止因有机EL层的薄膜化而导致的短寿命化。当然，对于空穴注入层的膜厚来说，不需要在各个像素中分别变更。如上所述，根据本发明，能够通过简单的构成，来提供颜色纯度高，且IVL特性优越的有机EL装置。

本发明的有机EL装置中，上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发光出红、绿、蓝各色，另外，上述半透过反射层，可对上述绿色与蓝色像素有选择地形成。在像这样在有机EL层中使用高分子有机EL材料的情况下，由于红色的颜色纯度相对高，而绿色与蓝色的颜色纯度相对低，因此，如上所述，通过对绿色与蓝色像素有选择地形成有机EL层，能够将各色的颜色纯度整体提高。这种情况下，由于不需要对上述的特定颜色(该情况下为红色)的有机EL层特意进行薄膜化、厚膜化，因此，能够防止乃至抑制因薄膜化而导致的短寿命化，以及因厚膜化所导致的驱动电压的上升、驱动效率的下降等不便之处。

另外，上述构成中，对上述绿色与蓝色像素，在比上述半透过反射层更加靠近光出射侧处，有选择地形成吸收红色的红色吸收滤色片。这种情况下，即使不在该有机EL装置的光出射侧(显示面侧)设置偏光板等，也能够消除半透过反射层中所反射的外光从该有机EL装置中出射出去这种不便之处。因此，能够提供一种高对比度，且颜色纯度高，IVL特性优异的有机EL装置。

另外，可以让上述光透过性电极在规定的透光性基板中形成，同时，上述红色吸收滤色片形成在该透光性基板的内面。通过该构成，不会像以前的方式那样，在基板外侧形成滤色片的情况下，由于视角而引起滤色片与像素的偏差，从而能够充分发挥滤色片的效果。另外，通过导入红色吸收滤色片，能够消除该有机EL装置的外面的凹凸等所产生的不便之处，同时，还能够通过透光性基板了保护红色吸收滤色片。

另外，可以让上述半透过反射层兼作电极，同时，在比该半透过反射层更加靠近光出射侧处，形成有光透过性电极，另外，上述红色吸收滤色片，是通过在上述光透过性电极中混入红色吸收成分而构成的。这种情况下也一样，通过该构成，不会像以前的方式那样，在基板外侧形成滤色片的情况下，由于视角而引起滤色片与像素的偏差，从而能够充分发挥滤色片的效果。另外，通过导入红色吸收滤色片，能够消除该有机EL装置的外面的凹凸等所产生的不便之处，同时，还能够通过透光性基板了保护红色吸收滤色片。另外，由于不需要单独形成红色吸收滤色片，因此，还有利于该有机EL装置的小型化。

或者，本发明的有机EL装置的特征在于，具有层积结构，具有形成在光反射性电极与光透过性电极之间的有机EL层，上述有机EL层，构成为能够发光出多种颜色，同时，具有在每个像素中能够发光出1个发光色，让来自上述有机EL层的光透过乃至反射的半透过反射层，另外，上述像素内的上述半透过反射层的反射率，在上述发光色不同的像素之间各不相同，上述有机EL层配置在上述光反射性电极与上述半透过反射层之间；上述半透过反射层，在与发光区域中包含的与上述多个颜色对应的多个像素区域的每一个在俯视下重叠的位置上形成为平面形状；俯视下，在与层积方向垂直的方向的平面内，上述半透过反射层在上述像素内所占的面积，在上述发光色不同的像素中各不相同。

通过这样的有机EL装置，半透过反射层与光反射性电极共同构成光谐振器，也即，从有机EL层向光反射性电极侧所发射的光，被该光反射性电极所反射，其结果是，在光反射性电极与半透过反射层之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层的波长时，反射光便从其中透过。另外，从有机EL层向半透过反射层所发射的光，其一部分透过该半透过反射层，另一部分被半透过反射层所反射，其结果是，在光反射性电极与半透过反射层之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层的波长时，反射光便从其中透过。像这样透过半透过反射层的光，从该有机EL装置中出射出来用于进行显示等，本实施方式中，由于反射光谐振之后透过半透过反射层，因此提高了从该有机EL装置中所出射的光的颜色纯度。

另外，本发明中，半透过反射层的反射率在不同颜色的像素间不同，因此，例如可以对所使用的有机EL层中，在包含有颜色纯度相对低的有机EL层的像素中，让半透过反射层的反射率相对较高。另外，在包含有颜色纯度相对高的有机EL层的像素中，让半透过反射层的反射率相对较低。通过采用这样的构成，能够在保持因该半透过反射层的导入所引起的颜色纯度的提高效果的同时，将该半透过反射层的导入所产生的发光效率的降低控制在最小限度。

本发明的有机EL装置中，可以让上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发光出红、绿、蓝各色，另外，上述像素内的上述半透过反射层的反射率，具有(红色像素的反射率)＜(绿色像素的反射率)＜(蓝色像素的反射率)的关系。

在使用有机EL材料作为有机EL层的情况下，一般来说，红色的颜色纯度能够比绿色与蓝色高，另外，绿色与蓝色(尤其是蓝色)的颜色纯度避红色低。因此，如上所述让红色像素的反射率比绿色与绿色的低，让绿色像素以及蓝色像素的反射率比红色大，通过这样，各色像素中的颜色纯度能够一致提高。另外，像这样的一致提高颜色纯度，还能够通过让原来颜色纯度较高的红色像素中的反射率降低，来适当抑制发光效率的降低。

另外，作为让每个像素中的半透过反射层的反射率不同的方法，例如，可以让俯视下在与层积方向垂直的方向的平面内上述半透过反射层在像素内所占的面积，在发光色不同的像素中各不相同。这种情况下，在有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发光出红、绿、蓝各色时，俯视下在与层积方向垂直的方向的平面内上述半透过反射层在像素内所占的面积，具有(红色像素中的占有面积)＜(绿色像素中的占有面积)＜(蓝色像素中的占有面积)的关系。

如上所述，本发明的有机EL装置的特征在于，半透过反射层的反射率(例如平面内占有面积)以红、绿、蓝的顺序逐渐变高，例如还可以不在红色像素中形成半透过反射层。也即，本发明的有机EL装置中，上述半透过反射层还可以有选择地对绿色与蓝色像素形成。

另外，还可以对上述绿色与蓝色像素，在比上述半透过反射层更加靠近光出射侧处，有选择地形成吸收红色的红色吸收滤色片。这种情况下，即使不在该有机EL装置的光出射侧(显示面侧)设置偏光板等，也能够消除半透过反射层中所反射的外光从该有机EL装置中出射出去这种不便之处。因此，能够提供一种高对比度，且颜色纯度高，IVL特性优异的有机EL装置。

接下来，本发明的电子机器的特征在于，具有本发明的有机EL装置，例如用作显示部。通过这样的电子机器，能够实现颜色纯度高、对比度高的显示。

附图说明

图1为模式说明实施方式1的有机EL装置的构成的说明图。

图2为说明有源矩阵式有机EL装置的电路构成的电路图。

图3为说明实施方式1的有机EL装置的显示区域的剖面构造的放大图。

图4为说明实施方式2的有机EL装置的显示区域的剖面构造的放大图。

图5为说明实施方式3的有机EL装置的显示区域的剖面构造的放大图。

图6为说明实施方式3的1个变形例的显示区域的剖面构造的放大图。

图7为模式说明实施方式4的有机EL装置的构成的说明图。

图8为说明有源矩阵式有机EL装置的电路构成的电路图。

图9为说明实施方式4的有机EL装置的显示区域的剖面构造的放大图。

图10为说明实施方式5的有机EL装置的显示区域的剖面构造的放大图。

图11为说明本发明的电子机器的实施方式的立体图。

具体实施方式

下面对照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，所对照的各个图中，由于图面上所能够识别的大小的原因，有时候各个层或各个部件的比例尺不同。

(实施方式1)

图1为对本发明的实施方式1的有机EL装置，特别是有源矩阵式有机EL装置1的要部进行模式说明的说明图。另外，有机EL装置1采用使用薄膜晶体管的有源式驱动方式。

有机EL装置1，通过在基板2上顺次层积包含作为电路元件的有薄膜晶体管的电路元件部14、像素电极(阳极)111、包含有有机EL层(有机EL元件)的功能层110、阴极12以及密封部3等的构造而成。

本例中使用玻璃基板作为基板2。除了玻璃基板之外，还可以使用硅基板、石英基板、陶瓷基板、金属基板、塑料基板、塑料薄膜基板等用于电光学装置或电路基板中的各种公知的基板。基板2内，将作为发光区域的多个像素区域A排列成矩阵状，在进行彩色显示的情况下，例如将分别对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的像素区域A构成为规定的排列。各个像素区域A中设有像素电极111，其附近设有信号线132、电源线133、扫描线131以及图中未显示的其他像素电极用扫描线等。

另外，密封部3用来防止水或氧气的侵入，从而防止阴极12或功能层110的氧化，包括涂布在基板2上的密封树脂，以及贴合在基板2上的密封基板3b(密封外壳)等。作为密封树脂的材料，例如使用热硬化树脂或紫外线硬化树脂等，特别是作为热硬化树脂的1种的环氧树脂是非常理想的。密封树脂环状涂布在基板2的周边，通过例如微型分配器等进行涂布。密封基板3b由玻璃或金属等制成，基板2与密封基板3b经密封树脂贴合在一起。

图2中显示了上述有机EL装置1的电路构造。

图2中，基板2上布线有多个扫描线131、在与扫描线131相交叉的方向上延伸的多个信号线132、以及与信号线132并列延伸的多个电源线133。另外，在扫描线131与信号线132的各个交点上分别形成上述像素区域A。

信号线132与包含有例如移位寄存器、电平转换器、视频线以及模拟开关的数据侧驱动电路103相连接。另外，扫描线131中，与包含有移位寄存器以及电平转换器的扫描侧驱动电路104相连接。

像素区域A中，设有经扫描线131向栅极电极提供扫描信号的切换用第1薄膜晶体管123、保持经该薄膜晶体管123从信号线132所提供的图像信号的保持电容135、将保持电容器135所保持的图像信号提供给栅极电极的驱动用第2薄膜晶体管124、在经该薄膜晶体管124与电源线133电连接时，被流入来自电源线133的驱动电流的像素电极111(阳极)，以及夹在像素电极111与对向电极12(阴极)之间的功能层110。功能层110具有作为有机EL元件的有机EL层。

像素区域A中，当扫描线131所驱动的第1薄膜晶体管123导通之后，此时的信号线132的电位保持在保持电容135中，根据该保持电容135的状态，决定第2薄膜晶体管124的导通状态。另外，电流经第2薄膜晶体管124的沟道，从电源线133流到像素电极111中，另外，电流通过功能层110流到对向电极12(阴极)中。之后，功能层110对应于此时的电流量进行发光。

图3为上述有机EL装置1中的显示区域的剖面构造的放大图。该图3中显示了分别对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的3个像素区域的剖面构造。如前所述，有机EL装置1通过在基板2上顺次层积TFT等电路所形成的电路元件部14、像素电极(阳极)111、功能层110所形成的发光元件部11以及阴极12。

该有机EL装置1中，从功能层110发射向基板2的光，透过电路元件部14以及基板2，从基板2的下侧(观测者)出射出来，同时，从功能层110发射向基板2相反侧的光，被阴极12所反射，透过电路元件部14以及基板2，从基板2的下侧(观测者)出射出来。

电路元件部14中，基板2上形成有岛状的由遮光性材料所构成的遮光层BM，另外还形成有覆盖该遮光层的由硅氧化膜所构成的基底保护膜2c。该基底保护膜2c上，在与遮光层BM平面重叠的位置上，形成有多晶体硅所构成的岛状的半导体膜141。另外，半导体膜141中，源极区域141a以及漏极区域141b通过注入高浓度的P离子而形成。另外，没有导入P的部分成为沟道区域141c。

另外，电路元件部14中，形成有覆盖基底保护膜2c以及半导体膜141的透明的栅极绝缘膜142，该栅极绝缘膜142上形成有Al、Mo、Ta、Ti、W等所形成的栅极电极(扫描线)143。另外，栅极电极143以及栅极绝缘膜142上，形成有透明的第1层间绝缘膜144a与第2层间绝缘膜144b。可以采用例如适当的膜厚(例如300nm左右)的SiO₂或SiN所构成的透光性绝缘膜，作为各个层间绝缘膜。

栅极电极143设置在半导体膜141的沟道区域141c所对应的位置中。另外，还形成有贯通第1、第2层间绝缘膜144a、144b，分别连接半导体膜141的源极、漏极区域141a、141b的连接孔145、146。

在第2层间绝缘膜144b上，形成有ITO等所构成的岛状的透明的像素电极111，上述连接孔145与该像素电极111相连接。另外，另一个连接孔146与电源线133相连接。通过这样，电路元件部14中，形成包含有与像素电极111相连接的半导体膜141的驱动用薄膜晶体管123。另外，电路元件部14中，还形成有上述保持电容135以及切换用薄膜晶体管124，但图3中省略了它们的图示。

通过这样，在第2层间绝缘膜141b上层积形成像素电极111以及功能层110等，本实施方式中，红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各个像素中具有不同的层积构造。具体的说，绿色(G)以及蓝色(B)的像素中，分别在第2层间绝缘膜144b与像素电极111之间形成有红色吸收滤色片125以及半透过反射层126，该红色吸收滤色片125以及半透过反射层126的上侧形成有功能层110。另外，红色(R)像素中，不形成该红色吸收滤色片以及半透过反射层。

详细地说，红色(R)像素中，第2层间绝缘膜114b上以图形形成有像素电极111，其上部形成有发光元件部11。发光元件部11主要由层积在像素电极111上的功能层110，以及设置在功能层110之间用来区分各个功能层110的围堰部112构成。功能层110上设有铝等反射性金属膜所构成的阴极12。

另外，绿色(G)像素中，吸收红色的红色吸收滤色片125以与像素开口重叠或比像素开口稍大的平面形状，设置在第2层间绝缘膜114b上。另外，对所发射的光的一部分进行反射，并让一部分透过的半透过反射层126，以与像素开口重叠或比像素开口稍大的平面形状，形成在该红色吸收滤色片125上。另外，半透过反射层126是通过铝等金属所构成的反射性金属膜，形成为10nm左右的薄膜而构成的。

之后，以图形形成有覆盖上述红色吸收滤色片125与半透过反射层126的像素电极111，该像素电极111上形成有发光元件部11。发光元件部11主要由层积在像素电极111上的功能层110，以及设置在功能层110之间用来区分各个功能层110的围堰部112构成。功能层110上设有铝等反射性金属膜所构成的阴极12。另外，半透过反射层126与阴极12之间的光学距离，被设置为与该像素的发光(绿色发光)波长相同或其整数倍，其结果是，半透过反射层126与阴极12，构成对从该像素中所取出的光的光谐振器。

另外，蓝色(B)像素中，与绿色(G)像素一样，吸收红色的红色吸收滤色片125以与像素开口重叠或比像素开口稍大的平面形状，设置在第2层间绝缘膜114b上。另外，对所发射的光的一部分进行反射，并让一部分透过的半透过反射层126，以与像素开口重叠或比像素开口稍大的平面形状，形成在该红色吸收滤色片125上。另外，半透过反射层126是通过铝等金属所构成的反射性金属膜，形成为10nm左右的薄膜而构成的。

之后，以图形形成有覆盖上述红色吸收滤色片125与半透过反射层126的像素电极111，该像素电极111上形成有发光元件部11。发光元件部11主要由层积在像素电极111上的功能层110，以及设置在功能层110之间用来区分各个功能层110的围堰部112构成。功能层110上设有铝等反射性金属膜所构成的阴极12。另外，半透过反射层126与阴极12之间的光学距离，被设置为与该像素的发光(蓝色发光)波长相同或其整数倍，其结果是，半透过反射层126与阴极12，构成从该像素中所取出的光的光谐振器。

像素电极111在各色(R、G、B)像素中共通，形成为俯视视图大致为矩形。该像素电极111的厚度最好在50nm～200nm(例如70nm)的范围内，特别是最好为150nm左右。围堰部112如图3所示，由位于基板2侧的无机物围堰层(第1围堰层)112a，与位于离开基板2处的有机物围堰层(第2围堰层)112b层积而成。无机物围堰层112a由例如SiO₂、TiO₂等无机材料构成。另外，有机物围堰层112b由例如丙稀树脂、聚茚树脂等具有耐热性、耐溶媒性的保护层构成。

另外，功能层110，由层积在像素电极111上的空穴注入/输送层(空穴注入和输送层)110a，以及在空穴注入/输送层110a上相邻形成的有机EL层(发光层)110b所构成。

空穴注入/输送层110a，具有向有机EL层110b注入空穴的功能，同时还具有在空穴注入/输送层110a内输送空穴的功能。通过将该空穴注入/输送层110a设置在像素电极111与有机EL层110b之间，能够提高有机EL层110b的发光效率、寿命等元件特性。另外，有机EL层110b中，通过将空穴注入/输送层110a所注入的空穴，与阴极所注入的电子，在有机EL层中再结合，进行发光。

另外，空穴注入/输送层110a，通过将聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物与聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PEDOT/PSS)使用喷墨法成膜而成，并进行调整，使其在蓝色(B)像素中为40nm厚，在红色(R)与绿色(G)像素中为70nm厚。空穴注入/输送层110a的膜厚，既可以在各色像素中不同，又可以通过调整形成在其上的EL层110b的膜厚，使其在全体像素中相同。通过这样，简化了空穴注入/输送层110a的形成工序。例如，可以将空穴注入/输送层110a的厚度统一为50nm。此时，对于有机EL层110b的厚度，通过让蓝色像素中的有机EL层110b3的厚度为70nm，绿色像素中的有机EL层110b2的厚度为90nm，能够同时改善蓝色与绿色像素的色度。

有机EL层110b，在红色(R)像素中，通过发红色(R)光的高分子材料所形成的红色有机EL层110b₁构成，同样，在绿色(G)像素中，通过发绿色(G)光的高分子材料所形成的绿色有机EL层110b₂构成，另外，在蓝色(B)像素中，通过发蓝色(B)光的高分子材料所形成的蓝色有机EL层110b₃构成。各个像素以规定的排列(例如条状)进行配置。另外，各个有机EL层110b₁、110b₂、110b₃，是将各个发光材料(高分子材料)通过喷墨法而成膜的，成膜为全体厚度为80nm左右。

作为形成红色有机EL层110b₁的发光材料，可以使用例如若丹明及其衍生物等有机EL材料所制成的发光材料，作为形成绿色有机EL层110b₂的发光材料，可以使用例如二羟基喹啉并吖啶及其衍生物等有机EL材料所制成的发光材料。作为形成蓝色有机EL层110b₃的发光材料，可以使用例如二苯乙烯基联苯及其衍生物、香豆素及其衍生物、四苯丁二烯及其衍生物等有机EL材料所制成的发光材料。

另外，围堰部112，在图形形成像素电极111之后，首先以具有像素开口的形状，形成厚度为50nm左右的SiO2等无机材料所制成的无机物围堰层112a，之后，同样以具有像素开口的形状，形成厚度为2μm左右的聚酰亚胺等有机材料所制成的有机物围堰层112b，通过这样来形成围堰部112。

接下来，阴极(对向电极)12形成在发光元件部11的全表面上，与像素电极111成对，能够起到让功能层110中流动有电流的作用。该阴极12，本例中通过钙层12a与铝层12b层积而成。铝层12b将有机EL层110b所发射的光反射向基板2侧，除了Al膜之外，还可以采用Ag膜、Al与Ag的层积膜等。另外，其厚度可以在例如100nm～1000nm的范围内。

另外，作为对绿色(G)与蓝色(B)像素选择配置红色吸收滤色片125的方法，可以采用例如喷墨法或光刻胶法等方法。具体的说，在采用喷墨法时，首先在第2层间绝缘膜144b的全表面上覆盖CF₄等离子，在绿色(G)与蓝色(B)像素上照射紫外线，使其表面改质从而均匀成膜。

如上所构成的有机EL装置1中，半透过反射层126与阴极12共同构成光谐振器，也即，从有机EL层110向阴极12所发射的光，被该阴极12所反射，其结果是，在阴极12与半透过反射层126之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层126的波长时，反射光便从其中透过。

另外，从有机EL层110向半透过反射层126所发射的光，其一部分透过该半透过反射层126，另一部分被半透过反射层126所反射，其结果是，在阴极12与半透过反射层126之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层126的波长时，反射光便从其中透过。

像这样透过半透过反射层126的光，从该有机EL装置1中出射出来用于进行显示等，本实施方式中，由于反射光谐振之后透过半透过反射层126，因此提高了从该有机EL装置1中所出射的光的颜色纯度，在将其用作显示装置的情况下，能够进行高亮度、高对比度的显示。本实施方式中，能够得到蓝色色度(x，y＝0.14，0.1)，绿色色度(x，y＝0.35，0.61)，红色色度(x，y＝0.66，0.33)，还能够实现表面反射率为4％。另外，在没有光谐振器构造(也即半透过反射层126)、红色吸收滤色片125以及遮光层BM的有机EL装置中，蓝色色度为(x，y＝0.15，0.2)，绿色色度为(x，y＝0.42，0.55)，表面反射率为70％。

另外，本实施方式中，对绿色(G)以及蓝色(B)像素有选择地形成半透过反射层126，但在使用高分子材料构成有机EL层110的情况下，绿色以及蓝色与红色相比，颜色纯度相对较低。

因此，通过像本实施方式这样，对颜色纯度相对低的绿色(G)以及蓝色(B)像素形成半透过反射层，从而不需要为了对该颜色纯度进行校准，而采用有机EL层110的膜厚在各个颜色中不同等特殊的构成。

也即，通过本实施方式的构成，能够让有机EL层110在各个像素中共同进行薄膜化，其结果是，能够防止乃至抑制因有机EL层的厚膜化所导致的驱动电压的上升、驱动效率的下降等不便之处。

另外，通过在红色(R)像素的出光侧，设置吸收波长600nm以下的光的第2滤色片，能够进一步提高对比度，并能够将表面反射率降低到3％。这样的第2滤色片，可以在绿色(G)与蓝色(B)像素中通过喷墨法形成红色吸收滤色片时，在红色(R)像素中通过喷墨法形成。另外，不另外设置第2滤色片，而是在透明的像素电极111中，混入吸收波长为600nm以下的光的材料，具体的为红色染料或红色颜料等色素，也能够实现与上述相同的效果。

下面对第1实施方式的有机EL装置1的制造方法进行说明。

首先，在通过公知的光刻胶技术在基板2上形成遮光层BM之后，形成基底保护膜2c以及TFT123，同时还形成层间绝缘膜144a、144b，制成EL装置的基体。之后，在第2层间绝缘膜144b上形成吸收红色光的树脂层，通过光刻胶技术将其有选择地形成在绿色(G)与蓝色(B)像素上，得到红色吸收滤色片125。该滤色片形成工序中，可以采用喷墨法或光刻胶法中的任一种。在采用喷墨法时，首先，在第2层间绝缘膜144b的全表面上覆盖CF₄等离子，在绿色(G)与蓝色(B)像素上照射紫外线，通过使其表面改质，从而能够得到更加均匀的膜。

接下来，在红色吸收滤色片上，对绿色(G)与蓝色(B)像素有选择地形成半透过反射层126。此时膜厚为10nm左右。接下来，对全体像素图形形成作为透明电极的厚度为70nm左右的ITO，并且作为像素开口膜，图形形成作为无机物围堰层112a的厚度为50nm左右的SiO₂，以及作为有机物围堰层112b的厚2μm左右的聚酰亚胺。之后，在所形成的围堰内，通过喷墨法涂布包含有作为形成空穴注入/输送层的材料的PEDOT/PSS材料的液体组成物，在蓝色(B)像素中图形形成为厚度40nm左右，在红色(R)与绿色(G)像素中图形形成为厚度70nm左右。并通过喷墨法在各色像素中图形形成高分子发光材料。此时的膜厚在所有的发光层中约为80nm。接下来，形成阴极12并进行密封工序，得到实施方式1的有机EL装置1。

(实施方式2)

接下来，对照图4对有机EL装置的实施方式2进行说明。本实施方式2中，与实施方式1不同，特征在于，将具有吸收红色的功能的像素电极111设置在绿色(G)与蓝色(B)的各个像素中，其他构成与实施方式1大致相同。因此，本实施方式中对与实施方式1不同的部分特意进行说明。

实施方式2的有机EL装置100，对于红色(R)像素来说，具有与实施方式1的有机EL装置1相同的构成。另外，对于绿色(G)与蓝色(B)像素来说，在第2层间绝缘膜144b上，设置了兼具吸收波长为550nm以上的光(相当于红色)的滤光功能以及电极(阳极)功能的像素电极127。具体的说，是在ITO等导电性透明金属材料中分散有Sn酞花青化合物。通过这样的构成，能够让膜厚降低没有形成红色吸收滤色片程度，制造工序也能够简化。

作为这样的有机EL装置100的制造方法，与实施方式1一样，首先，在基板2上形成遮光层BM之后，形成基底保护膜2c以及TFT123，同时还形成层间绝缘膜144a、144b，制成EL装置的基体。之后，在第2层间绝缘膜144b的全表面上形成SiO₂等无机材料之后，通过公知的光刻胶技术，形成具有像素开口部的无机物围堰层112a，并在该无机物围堰层112a上，形成同样具有像素开口部的有机物围堰层112b。

接下来，在绿色(G)以及蓝色(B)的各个像素的围堰内，通过分配器涂布将ITO以及Sn酞花青化合物分散在溶媒中的液体组成物，在红色(R)像素内的围堰内涂布分散有ITO的液体组成物。接下来，在对该涂布膜进行烧制之后，通过喷墨法或分配法将镀银溶液涂布在绿色(G)以及蓝色(B)像素中，在该绿色(G)以及蓝色(B)像素中形成透过率为50％左右的半透过反射层。之后，与实施方式1相同，形成空穴注入/输送层、有机EL层以及阴极等，并进行密封工序，得到实施方式2的有机EL装置。

(实施方式3)

接下来，对照图5对有机EL装置的实施方式3进行说明。本实施方式3中，与实施方式1以及2不同，特征在于，在绿色(G)与蓝色(B)的各个像素中，在一个像素中形成两个像素电极，并相应地形成两个TFT。另外，关于红色(R)像素，具有与实施方式1以及2相同的构成，以下，对与实施方式1以及2不同的部分进行说明。

图5中所示的有机EL装置101中，将绿色(G)以及蓝色(B)像素分别分割成两个点，在一个像素中形成两个像素电极。该一个像素中所分割形成的两个像素电极，分别是具有红色吸收滤色片功能的像素电极127(以下也称作着色像素电极127)，与不具备该滤色片功能的像素电极111，各个像素电极127、111分别与TFT123相连接。具有着色像素电极127的点，与具有像素电极111的点，被围堰部112所区分，在具有着色像素电极127的点中，在该着色像素电极127上形成与实施方式2相同的半透过反射层126，并形成空穴注入/输送层110a以及发光层110b。另外，像素电极111上不形成半透过反射层，在红色(R)像素中同样形成空穴注入/输送层110a以及发光层110b。

除此之外，阴极12等的构成与实施方式1以及2相同，在本实施方式3中，也能够发挥与实施方式2相同的效果。另外，通过本实施方式3，与在绿色(G)以及蓝色(B)像素全区域中形成半透过反射层126的构成相比，能够提高显示的亮度。另外，像本实施方式3这样的将1个像素分割成多个点的构成，也可以在具有像实施方式1那样的红色吸收滤色片125的构成的有机EL装置中。另外，在分割像素时，不一定要通过围堰层112在点之间进行分割，还可以例如像图6所示的有机EL装置102那样，通过没有围堰层的形态来构成各个点。另外，对于驱动方法来说，例如在希望显示出鲜艳的颜色的情况下，最好只驱动绿色(G)以及蓝色(B)像素中的具有半透过反射层126的点。另外，在显示淡色、中间色的情况下，可以驱动绿色(G)以及蓝色(B)中的具有半透过反射层126的点，以及不具有该半透过反射层126的点这两者。

(实施方式4)

图7为模式说明本发明的有机EL装置的实施方式之一，特别是有源矩阵式有机EL装置201的要部的说明图。另外，有机EL装置201，采用使用薄膜晶体管的有源式驱动方式。

与实施方式1相同，有机EL装置201，通过在基板202上顺次层积包含作为电路元件的有薄膜晶体管的电路元件部214、像素电极(阳极)311、包含有机EL层(有机EL元件)310b的功能层310、阴极212以及密封部203等的构造而成。

与实施方式1相同，本例中使用玻璃基板作为基板202。除了玻璃基板之外，还可以使用硅基板、石英基板、陶瓷基板、金属基板、塑料基板、塑料薄膜基板等用于电光学装置或电路基板中的各种公知的基板。基板202内，与实施方式1相同，将作为发光区域的多个像素区域A排列成矩阵状，在进行彩色显示的情况下，例如将分别对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的像素区域A构成为规定的排列。各个像素区域A中设有像素电极311，其附近设有信号线332、电源线333、扫描线331以及图中未显示的其他像素电极用扫描线等。

另外，与实施方式1相同，密封部203用来防止水或氧气的侵入，从而防止阴极212或功能层310的氧化，包括涂布在基板202上的密封树脂，以及贴合在基板202上的密封基板203b(密封外壳)等。作为密封树脂的材料，例如使用热硬化树脂或紫外线硬化树脂等，特别是作为热硬化树脂的1种的环氧树脂是非常理想的。密封树脂环状涂布在基板202的周边，通过例如微型分配器等进行涂布。密封基板203b由玻璃或金属等制成，基板202与密封基板203b经密封树脂贴合在一起。

图8中显示了上述有机EL装置201的电路构造。

图8中，基板202上与实施方式1相同，布线有多个扫描线331、在与扫描线331相交叉的方向上延伸的多个信号线332、以及与信号线332并列延伸的多个电源线333。另外，在扫描线331与信号线332的各个交点上分别形成上述像素区域A。

信号线332与包含有例如移位寄存器、电平转换器、视频线以及模拟开关的数据侧驱动电路303相连接。另外，扫描线331中，与包含有移位寄存器以及电平转换器的扫描侧驱动电路304相连接。

与实施方式1相同，像素区域A中，设有经扫描线331向栅极电极提供扫描信号的切换用第1薄膜晶体管323、保持经该薄膜晶体管323从信号线332所提供的图像信号的保持电容335、将保持电容器335所保持的图像信号提供给栅极电极的驱动用第2薄膜晶体管324、在经该薄膜晶体管324与电源线333电连接时，被流入来自电源线333的驱动电流的像素电极311(阳极)，以及夹在像素电极311与对向电极212(阴极)之间的功能层310。功能层310具有作为有机EL元件的有机EL层。

与实施方式1相同，像素区域A中，当扫描线331所驱动的第1薄膜晶体管323导通之后，此时的信号线332的电位保持在保持电容335中，根据该保持电容335的状态，决定第2薄膜晶体管324的导通状态。另外，电流经第2薄膜晶体管324的沟道，从电源线333流到像素电极311中，电流进一步通过功能层310流到对向电极212(阴极)中。之后，功能层310对应于此时的电流量进行发光。

图9为上述有机EL装置201中的显示区域的剖面构造的放大图。该图9中显示了分别对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的3个像素区域的剖面构造。如前所述，有机EL装置201通过在基板202上顺次层积TFT等电路所形成的电路元件部214、像素电极(阳极)311、功能层310所形成的发光元件部211以及阴极212。

该有机EL装置201中，从功能层310发射向基板202的光，透过电路元件部214以及基板202，从基板202的下侧(观测者)出射出来，同时，从功能层310发射向基板202相反侧的光，被阴极212所反射，透过电路元件部214以及基板202，从基板202的下侧(观测者)出射出来。

与实施方式1相同，电路元件部214中，基板202上形成有岛状的由遮光性材料所构成的遮光层BM，另外还形成有覆盖该遮光层的由硅氧化膜所构成的基底保护膜202c。该基底保护膜202c上，在与遮光层BM平面重叠的位置上，形成有多晶体硅所构成的岛状的半导体膜341。另外，半导体膜341中，源极区域341a以及漏极区域341b通过注入高浓度的P离子而形成。另外，没有导入P的部分成为沟道区域341c。

另外，电路元件部214中，与实施方式1相同，形成有覆盖基底保护膜202c以及半导体膜341的透明的栅极绝缘膜342，该栅极绝缘膜342上形成有Al、Mo、Ta、Ti、W等所形成的栅极电极(扫描线)343。另外，栅极电极343以及栅极绝缘膜342上，形成有透明的第1层间绝缘膜344a与第2层间绝缘膜344b。可以采用例如适当的膜厚(例如200nm左右)的SiO2或SiN所构成的透光性绝缘膜，作为各个层间绝缘膜。

与实施方式1相同，栅极电极343设置在半导体膜341的沟道区域341c所对应的位置中。另外，还形成有贯通第1、第2层间绝缘膜344a、344b，分别连接半导体膜341的源极、漏极区域341a、341b的连接孔345、346。

另外，与实施方式1不同，在第2层间绝缘膜344b上，以规定形状的岛状形成有Al等光反射性材料所制成的半透过反射层326，另外，还以将其覆盖的形状，形成有岛状的由ITO等所形成的透明的像素电极311。

像素电极311经上述连接孔345与TFT323相连接。另外，另一个连接孔346与电源线333相连接。通过这样，电路元件部214中，形成包含有与像素电极311相连接的半导体膜341的驱动用薄膜晶体管323。另外，电路元件部214中，还形成有上述保持电容335以及切换用薄膜晶体管324，但图9中省略了它们的图示。

通过这样，在第2层间绝缘膜344b上形成有半透过反射层326以及像素电极311，半透过反射层326，具有在红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各个像素不同的反射率。具体的说，以不等号关系((红色像素的反射率)＜(绿色像素的反射率)＜(蓝色像素的反射率))来形成各个像素的半透过反射层326，这里为了让反射率不同，而让半透过反射层326的各个像素内的面内占有面积比为，(红色像素中的占有面积)∶(绿色像素中的占有面积)∶(蓝色像素中的占有面积)＝0∶50∶50。通过这样，本实施方式中的半透过反射层326的反射率比为，(红色像素的半透过反射层的反射率)∶(绿色像素的半透过反射层的反射率)∶(蓝色像素的半透过反射层的反射率)＝0∶50∶50。

半透过反射层326，具有对功能层310中的有机EL层(发光层)310b所发射的光的一部分进行反射，并让一部分透过的功能，以与像素开口重叠或比像素开口稍大的平面形状形成。另外，半透过反射层326是通过铝等金属所构成的反射性金属膜，形成为10nm左右的薄膜而构成的。

像素电极311形成为俯视视图大致为矩形。该像素电极311的厚度最好在50nm～200nm(例如70nm)的范围内。

之后，在上述半透过反射层326以及像素电极311上形成发光元件部211。发光元件部211主要由层积在像素电极311上的功能层310，以及设置在功能层310之间用来区分各个功能层310的围堰部312构成。功能层310上设有铝等反射性金属膜所构成的阴极212。另外，半透过反射层326与阴极212之间的光学距离，被设置为与该像素的发光波长相同或其整数倍，其结果是，半透过反射层326与阴极212，构成从该像素中所取出的光的光谐振器。

围堰部312与实施方式1相同，如图9所示，由位于基板202侧的无机物围堰层(第1围堰层)312a，与位于离开基板202处的有机物围堰层(第2围堰层)312b层积而成。无机物围堰层312a由例如SiO₂、TiO₂等无机材料构成。另外，有机物围堰层312b由例如丙稀树脂、聚茚树脂等具有耐热性、耐溶媒性的保护层构成。

另外，与实施方式1相同，功能层310由层积在像素电极311上的空穴注入/输送层310a，以及在空穴注入/输送层310a上相邻形成的有机EL层(发光层)310b所构成。

空穴注入/输送层310a，具有向有机EL层310b注入空穴的功能，同时还具有在空穴注入/输送层310a内输送空穴的功能。通过将该空穴注入/输送层310a设置在像素电极311与有机EL层310b之间，能够提高有机EL层310b的发光效率、寿命等元件特性。另外，有机EL层310b中，通过将空穴注入/输送层310a所注入的空穴，与阴极所注入的电子，在有机EL层中再结合，进行发光。

另外，空穴注入/输送层310a，通过将聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物与聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PEDOT/PSS)使用喷墨法成膜而成，与实施方式1不同，进行调整使其在各个像素中共同为50nm厚。

与实施方式1相同，有机EL层310b，在红色(R)像素中，通过发红色(R)光的高分子材料所形成的红色有机EL层310b₁构成，同样，在绿色(G)像素中，通过发绿色(G)光的高分子材料所形成的绿色有机EL层310b₂构成，另外，在蓝色(B)像素中，通过发蓝色(B)光的高分子材料所形成的蓝色有机EL层310b₃构成。各个像素以规定的排列(例如条状)进行配置。另外，各个有机EL层310b₁、310b₂、310b₃，是将各个发光材料(高分子材料)通过喷墨法而成膜的，与实施方式1不同，厚度为红色像素中80nm左右，绿色像素中80nm左右，蓝色像素中70nm左右。

作为形成红色有机EL层310b₁的发光材料，可以使用例如添加有若丹明色素的PPV或MEH-PPV或聚芴系等有机EL材料所制成的发光材料，作为形成绿色有机EL层310b₂的发光材料，可以使用例如PPV衍生物或F8BT+聚二辛基芴等聚四氟乙烯树脂衍生物之类的有机EL材料所制成的发光材料。作为形成蓝色有机EL层310b₃的发光材料，可以使用例如聚二辛基芴衍生物等有机EL材料所制成的发光材料。

另外，围堰部312与实施方式1相同，在图形形成像素电极311之后，首先以具有像素开口的形状，形成厚度为50nm左右的SiO2等无机材料所制成的无机物围堰层312a，之后，同样以具有像素开口的形状，形成厚度为2μm左右的聚酰亚胺等有机材料所制成的有机物围堰层312b，通过这样来形成围堰部312。

接下来，阴极(对向电极)212形成在发光元件部211的全表面上，与像素电极311成对，能够起到让功能层310中流动有电流的作用。该阴极212，本例中通过钙层212a与铝层212b层积而成。铝层212b将有机EL层310b所发射的光反射向基板202侧，因此，除了Al膜之外，还可以采用Ag膜、Al与Ag的层积膜等。另外，其厚度可以在例如100nm～1000nm的范围内。

如上所构成的有机EL装置201中，与实施方式1相同，半透过反射层326与阴极212共同构成光谐振器，也即，从有机EL层310向阴极212所发射的光，被该阴极212所反射，其结果是，在阴极212与半透过反射层326之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层326的波长时，反射光便从其中透过。

另外，从有机EL层310向半透过反射层326所发射的光，其一部分透过该半透过反射层326，另一部分被半透过反射层326所反射，其结果是，在阴极212与半透过反射层326之间进行谐振。当该谐振的结果变为能够透过半透过反射层326的波长时，反射光便从其中透过。

像这样透过半透过反射层326的光，与实施方式1相同，从该有机EL装置201中出射出来用于进行显示等，本实施方式中，由于反射光谐振之后透过半透过反射层326，因此提高了从该有机EL装置201中所出射的光的颜色纯度，在将其用作显示装置的情况下，能够进行高亮度、高对比度的显示。本实施方式中，与实施方式1不同，能够得到蓝色色度(x，y＝0.14，0.16)，绿色色度(x，y＝0.40，0.59)，红色色度(x，y＝0.66，0.33)。另外，在没有光谐振器构造(也即半透过反射层326)的有机EL装置中，蓝色色度为(x，y＝0.15，0.2)，绿色色度为(x，y＝0.42，0.55)。

另外，本实施方式中，使用高分子材料构成有机EL层310，蓝色以及绿色与红色相比，颜色纯度相对较低，尤其是蓝色的颜色纯度较低。因此，通过像本实施方式这样，对颜色纯度相对低的绿色(G)以及蓝色(B)像素加大半透过反射层326的反射率，对颜色纯度相对高的红色(R)像素减小半透过反射层326的反射率(面内占有面积)，通过这样，能够让各色的像素中的颜色纯度较为均衡地提高。

另外，如果采用一般的光谐振构造，则虽然能够提高颜色纯度，但具有降低发光效率的倾向。但是，本实施方式中，由于采用半透过反射层326的反射率(面内占有面积)在不同颜色的像素中各不相同的构造，因此，能够将该半透过反射层326的导入所引起的发光效率的降低控制为最小限度。具体的说，本实施方式的有机EL装置201中，在驱动全体像素而显示白色时，能够得到亮度250Cd/m²，发光时的光量31m/W，另外，在不具有光谐振器构造(也即半透过反射层326)的有机EL装置中，为250Cd/m²，3.511m/W，发光效率大大降低。

另外，本实施方式中，对红色(R)像素形成反射率(面内占有面积)相对小的半透过反射层326，但还可以不对该红色(R)像素形成半透过反射层326。也即，可以只对绿色(G)与蓝色(B)像素，有选择地形成半透过反射层326。

另外，为了让每个像素中的半透过反射层326的反射率不同，可以让该半透过反射层326的厚度在每个像素中不同。具体的说，可以让半透过反射层326的层厚关系为(红色像素的层厚)＜(绿色像素的层厚)＜(蓝色像素的层厚)，进行构成。

下面对实施方式4的有机EL装置201的制造方法进行说明。

首先，在通过公知的光刻胶技术在基板202上形成厚300nm左右的遮光层BM之后，形成基底保护膜202c以及TFT323，同时还形成层间绝缘膜344a、344b，制成EL装置的基体。

之后，在第2层间绝缘膜344b上，形成厚10nm作用的Al作为半透过反射层326，对其进行图形成形，将其在各个像素中的面内占有面积设定在上述范围内。

接下来，对全体像素图形形成作为透明电极的厚度为70nm左右的ITO，并且作为像素开口膜，图形形成作为无机物围堰层312a的厚度为50nm左右的SiO₂，以及作为有机物围堰层312b的厚2μm左右的聚酰亚胺。

之后，在所形成的围堰内，通过喷墨法涂布包含有作为形成空穴注入/输送层的材料的PEDOT/PSS材料的液体组成物，在各个像素厚度共同为50nm。

进一步，通过喷墨法在各色像素中图形形成高分子发光材料。此时的膜厚在红色像素中为80nm，在绿色像素中为80nm，在蓝色像素中为70nm。接下来，形成阴极212并进行密封工序，得到实施方式1的有机EL装置201。

(实施方式5)

接下来，对照图10对有机EL装置的实施方式5进行说明。本实施方式5中，在实施方式4的构成中，另外在绿色(G)与蓝色(B)像素中的半透过反射层326的光出射侧，形成有具有吸收红色的功能的红色吸收滤色片325。另外，除了形成有该红色吸收滤色片325这一点之外，其他构成与实施方式4相同，因此，省略其说明。

通过导入这样的红色吸收滤色片325，能够提高颜色纯度，并降低外光反射，其结果是，能够将该有机EL装置300构成为视认性更加优越的显示装置。另外，为了防止这样的外光反射，还可以在基板202的光出射侧设置公知的圆偏光板。另外，本实施方式5中，半透过反射层326在各个像素中的面内占有面积比为，(红色像素中的占有面积)∶(绿色像素中的占有面积)∶(蓝色像素中的占有面积)＝10∶40∶50。通过这样，本实施方式中的半透过反射层326的反射率比为，(红色像素的半透过反射层的反射率)∶(绿色像素的半透过反射层的反射率)∶(蓝色像素的半透过反射层的反射率)＝10∶40∶50。

这里，红色吸收滤色片325，可以通过例如Sn酞花青化合物等所制成的树脂层构成。另外，作为对绿色(G)与蓝色(B)像素选择配置红色吸收滤色片325的方法，可以采用例如喷墨法或光刻胶法等方法。具体的说，在采用喷墨法时，首先在第2层间绝缘膜344b的全表面上覆盖CF₄等离子，在绿色(G)与蓝色(B)像素上照射紫外线，使其表面改质，从而能够均匀成膜出该滤色片325。

(实施方式6)

图11为说明本发明的电子机器的实施方式。

本例的电子机器，具有上述有机EL装置作为显示机构。图11为说明移动电话的一例立体图，符号1000为移动电话主体，符号1001为使用上述有机EL装置的显示部。这样的具有的本发明的电光学装置的相关有机EL装置，而将其作为显示机构的电子机器，能够得到良好的发光特性，同时还能够实现电子机器的低价化。

以上对本发明的最佳实施方式进行了说明，但本发明并不仅限于上述实施方式。可以在不脱离本发明的构思的范围内，进行构成的添加、省略、置换以及其他各种变更。本发明并不通过上述说明进行限定，而只能够通过权利要求的范围进行限定。

Claims (17)

1.一种有机EL装置，其特征在于，具有层积结构，包括：

光反射性电极；

光透过性电极；

有机EL层，其形成在上述光反射性电极与上述光透过性电极之间，构成为能够发出多种颜色的光，并且在每个像素中能够发出1种发光色的光；及

半透过反射层，其对从上述像素中所选择出的规定颜色的像素，让来自上述有机EL层的光透过乃至反射；

上述有机EL层配置在上述光反射性电极与上述半透过反射层之间；

上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发出红、绿、蓝各色的光；

上述半透过反射层形成为：俯视下，在与层积方向垂直的方向的平面内，该半透过反射层的面积在绿色和蓝色像素区域的开口的面积以上，且被上述光透过性电极覆盖。

2.如权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于：

上述半透过反射层，与上述光反射性电极共同构成光谐振器。

3.如权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于：

上述有机EL层，在各个像素中具有相同的厚度。

4.如权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于：

作为上述有机EL层的基底而形成的空穴注入和输送层，在各个像素中具有相同的厚度。

5.如权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于：

对上述绿色与蓝色像素，在比上述半透过反射层更加靠近光出射侧处，有选择地形成吸收红色的红色吸收滤色片。

6.如权利要求5所述的有机EL装置，其特征在于：

上述光透过性电极在规定的透光性基板中形成，并且上述红色吸收滤色片形成在该透光性基板的内面。

7.如权利要求5所述的有机EL装置，其特征在于：

上述半透过反射层兼作电极，并且在比该半透过反射层更加靠近光出射侧处，形成有上述光透过性电极，另外，上述红色吸收滤色片，是通过在上述光透过性电极中混入红色吸收成分而构成的。

8.一种电子机器，其特征在于：

具有如权利要求1所述的有机EL装置。

9.一种有机EL装置，其特征在于，具有层积结构，包括：

光反射性电极；

光透过性电极；

有机EL层，其形成在上述光反射性电极与上述光透过性电极之间，构成为能够发出多种颜色的光，并且在每个像素中能够发光出1种发光色；及

半透过反射层，其让来自上述有机EL层的光透过乃至反射，

上述像素内的上述半透过反射层的反射率，在上述发光色不同的像素之间各不相同，

上述有机EL层配置在上述光反射性电极与上述半透过反射层之间；

上述半透过反射层，在与发光区域中包含的与上述多个颜色对应的多个像素区域的每一个在俯视下重叠的位置上形成为平面形状；

俯视下，在与层积方向垂直的方向的平面内，上述半透过反射层在上述像素内所占的面积，在上述发光色不同的像素中各不相同。

10.如权利要求9所述的有机EL装置，其特征在于：

上述半透过反射层，在上述光反射性电极之间，起到光谐振器的作用。

11.如权利要求9所述的有机EL装置，其特征在于：

上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发出红、绿、蓝各色的光；

上述像素内的上述半透过反射层的反射率，具有红色像素的反射率＜绿色像素的反射率＜蓝色像素的反射率的关系。

12.如权利要求9所述的有机EL装置，其特征在于：

上述有机EL层由高分子有机EL材料构成，且构成为能够发出红、绿、蓝各色的光；

俯视下，在与层积方向垂直的方向的平面内，上述半透过反射层在上述像素内所占的面积，具有红色像素中的占有面积＜绿色像素中的占有面积＜蓝色像素中的占有面积的关系。

13.如权利要求11所述的有机EL装置，其特征在于：

上述半透过反射层，设置在上述绿色与蓝色像素中。

14.如权利要求12所述的有机EL装置，其特征在于：

上述半透过反射层，设置在上述绿色与蓝色像素中。

15.如权利要求11所述的有机EL装置，其特征在于：

对上述绿色与蓝色像素，在比上述半透过反射层更加靠近光出射侧处，设置吸收红色的红色吸收滤色片。

16.如权利要求12所述的有机EL装置，其特征在于：

对上述绿色与蓝色像素，在比上述半透过反射层更加靠近光出射侧处，设置吸收红色的红色吸收滤色片。

17.一种电子机器，其特征在于：

备有如权利要求9所述的有机EL装置。

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