JP2006202685A - 自発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数色の混色によってカラー表示を行う自発光表示装置において、長期使用時の色調ずれを防いで表示装置の表示品質を向上させる。
【解決手段】 自発光表示装置は、異なる発光色の自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３を基板１０上に並列配置し、複数色の混色によってカラー表示を行うものであり、各自発光素子１Ｃ_１（１Ｃ_２，１Ｃ_３）の構造は、基板１０上で一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）間に発光機能層１２Ｃ_１（１２Ｃ_２，１２Ｃ_３）を含む層構造１２を挟持して積層構造を形成している。この自発光表示装置では、発光を外部に取り出す反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を備え、反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３は、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、自発光表示装置に関するものである。

有機ＥＬ素子等の自発光素子を表示要素とする自発光表示装置は、フラットパネルディスプレイを可能にし、バックライトを要する液晶ディスプレイに比べて低消費電力且つ高輝度の表示が可能であることで期待を集めている。

そして、この自発光表示装置でカラー（フルカラー又はマルチカラー）表示を行うには、一表示単位（画素）に異なる発光色の自発光素子を並列又は積層配置し、複数色の混色によってカラー表示を行うことがなされている。一般にフルカラーの表示を行うには、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色を適当な輝度で混色することで所望の色度を得ることができ、特に３色を特定の輝度比で発光させることで白色を得ることが可能になる。また、３色に限らず２色の混色で多色表示を行うことも可能であり、下記特許文献１には、有機ＥＬパネルの画素を２色の有機ＥＬ素子で形成して、この２色の混色によって、ＣＩＥｘｙ色度図の白領域又は（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３１６）を中心として半径０．１の円領域内の色を表現可能にすることが記載されている。

このようなカラー表示を行う自発光表示装置では、発光材料の特性などによって色毎に自発光素子の寿命又は輝度劣化の度合が異なることで、長期の累積時間に亘って表示を行うと色調ずれが生じて所望の色度が得られなくなる問題がある。特に、画面の下地部分などで白色を表示する場合には、長期の使用に際して白色表示部分に色がついてしまうという問題が生じる。

これに対処するために、下記特許文献２，３に記載の従来技術が提案されている。下記特許文献２には、マトリクス状に配列された各色の表示画素をなすＥＬ素子の発光層の発光効率が最もよい緑色の発光領域の発光面積を他の赤色又は青色の発光領域の発光面積に比べて最も小さくすることで、長期使用時のホワイトバランスを確保することが開示されており、下記特許文献３には、表示装置の点灯時間を測定し、表示装置の各色における発光材料の輝度を調整する輝度調整部を制御部に設けて、長時間の使用によっても色調ずれが起こらないようにしたものが開示されている。

特開２００４−１０３５３２号公報 特開２００１−２９０４４１号公報 特開２００３−１９５８１７号公報

しかしながら、特許文献２に記載の従来技術では、実際には表示装置の製品型番毎にパネル設計が異なるので、その都度発光領域の発光面積を規定する開口部のパターニングを行わなければならなくなり、製造工程が煩雑になって量産化を行い難くなるという問題があり、また、成膜工程前の絶縁膜パターンで前述の開口部を形成するので、成膜工程前の基板の汎用性が悪くなると言う問題がある。また、特許文献３に記載の従来技術では、輝度調整部を形成する回路等を組み込む必要があるので、製品のコストアップを招くという問題がある。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、異なる発光色の自発光素子を並列又は積層配置し、複数色の混色によってカラー表示を行う自発光表示装置において、長期使用時の色調ずれを防いで表示装置の表示品質を向上させること、また、これに際して、基板の汎用性を損なわないこと、製品のコストアップを招かないこと等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明による自発光表示装置は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。

［請求項１］異なる発光色の自発光素子を基板上に並列又は積層配置し、複数色の混色によってカラー表示を行う自発光表示装置において、前記自発光素子は、発光を外部に取り出す反射層を備え、複数色のうちの少なくとも一つの発光色の自発光素子における前記反射層は、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有することを特徴とする自発光表示装置。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る自発光表示装置の基本構成例を示す説明図である。この自発光表示装置は、異なる発光色の自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３を基板１０上に並列配置し、複数色の混色によってカラー表示を行うものである。図の例では、Ｃ_１色（例えば赤（Ｒ）），Ｃ_２色（例えば緑（Ｇ）），Ｃ_３色（例えば青（Ｂ））の３色の混色によってカラー表示を行うものを示したが、これに限らず２色の混色によってカラー表示を行うものであってもよく、また、図の例では各自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３を並列配置したものを示しているが、これに限らず各自発光素子を積層配置したものであってもよい。

各自発光素子１Ｃ_１（１Ｃ_２，１Ｃ_３）の構造は、基板１０上で一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）間に発光機能層１２Ｃ_１（１２Ｃ_２，１２Ｃ_３）を含む層構造１２を挟持して積層構造を形成したものであり、下部電極１１，上部電極１３間に印加された電圧によって、素子内に一方の電極から正孔が注入・輸送され、他方の電極から電子が注入・輸送されて、発光層を含む発光機能層１２Ｃ_１（１２Ｃ_２，１２Ｃ_３）でこの正孔と電子が再結合して各色の発光を得るものである。この際、前記の再結合によって下部電極１１と上部電極１３の間に電流が流れることになるので、この電流に応じて各自発光素子の輝度が得られることになる。

そして、本発明の実施形態に係る自発光表示装置では、発光を外部に取り出す反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を備えている。図１に示した例では、一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）の外側（基板側）に反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を形成し、下部電極１１と上部電極１３は共に透明電極で形成することで、基板と逆側に光を取り出すトップエミッション構造にしている。

一対の電極と反射層１４との関係はこれに限らず、一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）を共に透明電極で形成して、上部電極１３の外側に反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を形成し、基板側に光を取り出すボトムエミッション構造にしてもよいし、或いは、一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）の一方を反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３として、他方を透明電極にする構造であってもよい。これによると、下部電極１１を反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３にした場合には、トップエミッション構造を得ることができ、上部電極１３を反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３にした場合には、ボトムエミッション構造を得ることができる。

更に、本発明の実施形態に係る自発光表示装置において、複数色のうち少なくとも一つの発光色の自発光素子における反射層１４Ｃ_１（１４Ｃ_２，１４Ｃ_３）が、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有するように形成されている。

このような本発明の実施形態に係る自発光表示装置の作用を説明する。一般に自発光表示装置は、異なる発光色の自発光素子において発光色毎に輝度劣化の度合が異なる現象が生じる。有機ＥＬ素子によってＲＧＢ３色の自発光素子を形成する場合には、一般に、駆動時間に対して輝度劣化の度合はＢ色が最も高く、次にＲ色、Ｇ色の順になることが知られている。したがって、特段の調整が無いとすると、長期の使用によって累積される駆動時間が大きくなると、色調にずれが生じ、例えば白色を表示しようとしても色が付いた状態になる不具合が起きる。

これに対して、本発明の実施形態に係る自発光表示装置では、複数色のうち少なくとも一つの発光色の自発光素子における反射層１４Ｃ_１（１４Ｃ_２，１４Ｃ_３）が、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有するので、長期の使用に際しても色調のずれが生じない。

これを図２によって説明する。図２は自発光素子の輝度劣化特性を発光色毎にグラフ化したものである。自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３は反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３において反射率の差を設けない場合には、同じ輝度レベルが得られる初期の駆動条件で長期間駆動した場合、Ｃ_１（波線），Ｃ_２（波線），Ｃ_３（実線）に示すように、駆動時間に対する電流輝度効率の低下割合に発光色毎の違いがある。この違いをできるだけ小さくするように、自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３の反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を異なる反射率に設定する。

すなわち、この例では、反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３の反射率を、反射層１４Ｃ_３が最も高くなり、反射層１４Ｃ_２が最も低くなり、反射層１４Ｃ_１がその中間の反射率になるようにする（輝度劣化が速い発光色では相対的に高い反射率にし、輝度劣化が遅い発光色では相対的に低い反射率にする）ことで、長時間の駆動に対する輝度劣化の差を小さくでき（図２のＣ’_１（実線），Ｃ_２（実線），Ｃ’_３（実線）参照）、自発光表示装置としての寿命を長くすることができる。

この例では、反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３の反射率を順次異なるようにしているが、反射層１４Ｃ_３のみを高い反射率で形成するか、或いは、反射層１４Ｃ_１及び１４Ｃ_３を高い反射率で形成しても、ある程度同様の効果を得ることができる。

反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３の反射率を発光色に応じて異ならせる手段としては、一つには、反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を反射率の異なる材料で形成する。反射率の高い材料としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ等を挙げることができ、反射率の低い材料としては、Ｎｉ，Ｐｔ等を挙げることができる。また一つには、反射面の表面処理によっても、異なる反射率にすることができる。反射面に熱処理や酸化処理を施すことで反射率を低下させることができる。また、反射層の下に平滑層を用いた場合には、平滑化層の表面凹凸を変えることによっても異なる反射率にすることができる。

以下、前述した自発光素子１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３として有機ＥＬ素子を採用した本発明の実施形態を具体的に説明する。有機ＥＬ素子は、前述した一対の電極（下部電極１１と上部電極１３）の一方をアノード（陽極又は正孔注入電極）、他方をカソード（陰極又は電子注入電極）にして、両電極間に有機層（発光層を含み、低分子、高分子を問わない有機材料層）を挟み込んだ構造を有していており、両電極間に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送させた正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子が再結合し、この再結合によって発光を得るものである。

有機層の構造は、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層といった複数の機能層を積層した層構造（Ｌｉ_２Ｏ等の無機材料から成る電子注入層を含むこともある）が一般的であるが、発光層以外の各層は適宜省略することが可能であり、また発光層の単独層によって形成することも可能である。有機層を構成する各層は、単一の有機材料で形成される場合もあれば、複数の材料を混ぜ合わせた混合層で形成する場合もある。また、高分子バインダの中に有機材料を無機材料の機能材料（電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学（反射，散乱等）機能等）を分散させたものであってもよい。また、上部電極をスパッタ法で形成する場合に有機層がダメージを受けないようにするために、有機層の上部電極側にバッファ機能を有する層を設けてもよいし、有機層の基板側に成膜プロセスによる凹凸を防ぐための平滑化機能を有する層を設けても良い。

有機ＥＬ素子における有機層は、従来知られた各種方法によって形成することができ、例えば、低分子有機材料を真空蒸着にて成膜する方法、高分子有機材料を印刷法にて成膜する方法、予め形成した有機ＥＬフィルムをレーザで基板側に転写させるレーザ熱転写法（ＬＩＴＩ法）等を一般的な方法として挙げることができる。

［実施例１］有機ＥＬ素子の上部電極を前述した反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３によって形成したパッシブ駆動の有機ＥＬパネルの例を図３等によって説明する。

有機ＥＬパネル１００は、基板１０１上に酸化シリコン被覆層１０１ａを形成し、その上に形成される下部電極１０２をＩＴＯ等の透明電極からなる陽極（アノード）に設定し、上部電極１０５を金属材料からなる陰極（カソード）に設定して、基板１０１側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。ここでは、有機層１０４としては、正孔輸送層１０４Ａ，発光層１０４Ｂ，電子輸送層１０４Ｃの３層構造の例を示している。そして、基板１０１と封止部材１０６とを接着層１０７を介して貼り合わせることによって基板１０１上に封止空間Ｓを形成し、この封止空間Ｓ内に有機ＥＬ素子１１０からなる表示部を形成している。

有機ＥＬ素子１１０は、下部電極１０２を絶縁膜１０３で区画して、区画された下部電極１０２の下に各色の有機ＥＬ素子１１０における発光領域（１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ）を形成している。また、封止空間Ｓを形成する封止部材１０６の内面には乾燥手段１０６Ａが取り付けられて、湿気による有機ＥＬ素子１１０の劣化を防止している。

また、基板１０１の端部には、下部電極１０２と同材料，同工程で形成される第１の電極層１０８Ａが、下部電極１０２とは絶縁膜１０３で絶縁された状態でパターン形成されている。第１の電極層１０８Ａの引出部分には、銀合金等を含む低抵抗配線部分を形成する第２の電極層１０８Ｂが形成されており、更にその上に、必要に応じてＩＺＯ等の保護被膜１０８Ｃが形成されて、第１の電極層１０８Ａ，第２の電極層１０８Ｂ，保護被膜１０８Ｃからなる引出電極１０８が形成されている。そして、封止空間Ｓ内端部で上部電極１０５の端部１０５ａが引出電極１０８に接続されている。下部電極１０２の引出電極は、図示省略しているが、下部電極１０２を延出して封止空間Ｓ外に引き出すことによって形成することができる。この引出電極においても、前述した上部電極１０５の場合と同様に、銀合金等を含む低抵抗配線部分を形成する電極層を形成することができる。

このような有機ＥＬパネル１００においては、有機層１０４の各層（正孔輸送層１０４Ａ，発光層１０４Ｂ，電子輸送層１０４Ｃ）は、色毎に塗り分けられるので、発光領域１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに対応した成膜領域が発光領域１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上に形成されることになる。ここでは、有機層１０４を３層構造にした例を示しているが、これに他の機能層を加えて、例えば、陽極側から、正孔注入層（ＲＧＢ共通）／第１正孔輸送層（ＲＧＢ共通）／第２正孔輸送層（塗り分け）／第１有機発光層（塗り分け）／第２有機発光層（塗り分け）／第１電子輸送層（塗り分け）／第２電子輸送層（ＲＧＢ共通）／電子注入層（ＲＧＢ共通）／（陰極）というような構造にすることもできる。この場合には、色毎に塗り分けられる第２正孔輸送層，第１有機発光層，第２有機発光層，第１電子輸送層の４層が、発光領域１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに対応した成膜領域として発光領域１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ上に形成されることになる。

有機層１０４とその周辺に形成される機能層の具体例を挙げると、図示省略の正孔注入層をしてＣｕＰｃを蒸着にて５０ｎｍ積層して、次いで正孔輸送層１０４Ａとして４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）を５０ｎｍ積層する。その正孔輸送層１０４Ａの上には、ＲＢＧ各発光層をパターンを有する成膜用マスクを用いて各発光領域１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを覆うように塗り分ける。Ｂ発光層としては、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）のホスト材に１重量％ドーパントとして４，４’−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）を５０ｎｍ共蒸着し、Ｇ発光層としては、クマリン６を５０ｎｍ蒸着し、Ｒ発光層としては、トリス（８−キシリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）のホスト材に１重量％ドーパントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリン）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）を５０ｎｍ共蒸着させる。そして、その上に電子輸送層１０４Ｃとして酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）を５ｎｍ蒸着させる。

そして、上部電極１０５を形成するに際して、成膜用マスクを用いて、Ｂ発光素子用陰極として、Ｍｇ−Ａｇを１５０ｎｍ蒸着し、Ｇ発光素子用陰極として銅（Ｃｕ）を１５０ｎｍ蒸着し、Ｒ発光素子用陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を１５０ｎｍ蒸着形成する。これによって、Ｂ発光素子用陰極の反射率を最も高くし、Ｇ発光素子用陰極の反射率を最も低くし、Ｒ発光素子用陰極の反射率をその中間に設定することができる。

封止部材１０６を基板１０１に貼り合わせる封止工程について説明すると、前述した成膜工程後の基板１０１に発光検査工程を施した後に、成膜室の真空雰囲気下からＮ_２の不活性ガス雰囲気下の封止室に基板１０１が搬入される。一方、ブラスト処理で表面に凹部を形成し、その凹部内にＳｒＯ，ＣａＯ，ＢａＯ等による乾燥部材を装着したガラス製の封止部材１０６が同じ封止室に搬入される。そして、１〜３００μｍ粒径のガラススペーサを０．１〜０．５重量％程適量混合した紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を、封止部材１０６の接着領域にディスペンサ等を用いて塗布し、この接着剤が塗布された封止部材１０６と成膜工程後の基板１０１とを接着剤を介して貼り合わせる。その後、紫外線を基板１０１側又は封止部材１０６側から接着剤に照射することで接着剤を硬化させる。

また、封止の方法は、以下のような封止膜によることもできる。有機ＥＬ素子を形成した基板１０１上に、バッファ層として光硬化性樹脂等の有機材料をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射し硬化させる。次いで、バリア層としてＳｉＮの無機材料をスパッタリング等により成膜する。そして、前述のバッファ層（光硬化性樹脂）とバリア層（ＳｉＮ）を交互に積層することで封止膜を形成する。

［実施例２］有機ＥＬ素子の下部電極の反射面を表面処理することで前述した反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を形成したアクティブ駆動（ＴＦＴ駆動）の有機ＥＬパネルの例を図４によって説明する。

この有機ＥＬパネル２０１は、基板（ガラス製）２０１上に、固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工してシリコン活性層２０２を得る。次に、シリコン活性層の上にＳｉＯ_２のゲート絶縁膜２０３、Ａｌよりなるゲート電極２０４を形成する。その後、シリコン活性層２０２に不純物をドープしてソース領域２０２Ａ，チャンネル形成領域２０２Ｂ，ドレイン領域２０２Ｃを形成する。そして、これらの上全面にＳｉＯ_２の層間絶縁膜２０５を形成する。

その後、層間絶縁膜２０５に有機ＥＬ素子の開口部となる部分をエッチング処理にて開孔し、その上に色度補正フィルタ層２１１を形成すると共に、画素電極となる下部電極２２０をＣｒ等のスパッタリングによって成膜する。

ここで、Ｇ発光色を得る有機ＥＬ素子が形成される下部電極２２０及びＲ発光色を得る有機ＥＬ素子が形成される下部電極２２０の反射面には熱処理を加えて、表面に微細な凹凸を形成し、Ｂ発光色を得る有機ＥＬ素子が形成される下部電極２２０の反射面より反射率が低い状態にする。

次に、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を１００ｎｍの厚さに成膜して、これをエッチング処理することによって、バリアメタル層２０６及び密着用金属層２０７を同時形成する。その後、Ａｌ膜を６００ｎｍの厚さ成膜して、これをエッチング処理することで、ソース電極２０８、ドレイン電極２０９の各配線が形成される。その後に前述したＴＦＴの各要素を被覆するようにＳｉＯ_２の保護膜２１０を形成する。

次いで、インライン型の成膜装置によって、Ｂ発光色，Ｇ発光色，Ｒ発光色の各有機ＥＬ素子における有機ＥＬ機能層２３０がそれぞれの発光色毎に連続して成膜される。

具体的には、第１に、Ｂ発光用の成膜用マスクを設置して、ＣｕＰｃ（正孔注入層；５０ｎｍ）／ＮＰＢ（正孔輸送層；５０ｎｍ）／ＤＰＶＢｉ：ＢＣｚＶＢｉ（発光層；５０ｎｍ）／Ａｌｑ_３（電子輸送層；２０ｎｍ）／Ｌｉ_２Ｏ（電子注入層；５ｎｍ）／Ｃａ（バッファ層；２０ｎｍ）をそれぞれ成膜する。

第２に、Ｇ発光用の成膜用マスクを設置して、ＣｕＰｃ（正孔注入層；５０ｎｍ）／ＮＰＢ（正孔輸送層；５０ｎｍ）／クマリン６（発光層；５０ｎｍ）／Ａｌｑ_３（電子輸送層；２０ｎｍ）／Ｌｉ_２Ｏ（電子注入層；５ｎｍ）／Ｃａ（バッファ層；２０ｎｍ）をそれぞれ成膜する。

第３に、Ｒ発光用の成膜用マスクを設置して、ＣｕＰｃ（正孔注入層；５０ｎｍ）／ＮＰＢ（正孔輸送層；５０ｎｍ）／Ａｌｑ_３：ＤＣＭ（発光層；５０ｎｍ）／Ａｌｑ_３（電子輸送層；２０ｎｍ）／Ｌｉ_２Ｏ（電子注入層；５ｎｍ）／Ｃａ（バッファ層；２０ｎｍ）をそれぞれ成膜する。

ここでは、電子注入層として酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）を成膜後、上部電極２４０（陰極；ＩＺＯ，ＩＴＯ等）をスパッタリングで成膜するために、スパッタダメージを軽減するためのバッファ層としてＣａ膜を成膜している。このＣａ成膜後、基板をスパッタ成膜室に搬送し、ＩＺＯ酸化物ターゲットを用いＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＩＺＯを１００ｎｍ成膜して上部電極２４０を形成する。

以上の成膜工程後に、基板２０１に対して発光検査工程を施した後、前述した実施例１と同様の封止工程を経て、透明な平板ガラス基板からなる封止部材又は封止膜による有機ＥＬ素子の封止がなされる。また、別の封止方法としては、封止空間を樹脂系の封止材で充填する方法などがある。

前述した本発明の実施形態及び実施例によると、異なる発光色の自発光素子を並列又は積層配置し、複数色の混色によってカラー表示を行う自発光表示装置において、長期使用時の色調ずれを防いで表示装置の表示品質を向上させることができる。また、これに際して、基板の汎用性を損なわない、製品のコストアップを招かない等の利点が得られる。

本発明の実施形態に係る自発光表示装置を説明する説明図である。 本発明の実施形態の作用を説明する説明図である。 本発明の実施例を説明する説明図である。 本発明の実施例を説明する説明図である。

符号の説明

１Ｃ_１，１Ｃ_２，１Ｃ_３ 自発光素子
１０，１０１，２０１ 基板
１１，１０２，２２０ 下部電極
１２ 層構造
１２Ｃ_１，１２Ｃ_２，１２Ｃ_３ 発光機能層
１３，１０５ 上部電極
１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３ 反射層
１００，２００ 有機ＥＬパネル
１０３ 絶縁膜
１０４ 有機層
１０４Ａ 正孔輸送層
１０４Ｂ 発光層
１０４Ｃ 電子輸送層
１０６ 封止部材
１０７ 接着増
１０８ 引出電極
１１０ 有機ＥＬ素子

Claims (7)

1. 異なる発光色の自発光素子を基板上に並列又は積層配置し、複数色の混色によってカラー表示を行う自発光表示装置において、
   前記自発光素子は、発光を外部に取り出す反射層を備え、
   複数色のうちの少なくとも一つの発光色の自発光素子における前記反射層は、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有することを特徴とする自発光表示装置。
2. 前記自発光素子は、一対の電極間に発光機能層を挟持した構造を有し、前記反射層は前記一対の電極の一方によって構成され、前記一対の電極の他方は透明電極によって形成されることを特徴とする請求項１に記載された自発光表示装置。
3. 前記自発光素子は、一対の電極間に発光機能層を挟持した構造を有し、前記一対の電極は共に透明電極で形成され、前記反射層は、前記一対の電極の外側に形成されることを特徴とする請求項１に記載された自発光表示装置。
4. 前記反射層は、反射率の異なる材料を用いることで、発光色に応じて異なる反射率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された自発光表示装置。
5. 前記反射層は、反射面の表面処理によって、発光色に応じて異なる反射率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された自発光表示装置。
6. 前記反射層の発光色に応じた反射率は、輝度劣化が速い発光色では相対的に高い反射率であり、輝度劣化が遅い発光色では相対的に低い反射率であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載された自発光表示装置。
7. 前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載された自発光表示装置。

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