KR20060046343A - 화상표시장치 - Google Patents

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KR20060046343A
KR20060046343A KR1020050046496A KR20050046496A KR20060046343A KR 20060046343 A KR20060046343 A KR 20060046343A KR 1020050046496 A KR1020050046496 A KR 1020050046496A KR 20050046496 A KR20050046496 A KR 20050046496A KR 20060046343 A KR20060046343 A KR 20060046343A
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요이치 안도
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 의하면, 스페이서에 기인하는 전자빔의 불규칙한 어긋남은 스페이서의 설계변경 없이 보상된다. 전자를 방출하는 복수의 전자방출소자(8)가 배치된 전자원기판(9)은 고정되어 있고, 전자를 가속하기 위한 메탈백(11)이 형성되어 있는 페이스플레이트(2)는 서로 대향해서 배치되어 있고, 이들 판은 일정한 간격을 두고 스페이서(3)에 의해 지지되어 있으며, 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 초속도벡터는 스페이서(3)로부터의 거리에 따라 다르다.

Description

화상표시장치{IMAGE DISPLAY APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태인 표시패널의 일부를 잘라낸 사시도
도 2A는 도 1에 나타내는 표시패널을 스페이서의 길이방향과 직교하는 방향으로 절단했을 경우의 단면도
도 2B는 도 1에 나타내는 표시패널을 스페이서의 길이방향과 직교하는 방향으로 절단했을 경우의 단면도
도 2C는 도 1에 나타내는 표시패널에 있어서의 스페이서의 고저항막과 행방향배선의 접촉부 및 비접촉부의 설명도
도 3A는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 3B는 도 3A에 나타내는 전자방출소자를 구성하는 소자전극의 개략도
도 4A는 모든 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 초속도벡터를 동일하게 했을 경우의 전자빔궤도를 나타내는 개략도
도 4B는 도 4A에 나타내는 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 초속도벡터를 나타내는 개략도
도 5A는 도 3A에 나타내는 구성으로부터 스페이서를 제거한 구성에 있어서의 전자빔궤도를 나타내는 개략도
도 5B는 도 5A에 나타내는 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 초속도벡터 를 나타내는 개략도
도 6은 각도θ에 있어서의 전자의 도달점을 나타내는 개략도
도 7은 각도θ와 전자빔이 도달하는 위치의 스페이서로부터의 거리와의 관계를 나타내는 그래프
도 8은 접촉면적S와 전자빔이 도달하는 위치의 스페이서로부터의 거리와의 관계를 나타내는 그래프
도 9는 각도θ와 스페이서가 행방향배선에 접촉된 접촉면적S와의 관계를 나타내는 도면
도 10A는 본 발명의 제 1의 실시형태인 표시패널의 특징을 다른 관점에서 설명하기 위한, 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 10B는 본 발명의 제 1의 실시형태인 표시패널의 특징을 다른 관점에서 설명하기 위한, 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 1lA는 본 발명의 제 2의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지지 않는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 1lB는 본 발명의 제 2의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 12A는 본 발명의 제 3의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지지 않는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 12B는 본 발명의 제 3의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 13A는 본 발명의 제 4의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지지 않는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 13B는 본 발명의 제 4의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 14A는 본 발명의 제 5의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지지 않는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 14B는 본 발명의 제 5의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 15A는 본 발명의 제 6의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지지 않는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 15B는 본 발명의 제 6의 실시형태인 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 소자전극이 기울기를 가지는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도
도 16A는 종래의 고저항막으로 피복된 판형상의 스페이서를 사용한 구성에 있어서의, 고저항막과 배선이 의도하지 않은 부분에서 접촉이 되었을 경우의 스페이서 표면의 전위 분포를 나타내는 개략도
도 16B는 도 16A에 나타내는 구성의 등가회로도
도 17은 한 쌍의 소자전극의 형상의 예의 개략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 리어플레이트 2: 페이스플레이트
3: 스페이서 4: 측벽
5: 행방향배선 6: 열방향배선
7: 전극간절연층 8, 8a, 8b: 전자방출소자
9: 전자원기판 10: 형광막
11: 메탈백 12: 블록
13: 기체 14: 고저항막
15: 접촉부 16: 비접촉부
17, 20: 등전위선 18a~18c: 전자빔궤도
19: 조사위치 81a, 81b: 소자전극
V1, V2: 초속도벡터
본 발명은 화상표시장치에 관한 것으로서, 특히, 복수의 전자방출소자 및 이것들을 구동하기 위한 배선이 형성된 제 1의 기판과, 이 제 1의 기판과 대향해서 배치되는, 상기 배선보다 고전위로 규정된 전극이 형성된 제 2의 기판과, 이들 기판을 일정한 간격으로 지지하기 위한 스페이서를 가지는 화상표시장치에 관한 것이다.
(배경 기술)
일반적으로, 화상표시장치에서는, 전자원측인 제 1의 기판과 표시면측인 제 2의 기판 사이에 절연재료로 구성된 스페이서를 사이에 둠으로써, 필요한 내대기압성을 얻고 있다. 이러한 구성의 경우, 스페이서가 대전되면, 그것이 스페이서 근방에 위치하는 전자방출소자로부터 방출된 전자의 궤도에 영향을 주어, 표시면에 있어서의 발광위치에 어긋남(shift)을 생기게 한다. 이것은, 예를 들면 스페이서 근방 화소의 발광휘도의 저하나 색흐림 등의 화상 열화의 원인이 된다.
종래, 스페이서의 대전 방지를 위해서, 고저항막으로 피복된 스페이서를 사용하는 것이 알려져 있다. 예를 들면, 일본 특개평 8-180821호(EP690472A) 공보에는, 고저항막으로 피복된 판형상의 스페이서를, 고저항막이 이 배선과 제 2의 기판의 전극에 전기적으로 접속되도록, 제 1의 기판의 배선을 따라 끼우는 것이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 고저항막으로 피복된 스페이서의 상하에 스페이서 전극을 배치해서 고저항막이 스페이서 전극을 개재해서 배선 및 전극에 접촉하도록 한 것도 제안되어 있다.
상기한 것 외에, 일본 특개평 10-334834호(EP869530A) 공보에는, 고저항막으로 피복된 스페이서의 제 1의 기판측과 제 2의 기판측의 접촉부에 각각 도전성의 중간층(스페이서 전극)을 형성하고, 이것을 전자빔의 궤도를 제어하기 위한 전극으로서 작용시키는 것이 제안되어 있다.
그러나, 본원의 발명자에 의한 집중적인 검토의 결과, 고저항막과 스페이서전극이 형성된 스페이서를 가진 표시장치에 있어서도, 스페이서의 설치상태와 구동조건 등으로 인해, 전자방출소자로부터 방출된 전자의 궤적이 스페이서의 주변부와 그 부분 이외의 부분에서 서로 다르며, 그 결과, 표시화상이 왜곡되는 문제가 초래되었다. 본 발명의 목적은 이 문제를 해결하는 것이고, 또한 뛰어난 화상을 표시할 수 있는 화상표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 화상표시장치는;
갭을 가지고 서로 대향해서 배치된 한 쌍의 소자전극으로 이루어진 복수의 전자방출소자를 가진 전자원;
상기 한 쌍의 소자전극 사이에 배치된 전자방출부;
상기 전자원에 대향해서 배치된 전극; 및
상기 전자원과 상기 전극 사이에 배치되어 있고, 또한 상기 복수의 전자방출소자 중 일부의 전자방출소자에 인접해서 배치된 스페이서;
를 구비하고,
상기 스페이서에 인접한 상기 전자방출소자의 적어도 하나의 상기 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향은 상기 스페이서에 인접하지 않은 상기 전자방출소자의 상기 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향과는 다른 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 화상표시장치에 의하면, 스페이서 그 자체 그대로의 구성으로, 전자방출소자의 초속도벡터의 제어를 통해서, 소망하는 전자빔도달위치가 얻어진다. 구체적으로는, 전자방출소자로부터 방출된 전자의 방출방향, 더 바람직하게는 방출속도를 설정함으로써, 스페이서로부터의 거리(스페이서로부터의 영향도)에 따라, 스페이서에 의한 전자빔의 불규칙한 어긋남이 보상된다. 따라서, 전자빔궤도를 설계에 따라 설정할 수 있어, 스페이서를 높은 정밀도로 설치할 필요도 없고, 설계변경할 필요도 없다.
(바람직한 실시형태의 상세한 설명)
다음에, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조해서 설명한다.
(제 1실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태인 표시패널의 일부를 잘라낸 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시형태의 표시패널은 제 1의 기판인 리어플레이트(1), 이 리어플레이트(1)와 대향해서 배치된 제 2의 기판인 페이스플레이트(2), 및 이들 플레이트의 주변부를 따라 배치된 측벽(4)으로 이루어진 기밀 용기로 이루어지고, 그 내부는 진공분위기로 되어 있다. 측벽(4)과 리어플레이트(1) 및 페이스플레이트(2) 의 주변부와의 접합부는 프릿 유리 등에 의해 밀봉되고 있다. 리어플레이트(1)와 페이스플레이트(2)는 일정한 간격을 유지하도록 판형상의 스페이서(3)에 의해 지지되어 있다.
리어플레이트(1)의 페이스플레이트(2)가 면하는 쪽에는, 전자방출소자(냉음극소자)(8)가 형성된 전자원기판(9)이 고정되어 있다. 전자방출소자(8)는 전자 방출부를 가지는 도전성박막이 한 쌍의 소자전극 사이에 접속된 표면전도형 전자방출소자로서, N×M개 배치되어 있다. 이 N×M개의 전자방출소자(8)를 M본의 행방향배선(5)과 N본의 열방향배선(6)에 의해 매트릭스패턴으로 배선함으로써 멀티전자빔원을 구성하고 있다.
행방향배선(5)은 열방향배선(6)보다 상층에 위치하고 있고, 행방향배선(5)과 열방향배선(6)은 후술하는 전극간절연층에 의해 절연되어 있다. 행방향배선(5) 및 열방향배선(6)에는, 은페이스트나 각종 도전재료를 사용할 수 있다. 이들 행방향배선(5) 및 열방향배선(6)은, 예를 들면, 스크린인쇄법에 의한 도포나, 도금법을 사용해서 금속을 석출시킴으로써 형성할 수가 있다. 이 외에, 포토리소그래픽법을 사용해서 배선을 형성할 수도 있다.
각 행방향배선(5)에는, 각각 인출단자(Dx1)~(Dxm)를 개재해서 주사신호가 인가된다. 각 열방향배선(6)에는, 각각 인출단자(Dy1)~(Dyn)를 개재해서 변조신호(화상신호)가 인가된다. 주사신호는 -4V로부터 -10V정도의 펄스신호이고, 변조신호는 +4V로부터 +1OV정도의 펄스신호이다.
페이스플레이트(2)의 하면(리어플레이트(1)와 대향하는 면)에는, 전자방출소 자(8)로부터 방출된 전자에 의해 여기되어 발광하는 형광막(10)과 도전성부재로 이루어진 메탈백(가속전극)(11)이 배치되어 있다.
본 실시형태의 표시패널은 컬러표시패널이므로, 형광막(10)은 적, 록, 청의 3원색의 형광체에 의해 피복되어 있다. 각 색의 형광체는, 예를 들면 스트라이프패턴으로 피복되고, 각 색의 형광체 사이에는 흑색의 도전체(블랙 스트라이프)가 배치되어 있다.
메탈백(11)은 전자방출소자(8)로부터 방출되는 전자를 가속하기 위한 전극이며, 고압단자(Hv)를 개재해서 고전압이 인가된다.
즉, 메탈백(11)은 리어플레이트(1)측의 행방향배선(5)에 비해 고전위로 규정된다.
스페이서(3)는 행방향배선(5)에 따라 배치되어 있고, 그 양단부가 전자원기판(9)에 고정된 블록(12)에 의해 지지되어 있다. 스페이서(3)의 긴 변의 한 변은 행방향배선(5)에 접촉되고, 다른 변은 페이스플레이트(2)의 메탈백(11)에 접촉되어 있다. 스페이서(3)는 표시패널에 내대기압성을 갖게 하기 위해서, 통상, 등간격으로 복수 배치된다.
도 2A는 도 1에 나타낸 표시패널을 스페이서(3)의 길이방향과 직교하는 방향으로 절단했을 경우의 단면도이다. 이하, 도 1 및 도 2A 내지 도 2C를 참조해서 스페이서(3)를 상세하게 설명한다.
스페이서(3)는 리어플레이트(1)측의 행방향배선(5) 및 열방향배선(6)과 페이스플레이트(2)측의 메탈백(11) 사이에 인가되는 고전압에 견딜만한 절연성을 가지 고, 또한 그 표면에의 대전을 방지하는 정도의 도전성을 가진다. 구체적으로는, 스페이서(3)는, 후술하는 도 3A에 표시한 바와 같이, 절연성 재료로 구성된 기체(13)와 그 표면을 피복하는 고저항막(14)으로 구성되어 있다.
기체(13)의 구성재료로서는, 예를 들면 석영유리, Na 등의 불순물 함유량을 감소시킨 유리, 소다라임유리, 알루미늄으로 대표되는 세라믹스 등을 들 수 있다.
고저항막(14)에는, 고전위측이 되는 메탈백(11)에 인가되는 가속전압 Va를 고저항막(14)의 저항값으로 나눈 전류가 흐르고, 이 전류에 의해 스페이서(3) 표면에의 대전이 방지된다. 이 고저항막(14)의 저항값의 바람직한 범위는 대전 및 소비전력으로부터 결정된다. 대전 방지의 관점에서, 고저항막(14)의 시트저항은 1014Ω/□ 이하이며, 보다 바람직한 시트저항은 1O12Ω/□ 이하, 가장 바람직한 시트저항은 1O11Ω/□ 이하이다. 고저항막(14)의 시트저항의 하한은 스페이서(3)의 형상 및 스페이서(3) 간에 인가되는 전압에 의해 좌우되지만, 소비전력을 억제하기 위해서는 1O5Ω/□ 이상인 것이 바람직하고, 1O7Ω/□ 이상인 것이 보다 바람직하다.
고저항막(14)의 구성 재료로서는, 예를 들면 금속산화물을 사용할 수가 있다. 금속산화물 중에서도, 크롬, 니켈, 동의 산화물이 바람직하다. 그 이유는, 이들 산화물은 2차 전자방출효율이 비교적 작고, 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자가 스페이서(3)에 닿아도 대전되기 어려운데 있다. 금속산화물 이외로서는, 2차 전자방출효율이 작은 탄소를 고저항막(14)의 구성재료로서 사용할 수가 있다. 특히, 비정질카본은 고저항이기 때문에, 이것을 사용하면, 적절한 스페이서(3)의 표면저항을 얻기 쉬워진다.
본 실시형태에서는, 스페이서에 인접하는 전자방출소자(8)에 대해서는, 스페이서(3)의 표면전위의 영향을 고려해서, 방출되는 전자빔이 올바른 위치에 도달하도록 소자전극이 형성되어 있다. 도 3A는 전자방출소자(8)로부터 방출되는 전자빔의 궤도를 나타내는 개략도, 도 3B는 전자방출소자(8)를 구성하는 소자전극의 개략도이다.
도 3B에 나타내는 바와 같이, 전자방출소자(8)는 한 쌍의 소자전극(81a), (81b), 및 이들 소자전극(81a), (81b) 간에 접속된 전자방출부(82)를 가지는 도전성박막으로 이루어진다. 소자전극(81a)는 행방향배선(5)과 접속되고, 마이너스(부) 전위를 가진다. 소자전극(81b)은 열방향배선(6)과 접속되고, 플러스(정) 전위를 가진다.
전자방출소자(8) 중, 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8a)의 소자전극(81a), (81b)은 열방향배선(6)에 평행한 선(L1)에 대해서 기울기를 가진다. 구체적으로는, 소자전극(81a), (81b)은 소자전극(81a), (81b) 간의 갭의 길이방향과 선(L1)이 이루는 각도θ가 소정의 각도가 되도록 형성되어 있다. 이와 같이 구성함으로써, 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자빔의 궤도는 도 3A의 점선으로 표시된 전자빔궤도(18a)와 같이 된다. 즉, 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8)에 있어서는, 전자방출부(82)로부터 방출된 전자는, 방출 직후는 스페이서(3)로부터 멀어지도록 비상하고, 그 후, 페이스플레이트(2)에 가까워짐에 따라 스페이서(3)에 가까워지도록 비상해서, 최종적으로 소정의 조사위치(19)에 도달한다.
한편, 스페이서(3)로부터 멀어진 위치에 있는 전자방출소자(8b)의 소자전극(81a), (81b)는 그 전극 간의 갭의 길이방향이 선(L1)과 평행이 되도록 형성되어 있다. 이와 같이 구성된 전자방출소자(8b)로부터 방출된 전자빔은 도 3A의 점선으로 나타낸 전자빔궤도(18b)와 같이 스페이서(3)와 거의 평행한 궤도를 그리고, 최종적으로 소정의 조사위치(19)에 도달한다.
이하, 본 실시형태의 표시패널의 특징인, 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자의 소자전극의 구성과 방출되는 전자빔의 궤도와의 관계에 대해 상세하게 설명한다.
(1) 초속도벡터와 전자빔의 궤도의 관계:
전자방출소자에서는, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 전자는 마이너스 전위의 소자전극(81a)으로부터 플러스 전위의 소자전극(81b)을 향해서 어떤 초속도를 가지고 방출된다. 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8a)에서는, 한 쌍의 소자전극(81a), (81b)은 열방향배선(6)에 평행한 선(L1)에 대해서 각도θ의 기울기를 가지도록 형성되어 있다. 따라서, 전자는 스페이서(3)로부터 멀어지는 성분(Y방향 성분)을 가진 초속도벡터 V1에 의해 전자방출소자(8a)로부터 방출된다. 이 때문에, 전자방출부(82) 근방에서는, 전자빔은 스페이서(3)로부터 멀어지는 궤도를 취한다. 스페이서(3)로부터 멀어진 위치에 있는 전자방출소자(8b)로부터 방출되는 전자의 초속도벡터 V2는 스페이서(3)로부터 멀어지는 성분을 포함하지 않기 때문에, 스페 이서(3)와 평행한 궤도를 취한다.
여기서, 각도θ를 가지는 소자전극에 의한 전자빔의 궤도 보상에 대해 설명한다.
제 1상태(이하, 상태 A라 함)로서 모든 전자방출소자(8)를 각도θ를 가지지 않는 구성으로 했을 경우, 즉 모든 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 초속도벡터를 동일하게 했을 경우의 전자빔궤도를 도 4A에, 그 초속도벡터를 도 4B에 각각 표시한다. 이 상태 A에서는, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 스페이서(3)로부터의 거리에 관계없이 모든 전자방출소자(8)로부터 방출되는 전자의 초속도벡터는 V2로 취해진다. 이 때문에, 도 4 A에 나타내는 바와 같이, 스페이서(3)가 만들어 내는 전위분포(20)의 영향에 의해 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자로부터 방출되는 전자빔의 최종 도달위치가 소정의 조사위치(19)로부터 △S만큼 스페이서(3)쪽으로 어긋나게 된다.
제 2상태(이하, 상태 B라 함)로서 도 3A 및 도 3B에 나타낸 구성(일부의 전자방출소자 중의 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향이 행배선에 대해 각도θ만큼 기울어진 구성)으로부터 스페이서(3)를 제거했을 경우의 전자빔궤도를 도 5A에, 그 초속도벡터를 도 5B에 각각 나타낸다. 이 상태 B에서는, 도 5B에 나타내는 바와 같이, 전자방출소자(8a)의 소자전극(81a), (81b)은 열방향배선(6)에 대해서 각도θ의 기울기를 가지도록 형성되어 있으므로, 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자는, Y방향 성분(도 3A 및 도 3B에 나타낸 스페이서(3)로부터 멀어지는 성분)을 가진 초속도벡터 V1에 의해 방출된다. 이 때문에, 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자빔은, 도 5 A에 나타내는 바와 같이, 전위분포(20)가 평탄함에도 불구하고, 그 최종 도달위치는 소정의 조사위치(19)로부터 △Y만큼 어긋난다.
도 6에 각도θ와 전자의 도달점과의 관계를 개략적으로 나타낸다. 도 6에 있어서, 화살표 A는 소자전극이 열방향배선(6)에 대해서 각도θ의 기울기를 가진 전자방출소자(8a)(한 쌍의 소자전극(81a), (81b) 사이의 갭의 길이방향이 열배선에 대해서 θ만큼 기울어진 경우의 전자방출소자)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 소자전극갭의 길이방향이 열방향배선(6)과 평행한 전자방출소자(8b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 A, B의 개시점이 전자의 방출점이고, 종점이 전자의 도달점이다. 도 6은 정확히 페이스플레이트(2)의 윗쪽으로부터 리어플레이트(1)의 전자기판(9) 상에 형성된 전자방출소자를 투시해 본 도면에 상당한다. (L)은 곡진량으로 불리는 것이며, 그 값은 초속도벡터의 크기에 의존한다. 각 전자방출소자의 초속도벡터의 크기가 동일한 경우는, 곡진량 L도 동일해진다. 즉, 소자 간의 인가전압이 동일하면, 곡진량 L도 동일하게 된다. 따라서, 화살표 A, B의 길이는 같다. 이 때, 전자의 도달점의 소망하는 위치로부터의 Y방향에 있어서의 어긋남 △Y는,
△Y =L×sinθ
로 주어진다. 또, 전자의 도달점의 소망하는 위치로부터의 X방향에 있어서의 어긋남 △X는,
△X=L×(1-cosθ)
로 주어진다. θ가 충분히 작으면, △Y에 대해서 △X는 충분히 작다. 예를 들면, θ=10˚인 경우는, △X/△Y는 0.09이하이다.
전자의 초속도의 스페이서(3)로부터 멀어지는 성분은 θ의 함수로 주어진다. 도 7에 각도θ와 전자빔의 도달위치의 스페이서(3)로부터의 거리와의 관계를 나타낸다. 종축은 전자빔도달위치이며, 횡축은 「sinθ」이다. 도 7로부터 알 수 있는 바와 같이, θ가 커질수록 전자빔궤도는 스페이서(3)로부터 멀어지게 된다.
(2) 스페이서(3)의 저면 근방에 있어서의 전자빔의 궤도:
스페이서 표면에는 흔히 양의 정전기가 발생한다.
그 결과, 스페이서 표면의 전위가 상승하고, 도 3A에 표시한 바와 같이, 볼록 등전위선(20)(페이스플레이트쪽을 향한 볼록 등전위선(20))이 위에 발생하며, 전자빔은 스페이서(3)에 가까워지도록 비상한다. 또한, 스페이서와 배선 간의 접촉상태에 따라서, 상기한 바와 같이 페이스플레이트쪽을 향해서 볼록 등전위선이 자주 발생한다. 이하에 이것을 설명한다.
도 16A는 고저항막으로 피복된 판형상의 스페이서가 제 1의 기판(전자원기판)의 배선을 따라서 개재될 때 고저항막과 배선이 의도하지 않은 부분에서 접촉하게 될 경우의 스페이서 표면의 전위분포를 표시하는 도면이며, 도 16B는 도 16A의 등가회로도이다.
제 1기판쪽의 고저항막과 배선 사이의 접촉부는 A점으로서 취해지고, 비접촉부는 B점으로서 취해진다. 또한, 제 2기판쪽의 스페이서(3)의 고저항막과 메탈백(11) 사이의 접촉부의 A점에 대향하는 부분은 C점으로서 취해지며, B점에 대향하 는 부분은 D점으로서 취해지고, A점과 C점 사이의 저항기는 R1으로서 취해진다.
또한, A점과 B점 사이의 저항은 R2로서 취해진다. 비접촉부인 B점에서 전위는 접촉부인, B점과 A점 사이의 저항기인 저항기(R2)에 의한 전압강하에 의해 A점으로부터 상승한다. 이에 의해, 상기한 바와 같이, B점의 근방에 페이스플레이트쪽을 향하여 볼록 등전위선이 형성된다. 또한, 행배선과 열배선 사이에 개재된 절연층의 형상에 따라서, 스페이서와 행배선은 자주 부분접촉을 하게 된다. 이것에 대해서 도 2를 사용해서 설명한다.
도 2B는 도 1에 표시한 표시패널을 스페이서(3)의 길이방향으로 절단했을 경우의 단면도이고, 도 2C는 스페이서(3)의 고저항막(14)과 행방향배선(5)의 접촉부 및 비접촉부의 설명도이다. 스페이서(3)와 행방향배선(5) 사이의 압접상태에 대해서 도 1 및 도 2A 내지 도 2C를 참조해서 상세히 설명한다.
스페이서(3)는 리어플레이트(1)와 페이스플레이트(2) 사이에 끼워지고 있고, 그 표면을 피복하고 있는 고저항막(14)은 리어플레이트(1)측의 행방향배선(5)과 페이스플레이트(2)측의 메탈백(11)에 압접되고, 각각의 압접부에서는 전기적인 접촉이 이루어지고 있다. 도 2B에 나타내는 바와 같이, 행방향배선(5)은 열방향배선(6)과 교차하도록 형성되어 있고, 절연층(7)의 형상에 따라 행방향배선(5)의 표면은 교차부가 다른 부분에 비해 열방향배선(6)의 두께만큼 페이스플레이트(2)측에 돌출된 상태로 되어 있기 때문에, 고저항막(14)은 행방향배선(5)의 표면의 돌출된 부분에서만 압접된다. 이 때문에, 고저항막(14)과 행방향배선(5)은, 도 2C에 나타낸 바 와 같이, 행방향배선 (5)과 열방향배선(6)과의 교차부(15)인 접촉부에 있어서만 전기적 접속이 이루어지고, 그 이외의 부분은 비접촉부(16)로 되어 있기 때문에, 전기적 접속은 이루어지지 않았다. 이 때의 스페이서(3) 표면에 있어서의 리어플레이트(1) 근방의 등전위선(17)을 개략적으로 도 2B에 굵은 선으로 나타내고 있다.
도 2B에 나타낸 등전위선(17)으로부터 알 수 있는 바와 같이, 비접촉부(16)에 대응하는 스페이서부도 고저항막(14)이 존재하기 때문에 비접촉부(16) 근방의 전위가 상승한다. 이것은, 도 16A 내지 도 16C에서 설명한 것처럼, 메탈백(11)으로부터 접촉부(15)로 흐르는 전류의 경로 중, 비접촉부(16)를 개재한 전류경로의 저항값이 비접촉부(16)를 개재하지 않는 전류경로(예를 들면, 접촉부(15)의 직상부로부터의 전류경로)의 저항값보다 크기 때문에 이 증가저항값에 의한 전압강하분 만큼 전위가 상승하기 때문에 생긴다. 이 경우에도, 상기한 바와 같이, 페이스플레이트쪽에 볼록 등전위선이 형성된다.
또한, 이 구성에 있어서, 도 16A 내지 도 16C의 경우와는 달리, 비접촉부(16)가 등간격(제어된 간격)으로 존재하기 때문에 전자방출소자와의 상대위치관계에 규칙성도 존재한다. 즉, 열방향배선(16)은 등간격으로 형성되기 때문에 접촉부(15)와 비접촉부(16)도 행방향배선(5)을 따라 등간격으로 형성된다. 행방향배선(5)과 열방향배선(6)에 의해 분할된 영역에는 전자방출소자(8)가 형성되어 있고, 스페이서(3)에 인접한 모든 전자방출소자(8)는 비접촉부(16)에 인접한 위치에 배치되어 있다. 각 비접촉부(16)에 인접한 전자방출소자(8)로부터 방출된 모든 전자빔은 비접촉부(16)의 스페이서(3)의 표면전위에 의해 똑같이 영향을 받는다.
이러한 이유 때문에 스페이서의 근방에는 볼록 등전위선이 페이스플레이트를 향해서 자주 형성되고, 전자방출소자로부터 방출된 전자는 스페이서 접근방향을 향해서 편향된다.
또한, 전자빔의 스페이서(3)에 가까운 성분은 고저항막(14)과 행방향배선(5) 사이의 접촉상태에 의해, 구체적으로는 도 2C에 표시한 접촉부(15)의 면적(접촉면적)S의 함수에 의해 결정된다. 도 8에는 전자빔이 도달하는 위치에서 스페이서(3)로부터의 거리와 접촉면적 S와의 관계가 표시되어 있다. 종축은 전자빔 도달위치를 표시하고, 횡축은 접축면 S를 표시한다. 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 접촉면적 S가 커짐에 따라서 전자빔이 도달하는 위치도 스페이서(3)로부터 멀어지게 된다.
고저항막(14)과 행방향배선(5) 사이의 접촉상태는 접촉면적 S에 부가해서 여러가지 파라미터로 표현할 수 있다. 예를 들면, 도 2C에 표시한 접촉부(15)의 주변길이, 행방향배선(15)의 폭방향의 비접촉부(16)의 길이 Gy, 행방향배선(5)의 길이방향의 인접한 접촉부(15) 사이의 거리 Gx 등의 함수로서, 고저항막(14)과 행방향배선(5) 사이의 접촉상태를 표현할 수 있다. 접촉부(15)의 주변길이가 작아짐에 따라서, 또한 Gx 및 Gy가 커짐에 따라서 전자빔이 도달하는 위치도 스페이서(3)에 더 가까워진다.
상기 설명으로부터, 전자빔의 도달위치는 각도θ와 고저항막(14) 및 행방향배선(5) 사이의 접촉상태(예를 들면, 접촉면적 S) 등의 스페이서(3) 자체와 전혀 관계없는 별개의 독립적인 파라미터에 의해 제어할 수 있음이 명백하다.
도 9에 각도θ와 스페이서가 행방향배선에 의해 접촉된 면적(접촉면적 S)과의 관계를 나타낸다. 종축은 θ, 횡축은 접촉면적 S를 나타낸다. 도 9에 나타낸 예는 전자빔이 소정의 조사위치(19)에 도달하는 경우(도 3A참조)의 θ와 접촉면적 S의 관계를 나타내는 곡선을 표시한 것이다. 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 전자빔이 소정의 조사위치(19)에 도달하는 조건(어긋남이 없는 조건)은 복수 존재한다. 예를 들면, A점의 조건에서도, B점의 조건에서도 전자빔이 소정의 조사위치(19)에 도달하는 조건을 만족한다. B점의 조건은 A점의 조건에 비해 θ가 크고, 접촉면적 S가 작다. B점의 조건으로 설계하는 경우, 예를 들면 행방향배선(5)을 곡률을 가진 볼록단면형상으로 한다. 이와 같이 행방향배선(5)의 스페이서(3)가 접촉하는 면을 평면이 아니고, 곡면으로 함으로써, 접촉면적 S를 작게 할 수가 있다.
실제의 설계에서는, 예를 들면 정전계 계산과 전자빔궤도의 시뮬레이션으로부터, 소정의 조사위치(19)에 도달하는 각도θ와 접촉면적 S를 결정한다. 이 외에, 실측 데이터에 근거해서 그러한 조건을 결정하는 것도 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 스페이서(3) 자체의 구성에 의하지 않고, 고저항막(14)과 행방향배선(5)의 접촉상태나 소자전극의 기울기인 각도θ를 제어함으로써 소망하는 전자빔도달위치를 달성할 수가 있다. 이 때문에, 동일 구성의 스페이서(3)로 여러가지 화상표시장치에 대응가능하다. 예를 들면, 고정세화를 위해서 화소피치를 변경하거나 고휘도화를 위해서 가속전압을 높게 하거나 하는 사양의 변경을 했을 경우에도, 스페이서(3) 자체는 동일한 것을 사용하고, 고저항막(14)과 행방향배선(5)의 접촉상태나 소자전극의 기울기인 각도θ 의 변경을 행함으로써 그 상황에 대응할 수가 있다. 따라서, 생산성을 현저하게 향상시켜, 코스트의 대폭적인 삭감을 꾀할 수가 있다.
이상 설명한 본 실시형태의 표시패널에 대해 도 9에 나타낸 A점, B점에서의 조건을 만족하는 면적 S와 각도θ의 구체적인 값을 표 1에 나타낸다. 이 예에서는, 스페이서(3)의 두께를 300㎛, 스페이서(3)의 높이를 2.4mm, 행방향배선(5) 간의 간격을 920㎛, 행방향배선(5)(횡방향의 길이)의 폭을 690㎛, 전자방출소자(8)의 전자 방출부에서 행방향배선(5)의 상면까지의 높이를 75㎛, 메탈백(11)에의 인가전압을 15kV, 행방향배선(5)과 열방향배선(6) 사이에의 인가전압을 14V로 하고 있다. 조건 A는 도 9에 나타낸 A점에서의 조건을 만족하는 것이고, θ는 [6.1°], 접촉면적 S는 [30625㎛2]이다. 조건 B는 도 9에 나타낸 B점에서의 조건을 만족하는 것이고, θ는 [9.5˚], 접촉면적 S는 [22500㎛2]이다. 조건 A, B의 어느 것에 있어서도, X방향의 전자빔의 위치 어긋남(△X)은 인식되지 않아(검출한계 이하), 양호한 화상을 표시할 수가 있었다.
조건 θ(도) S(㎛2)
A 6.1 30625
B 9.5 22500
다음에, 본 실시형태의 표시패널의 특징을 다른 관점에서 설명한다. 도 10A에 도 4A 및 도 4B에 나타낸 상태 A에 있어서의 전자빔의 궤도를 나타내고, 도 10B에 도 5A 및 도 5B에 나타낸 상태 B에 있어서의 전자빔의 궤도를 나타낸다. 이들 도 10A 및 도 10B, 및 후술하는 다른 실시형태에 대응하는 도 11A 내지 도 15B에서는, 스페이서와 소자전극의 배치 및 전자빔도달위치에 한해서 도시하고 있고, 다른 부분은 편의상 생략하고 있다(다른 구성에 대해서는 도 3A 내지 도 5B 참조).
도 10A에 있어서, 화살표 A는 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 스페이서(3)로부터 떨어진 위치에 있는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 A, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 도달점은 △S만큼 스페이서(3)를 향해서 어긋남을 발생시킨다. 이 어긋남 △S는 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다.
한편, 도 10B에 있어서, 화살표 A는 각도θ를 가지는 소자전극으로 이루어진 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 A, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자 (8b)에 비해 △Y만큼 어긋난다. 이 어긋남 △Y는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도 10B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재에 의해 생긴 어긋남 △S를 각도θ에 의해 생기는 어긋남 △Y로 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도 10B에 나타낸 상태 B에 있어서, 점선으로 나타내는 스페이서(3)를 배치한 경우는, 그 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 되어, 어긋남이 없는 화상표시를 실현할 수가 있다.
이상의 설명에서는, 어긋남 △S는 스페이서의 접촉 상태에 따라 생기는 어긋남이라 했지만, 실제는, 이것에 한정되지는 않고, 어떠한 이유로써 스페이서에 관계하는 빔 어긋남이 일어났을 경우에는, 전자방출소자의 초속도벡터를 설계함으로써, 그 빔 어긋남을 보상할 수가 있다.
이하에 설명하는 본 발명의 제 2 내지 제 6의 실시형태에 있어서는, 상술한 관점에 근거해서, 어긋남 △S의 제어 및 원인에 대해서는 언급하지 않고, 스페이서에 기인하는 어긋남 △S를 보상하기 위한, 스페이서와 소자전극배치의 관계, 소자 인가전압, 및 전자빔 도달위치에 대해서, 주로 상태 A, B를 대비시켜 설명한다.
(제 2실시형태)
본 발명의 제 2의 실시형태의 표시패널에 대해 설명한다. 본 실시형태의 표시패널은 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 생기는 어긋남 △S를 보상하는 것이며, 그 기본 구성은 상술한 제 1의 실시형태의 것과 같다.
도 11A에 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 생기는 어긋남 △S를 나타내고(상태 A: 스페이서에 따라 어긋남이 발생하는 상태), 도 1lB 에 그 어긋남 △S와는 역의 방향으로 어긋남 △Y를 일으키는 전자방출소자를 개략적으로 나타낸다(상태 B). 도 11A에 있어서, 화살표 A는 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 스페이서(3)로부터 떨어진 위치에 있는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 A, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)로부터 멀어지는 방향으로 △S만큼 어긋남을 일으킨다. 이 어긋남 △S는 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다. 이러한 어긋남이 발생하는 일례로서, 스페이서의 전자원쪽의 전 단부면에 대해 저저항막(스페이서 전극)을 가진 스페이서 등의 도 3A에 나타낸 페이스플레이트쪽의 볼록 등전위선과 역방향에 있는 리어플레이트(전자원기판)쪽에 볼록 등전위선을 형성하는 스페이서를 들 수 있다.
한편, 도 11B에 있어서, 화살표 A는 각도θ를 가지는 소자전극으로 이루어진 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 이 경우에, 전자방출소자(8a)를 구성하는 소자전극의 기울기(각도θ)는 도 10B에 나타낸 전자방출소자(8a)를 구성하는 소자전극의 기울기(각도θ)와는 정확히 반대가 되는 방향의 기울기이다. 화살표 A, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)에 비해 △Y만큼 어긋난다. 이 어긋남 △Y는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도 11B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S를 어긋남 △Y로 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도 11B에 나타낸 구성에 있어서, 점선으로 나타낸 스페이서(3)를 배치했을 경우, 이 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(8a)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 이와 같이, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향을 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정함으로써, 스페이서에 기인하는 전자빔의 어긋남을 보정할 수가 있어, 어긋남이 없는 화상표시를 실현할 수가 있다.
(제 3실시형태)
본 발명의 제 3의 실시형태의 표시패널에 대해 설명한다. 스페이서의 양쪽에 인접하는 전자방출소자 중, 한 쪽의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S1만큼 스페이서쪽으로 어긋나고, 다른 쪽의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S2(≠△S1)만큼 스페이서쪽으로 어긋나는 경우에, 본 실시형태의 표시패널은 양 어긋남 △S1, △S2를 보상하는 것이며, 그 기본 구성은 상술한 제 1의 실시형태의 것과 같다.
도 12A에 어긋남 △S1, △S2를 나타내고(상태 A), 도 12B에 그 어긋남 △S1, △S2와는 역의 방향으로 어긋남 △Y1, △Y2를 일으키는 전자방출소자를 개략적으로 나타낸다(상태 B). 도 12A에 있어서, 화살표 A1는 스페이서(3)의 한 쪽의 측면에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 A2는 스페이서(3)의 다른 쪽의 측면에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 B는 스페이서(3)로부터 떨어진 위치에 있는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 A1, A2, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 스페이서(3)의 한 쪽의 측면에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S1만큼 어긋남을 일으킨다. 스페이서(3)의 다른 쪽의 측면에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S2(>△S1)만큼 어긋남을 일으킨다. 이들 △S1, △S2는 모두 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다.
한편, 도 12B에 있어서, 화살표 B1는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ1인 전자방출소자(80a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 B2는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ2(>θ1)인 전자방출소자(80b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 B는 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 이 경우에, 전자방출소자(80a)의 기울기(각도θ1) 및 전자방출소자(80b)의 기울기(각도θ2)는 도 10B에 나타낸 전자방출소자(8a)의 기울기(각도θ)와 같은 방향의 기울기이다. 화살표 B1, B2, B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다.
전자방출소자(80a)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와 관계없이, 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)에 비해 △Y1만큼 어긋난다. 이 △Y1는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1와는 역방향의 어긋남이다. 또, 전자방출소자(80b)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와 관계없이, 각도θ를 가지지 않는 전자방출소자(8b)에 비해 △Y2만큼 어긋난다. 이 △Y2는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S2와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도 12B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1, △S2를 어긋남 △Y1, △Y2로 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도 12B에 나타낸 구성에 있어서, 점선으로 나타낸 스페이서(3)를 배치했을 경우, 이 스페이서(3)와 인접하는 전자방출소자(80a), (80b)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 이와 같이, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 스페이서에 기인하는 전자빔의 어긋남이 스페이서 벽면에 대해 비대칭이어도, 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향을 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정함으로써, 전자빔의 궤도를 보정할 수가 있어, 어긋남이 없는 화상표시를 실현할 수가 있다.
(제 4실시형태)
본 발명의 제 4의 실시형태의 표시패널에 대해 설명한다. 스페이서에 가장 가까운 제 1의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S1만큼 스페이서쪽으로 어긋나고, 다음으로 스페이서에 가장 가까운 제 2의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S2(<△S1)만큼 스페이서쪽으로 어긋나는 경우에, 본 실시형태의 표시패널은 양 어긋남 △S1, △S2를 보상하는 것이며, 그 기본 구성은 상술한 제 1의 실시형태의 것과 같다.
도13A에 어긋남 △S1, △S2를 나타내고(상태 A), 도 13B에 그 어긋남 △S1, △S2와는 역의 방향으로 어긋남 △Y1, △Y2를 일으키는 전자방출소자를 개략적으로 나타낸다(상태 B). 도 13A에 있어서, 화살표 A1는 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(90a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표 A2는 다음으로 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(90b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 전자방출소자(90a), (90b)는 모두 소자전극갭의 길이방향이 열방향배선에 대해서 평행한 소자이다. 화살표 A1, A2의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 전자방출소자(90a)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S1만큼 어긋남을 일으킨다. 전자방출소자(90b)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S2만큼 어긋남을 일으킨다. 이들 어긋남 △S1, △S2은 모두 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다.
한편, 도 13B에 있어서, 화살표 B1는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ1인 전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 B2는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ2(<θ1)인 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 이 경우에, 전자방출소자(91a)의 기울기(각도θ1) 및 전자방출소자(91b)의 기울기(각도θ2)는 도 10B에 나타낸 전자방출소자(8a)의 기울기(각도θ)와 같은 방향의 기울기이다. 화살표 B1, B2의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다.
전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, △Y1만큼 어긋난다. 이 △Y1는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1와는 역방향의 어긋남이다. 또, 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서와는 관계없이 △Y2만큼 어긋난다. 이 △Y2는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S2와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도 13B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남△S1, A S2를 어긋남 △Y1, △Y2로 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도 13B에 나타낸 구성에 있어서, 점선으로 나타낸 스페이서(3)를 배치했을 경우, 이 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 마찬가지로, 다음으로 스페이서(3)에 가까운 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자도 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 따라서, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 스페이서에 기인하는 전자빔의 어긋남이 스페이서에 가장 가까운 제 1의 전자방출소자 및 다음으로 스페이서에 가장 가까운 제 2의 전자방출소자에 도달하는 경우라도, 스테이지의 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향을 스테이지의 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정함으로써, 전자빔의 궤도를 보정할 수가 있어, 어긋남이 없는 화상 표시를 실현할 수가 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 스페이서가 복수의 소자에 대해 영향을 줄 때, 가장 가깝게 인접하는 소자뿐만 아니라, 다음으로 소자의 근방에서 인접하는 소자도 모두 본 발명에서는 "스페이서에 인접하는 소자"로서 다룰 수 있다.
(제 5실시형태)
본 발명의 제5의 실시형태의 표시패널에 대해 설명한다. 스페이서에 인접하는 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S만큼 스페이서쪽으로 어긋나는 경우에, 각도θ를 갖게 하는 것에 부가해서, 초속도벡터의 크기를 변경함으로써, △S와 함께 X방향에 있어서의 변이량 △X도 보상하는 것이며, 그 기본 구성은, 상술한 제 1의 실시형태의 것과 같다. 도 14A에 어긋남 △S를 나타내고(상태 A), 도 14B에 그 어긋남 △S와는 역의 방향으로 어긋남 △Y를 일으키는 전자방출소자를 개략적으로 나타낸다(상태 B). 도 14A에 있어서, 화살표A는 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표A의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(8)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S만큼 어긋남을 일으킨다. 이 △S는 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다. 또, 상태A에서는, 어긋남 △S에 부가해서, X방향에 있어서의 변위량 △X가 존재한다.
한편, 도14B에 있어서, 화살표B는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ인 전자방출소자(92)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 이 경우에, 전자방출소자(92)의 기울기(각도θ)는 도 10B에 나타낸 전자방출소자(8a)의 기울기(각도θ)와 같은 방향의 기울기이다. 화살표B의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 또한, 화살표B의 길이가 도 14A에 나타낸 화살표A에 비해 길어지고 있지만, 이것은 전자방출소자(92)로부터 방출되는 전자의 초속도벡터의 크기가 도14A에 나타낸 전자방출소자(8)보다 큰 것을 나타내고 있다.
전자방출소자(92)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, △Y만큼 어긋난다. 이 △Y는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도 14B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1를 어긋남 △Y로 보상하는 것이 가능하다. 또, 초속도벡터의 크기를 크게 하기 위해서, 전자방출소자(92)에 인가하는 전압을 도 14A에 나타낸 전자방출소자(8)에 인가되는 전압보다 크게 하고 있다. 이에 의해, X방향에 있어서의 변이량 △X을 보상하는 것이 가능하다. 이와 같이, 도 14B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S 및 △X을 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도14B에 나타낸 구성에 있어서, 점선으로 나타낸 스페이서(3)를 배치했을 경우, 이 스페이서(3)에 인접하는 전자방출소자(92)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 이와 같이, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향 및 방출속도를 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정함으로써, 스페이서에 기인하는 전자빔의 어긋남 △S와 함께 X방향에 있어서의 변위량 △X도 보상할 수가 있어, 어긋남이 없는 화상표시를 실현할 수가 있다.
실제로, 전자빔의 도달점을 소망하는 위치에서 보상할 수 있도록, 각도θ와 인가전압이 적절히 설계된다. 본 실시형태는 고정밀화 혹은 어긋남 △S가 큰 경우에 특히 유효하다.
(제 6실시형태)
본 발명의 제 6의 실시형태의 표시패널에 대해 설명한다. 원통형의 스페이서(3)에 가장 가까운 제 1의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S1만큼 스페이서쪽으로 어긋나고, 다음으로 스페이서(3)에 가장 가까운 제 2의 전자방출소자로부터 방출된 전자의 도달점이 △S2(<△S1)만큼 스페이서쪽으로 어긋나는 경우에, 본 발명의 표시패널은 양 어긋남 △S1, △S2를 보상하는 것이며, 그 기본 구성은, 상술한 제 1의 실시형태의 것과 같다
도 15A에 어긋남 △S1, △S2를 나타내고(상태A), 도 15B에 그 어긋남 △S1,△S2와는 역의 방향으로 어긋남 △Y1, △Y2를 일으키는 전자방출소자를 개략적으로 나타낸다(상태B). 도15A에 있어서, 화살표A1는 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(90a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타내고, 화살표A2는 다음으로 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(90b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다.
전자방출소자(90a), (90b)는 모두 소자전극갭의 길이방향이 열방향배선에 대해서 평행한 소자이다. 화살표A1, A2의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다. 전자방출소자(90a)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S1만큼 어긋남을 일으킨다. 전자방출소자(90b)로부터 방출된 전자의 도달점은 스페이서(3)쪽으로 △S2만큼 어긋남을 일으킨다. 이들 어긋남 △S1, △S2은 모두 스페이서(3)의 존재에 의해 초래된 어긋남이다.
한편, 도 15B에 있어서, 화살표 B1는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ1인 전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 화살표 B2는 소자전극갭의 길이방향과 열방향배선이 이루는 각도가 θ2(<θ1)인 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자의 궤도를 나타낸다. 이 경우에, 전자방출소자(91a)의 기울기(각도θ1)및 전자방출소자(91b)의 기울기(각도θ2)는 도 10B에 나타낸 전자방출소자(8a)의 기울기(각도θ)와 같은 방향의 기울기이다. 화살표B1, B2의 개시점이 전자의 방출점, 종점이 전자의 도달점이다.
전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, △Y1만큼 어긋난다. 이 △Y1는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1와는 역방향의 어긋남이다. 또, 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자의 도달점은, 스페이서와는 관계없이, △Y2만큼 어긋난다. 이 △Y2는 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S2와는 역방향의 어긋남이다. 따라서, 도15B에 나타낸 구성을 사용함으로써, 스페이서의 존재로 생긴 어긋남 △S1, △S2를 어긋남 △Y1, △Y2로 보상하는 것이 가능하다. 즉, 도15B에 나타낸 구성에 있어서, 점선으로 나타낸 원통형의 스페이서(3)를 배치했을 경우, 이 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(91a)로부터 방출된 전자는 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 마찬가지로, 다음으로 스페이서(3)에 가장 가까운 전자방출소자(91b)로부터 방출된 전자도 소정의 조사위치에 도달하게 된다. 이와 같이, 본 실시형태의 표시패널에 의하면, 스페이서의 형상이 원통형의 것이라도, 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향을, 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정함으로써, 스페이서에 기인하는 전자빔의 어긋남을 보정할 수가 있어, 어긋남이 없는 화상표시를 실현할 수가 있다.
도15A 및 도15에 나타낸 예에서는, 원통형의 스페이서(3)를 사용하고 있지만, 다른 형상의 스페이서라도, 스페이서에 기인하는 어긋남 △S를 보상하도록 각도θ를 설정하면, 동일한 전자빔의 어긋남의 보정을 행할 수가 있다.
또, △S1 및 △S2는 스페이서(3)쪽으로 어긋난 것으로 했지만, 반대로 스페이서(3)로부터 멀어지는 방향으로 어긋난 것으로 해도 된다. 이 경우에, 전자방출소자(91a), (91b)의 소자전극의 기울기의 방향이 도10B에 나타낸 방향과 반대의 방향이 된다.
또한, 스페이서(3)를 사이에 두고 대향해서 배치된 2개의 전자방출소자(91a), (91b)는 각각의 소자전극의 기울기의 방향이 서로 반대의 방향으로 되어 있고, 그 기울기의 크기(각도θ1, θ2)가 다르게 되어 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 설계에 따라서는, 각도θ1가 각도θ2와 같게 되는 경우도 생각할 수 있다.
이상 각 실시형태에서 설명한 것처럼, 본 발명의 화상표시장치에서는, 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향을 제어함으로써, 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 초속도벡터, 구체적으로는 전자방출소자로부터 방출되는 전자의 방출방향, 바람직하게는 방출속도를 스페이서로부터의 거리(스페이서에 의한 영향도)에 따라 설정한다. 이러한 설정에 의해, 스페이서에 기인하는 전자빔의 불규칙한 어긋남을 보상할 수가 있고, 그 결과, 스페이서의 고정밀 설치나 설계변경을 행하는 일 없이, 전자빔을 소망하는 위치에 도달시킬 수가 있어, 전자빔궤도를 설계대로 할 수가 있다.
본 발명에 의한 한 쌍의 전극 사이의 갭의 길이방향은 갭의 양단부를 접속하는 직선의 방향이다. 따라서, 예를 들면 한 쌍의 소자전극이 도 17에 나타낸 바와 같이 형성되면, 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향은 도 17의 A-A'선을 연장하는 방향이다. 다른 도면과 마찬가지로, (81a), (81b)는 소자전극을 나타낸다. 그리고, (82)는 전자방출부를 나타낸다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 스페이서에 밀접하게 인접한 모든 전자방출소자는 그 갭의 길이방향으로 스페이서에 밀접하게 배치되지 않은 모든 방출소자와 다르다. 그러나, 그 점은 본 발명에 필수적일 수 있으며, 상기 점에 의한 제한없이, 본 발명은 스페이서에 인접한 일부 전자방출소자만이 스페이서에 밀접하게 인접하지 않은 전자방출소자의 것과는 다른 갭방향을 가지는 구성에서 사용할 수 있다. 이와 같은 구성은, 예를 들면 전극의 분포의 불균일로 인해 스페이서 표면의 전위분포가 국부적으로 불균일한 표시장치에서도 사용할 수 있다.
각 실시형태에서 설명한 구성은 바로 그 한 예이며, 본 발명의 정신에서 일탈하는 일 없이 그 제한을 적절히 변경할 수 있다. 예를 들면, 제 1 내지 제 4실시형태 및 제 6실시형태에 있어서, 전자방출소자로부터 방출된 전자의 방출방향만이 제어되지만, 제 5실시형태와 마찬가지로, 방출방향의 제어에 부가해서 방출방향의 열방향의 초속도가 제어될 수 있다. 구체적으로는, 스페이서에 인접한 전자방출소자(스페이서의 영향을 받는 전자방출소자)로부터 방출된 전자의 열방향의 초속도와 다른 전자방출소자로부터 방출된 전자의 열방향의 초속도는 다르게 설정될 수 있다. 이와 같이, Y방향(열방향)의 어긋남 △S와 X방향(행방향)의 어긋남 △X는 함께 조정될 수 있다. 특히, 소자전극의 기울기(각도 θ)가 커지는 경우에, 어긋남 △X는 커지기 때문에 휠씬 뛰어난 화상표시를 얻기 위해서 초속도의 제어는 중요하게 된다.
본 발명에 의하면, 스페이서의 고정밀 설치나 설계변경을 행하는 일 없이, 스페이서에 기인하는 전자빔의 불규칙한 어긋남을 보상할 수가 있으므로 종래장치에 비해, 저비용으로 고화질의 화상표시장치를 제공할 수가 있다.
또 본 발명에 의한, 전자방출소자로부터 방출된 전자의 방출방향이나 방출속도라고 하는 파라미터는, 예를 들면, 패널의 형상으로 정해지는 정전계 계산과 간단한 전자빔 시물레이션에 의해 비교적 간단하게 구할 수가 있다. 본 발명에 있어서는 스페이서 자신과는 관계가 없는 독립 파라미터를 독립적으로 제어함으로써 전자빔궤도의 설계를 행할 수가 있기 때문에, 종래에 비해 설계의 자유도가 커지는 장점이 있다.
또, 본 발명에 의하면, 스페이서 자신과는 관계가 없는 독립 파라미터를 독립적으로 제어함으로써 전자빔궤도의 설계를 행할 수 있기 때문에 동일 구성의 스페이서로 여러가지 화상표시장치모드를 다룰 수 있으며, 예를 들면 고정세화를 위해서 화소피치를 변경하거나 고휘도화를 위해서 가속전압을 높게 하거나 하는 장치 모드의 사양변경시에도, 소자전극 형상 혹은 드라이브 방법의 약간의 설계변경만으로 충분하게 된다. 따라서, 본 발명에 있어서는. 동일한 스페이서부재로 복수의 제품을 다룰 수 있는 장점이 있기 때문에 생산성을 현저하게 향상시켜, 코스트의 대폭적인 삭감에 기여할 수 있다.

Claims (7)

  1. 갭을 사이에 두고 서로 대향해서 배치된 한 쌍의 소자전극으로 이루어진 복수의 전자방출소자를 가진 전자원;
    한 쌍의 소자전극 사이에 배치된 전자방출부;
    상기 전자원에 대향해서 배치된 전극; 및
    상기 전자원과 상기 전극 사이에 배치되고, 상기 복수의 전자방출소자 중 일부의 전자방출소자에 인접해서 배치된 스페이서;
    를 가지고,
    상기 스페이서에 인접한 전자방출소자의 적어도 하나의 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향은 상기 스페이서에 인접하지 않은 상기 전자방출소자의 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향과는 다른 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전자원은 복수의 행배선과 복수의 열배선을 가지며,
    상기 복수의 전자방출소자의 각각은 상기 복수의 행배선의 하나에 접속된 상기 한 쌍의 소자전극의 한 쪽과 상기 복수의 열배선의 하나에 접속된 상기 한 쌍의 소자전극의 다른 쪽을 가지고, 상기 스페이서는 상기 열배선에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 스페이서에 인접한 상기 전자방출소자는 상기 스페이서가 배치되어 있는 배선에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 스페이서에 인접한 상기 전자방출소자의 한 쌍의 소자전극 사이의 갭의 길이방향은 상기 열배선의 길이방향에 대해 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 전자방출소자의 기울기를 스페이서와 스페이서에 인접한 전자방출소자사이의 거리가 작아짐에 따라서 크게 하는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 갭은 상기 스페이서에 인접한 상기 전자방출소자의 상기 한 쌍의 소자전극의 다른 쪽과 상기 스페이서 사이에 위치하고,
    상기 열배선에는 상기 행배선보다 높은 전위가 인가되는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 스페이서는 판형상인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3927972B2 (ja) * 2004-06-29 2007-06-13 キヤノン株式会社 画像形成装置
US7592743B2 (en) * 2004-12-27 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Compensation of warping in display apparatus substrate
KR20070044579A (ko) * 2005-10-25 2007-04-30 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스
KR20070046666A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스
US7626324B2 (en) 2006-12-27 2009-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
JP2008181863A (ja) * 2006-12-27 2008-08-07 Canon Inc 画像表示装置
CN101689090A (zh) * 2007-06-28 2010-03-31 京瓷株式会社 触摸面板及解摸面板型显示装置
US7973731B2 (en) * 2008-05-23 2011-07-05 Harris Corporation Folded conical antenna and associated methods
US7864127B2 (en) * 2008-05-23 2011-01-04 Harris Corporation Broadband terminated discone antenna and associated methods
JP2010123500A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Canon Inc 画像表示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087809A (ja) 1994-06-23 1996-01-12 Canon Inc 画像形成装置
CN1271675C (zh) 1994-06-27 2006-08-23 佳能株式会社 电子束设备
JP3332703B2 (ja) * 1996-02-01 2002-10-07 キヤノン株式会社 画像形成装置
JPH09199063A (ja) 1996-01-12 1997-07-31 Canon Inc 画像形成装置
JP3274345B2 (ja) 1996-02-27 2002-04-15 キヤノン株式会社 画像表示装置及び前記装置における画像表示方法
US6140985A (en) 1995-06-05 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
JP3187367B2 (ja) 1997-03-31 2001-07-11 キヤノン株式会社 電子装置及びそれを用いた画像形成装置
JP3728055B2 (ja) 1997-04-28 2005-12-21 キヤノン株式会社 画像形成装置及びその駆動方法
US6878028B1 (en) 1998-05-01 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of fabricating electron source and image forming apparatus
JP3088102B1 (ja) 1998-05-01 2000-09-18 キヤノン株式会社 電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3073491B2 (ja) 1998-06-24 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子線装置とこれを用いた画像形成装置及び電子線装置で用いる部材の製造方法
CN1222975C (zh) 1999-01-19 2005-10-12 佳能株式会社 制造图像形成装置的方法
WO2000045415A1 (fr) 1999-01-28 2000-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif a faisceau d'electrons
JP3507393B2 (ja) 1999-02-25 2004-03-15 キヤノン株式会社 スペーサの製造方法および電子源装置の製造方法
JP3747154B2 (ja) 1999-12-28 2006-02-22 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP3937906B2 (ja) * 2001-05-07 2007-06-27 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2003323855A (ja) 2002-03-01 2003-11-14 Canon Inc 画像形成装置
JP3647439B2 (ja) * 2002-03-04 2005-05-11 キヤノン株式会社 表示装置
JP2004146153A (ja) 2002-10-23 2004-05-20 Canon Inc 電子線装置
US7138758B2 (en) 2003-05-15 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having a high-resistance coated spacer in electrical contact with wirings components at predetermined intervals
EP1484782A3 (en) 2003-06-06 2009-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam apparatus, and method for manufacturing a spacer used for the same
US7459841B2 (en) 2004-01-22 2008-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam apparatus, display apparatus, television apparatus, and spacer
JP3927972B2 (ja) 2004-06-29 2007-06-13 キヤノン株式会社 画像形成装置
DE602004027033D1 (de) * 2004-09-03 2010-06-17 Eta Sa Mft Horlogere Suisse Quartzresonator mit sehr kleinen Abmessungen

Also Published As

Publication number Publication date
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