KR20060041362A - 인버터용 트랜스포머 - Google Patents

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KR20060041362A
KR20060041362A KR1020040090427A KR20040090427A KR20060041362A KR 20060041362 A KR20060041362 A KR 20060041362A KR 1020040090427 A KR1020040090427 A KR 1020040090427A KR 20040090427 A KR20040090427 A KR 20040090427A KR 20060041362 A KR20060041362 A KR 20060041362A
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shaped
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박상옥
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 인버터용 트랜스포머에 관한 것으로, 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머는 다수의 격벽/슬릿층 구조를 형성하고 고압선을 권선하는 고압권선부; 상기 고압권선부에 이어 저압선을 권선하는 저압권선부; 상기 권선부간을 절연하여 그 내부로 코어공간을 형성하고, 인출선 연결핀 및 지지대를 구비하는 보빈; 및 상기 보빈상에서 상기 코어공간을 통하여 2개 이상의 구성단으로 조립되고, 상기 구성단의 한 개 이상의 접촉면에 전기간섭을 상쇄시키는 그라인딩 갭이 형성되는 코어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머에 의하면, 인덕턴스 및 누설 인덕턴스의 오차 범위를 기존의 25%에서 10~15% 이하로 감소시킬 수 있고, 회로의 매칭을 단시간에 극대화함으로써 인버터 회로의 안정성을 보다 용이하게 구현할 수 있게 된다. 또한, 무효전력과 동손을 최소화하고, 보빈 혹은 코어부의 구조를 변경하거나 갭 페이퍼의 삽입 공정을 제외함으로써 생산성을 향상시키고 신뢰도가 높은 인버터를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

인버터용 트랜스포머{Transformer for inverter}
도 1은 종래의 UI코어를 이용한 인버터용 트랜스포머의 구조를 도시한 분해사시도.
도 2a 및 도 2b는 종래의 인버터용 트랜스포머에 갭페이퍼가 삽입되는 형태를 도시한 도면.
도 3은 종래의 인버터용 트랜스포머를 생산하는 과정을 도시한 공정 처리도.
도 4a는 일반적인 LCD용 인버터를 개략적으로 도시한 블록도.
도 4b는 도 4a에 도시된 인버터의 회로를 도시한 회로도.
도 4c는 도 4b에 도시된 인버터용 트랜스포머의 회로를 도시한 회로도.
도 4d는 도 4c에 도시된 인버터용 트랜스포머 및 CCFL 램프의 연결을 도시한 개략도.
도 4e는 인버터 회로에서의 공진주파수 및 위상과의 관계를 측정한 그래프.
도 5는 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머를 생산하는 과정을 도시한 공정 처리도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머에 그라인딩 갭이 형성되는 여러 형태를 도시한 사시도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머의 다양한 코어부 및 각 코어부의 접촉면에 따라 발생하는 기생 갭을 도시한 평면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
101: I 코어부 구성단 102: U 코어부 구성단
201: 고압권선부 202: 저압권선부
300: 보빈 400: 인슐레이터
b1, b2: 갭 페이퍼 e1∼e8: 기생 갭
f1∼f10: 그라인딩 갭
본 발명은 인버터용 트랜스포머에 관한 것이다.
TFT-LCD(Thin Film Transister - Liquid Crystal Display: 박막 트랜지스터 액정 표시 장치)는 브라운관에 비하여 소형화가 가능하여 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 사무자동화기기 및 이동통신단말기 등의 광범위한 분야에서 이용되고 있다.
PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display)등과는 달리 LCD는 비발광성(수광소자)이기 때문에 빛이 없는 곳에서는 사용이 불가능하다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 LCD에는 디스플레이면을 균일하게 면조사하는 백라이트(backlight)가 사용되는데, 일반적으로 백라이트는 광원, 도광판, 확산판, 프리즘시트의 기본 구조를 갖는다. 백라이트는 인버터에 의하여 구동되고 LCD상에서 전원 을 가장 많이 소모하게 된다.
이러한 LCD 인버터는, 회로형태에 따라 자려식 및 타려식 방식으로 분류되고, 또한 램프의 형태에 따라 냉음극 형광램프(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp) 방식, 외부 전극형 형광램프(EEFL: External Electrode Fluorescent Lamp) 방식 및 Lips(LCD Inverter Power Supply) 방식으로 분류된다.
기본적으로 LCD 인버터는 DC/DC(직류/직류) 변환부, DC/AC(직류/교류) 변환부로 나뉘는데, DC/DC 변환부는 직류 전압을 발생시키고 진폭 변조하여 휘도를 제어한다. DC/AC 변환부는 직류를 높은 교류 전압으로 승압하여 램프를 점등할 수 있도록 하고, 점등 이후에는 적정 전압을 유지하도록 하는데, 이 때 트랜스포머가 사용된다.
도 1은 기존의 UI코어를 이용한 인버터용 트랜스포머의 기본적인 구조를 도시한 분해사시도이다.
도 1에 의하면, 인버터용 트랜스포머는 코어부(101, 102), 고압권선부(201), 저압권선부(202), 보빈(300) 및 인슐레이터(400) 등으로 구성되는데, 코어부(101, 102)는 U자 형태와 I자 형태의 2개의 구성단으로 조립된다.
고압권선부(201)는 고압선을 권선하기 위하여 다수의 격벽/슬릿층 구조를 형성하고, 보빈(300)은 권선 공간, 인출선 연결핀 및 지지대를 구비한다. 보빈(300)은 LCP(고분자 액정 폴리머) 혹은 페놀 재질의 사출구조물이고, 인슐레이터(400)는 고압권선부(201)와 저압권선부(202) 사이를 여러 측면에서 절연하도록 한다.
코어부(101, 102)는 구성단의 조립 형태에 따라서 UI 코어, CI 코어, EE 코 어 및 UU 코어 등으로 나뉘는데(코어부의 종류에 대해서는 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 이하에서 설명하기로 한다), 망간, 아연, 니켈 등의 미세 산화물이 혼합되어 자속을 안내하는 역할을 한다.
인버터용 트랜스포머의 인덕턴스 값은 이러한 코어 구성단의 결합력에 의하여 결정되는데, 일반적으로 그 허용 오차를 ±25% 로 정하고 있다. 이렇게 높은 오차를 허용하는 까닭은 코어 구성단의 제조 공정상에서 필연적으로 생기는 기생 갭(Gap)(a1, a2) 때문이다. 기생 갭(a1, a2)은 코어 구성단의 결합 부위에 형성되어 트랜스포머의 인덕턴스, 리퀴지 인덕턴스 및 AL(인덕턴스 계수)에 영향을 주게 된다. 인버터용 트랜스포머에 있어서 인덕턴스 값은 매우 중요한 수치로서, 현재 기생 갭(a1, a2)을 방지할 수 있는 근본적인 방법은 제시된 바가 없고, 인덕턴스 수치를 10% ∼ 15% 사이에서 관리하기 위해서 갭페이퍼 삽입 공정을 더 두고 있는 실정이다.
도 2a 및 도 2b는 기존의 인버터용 트랜스포머에 갭페이퍼가 삽입되는 형태를 도시한 도면인데, 기존의 U자형 코어 구성단(도 2a의 101, 102)과 E자형 코어 구성단(도 2b의 101a, 102a)의 접합면(각각 b1, b2)에 갭페이퍼가 삽입된다.
도 3은 종래의 인버터용 트랜스포머를 생산하는 과정을 도시한 공정 처리도이다.
도 3에 의하면, 보빈에 고압선과 저압선을 권선하고(C10), 절연 테이핑하여(C12) 디핑처리한다(C14). 이어서, 코어부(101, 102)의 결합면에 갭페이퍼를 삽입하고(C16) 코어부(101, 102)를 조립하여 고정한다(C18, C20). 여기서, 코어부 간섭 에 의하여 동작 불량이 발생하면(C22) 갭페이퍼 삽입 공정부터 반복하여 실시한다.
1차 성능 검사를 통과하면, 트랜스포머의 함침을 실시하고(C24, C26), 2차 성능 검사를 거쳐(C28) 최종적으로 외관 검사와 제품 패킹을 한다(C30, C32).
또한, 종래의 인버터용 트랜스포머 생산 공정에서는 중요한 특성인 인덕턴스, 리퀴지 인덕턴스 및 AL수치를 조정하기 위해서 트랜스포머의 구조를 변경하는 방법을 사용한다. 예를 들면, 상기 코어부(101, 102)의 금형을 변경하거나 상기 보빈(300) 구조를 변경하거나 갭 페이퍼를 사용하게 된다.
이처럼 트랜스포머의 구조를 변경하는 경우 상당한 시간과 비용을 필요로 하며 여러 회로 수치들도 영향을 받으므로 초기의 개발 과정을 다시 거쳐야 하는 어려움이 따른다. 또한, 전술한 바와 같이 갭 페이퍼를 삽입하는 경우도 공정수의 증가로 인한 인버터용 트랜스포머의 원가 상승을 초래한다.
이에, 양질의 인버터용 트랜스포머를 생산하기 위하여 주요 구성부의 구조 자체를 변경하거나 갭 페이퍼 삽입으로 인한 조립 공정의 중복을 피할 수 있도록 하고, 회로 수치의 조정을 보다 수월히 할 수 있는 방안이 요구되고 있다.
트랜스포머의 구조를 변경하거나 갭 페이퍼를 사용하지 않고 인버터용 트랜스포머의 중요한 특성인 인덕턴스, 리퀴지 인덕턴스 및 AL수치를 조정함으로써 여러 회로 수치들의 영향 및 공정 단계를 최소화할 수 있는 인버터용 트랜스포머를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명은 에어 갭과 실요 투자율의 관계 이론이 적용된 그라인딩 갭을 코어 구성단에 형성함으로써 트랜스포머와 인버터 회로를 용이하게 매칭시키고, 인버터의 특성을 개선시키는 인버터용 트랜스포머를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 UI 형태, CI 형태, EI형태, EE 형태, EFD 형태, EPC 형태 혹은 UU 형태를 가지는 코어 구성단에 조합적으로 그라인딩 갭을 형성시킴으로써, AL값을 효율적으로 조정하고 인덕턴스 및 리퀴지 인덕턴스의 오차 범위를 감소시키도록 하는 인버터용 트랜스포머를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머는 다수의 격벽/슬릿층 구조를 형성하고 고압선을 권선하는 고압권선부; 상기 고압권선부에 이어 저압선을 권선하는 저압권선부; 상기 권선부간을 절연하여 그 내부로 코어공간을 형성하고, 인출선 연결핀 및 지지대를 구비하는 보빈; 및 상기 보빈상에서 상기 코어공간을 통하여 2개 이상의 구성단으로 조립되고, 상기 구성단의 한 개 이상의 접촉면에 전기간섭을 상쇄시키는 그라인딩 갭이 형성되는 코어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 인버터용 트랜스포머에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머에 의하면, 인버터의 인덕턴스 및 누설 인덕턴스를 조절함으로써 인버터와 연결된 CCFL 램프의 기생 커패시터 성분과의 직렬 공진점 및 병렬 공진점을 원하는 위치로 (매칭)조정할 수 있다, 즉, 효율, 전류 파형, 출력 전압, 출력 전류 등의 견지에서 원하는 인버터 회로의 특성을 도출하기 가 수월해지는데, 우선, 도 4a 내지 도 4e를 참조하여 이러한 효과에 대하여 살펴보기로 한다.
도 4a는 일반적인 인버터를 개략적으로 도시한 블록도이다.
전술한 바와 같이, 인버터(10)는 DC/DC(직류/직류) 변환부(12), DC/AC(직류/교류) 변환부(14)로 나뉘는데, DC/DC 변환부는 PWM(Pulse Width Modulation; 진폭변조) 방식을 이용하여 직류 전압을 발생시키고 진폭 변조하여 휘도를 제어한다. DC/AC 변환부(14)는 인버터용 트랜스포머를 통하여 직류를 높은 교류 전압으로 승압하고, 적정 전압을 유지시킨다.
도 4b는 도 4a에 도시된 인버터의 회로를 도시한 회로도이고, 도 4c는 도 4b에 도시된 인버터용 트랜스포머(200)의 회로를 도시한 회로도이다.
도 4d는 도 4c에 도시된 트랜스포머(500) 및 CCFL(C: CCFL의 커패시티)의 연결을 도시한 개략도로서, 모델링된 트랜스포머(500)의 등가회로이다.
이들 도면을 참조하여 기본적인 회로 특성을 살펴보면 다음과 같다.
인버터용 트랜스포머와 CCFL 램프에서의 병렬 공진 주파수 및 직렬 공진 주파수는 트랜스포머의 인덕턴스와 누설 인덕턴스 그리고, CCFL을 비롯한 회로 전반에 존재하는 기생 커패시티로 결정된다.
Figure 112004051602103-PAT00001
Figure 112004051602103-PAT00002
Figure 112004051602103-PAT00003
여기서, Z는 회로 전체의 임피던스이고, ZL, ZC는 각각 누설 인덕턴스와 기생 커패시티를 임피던스 수치화한 것이다. 또, k는 결합 계수를 의미한다. 또한, 다음에 전개된 식에서 알 수 있듯이 인덕턴스(L), 누설 인덕턴스(LL), AL(인덕턴스 계수), μe(실효 투자율), μi(초기 투자율), le(평균 자로), G(갭사이즈), N(권선수) 및 A(실효장) 등은 서로 밀접한 관계를 가지고, 공진 주파수를 결정하는 중요한 요소로 작용한다.
Figure 112004051602103-PAT00004
(갭 사이즈와 실효 투자율과의 관계)
L = AL * N2
Figure 112004051602103-PAT00005
LL = (1-k) * L
Figure 112004051602103-PAT00006
도 4e는 인버터 회로에서의 공진주파수 및 위상과의 관계를 측정한 그래프이다.
도 4e에 의하면, 인버터의 인덕턴스 및 누설 인덕턴스를 조절함으로써 회로 와의 매칭이 용이해짐을 알 수 있다. 즉, 공진주파수의 공진점(A, B)이 변화되면 이득점(d1, d2, d3, d4)도 함께 변화함으로써 최대 효율점에서 매칭된 이득점을 선택할 수 있다.
인버터용 트랜스포머는 주파수와 효율이 밀접한 관계를 가지고 있는데, 예를 들면 50KHz 주파수로 동작되는 인버터와 60KHz 주파수로 동작되는 인버터에 사용되는 트랜스포머는 설계에 많은 차이를 가진다. 설계상의 차이는 인덕턴스, 누설 인덕턴스 기생 성분 등과 연관이 있는데, 전술한 바와 같이 기존에는 보빈 혹은 코어의 구조를 변경하거나 갭 페이퍼를 삽입함으로써 이를 극복하였다.
도 5는 본 발명에 의한 그라인딩 갭구조를 가지는 인버터용 트랜스포머를 생산하는 과정을 도시한 공정 처리도이다.
도 5에 의하면, 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포버는 보빈권선(D10), 절연테이핑(D12), 디핑 처리(D14), 그라인딩 갭 형성(D16), 코어부 조립/고정(D18, D20), 1차 성능 검사(D22), 함침 및 건조(D24, D26), 2차 성능검사(D28), 외관 검사 및 패킹(D30, D32)의 공정을 통하여 생산된다.
그러나, 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머 생산 공정은 전술한 종래의 생산 공정에 비하여 갭페이퍼 삽입 공정을 줄임으로써 1차성능검사 후의 재실시 단계들(도 3의 C16, C18)을 감소시킬 수 있으며, 공정의 감소가 생산성 향상에 크게 기여할 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 그라인딩 갭구조를 가지는 인버터용 트랜스포머에 그라인딩 갭이 형성되는 여러 형태를 도시한 사시도이다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 기생 갭이 형성되는 코어부(여기서는, UI 형태의 코어부를 예로 든다)의 I자형 구성단(101)과 U자형 구성단(102)은 조립되는 결합면(e1, e2, e3, e4)에 여러 형태의 그라인딩 갭(f1, f2, f3, f4, f5, f6, f7, f8, f9, f10)이 형성된 것을 볼 수 있다.
즉, 상기 UI 형태의 코어부는, U자형 구성단의 결합면 혹은 I자형 구성단의 결합면 중에서 어느 하나의 결합면에만 상기 그라인딩 갭을 형성할 수 있거나 상기 U자형 구성단의 결합면 및 I자형 구성단의 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭을 형성할 수 있다. 또한, U자형 구성단 및 I자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성될 수도 있으므로 상기 그라인딩 갭이 형성될 수 있는 조합은 여러 가지가 될 수 있다.
이처럼 상기 그라인딩 갭(f1, f2, f3, f4, f5, f6, f7, f8, f9, f10)을 형성한 것은 갭 페이퍼를 삽입한 것과 유사한 효과를 가져오는데, 갭사이즈 수치를 조정하거나 상기의 여러 가지 조합을 이용하여 그라인딩 갭을 형성함으로써, 상기의 수식에서 설명된 것처럼 기생 성분을 보다 쉽게 조절할(회로의 매칭을 극대화시키고, 인덕턴스의 변화 범위를 감소시킬) 수 있다.
상기 그라인딩 갭(f1, f2, f3, f4, f5, f6, f7, f8, f9, f10)을 통하여 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머를 실험해보면 실제 10% 이내의 오차 허용 효과를 볼 수 있고, 이는 LCD 인버터 제품의 안정성, 신뢰도를 높이는 결과를 가져온다.
또한, 코어부는 구성단의 형태와 조립 구조에 따라 UI 코어부, CI 코어부, EE 코어부, EFD 코어부, EPC 코어부 및 UU 코어부 등으로 분류되는데, 코어부의 종 류에 상관없이 그라인딩 갭을 그 접촉면에 형성함으로써 동일한 결과를 기대할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머의 다양한 코어부 및 각 코어부의 접촉면에 따라 발생하는 기생 갭을 도시한 평면도이다. 도 7a는 UU 코어부의 경우를 도시한 것이고, 도 7b는 CI 코어부의 경우를 도시한 것이며, 도 7c는 EI 코어부의 경우를 도시한 것이다. 또한, 도 7d는 EE 코어부의 경우를 도시한 것이다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하여 설명한 UI 코어부(101, 102)의 경우와 같이, 상기 UU 코어부(101a, 102a), CI 코어부(101b, 102b), EFD 코어부(도시되지 않음), EPC 코어부(도시되지 않음), EI 코어부(101c, 102c) 및 EE 코어부(101d, 102d)는 각각 여러 접촉면(e5, e6, e7, e8)에 조합적으로 그라인딩 갭을 형성할 수 있다.
각 코어부의 종류에 따라 가능한 그라인딩 갭의 조합에 대한 예시와 상세한 설명은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이므로 언급하지 않기로 한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에 서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의한 인버터용 트랜스포머에 의하면, 인덕턴스 및 누설 인덕턴스의 오차 범위를 기존의 25%에서 10~15% 이하로 감소시킬 수 있고, 회로의 매칭을 단시간에 극대화함으로써 인버터 회로의 안정성을 보다 용이하게 구현할 수 있게 된다.
또한, 무효전력과 동손을 최소화하고, 보빈 혹은 코어부의 구조를 변경하거나 갭 페이퍼의 삽입 공정을 제외함으로써 생산성을 향상시키고 신뢰도가 높은 LCD 인버터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 다양한 코어 구성부의 종류에 따라 그라인딩 갭의 위치, 사이즈 및 개수 등을 조합적으로 형성할 수 있으므로, 인버터 회로에 부합되는 트랜스포머를 보다 효율적으로 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 다수의 격벽/슬릿층 구조를 형성하고 고압선을 권선하는 고압권선부;
    상기 고압권선부에 이어 저압선을 권선하는 저압권선부;
    상기 권선부간을 절연하여 그 내부로 코어공간을 형성하고, 인출선 연결핀 및 지지대를 구비하는 보빈; 및
    상기 코어공간을 통하여 2개 이상의 구성단으로 조립되고, 상기 구성단의 한 개 이상의 접촉면에 전기 간섭을 상쇄시키는 그라인딩 갭이 형성되는 코어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 그라인딩 갭구조를 가지는 인버터용 트랜스포머.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코어부는
    UI 형태, CI 형태, EI형태, EE 형태, EFD 형태, EPC 형태 혹은 UU 형태 중 어느 하나의 조립 형태를 가지는 2개 이상의 구성단으로 조립된 것을 특징으로 하는 그라인딩 갭구조를 가지는 인버터용 트랜스포머.
  3. 제2항에 있어서, 상기 UI 형태의 코어부는
    U자형 구성단의 결합면 혹은 I자형 구성단 결합면 중 어느 하나의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  4. 제2항에 있어서, 상기 UI 형태의 코어부는
    U자형 구성단 및 I자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  5. 제2항에 있어서, 상기 UI 형태의 코어부는
    U자형 구성단의 결합면 및 I자형 구성단의 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  6. 제2항에 있어서, 상기 UU 형태의 코어부는
    각 U자형 구성단의 결합면 중 어느 하나의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  7. 제2항에 있어서, 상기 UU 형태의 코어부는
    각 U자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  8. 제2항에 있어서, 상기 UU 형태의 코어부는
    각 U자형 구성단의 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  9. 제2항에 있어서, 상기 CI 형태의 코어부는
    C자형 구성단의 결합면 혹은 I자형 구성단의 결합면 중 어느 하나의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  10. 제2항에 있어서, 상기 CI 형태의 코어부는
    C자형 구성단 및 I자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  11. 제2항에 있어서, 상기 CI 형태의 코어부는
    C자형 구성단의 결합면 및 I자형 구성단 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  12. 제2항에 있어서, 상기 EI 형태의 코어부는
    E자형 구성단의 결합면 혹은 I자형 구성단의 결합면 중 어느 하나의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  13. 제2항에 있어서, 상기 EI 형태의 코어부는
    E자형 구성단 및 I자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  14. 제2항에 있어서, 상기 EI 형태의 코어부는
    E자형 구성단의 결합면 및 I자형 구성단의 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  15. 제2항에 있어서, 상기 EE 형태의 코어부는
    각 E자형 구성단의 결합면 중 어느 하나의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  16. 제2항에 있어서, 상기 EE 형태의 코어부는
    각 E자형 구성단의 쌍을 이루는 4개의 결합면중에 조합적으로 어느 2개의 결합면에 상기 그라인딩 갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
  17. 제2항에 있어서, 상기 EE 형태의 코어부는
    각 E자형 구성단의 결합면 모두에 상기 그라인딩 갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 인버터용 트랜스포머.
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