KR20060040065A - Cmos 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 반도체 기판에 그 표면으로부터 제1 깊이까지 형성되어 있는 제1 도전형의 포토다이오드와,상기 포토다이오드의 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이까지 형성된 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 HAD (hole accumulated device) 영역과,상기 HAD 영역 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제2 깊이보다 얕은 제3 깊이까지 형성된 상기 제1 도전형의 표면 확산 영역과,상기 포토다이오드의 근방에 형성되어 있는 트랜스퍼 게이트와,상기 트랜스퍼 게이트의 아래에 형성되어 있는 상기 제2 도전형의 제1 채널 영역과,상기 제1 채널 영역을 사이에 두고 상기 포토다이오드로부터 이격되어 있는 제1 도전형의 플로팅 확산 영역과,상기 포토다이오드와는 격리되고 상기 표면 확산 영역 및 플로팅 확산 영역에는 연결되도록 상기 제1 채널 영역의 위에서 상기 반도체 기판 표면에 형성되어 있는 상기 제1 도전형의 제2 채널 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 도전형은 N형이고, 상기 제2 도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제2 채널 영역은 상기 플로팅 확산 영역에서보다 낮은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제2 채널 영역은 상기 HAD 영역 및 상기 플로팅 확산 영역보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 표면 확산 영역은 상기 제2 채널 영역과 같거나 더 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 HAD 영역보다 낮은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 포토다이오드보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 반도체 기판에 형성되어 있는 N형 포토다이오드와,상기 N형 포토다이오드 위에서 상기 반도체 기판 표면에 형성된 P+형 영역 과,P+형 영역 위에서 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 N-형 표면 확산 영역과,상기 N형 포토다이오드의 근방에 형성된 트랜스퍼 게이트와,상기 트랜스퍼 게이트의 아래에 형성되어 있는 P-형 채널 영역과,상기 P-형 채널 영역을 사이에 두고 상기 N형 포토다이오드로부터 이격되어 있는 N+형 플로팅 확산 영역과,상기 N형 포토다이오드와는 격리되고 상기 N-형 표면 확산 영역 및 N+형 플로팅 확산 영역에는 연결되도록 상기 P-형 채널 영역 위에서 상기 반도체 기판 표면에 형성된 N-형 채널 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제8항에 있어서,상기 N-형 채널 영역은 상기 P+형 영역 및 상기 N+형 플로팅 확산 영역보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제8항에 있어서,상기 N-형 표면 확산 영역은 상기 N-형 채널 영역과 같거나 더 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제8항에 있어서,상기 P-형 채널 영역은 상기 N형 포토다이오드보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- CMOS 제어 회로와,적어도 플로팅 확산 영역, 트랜스퍼 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼 증폭기를 구비하는 트랜지스터 영역과, 포토다이오드 영역을 각각 가지는 복수의 능동 픽셀을 포함하고, 상기 능동 픽셀은 각각상기 포토다이오드 영역에 형성된 N형의 포토다이오드와,상기 N형의 포토다이오드 위에 형성된 P형의 HAD 영역과,상기 트랜스퍼 트랜지스터를 구성하는 P형의 제1 채널 영역과,상기 포토다이오드와는 격리되어 있고 상기 플로팅 확산 영역과는 연결되도록 상기 제1 채널 영역 위의 상기 트랜지스터 영역 표면에 형성되어 있는 N형의 제2 채널 영역과,상기 제2 채널 영역과는 연결되고 인접해 있는 다른 능동 픽셀과는 완전히 격리되도록 상기 HAD 영역 위에서 상기 반도체 기판의 표면에 형성되어 있는 N형의 표면 확산 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 제2 채널 영역 및 상기 포토다이오드는 P형의 이온 주입 영역을 사이에 두고 상호 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 N형의 표면 확산 영역은 상기 제2 채널 영역과 같거나 더 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 표면 확산 영역 및 제2 채널 영역은 각각 상기 플로팅 확산 영역에서보다 낮은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 제2 채널 영역은 상기 HAD 영역 및 상기 플로팅 확산 영역보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 HAD 영역보다 낮은 도핑 농도를 가지는 것을 특 징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제12항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 포토다이오드보다 얕은 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 반도체 기판의 포토다이오드 영역과 트랜지스터 영역과의 경계 근방에 제1 도전형의 제1 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 제1 채널 영역 위의 반도체 기판 표면에 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 제2 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 제2 채널 영역 위에 제1 게이트 절연막 및 그 위에 적층된 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계와,상기 포토다이오드 영역에서 상기 반도체 기판의 표면에 제1 도전형의 HAD 영역을 형성하는 단계와,상기 포토다이오드 영역에 상기 제2 채널 영역과 격리되어 있는 제2 도전형의 포토다이오드를 형성하는 단계와,상기 HAD 영역 위에서 상기 반도체 기판 표면에 상기 제2 도전형의 표면 확산 영역을 상기 제2 채널 영역과 연결되도록 형성하는 단계와,상기 반도체 기판에 상기 제2 채널 영역을 사이에 두고 상기 포토다이오드와 이격되어 있는 제2 도전형의 플로팅 확산 영역을 상기 제2 채널 영역과 연결되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
- 제19항에 있어서,상기 제1 도전형은 P형이고, 상기 제2 도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 표면 확산 영역 및 제2 채널 영역은 각각 상기 플로팅 확산 영역에서보다 낮은 도핑 농도를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 제2 채널 영역은 상기 HAD 영역 및 상기 플로팅 확산 영역보다 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 표면 확산 영역은 상기 제2 채널 영역과 같거나 더 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 HAD 영역보다 낮은 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 포토다이오드 보다 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 반도체 기판의 포토다이오드 영역과 트랜지스터 영역과의 경계 근방에 P-형의 제1 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 제1 채널 영역 위의 반도체 기판 표면에 N-형의 제2 채널 영역을 형성하는 단계와,상기 제2 채널 영역 위에 제1 게이트 절연막 및 그 위에 적층된 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계와,상기 포토다이오드 영역에서 상기 반도체 기판의 표면에 P+형의 HAD 영역을 형성하는 단계와,상기 포토다이오드 영역에 상기 제1 채널 영역에 인접하고 상기 제2 채널 영역과는 격리되어 있는 N형의 포토다이오드를 형성하는 단계와,상기 HAD 영역 위에 있는 반도체 기판 표면에 N-형의 표면 확산 영역을 상기 제2 채널 영역과 연결되도록 형성하는 단계와,상기 제1 채널 영역을 사이에 두고 상기 포토다이오드의 반대측에 상기 제2 채널 영역에 연결되는 N+형의 플로팅 확산 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 제1 채널 영역은 상기 포토다이오드보다 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 제2 채널 영역은 상기 HAD 영역보다 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 표면 확산 영역은 상기 제2 채널 영역과 같거나 더 얕은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
- 적어도 플로팅 확산 영역, 트랜스퍼 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼 증폭기를 구비하는 트랜지스터 영역과, 포토다이오드를 각각 가지는 복수의 능동 픽셀을 구비한 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,상기 포토다이오드 영역에 P+형의 HAD 영역을 형성하는 단계와,상기 포토다이오드 영역에서 상기 HAD 영역의 아래에 N형의 포토다이오드를 형성하는 단계와,상기 HAD 영역 위의 반도체 기판 표면에 각각의 능동 픽셀 마다 분리되어 있는 N-형의 표면 확산 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법.
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