KR20060033415A - 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 - Google Patents

반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060033415A
KR20060033415A KR1020040082528A KR20040082528A KR20060033415A KR 20060033415 A KR20060033415 A KR 20060033415A KR 1020040082528 A KR1020040082528 A KR 1020040082528A KR 20040082528 A KR20040082528 A KR 20040082528A KR 20060033415 A KR20060033415 A KR 20060033415A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
edge
injection
gas supply
Prior art date
Application number
KR1020040082528A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100646417B1 (ko
Inventor
최용남
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020040082528A priority Critical patent/KR100646417B1/ko
Publication of KR20060033415A publication Critical patent/KR20060033415A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100646417B1 publication Critical patent/KR100646417B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 가장자리부를 처리하는 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 기판이 놓여지는 기판 지지부를 가진다. 상기 기판의 가장자리부 상부에는 노즐 지지대에 의해 지지되는 분사노즐이 배치되고, 상기 기판 지지부와 상기 노즐 지지대 중 어느 하나는 구동기에 의해 회전된다. 상기 분사노즐은 가스 공급부로부터 반응가스와 차단가스를 공급받는다.
상기 분사노즐은 내부가 분리판에 의해 반응가스 분사부와 차단가스 분사부로 나누어지는 몸체를 가지며 상기 반응가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 반응가스를 공급받아 이를 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 가장자리부로 분사하고, 상기 차단가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 차단가스를 공급받아 이를 상기 기판의 가장자리부와 상기 기판의 중앙부 사이로 분사하여, 상기 기판의 가장자리부로 분사된 반응가스가 상기 차단가스에 의해 상기 기판의 중앙부로 유입되는 것을 방지한다.
웨이퍼, 가장자리부, 식각, 차단가스

Description

반도체 기판의 가장자리부 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING AN EDGE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치의 사시도;
도 2는 가스 공급부가 개략적으로 도시된 도 1의 장치의 단면도;
도 3은 도 2의 장치의 다른 예를 보여주는 단면도;
도 4는 도 2의 장치의 또 다른 예를 보여주는 단면도;
도 5는 도 4의 장치에서 분사노즐과 가스 저장부간 연결관계의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 6은 본 발명에 사용되는 분사노즐의 바람직한 일 예를 보여주는 단면도;
도 7은 분사노즐로부터 웨이퍼의 가장자리부로 반응가스와 차단가스가 분사되는 경로를 개략적으로 보여주는 도면; 그리고
도 8은 도 1의 장치의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 지지부 200 : 분사노즐
220 : 분리판 240 : 제 1공간
260 : 제 2공간 300 : 노즐 지지부
400 : 가스 공급부 500 : 보울
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판의 가장자리부로부터 일정물질을 제거하는 식각(etching), 세정(cleaning), 또는 애싱(ashing) 공정 등을 수행하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성된다. 상술한 공정들이 수행된 웨이퍼의 상부면 가장자리부 또는 하부면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 웨이퍼의 가장자리부가 파지된 채로 이송시 이들 이물질들은 웨이퍼로부터 이탈되어 비산하여 설비를 오염시키고 후속공정에서 파티클로 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리부에 형성된 막 또는 이물질을 식각하는 공정이 필요하다.
종래에는 웨이퍼 가장자리부를 식각하기 위해 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리부를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배쓰 에 담그는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
본 발명은 저렴한 비용으로 그리고 웨이퍼의 패턴형성부에 영향을 주지 않고 신속하고 간단하게 웨이퍼의 가장자리부에 대해 식각, 애싱, 또는 세정 공정 등을 수행할 수 있는 기판의 가장자리부 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 기판 가장자리부 처리 장치는 기판이 놓여지는 기판 지지부를 가진다. 상기 기판의 가장자리부 상부에는 노즐 지지대에 의해 지지되는 분사노즐이 배치되고, 상기 기판 지지부와 상기 노즐 지지대 중 어느 하나는 구동기에 의해 회전된다. 상기 분사노즐은 가스 공급부로부터 반응가스와 차단가스를 공급받는다.
상기 분사노즐은 내부가 분리판에 의해 반응가스 분사부와 차단가스 분사부로 나누어지는 몸체를 가지며 상기 반응가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 반응가스를 공급받아 이를 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 가장자리부로 분사하고, 상기 차단가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 차단가스를 공급받아 이를 상기 기판의 가장자리부와 상기 기판의 중앙부 사이로 분사하여, 상기 기판의 가장자리부로 분사된 반응가스가 상기 차단가스에 의해 상기 기판의 중앙부로 유입되는 것을 방지한다.
일 예에 의하면, 상기 가스 공급부는 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와 차단가스를 공급하는 차단가스 공급부를 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 오존가스, 불산증기, 그리고 제논가스 중 적어도 하나를 상기 분사노즐로 공급하고, 상기 차단가스 공급부는 질소가스 또는 비활성 가스를 상기 분사노즐로 공급한다.
다른 예에 의하면, 상기 장치는 복수의 분사노즐들을 포함하고, 상기 가스 공급부는 서로 상이한 가스를 공급하는 복수의 반응가스 공급부들을 포함하여, 상기 분사노즐들은 서로 상이한 가스를 공급받아 선택적으로 또는 순차적으로 반응가스를 상기 기판의 가장자리부로 분사한다. 예컨대, 상기 장치는 3개의 분사노즐들을 포함하고, 상기 가스 공급부는 상기 분사노즐들 중 어느 하나에 오존가스를 공급하는 오존가스 공급부와 상기 분사노즐들 중 다른 하나에 증기상태의 불산을 공급하는 불산증기 공급부와; 그리고 상기 분사노즐들 중 또 다른 하나에 제논가스를 공급하는 제논가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사노즐을 수평방향으로 이동시키는 수평 이동기가 제공되어 상기 반응가스가 공급되는 기판의 가장자리부 폭을 조절할 수 있으며, 상기 분사노즐의 경사각을 조절하는 경사각 조절기가 제공되어 기판의 가장자리부로 분사되는 반응가스의 분사각을 조절할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지부를 감싸도록 배치된 보울이 제공될 수 있으며, 상기 보울의 일측면 또는 바닥면에는 펌프가 설치된 배기라인이 연결될 수 있다.
상기 장치는 상기 기판의 가장자리부에 대해 세정공정, 포토레지스트 제거공정, 식각공정, 그리고 애싱공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 수행하는 장치일 수 있으며, 상기 장치는 상압에서 공정이 수행될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 8을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 실시예에서는 웨이퍼 가장자리부(12)를 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 장치는 웨이퍼 가장자리부(12)에 대해 세정(cleaning) 또는 애싱(ashing) 등과 같이 웨이퍼 가장자리부(12)로부터 일정물질을 제거하는 다양한 공정을 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 가스 공급부가 개략적으로 도시된 도 1의 단면도이다. 도 1과 도 2를 참조하면, 장치(1)는 기판 지지부(100), 분사노즐(200), 노즐 지지부(300), 가스 공급부(400), 그리고 보울(500)을 가진다. 기판 지지부(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(10)를 지지하고, 분사노즐(200)은 가스 공급부로부터 공정가스를 공급받아 이를 웨이퍼(10)로 분사한다.
기판 지지부(100)는 원통형의 기저부(700) 상에 배치되며 원형의 상부면을 가지는 지지판(120)을 포함한다. 지지판(120)의 상부면에는 복수의 지지핀들(140)이 위로 돌출 되도록 설치된다. 웨이퍼(10)는 지지핀들(140) 상에 놓여져 공정 진 행 중 지지판(120) 상부면으로부터 이격된다. 지지판(120)의 가장자리부에는 복수의 정렬핀들(160)이 배치된다. 정렬핀은 지지핀들(140) 상에 놓여진 웨이퍼(10)를 정위치로 정렬시키고, 공정 진행 중 웨이퍼(10)가 지지판(120)으로부터 벗어나는 것을 방지한다. 지지판(120)의 하부면에는 이를 지지하는 지지축(180)이 결합되고, 공정진행 중 웨이퍼(10)가 회전되도록 지지축(180)에는 모터(190)와 같은 구동부가 결합된다. 기저부(700) 상에는 기판 지지부(100)를 감싸도록 배치되며, 상부가 개방된 통형상을 가지는 보울(500)이 설치된다. 보울(500)의 바닥면에는 공정에 사용되는 가스를 강제흡입하도록 펌프(도시되지 않음)가 설치된 배기라인(520)이 연결된다.
분사노즐(200)은 기판 지지부(100)의 가장자리부 상부에 배치되며, 노즐 지지부(300)에 의해 지지된다. 노즐 지지부(300)는 하부가 개방되며 내부에 빈 공간을 제공하는 통형의 커버(380)와, 상기 공간 내에 배치되며 분사노즐(200)을 지지하는 노즐 지지대(320)를 가진다. 분사노즐(200)은 기판 지지부(100)에 놓여진 웨이퍼(10)와 수직하게 설치되거나 웨이퍼(10)의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 가스가 분사되도록 경사지게 노즐 지지대(320)의 끝단에 결합된다.
공정에 따라 식각을 요하는 웨이퍼 가장자리부(12) 폭이 상이할 수 있다. 수평 이동기(340)는 기판 지지부(100)에 놓여진 웨이퍼(10)의 반경방향으로 분사노즐(200)을 직선이동하여, 웨이퍼 가장자리부(12)의 식각폭이 조절되도록 분사노즐(200)의 위치를 조절한다. 일 예에 의하면, 수평 이동기(340)는 모터(346)에 의해 회전되는 스크류(344), 스크류(344)에 결합되어 가이드(348)를 따라 직선운동하며 노즐 지지대(320)와 결합되는 브라켓(342)을 가질 수 있다. 또한, 웨이퍼(10)에 형성된 막의 종류 등에 따라 웨이퍼(10)로 분사되는 반응가스의 분사각이 조절되도록 분사노즐(200)의 경사각을 조절하는 경사각 조절기(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 분사노즐(200)을 수평방향으로 직선이동시키거나 경사각이 조절되도록 하는 기구적 메카니즘은 당업자에 의해 용이하게 다양하게 제공될 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
가스 공급부(400)는 분사노즐(200)로 공정가스를 공급한다. 공정가스로는 식각을 위한 반응가스와 이들이 웨이퍼 중앙부(14)로 유입하는 것을 차단하도록 차단막을 형성하는 차단가스가 사용된다. 식각공정의 경우 반응가스로는 오존가스(O3), 증기상태의 불산(HF), 또는 제논가스(Xe) 등과 같은 가스들 중 어느 하나의 가스가 사용될 수 있으며, 차단가스로는 질소가스(N2) 또는 불활성 가스가 사용될 수 있다. 이와 달리 반응가스 대신 약액이 사용될 수 있다. 그러나 약액을 사용하는 경우 공정비용 및 약액 처리를 위한 후처리 비용이 많이 발생되고, 약액의 누출로 인해 안전사고가 발생되기 쉬우며, 약액을 혼합하기 위해 버퍼탱크나 혼합탱크 등 별도의 장치들이 다수 제공되어 설비가 대형화되므로, 상술한 바와 같이 가스 상태의 유체가 사용되는 것이 바람직하다.
일 예에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이 장치는 하나의 분사노즐(200)을 가지고, 가스 공급부(400)는 오존가스, 증기상태의 불산, 그리고 제논가스 중 어느 하나가 저장되는 반응가스 저장부(420)와 질소가스와 같은 차단가스가 저장되는 차 단가스 저장부(440)를 가진다. 반응가스는 반응가스 저장부(420)로부터 반응가스 공급관(424)을 통해 분사노즐(200)로 공급되고, 차단가스는 차단가스 저장부(440)로부터 차단가스 공급관(444)을 통해 분사노즐(200)로 공급된다. 반응가스 공급관(424)과 차단가스 공급관(444)에는 각각 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 가스의 유량을 조절하는 밸브(426, 446)가 설치된다. 밸브(426, 446)로는 제어기(460)에 의해 전기적으로 조절가능한 밸브가 사용되는 것이 바람직하다.
다른 예에 의하면, 도 3에 도시된 바와 같이 장치는 하나의 분사노즐(200)을 가지고, 가스 공급부(400)는 복수의 반응가스들을 저정하는 반응가스 저장부(420)와 차단가스를 저장하는 차단가스 저장부(440)를 가지며, 이들 가스는 가스 공급관에 의해 분사노즐(200)로 공급된다. 반응가스 저장부(420)는 오존가스가 저장되는 오존가스 저장부(422a), 증기상태의 불산을 공급하는 불산 저장부(422b), 제논가스가 저장되는 제논가스 저장부(422c)를 가진다. 가스 공급관은 반응가스 공급관(424)과 차단가스 공급관(444)을 가지며, 반응가스 공급관(424)은 분사노즐(200)과 연결되는 주공급관(424d) 및 오존가스 저장부(422a)와 연결되는 오존가스 공급관(424a), 불산 저장부(422b)와 연결되는 불산증기 공급관(424b), 제논가스 저장부(422c)와 연결되는 제논가스 공급관(424c)을 가지며, 오존가스 공급관(424a), 불산증기 공급관(424b), 그리고 제논가스 공급관(424c)은 각각 주공급관(424d)과 연결된다. 주공급관(424d), 오존가스 공급관(424a), 불산증기 공급관(424b), 제논가스 공급관(424c), 그리고 차단가스 공급관(444)에는 각각 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 가스의 유량을 조절하는 밸브(426a, 426b, 426c, 426d, 446)가 설치된다. 각각의 밸브(426a, 426b, 426c, 426d, 446)로는 제어기(460)에 의해 전기적으로 조절가능한 밸브가 사용되는 것이 바람직하다. 제어기(460)는 공정이 수행되는 웨이퍼로부터 제거하고자 하는 막의 종류에 따라 반응가스들 중 선택된 어느 하나가 분사노즐(200)로 공급되도록 밸브들(426a, 426b, 426c, 426d, 446)을 제어한다. 또한, 제어기(460)는 막의 종류에 따라 반응가스들 중 선택된 복수의 반응가스가 순차적으로 분사노즐(200)로 공급되도록 밸브들(426a, 426b, 426c, 426d, 446)을 제어할 수 있다.
또 다른 예에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이 장치는 복수의 분사노즐들(200a, 200b, 200c)을 가지고, 가스 공급부(400)는 복수의 반응가스들을 저정하는 반응가스 공급부(420)와 차단가스를 저장하는 차단가스 공급부(440)를 가진다. 분사노즐(200)은 반응가스의 수와 동일하게 제공되며, 서로 상이한 반응가스는 서로 상이한 분사노즐(200)로 공급되고, 질소가스는 각각의 분사노즐(200)에 모두 공급된다. 예컨대, 장치(1)는 오존가스를 공급받아 이를 웨이퍼 가장자리부(12)로 분사하는 오존가스 분사노즐(200a), 증기상태의 불산을 공급받아 이를 웨이퍼 가장자리부(12)로 분사하는 불산증기 분사노즐(200b), 그리고 제논가스를 공급받아 이를 웨이퍼 가장자리부(12)로 분사하는 제논가스 분사노즐(200c)을 가질 수 있다. 각각의 분사노즐(200a, 200b, 200c)은 웨이퍼(10)의 반경방향으로 바깥쪽을 향하도록 경사진 상태로 노즐 지지대(320)에 장착되며, 이들 분사노즐들(200a, 200b, 200c)은 서로 균일하게 배치된다. 반응가스 저장부(420)는 오존가스가 저장되는 오존가스 저장부(422a), 증기상태의 불산을 공급하는 불산 저장부(422b), 제논가스가 저장되는 제논가스 저장부(422c)를 가진다.
도 5는 도 4의 장치에서 분사노즐(200)과 가스 저장부간 연결관계의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 가스 공급관은 반응가스 공급관(424)과 차단가스 공급관(444)을 가지며, 반응가스 공급관(424)은 오존가스 저장부(422a)와 오존가스 분사노즐(200a)을 연결하는 오존가스 공급관(424a), 불산 저장부(422b)와 불산 분사노즐(200)을 연결하는 불산증기 공급관(424b), 그리고 제논가스 저장부(422c)와 제논가스 분사노즐(200)을 연결하는 제논가스 공급관(424c)을 가진다. 차단가스 공급관(444)은 차단가스 저장부(440)와 연결되는 주공급관(444d)과 이로부터 분기되며 각각의 분사노즐(200)과 연결되는 분기관들(444a, 444b, 444c)을 가진다. 오존가스 공급관(424a), 불산증기 공급관(424b), 제논가스 공급관(424c), 주공급관(444d), 그리고 분기관들(444a, 444b, 444c)에는 각각 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 가스의 유량을 조절하는 밸브(426a, 426b, 426c, 446a, 446b, 446c, 446d)가 설치된다. 각각의 밸브(426a, 426b, 426c, 446a, 446b, 446c, 446d)로는 제어기(460)에 의해 조절되도록 전기적으로 조절가능한 밸브가 사용되는 것이 바람직하다. 제어기(460)는 공정이 수행되는 웨이퍼로부터 제거하고자 하는 막의 종류에 따라 반응가스들 중 선택된 어느 하나가 분사노즐(200a, 200b, 200c)로 공급되도록 밸브들(426a, 426b, 426c, 446a, 446b, 446c, 446d)을 제어한다. 또한, 제어기(460)는 막의 종류에 따라 반응가스들 중 선택된 복수의 반응가스가 순차적으로 분사노즐(200a, 200b, 200c, 200d)로 공급되도록 밸브들(426a, 426b, 426c, 446a, 446b, 446c, 446d)을 제어할 수 있다. 복수의 분사노즐들(200a, 200b, 200c, 200d)이 사용되는 경우, 각각의 분사노즐(200a, 200b, 200c, 200d) 및 반응가스 공급관(424)에는 동일 종류의 반응가스만이 공급되므로 그들 내부가 다른 종류의 반응가스에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명에 사용되는 분사노즐(200)의 바람직한 일 예를 보여주는 단면도이다. 분사노즐(200)은 균일한 횡단면으로 일정길이 길게 형성되며, 끝단부는 아래방향으로 갈수록 점진적으로 횡단면적이 좁아진다. 분사노즐(200) 내부는 분리판(220)에 의해 길이방향으로 2개의 공간으로 격리되며, 이들 중 제 1공간(240)은 반응가스 분사부로서 기능하고 제 2공간(260)은 차단가스 분사부로서 기능한다. 분사노즐(200)의 상부면에는 제 1공간(240)으로 반응가스가 유입되는 유입홀(242)과 제 2공간(260)으로 차단가스가 공급되는 유입홀(262b)이 형성된다. 분사노즐(200)은 제 1공간(240)이 웨이퍼 가장자리부(12)와 인접하고, 제 2공간(260)이 웨이퍼 중앙부(14)와 인접하도록 배치된다. 도 7은 분사노즐(200)로부터 웨이퍼 가장자리부(12)로 반응가스와 차단가스가 분사되는 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이 차단가스는 웨이퍼 가장자리부(12)와 중앙부(14) 사이로 분사되어 차단막을 형성하고, 웨이퍼 가장자리부(12)로 공급된 반응가스는 차단막에 의해 웨이퍼 중앙부(14)로부터 이동이 억제되고 웨이퍼 가장자리부(12)를 따라 웨이퍼(10)의 바깥쪽을 향해 흐른다.
상술한 실시예들에서는 웨이퍼(10)가 놓여지는 지지판(120)이 회전되면서 공정이 수행되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 웨이퍼(10)가 놓여지는 지지판(120)은 고정되고, 커버(380)가 회전될 수 있다.
도 8은 본 발명의 기판 처리 장치(1)의 다른 예를 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 장치(1)는 상술한 분사노즐(200) 외에 웨이퍼(10)의 하부면을 식각 또는 세정하는 약액 공급부(600)를 가진다. 약액 공급부(600)는 지지판(120) 및 지지축(180)의 중앙에 형성되는 약액 유입라인(620)과, 약액 저장부(660)와 약액 유입라인(620)을 연결하는 약액 공급관(640)을 가진다. 약액은 약액 유입라인(620)으로부터 웨이퍼(10)의 하부면과 지지판(120) 사이에 제공되는 공간으로 공급된 후 도 8에 도시된 바와 같이 웨이퍼(10)의 바깥쪽을 향해 흐르면서 웨이퍼(10)의 하부면을 식각 또는 세정한다.
본 발명에 의하면, 식각 공정 등을 수행하기 위해 약액 대신 반응가스가 사용되므로 약액 누출로 인한 안전사고를 방지할 수 있으며, 고가의 약액사용과 사용된 약액의 후처리로 소요되는 비용을 절감할 수 있고, 설비의 간소화를 이룰 수 있다.
또한, 분사노즐로부터 반응가스 외에 웨이퍼 가장자리부와 중앙부 사이로 차단가스가 공급되므로, 반응가스가 웨이퍼 중앙부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 분사노즐이 수평방향으로 이동되므로 공정을 요하는 가장자리부의 폭을 조절할 수 있고, 분사노즐의 경사각이 조절되므로 웨이퍼에 형성된 막질의 종류에 따라 웨이퍼 가장자리부로 분사되는 경사각을 조절할 수 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 가장자리부를 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓여지는 기판 지지부와;
    상기 기판의 가장자리부 상부에 배치되며, 노즐 지지대에 의해 지지되는 분사노즐과;
    상기 기판 지지부와 상기 노즐 지지대 중 어느 하나를 회전시키는 구동기와; 그리고
    상기 분사노즐로 유체를 공급하는 가스 공급부를 포함하되,
    상기 분사노즐로부터 반응을 위해 사용되는 유체는 반응가스인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 분사노즐은 내부가 분리판에 의해 반응가스 분사부와 차단가스 분사부로 나누어지는 몸체를 가지며,
    상기 반응가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 반응가스를 공급받아 이를 상기 기판 지지부에 놓여진 기판의 가장자리부로 분사하고,
    상기 차단가스 분사부는 상기 가스 공급부로부터 차단가스를 공급받아 이를 상기 기판의 가장자리부와 상기 기판의 중앙부 사이로 분사하여,
    상기 기판의 가장자리부로 분사된 반응가스는 상기 차단가스에 의해 상기 기판의 중앙부로 유입되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 가스 공급부는,
    반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와;
    차단가스를 공급하는 차단가스 공급부를 포함하되,
    상기 반응가스 공급부는 오존가스, 불산증기, 그리고 제논가스 중 적어도 하나를 상기 분사노즐로 공급하고,
    상기 차단가스 공급부는 질소가스 또는 비활성 가스를 상기 분사노즐로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 장치는 복수의 분사노즐들을 포함하고,
    상기 가스 공급부는 서로 상이한 가스를 공급하는 복수의 반응가스 공급부들을 포함하여,
    상기 분사노즐들은 서로 상이한 가스를 공급받아 선택적으로 또는 순차적으로 반응가스를 상기 기판의 가장자리부로 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 장치는 3개의 분사노즐들을 포함하고,
    상기 가스 공급부는,
    상기 분사노즐들 중 어느 하나에 오존가스를 공급하는 오존가스 공급부와;
    상기 분사노즐들 중 다른 하나에 증기상태의 불산을 공급하는 불산증기 공급부와; 그리고
    상기 분사노즐들 중 또 다른 하나에 제논가스를 공급하는 제논가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 분사노즐을 수평방향으로 이동시키는 수평 이동기를 더 포함하여, 상기 반응가스가 공급되는 기판의 가장자리부 폭은 조절가능한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 분사노즐의 경사각을 조절하는 경사각 조절기를 더 포함하여, 상기 분사노즐로부터 분사되는 가스의 분사각이 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  8. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 기판 지지부를 감싸도록 배치되며, 일측면 또는 바닥면에 펌프가 설치된 배기라인이 연결되는 보울을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  9. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 기판의 가장자리부에 대해 세정공정, 포토레지스트 제거공정, 식각공정, 그리고 애싱공정 중 어느 하나의 공정을 수행하는 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  10. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상압에서 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
KR1020040082528A 2004-10-15 2004-10-15 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 KR100646417B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040082528A KR100646417B1 (ko) 2004-10-15 2004-10-15 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040082528A KR100646417B1 (ko) 2004-10-15 2004-10-15 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060033415A true KR20060033415A (ko) 2006-04-19
KR100646417B1 KR100646417B1 (ko) 2006-11-15

Family

ID=37142546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040082528A KR100646417B1 (ko) 2004-10-15 2004-10-15 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100646417B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841084B1 (ko) * 2007-03-07 2008-06-24 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR101302586B1 (ko) * 2011-03-21 2013-09-03 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치 및 방법
KR101398436B1 (ko) * 2008-05-19 2014-05-26 주식회사 케이씨텍 기판 하부 세정 장치 및 방법
KR20180001496A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 기판 코팅 방법 및 코팅 시스템
KR20190008458A (ko) * 2017-07-13 2019-01-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치
JP3727602B2 (ja) 2002-03-11 2005-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841084B1 (ko) * 2007-03-07 2008-06-24 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR101398436B1 (ko) * 2008-05-19 2014-05-26 주식회사 케이씨텍 기판 하부 세정 장치 및 방법
KR101302586B1 (ko) * 2011-03-21 2013-09-03 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치 및 방법
KR20180001496A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 기판 코팅 방법 및 코팅 시스템
KR20190008458A (ko) * 2017-07-13 2019-01-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100646417B1 (ko) 2006-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3502947B2 (ja) 半導体の超微粒子洗浄装置
US20080035182A1 (en) Substrate Treatment Apparatus
JP2006114884A (ja) 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
US20090183676A1 (en) Coating solution supply apparatus
JP4605998B2 (ja) 半導体ウェハ洗浄システム及びその半導体ウェハ洗浄方法
KR101055465B1 (ko) 기판 처리법 및 기판 처리 장치
KR102546756B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US7166183B2 (en) Apparatus and method for treating edge of substrate
KR100646417B1 (ko) 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치
KR100466297B1 (ko) 반도체 제조 장치
JP2002353184A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR100564582B1 (ko) 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법
KR102037902B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US12042815B2 (en) Substrate processing apparatus for supplying gas of water repellent agent and substrate processing method
CN116406476A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
KR20050022099A (ko) 반도체 기판 세정 장치 및 세정 방법
KR100780936B1 (ko) 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법
KR100629919B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100904462B1 (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
US20240047236A1 (en) Unit for supplying chemical and apparatus for treating substrate with the unit
KR101933081B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법
KR102701436B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2023090171A1 (ja) 基板処理方法
KR101977385B1 (ko) 웨이퍼 건조 장치 및 방법
KR20230019039A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121106

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131108

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141110

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151110

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171106

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181107

Year of fee payment: 13