KR20060014193A - 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 엑스레이영상 감지소자에 관한 것으로, 특히 엑스레이영상 감지소자(DXD)의 신호 인가 방식과 그에 따른 어레이 배선의 구성에 관한 것이다.
본 발명은 신호 지연을 방지하여 고화질의 영상을 구현하는 하는 엑스레이 영상 감지소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 위해, 일 방향으로 구성된 데이터 신호배선을 액정패널의 중심부에서 절단한 후 이격하여 구성하며, 절단된 신호 배선의 양측에 각각 데이터 구동회로를 구성한다.
이와 같이 하면, 데이터 신호는 기존에 비해 1/2로 그 길이가 줄어든 신호배선을 흐르기 때문에 라인저항을 줄일 수 있으므로 그 만큼 신호지연을 방지할 수 있어, 고화질의 영상을 제공할 수 있는 장점이 있다.
Description
도 1은 엑스레이 영상 감지 소자의 동작을 설명하기 위한 단면도이고,
도 2는 종래의 영상 감지 소자의 한 화소영역을 도시한 평면도이고,
도 3은 종래에 따른 영상 감지 소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 영상 감지 소자의 한 화소영역을 도시한 평면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 영상 감지 소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 6a 내지 도 6f는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 전극
104 : 게이트 배선 108 : 액티브층
112 : 소스 전극 114 : 드레인 전극
116 : 제 1 데이터 배선 118 : 제 2 데이터 배선
120 : 접지배선 126 : 캐패시터 전극
134 : 화소 전극
본 발명은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 공정을 이용한 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 의학용으로 널리 사용되고 있는 진단용 엑스레이(X-ray)장치의 검사방법은 엑스레이 감지 필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위해서는 소정의 필름 인화시간을 거쳐야 했다.
그러나, 근래에 들어서 반도체 기술의 발전에 힘입어 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 디지털 엑스레이 디텍터(Digital X-ray detector ; 이하 "엑스레이 영상감지소자"라 칭한다)가 연구/개발되었다.
상기 엑스레이 영상감지소자는 박막 트랜지스터를 스위칭소자로 사용하여, 엑스레이의 촬영 즉시 실시간으로 화면 상에 엑스레이 영상을 표시하여 결과를 진단할 수 있는 장점이 있다.
이하, 엑스레이 영상감지소자의 구성과 그 동작을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 엑스레이 영상감지소자의 구성 및 작용을 설명하는 개략도로서, 하부 에 기판(1)이 형성되어 있고, 박막 트랜지스터(3), 스토리지 캐패시터(10), 화소전극(12), 광도전막(2), 보호막(20), 고전압전극(24), 고압 직류전원(26) 등으로 구성된다.
상기 광도전막(2)은 입사되는 전기파나 자기파 등 외부의 신호강도에 비례하여 내부적으로 전기적인 신호 즉, 전자 및 정공쌍(6)을 형성한다. 상기 광도전막(2)은 외부의 신호, 특히 엑스레이를 전기적인 신호로 변환하는 변환기의 역할을 한다. 엑스레이 광에 의해 형성된 전자-정공쌍(6)은 광도전막(2) 상부에 위치하는 고전압전극(24)에 고압 직류전원(26)에서 인가된 전압(Ev)에 의해 광도전막(2) 하부에 위치하는 화소전극(12)에 전하의 형태로 모여지고, 외부에서 접지된 캐패시터전극과 함께 형성된 스토리지 캐패시터(10)에 저장된다. 이 때, 상기 스토리지 캐패시터(10)에 저장된 전하는 박막트랜지스터(3)의 게이트에 인가되는 게이트신호에 의하여 박막트랜지스터가 턴온(Turn On)되고 박막트랜지스터(3)의 소스와 연결된 데이터라인을 통하여 외부의 영상처리 회로로 보내져 엑스레이 영상을 만들어 낸다.
이러한 엑스레이 영상 감지소자에서 약한 엑스레이 광이라도 이를 탐지하여 전하로 변환시키기 위해서는 광도전막(2) 내에서 전하를 트랩 하는 트랩 상태밀도 수를 줄이고, 박막트랜지스터(3)가 턴오프 (Turn Off)상태에 있을 때의 누설전류를 줄여야 한다.
도 2는 종래의 엑스레이 영상 감지소자의 화소(pixel)영역을 나타낸 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(30) 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(32)이 행 방향으로 구성되고, 상기 게이트 배선(32)과 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(34)이 구성된다.
상기 게이트 배선(32)과 데이터 배선(34)이 교차하는 부분에 스위칭소자로써 박막 트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트 배선(32)과 접촉하는 게이트 전극(44)과, 게이트 전극(44)상부에 게이트 절연막(미도시)을 사이에 두고 구성된 액티브층(46)과, 상기 액티브층(46)의 상부에는 이격된 소스 전극(48)과 드레인 전극(50)을 포함한다.
상기 화소 영역(P)에는 캐패시터전극(36)과 화소전극(38)이 구성된다.
상기 게이트 배선(32)과 소정간격 이격하여 접지배선(40)이 형성되며, 상기 접지배선(40)은 상기 캐패시터 전극(38)의 하부에 구성된다.
접지배선 콘택홀(42)을 통해 상기 접지배선(40)과 상기 캐패시터 전극(36)이 전기적으로 연결된다.
전술한 구성에서, 상기 캐패시터 전극(36)과 화소 전극(38)의 사이에 유전물질로 실리콘 질화막(SiNX)이 삽입 형성되어 전하 저장수단으로서 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.
여기서, 상기 화소전극(38)은 상기 박막 트랜지스터(T) 상부까지 연장되어 형성되며, 도시하지는 않았지만 광도전막(도 1의 2)에서 발생한 정공(hole)이 스토 리지 캐패시터(CST)내에 축적될 수 있도록 전하를 모으는 집전전극의 역할을 한다.
또한, 상기 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된 정공은 드레인 전극(50)을 통해 소스 전극(48)으로 이동하고, 데이터 배선(34)을 경유하여 외부의 회로(미도시)에서 처리되어 영상으로 표현된다. 그 구체적인 동작은 도 1에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.
전술한 바와 같은 구성으로 화소 영역이 구성된 영상감지 소자의 전체적인 구성을 이하, 도 3을 참조하여 개략적으로 설명한다.
도 3은 종래에 따른 영상감지소자의 개략적인 구성을 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 영상 감지소자(29)는 영상을 표현하는 표시영역(A)과 구동 영역(D1,D3)으로 정의될 수 있으며, 상기 표시영역(A)에는 앞서 도 2에서 설명한 바와 같이, 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 동시에, 각 화소 영역 마다 스위칭 소자 및 광도전막 등이 형성된다.
그리고, 상기 표시영역(A)의 주변 즉, 영상소자의 일 측과 이에 평행하지 않은 타측에는 구동 영역(D1,D3)이 정의된다.
상기 구동 영역(D1,D3)중 제 1 구동 영역(D1)은 상기 데이터 배선(도 2의 34)의 일 끝단에 대응하는 부분이며 데이터 집적 회로(미도시)가 구성되고, 제 2 구동 영역(D3)은 상기 게이트 배선(도 2의 32)의 일 끝단에 대응하는 부분이며 게이트 집적 회로(미도시)가 구성된다.
그런데, 이러한 구성은 대면적 고해상도 일수록 배선의 길이가 길어지므로 이를 통해 신호지연이 발생하게 되어 화질이 나빠지는 문제가 있다.
더욱이, 데이터 배선의 경우, 엑스레이 빛이 광도전막 내에서 발생한 신호를 외부로 출력하는 역할을 하기 때문에, 배선의 저항에 따라 외부로 출력되는 영상의 화질에 큰 영향을 미치게 되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 데이트 배선에 의한 신호 지연을 방지하여 고화질을 얻을 수 있는 영상 감시 소자의 구성 및 그 제조방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엑스레이 영상 감지소자는 기판 상에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과는 게이트 절연막을 사이에 두고 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하며, 기판의 중심영역에서 일 방향으로 이격되어 나누어진 제 1 데이터배선과 제 2 데이터 배선과; 상기 제 1 및 제 2 데이터 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 지점에 구성된 스위칭 소자와; 상기 화소 영역에 일 방향으로 형성되는 접지배선과; 상기 박막트랜지스터와 접지배선이 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 접지배선의 일부가 노출되도록 패턴된 제 1 보호막과; 상기 노출된 접지배선과 접촉하는 캐패시터전극과; 상기 캐패시터 전극을 포함하는 기판의 전면에 구성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노 출하도록 패턴된 제 2 보호막과; 상기 노출된 스위칭 소자와 접촉하는 화소 전극을 포함한다.
상기 제 1 데이터 배선의 일 끝단과 상기 제 2 데이터 배선의 일 끝단에 데이터 구동회로가 구성되고, 상기 게이트 배선의 일 끝단에는 게이트 구동 회로가 구성된다.
상기 접지배선과 접촉하는 캐패시터 전극을 제 1 전극으로 하고 그 상부의 화소 전극을 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 구성된다.
상기 스위칭 소자는 게이트 전극과 액티브층( 및 오믹 콘택층)과 소스 전극과 드레인 전극을 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 엑스레이 영상감지 소자 제조방법은 기판 상에 표시영역과, 표시영역의 주변으로 구동 영역을 정의하는 단계와; 상기 표시영역에 대응하여 일 방향으로 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과는 게이트 절연막을 사이에 두고 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하며, 기판의 중심영역에서 일 방향으로 이격되어 나누어진 제 1 데이터 배선과 제 2 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 데이터 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 지점에 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 화소 영역에 일 방향으로 구성되는 접지배선을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 접지배선이 구성된 기판의 전면에 형성되고, 상기 접지배선의 일부가 노출되도록 패턴된 제 1 보호막을 형성하는 단계와; 상기 노출된 접지배선과 접촉하는 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐패시터 전극이 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노출하 도록 패턴된 제 2 보호막을 형성하는 단계와; 상기 노출된 스위칭 소자와 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제 1 데이터 배선의 일 끝단과 상기 제 2 데이터 배선의 일 끝단에 데이터 구동회로가 구성되고, 상기 게이트 배선의 일 끝단에는 게이트 구동 회로가 구성된다.
상기 화소 전극 상에 광도전막을 형성하는 단계와; 상기 광도전막 상에 도전전극을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
상기 광도전막은 비정질 셀레니움(selenium), HgI2, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드로 구성된 집단에서 선택된 물질인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 데이터 배선을 형성할 때, 종래와 달리 영상감지소자의 중심부에서 데이터 배선을 절단하여 이를 이격된 형상으로 구성하고, 각 절단된 데이터 배선의 양측에 각각 데이터 구동 회로를 구성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 영상 감지 소자의 구성을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 엑스레이 영상감지소자의 표시영역의 일부를 도시한 개략적인 평면도이다.
기판(100)상에 기판의 중심부에서 절단되어 이격된 형상의 제 1 데이터 배선(116)과 제 2 데이터 배선(118)을 구성한다.
전술한 제 1 및 제 2 데이터 배선(116,118)쌍을 세로 방향으로 다수개 이격하여 구성한다.
상기 제 1 데이터 배선 및 제 2 데이터 배선(116,118)과 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하고 서로 평행하게 이격된 게이트 배선(104)을 다수개 구성한다.
상기 게이트 배선(104)과 제 1 데이터 배선 및 제 2 데이터 배선(116,118)의 교차지점에는 게이트 전극(102)과, 액티브층(108)과 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 화소 영역(P)에는 캐패시터전극(126)과 화소전극(134)을 형성한다.
상기 캐패시터전극(126)의 하부로 접지배선(120)을 형성하며, 상기 접지배선(120)은 접지배선 콘택홀(124)을 통해 상기 캐패시터전극(126)과 전기적으로 접촉한다.
그리고, 상기 캐패시터 전극(126)과 화소전극(134)의 사이에 유전물질로 실리콘 질화막(SiNX)이 삽입 형성되어, 전하 저장수단으로서 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.
여기서, 상기 화소 전극(134)은 상기 박막 트랜지스터(T) 상부까지 연장되어 형성되며, 도시하지는 않았지만 광도전막(도 1의 2)에서 발생한 정공(hole)이 스토리지 캐패시터(CST)내에 축적될 수 있도록 전하를 모으는 집전전극의 역할을 한다.
또한, 상기 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된 정공은 드레인 전극(114)을 통해 소스 전극(112)으로 이동하고, 데이터배선(116,118)을 경유하여 외부의 회로(미도시)에서 처리되어 영상으로 표현된다.
전술한 구성에서, 특징적인 것은 종래와는 달리 하나의 데이터 배선을 기판(100)의 중심부에서 절단하여 이격된 상태로 구성하고, 절단된 데이터 배선의 양측에 각각 데이터 집적 회로를 구성하여 상기 나누어진 데이터 배선(116,118)에 각각 데이터 신호를 인가하도록 하는 것이다.
이에 대해, 이하 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 영상 감지 소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 영상 감지소자(99)는 영상을 표현하는 표시영역(A)과 구동 영역(D1,D2,D3)으로 정의될 수 있으며, 상기 표시영역(A)에는 앞서 설명한 도 4에 도시한 바와 같이, 게이트 배선과 데이터 배선과 각 화소 영역마다 스위칭 소자 및 광도전막 등을 형성한다.
그리고, 상기 표시영역(A)의 주변 즉, 영상소자의 일 측에는 게이트 구동 영역(D3)이 구성되고, 이에 평행하지 않은 두 변에는 각각 제 1 데이터 구동 영역 (D1)과 제 2 데이터 구동 영역(D2)이 구성된다.
상기 제 1 데이터 구동 영역(D1)은 제 1 데이터 배선(도 4의 118)의 일 측에 구성하고, 상기 제 2 데이터 구동 영역(D2)은 상기 제 1 데이터 배선(도 4의 118)과 이격하여 나란하게 구성된 제 2 데이터 배선(116)의 타측에 구성한다.
상기 데이터 구동 영역(D1,D2)에는 데이터 집적회로를 구성하고, 상기 게이트 구동 영역(D3)에는 게이트 집적회로를 구성한다.
이와 같은 구성은, 기존보다는 1/2의 길이로 신호가 인가되는 방식이므로, 신호 지연에 의한 화질 저하 문제가 해결될 수 있는 장점이 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6f를 참조하여, 본 발명에 따른 DXD의 제조방법을 설명한다.
도 6a 내지 도 6f는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ를 절단하여, 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 저 저항의 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(주로, AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W)중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하고 패턴하여, 게이트 전극(102)과 이에 접촉하는 게이트 배선(104)을 다수개 형성한다.
상기 각 구성요소를 이중 금속층으로 사용하는 이유는, 게이트 전극(102) 물질로는 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock)형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로, 상기와 같이 적층구조를 적용하는 것이다.
다음으로, 상기 게이트 전극(102)과 게이트 배선(도 4의 104)을 형성한 기판(100)의 전면에 실리콘 질화막(SiNX)과 실리콘 산화막(SiO2)을 포함하는 무기절연 물질 그룹과, 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)등으로 구성된 유기절연 물질그룹 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(106)을 100Å 내지 3000Å의 두께로 형성한다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(106)상에 연속하여, 절연막이 외부의 공기중에 노출되지 않은 상태에서 순수 비정질 실리콘(A-Si:H), 불순물 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 순서대로 적층한 후 패터닝하여, 액티브층(108)과 오믹콘택층(110)을 형성한다
다음으로, 상기 액티브층(108)과 오믹 콘택층(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W)중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층의 상부에 서로 이격된 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)을 형성하고, 상기 소스 전극(112)과 접촉하면서 상기 게이트 배선(도 4의 104)과는 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 제 1 데이터 배선(116)과 제 2 데이터 배선(118)을 형성한다.
상기 제 1 데이터 배선(116)과 제 2 데이트 배선(118)은 일방향으로 나란하게 구성되며, 기판(100)의 중심부에서 서로 소정간격 이격하도록 형성한다.
따라서, 상기 제 1 데이터 배선(116)과 제 2 데이터 배선(118)은 각각 일반 적인 데이터 배선에 비해 약 1/2의 길이 이하로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(118)을 형성함과 동시에 화소 영역(P)의 중심을 가로지르는 접지배선(120)을 형성한다.
연속하여, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)을 식각 마스크로 하여, 그 하부에 노출된 오믹 코택층(110)을 제거하는 공정을 진행하여, 그 하부의 액티브층(108)을 노출하는 공정을 진행한다.
노출된 액티브층(108)은 전자 또는 정공(electron 또는 hole)이 흐르는 액티브 채널(active channel)로서의 기능을 하게 된다.
도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(116,118)과 접지배선(120)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 제 1 보호막(122)을 형성한다.
상기 노출된 액티브층(108)과 직접 맞닿는 층인 제 1 보호막(122)을 실리콘 절연막으로 구성하면, 상기 노출된 액티브층(108)과 제 1 보호막(122)과의 계면특성이 뛰어나기 때문에 전자를 트랩하는 영역이 적어지게 되고 따라서, 전자의 이동도(mobility)가 빨라지는 결과를 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 화소 영역(P)을 지나는 접지배선(120)의 일부에 대응하는 제 1 보호막(122)을 식각하여 하부의 접지배선(120)을 노출하는 접지배선 콘택홀(124)을 형성한다.
다음으로, 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 보호막(124)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 접지배선(120)과 접촉하면서 상기 화소 영역(P)에 구성된 캐패시터 전극(126)을 형성한다.
상기 접지배선(120)은 화소 영역(P)의 일부를 지나도록 형성되어 있으나(도 4), 커패시터 전극(126)은 데이터배선(116,118)과는 중첩되지 않는 한도에서 접지배선(120)보다 넓게하여 화소전극(이후 공정에서 형성됨) 전체면적 중 절반이상과 중첩되게 형성된다.
도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 캐패시터 전극(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 전술한 바와 같은 무기 절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 2 보호막(130)을 형성한다.
상기 제 2 보호막(130)을 패터닝하여, 상기 드레인 전극(114)을 노출하는 드레인 콘택홀(132)을 형성한다.
다음으로, 도 6f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 보호막(130)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 일부가 노출된 드레인 전극(114)과 접촉하면서 화소영역(P)에 구성되는 화소전극(134)을 형성한다.
전술한 구성에서, 앞서 도 1에서 설명한 바와 같이 광도전막과 보호막과 고전압전극과 고압 직류전원 등을 구성함으로써 엑스레이 영상 감지소자를 제작할 수 있다.
상기 광도전막은 비정질 셀레니움(selenium), HgI2, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드로 구성된 집단에서 선택된 물질로 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 제작방법으로 형성된 엑스레이 영상 감지소자는 데이터 배선을 형성할 때, 종래와는 달리 1/2의 길이로 나누어진 각각의 데이터 배선에 데이터 집적 회로를 독립적으로 구성함으로써, 영상신호가 흐르는 배선의 길이가 짧아져 신호 지연을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 신호 지연을 방지함으로써 선명한 영상을 얻을 수 있는 효과가 있다.
Claims (8)
- 기판 상에 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선과;상기 게이트 배선과는 게이트 절연막을 사이에 두고 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하며, 기판의 중심영역에서 일 방향으로 이격되어 나누어진 제 1 데이터배선과 제 2 데이터 배선과;상기 제 1 및 제 2 데이터 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 지점에 구성된 스위칭 소자와;상기 화소 영역에 일 방향으로 형성되는 접지배선과;상기 스위칭 소자와 접지배선이 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 접지배선의 일부가 노출되도록 패턴된 제 1 보호막과;상기 노출된 접지배선과 접촉하는 캐패시터전극과;상기 캐패시터 전극을 포함하는 기판의 전면에 구성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노출하도록 패턴된 제 2 보호막과;상기 노출된 스위칭 소자와 접촉하는 화소 전극;을 포함하는 엑스레이 영상감지 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 데이터 배선의 일 끝단과 상기 제 2 데이터 배선의 일 끝단에 데 이터 구동회로가 구성되고, 상기 게이트 배선의 일 끝단에는 게이트 구동 회로가 구성된 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 접지배선과 접촉하는 캐패시터 전극을 제 1 전극으로 하고 그 상부의 화소 전극을 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 구성된 엑스레이 영상감지소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 게이트 전극과 액티브층( 및 오믹 콘택층)과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터인 엑스레이 영상감지소자.
- 기판 상에 표시영역과, 표시영역의 주변으로 구동 영역을 정의하는 단계와;상기 표시영역에 대응하여 일 방향으로 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과는 게이트 절연막을 사이에 두고 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하며, 기판의 중심영역에서 일 방향으로 이격되어 나누어진 제 1 데이터 배선과 제 2 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 데이터 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 지점에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;상기 화소 영역에 일 방향으로 구성되는 접지배선을 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터와 접지배선이 구성된 기판의 전면에 형성되고, 상기 접지배선의 일부가 노출되도록 패턴된 제 1 보호막을 형성하는 단계와;상기 노출된 접지배선과 접촉하는 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;상기 캐패시터 전극이 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 스위칭 소자의 일부를 노출하도록 패턴된 제 2 보호막을 형성하는 단계와;상기 노출된 스위칭 소자와 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 엑스레이 영상감지 소자 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 데이터 배선의 일 끝단과 상기 제 2 데이터 배선의 일 끝단에 데이터 구동회로가 구성되고, 상기 게이트 배선의 일 끝단에는 게이트 구동 회로가 구성된 엑스레이 영상 감지소자 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 화소 전극 상에 광도전막을 형성하는 단계와;상기 광도전막 상에 도전전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 엑스레이 영상 감지소자 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 광도전막은 비정질 셀레니움(selenium), HgI2, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드로 구성된 집단에서 선택된 물질인 엑스레이 영상 감지소자 제조방법.
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