KR100628039B1 - 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법 - Google Patents

엑스레이 디텍터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100628039B1
KR100628039B1 KR1020000018322A KR20000018322A KR100628039B1 KR 100628039 B1 KR100628039 B1 KR 100628039B1 KR 1020000018322 A KR1020000018322 A KR 1020000018322A KR 20000018322 A KR20000018322 A KR 20000018322A KR 100628039 B1 KR100628039 B1 KR 100628039B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
pad
gate
forming
Prior art date
Application number
KR1020000018322A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010094909A (ko
Inventor
김익수
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
남상희
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사, 남상희 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020000018322A priority Critical patent/KR100628039B1/ko
Publication of KR20010094909A publication Critical patent/KR20010094909A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100628039B1 publication Critical patent/KR100628039B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 분야 : 게이트 및 데이터 패드부의 구조를 변경하여 제작공정을 간소화한 엑스레이 디텍터의 제조방법 및 그 제조방법에 따른 엑스레이 디텍터.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 : 종래 엑스레이 디텍터는 패드부를 형성함에 있어서, 와이어 본딩(wire bonding)으로 구동회로를 결합하기 위해 게이트 금속으로 게이트 및 데이터 패드를 구성하고, 별도의 공정을 통해 데이터 패드와 데이터 배선을 연결한다. 이에 따라 별도의 사진식각공정이 필요하게 되고 제작공정이 증가한다.
다. 그 발명의 해결방법의 요지 : 본 발명에서는 데이터 배선의 형성공정에서 데이터 패드를 형성하여 사진식각공정을 종래에 비해 2회 정도 줄이고, 게이트 및 데이터 패드부를 ITO로 최종 마무리하여 TCP에 의한 TAB공정으로 구동회로의 실장이 가능하도록 게이트 및 데이터 패드부를 구성함으로써, 제작공정의 간소화와 TCP로 구동회로를 실장함으로써 와이어 본딩에 따른 수율의 감소를 방지할 수 있다.

Description

엑스레이 디텍터 및 그 제조방법{X-ray detecter and a method for fabricating the same}
도 1은 엑스레이 영상 감지소자의 동작을 나타내는 단면도.
도 2는 종래 엑스레이 영상 감지소자의 한 화소부분에 해당하는 단면을 나타내는 단면도.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 방향으로 자른 단면의 제작 공정을 도시한 공정도.
도 4는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 도시한 도면.
도 5는 일반적인 엑스레이 디텍터에 와이어 본딩하는 방법을 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 평면을 도시한 도면.
도 7은 도 6의 절단선 Ⅶ-Ⅶ로 자른 단면을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 다른 예에 해당하는 게이트 및 데이터 패드부의 단면을 도시한 도면.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
72 : 게이트 패드 76 : 게이트 전극
74 : 게이트 패드전극 80 : 데이터 배선
82 : 데이터 패드 84 : 데이터 패드전극
86 : 소스 전극 88 : 드레인 전극
90 : 제 1 캐패시터 전극 92 : 제 2 캐패시터 전극
94 : 화소전극 96 : 접지배선
본 발명은 TFT 어레이 공정을 이용한 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 의학용으로 널리 사용되고 있는 진단용 엑스레이(X-ray) 검사방법은 엑스레이 감지 필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위해서는 소정의 필름 인화시간을 거쳐야 했다.
그러나, 근래에 들어서 반도체 기술의 발전에 힘입어 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 디지털 엑스레이 디텍터(Digital X-ray detector ; 이하 엑스레이 영상감지소자라 칭한다)가 연구/개발되었다. 상기 엑스레이 영상감지소자는 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하여, 엑스레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 장점이 있다.
이하, 엑스레이 영상감지소자의 구성과 그 동작을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 엑스레이 영상감지소자(100)의 구성 및 작용을 설명하는 개략도로서, 하부에 기판(1)이 형성되어 있고, 박막 트랜지스터(3), 스토리지 캐패시터(10), 화소 전극(12), 광도전막(2), 보호막(20), 전극(24), 고압 직류전원(26) 등으로 구성된다.
상기 광도전막(2)은 입사되는 전기파나 자기파등 외부의 신호강도에 비례하여 내부적으로 전기적인 신호 즉, 전자 및 정공쌍(6)을 형성한다. 상기 광도전막(2)은 외부의 신호, 특히 엑스레이를 전기적인 신호로 변환하는 변환기의 역할을 한다. 엑스레이 광에 의해 형성된 전자-정공쌍(6)은 광도전막(2) 상부에 위치하는 도전전극(24)에 고압 직류전원(26)에서 인가된 전압(Ev)에 의해 광도전막(2) 하부에 위치하는 화소전극(12)에 전하의 형태로 모여지고, 외부에서 접지된 공통전극과 함께 형성된 스토리지 캐패시터(10)에 저장된다. 이 때, 상기 스토리지 캐패시터(10)에 저장된 전하는 외부에서 제어하는 상기 박막 트랜지스터(3)에 의해 외부의 영상 처리소자로 보내지고 엑스레이 영상을 만들어 낸다.
그런데, 엑스레이 영상 감지소자에서 약한 엑스레이 광이라도 이를 탐지하여 전하로 변환시키기 위해서는 광도전막(2) 내에서 전하를 트랩 하는 트랩 상태밀도 수를 줄이고, 도전전극(24)과 화소 전극(12) 사이에 수직으로 큰 전압(10V/μm 이상)을 인가하여 수직방향이외의 전압에 의해 흐르는 전류를 줄여야 한다.
엑스레이 광에 의해 생성된 광도전막(2) 내의 전하들이 화소 전극뿐만 아니라 박막 트랜지스터(3)의 채널부분을 보호하는 보호막 상부에도 트랩되어 모인다. 이렇게 트랩되어 모여진 전하는 박막 트랜지스터(3) 상부의 채널영역에 전하를 유도하여 박막 트랜지스터(3)가 오프 상태일 때도 큰 누설전류를 발생시켜 박막 트랜지스터(3)가 스위칭 동작을 할 수 없게 한다.
또한, 스토리지 캐패시터(10)에 저장된 전기적인 신호가 오프 상태에서의 큰 누설전류 때문에 외부로 흐르게 되어, 얻고자 하는 영상을 제대로 표현하지 못하는 현상이 생길 수 있다.
도 2는 일반적인 엑스레이 디텍터의 한 화소부를 나타낸 평면도로서, 게이트 배선(30)이 행 방향으로 배열되어 있고, 데이터 배선(40)이 열 방향으로 배열되어 있다. 또, 게이트 배선(30)과 데이터 배선(40)이 직교하는 부분에 게이트 전극(32)과 소스 전극(42)과 드레인 전극(44)을 갖는 스위칭 소자로써 박막 트랜지스터(3)가 형성되고, 일 방향으로 인접한 인접화소와 공통적으로 접지 되어 있는 공통전극으로 접지배선(52)이 배열되어 있다.
화소부에는 투명전극으로 제 1, 2 캐패시터 전극(46, 47) 전극이 유전물질(미도시)을 사이에 두고 서로 절연되며 형성되고, 상기 제 1 캐패시터 전극(46)은 상기 접지배선(52)과 전기적으로 접촉하고 있다.
즉, 전하 저장수단으로서 제 1, 2 캐패시터 전극(46, 47)과 화소전극(56)을 갖는 스토리지 캐패시터를 구성하고, 유전물질로 실리콘 질화막(미도시)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 화소 전극(56)은 상기 박막 트랜지스터(3) 상부까지 연장되어 형성되며, 도시하지는 않았지만 광도전막에서 발생한 정공(hole)이 스토리지 캐패 시터(P)내에 축적될 수 있도록 전하를 모으는 집전전극의 역할을 한다.
또한, 상기 화소전극(56)은 상기 스토리지 캐패시터 내에 저장된 정공이 상기 박막 트랜지스터(3)를 통해 들어오는 전자(electron)와 결합할 수 있도록 드레인 콘택홀(50)을 통해 드레인 전극(44)과 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(30)의 일 끝단에는 게이트 패드(34)와 상기 데이터 배선(40)의 일 끝단에는 데이터 패드(41a)가 형성된다.
상기 데이터 패드(41a)는 상기 데이터 배선(40)과 접촉하는 데이터 패드 링크부(41b)가 형성되며, 상기 데이터 패드 링크부(41b)는 데이터 링크 콘택홀(43a)을 통해 상기 데이터 배선(40)과 데이터 패드(41a)가 연결된다.
여기서, 상기 데이터 패드(41a)는 상기 게이트 배선(30)과 동일한 금속을 사용하며, 동시에 형성되게 된다. 상기와 같이 데이터 패드(41a)를 상기 게이트 배선(30)과 동일한 금속으로 사용하는 이유는 추후 구동회로를 연결하는 와이어 본딩공정에서 와이어와 각 패드와의 접촉을 좋게 하기 위함이며, 이 때, 상기 게이트 배선(30)으로 사용되는 금속은 알루미늄과 몰리브덴 등의 이중구조가 주로 쓰인다.
상술한 엑스레이 디텍터의 기능을 요약하면 다음과 같다.
광도전막(미도시)으로부터 생성된 정공은 화소전극(56)으로 모이고, 상기 제 1, 2 캐패시터 전극(46, 47)과 함께 구성되는 스토리지 캐패시터에 저장된다.
또한, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 정공은 박막 트랜지스터(3)의 동작에 의해 드레인 전극(44)과 화소전극(56)을 통해 소스 전극(42)으로 이동하고, 외부의 회로(미도시)에서 영상으로 표현한다.
여기서, 상기 외부회로를 통해 외부로 완전히 빠져나가지 못한 전하 즉, 스토리지 캐패시터에 잔류하는 잔류전하는 외부의 회로에 의해 상기 접지배선(52)을 통해 완전히 제거된다.
도 3a ∼도 3f에 도시된 바와 같이, 엑스레이 영상 감지소자의 제작공정을 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면에 따라 설명한다.
먼저, 도 3a를 참조하여 설명하면, 기판(1) 상에 제 1 금속으로 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(바람직하게는 Mo/Al)과 같은 저저항 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(32) 및 데이터 패드(41)를 형성한다.
여기서, 상기 게이트 전극(32)과 상기 데이터 패드(41)는 독립적으로 형성된다. 상기 데이터 패드(41)를 게이트 전극(32)을 형성할 때 동시에 형성하는 이유는 추후 구동회로의 장착 공정에서 와이어에 의한 본딩공정의 성능향상을 위함이다. 즉, 제 1 금속에 포함된 알루미늄(Al)은 와이어 본딩공정에서 본딩이 잘되는 금속이다.
상기 데이터 패드(41)는 실질적으로 두 부분으로 구분되며, 하나는 와이어와 접촉되는 데이터 패드전극(41a)과 추후 공정에서 형성될 데이터 배선과의 접촉부분인 데이터 링크부(41b)로 구성된다.
기판(1)으로는 절연물질의 고융점을 가지는 고가의 석영판과 저온 공정에서 주로 사용되는 유리기판이 있다.
도 3b는 상기 패터닝된 제 1 금속 상에 게이트 절연막(60)과 액티브층(65)을 형성하고, 상기 데이터 링크부(41b)를 덮는 게이트 절연막을 패터닝하여 데이터 링 크홀(43a)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
상기 게이트 절연막(60)은 실리콘 질화막(SiNx)이 주로 사용되며, 상기 액티브층(65)은 순수 비정질 실리콘(62)과 불순물 비정질 실리콘(64)의 적층구조로 되어 있다.
상기 액티브층(65)을 형성한 후에, 상기 데이터 패드(41)의 데이터 링크부(41b)를 덮는 게이트 절연막(65)의 일부를 패터닝하여 상기 데이터 링크부(41b)의 일부가 노출되도록 데이터 링크홀(43a)을 형성한다. 상기 데이터 링크홀(43a)을 형성하는 이유는 추후 공정에서 형성될 데이터 배선과 상기 데이터 패드(41)와의 접촉을 위함이다.
도 3c는 제 1 캐패시터 전극(46)과 데이터 배선(40)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
상기 제 1 캐패시터 전극(46)은 전하를 저장하는 스토리지 캐패시터의 제 1 전극으로서 기능을 하게 된다. 상기 제 1 캐패시터 전극(46)은 실질적으로 투명한 도전물질인 ITO가 사용되며, 상기 제 1 스토리지 캐패시터의 형성시 드레인 전극이 형성될 부분에 드레인 보조전극(48)을 형성한다.
상기 드레인 보조전극(48)은 추후 공정에서 형성될 화소전극과 드레인 전극을 연결하는 매개체로서의 기능을 하게 된다.
상기 제 1 캐패시터 전극(46) 및 드레인 보조전극(48)을 형성한 후에 제 2 금속으로 소스 및 드레인전극(42, 44)과 데이터 배선(40)을 형성한다.
상기 데이터 배선(40)은 상기 데이터 링크홀(43a)을 통해 상기 데이터 링크부(41b)와 접촉하게 되며, 실질적으로 데이터 패드전극(41a)과 도통하게 된다.
상기 소스 전극(42)은 상기 데이터 배선(40)과 접촉하고, 상기 드레인 전극(44)은 상기 드레인 보조전극(48)과 일부분이 겹쳐지도록 형성된다.
또한, 상기 제 2 금속으로 상기 제 1 캐패시터 전극(46) 상에 접지배선(52)을 형성한다.
도 3d는 기판 전면에 걸쳐 유전층(66) 및 ITO를 증착하고, 상기 ITO를 패터닝하여 제 2 캐패시터 전극(47)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
상기 유전층(66)은 게이트 절연막(60)과 동일한 실리콘 질화막이 사용된다.
그리고, 상기 제 2 캐패시터 전극(47)은 추후 공정에 의한 상기 유전층(66)의 과식각을 방지하는 식각 방지막의 기능과, 스토리지 캐패시터의 일 전극으로서 기능을 하게 된다.
도 3e는 상기 제 2 캐패시터 전극(47) 및 기판 전면에 걸쳐 보호막(68)과 화소전극(56)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
상기 보호막(68)은 유전율이 작은 BCB(benzocyclobutene)가 사용되며, 드레인 전극(44)과 일부분이 접촉하는 드레인 보조전극(48)과 제 2 캐패시터 전극(47)의 일부분이 각각 노출된 드레인 콘택홀(50) 및 캐패시터 콘택홀(54)이 형성된다.
여기서, 상기 드레인 콘택홀(50)을 형성하기 위해서는 보호막(68)과 유전층(66)을 동시에 식각하게 된다. 따라서, 스토리지 캐패시터의 유전층이 과식각 되는 것을 방지하는 기능을 제 2 캐패시터 전극(47)이 수행하게 되는 것이다.
한편, 상기 데이터 패드부(41) 상의 보호막(68) 및 유전층(60)도 동시에 식각되게 된다.
이후, 상기 보호막 상에 투명도전물질(즉, ITO)을 증착하고 패터닝하여 화소전극(56)을 형성한다.
상기 화소전극(56)은 드레인 콘택홀(50) 및 캐패시터 콘택홀(54)을 통해 각각 노출된 드레인 보조전극(48) 및 제 2 캐패시터 전극(47)과 동시에 접촉한다.
여기서, 드레인 전극(44)과 화소전극(56)의 접촉을 위해 드레인 보조전극(48)을 형성하는 이유는 화소전극(56)과 드레인 보조전극(48)이 동일한 물질이기 때문에 접촉저항이 감소되기 때문이다.
도 3f는 최종적으로 데이터 패드전극(41a)을 노출시키는 단계를 도시한 도면으로, 데이터 패드전극(41a) 상에 위치하는 게이트 절연막(60)과 몰리브덴/알루미늄의 적층구조 중에서 상부에 위치하는 몰리브덴을 동시에 식각한다.
상기와 같이 데이터 패드전극(41a)에서 몰리브덴을 식각하고 알루미늄만을 남기는 이유는 구동회로의 실장공정에서 와이어와 상기 데이터 패드전극(41a) 간에 본딩이 원활하게 이루어지게 하기 위함이다.
상술한 바와 같이 종래 엑스레이 디텍터는 약 9번의 사진식각 공정을 거쳐서 완성된다.
도 4는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 도시한 도면으로 게이트 패드전극(34)에 해당한다.
도 4에 도시한 바와 같이 게이트 패드전극(34)도 데이터 패드전극과 같은 구 조를 취함을 알 수 있다. 이는 동일한 공정에서 동시에 게이트 패드전극과 데이터 패드전극이 형성되기 때문이다.
간략히 설명하면, 기판(1) 상에 몰리브덴/알루미늄의 적층구조로 게이트 배선(30)이 형성되며, 상기 게이트 배선(30)의 일 끝단에 알루미늄의 단층 구조로 게이트 패드전극(34)이 형성된다. 상기 게이트 패드전극(34)은 게이트 절연막(60)에 의해 외부에 노출되며, 추후 구동회로 실장공정에서 게이트 구동회로와 와이어에 의해 본딩이 되는 장소이다.
상술한 바와 같이 종래 엑스레이 디텍터는 데이터 및 게이트 패드부를 동시에 형성하였다. 이는 와이어 본딩시 게이트 금속으로 사용되는 알루미늄을 이용하기 위함이다. 즉, 와이어 본딩은 연성이 우수한 금속을 사용해야 함으로 데이터 패드 및 게이트 패드를 알루미늄으로 사용한다.
그러나, 종래 엑스레이 디텍터의 제조공정은 매우 많은 수의 공정을 요구하고 있다.
특히, 엑스레이 디텍터의 제조공정 중 제일 먼저 형성되는 데이터 패드와 추후에 형성되는 데이터 배선과의 접촉을 위해 상기 데이터 패드를 게이트 절연막으로부터 노출시키는 공정이 필요하게 된다.
이로 인해 공정 수는 추가되고, 사진식각공정도 추가로 들게 된다.
또한, 완성된 엑스레이 디텍터에 구동회로를 실장하기 위해 종래에는 이른바 순차식 접속방법인 와이어본딩방법을 사용한다. 이는 접촉핀 수가 적은 반도체 소자의 접속에는 유리하나 접촉핀 수가 많아지면 와이어 본딩공정에 걸리는 시간이 증가하게 된다.
또한, 상기 와이어본딩 공정은 도 5에 도시한 바와 같이 각 게이트 및 데이터 패드전극(34, 41a)에 와이어(71)를 접촉한 후 물리적인 힘을 접촉점(O)에 가해 본딩하는 방법으로, 상기 각 패드(34, 41a)가 손상 받을 가능성이 매우 높다.
상술한 종래 엑스레이 디텍터의 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 제작공정수를 줄여 엑스레이 디텍터의 제품 수율을 향상하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 와이어 본딩에 의한 구동회로의 실장에서 발생할 수 있는 엑스레이 디텍터의 불량을 개선하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 기판과; 상기 기판 상의 가로방향으로 배열된 제 1 배선과; 상기 기판 상의 세로방향으로 상기 제 1 배선과 제 1 절연막으로 절연되어 배열된 제 2 배선과; 상기 제 1, 2 배선의 교차부에 형성된 스위칭 소자와; 사이에 제 2 절연막을 포함하는 적어도 2개의 전극을 가지고, 그 중 한 전극은 상기 스위칭 소자와 접촉하는 스토리지 캐패시터와; 상기 제 1, 2 배선에서 각각 일체로 연장된 제 1, 2 패드와; 상기 제 1, 2 패드와 각각 접촉하는 상기 스토리지 캐패시터를 구성하는 전극과 동일 물질의 제 1, 2 전극을 포함하는 엑스레이 디텍터 어레이 기판을 제공한다.
또한, 본 발명에서는 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 가로방향으로 일 끝단에 제 1 패드가 일체로 형성된 제 1 배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 배선 및 기판 전면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연막 상에 세로방향으로 일 끝단에 제 2 패드가 일체로 형성된 제 2 배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 배선이 교차하는 부분에 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연막으로 절연된 제 1, 2 전극을 갖는 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자와 스토리지 캐패시터 및 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 상기 스위칭 소자 및 제 2 전극의 일부와 상기 제 1, 2 패드가 각각 노출되도록 제 1, 2, 3, 4 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 콘택홀이 형성된 보호막 상에 투명도전전극을 증착하고 패터닝하여 상기 제 1, 2 콘택홀을 통해 노출된 상기 스위칭 소자와 상기 제 2 전극에 동시에 접촉하는 화소전극과, 상기 제 3, 4 콘택홀을 통해 상기 제 1, 2 패드와 각각 접촉하는 제 1, 2 패드전극을 형성하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에서는 엑스레이 디텍터의 제조공정을 줄이기 위해 게이트 패드와 데이터 패드의 형성공정을 각각 분리하여 엑스레이 디텍터를 제작한다.
상기와 같이 각 패드의 형성공정을 분리하게 되면 종래의 엑스레이 디텍터의 제조공정에서 데이터 패드와 데이터 배선을 연결하기 위한 게이트 절연막의 패턴공 정을 줄일 수 있다.
또한, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 ITO와 접촉시킴으로서, 와이어 본딩에 의한 구동회로의 실장방식이 아닌, TCP에 의한 TAB본딩으로 구동회로를 실장할 수 있기 때문에 게이트 및 데이터 패드의 손상을 방지할 수 있다.
실시예
도 6은 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 평면을 도시한 도면으로, 다수의 스위칭영역과 수광영역이 정의된 기판이 구비된다.
상기 수광영역의 경계의 가로방향으로는 게이트 배선(70)이 형성되며, 일 끝단에 상기 게이트 배선(70)과 일체로 게이트 패드(72)가 형성된다.
또한, 상기 수광영역의 경계의 세로방향으로는 데이터 배선(80)이 형성되며, 상기 데이터 배선(80)의 일 끝단에는 상기 데이터 배선(80)과 일체로 데이터 패드(82)가 형성된다.
상기 게이트 및 데이터 배선(70, 80)이 교차하는 부분에는 스위칭 소자(S)가 형성되며, 상기 스위칭 소자(S)는 상기 게이트 및 데이터 배선(70, 80)에서 신호를 인가 받게 된다.
상기 수광영역에는 상기 스위칭 소자(S)와 접촉하는 스토리지 캐패시터(P)가 형성된다.
상기 스토리지 캐패시터(P)는 제 1 캐패시터 전극(90)과 상기 제 1 캐패시터 전극(90)과 유전층(미도시)에 의해 절연된 제 2 캐패시터 전극(92)과 상기 제 2 캐 패시터 전극(92) 상에 형성된 콘택홀(95)에 의해 상기 제 2 캐패시터 전극(92)과 접촉하는 화소전극(94)으로 구성된다.
또한, 상기 제 1 캐패시터 전극(90)은 접지배선(96)과 접촉하고 있으며, 상기 접지배선(96)의 기능에 관해서는 추후에 설명한다.
여기서, 상기 제 1, 2 캐패시터 전극(90, 92)과 상기 화소전극(94)은 동일한 물질이며, 투명한 도전물질인 ITO가 주로 사용된다.
한편, 상기 게이트 및 데이터 패드(72, 82)는 상기 화소전극(94)과 동일한 물질로 구성되는 게이트 및 데이터 패드전극(74, 84)이 각각 상기 게이트 및 데이터 패드(72, 82)와 접촉한다.
상술한 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터는 종래 엑스레이 디텍터와 스위칭 소자 및 스토리지 캐패시터 부분은 거이 동일하고, 다른 부분은 게이트 및 데이터 패드부분이다.
즉, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 데이터 패드(82)는 데이터 배선(80)과 일체로 형성되며, 상기 데이터 패드(82)는 ITO로 덮혀있기 때문에 TCP에 의해 TAB 공정이 가능하도록 구성되며 게이트 패드(72)도 동일하게 구성된다.
도 7은 도 6의 절단선 Ⅶ-Ⅶ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 단면구성이 상세히 도시되어 있다.
이하에서는 도시된 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 제작공정을 상술한다.
먼저, 기판(1) 상에 제 1 금속을 증착하고 패터닝하여, 게이트 전극(76)과 게이트 패드(72)를 형성한다.
상기 제 1 금속은 단일금속 또는 두 개 의 금속을 적층하여 형성할 수 있을 것이다. 예를 들면, 몰리브덴/알루미늄 등의 금속을 2중으로 형성하는 것도 가능하다.
다음은 상기 패터닝된 제 1 금속(76, 72) 상에 제 1 절연막과 반도체층을 연속으로 증착하고 패터닝하여 액티브층(102)과 게이트 절연막(100)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(100)은 실리콘 질화막(SiNx) 등의 무기 절연막이 사용되며, 상기 반도체층은 진성 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)의 적층구조로 형성된다.
한편, 상기 액티브층(102)을 형성한 후, 제 1 투명전극을 증착하고 패터닝하여 제 1 캐패시터 전극(90)과 드레인 보조전극(91)을 각각 형성한다.
상기 드레인 보조전극(91)에 관해서는 이미 상술했기 때문에 자세한 설명은 생략한다.
이후, 상기 패터닝된 제 1 투명전극 및 기판 전면에 걸쳐 제 2 금속을 증착하고 패터닝하여, 소스 및 드레인 전극(86, 88)과 상기 소스 전극(86)과 접촉하는 데이터 배선(80) 및 상기 데이터 배선(80)과 일체화된 데이터 패드(82)를 동시에 형성한다.
상기 데이터 배선(80)과 일체로 형성된 데이터 패드(82)가 본 발명의 핵심이다. 즉, 본 발명에서는 데이터 패드(82)를 데이터 배선(80)의 형성공정에서 상기 데이터 배선(80)과 동일 물질을 사용한다는 것이다.
한편, 상기 제 2 금속으로 상기 제 1 캐패시터 전극(90) 상에 접지배선(96)을 형성한다.
여기서, 상기 제 2 금속은 크롬(Cr)이 주로 사용되며, 몰리브덴, 텅스텐, 알루미늄 등의 도전성 금속이 가능할 것이다.
이후, 패터닝된 제 2 금속 상의 전면에 걸쳐 제 2 절연막과 제 2 투명전극을 순차적으로 형성하고, 상기 제 2 투명전극을 패터닝하여 제 2 캐패시터 전극(92) 및 유전층(106)을 형성한다.
여기서, 상기 유전층(106)은 제 1, 2 캐패시터 전극(90, 92)의 사이에 존재하며, 스토리지 캐패시터에서 실질적으로 전하를 저장하는 기능을 하게되며 실리콘 질화막이 주로 사용된다.
다음은 상기 제 2 캐패시터 전극(92) 및 기판의 전면에 걸쳐 제 3 절연막을 증착하고 패터닝하여 다수의 콘택홀을 갖는 보호막(108)을 형성하는 공정이다.
상기 보호막(108)에는 상기 데이터 및 게이트 패드(82, 72)가 각각 노출된 데이터 및 게이트 패드 콘택홀(110, 118)과 상기 드레인 보조전극(91) 및 제 2 캐패시터 전극(92)의 일부가 각각 노출된 드레인 및 캐패시터 콘택홀(112, 114)이 형성된다.
여기서, 상술한 각 콘택홀은 그 깊이가 각각 다르게 된다. 즉, 상기 데이터 패드 콘택홀(110)과 드레인 콘택홀(112)은 보호막(108)과 유전층(106)의 두께에 해당하는 깊이를 가지며, 캐패시터 콘택홀(114)은 보호막(108)의 두께를, 게이트 패 드 콘택홀(118)은 보호막(108)과 유전층(106)과 게이트 절연막(100)에 해당하는 깊이를 각각 갖고 있다.
한편, 상기 보호막(108)은 실질적으로 빛에 투명한 재질을 사용하며, 유기 절연막인 벤조사이클로뷰틴(benzocyclobutene ; BCB)을 사용하며, 상기 BCB는 평탄화율이 우수하고, 유전율이 약 3 이하로 작기 때문에 보호막으로 사용하기에는 좋은 재질이다.
또한, 상기 보호막(108)은 아크릴, 폴리이미드 등이 사용될 수 있다.
이후, 상기 패터닝된 보호막(108) 상에 제 3 투명전극을 증착하고 패터닝하여 화소전극(94)과 게이트 패드 및 데이터 패드 전극(74, 84)을 각각 형성한다.
상기 게이트 패드전극(74)은 보호막(108)에 형성된 게이트 패드 콘택홀(118)을 통해 노출된 게이트 패드(72)와 접촉하고, 상기 데이터 패드전극(84)은 데이터 패드 콘택홀(110)을 통해 노출된 데이터 패드(82)와 접촉하게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 가장 큰 특징은 데이터 패드(82)가 데이터 배선(80)과 일체화되어 형성되며, 상기 데이터 및 게이트 패드(82, 72)는 화소전극(94)과 동일한 재질의 데이터 및 게이트 패드전극(84, 74)과 접촉한다는 것이다.
여기서, 상기 제 1, 2 캐패시터 전극(90, 92)과 화소전극(94)은 ITO(인듐-틴-옥사이드)을 사용한다.
다음 공정은 도시하지 않았지만, 감광성 물질을 도포 하는 단계로, 감광성 물질은 외부의 신호를 받아서 전기적인 신호로 변환하는 변환기로 쓰이는데, 비정 질 셀레니움(selenium)의 화합물을 진공증착기(evaporator)를 이용하여 100-500㎛ 두께로 증착한다. 또한, HgI2, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드 등과 같은 종류의 암전도도가 작고 외부신호에 민감한, 특히 엑스레이 광전도도가 큰 엑스레이 감광성물질을 사용할 수 있다. 엑스레이 광이 감광물질에 노출되면 노출 광의 세기에 따라 감광물질 내에 전자 및 정공쌍이 발생한다.
엑스레이 감광물질 도포 후에 엑스레이 광이 투과될 수 있도록 투명한 도전 전극을 형성한다.
상술한 본 발명에 따른 엑스레이 영상 감지소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.
상기 감광성 물질이 엑스레이 광에 노출되면 내부적으로는 전자/정공쌍이 형성되고, 이 때, 상기 도전전극에 강한 직류전압을 인가하면, 상기 전자/정공쌍 중 한 성분(전자 또는 정공)이 상기 화소전극(94)에 모이게 된다.
상기 화소전극(94)에 집전된 전자 또는 정공은 상기 스토리지 캐패시터에 전하의 형태로 저장되고, 이 때, 스위칭 소자가 동작을 하게 되면, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전하는 외부의 구동회로(미도시)로 방출되어 이미지로 표현되게 된다.
그리고, 스위칭 작용이 끝난 후에도 상기 스토리지 캐패시터에 전하가 존재할 경우 상기 스토리지 캐패시터와 접촉하는 상기 접지배선(96)을 통해 상기 스토리지 캐패시터에 존재하는 잔류전하를 제거한다. 즉, 상기 접지배선(96)은 리셋(reset) 기능을 하게되는 것이다.
상술한 엑스레이 영상 감지소자의 각 구성요소의 기능은 다음과 같다.
첫째로는 외부의 엑스레이광을 감지하여 전하를 생성하는 감광성 도전막과 도전전극은 광전변환부로써의 기능을 하게되고, 둘째는 상기 광전변환부에서 생성된 전하를 저장하는 스토리지 캐패시터는 전하저장부로써의 기능을 하게 된다. 그리고, 셋째로는 상기 전하저장부에 저장된 전하를 외부의 구동회로로 전달하는 박막 트랜지스터는 스위칭부로써의 기능을 하게 된다.
도 8은 본 발명의 다른 예를 도시한 도면으로 게이트 및 데이터 패드부의 단면을 도시한 도면이다.
한편, 도 7에 도시된 엑스레이 디텍터의 게이트 및 데이터 패드부의 구조는 보호막(108)에 형성된 게이트 및 데이터 콘택홀(118, 110)을 통해 각각 노출된 게이트 및 데이터 패드(72, 82)와 각 콘택홀을 통해 상기 각 패드(72, 82)와 게이트 및 데이터 패드전극(74, 84)이 접촉하는 구조이다.
그러나, 도 8에 도시된 본 발명의 다른 예에서는 게이트 및 데이터 패드(72, 82)의 상부에 각각 형성된 게이트 절연막(100)과 유전층(106)과 보호막(108) 및 유전층(106)과 보호막(108)을 보호막(108)을 식각하는 공정에서 전체를 식각하여 게이트 및 데이터 패드(72, 82)를 완전히 노출시킨다. 이후, 화소전극(94)의 형성시 상기 화소전극(94)과 동일한 물질로 게이트 및 데이터 패드전극(84, 74)을 상기 게이트 및 데이터 패드(72, 82)를 각각 덮도록 형성한다. 여기서, 상기 데이터 패드(82)의 하부에는 게이트 절연막(100)이 존재한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 제조방법에서는 데이터 패드를 데이터 배선과 일체화로 형성함으로써, 각각 별도로 형성하여 추후에 접촉하는 종래의 방식에 비해 공정이 줄어드는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 게이트 및 데이터 패드에는 ITO 재질로된 게이트 및 데이터 패드전극(84, 74)이 접촉하고 있으므로, 추후 구동회로의 실장에 있어서, TCP와 TAB 본딩공정을 사용하여 구동회로를 실장할 수 있으므로, 작업능률이 향상되는 장점이 있다.
즉, 상기 TCP에 의한 TAB 본딩 공정은 일반적인 액정 표시장치의 작업공정과 같은 공정이므로, 별도의 생산설비가 저감되는 효과가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예를 따라 엑스레이 영상 감지소자를 제작할 경우 사진식각 공정이 줄어들기 때문에 생산수율을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 구동회로의 실장을 와이어에 의한 본딩방식이 아닌 TCP에 의한 TAB본딩 방식으로 구동회로를 실장하기 때문에 와이어 본딩방식에 의해 생길 수 있는 패드의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (9)

  1. 기판과;
    상기 기판 상의 가로방향으로 배열된 제 1 배선과;
    상기 기판 상의 세로방향으로 상기 제 1 배선과 제 1 절연막으로 절연되어 배열된 제 2 배선과;
    상기 제 1, 2 배선의 교차부에 형성된 스위칭 소자와;
    사이에 제 2 절연막을 포함하는 적어도 2개의 전극을 가지고, 그 중 한 전극은 상기 스위칭 소자와 접촉하는 스토리지 캐패시터와;
    상기 제 1, 2 배선에서 각각 일체로 연장된 제 1, 2 패드와;
    상기 제 1, 2 패드와 각각 접촉하는 상기 스토리지 캐패시터를 구성하는 전극과 동일 물질의 제 1, 2 전극
    을 포함하는 엑스레이 디텍터 어레이 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 배선은 몰리브덴/알루미늄의 적층인 엑스레이 디텍터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 스토리지 캐패시터를 구성하는 전극은 투명도전성 물질의 ITO인 엑스레이 디텍터.
  4. 청구항 2 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 전극은
    기판 상에 형성된 제 1 패드와,
    상기 기판 상에 형성되고 하부에 제 1 절연막을 갖는 제 2 패드와,
    상기 제 1, 2 패드를 각각 덮는 엑스레이 디텍터.
  5. 기판을 구비하는 단계와;
    상기 기판 상에 가로방향으로 일 끝단에 제 1 패드가 일체로 형성된 제 1 배선을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배선 및 기판 전면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연막 상에 세로방향으로 일 끝단에 제 2 패드가 일체로 형성된 제 2 배선을 형성하는 단계와;
    상기 제 1, 2 배선이 교차하는 부분에 스위칭 소자를 형성하는 단계와;
    상기 제 2 절연막으로 절연된 제 1, 2 전극을 갖는 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계와;
    상기 스위칭 소자와 스토리지 캐패시터 및 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 보호막 상에 상기 스위칭 소자 및 제 2 전극의 일부와 상기 제 1, 2 패드가 각각 노출되도록 제 1, 2, 3, 4 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 콘택홀이 형성된 보호막 상에 투명도전전극을 증착하고 패터닝하여 상기 제 1, 2 콘택홀을 통해 노출된 상기 스위칭 소자와 상기 제 2 전극에 동시에 접촉하는 화소전극과, 상기 제 3, 4 콘택홀을 통해 상기 제 1, 2 패드와 각각 접촉하는 제 1, 2 패드전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 엑스레이 디텍터 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제 3, 4 콘택홀은 상기 제 1, 2 패드의 일 부분만 노출시키는 엑스레이 디텍터 제조방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 제 3, 4 콘택홀은 상기 제 1, 2 패드의 전체를 노출시키는 엑스레이 디텍터 제조방법.
  8. 청구항 5 또는 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 패드전극은
    기판 상에 형성된 제 1 패드와,
    상기 기판 상에 형성되고 하부에 제 1 절연막을 갖는 제 2 패드와,
    상기 제 1, 2 패드를 각각 덮는 엑스레이 디텍터 제조방법.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 투명도전전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)인 엑스레이 디텍터 제조방법.
KR1020000018322A 2000-04-07 2000-04-07 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법 KR100628039B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000018322A KR100628039B1 (ko) 2000-04-07 2000-04-07 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000018322A KR100628039B1 (ko) 2000-04-07 2000-04-07 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010094909A KR20010094909A (ko) 2001-11-03
KR100628039B1 true KR100628039B1 (ko) 2006-09-27

Family

ID=19662655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000018322A KR100628039B1 (ko) 2000-04-07 2000-04-07 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100628039B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101218089B1 (ko) 2007-12-07 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100787813B1 (ko) * 2001-12-29 2007-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR100852516B1 (ko) * 2001-12-31 2008-08-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 엑스레이 디텍터의 제조방법
KR100787814B1 (ko) * 2001-12-31 2007-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990048366A (ko) * 1997-12-09 1999-07-05 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JPH11274524A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp Ｘ線撮像装置
KR20000033836A (ko) * 1998-11-26 2000-06-15 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20010087036A (ko) * 2000-03-06 2001-09-15 구본준, 론 위라하디락사 엑스레이 디텍터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990048366A (ko) * 1997-12-09 1999-07-05 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JPH11274524A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp Ｘ線撮像装置
KR20000033836A (ko) * 1998-11-26 2000-06-15 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20010087036A (ko) * 2000-03-06 2001-09-15 구본준, 론 위라하디락사 엑스레이 디텍터

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101218089B1 (ko) 2007-12-07 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010094909A (ko) 2001-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100630880B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100577410B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
US7129556B2 (en) Method for fabricating array substrate for X-ray detector
US6737653B2 (en) X-ray detector and method of fabricating therefore
US6797961B2 (en) X-ray detector and method of fabricating the same
KR100310179B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR101218089B1 (ko) 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
EP3451381A1 (en) Array substrate for digital x-ray detector, digital x-ray detector including the same, and method for manufacturing the same
KR100443902B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
CN110021615B (zh) 阵列基板、包括其的数字x射线检测器及其制造方法
KR100628039B1 (ko) 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR100835970B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100642088B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100654774B1 (ko) 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR100463594B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR101078695B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100971945B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100787813B1 (ko) 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
US11817519B2 (en) Array substrate, digital x-ray detector including the same, and method for manufacturing the same
KR20010087036A (ko) 엑스레이 디텍터
KR100787814B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR20030058336A (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR20090044471A (ko) 엑스레이 영상감지소자 및 그 제조방법
KR20040006198A (ko) 엑스레이 영상 감지소자 제조방법
KR20090055401A (ko) 디지털 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150818

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160816

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170816

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190814

Year of fee payment: 14