KR20060008898A - 베릴륨 소재로 된 음향 변환장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 음향 스피커, 특히 고음역 또는 미디엄 음역 스피커에 관한 것으로, 이 스피커는 스풀(spool)(3)에 대해 볼록한 직접 방사식 구형 멤브레인을 포함하고, 상기 이동식 스풀은 고효율로 1kHz 이하의 주파수를 재생할 수 있는 최적의 기계적 연결을 달성하기 위하여 상기 멤브레인의 A-B면의 어떤 높이, 예컨대 중간 높이 또는 거의 중간 높이에 부착된다. 순수 베릴륨 또는 베릴륨/알루미늄 합금 또는 유사한 합금이 멤브레인 형성을 위해 사용된다. 본 발명은 특히 고성능의 음향 스피커에 관한 것으로, 특히 고음역 스피커 또는 미디엄 스피커에 관한 것이다.

Description

베릴륨 소재로 된 음향 변환장치 {BERYLLIUM ACOUSTIC TRANSDUCER}

본 발명은 음향 스피커, 특히 "고음역 스피커(tweeter)" 분야에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 음파 및 초음파 주파수 대역에서 매우 넓은 통과대역(passband)를 가지는 방사 음원(emitter point source)을 구성하는 고성능 방사 멤브레인을 사용하는 직접 방사식 음향 재생기기에 관한 것이다.

더 구체적으로, 본 발명은 특히 고음역 스피커, 즉 고음 재생 스피커, 또는 중음역 재생 스피커에 관한 것으로서, 특히 고성능 음향 스피커에 관한 것이다.

- 음향 변환장치의 멤브레인은 음향 재생을 위하여, 공극(air gap)에 위치하여 조절된 전류가 통과하는 무빙 코일(moving coil)과 공기 분자 사이의 기계적 연결을 보장한다. 고음역 스피커 멤브레인의 특질은 세 개의 기준: 멤브레인의 질량, 강도 및 댐핑(damping)에 의해 결정된다.

- 일반적으로 멤브레인은 상기 세 가지 기준의 합리적인 타협점을 제공하는 재료로 제조된다. 그 결과 고음역 스피커에 있어서, 물질의 본질적인 강도는 고주파 반응을 제한한다.

- 20Hz에서 40kHz 대역으로 점점 더 확장되는 주파수대와 함께, 디지털 음원 및 증폭의 품질에서 이루어진 진보(음악 작곡 분야 및 재생 분야에서의 진보)는 변환장치에도 새로운 진보를 요구한다: 즉, 주파수에 대한 반응을 확장시키기 위한 고음역 스피커 멤브레인의 더 높은 강도; 그러한 주파수 반응에 의해 야기되는 과도전류를 재생할 수 있는 가속 요인을 획득하기 위한 더 작은 질량; 펄스화된 모드에서 과도 진동과 관계가 있는 멤브레인의 소재에 내재된 음 "오류(colorations)"를 제거하기 위한 조절된 댐핑이 그것이다.

- 24비트/96kHz, 돌비^TM디지털, SACT^TM, DVD^TM 오디오 등과 같은 새로운 디지털 오디오 포맷을 고려할 때, 이러한 포맷에 의해 야기되는 질적 도약이 음향 스피커에 의한 재생에서 궁극적으로 상당한 정도가 되도록 전기역학적 변환장치를 개선하는 것이 전략적으로 중요하다.

- 종래 소재로 만들어진 고음역 스피커 멤브레인은 더 이상의 발전이 있을 수 없는 것으로 받아들여지고 있다. 알루미늄 및 티타늄과 같은 적절한 질량/강도 비율을 제공하는 입수 가능한 금속은 25kHz를 초과하는 주파수를 허용하지 않는다.

이론상으로 당업자가 상기 유형 외에 활용할 수 있는 많은 소재가 관련 분야에 알려져 있다.

베릴륨(Be)도 이러한 소재에 포함될 수 있지만, 당업자는 이에 내재된 단점을 알고 있다:

- 동일한 질량일 경우, 베릴륨은 티타늄 및 알루미늄보다 거의 7배나 더 단 단하며, 이는 이론상으로 고음역 스피커 멤브레인의 제조에 이점이 될 것이다; 그러나, 이러한 강도는 얇은 판으로 성형하는 것을 저해하기 때문에 이러한 멤브레인에 대하여 단점으로도 작용한다;

- 이는 고비용(高費用)을 요한다;

- 베릴륨의 경우 산업적으로 사용 가능한 야금술이 없다; 현재, 순수 베릴륨 조각은 약 12시간 동안 용광로에 있으면 성형될 수 있는데, 터무니없이 비싼 가격 및 공급자의 부재와 같은 다른 단점이 극복된다 할지라도, 이는 산업상 받아들여질 수 없을 것이다;

- 베릴륨은 그 독성으로 인하여 완벽히 제어된 제조 공정을 필요로 한다.

음향 스피커 분야, 특히 고급 및 최고급 스피커 분야에 있어서, 멤브레인의 질량, 강도 및 댐핑 특성에 관한 현재의 해결책 이상의 더 나은 해결책이 필요하다.

상기 언급한 바와 같이, 베릴륨은 잠재적인 대안이 될 수 있다. 하지만, 베릴륨의 비용을 줄이고 잘 알려진 높은 강도에도 불구하고 얇은 판으로 성형할 수 있는 기술 및 고음역 스피커 자체에 관한 기술이 개선되지 않는다면, 현재 베릴륨은 사용될 수 없다.

본 발명은 음향 스피커, 특히 고음역 스피커 또는 미디엄 음역 스피커에 관한 것으로, 이는 전면이 스풀(spool)에 대해 볼록한 직접 방사식 구형 멤브레인을 포함하며, 바람직하게는 상기 이동식 스풀은 고효율로 1kHz 이하의 주파수를 재생할 수 있는 최적의 기계적 연결을 달성하기 위하여 상기 멤브레인의 어떤 높이, 예컨대 중간 높이 또는 거의 중간 높이에 부착된다.

"어떤 높이, 예컨대 중간 높이 또는 거의 중간 높이에 부착된다"를 통해, 당업자는 스풀이 도 1에 예시된 형태의 중간 높이에 고정된다는 것을 알 수 있으며, 당업자는 이를 적용하고 최적화하는 방법을 알 수 있을 것이다.

당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 고음역 스피커는 50-70mm 이하의 직경을 가지는 반면, 미디엄 음역 스피커는 일반적으로 100 내지 200mm의 직경을 가지고 0.1 내지 0.4mm의 두께를 가진다.

고음역 스피커의 낮은 공명 주파수는, 선택적으로 큰 유연성을 가지는 부착 서스펜션(S)을 사용함으로써 필요에 따라 조절될 수 있다. 고주파에 대한 반응의 한계를 극복하기 위해서, 멤브레인의 질량은 감소하고 강도는 증가하여야 한다.

아래에서 기술되는 바와 같이 제조되는 순수 베릴륨으로 된 멤브레인을 사용하여, 고주파에 대한 반응은 40kHz 이상으로 확장될 수 있다.

궁극적으로, 오목한 돔 기술과 바람직하게는 부착 서스펜션 및 순수 베릴륨으로 만들어진 멤브레인의 고유 특성과의 조합은, 직접 방사식으로 저 지향성을 가지는 정확한 방사 음원으로 92dB/1W/1m 이상의 고 효율로 1kHz 내지 40kHz의 5 옥타브 이상의 통과대역을 가지는 방사 음원을 형성하는 것을 가능하게 한다.

또한, 내재적 댐핑을 가진 베릴륨의 성능은 기생성 과도진동 또는 오류(울림(ringing)) 현상 없는 뛰어난 펄스화된 반응을 제공한다.

본 발명은 또한 어떤 금속 또는 합금, 특히 베릴륨을 박판으로 성형하는 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 한정적인 것은 아니지만, 이렇게 성형된 판들은 고음역 스피커 및 미디엄 음역 스피커의 돔에 사용될 수 있다.

베릴륨이 특히 바람직하다; 그러나, 본 발명에 따르면 베릴륨 합금, 특히 베릴륨/알루미늄 합금, 특히 베릴륨 20-80wt%/알루미늄 80-20wt%, 바람직하게는 베릴륨 40-60wt%/알루미늄 60-40wt%로 구성된 베릴륨/알루미늄 합금(어느 경우든 적어도 베릴륨 5 wt%를 포함)이 고려될 수 있다. 순수 베릴륨은 최고가품의 제조에 사용될 것이며, 베릴륨/알루미늄 합금은 중가품에 사용될 것이다.

저가품의 경우에는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(특히 중가품에 대하여 상기 기술된 알루미늄/베릴륨 합금) 역시 사용될 수 있다.

선택적으로, 마그네슘 및 알루미늄/마그네슘 합금도 역시 사용될 수 있다. 이 경우, 한정하는 것은 아니지만 알루미늄 5056 합금도 사용될 수 있다. 이 합금은 약 5%의 마그네슘을 함유하는 알루미늄 합금으로 알려져 있다.

이러한 성형 방법은 "Roy Rodriguez"의 이름으로 본 출원과 동일자로 출원된 영국 특허 출원의 주요 내용이다. 이는 베릴륨 또는 다른 금속의 특성을 이용하고자 하나 성형 기술 장치를 갖추지 못한 다른 산업 분야(예: 우주, 항공, 핵, 전자 산업)에도 역시 적용된다.

도 1A는 본 발명에 따른 고음역 스피커의 바람직한 실시예를 도시한 도면;

도 1B는 본 발명에 따른 모노블록(monobloc) 돔을 도시한 도면;

도 2A는 베릴륨(Be)에 의해 펄스화된 반응을 도시한 그래프;

도 2B는 티타늄(Ti)에 의해 펄스화된 반응을 도시한 그래프; 및

도 3은 티타늄(Ti) 돔 및 베릴륨(Be) 돔의 겹쳐진 펄스화된 반응을 도시한 그래프이다.

본 발명은, 기본 구조의 고음역 스피커(1)에 대한 비한정적이지만 바람직한 실시예(도 1)에 따르면, 스풀(spool)(3)에 대하여 볼록한 직접 방사식 구형 멤브레인(2)을 포함한다.

스풀에 대해 볼록한 형태, 즉 스풀 위에 "돔" 형태로 형성된 구형 멤브레인은 종래 기술에서도 찾을 수 있다. 그러나, 본 발명에서 멤브레인은 스풀 위에 컵 형태로 형성된다.

고음역 스피커의 낮은 공명 주파수는, 큰 유연성을 가지는 부착 서스펜션, 즉 발포체와 같은 상당히 유연한 소재 또는 고무로 만들어진 부드러운 관절, 또는 시간이 경과해도 "부드럽게" 유지되는 접착제를 사용함으로써 필요에 따라 조절될 수 있다.

본 발명에 따른 가장 바람직한 멤브레인은 순수 베릴륨으로 만들어진다.

최선의 실시예에 따르면, 순수 베릴륨으로 만들어진 멤브레인은 25 내지 500 미크론의 두께를 가지며, 바람직하게는 직경이 25mm 및 깊이가 3 내지 6mm이고 스 풀의 두께가 15 내지 20mm인 전형적인 고음역 스피커의 돔 경우 30 미크론 이하의 두께를 가진다.

100mm의 미디엄 음역 스피커의 경우에, 돔의 두께는 100 미크론까지 이를 수 있다.

돔은 반구형 또는 불규칙형, 달걀형, 구근형 또는 경사면을 지닌 형태를 가질 수 있다.

도 1A의 특정 실시예에 따르면, 사용되는 멤브레인(2)은 순수 베릴륨으로 만들어지고 두께는 25 미크론이며; 그 반구 형태는 스풀(3)에 대하여 볼록하고, 고유한 공명 주파수를 가능한 한 가장 높이까지 끌어올리기 위해 최적화된다.

다른 특정 실시예에 따르면, 이동식 스풀은 이상적인 기계적 연결을 보장하기 위하여 돔 정상부와 반구형 멤브레인의 가장자리 사이(AB 면)에 고정된다.

이 면의 바람직한 위치는 질량/스풀의 직경/돔 강도비에 기초한 연구를 통해 조절된다. 종래 일반적으로 스풀은 돔의 가장자리에 고정되어 본 발명에 따른 해결책에 비하여 훨씬 열악한 기계적 연결을 형성하였으므로(당업자는 잘 알려진 종래의 고음역 스피커 구조를 찬조할 수 있다), 이점을 강조하고자 한다.

이러한 고음역 스피커에서, 스풀의 작용(F)은 AB 면에서 돔에 완전히 전달되는 것을 볼 수 있다.

도 1A에 도시된 특정의 바람직한 실시예에 따르면, 적절한 탄력성을 지닌 서스펜션(S)이 충분히 낮은 공명 주파수, 전형적으로 1kHz의 공명 주파수를 가진 지지체에 대한 멤브레인의 연결을 보장하기 위하여 첨가될 수 있다.

본 발명에 따르면, 도 1B에 도시된 것과 같은 모노블록(monobloc) 돔을 제조하는 것도 역시 가능하다.

이러한 고음역 스피커의 장점은, 약 1cm 파장의 주파수에서 방사 음원의 증대로 인한 시간적 차이를 도입하여, 3D 음향 공간의 재생에 본질적인 규칙적 음원의 개념을 무시함으로써 문제를 야기시키는 "슈퍼 고음역 스피커(super tweeter)"로 알려진 기술에 의존함이 없이 5 옥타브 이상의 주파수 범위를 재생하는 것을 가능하게 하는 것이다.

또한, 이러한 형태에서 필터링(filtering)의 필요성은 상(phase) 왜곡 및 신호 정의 손실을 초래한다.

도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 베릴륨을 이용하면 우수한 펄스화 반응, 즉 매우 잘 조절된 댐핑을 가진 매우 깨끗한 반응을 얻을 수 있다(도 2A). 반면 티타늄의 경우(도 2B), 진동하는 음향 오류(울림)는 비록 사람이 귀로 직접 인지할 수는 없을지라도 음향 재생 성능과 청취의 안락함에 해를 끼친다.

도 3에는 직경 25mm의 고음역 스피커 돔을 위한 티타늄 돔 및 베릴륨 돔의 겹쳐진 펄스화된 반응 그래프가 도시되어 있다.

본 발명의 일반적인 개념에 따르면, 본 발명은 베릴륨 멤브레인의 제조를 위해 "Roy Rodriguez"의 이름으로 본 출원과 동일자로 출원된 영국 특허 출원에 상세히 기술된 금속판 성형 방법을 이용하며, 이 방법은 금속판을 실온 또는 거의 실온에서 일 측면에 가스 압력을 가하여 변형하고; 다음으로 상기 압력 효과를 이용하여, 변형된 금속판의 반대측을 제조할 부품의 3D 형상을 재생하는 주형(mold)에 적 용하며; 마지막으로 상기 주형을 물리-화학적인 분해없이 금속판의 성형을 위해 필요한 시간 동안 고온에 방치하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명은 또한 주어진 3D 형상의 부품을 제조하기 위하여, 금속 박판의 제조를 위한 공구(이 또한 영국 출원에 기술되어 있음)에 관한 것이며, 이 성형 공구는 적어도 하나의 압축 가스 주입 노즐을 포함하는 상부 주형 및 하부 주형(보통 이 공구는 수평적이다)을 포함하고, 상기 하부 주형의 상부면은 성형할 부품의 3D 형상을 재생하며, 가열 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 박판은 형상의 측부 지지체 상에 놓여진다.

일 특정 실시예에 따르면, 상기 주형은 암 공구(female tool)이다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속은 베릴륨이다. 베릴륨은 고음역 스피커 또는 미디엄 음역 스피커 돔을 위한 가장 높은 가능성을 제공하는 동시에 가장 어려운 가공성을 나타내는 금속이다.

다른 실시예에 따르면, 상기 금속은 알루미늄 및 알루미늄 합금 또는 당업자가 알고 있고 당업자의 지식에 기초하여 고음역 스피커 돔의 제조가 가능한 다른 소재로 구성된다.

일 특정 실시예에 따르면, 베릴륨(또는 알루미늄이나 알루미늄 합금, 또는 경우에 따라 베릴륨 합금, 특히 베릴륨/알루미늄 합금)으로 만들어진 박판의 출발 두께는 10 내지 500 미크론 사이이다.

또 다른 특정 실시예에 따르면, 상기 두께는 20 내지 100 미크론 사이이다.

또 다른 특정 실시예에 따르면, 상기 두께는 25 내지 50 미크론 사이이다.

노즐에 의해 주입되는 가스는 공기 또는 질소이다.

바람직하게는 질소가 사용된다.

일 특정 실시예에 따르면, 상기 가스의 압력은 50mm 이하의 돔 직경에 대하여 10 내지 30 바(bar) 사이이어야 한다.

또 다른 특정 실시예에 따르면, 상기 압력은 15 내지 25 바 사이이어야 한다.

또 다른 특정 실시예에 따르면, 상기 압력은 25 미크론 두께의 베릴륨 박판에 대해 약 20 바 이어야 한다.

일 변형예에 따르면, 상기 압력은 25 미크론 두께의 알루미늄 박판에 대해 15 바 이어야 한다.

상기 주형은, 예를 들어 그 아래 또는 주위에 놓인 가열 수단(20)에 의해, 알루미늄 또는 마그네슘 또는 이들의 합금으로 만들어진 박판의 경우 100 내지 400℃ 온도에서 처리되고, 베릴륨 또는 그 합금으로 만들어진 박판의 경우 700 내지 1000℃ 온도에서 처리된다.

특정 실시예에 따르면, 상기 온도는 25 미크론 두께의 순수 베릴륨 박판에 대하여 900℃일 수 있다.

당업자는 합금의 경우에 그 온도가 순수 금속보다 더 낮아야 한다는 것을 이미 알고 있다; 따라서, 당업자는 사용하고자 하는 합금에 따라 온도 범위를 조절할 수 있으며, 필요하다면 반복적인 몇몇 단순한 실험을 통해 도움을 받을 수도 있다.

상기 성형 공구는 처리 온도를 전달하고 적용 압력을 견딜 수 있으며 이러한 온도 및 압력 조건하에서 베릴륨과 반응하지 않는 임의의 소재로 제조된다. 이러한 소재로는 특히 선택적으로 표면 처리된 강철을 언급할 수 있다.

예:

1. 상기 방법 및 공구를 이용하여, 가압 가스로 질소(N2)를 사용하고 주형을 통해 금속판에 900℃ 온도를 적용함으로써, 두께 25 미크론의 베릴륨 판으로 2분 만에 직경 25mm 고음역 스피커 돔을 형성하였다.

2. 상기 방법 및 공구를 이용하여, 가압 가스로 질소(N2)를 사용하고 주형을 통해 금속판에 750℃ 온도를 적용함으로써, 두께 30 미크론의 베릴륨 60% 및 알루미늄 40%로 구성된 판으로 3분 만에 직경 35mm 고음역 스피커 돔을 형성하였다.

3. 상기 방법 및 공구를 이용하여, 가압 가스로 질소(N2)를 사용하고 주형을 통해 금속판에 900℃ 온도를 적용함으로써, 두께 0.1mm의 베릴륨 판으로 5분 30초 만에 직경 120mm 미디엄 음역 스피커 돔을 형성하였다.

4. 상기 방법 및 공구를 이용하여, 가압 가스로 질소(N2)를 사용하고 주형을 통해 금속판에 400℃ 온도를 적용함으로써, 두께 38 미크론의 알루미늄/Mg 합금판(알루미늄 95%/Mg 5%)으로 15초만에 직경 35 mm 고음역 스피커 돔을 형성하였다.

본 발명은 또한 상기와 같이 제조된 고음역 스피커 및 미디엄 음역 스피커를 위한 돔에 관한 것이며, 뿐만 아니라 상기된 바와 같은 적어도 하나의 스피커 및/또는 상기된 바와 같은 적어도 하나의 돔을 포함하는 음향 스피커에 관한 것이다.

본 발명은 또한 당업자가 본 명세서를 읽고서 그 지식에 기초하거나 경우에 따라서는 간단한 실험을 실행한 후에 즉시 이해할 수 있는 모든 실시예 및 모든 적용예를 포함한다.

Claims (20)

1. "돔"으로서, 전면이 스풀(spool)(3)에 대해 볼록한 직접 방사식 구형 멤브레인(2)을 포함하며, 바람직하게는 상기 이동식 스풀은 고효율로 1kHz 이하의 낮은 주파수를 재생할 수 있는 최적의 기계적 연결을 달성하기 위하여 상기 멤브레인의 A-B면의 어떤 높이, 예컨대 중간 높이 또는 거의 중간 높이에 부착되는 것을 특징으로 하는 음향 스피커, 특히 고음역 또는 미디엄 음역 스피커.
2. 제1항에 있어서,

   낮은 공명 주파수는, 큰 유연성을 가지는 부착 서스펜션(S), 즉 발포체 고무와 같은 상당히 유연한 소재 또는 고무로 만들어진 부드러운 관절, 또는 시간이 경과해도 "부드럽게" 유지되는 접착제를 사용함으로써 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 스피커.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 돔의 소재는 순수 베릴륨인 것을 특징으로 하는 스피커.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 돔의 소재는 베릴륨 합금, 베릴륨/알루미늄 합금, 베릴륨 20-80wt%/알루미늄 80-20wt%, 베릴륨 40-60wt%/알루미늄 60-40wt%로 구성된 베릴륨/알루미늄 합금 중에서(모든 경우 적어도 베릴륨 5 wt%를 포함) 선택되는 것을 특징으로 하는 스피커.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 돔의 소재는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 특히 제3항에 따른 알루미늄/베릴륨 합금 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 스피커.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 돔의 소재는 마그네슘 및 알루미늄/마그네슘 합금, 특히 약 5%의 마그네슘을 함유하는 알루미늄 합금인 Al 5056 합금 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 스피커.
7. 제3항에 있어서,

   상기 멤브레인은 순수 베릴륨으로 만들어지고, 25 내지 100 미크론의 두께, 특히 25 미크론의 두께를 가지며, 바람직하게는 스풀의 직경이 15 내지 20mm이고 직경 25mm 및 깊이 3 내지 6mm인 전형적인 고음역 스피커 돔에 대하여 30 미크론 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 스피커.
8. 제3항에 있어서,

   직경 100mm의 미디엄 음역 스피커에 대하여, 순수 베릴륨으로 만들어진 멤브레인은 돔을 위해 500 미크론의 두께까지 이를 수 있는 것을 특징으로 하는 스피커.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 돔의 형태는 반구형 또는 불규칙형, 달걀형, 구근형 또는 경사면을 가진 형태인 것을 특징으로 하는 스피커.
10. 제1항 또는 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,

    "모노블록(monobloc)" 돔을 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커.
11. 제1항 내지 제3항 또는 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    순수 베릴륨으로 만들어진 멤브레인으로, 고주파 반응이 40kHz 이상으로 확장되는 것을 특징으로 하는 스피커.
12. 제1항 내지 제3항 또는 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    직접 방사식으로 저 지향성을 가지는 정확한 방사 음원으로, 92dB/1W/1m 이상의 고 효율로 1kHz 내지 40kHz의 5 옥타브 이상의 통과대역을 가지는 방사 음원을 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커.
13. 고음역 스피커 또는 미디엄 음역 스피커의 돔 제작을 위하여 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따라 기술된 금속 또는 합금으로 만들어진 금속 박판의 성형을 포함하는 멤브레인 제조 방법에 있어서,

    상기 금속판은 일 형상의 측부 지지체 상에 놓이고, 상기 금속판은 실온 또는 거의 실온에서 일 측면에 적용되는 가스 압력에 의해 변형되며, 다음으로 상기 가스 압력 효과를 이용하여 상기 변형된 금속판의 나머지 측면을 제조될 부품의 3D 형상을 재생하는 주형에 적용하고, 마지막으로 상기 주형은 어떤 물리-화학적인 분해없이 상기 금속판을 성형하기 위해 필요한 시간 동안 고온에 방치되는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 제13항에 따른 방법을 실행하기 위하여 주어진 3D 형상의 부품을 제조하기 위한 금속판 가공 공구에 있어서,

    적어도 하나의 압축 가스 주입 노즐을 포함하는 상부 주형 및 하부 주형을 포함하고(보통 상기 공구는 수평적이다), 상기 하부 주형의 상부 표면은 성형할 부품의 3D 형상을 재생하며, 가열 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 공구.
15. 제13항에 있어서,

    상기 베릴륨(또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 그리고 경우에 따라 베릴륨 합금, 특히 베릴륨/알루미늄 합금)으로 만들어진 판의 출발 두께는 10 내지 500 미크론, 특히 20 내지 100 미크론, 더 바람직하게는 25 내지 50 미크론인 것을 특징으로 하는 방법.
16. 제13항 또는 제15항에 있어서,

    상기 노즐에 의해 주입되는 가스는 공기 또는 질소인 것을 특징으로 하는 방법.
17. 제13항, 제15항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 가스 압력은 50mm 이하의 돔 직경에 대하여 10 내지 30 바, 바람직하게는 15 내지 25 바이며, 특히 25 미크론 두께의 베릴륨 박판에 대하여 약 20 바, 25 미크론 두께의 알루미늄 박판에 대하여 약 15 바인 것을 특징으로 하는 방법.
18. 제13항, 제15항, 제16항 또는 제17항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 주형은 예컨대 그 아래 또는 둘레에 놓인 가열 수단에 의해, 알루미늄 또는 마그네슘 박판 또는 이들의 합금으로 만들어진 박판에 대하여는 100 내지 400℃ 온도에서, 베릴륨 또는 그 합금으로 만들어진 박판에 대하여는 700 내지 1000℃ 온도에서 처리되며, 25 미크론 두께의 순수 베릴륨 판에 대하여 상기 온도는 900℃인 것을 특징으로 하는 방법.
19. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따라 기술된 것과 같거나 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 음향 스피커, 특히 고음역 스피커 또는 미디엄 음역 스피커를 위한 돔.
20. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 스피커 또는 제19항에 따른 돔을 포함하는 것을 특징으로 하는 음향 스피커.

Images