KR20060001333A - 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법 - Google Patents

콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크 수를 줄여서 생산 경쟁력을 확보하기에 알맞은 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 콘택 배선 형성방법은 제 1 금속배선을 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 금속배선상에 층간절연막을 형성하는 제 2 단계; 상기 층간절연막상에 회절 노광 마스크를 이용하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 3 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제 1 금속배선에 콘택홀을 형성하는 제 4 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 애싱(ashing) 처리하여 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막을 노출시키는 제 5 단계; 상기 콘택홀을 포함한 상기 포토레지스트 패턴상부에 금속층을 형성하는 제 6 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하여 상기 콘택홀 및 이에 인접한 상기 층간절연막상에 제 2 금속배선을 형성하는 제 7 단계를 포함함을 특징으로 한다.
회절 노광 마스크, 콘택 배선, 리프트 오프

Description

콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING OF CONTACT WIRE AND METHOD FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME}
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 콘택 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도
도 3은 본 발명을 적용하기 위한 액정표시장치의 단위 화소를 확대한 평면도
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법을 이용한 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
51 : 기판 52 : 제 1 금속배선
53 : 층간절연막 54 : 포토레지스트막
55 : 회절 노광 마스크 56 : 콘택홀
57 : 제 2 금속층 57a : 제 2 금속배선
60 : 절연기판 61 : 버퍼층
62 : 활성층 62a : 드레인영역
62b : 소오스영역 63 : 게이트 절연막
64 : 게이트라인 64a : 게이트전극
65 : 층간절연막 66 : 포토레지스트 패턴
67a, 67b : 제 1, 제 2 콘택홀 68 : 금속층
69a : 드레인전극 69b : 소오스전극
69 : 데이터라인 70 : 보호막
71 : 제 2 포토레지스트 패턴 72 : 제 3 콘택홀
73 : 화소전극
본 발명은 콘택 배선에 대한 것으로, 특히 마스크 수를 줄이기에 알맞은 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 소자의 동작 수행을 위해 기판에 구동소자 또는 전원 인가 라인등의 여러 패턴들을 형성하는데, 패턴을 형성하기 위해 사용되는 기술 중 일반적인 것이 포토 식각(Photo-lithography) 기술이다.
상기 포토 식각 기술은 패턴이 형성될 기판에 자외선으로 감광하는 재료인 포토레지스트를 코팅하고, 마스크에 형성된 패턴을 포토레지스트 위에 노광하여 현상 및 식각하고, 이와 같이 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 활용하여 원하는 물질층을 식각한 후 포토레지스트를 스트립핑하는 일련의 복잡한 과정으로 이루어진 다.
또한, 상기 포토 식각 기술의 횟수가 많아지면 공정 오류의 확률이 증가할 우려가 있다.
이와 같은 문제점을 극복하고자 최근 포토리소그래피 공정의 횟수를 최소한으로 줄여 생산성을 높이고 공정 마진을 확보하고자 '저마스크 기술'에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
먼저, 첨부 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 콘택 배선 형성방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 콘택 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도이다.
종래 기술에 따른 콘택 배선 형성방법은, 도 1a에 도시한 바와 같이, 기판(1)상에 제 1 금속층을 증착하고, 포토리소그래피 공정으로 제 1 금속층을 선택적으로 패터닝해서 일영역에 제 1 금속배선(2)을 형성한다.
이후에, 도 1b에 도시한 바와 같이, 제 1 금속배선(2)을 포함한 기판(1) 상에 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막으로 구성된 층간절연막(3)을 증착한다.
이어서, 도 1c에 도시한 바와 같이, 층간절연막(3)상에 제 1 포토레지스트막(PR)(4)을 도포하고, 포토리소그래피 공정으로 제 1 포토레지스트막(4)을 선택적으로 패터닝한다. 제 1 포토레지스트막(4)은 제 1 금속배선(2)의 일영역 상부가 노출되도록 제거되어 있다.
이후에 선택적으로 패터닝된 제 1 포토레지스트막(PR)(4)을 마스크로 층간절 연막(3)을 식각해서 제 1 금속배선(2)의 일영역에 콘택홀(5)을 형성하고, 제 1 포토레지스트막(4)을 제거한다.
다음에, 도 1d에 도시한 바와 같이, 콘택홀(5)을 포함한 제 1 금속배선(2) 상부에 제 2 금속층(6)을 증착하고, 제 2 금속층(6)상에 제 2 포토레지스트막(PR)(7)을 도포한 후, 포토리소그래피 공정으로 제 2 포토레지스트막(7)을 선택적으로 패터닝한다.
이후에 선택적으로 패터닝된 제 2 포토레지스트막(PR)(7)을 마스크로 제 2 금속층(6)을 식각해서, 도 1e에 도시한 바와 같이, 콘택홀(5)과 이에 인접한 층간절연막(3) 상에 제 2 금속배선(8)을 형성한다.
상기에서와 같이 제 1 금속배선(2)과 제 2 금속배선(8)을 콘택홀(5)을 통해 서로 연결시키는 공정을 진행할 때, 종래에는 콘택홀(5)을 형성하는 공정과 제 2 금속배선(8)을 식각하는 공정에 마스크가 각각 필요하여 공정이 복잡하며 생산 경쟁력을 확보하는데 어려움이 따른다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 마스크 수를 줄여서 생산 경쟁력을 확보하기에 알맞은 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법은 제 1 금속배선을 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 금속배선상에 층간절연막을 형성하는 제 2 단계; 상기 층간절연막상에 회절 노광 마스크를 이용하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 3 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제 1 금속배선에 콘택홀을 형성하는 제 4 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 애싱(ashing) 처리하여 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막을 노출시키는 제 5 단계; 상기 콘택홀을 포함한 상기 포토레지스트 패턴상부에 금속층을 형성하는 제 6 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하여 상기 콘택홀 및 이에 인접한 상기 층간절연막상에 제 2 금속배선을 형성하는 제 7 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 방법을 이용한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 제 1 마스크 공정을 이용하여 기판상에 활성층을 형성하는 제 1 단계; 상기 활성층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 제 2 단계; 제 2 마스크 공정을 이용하여 상기 게이트 절연막 상에 게이트라인과 게이트전극을 형성하는 제 3 단계; 상기 게이트전극 양측의 상기 활성층에 드레인영역 및 소오스영역을 형성하는 제 4 단계; 상기 게이트라인을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 제 5 단계; 상기 제 3 마스크 공정을 이용하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 6 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 드레인영역 및 소오스영역에 제 1, 제 2 콘택홀을 형성하는 제 7 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 애싱처리하여 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막을 노출시키는 제 8 단계; 상기 제 1, 제 2 콘택홀을 포함한 상기 포토레지스트 패턴 상부에 금속층을 형성하는 제 9 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하여 상기 제 1, 제 2 콘택홀 및 이에 인접한 영역에 각각 드레인전극 및 소오스전극을 형성하고, 상기 게이트라인과 직교하여 화소영역을 정의하도록 데이터라인을 형성하는 제 10 단계; 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 제 11 단계; 제 4 마스크 공정을 이용하여 상기 드레인전극의 일영역에 제 3 콘택홀을 형성하는 제 12 단계; 제 5 마스크공정을 이용하여 상기 제 3 콘택홀 및 상기 화소영역에 화소전극을 형성하는 제 13 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 활성층을 형성하기 전에 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명은 회절 노광 공정과 리프트 오프(lift off) 공정을 이용해서 1개의 마스크로 콘택홀과 금속배선을 형성하는 방법에 특징이 있는 것이다.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(51)상에 제 1 금속층을 증착하고, 포토리소그래피 공정으로 제 1 금속층을 선택적으로 패터닝해서 일영역에 제 1 금속배선(52)을 형성한다.
이후에, 도 2b에 도시한 바와 같이, 제 1 금속배선(52)을 포함한 기판(51) 상에 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막으로 구성된 층간절연막(53)을 증착한다.
이어서, 도 2c에 도시한 바와 같이, 층간절연막(53)상에 포토레지스트막 (PR)(54)을 도포하고, 회절 노광 마스크(55)를 이용한 포토리소그래피 공정으로 포토레지스트막(PR)(54)을 선택적으로 패터닝한다.
이때 회절 노광 마스크(55)는 투광영역과 회절 노광영역과 차광영역으로 나뉘어지는데, 투광영역은 제 1 금속배선(52)의 일영역에 콘택홀이 형성될 영역이고, 회절 노광영역은 콘택홀에 인접한 차후에 제 2 금속배선이 형성될 영역이며, 그 이외의 영역은 차광영역이다.
상기와 같이 회절 노광 마스크를 이용하여 포토레지스트막(PR)(54)을 패터닝하면, 투광영역의 포토레지스트막(54)은 전부 제거되고, 그에 인접한 회절 노광영역은 일정 두께만 제거된다.
이후에, 도 2d에 도시한 바와 같이, 선택적으로 패터닝된 포토레지스트막(PR)(54)을 마스크로 층간절연막(53)을 식각해서 제 1 금속배선(52)의 일영역에 콘택홀(56)을 형성한다. 다음에, 회절 노광영역의 층간절연막(53)이 드러나도록 포토레지스트막(54)을 애싱처리한다.
이어서, 도 2e에 도시한 바와 같이, 콘택홀(56)을 포함한 전면에 제 2 금속층(57)을 증착한다.
다음에 도 2f에 도시한 바와 같이, 리프트 오프(lift-off) 공정으로 포토레지스트막(54)을 제거하여 콘택홀(56) 및 이에 인접한 층간절연막(53)상에 제 1 금속배선(52)과 콘택되게 제 2 금속배선(57a)을 형성한다.
상기와 같은 콘택 배선 형성방법은 액정표시장치에도 적용할 수 있는데, 이하, 첨부 도면을 참조하여 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 적용된 액정표시장치의 단위 화소를 확대한 평면도이고, 도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법을 이용한 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명에 적용하기 위한 액정표시장치는 도 3에 도시한 바와 같이, 절연기판(60)상에 버퍼층(61)이 형성되어 있고,(도 4h 참조) 상기 버퍼층(61)상에 패터닝된 활성층(62)이 있고, 활성층(62)을 포함한 버퍼층(61)상에 게이트절연막(63)이 형성되어 있고, 게이트절연막(63)의 일영역에 일방향으로 게이트라인(64)이 배열되어 있고, 게이트라인(64)의 일측에 게이트 전극(64a)이 돌출되어 있고, 게이트전극(64a) 양측의 활성층(62) 내에 P형의 불순물이온이 주입된 드레인영역(62a)과 소오스영역(62b)이 형성되어 있고, 드레인영역(62a)과 소오스영역(62b)에 각각 제 1, 제 2 콘택홀(67a,67b)을 갖도록 상기 게이트라인(64)을 포함한 게이트절연막(63)상에 층간절연막(65)이 형성되어 있고, 상기 드레인영역(62a)에 형성된 제 1 콘택홀(67a) 및 이에 인접한 층간절연막(65)상에 일정 모양으로 패턴된 드레인 전극(69a)이 있고, 상기 소오스영역(62b)에 형성된 제 2 콘택홀(67b) 및 이에 인접한 층간절연막(65)상에 게이트라인(64)과 직교하는 방향으로 데이터라인(69)이 배열되어 있고, 상기 드레인 전극(69a)의 일영역에 제 3 콘택홀(72)을 갖도록 상기 데이터 라인(69)과 드레인 전극(69a)을 포함한 층간절연막(65)상에 보호막(70)이 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극(69a)상의 제 3 콘택홀(72)에 콘택되며 가장자리가 데이터라인(69) 및 게이트라인(64)의 가장자리 상측에서 일부 오버랩되도록 화소전극(73)이 형성되어 있다.
다음에, 상기 구성을 갖는 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법을 이용한 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
본 발명은 회절 노광 공정과 리프트 오프(lift off) 공정을 이용해서 1개의 마스크로 소오스/드레인 콘택홀과 소오스/드레인전극을 형성하는 방법에 특징이 있는 것이다.
먼저 4a에 도시한 바와 같이, 활성영역이 정의된 유리등의 절연기판(60)상에 버퍼층(61)을 형성한다.
그리고 버퍼층(61)상에 다결정실리콘층을 화학기상 증착방법으로 증착하고, 이후에 활성영역 형성을 위한 제 1 마스크를 이용해서 상기 다결정실리콘층을 패턴식각하여 활성층(62)을 형성한다.
이때 활성층(62)은 비정질실리콘을 증착한 후에 레이저빔 등을 조사시킴으로써 결정화하여 형성할 수도 있다.
상기에서 버퍼층(61)은 절연기판(60)의 불순물이 활성영역으로 확산되는 것을 막아주는 역할을 하는 것으로, 궁극적으로는 레이저 결정화시에 열을 차단하는 역할을 한다.
그리고 도 4b에 도시한 바와 같이, 활성층(62)을 포함한 버퍼층(61)상에 게이트절연막(63)을 증착하고, 상기 게이트절연막(63) 상에 알루미늄 또는 몰리브덴과 같은 게이트 형성 물질을 스퍼터링하여 형성한다.
이후에, 게이트 형성을 위한 제 2 마스크를 이용해서, 상기 게이트 형성 물질을 식각하여 일방향을 갖는 게이트라인(64) 및 게이트라인(64)의 일측에서 돌출 된 게이트전극(64a)을 형성한다.
이때 게이트전극(64a)은 일측 부분에서 돌출되어 활성층(62)의 소정 부분을 가로지르도록 형성된다.
다음에 상기 게이트전극(64a)을 이온블로킹 마스크로 하여 P형의 불순물 이온을 주입하여 게이트전극(64) 양측의 활성층(62)내에 드레인영역(62a)과 소오스영역(62b)을 형성한다.
이후에 게이트라인(64)을 포함한 게이트절연막(63)상에 층간절연막(65)을 증착한다.
이어서, 도 4c에 도시한 바와 같이, 층간절연막(65)을 포함한 전면에 포토레지스트를 증착한 후, 제 3 마스크(회절 노광 마스크)(80)를 이용한 포토리소그래피 공정으로 포토레지스트 패턴(PR)(66)을 형성한다.
상기 제 3 마스크(80)는 투광영역과 회절 노광영역과 차광영역으로 나뉘어지는데, 투광영역은 제 1, 제 2 콘택홀이 형성될 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인영역(62a)과 소오스영역(62b)의 일영역에 형성되고, 회절 노광영역은 제 1, 제 2 콘택홀에 인접한 차후에 드레인전극과 소오스전극 및 데이터라인이 형성될 영역이며, 그 이외의 영역은 차광영역이다.
상기와 같이 회절 노광 마스크를 이용하면 투광영역의 포토레지스트 패턴(66)은 전부 제거되고, 그에 인접한 회절 노광영역은 일정 두께만 제거된다.
이후에, 도 4d에 도시한 바와 같이, 패터닝된 포토레지스트 패턴(PR)(66)을 마스크로 층간절연막(65)과 게이트절연막(63)을 식각해서 드레인영역(62a)과 소오 스영역(62b)에 각각 제 1, 제 2 콘택홀(67a, 67b)을 형성한다.
다음에, 회절 노광영역의 층간절연막(65)이 드러나도록 포토레지스트 패턴(66)을 애싱(ashing) 처리한다.
이어서, 도 4e에 도시한 바와 같이, 제 1, 제 2 콘택홀(67a, 67b)을 포함한 전면에 금속층(68)을 증착한다.
다음에 도 4f에 도시한 바와 같이, 리프트 오프(lift-off) 공정으로 포토레지스트 패턴(66)을 제거하여 제 1, 제 2 콘택홀(67a, 67b) 및 이에 이접한 층간절연막(65)상에 드레인전극(69a)과 소오스전극(69b)을 각각 형성한다.
또한, 상기 리프트 오프 공정에 의해서 게이트라인(64)과 수직 교차하여 화소영역을 정의하도록 데이터라인(69)이 형성된다.
다음에, 도 4g에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한 절연기판(60) 전면에 PECVD 등의 증착방법으로 보호막(70)을 형성하고, 보호막(70) 상에 제 4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 제 2 포토레지스트 패턴(PR)(71)을 형성한다.
이후에 제 2 포토레지스트 패턴(PR)(71)을 마스크로 드레인전극(69a)의 일영역이 드러나도록 보호막(70)을 식각해서 제 3 콘택홀(72)을 형성한다. 그리고 제 2 포토레지스트 패턴(71)을 제거한다.
다음에, 도 4h에 도시한 바와 같이, 제 3 콘택홀(72)을 포함한 보호막(70) 전면에 투명전극 물질을 증착하고, 제 5 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 제 3 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후, 제 3 포토레지스트 패턴을 마스크로 투명 전극 물질을 식각하여 드레인전극(69a)과 콘택되도록 화소영역에 화소전극(73)을 형성한다.
상기 보호막(70)의 재료로는 게이트 절연막(63)과 같은 무기 절연물질이나 유전상수가 작은 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(Benzo Cyclo Butene) 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연물질을 이용한다.
그리고 투명전극 물질은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO)이 사용된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 콘택 배선 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 1개의 마스크(회절 노광 마스크)를 이용하여 콘택 배선을 형성할 수 있음으로 공정을 단순화시킬 수 있고, 이에 따라서 생산 단가를 낮춰서 생산 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
둘째, 회절 노광 공정과 리프트 오프 공정을 이용하여 1개의 마스크로 액정표시장치의 소오스/드레인영역과 콘택되도록 소오스/드레인전극을 형성할 수 있음 으로 공정을 단순화시킬 수 있고, 마스크를 줄일 수 있음에 따라 생산 원가를 절약시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 제 1 금속배선을 형성하는 제 1 단계;
    상기 제 1 금속배선상에 층간절연막을 형성하는 제 2 단계;
    상기 층간절연막상에 회절 노광 마스크를 이용하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 3 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 제 1 금속배선에 콘택홀을 형성하는 제 4 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 애싱(ashing) 처리하여 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막을 노출시키는 제 5 단계;
    상기 콘택홀을 포함한 상기 포토레지스트 패턴상부에 금속층을 형성하는 제 6 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하여 상기 콘택홀 및 이에 인접한 상기 층간절연막상에 제 2 금속배선을 형성하는 제 7 단계를 포함함을 특징으로 하는 콘택 배선 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회절 노광 마스크는 투광영역과 회절 노광영역과 차광영역으로 정의되며,
    상기 투광영역은 상기 콘택홀이 형성될 영역에 대응되고, 상기 회절 노광영 역은 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막 상부에 대응되는 것을 특징으로 하는 콘택 배선 형성방법.
  3. 제 1 마스크 공정을 이용하여 기판상에 활성층을 형성하는 제 1 단계;
    상기 활성층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 제 2 단계;
    제 2 마스크 공정을 이용하여 상기 게이트 절연막 상에 게이트라인과 게이트전극을 형성하는 제 3 단계;
    상기 게이트전극 양측의 상기 활성층에 드레인영역 및 소오스영역을 형성하는 제 4 단계;
    상기 게이트라인을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 제 5 단계;
    상기 제 3 마스크 공정을 이용하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 6 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 드레인영역 및 소오스영역에 제 1, 제 2 콘택홀을 형성하는 제 7 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 애싱처리하여 상기 콘택홀에 인접한 상기 층간절연막을 노출시키는 제 8 단계;
    상기 제 1, 제 2 콘택홀을 포함한 상기 포토레지스트 패턴 상부에 금속층을 형성하는 제 9 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하여 상기 제 1, 제 2 콘택홀 및 이에 인접한 영역에 각각 드레인전극 및 소오스전극을 형성하고, 상기 게이트라인과 직교하여 화소영역을 정의하도록 데이터라인을 형성하는 제 10 단계;
    상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 제 11 단계;
    제 4 마스크 공정을 이용하여 상기 드레인전극의 일영역에 제 3 콘택홀을 형성하는 제 12 단계;
    제 5 마스크공정을 이용하여 상기 제 3 콘택홀 및 상기 화소영역에 화소전극을 형성하는 제 13 단계를 포함함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 활성층을 형성하기 전에 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 마스크(회절 노광 마스크)는 투광영역과 회절 노광영역과 차광영역으로 나뉘어지고,
    상기 투광영역은 상기 제 1, 제 2 콘택홀이 형성될 영역에 대응되고, 상기 회절 노광영역은 상기 제 1, 제 2 콘택홀에 인접한 상기 드레인전극과 상기 소오스전극 및 상기 데이터라인이 형성될 영역에 대응됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 투광영역에 대응되는 상기 포토레지스트 패턴은 전부 제거되고, 상기 회절 노광영역에 대응되는 상기 포토레지스트 패턴은 일정 두께만 제거됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 보호막은 무기 절연물질이나 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB(Benzo Cyclo Butene) 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연물질로 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소전극은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO)로 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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