KR20050122365A - A circuit board having heat sink plate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개별적인 발광소자 각각에 발열 구조 등을 설치하는 대신에 각 발광소자가 장착될 패키징용 인쇄회로 기판 자체에 발광소자의 발열 문제 및 발광 가용성 극대화를 가능케 해 주는 구조를 설치하여, 추가적인 조치 없이 다수개의 표면 실장형 발광소자를 고집적으로 패키징할 수 있도록 하였다. 구체적으로 본 발명의 광소자 어레이는, 광소자와; 상기 광소자에 전류를 공급하는 리드선을 제1면에 부착한 회로 기판과; 상기 회로 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 광소자 및 리드선과 상기 회로 기판 사이에서 상기 광소자로부터 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 금속재 방열판과; 상기 제1 금속재 방열판과 상기 리드선 사이에서 이들을 전기적으로 절연하기 위한 절연막;을 포함하여 구성된다.The present invention, instead of providing a heating structure to each of the individual light emitting devices, by installing a structure that enables the heat generation problem of the light emitting device and maximization of the light emission availability on the printed circuit board for packaging each light emitting device itself, without further measures A large number of surface mount light emitting devices can be packaged in high density. Specifically, the optical device array of the present invention, the optical device; A circuit board attached to a first surface a lead wire for supplying current to the optical device; A first metal heat dissipation plate formed over the entire first surface of the circuit board and receiving heat generated from the optical device between the optical device and the lead wire and the circuit board and dissipating it into the air; And an insulating film for electrically insulating them between the first metal heat sink and the lead wire.

Description

방열판 구조를 가진 회로 기판{A CIRCUIT BOARD HAVING HEAT SINK PLATE} Circuit board with heat sink structure {A CIRCUIT BOARD HAVING HEAT SINK PLATE}

본 발명은 표면실장형 광소자의 패키징(Packaging)용 PCB 기판에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 PCB기판에 마운팅된 광소자의 작동시, 발생하는 열을 빠르게 방출하고 이와 동시에 광소자의 방사광 가용성이 극대화되도록 구성된 PCB 기판의 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a PCB substrate for packaging of a surface-mounted optical device, and more particularly, to quickly release the heat generated during the operation of the optical device mounted on the PCB substrate and at the same time to maximize the radiation light availability of the optical device It relates to the structure of the configured PCB substrate.

발광소자는 그 제조 기술의 발달로 인해 이제 단순한 인디케이터를 넘어서 휴대폰 백라이트나 다양한 가전제품의 광원 램프로 사용되고 있고 나아가 적절한 조도를 가진 일반 조명용 램프까지 그 응용이 확대되고 있다. 특히 조명용 램프는 기존의 형광등 등의 발광원에 비해 에너지 절감 효과가 크고 그 작동 수명도 연장되는 효과를 가져다 줄 것이다.Due to the development of the manufacturing technology, the light emitting device is now used as a light source lamp of a mobile phone backlight or various home appliances, beyond a simple indicator, and its application is also extended to general lighting lamps having appropriate illumination. In particular, lighting lamps will have a greater energy savings effect than conventional light emitting sources such as fluorescent lamps, and will have an effect of extending their operating life.

일반적으로 발광소자를 이러한 조명용 램프로 사용하기 위해서는 단위면적당 수천 칸델라의 휘도가 되어야 하는데, 한 개의 발광소자 칩만으로는 이 정도의 휘도를 내기가 힘들므로 다수개의 발광소자 어레이(LED Array)를 구성하여 필요한 휘도를 얻도록 구성하고 있다.In general, in order to use a light emitting device as such a lamp for lighting, it is required to have a brightness of thousands of candelas per unit area, and it is difficult to produce such a brightness with only one light emitting device chip. It is configured to obtain luminance.

종래 기술에서 어레이를 형성할 때 가장 문제가 되는 것은, 각각의 발광소자에서 발생한 빛을 될 수 있는 한 열로 전환하지 않고 빛으로서 효율적으로 취출하여 발광 가용성을 극대화하는 문제와, 발생하는 열을 빠른 시간내에 칩의 외부로 방출하는 것이다. In forming the array in the prior art, the problem is that the problem of maximizing the light emission availability by efficiently extracting light as light without converting the light generated from each light emitting device as much heat as possible, and the heat generated quickly Is to release to the outside of the chip inside.

도 1은 기존의 인쇄회로기판에 발광소자 어레이가 부착된 단면 구조를 나타낸 것으로서, 표면 보호막이나 기타 본 발명의 핵심과 직접적인 상관이 없는 구조들은 생략한 도면이다. 1 is a cross-sectional structure in which a light emitting device array is attached to a conventional printed circuit board, and a surface protection film or other structures not directly related to the core of the present invention are omitted.

도 1은 PCB(Poly Chlorinated Biphenyl)로 만들어진 기판(130)상에 인쇄된 구리선 등의 리드선 패턴(120)이 부착되어 있고 그 상부에 발광소자 칩(110)이 부착된 것으로서, 이처럼 인쇄된 리드선 상에 고휘도 발광소자가 부착되면 발광소자 자체에서 발생되는 열의 일부(140)는 발광소자 자체의 체적(Volumetic)을 통해서 방열되고 나머지(150)는 리드선 자체 또는 리드선을 통해 하부의 PCB 쪽으로 방열되는데, PCB자체는 방열특성이 매우 좋지 않으므로 기판을 통해서 방열되는 양이 매우 적다. 따라서 열이 많이 발생하는 소자에서는 열이 잘 배출되지 않아 소자의 오작동, 수명단축 등을 불러온다. 특히, 발열이 심한 고휘도 발광소자 어레이나 레이저 다이오드 어레이의 경우에는 이러한 충분치 못한 방열때문에 그 집적도를 높이거나 작동전류를 증가시키는데 대단히 어려움이 있어 왔다. 1 is a lead wire pattern 120, such as copper wire printed on a substrate 130 made of a poly chlorinated biphenyl (PCB) is attached and the light emitting device chip 110 is attached to the upper portion, the printed lead wire When the high brightness light emitting device is attached to the portion 140 of heat generated from the light emitting device itself is radiated through the volume (Volumetic) of the light emitting device itself and the rest 150 is radiated toward the lower PCB through the lead wire itself or the lead wire, PCB Since the heat dissipation itself is very poor, the amount of heat dissipated through the substrate is very small. Therefore, the heat generated in the device that generates a lot of heat is not emitted well, leading to malfunction of the device, shortening the life. In particular, in the case of a high-luminance light emitting device array or a laser diode array that generates a lot of heat, such insufficient heat dissipation has made it difficult to increase the integration density or increase the operating current.

이러한 발열 문제로 인해 고휘도 발광소자의 패키징용 인쇄회로기판으로서 PCB 대신에 열전도성이 우수한 알루미늄이나 알루미나로 만들어진 PCB 대체 기판을 사용하는 기술이 제시되었다. Due to this heat problem, a technology using a PCB replacement substrate made of aluminum or alumina having excellent thermal conductivity has been proposed as a printed circuit board for packaging a high brightness light emitting device.

하지만, 알루미늄 기판의 경우에는 열 전도 및 방사 특성은 매우 유리하나 전기 전도율이 매우 크고 가공성이 매우 떨어진다는 제한이 있고, 알루미나 기판의 경우에는 전기 절연성은 뛰어나나, 깨지기 쉽고 가공성이 매우 약하다는 단점을 갖고 있다. However, in the case of an aluminum substrate, thermal conductivity and radiation characteristics are very advantageous, but the electrical conductivity is very high and the workability is very poor. In the case of an alumina substrate, the electrical insulation is excellent, but it is fragile and the workability is very weak. Have

종래에 사용하던 또 다른 방법은 방열 및 방사효율 향상를 고려한 구조를 미리 개별적으로 발광소자 제조시에 그에 부착한 후, 그러한 개별 소자를 도 1의 PCB 인쇄회로 기판에 부착하는 방법을 행하여 왔다.Another method conventionally used has been carried out a method of attaching a structure in consideration of the heat radiation and radiation efficiency improvement in advance in the manufacturing of the light emitting device, and then attaching such individual device to the PCB printed circuit board of FIG.

하지만 이처럼 각각의 발광소자에 부착되는 개별적인 구조는 제작비용 및 제작 효율면에서 불리할 뿐더러, 열 방출이 충분하도록 하기 위해서 무리하게 개별 소자의 패키징을 크게 해야 하므로 결국 집적화에 불리해지는 등 문제들이 발생하므로 실제 그리 만족할만한 성과를 거두지 못하는 실정이다.However, the individual structure attached to each light emitting device is disadvantageous in terms of manufacturing cost and manufacturing efficiency, and the packaging of individual devices must be excessively large in order to provide sufficient heat dissipation. In fact, the situation is not very satisfactory.

전술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 개별적인 발광소자 각각에 발열 구조 등을 설치하는 대신에 각 발광소자가 장착될 패키징용 PCB 인쇄회로 기판 자체에 발광소자의 발열 문제 및 발광 가용성 극대화를 가능케 해 주는 구조를 설치하여, 추가적인 조치 없이 다수개의 표면 실장형 발광소자를 고집적으로 패키징할 수 있도록 하였다.In order to solve the above problems, the present invention enables to maximize the heat generation problem and the light emission availability of the light emitting device on the PCB printed circuit board itself for packaging each light emitting device instead of installing a heating structure in each individual light emitting device, etc. The main structure was installed so that a large number of surface mount light emitting devices could be packaged without additional measures.

즉, 본 발명은 열 방출 및 반사 효율을 극대화한 구조를 가진 발광소자용 PCB 기판의 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. That is, an object of the present invention is to provide a structure of a PCB substrate for a light emitting device having a structure that maximizes heat dissipation and reflection efficiency.

본 발명은 PCB 기판 자체에 열 방출 구조를 가지므로써 개별적인 발광소자에 열방출 구조를 제작한 것보다 제조공정이 간단하고 제조효율이 향상될 수 있는 발광소자용 PCB 기판의 구조를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.The present invention provides a structure of a PCB substrate for a light emitting device that has a heat dissipation structure in the PCB substrate itself, thereby making the manufacturing process simpler and improving the manufacturing efficiency than manufacturing a heat dissipating structure in individual light emitting devices. The purpose.

본 발명은 발광소자가 부착되는 PCB기판 면의 반대면에 열 방출 구조를 가진 발광소자용 PCB 기판의 구조를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a structure of a PCB substrate for a light emitting device having a heat dissipation structure on the opposite side of the PCB substrate to which the light emitting device is attached.

나아가 본 발명은 열방출 효과가 뛰어난 전기전자 회로용 PCB 기판 구조를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Furthermore, another object of the present invention is to provide a PCB substrate structure for an electric and electronic circuit excellent in heat dissipation effect.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광소자 어레이는, 광소자와; 상기 광소자에 전류를 공급하는 리드선을 제1면에 부착한 PCB 기판과; 상기 PCB 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 광소자 및 리드선과 상기 PCB 기판 사이에서 상기 광소자로부터 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 금속재 방열판과; 상기 제1 금속재 방열판과 상기 리드선 사이에서 이들을 전기적으로 절연하기 위한 절연막;을 포함하여 구성된다. 여기서 제1면이란 기판의 어느 한 면을 의미하는 것으로서 후술하는 제2면에 대향되는 면을 가리킨다. An optical device array of the present invention for achieving the above object is an optical device; A PCB substrate having a lead wire for supplying current to the optical device attached to a first surface; A first metal heat dissipation plate formed over the entire first surface of the PCB substrate and receiving heat generated from the optical element between the optical element and the lead wire and the PCB substrate and dissipating it into the atmosphere; And an insulating film for electrically insulating them between the first metal heat sink and the lead wire. Here, a 1st surface means one surface of a board | substrate, and refers to the surface opposite to the 2nd surface mentioned later.

이러한 방열판과 리드선 사이에는 절연막, 반사막 등이 추가적으로 구성될 수 있다. 또한 후술하는 비아 홀 구조를 통해 기판의 제2면 전체에 걸쳐 형성된 제2 방열판과 물리적으로 연결되어 열을 흘려보낼 수 있도록 구성할 수 있다.An insulating film, a reflective film, and the like may be additionally configured between the heat sink and the lead wire. In addition, the via hole structure to be described later may be configured to be physically connected to the second heat sink formed over the entire second surface of the substrate to flow heat.

또한 본 발명에서는 고열전도성을 가지면서 동시에 전기적으로 부도체인 막을 상기 방열판으로 사용할 수도 있는데, 이 경우 상기 절연막을 따로 구성하지 않아도 되는 장점을 가진다.In addition, in the present invention, a film having high thermal conductivity and at the same time, an electrically nonconductive film may be used as the heat sink, in which case, the insulating film does not need to be separately configured.

또한 본 발명의 전자회로용 PCB 기판은, PCB 기판의 제1면상에 형성되는 리드선 패턴과; 상기 PCB 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 리드선 패턴과 상기 PCB 기판 사이에서 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 방열판;을 포함하여 구성된다. In addition, the electronic circuit board PCB of the present invention, the lead wire pattern formed on the first surface of the PCB substrate; And a first heat sink formed over the entire first surface of the PCB substrate and receiving heat generated between the lead wire pattern and the PCB substrate and dissipating it into the atmosphere.

이러한 PCB 기판 또한 비아 홀 구조를 가질 수 있으며, 나아가 방열판이 도체일 경우에는 절연막을 추가적으로 포함해야 하지만, 부도체일 경우에는 절연막을 필요로 하지 않는다. Such a PCB substrate may also have a via hole structure. Furthermore, when the heat sink is a conductor, an insulating film must be additionally included, but in the case of a non-conductive, an insulating film is not required.

또한, 이 PCB 기판을 LED 및 LD의 광소자에 응용할 경우, 기판의 제1면 전체에 걸쳐 반사막을 추가적으로 구성할 수 있다.In addition, when the PCB substrate is applied to optical elements of LEDs and LDs, a reflective film can be additionally formed over the entire first surface of the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 구체적인 실시예 중 하나에 대한 단면도로서, 기판 전체에 걸쳐 평면적으로 펼쳐진 방열판(210)이 PCB 기판(200) 및 그 상부의 리드선 패턴(220)과 발광소자(230) 사이에 개재된 구조이다. 또한 방열판(210)이 열전도성과 더불어 전기적으로 도체인 금속재 등으로 만들어질 경우, 인접한 발광소자들끼리 전기적인 쇼트(short)가 발생할 염려가 있으므로 방열판(210)과 리드선 패턴(220)사이에는 얇은 절연막(240)을 추가적으로 구성할 수 있다. FIG. 2 is a cross-sectional view of one of the specific embodiments of the present invention, wherein a heat sink 210 that is flatly spread over a substrate is disposed between the PCB substrate 200 and the lead wire pattern 220 and the light emitting device 230 thereon. It is an intervening structure. In addition, when the heat sink 210 is made of an electrically conductive metal material with thermal conductivity, there is a fear that electrical shorts may occur between adjacent light emitting elements, so that a thin insulating film is formed between the heat sink 210 and the lead wire pattern 220. 240 may be further configured.

도면의 양단부는 편의상 기판의 다른 부위와 단절되게 그렸지만, 당업자라면 누구나 도 2 및 이하의 모든 도면들이 기판 전체 중 일부를 확대하여 나타낸 것이고, 따라서 방열판이나 절연막 등의 각 2차원적인 층들은 기판 전체에 걸쳐 형성되어 있음을 알 수 있을 것이다.Both ends of the drawings are drawn to be disconnected from other parts of the substrate for convenience, but those skilled in the art will be able to see all the drawings shown in FIG. It will be appreciated that it is formed over.

본 실시예의 가장 큰 특징은 기판(200) 전체에 걸쳐 방열판(210)이 형성되어 있다는 점이다. 즉, 발광소자(230) 작동시 발생하는 열이 종래처럼 열이 잘 전달되지 않는 PCB 기판(200)의 하부나 상대적으로 면적이 좁은 구리 리드선(220)만을 통해서 배출되는 것이 아니라, 발생한 열이 넓은 면적의 방열판 전체에 퍼진 다음, 기판 전체에 걸쳐 방출될 수 있게 된다. 따라서 열방출 효율이 종래의 그것에 비해 월등히 향상된 구조이다. 그 중 특히, 종래에는 열 방출에 거의 기여하지 못했던 소자와 소자 사이의 면적(250)에서도 열이 방출될 수 있으므로 인접한 발광소자들을 상대적으로 빠르게 냉각시킬 수 있게 된다. The biggest feature of this embodiment is that the heat sink 210 is formed over the entire substrate 200. That is, the heat generated during the operation of the light emitting device 230 is not discharged through the lower portion of the PCB substrate 200 or the relatively narrow copper lead wire 220, which is not easily transmitted as in the related art, and the heat generated is wide. It spreads throughout the area's heat sink and can then be released throughout the substrate. Therefore, the heat dissipation efficiency is much improved compared to the conventional one. In particular, heat may be emitted from the area 250 between the device and the device, which has conventionally contributed little to the heat emission, so that the adjacent light emitting devices may be cooled relatively quickly.

이러한 빠른 냉각은 열누적 문제의 해소와 더불어 소자의 집적도 및 작동전류를 향상시키는데 상당히 중요한 요건으로서, 이러한 구조를 가진 본 발명을 이용하면 고집적화된 발광소자 어레이를 제작할 수 있고 또한 어레이의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다. This fast cooling is a very important requirement to solve the heat accumulation problem and to improve the integration and operating current of the device. By using the present invention having such a structure, a highly integrated light emitting device array can be manufactured and the brightness of the array can be improved. It becomes possible.

상기 방열판(210)은 알루미늄, 구리 등의 전기 및 열 전도도가 우수한 금속재질로 만들어질 수 있다. The heat sink 210 may be made of a metal material having excellent electrical and thermal conductivity such as aluminum and copper.

또한 상기 절연막 또는 절연층(240)은 약 5㎛ ~ 30㎛ 두께의 열전도성이 우수한 에폭시 필름, 열 경화성 수지, 또는 자외선(UV) 경화성 수지 및 글래스 비드(glass bead)로 제작될 수 있다. In addition, the insulating layer or the insulating layer 240 may be made of an epoxy film, a thermosetting resin, or an ultraviolet (UV) curable resin and glass beads having excellent thermal conductivity of about 5 μm to 30 μm.

도 3은 비아 홀(via-hole)이 PCB기판에 구현된 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것이다. 비아 홀이란 일반적으로 반도체 기판 등에 천공된 구멍 형태를 말하는데, 본 실시예에서는 PCB 기판(300) 곳곳에 이러한 천공 구멍(310)이 형성되고 이 비아 홀을 통해 상부의 방열판(320-A)과 하부의 방열판(320-B)이 서로 물리적으로 연결된다. 그 외 상부의 발광소자 및 절연막은 도 2의 실시예와 유사하다.3 illustrates another embodiment of the present invention in which a via-hole is implemented in a PCB substrate. The via hole generally refers to a hole shape that is punched in a semiconductor substrate. In the present embodiment, the perforation hole 310 is formed in various places of the PCB substrate 300, and the upper heat sink 320 -A and the lower hole are formed through the via hole. The heat sink 320-B is physically connected to each other. The other light emitting device and the insulating film is similar to the embodiment of FIG.

이처럼 비아 홀을 통해 상부의 방열판(320-A)이 하부의 방열판(320-B)에 연결된 경우, 상부 방열판(320-A)에서 미처 빠져나가지 못한 열들은 열 구배에 따라 신속하게 하부 방열판(320-B)으로 내려와 전체적으로 퍼지면서 방열되게 된다. 따라서 이는 실질적으로 제한된 면적을 가진 PCB 기판에서 방열판 면적을 두 배로 넓히는 효과를 가지며, 그에 따라 열 방출 효율도 비례적으로 상승된 구조이다.As such, when the upper heat sink 320 -A is connected to the lower heat sink 320 -B through the via hole, the heat that has not escaped from the upper heat sink 320 -A is rapidly lowered according to the thermal gradient. It descends to -B) and spreads and radiates as a whole. Therefore, this has the effect of doubling the area of the heat sink in a PCB substrate having a substantially limited area, thereby increasing the heat dissipation efficiency proportionately.

도 4는 도 3의 실시예에서 설명된 하부 방열판에서, 그 면적을 증가시키기 위해 추가적으로 요철(410)이 형성된 구조를 도시한 것이다.4 illustrates a structure in which the unevenness 410 is additionally formed in the lower heat sink described in the embodiment of FIG. 3 to increase its area.

이러한 요철 구조는 도시된 사각형의 요철 외에도 단면이 삼각형이거나 또는 삼각뿔, 사각뿔의 뿔 형상, 기타 원기둥 형상의 요철도 가능하다.This uneven structure may be triangular in cross section or triangular pyramids, horn-shaped cones, and other cylindrical unevenness in addition to the rectangular unevenness shown.

발광소자의 활성층에서 발생한 빛 중 일부는 소자의 측면 또는 저면 방향으로 향하는데 이러한 빛을 전면으로 되반사시켜 주지 않으면 대부분이 소자의 열화에 기여하므로 소자의 수명에 심각한 영향을 줄 수 있다. 또한 이러한 빛들은 그 자체로서는 소자의 휘도에 기여하지 못하므로 이를 발광면인 전면으로 반사하여 전체적인 광 추출 효율을 향상시킬 필요가 있으므로 이러한 반사막 또는 반사층은 발광소자에서 필요한 구조라 할 수 있다. Some of the light generated in the active layer of the light emitting device is directed toward the side or bottom of the device, and unless the light is reflected back to the front, most of the light contributes to the deterioration of the device, which may seriously affect the life of the device. In addition, since such light itself does not contribute to the brightness of the device, it is necessary to reflect the light toward the front surface of the light emitting surface to improve the overall light extraction efficiency, such a reflective film or a reflective layer may be a necessary structure in the light emitting device.

하지만, 종래에는 이 반사막을 개별 발광소자 자체에 구성하는 방식을 사용하여 왔는데 이는 전술한 방열 구조의 경우와 마찬가지로 소자 생산 효율을 감소시킨다. 따라서 본 발명에서는 종래처럼 개별적인 소자에 이러한 반사막을 설치하는 방식을 지양하고 PCB 기판 자체에 반사막을 설치하도록 구성하였다. However, conventionally, a method of forming the reflective film on the individual light emitting device itself has been used, which reduces the device production efficiency as in the case of the heat dissipation structure described above. Therefore, in the present invention, the method of installing such a reflective film on an individual device as in the prior art is configured to install the reflective film on the PCB substrate itself.

도 5는 전술한 방열판 및 절연막 외에도 반사막(520)을 발광소자(500) 하부와 기판(510) 상부 사이에 추가적으로 구비한 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것이다. 그 외 절연막(530) 및 방열판(540)은 전술한 실시예와 동일, 유사하나 절연막(530)은 발광소자의 빛에 대해 투명할수록 좋다.5 illustrates another embodiment of the present invention in which the reflective film 520 is additionally provided between the lower portion of the light emitting device 500 and the upper portion of the substrate 510 in addition to the heat sink and the insulating film. The other insulating film 530 and the heat sink 540 are the same as or similar to the above-described embodiment, but the insulating film 530 is more transparent to the light of the light emitting device.

본 발명의 반사막(520)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 고 광반사용 염료 등을 스퍼터링, CVD, 스프레잉 또는 전기도금 방식으로 방열판(540) 상에 증착하여 형성한다.The reflective film 520 of the present invention is formed by depositing silver (Ag), aluminum (Al), a high light reflecting dye, and the like on the heat sink 540 by sputtering, CVD, spraying, or electroplating.

이처럼 반사막이 이미 형성되어 있는 PCB기판 상에서는 특별히 다른 구조물을 가지지 않은 발광소자 자체만을 배치시키는 것으로도 충분히 반사 및 열방출 효과를 얻을 수 있으므로, 종래처럼 개별 소자에 작업을 가할 필요가 없어 제조 효율 상승, 집적도 향상 및 그에 따른 고휘도 어레이 제조가 가능해진다.In this way, the reflection and heat dissipation effect can be sufficiently obtained by only disposing the light emitting device itself without any other structure on the PCB substrate on which the reflective film is already formed. It is possible to improve the density and to manufacture a high brightness array accordingly.

도 6a 및 도 6b는 전술한 도 5의 실시예처럼 반사막(600)을 가진 기판(610)에 다시 도 3 및 도 4의 경우처럼 비아 홀 구조(620)나 비아 홀 구조에 다시 요철(630)이 형성된 실시예들이 결합된 구조를 나타낸 것이다. 역시 동일한 열방출 효과의 증대를 목표로 한 것이다.6A and 6B show the via hole structure 620 or the via hole structure 630 again in the substrate 610 having the reflective film 600 as in the above-described embodiment of FIG. 5. The formed embodiments show a combined structure. It is also aimed at increasing the same heat dissipation effect.

도 7은 열전도성이 우수하면서 동시에 부도체 성질을 가진 단일막으로 방열판 및 절연판을 기능을 함께 수행하는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것이다. FIG. 7 illustrates another embodiment of the present invention in which both the heat sink and the insulation plate function together as a single film having excellent thermal conductivity and at the same time having a non-conductive property.

열전도도가 우수하면서 전기적으로 부도체이면 전술한 실시예들처럼 절면막과 방열판을 따로이 구성할 필요없이 하나의 층으로 두 기능을 동시에 수행할 수 있게 되므로 공정 효율과 소자의 작동 안정성을 향상시킬 수 있다. 도 7의 실시예에서는 도전성 리드 패턴(710)과 PCB 기판(720)사이에 방열판 및 절연막 기능을 수행할 수 있는 이러한 고열전도성/부도체 막(730)이 구성되어 있는 형태를 볼 수 있다.If it is excellent in thermal conductivity and electrically insulator, it is possible to simultaneously perform two functions in one layer without having to separately configure the section film and the heat sink as in the above-described embodiments, thereby improving process efficiency and operating stability of the device. . In the embodiment of FIG. 7, the high thermal conductivity / insulator film 730 is formed between the conductive lead pattern 710 and the PCB substrate 720 to perform a heat sink and an insulating film function.

전술한 고열전도성/부도체 막(730)은 전기 절연성 및 열 전도성이 뛰어난 질화 알루미늄(AlN) 나노분말을 에폭시에 분산시켜 고형화시킨 막이 사용될 수 있다. 이 경우 이 고열전도성/부도체 막의 열전도도는 거의 질화 알루미늄과 같으면서도 질화 알루미늄 분말들이 부도체인 에폭시에 둘러싸여 있으므로 뛰어난 전기 절연성 및 열 전도성 현상을 가진다.As described above, the high thermal conductivity / nonconductor film 730 may be a film obtained by dispersing and solidifying aluminum nitride (AlN) nanopowder having excellent electrical insulation and thermal conductivity in an epoxy. In this case, the thermal conductivity of this high thermal conductivity / insulator film is almost the same as that of aluminum nitride, but since the aluminum nitride powders are surrounded by epoxy, which is a non-conductor, it has excellent electrical insulation and thermal conductivity.

또한 전술한 AlN 나노분말이 분산된 에폭시 기재는 에폭시 자체가 투명하고 질화 알루미늄의 밴드갭이 커서, 상부의 발광소자가 생성한 빛 중 가시광선 영역을 거의 흡수하지 않는다. 따라서 도 8의 실시예와 같이, AlN 분말분산 에폭시 막(810) 하부에 발광소자(820)의 빛을 상부면으로 반사시키는 반사막(830)을 구성하면, AlN 분말분산 에폭시 기재를 통과하는 빛이 거의 흡수되지 않고 다시 되반사되므로 반사막의 효과를 극대화하는 것이 가능하다. In addition, the epoxy substrate in which the AlN nanopowder is dispersed in the epoxy is transparent and the band gap of aluminum nitride is large, so that the visible light region is hardly absorbed among the light generated by the upper light emitting device. Therefore, as shown in the embodiment of FIG. 8, when the reflective film 830 is formed to reflect the light of the light emitting device 820 to the upper surface of the AlN powder dispersed epoxy film 810, the light passing through the AlN powder dispersed epoxy substrate is formed. Since it is hardly absorbed and reflected back, it is possible to maximize the effect of the reflective film.

이러한 AlN 나노분말이 분산된 에폭시 막만을 방열판/절연막으로 사용할 경우에도 도 3이나 도 4에서처럼 비아 홀 구조 및 비아 홀/요철 구조를 이에 함께 형성할 수 있음은 당연한 일로서 도 9a 및 도 9b는 그 단면도를 간단히 나타낸 것이다. 또한, 전술한 모든 실시예어서 절연막 대신에 이 AlN 분말분산 에폭시 막을 전기적 절연막으로 사용할 수 있는데 이 경우 가시광선 영역에 대한 광 투과도가 뛰어나므로 반사막과 함께 구성될 경우 유용하다. 반사막과 함께 구성되는 경우 반사막은 이 AlN 나노분말이 분산된 에폭시 막의 저면에 구성될 수 있다. Even when only the AlN nano-powder in which the AlN nano powder is dispersed is used as the heat sink / insulation film, it is natural that the via hole structure and the via hole / concave-convex structure can be formed thereon as shown in FIGS. 3 and 4. The cross section is shown briefly. In addition, in all the above-described embodiments, this AlN powder dispersion epoxy film can be used as an electric insulating film instead of the insulating film. In this case, since the light transmittance to the visible light region is excellent, it is useful when it is configured together with the reflective film. When configured with a reflective film, the reflective film may be configured on the bottom of the epoxy film in which the AlN nanopowder is dispersed.

또한, 질화 알루미늄막으로만 상기 방열판/절연막을 형성할 수도 있는데, 이 경우 질화 알루미늄막은 가시광선에 대해 불투명하므로 반사막은 이 질화 알루미늄막 위, 즉 발광소자 및 리드선과 질화 알루미늄 막 사이에 형성된다. The heat sink / insulation film may be formed only of the aluminum nitride film. In this case, since the aluminum nitride film is opaque to visible light, a reflecting film is formed on the aluminum nitride film, that is, between the light emitting element and the lead wire and the aluminum nitride film.

또한, 본 발명은 전술한 실시예처럼 일반적인 표면실장형(SMD) 발광소자에 응용될 수 있지만 그 밖에도 도 10의 모식도에서처럼 다양한 형태의 발광소자 및 레이저 다이오드에도 응용가능하다. 즉, 도 10a처럼 메사 구조를 가진 발광소자의 플립 칩(flip-chip) 본딩 구조(1010)의 도 10b의 발광소자처럼 리드선이 칩 하부에 존재하지 않고 칩의 측면에 배치되는 발광소자(1020)에서도 본 발명의 형태를 그대로 사용할 수 있다. 또한 도 10c처럼 메사형 레이저 다이오드(1030)의 어레이에서도 본 발명의 방열판 구조를 사용 가능하므로, 본 발명은 이러한 발광소자(LED)와 레이저 다이오드(LD)를 포함하는 광소자 전체에 대해 사용할 수 있는 기술이다.In addition, the present invention can be applied to a general surface-mount type (SMD) light emitting device as in the above-described embodiment, but can also be applied to various types of light emitting devices and laser diodes as shown in the schematic diagram of FIG. That is, like the light emitting device of FIG. 10B of the flip-chip bonding structure 1010 of the light emitting device having the mesa structure as shown in FIG. 10A, the light emitting device 1020 in which the lead wire is not disposed below the chip but disposed on the side of the chip Also in the form of the present invention can be used as it is. In addition, since the heat sink structure of the present invention can be used in the array of the mesa type laser diode 1030 as shown in FIG. 10c, the present invention can be used for the entire optical device including the light emitting device (LED) and the laser diode (LD). Technology.

나아가, 본 발명의 응용은 이러한 광소자에만 머물지 않으며, 열 방출이 필요한 모든 전기전자 회로용 PCB 기판에 응용할 수 있다. Furthermore, the application of the present invention is applicable not only to these optical devices but also to all PCB boards for electric and electronic circuits requiring heat dissipation.

이러한 회로용 PCB 기판에 본 발명을 응용하는 경우, 도 11처럼 PCB 기판(1110)의 한 면상에 형성된 리드선 패턴(1120) 위에 소자(1130)가 부착되거나 또는 리드선 패턴(1140) 측면에 소자(1150)가 부착되는 경우에도 본 발명의 전술한 실시예들처럼 기판 전면(全面)에 걸쳐 형성된 방열판(1160) 및 절연막(1170)을 이용하면 효과적인 열방출이 가능해진다. 참고로, 도 11은 편의상 두 가지 다른 종류의 소자 구조를 한 기판에 나타낸 것일 뿐이다.When the present invention is applied to such a circuit board PCB, the device 1130 is attached to the lead wire pattern 1120 formed on one surface of the PCB substrate 1110 as shown in FIG. 11, or the device 1150 is disposed on the side of the lead wire pattern 1140. In the case where the c) is attached, the heat dissipation plate 1160 and the insulating film 1170 are formed over the entire surface of the substrate as in the above-described embodiments of the present invention. For reference, FIG. 11 illustrates only two different types of device structures on one substrate for convenience.

상기 도 11의 회로용 PCB기판에 전술한 비아 홀 구조 및 비아 홀/요철 구조가 사용가능함은 당연한 일이다. 그리고 전술한 방열판(1160)이 전술한 질화 알루미늄 막 또는 질화 알루미늄 나노분말이 분산된 에폭시 막이라면, 금속판을 사용하는 경우와는 달리 상기 절연막(1170)을 필요로 하지 않음은 전술한 바와 같다.It is a matter of course that the above-described via hole structure and via hole / concave-convex structure can be used for the circuit board of FIG. 11. If the heat sink 1160 described above is an epoxy film in which the aluminum nitride film or the aluminum nitride nanopowder is dispersed, the insulating film 1170 is not required unlike the case where a metal plate is used.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것으로서, 이번에는 양면 기판에 소자를 장착하는 경우에 본 발명이 응용된 형태를 보여주고 있다. 기판(1210)을 중심으로 양면에 광소자 및 리드선(1220-A, 1220-B)가 배치되고 방열판(1230-A, 1230-B)으로 대표되는 본 발명의 구성이 나타나 있다. 이러한 구성은 양면으로 빛을 내야하는 신호등 등에 본 발명이 사용되는 상황을 보여주는 것이다.FIG. 12 shows another embodiment of the present invention, which shows a form in which the present invention is applied when the device is mounted on a double-sided substrate. The configuration of the present invention represented by the heat sinks 1220 -A and 1230 -B with the optical elements and the lead wires 1220 -A and 1220 -B disposed on both surfaces around the substrate 1210 is shown. Such a configuration shows a situation in which the present invention is used for a traffic light that must emit light on both sides.

본 발명에서는 광소자 어레이가 구성되는 PCB 기판 자체에 전면적으로 열방출 구조를 설치함으로써, 개별 광소자들에 열방출 구조를 형성하는 종래 기술에 비해 열방출 면적이 크게 증가되도록 구성하였다. In the present invention, the heat dissipation structure is provided on the PCB substrate itself in which the optical element array is configured, so that the heat dissipation area is greatly increased as compared with the conventional art of forming the heat dissipation structure in individual photons.

따라서 좀 더 효율적인 열방출이 가능하며, 이러한 효율적인 열방출로 인해 종래보다 소자의 집적도 및 작동전류를 월등히 향상시킬 수 있으므로 어레이 전체의 휘도와 수명이 향상된다. Therefore, more efficient heat dissipation is possible, and the efficient heat dissipation can significantly improve the integration density and operating current of the device, thereby improving the brightness and lifetime of the entire array.

또한, 방열판에 더하여 반사막을 기판상에 구성함으로써 각각의 소자에 반사막을 형성하는 경우에 비해 그 생산성 및 작동효율을 향상시킬 수 있다.In addition, by forming the reflective film on the substrate in addition to the heat sink, the productivity and operating efficiency can be improved as compared with the case where the reflective film is formed in each element.

이러한 본 발명의 기술적 사상을 이해한 평균적 지식을 가진 자라면 본 발명으로부터 다양한 변형예를 손쉽게 만들 수 있을 것이다. 가령, 본 발명은 반드시 PCB로 만들어진 기판에만 적용되는 것은 아니며 기타 다른 재료로 만들어진 모든 회로 기판에도 적용가능하다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하의 청구범위에 의해 정해져야 한다. Those skilled in the art having an understanding of the technical idea of the present invention will be able to easily make various modifications from the present invention. For example, the invention is not necessarily applied only to substrates made of PCBs, but is also applicable to all circuit boards made of other materials. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the following claims.

도 1은 종래의 PCB 기판 구조에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional PCB substrate structure.

도 2는 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention.

도 3은 비아 홀이 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. 3 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention in which via holes are formed.

도 4는 비아 홀/요철이 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention formed via holes / irregularities.

도 5는 반사막이 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. 5 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention with a reflective film formed thereon.

도 6은 반사막 및 비아 홀, 비아 홀/요철이 각각 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. Figure 6 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention each formed with a reflective film and via holes, via holes / irregularities.

도 7은 고열전도성/부도체 막이 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. 7 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention with a high thermal conductivity / insulator film formed thereon.

도 8은 고열전도성/부도체 막에 반사막이 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. 8 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention in which a reflective film is formed on a high thermal conductivity / insulator film.

도 9는 도 7의 구조에 비아 홀, 비아 홀/요철이 각각 형성된 본 발명의 PCB 기판 구조에 대한 단면도. 9 is a cross-sectional view of a PCB substrate structure of the present invention in which via holes and via holes / concave-convex are formed in the structure of FIG.

도 10은 각종 광소자에 본 발명의 PCB 기판이 응용된 형태를 나타낸 모식도.10 is a schematic diagram showing a form in which the PCB substrate of the present invention is applied to various optical devices.

도 11은 각종 전기소자에 본 발명의 PCB 기판이 응용된 형태를 나타낸 모식도.Figure 11 is a schematic diagram showing a form in which the PCB substrate of the present invention is applied to various electric elements.

Claims (18)

광소자 어레이에 있어서,In the optical device array, 광소자와;An optical element; 상기 광소자에 전류를 공급하는 리드선을 제1면에 부착한 회로 기판과;A circuit board attached to a first surface a lead wire for supplying current to the optical device; 상기 회로 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 광소자 및 리드선과 상기 회로 기판 사이에서 상기 광소자로부터 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 금속재 방열판과;A first metal heat dissipation plate formed over the entire first surface of the circuit board and receiving heat generated from the optical device between the optical device and the lead wire and the circuit board and dissipating it into the air; 상기 제1 금속재 방열판과 상기 리드선 사이에서 이들을 전기적으로 절연하기 위한 절연막;An insulating film for electrically insulating them between the first metal heat sink and the lead wire; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.Optical device array comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 금속재 방열판과 상기 광소자 사이에서 상기 제1 금속재 방열판 전체에 걸쳐 형성되는 것으로서, 상기 광소자로부터 발생하여 상기 회로 기판 방향을 향하는 빛을 반사시키는 반사막;A reflective film formed between the first metal heat sink and the optical device over the first metal heat sink, and reflecting light generated from the optical device toward the circuit board; 을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.Optical device array comprising a further. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 회로 기판의 제2면 전체에 걸쳐 형성되는 제2 금속재 방열판을 추가로 포함하고, Further comprising a second metal heat sink formed over the entire second surface of the circuit board, 상기 제1 금속재 방열판과 제2 금속재 방열판은 상기 회로기판에 형성된 다수 개의 비아 홀(via-hole)을 통해 서로 물리적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.And the first metal heat sink and the second metal heat sink are in physical contact with each other through a plurality of via-holes formed in the circuit board. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제2 금속재 방열판 표면에는 다수 개의 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.And a plurality of irregularities are formed on a surface of the second metal heat sink. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연막은 나노사이즈의 질화 알루미늄이나 분말이 내부에 분산된 에폭시 막인 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.The insulating film is an optical element array, characterized in that the nano-sized aluminum nitride or powder is an epoxy film dispersed therein. 광소자 어레이에 있어서,In the optical device array, 광소자와;An optical element; 상기 광소자에 전류를 공급하는 리드선을 제1면상에 부착한 회로 기판과;A circuit board on which a lead wire for supplying current to the optical device is attached on a first surface; 상기 회로 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 광소자 및 리드선과 상기 회로 기판 사이에서 상기 광소자로부터 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 부도체 방열판;A first non-conductive heat sink formed over the entire first surface of the circuit board and receiving heat generated from the optical device between the optical device, the lead wire, and the circuit board and dissipating it into the atmosphere; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.Optical device array comprising a. 제6항에 있어서, 상기 제1 부도체 방열판은 나노사이즈의 질화 알루미늄 분말이 내부에 분산된 에폭시 막 및 질화 알루미늄 막 중 어느 한 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.The optical device array of claim 6, wherein the first insulator heat sink comprises one of an epoxy film and an aluminum nitride film in which nano-sized aluminum nitride powder is dispersed therein. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 부도체 방열판과 상기 광소자 사이에서 상기 제1 부도체 방열판 전체에 걸쳐 형성되는 것으로서, 상기 광소자로부터 발생하여 상기 회로 기판 방향을 향하는 빛을 반사시키는 반사막; A reflective film formed between the first insulator heat sink and the optical device and covering the entire first insulator heat sink, and reflects light generated from the optical device toward the circuit board; 을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.Optical device array comprising a further. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 부도체 방열판이 상기 발광소자가 생성하는 빛에 대해서 투명할 경우, 상기 상기 제1 부도체 방열판과 상기 기판 사이에서 상기 제1 부도체 방열판 전체에 걸쳐 형성되는 것으로서, 상기 광소자로부터 발생하여 상기 회로 기판 방향을 향하는 빛을 반사시키는 반사막; When the first insulator heat sink is transparent to light generated by the light emitting device, the first insulator heat sink is formed across the first insulator heat sink between the first insulator heat sink and the substrate. A reflective film reflecting light directed toward the substrate; 을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.Optical device array comprising a further. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 6 to 9, 상기 회로 기판의 제2면 전체에 걸쳐 형성되는 제2 부도체 방열판을 추가로 포함하고, Further comprising a second non-conducting heat sink formed over the second surface of the circuit board, 상기 제1 부도체 방열판과 제2 부도체 방열판은 상기 회로기판에 형성된 다수 개의 비아 홀(via-hole)을 통해 서로 물리적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.And the first insulator heat sink and the second insulator heat sink are in physical contact with each other through a plurality of via-holes formed in the circuit board. 제10항에 있어서, 상기 제2 부도체 방열판 표면에는 다수 개의 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.The optical device array of claim 10, wherein a plurality of irregularities are formed on a surface of the second insulator heat sink. 회로 기판에 있어서,In a circuit board, 상기 회로 기판의 제1면상에 형성되는 리드선 패턴과;A lead wire pattern formed on the first surface of the circuit board; 상기 회로 기판의 제1면 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 리드선 패턴과 상기 회로 기판 사이에서 발생한 열을 전달받아 이를 대기중으로 방출하는 제1 방열판;A first heat dissipation plate formed over the entire first surface of the circuit board and receiving heat generated between the lead wire pattern and the circuit board and dissipating it into the air; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.Circuit board comprising a. 제12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 회로 기판의 제2면 전체에 걸쳐 형성되는 제2 방열판을 추가로 포함하고, Further comprising a second heat sink formed over the entire second surface of the circuit board, 상기 제1 방열판과 제2 방열판은 상기 회로기판에 형성된 다수 개의 비아 홀(via-hole)을 통해 서로 물리적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.And the first heat sink and the second heat sink are in physical contact with each other through a plurality of via-holes formed in the circuit board. 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 and 13, 상기 제1 방열판이 도전체일 경우 상기 제1 방열판과 상기 리드선 패턴사이에 이 둘을 전기적으로 절연시키는 절연막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.And an insulating film electrically insulating the two between the first heat sink and the lead wire pattern when the first heat sink is a conductor. 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 and 13, 상기 제1 방열판은 나노사이즈의 질화 알루미늄 분말이 내부에 분산된 에폭시 막 및 질화 알루미늄 막 중 어느 한 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판.The first heat sink is a circuit board, characterized in that the nano-size aluminum nitride powder is made of any one of an epoxy film and an aluminum nitride film dispersed therein. 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 12 and 13, 빛을 흡수하지 않고 반사시키는 반사막이 상기 회로 기판의 제1면 전체에 추가로 포함되어 구성된 것을 특징으로 하는 회로 기판.And a reflecting film which reflects light without absorbing the light, which is further included in the entire first surface of the circuit board. 제1항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 회로 기판은 양면 회로 기판인 것을 특징으로 하는 광소자 어레이.And the circuit board is a double-sided circuit board. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 회로 기판은 양면 회로 기판인 것을 특징으로 하는 회로 기판.The circuit board is a circuit board, characterized in that the double-sided circuit board.
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