JP2018085495A - Substrate for light-emitting device, light-emitting device module, and light-emitting apparatus - Google Patents

Substrate for light-emitting device, light-emitting device module, and light-emitting apparatus Download PDF

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将 山▲崎▼
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress variations in heat radiation performance of a light emitting apparatus.SOLUTION: The substrate for a light-emitting device includes: an insulating substrate; an electrode pattern disposed on a first surface of the insulating substrate and including a mounting portion on which the light emitting device is mounted; a heat radiation plate bonded to a second surface of the insulating substrate opposite to the first surface; and a resin portion disposed on a side surface of the heat radiation plate so as to surround the heat radiation plate. It is possible to reduce variations in the heat radiation performance of the light emitting device by the light emitting device substrate projecting in a direction away from the insulating substrate in an end portion of the resin portion on the side opposite to the insulating substrate better than in a surface on the opposite to the insulating substrate of the heat radiation plate.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、発光素子用基板、発光素子モジュールおよび発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting element substrate, a light emitting element module, and a light emitting device.

発光ダイオード(LED)等の発光素子を基板上に形成した配線パターン上に複数個載置した発光素子モジュール知られている。このような発光装置に使われる発光素子として、正電極と負電極とを主たる発光方向とは反対側の面に配置したフリップチップ型の発光ダイオードが知られている。このようなフリップチップ型の発光ダイオードは、発光ダイオードへのワイヤーボンディングが不要であり、発光がワイヤーで遮られることがないので、発光装置の発光効率の向上に寄与している。   A light emitting element module in which a plurality of light emitting elements such as light emitting diodes (LEDs) are mounted on a wiring pattern formed on a substrate is known. As a light emitting element used in such a light emitting device, a flip chip type light emitting diode in which a positive electrode and a negative electrode are arranged on a surface opposite to a main light emitting direction is known. Such a flip-chip type light emitting diode does not require wire bonding to the light emitting diode, and light emission is not blocked by the wire, which contributes to an improvement in the light emission efficiency of the light emitting device.

発光素子用基板に発光ダイオードなどの発光素子を載置した発光素子モジュールは、発光時に発光素子から多量の熱が発生するために、かなりの高温になる。そのため、発光素子からの発熱を放熱するために、ヒートシンクに発光素子モジュールを載置して発光装置を構成することが知られており。このような発光装置は、ヘッドライトなどに用いることができる(例えば、特許文献1参照)。   A light-emitting element module in which a light-emitting element such as a light-emitting diode is placed on a light-emitting element substrate generates a large amount of heat from the light-emitting element during light emission, and thus becomes considerably high temperature. Therefore, in order to dissipate the heat generated from the light emitting element, it is known that a light emitting device is configured by mounting a light emitting element module on a heat sink. Such a light emitting device can be used for a headlight or the like (see, for example, Patent Document 1).

また、発光素子モジュールをヒートシンクに接触させて放熱させる発光装置の場合、発光素子モジュールとヒートシンクとの間にグリスを介在させて、ヒートシンクに発光素子モジュールを載置することによって、放熱性能を高めることが知られている(例えば、特許文献2参照)。   In addition, in the case of a light emitting device that makes a light emitting element module come into contact with a heat sink and dissipates heat, the heat radiation performance is improved by placing the light emitting element module on the heat sink by interposing grease between the light emitting element module and the heat sink. Is known (see, for example, Patent Document 2).

特開2014−154554号公報JP 2014-154554 A 特表2009−530832号公報Special table 2009-530832 gazette

しかしながら、発光素子モジュールとヒートシンクの間にグリスが存在しない部分が生じた場合やグリスの厚みがばらついたりした場合には、発光装置に放熱性能のばらつきが生じるおそれがあった。   However, when there is a portion where no grease is present between the light emitting element module and the heat sink, or when the thickness of the grease varies, there is a possibility that the light emitting device may vary in heat dissipation performance.

本開示の発光素子用基板は、絶縁基板と、絶縁基板の第1面に配設され、発光素子を載置する載置部を備えた電極パターンと、絶縁基板の第1面と反対側の第2面に接合された放熱板と、放熱板の側面に、放熱板を取り囲んで配設される樹脂部とを備え、樹脂部の絶縁基板とは反対側の端部は、放熱板の前記絶縁基板とは反対側の面よりも、絶縁基板から離れる方向に突出していることを特徴とするものである。   A substrate for a light emitting element of the present disclosure includes an insulating substrate, an electrode pattern provided on a first surface of the insulating substrate and provided with a placement portion on which the light emitting element is placed, and an opposite side of the first surface of the insulating substrate. A heat sink joined to the second surface, and a resin portion disposed on the side surface of the heat sink so as to surround the heat sink, and an end of the resin portion opposite to the insulating substrate is the end of the heat sink It protrudes in the direction away from the insulating substrate from the surface opposite to the insulating substrate.

本開示の発光モジュールは、上述の発光素子用基板と、発光素子用基板の電極パターンの載置部に載置されている発光素子とを備えていることを特徴とするものである。   A light emitting module according to the present disclosure includes the above-described light emitting element substrate and a light emitting element placed on a placement portion of an electrode pattern of the light emitting element substrate.

本開示の発光装置は、上述の発光素子モジュールと、発光素子用基板が載置されているヒートシンクと、ヒートシンクと前記発光素子用基板との間に配置されたグリスとを備えていることを特徴とするものである。
A light-emitting device of the present disclosure includes the above-described light-emitting element module, a heat sink on which a light-emitting element substrate is placed, and grease disposed between the heat sink and the light-emitting element substrate. It is what.

本発明の発光素子用基板、発光素子モジュールおよび発光装置によれば、発光素子用基板とヒートシンクの間のグリスの厚みのバラツキを低減して発光装置の放熱性能のばらつきを低減することができる。   According to the light emitting element substrate, the light emitting element module, and the light emitting device of the present invention, it is possible to reduce variation in the thickness of the grease between the light emitting element substrate and the heat sink, thereby reducing variation in heat dissipation performance of the light emitting device.

本実施形態の一例である発光素子用原基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the original substrate for light emitting elements which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光素子用基板を示す平面図である。It is a top view which shows the board | substrate for light emitting elements which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光素子原モジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting element original module which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光素子モジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the light emitting element module which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the light-emitting device which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the light-emitting device which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light-emitting device which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光装置を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the light-emitting device which is an example of this embodiment. 本実施形態の一例である発光装置を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the light-emitting device which is an example of this embodiment. 本実施形態の他の一例である発光装置を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the light-emitting device which is another example of this embodiment. 本実施形態の他の一例である発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light-emitting device which is another example of this embodiment. 本実施形態の他の一例である発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light-emitting device which is another example of this embodiment.

以下、図面を用いて本実施形態の発光素子用基板について説明する。図1は、本実施形態の一例である発光素子用原基板を示す断面図である。また、図2は、本実施形態の一例である発光素子用基板を示す平面図である。図1に示すように、発光素子用基板10は、発光素子用基板10が縦横に多数連なった発光素子用原基板100から製造することができる。図2は、発光素子用原基板100を分離して得られる1つの発光素子用基板10を示すものである。絶縁基板11は、例えば、窒化アルミニウム(AlN)基板や窒化珪素基板(Si)などの熱伝導性の高い基板を使用することができる。発光素子用基板10における絶縁基板11の大きさは、例えば、10mm×5mmの矩形であり、また厚さは50μmから300μm程度である。 Hereinafter, the light emitting element substrate of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting element substrate which is an example of the present embodiment. FIG. 2 is a plan view showing a light emitting element substrate which is an example of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the light emitting element substrate 10 can be manufactured from a light emitting element substrate 100 in which a large number of light emitting element substrates 10 are arranged vertically and horizontally. FIG. 2 shows one light emitting element substrate 10 obtained by separating the light emitting element original substrate 100. As the insulating substrate 11, for example, a substrate having high thermal conductivity such as an aluminum nitride (AlN) substrate or a silicon nitride substrate (Si 3 N 4 ) can be used. The size of the insulating substrate 11 in the light emitting element substrate 10 is, for example, a rectangle of 10 mm × 5 mm, and the thickness is about 50 μm to 300 μm.

図2に示すように、矩形の絶縁基板11の第1面11aには、電極パターン12が形成されている。電極パターン12に用いられる金属は、金(Au)、銅(Cu)などの金属が用いられる。電極パターン12の厚さは、0.1μm〜100μm程度である。電極パターン12には、後述する発光素子を載置するための載置部12a、12b、12c、12dを備えている。載置部12a、12b、12c、12dに発光素子を載置することで、発光素子が直列接続されるようになる。載置部12a、12b、12c、12dの両側には、電源に接続するための電極パッド12e、12fが配置されている。   As shown in FIG. 2, an electrode pattern 12 is formed on the first surface 11 a of the rectangular insulating substrate 11. The metal used for the electrode pattern 12 is a metal such as gold (Au) or copper (Cu). The electrode pattern 12 has a thickness of about 0.1 μm to 100 μm. The electrode pattern 12 is provided with mounting portions 12a, 12b, 12c, and 12d for mounting a light emitting element to be described later. By mounting the light emitting elements on the mounting portions 12a, 12b, 12c, and 12d, the light emitting elements are connected in series. Electrode pads 12e and 12f for connecting to a power source are disposed on both sides of the mounting portions 12a, 12b, 12c and 12d.

絶縁基板11の第1面とは反対側の面である第2面11bには、放熱板13が接合されている。放熱板は銅(Cu)またはアルミニウム(Al)などの金属板で構成されている。放熱板の厚さは、例えば、0.3mm〜2mm程度である。絶縁基板11と放熱板13とは、ロウ材(例えば銀ロウBAg−8)などを使用して接合することができる。   A heat radiating plate 13 is bonded to the second surface 11 b which is the surface opposite to the first surface of the insulating substrate 11. The heat sink is made of a metal plate such as copper (Cu) or aluminum (Al). The thickness of the heat sink is, for example, about 0.3 mm to 2 mm. The insulating substrate 11 and the heat sink 13 can be joined using a brazing material (for example, silver brazing BAg-8).

図1に示すように、発光素子用原基板100において、絶縁基板11と放熱板13とを接合後、放熱板13には溝部13aが縦横に格子状に形成される。溝部13aは、隣り合って形成される発光素子用基板10の境界に形成されている。溝部13aは、絶縁基板11に放熱板13が接合された状態で、放熱板13の金属をエッチングによって取り除いて形成される。また、溝部13aは、ダイシング装置によって、放熱板13を切削して形成することもできる。   As shown in FIG. 1, in the light emitting element original substrate 100, after the insulating substrate 11 and the heat radiating plate 13 are joined, grooves 13 a are formed in the heat radiating plate 13 in a grid pattern in the vertical and horizontal directions. The groove 13a is formed at the boundary between the light emitting element substrates 10 formed adjacent to each other. The groove 13a is formed by removing the metal of the heat sink 13 by etching in a state where the heat sink 13 is bonded to the insulating substrate 11. Moreover, the groove part 13a can also be formed by cutting the heat sink 13 with a dicing apparatus.

放熱板13に形成された溝部13aには樹脂が充填されて樹脂部14が形成される。発光素子用原基板100を個々に分離したとき、樹脂部14が放熱板13の側面13bを取り囲むように配置されている。放熱板13の側面が樹脂部14でとりかこまれているので、電極パターン12と放熱板13との短絡する可能性を軽減することができる。   The groove portion 13 a formed in the heat radiating plate 13 is filled with resin to form the resin portion 14. When the light emitting element original substrates 100 are individually separated, the resin portion 14 is disposed so as to surround the side surface 13 b of the heat radiating plate 13. Since the side surface of the heat sink 13 is surrounded by the resin portion 14, the possibility of short-circuiting between the electrode pattern 12 and the heat sink 13 can be reduced.

また、ヘッドライトなどの自動車部品として使われる場合には腐食対策が問題となるが、樹脂部14によって放熱板13の銅の部分が被覆されるので、耐腐食性を向上させることができる。   Further, when it is used as an automobile part such as a headlight, a countermeasure against corrosion becomes a problem. However, since the copper portion of the heat radiating plate 13 is covered with the resin portion 14, the corrosion resistance can be improved.

樹脂部14としては、エポキシ系の熱硬化性の樹脂や、シリコーン系、ポリイミド系などのアンダーフィル用樹脂が使用可能である。溝部13aに充填される樹脂は溝部13aの容量よりも多量の樹脂が流し込まれ、溝部13aから少しあふれた状態で充填される。したがって、樹脂部14の絶縁基板11とは反対側の端部14aは、放熱板13の絶縁基板11とは反対側の底面13cよりも、絶縁基板11から離れる方向に突出している。突出している部分の長さは10μm〜100μmである。また、樹脂部14は、黒色樹脂を用いることができる。放熱性の高い黒色樹脂を用いることによって樹脂部14から効率よく放熱することができる。   As the resin portion 14, an epoxy-based thermosetting resin, or a silicone-based or polyimide-based underfill resin can be used. A larger amount of resin is poured into the groove 13a than the capacity of the groove 13a, and the resin is filled in a state slightly overflowing from the groove 13a. Therefore, the end 14 a of the resin portion 14 on the side opposite to the insulating substrate 11 protrudes in a direction away from the insulating substrate 11 than the bottom surface 13 c of the heat radiating plate 13 on the side opposite to the insulating substrate 11. The length of the protruding portion is 10 μm to 100 μm. Moreover, the resin part 14 can use black resin. By using a black resin with high heat dissipation, heat can be efficiently radiated from the resin portion 14.

図3は、本実施形態の一例である発光素子原モジュール200を示す断面図である。また、図4は、本実施形態の一例である発光素子モジュール20を示す斜視図である。縦横に連なった発光素子用基板10に、それぞれの発光素子用基板10の電極パターン12の載置部12a、12b、12c、12dにバンプ22を配設し、バンプ22上に発光素子21をそれぞれ載置し、発光素子21を電極パターン12上に固定する。バンプ22としてはAuバンプやAuSnなどを用いることができる。発光素子21を載置して、発光素子原モジュール200が形成される。続いて、溝部13aの中央で切断することによって、図4に示されるような発光素子モジュール20が多数形成される。発光素子モジュール20の大きさは、例えば、縦10mm横5mm程度である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light emitting element original module 200 which is an example of the present embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing a light emitting element module 20 which is an example of the present embodiment. Bumps 22 are disposed on the mounting portions 12a, 12b, 12c, and 12d of the electrode patterns 12 of the respective light emitting element substrates 10 on the light emitting element substrates 10 that are connected vertically and horizontally, and the light emitting elements 21 are disposed on the bumps 22, respectively. The light emitting element 21 is fixed on the electrode pattern 12. As the bump 22, Au bump, AuSn, or the like can be used. The light emitting element original module 200 is formed by mounting the light emitting element 21. Subsequently, many light emitting element modules 20 as shown in FIG. 4 are formed by cutting at the center of the groove 13a. The size of the light emitting element module 20 is, for example, about 10 mm in length and about 5 mm in width.

電極パターン12上に載置された発光素子21は、例えば、一辺1mm程度のほぼ正方形状のフリップチップ型の発光ダイオードを用いることができる。発光ダイオードは、正方形状のほか、長方形状のなどの矩形状のものを用いることができる。発光ダイオードは、角部が面取りされていたり、円弧状に加工されていたりしてもよい。発光ダイオードの厚さは、例えば0.15mm程度である。各発光素子21は、隣り合う2つの配線パターンを跨ぐように配設され、少なくとも1つの他の発光素子21と電極パターン12を介して電気的に直列に接続されている。   As the light emitting element 21 mounted on the electrode pattern 12, for example, a substantially square flip chip type light emitting diode having a side of about 1 mm can be used. As the light emitting diode, a rectangular shape such as a rectangular shape can be used in addition to a square shape. The light emitting diode may be chamfered at a corner or processed into an arc shape. The thickness of the light emitting diode is, for example, about 0.15 mm. Each light emitting element 21 is disposed so as to straddle two adjacent wiring patterns, and is electrically connected in series via at least one other light emitting element 21 and the electrode pattern 12.

図5は、本実施形態の一例である発光装置30を示す斜視図である。図6は、本実施形態の一例である発光装置30を示す平面図である。また、図7は、本実施形態の一例である発光装置30を示す断面図である。ヒートシンク31は、ブロック状の銅やアルミニウムで構成されている。ヒートシンク31の載置面31aは矩形の平面で、載置面31aの中央部の載置部31bに発光素子モジュール20が載置されている。載置面31aと対向する側には、フィン31cが形成されており、フィン31cに冷たい空気を当てることで、発光装置30を冷却することができる。   FIG. 5 is a perspective view showing a light emitting device 30 as an example of the present embodiment. FIG. 6 is a plan view showing a light emitting device 30 which is an example of the present embodiment. FIG. 7 is a sectional view showing a light emitting device 30 as an example of the present embodiment. The heat sink 31 is made of block-like copper or aluminum. The mounting surface 31a of the heat sink 31 is a rectangular flat surface, and the light emitting element module 20 is mounted on the mounting portion 31b at the center of the mounting surface 31a. Fins 31c are formed on the side facing the mounting surface 31a, and the light emitting device 30 can be cooled by applying cold air to the fins 31c.

ヒートシンク31の載置面31a上に発光素子モジュール20が載置されているが、発光素子モジュールの20の樹脂部14の端部14aは、放熱板13の底面13cから絶縁基板11から離れる方向に10μm〜100μm突出しているので、端部14aは、載置面31aに当接している。載置面31aと、底面13cと端部14aで囲まれた空間にはグリス32が満たされている。グリス32としては、熱伝導性の良いシリコーン樹脂に金属酸化物、炭素等の無機フィラーを混合したものなどを用いることができる。発光素子21で発生した熱は、バンプ22、電極パターン12、絶縁基板11、放熱板13を経由して、グリス32を介してヒートシンク31に伝導して放熱される。   The light emitting element module 20 is mounted on the mounting surface 31 a of the heat sink 31, but the end portion 14 a of the resin portion 14 of the light emitting element module 20 is away from the insulating substrate 11 from the bottom surface 13 c of the heat radiating plate 13. Since it protrudes by 10 μm to 100 μm, the end portion 14 a is in contact with the placement surface 31 a. A space surrounded by the mounting surface 31a, the bottom surface 13c, and the end portion 14a is filled with grease 32. As the grease 32, a silicone resin having a good thermal conductivity mixed with an inorganic filler such as a metal oxide or carbon can be used. The heat generated in the light emitting element 21 is conducted to the heat sink 31 via the grease 32 via the bumps 22, the electrode pattern 12, the insulating substrate 11, and the heat radiating plate 13 and is radiated.

放熱板13の底面13cから突出した端部14aがない場合には、グリス32が放熱板13の各辺から外側に漏出する場合があり、グリス32の存在しない放熱板13の領域が生じ、発光素子21で発生した熱が放熱板13からヒートシンク31伝わりにくくなって、発光素子21が過熱するおそれがある。また、発光素子モジュール20のヒートシンク31の載置面31aに押し付け方などによって、グリス32の膜厚がばらつくため、発光素子21の放熱性能がばらつくおそれがある。   If there is no end portion 14a protruding from the bottom surface 13c of the heat radiating plate 13, the grease 32 may leak out from each side of the heat radiating plate 13, resulting in a region of the heat radiating plate 13 where the grease 32 does not exist, and light emission. The heat generated in the element 21 is not easily transmitted from the heat radiating plate 13 to the heat sink 31, and the light emitting element 21 may be overheated. Moreover, since the film thickness of the grease 32 varies depending on how it is pressed against the mounting surface 31a of the heat sink 31 of the light emitting element module 20, the heat dissipation performance of the light emitting element 21 may vary.

これに対し、本実施例においては、グリスをヒートシンク31の載置面31aまたは放熱板13の底面13cに適量滴下し、底面13cを載置面31aに押し付けてグリスを放熱板13全体にいきわたらせる際に、放熱板13の端部14aが外側へのグリスの移動を妨げる。放熱板13の端部14aに達したグリスは、放熱板13の端部14aに沿って移動し、底面13cと載置面31aとの間全体に充填されてグリス32の膜を形成する。   In contrast, in this embodiment, an appropriate amount of grease is dropped on the mounting surface 31a of the heat sink 31 or the bottom surface 13c of the heat sink 13, and the bottom surface 13c is pressed against the mounting surface 31a to spread the grease over the entire heat sink 13. In this case, the end portion 14a of the heat radiating plate 13 prevents the grease from moving outward. The grease that has reached the end portion 14a of the heat radiating plate 13 moves along the end portion 14a of the heat radiating plate 13, and is filled between the bottom surface 13c and the mounting surface 31a to form a film of the grease 32.

このとき、放熱板13の底面13cをヒートシンク31の載置面31aとの隙間の体積分のグリスを滴下することによって、底面13cを載置面31aとの間の空間がグリスで満たされ、樹脂部14の端部14aの突出する長さに相当する厚みのグリス32の膜を底面13c全体にわたって形成することができる。グリス32の膜厚は、端部14aの突出する長さによって決定されるので、端部14aの突出する長さを管理することで、グリス32の膜厚のバラツキを軽減することができる。このことによって、発光装置30の放熱性能のバラツキを軽減することができる。   At this time, the space between the bottom surface 13c and the mounting surface 31a is filled with grease by dropping the grease corresponding to the volume of the gap between the bottom surface 13c of the heat radiating plate 13 and the mounting surface 31a of the heat sink 31, and the resin A film of grease 32 having a thickness corresponding to the protruding length of the end portion 14a of the portion 14 can be formed over the entire bottom surface 13c. Since the film thickness of the grease 32 is determined by the protruding length of the end portion 14a, the variation in the film thickness of the grease 32 can be reduced by managing the protruding length of the end portion 14a. As a result, variations in the heat dissipation performance of the light emitting device 30 can be reduced.

図8は、本実施形態の一例である発光装置30を示す拡大断面図であり、ヒートシンク31に載置されている発光素子モジュール20の外周部分の断面を拡大したものである。(a)は、エッチングによって溝部13aを形成し、さらに樹脂部14を形成したものであり、(b)は、ダイシング装置による切削によって溝部13aを形成し、さらに樹脂部14を形成したものである。エッチング工程を経て形成された樹脂部14は、傾斜しているが、切削工程を経て形成された樹脂部14は、絶縁基板11に対して垂直に形成されている。   FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a light emitting device 30 which is an example of the present embodiment, and is an enlarged cross section of an outer peripheral portion of the light emitting element module 20 placed on the heat sink 31. (A) is a groove portion 13a formed by etching, and further a resin portion 14 is formed. (B) is a groove portion 13a formed by cutting with a dicing apparatus, and further a resin portion 14 is formed. . The resin part 14 formed through the etching process is inclined, but the resin part 14 formed through the cutting process is formed perpendicular to the insulating substrate 11.

樹脂部14は、放熱板13の側面13bを取り囲むとともに、放熱板13の底面13c側に回りこんで、放熱板13の絶縁基板11とは反対側の底面13cの縁部13dを被覆している。このことによって、樹脂部14と放熱板13上に確実に固定できるので、樹脂部14が放熱板13から剥がれることを抑制することができる。   The resin portion 14 surrounds the side surface 13b of the heat radiating plate 13 and wraps around to the bottom surface 13c side of the heat radiating plate 13 to cover the edge portion 13d of the bottom surface 13c on the side opposite to the insulating substrate 11 of the heat radiating plate 13. . As a result, the resin part 14 and the heat radiating plate 13 can be securely fixed, and thus the resin part 14 can be prevented from being peeled off from the heat radiating plate 13.

図9は、本実施形態の一例である発光装置30を示す拡大断面図である。樹脂部14は、溝部13aに液状の樹脂を流し込んで硬化させることによって形成されるが、樹脂部14の端部14aの形状は、流し込む樹脂の粘度によって異なる。図9(a)は、比較的低粘度の樹脂を流し込んで形成した例であり。図9(b)は、中程度の粘度の樹脂を流し込んで形成した例であり、図9(c)は、比較的高粘度樹脂を流し込んで形成した例である。   FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a light emitting device 30 which is an example of the present embodiment. The resin part 14 is formed by pouring a liquid resin into the groove part 13a and curing it, but the shape of the end part 14a of the resin part 14 varies depending on the viscosity of the resin to be poured. FIG. 9A shows an example in which a resin having a relatively low viscosity is poured. FIG. 9B shows an example in which a medium-viscosity resin is poured and FIG. 9C shows an example in which a relatively high viscosity resin is poured.

粘度が高くなるほど放熱板13の底面13cに回り込む樹脂の長さが短くなることが見て取れる。このように、樹脂部14の端部14aの形状は、流し込む樹脂の粘度によって調整することができる。また、粘度が高くなるほど、端部14aの突出量を大きくすることができる。逆に粘度が低いと端部の突出量を小さくすることができる。このように、端部14aの突出量によってグリス32の厚みを調整することができる。   It can be seen that the length of the resin that goes around the bottom surface 13c of the heat radiating plate 13 becomes shorter as the viscosity becomes higher. Thus, the shape of the end portion 14a of the resin portion 14 can be adjusted by the viscosity of the poured resin. Moreover, the protrusion amount of the edge part 14a can be enlarged, so that a viscosity becomes high. Conversely, if the viscosity is low, the amount of protrusion at the end can be reduced. Thus, the thickness of the grease 32 can be adjusted by the protrusion amount of the end portion 14a.

図9(d)、図9(e),図9(f)は、図9(a)、図9(b)、図9(c)に示される発光装置に、グリス32が、樹脂部の端部14aと、放熱板の底面13cの境界付近に溜まった例をそれぞれ示した図である。端部14aと底面13cとヒートシンク31によって囲まれる空間の容積に対して、グリスの量がやや少ないと、端部14aと、底面13cの境界付近に放熱性能に影響しない程度の小さな気泡33が生じさせることができる。気泡33によって、樹脂部14と放熱板13との間にグリスの侵入を抑制することができるので、樹脂部14が放熱板13から剥がれにくくなる。   9 (d), 9 (e), and 9 (f) show the light emitting device shown in FIG. 9 (a), FIG. 9 (b), and FIG. 9 (c). It is the figure which each showed the example collected in the vicinity of the boundary of the edge part 14a and the bottom face 13c of a heat sink. If the amount of grease is slightly smaller than the volume of the space surrounded by the end portion 14a, the bottom surface 13c, and the heat sink 31, a small bubble 33 that does not affect the heat dissipation performance is generated near the boundary between the end portion 14a and the bottom surface 13c. Can be made. Since the bubbles 33 can suppress the ingress of grease between the resin portion 14 and the heat radiating plate 13, the resin portion 14 is hardly peeled off from the heat radiating plate 13.

図10は、本実施形態の他の一例である発光装置を示す拡大断面図である。図7に示す発光装置に比べてヒートシンク31の載置面に凹部31dを設けた点が異なる。ヒートシンク31の載置面31aにおいて、発光素子モジュール20の樹脂部14の端部14aが当接する部分に沿って凹部31dを設ける。発光素子モジュール20が矩形の場合、ヒートシンク31を平面視すると、凹部31dは、矩形の枠状に形成されている。凹部31dの深さは50μm程度である。凹部31dの内面に端部14aを当接させることによって、端部14aが凹部に嵌合するので、発光素子モジュール20の位置決めが容易になり、さらに、発光素子モジュール20がヒートシンク31上で位置ずれを起こすことを抑制することができるので、信頼性の高い発光装置を実現することができる。   FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a light emitting device as another example of the present embodiment. 7 differs from the light emitting device shown in FIG. 7 in that a recess 31d is provided on the mounting surface of the heat sink 31. On the mounting surface 31 a of the heat sink 31, a concave portion 31 d is provided along a portion where the end portion 14 a of the resin portion 14 of the light emitting element module 20 contacts. When the light emitting element module 20 is rectangular, the concave portion 31d is formed in a rectangular frame shape when the heat sink 31 is viewed in plan. The depth of the recess 31d is about 50 μm. By bringing the end portion 14a into contact with the inner surface of the recess 31d, the end portion 14a fits into the recess, so that the positioning of the light emitting element module 20 is facilitated, and the light emitting element module 20 is displaced on the heat sink 31. Therefore, a highly reliable light-emitting device can be realized.

図11は、本実施形態の他の一例である発光装置30を示す拡大断面図である。また、図12は、発光装置30に載置されている発光素子モジュール20の外周部分の断面を拡大したものである。図11に示す発光装置30は、図7に示す発光装置30に比べて放熱板13を金属板と配線基板と同じ材質の基板とで構成している点が異なる。放熱板13は金属板13eと、絶縁基板11と同じ材質の絶縁板13fとで構成されている。発光素子用基板10の放熱板13の金属板13eと絶縁基板11とが接合されている。また、金属板13eの絶縁基板11と反対側の面とは、絶縁板13fと接合されている。金属板13eと絶縁基板11および金属板13eと絶縁板13fとはそれぞれ同じろう材で接合されている。   FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a light emitting device 30 which is another example of the present embodiment. FIG. 12 is an enlarged view of the cross section of the outer peripheral portion of the light emitting element module 20 mounted on the light emitting device 30. The light emitting device 30 shown in FIG. 11 is different from the light emitting device 30 shown in FIG. 7 in that the heat radiating plate 13 is composed of a metal plate and a substrate made of the same material as the wiring substrate. The heat radiating plate 13 is composed of a metal plate 13 e and an insulating plate 13 f made of the same material as the insulating substrate 11. The metal plate 13e of the heat dissipation plate 13 of the light emitting element substrate 10 and the insulating substrate 11 are joined. The surface of the metal plate 13e opposite to the insulating substrate 11 is bonded to the insulating plate 13f. The metal plate 13e and the insulating substrate 11 and the metal plate 13e and the insulating plate 13f are joined by the same brazing material.

放熱板13が金属板のみでできている場合には、放熱板13と絶縁基板11との線膨張係数の違いよって、発光素子用基板10が反ってしまうおそれがある。特に発光装置30の場合には、発光素子21から生じる熱によって温度が高くなるため、発光素子用基板10に加わる熱応力が大きくなる。そこで、放熱板13を金属板13eと、絶縁基板11と同じ材質の絶縁板13fで構成することによって、発光素子用基板10が金属板13eの両側に同じ材質の基板が貼り付けられた構造となるので反りにくくなる。   When the heat radiating plate 13 is made of only a metal plate, the light emitting element substrate 10 may be warped due to a difference in coefficient of linear expansion between the heat radiating plate 13 and the insulating substrate 11. In particular, in the case of the light emitting device 30, the temperature is increased by the heat generated from the light emitting element 21, so that the thermal stress applied to the light emitting element substrate 10 increases. Therefore, the heat radiating plate 13 is composed of a metal plate 13e and an insulating plate 13f made of the same material as that of the insulating substrate 11, so that the light emitting element substrate 10 is bonded to both sides of the metal plate 13e. It becomes difficult to warp.

発光素子用基板10が反ると、載置された発光素子21も反りの影響が及び発光効率が低下したりする場合があるが、反りを抑制した発光素子用基板10を使用することによって信頼性の高い発光素子モジュール20を実現することができる。さらに、絶縁板13fを絶縁基板11と同じ厚さにすることによって、さらに反りが抑制された発光素子用基板10および発光素子モジュール20を提供することができる。   When the light emitting element substrate 10 is warped, the mounted light emitting element 21 may be affected by the warp and the light emission efficiency may be lowered. However, the light emitting element substrate 10 that suppresses the warping is reliable. A highly light-emitting element module 20 can be realized. Furthermore, by setting the insulating plate 13f to the same thickness as that of the insulating substrate 11, it is possible to provide the light emitting element substrate 10 and the light emitting element module 20 in which warpage is further suppressed.

図12は、本実施形態の他の一例である発光装置30を示す断面図である。ヒートシンク31に載置された発光素子モジュール20は、ねじ34によってヒートシンク31に固定されている。ねじ34は、発光素子用基板10を貫通する貫通穴15を通って、ヒートシンク31に設けられたねじ穴31eに羅合されている。発光素子モジュール20をねじ34でヒートシンク31に確実に固定することができる。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing a light emitting device 30 which is another example of the present embodiment. The light emitting element module 20 placed on the heat sink 31 is fixed to the heat sink 31 with screws 34. The screw 34 passes through the through hole 15 penetrating the light emitting element substrate 10, and is screwed into a screw hole 31 e provided in the heat sink 31. The light emitting element module 20 can be securely fixed to the heat sink 31 with the screws 34.

以上、本発明について詳細に説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、改良等が可能である。   Although the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

100 発光素子用原基板
10 発光素子用基板
11 絶縁基板
11a 第1面
11b 第2面
12 電極パターン
12a、12b、12c、12d 載置部
12e、12f 電極パッド
13 放熱板
13a 溝部
13b 側面
13c 底面
13d 縁部
13e 金属板
13f 絶縁板
14 樹脂部
14a 端部
15 貫通穴
200 発光素子原モジュール
20 発光素子モジュール
21 発光素子
22 バンプ
30 発光装置
31 ヒートシンク
31a 載置面
31b (発光素子モジュールの)載置部
31c フィン
31d 凹部
31e ねじ穴
32 グリス
33 気泡
34 ねじ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Light emitting element original substrate 10 Light emitting element substrate 11 Insulating substrate 11a 1st surface 11b 2nd surface 12 Electrode pattern 12a, 12b, 12c, 12d Mounting part 12e, 12f Electrode pad 13 Heat sink 13a Groove part 13b Side surface 13c Bottom surface 13d Edge portion 13e Metal plate 13f Insulating plate 14 Resin portion 14a End portion 15 Through hole 200 Light emitting element original module 20 Light emitting element module 21 Light emitting element 22 Bump 30 Light emitting device 31 Heat sink 31a Mounting surface 31b Mounting portion of light emitting element module 31c Fin 31d Recessed portion 31e Screw hole 32 Grease 33 Bubble 34 Screw

Claims (8)

絶縁基板と、
前記絶縁基板の第1面に配設され、発光素子を載置する載置部を備えた電極パターンと、
前記絶縁基板の第1面と反対側の第2面に接合された放熱板と、
前記放熱板の側面に、放熱板を取り囲んで配設される樹脂部とを備え、
前記樹脂部の前記絶縁基板とは反対側の端部は、前記放熱板の前記絶縁基板とは反対側の面よりも、前記絶縁基板から離れる方向に突出していることを特徴とする発光素子用基板。
An insulating substrate;
An electrode pattern provided on the first surface of the insulating substrate and provided with a mounting portion for mounting the light emitting element;
A heat sink bonded to a second surface opposite to the first surface of the insulating substrate;
Provided on the side surface of the heat radiating plate with a resin portion disposed around the heat radiating plate,
An end of the resin portion opposite to the insulating substrate protrudes in a direction away from the insulating substrate from a surface of the heat radiating plate opposite to the insulating substrate. substrate.
前記樹脂部は、前記放熱板の前記絶縁基板とは反対側の面の縁部を被覆していることを特徴とする請求項1記載の発光素子用基板。   The light emitting element substrate according to claim 1, wherein the resin portion covers an edge portion of a surface of the heat radiating plate opposite to the insulating substrate. 前記樹脂部は、黒色樹脂からなる請求項1または請求項2に記載の発光素子用基板。   The light emitting element substrate according to claim 1, wherein the resin portion is made of a black resin. 前記放熱板は、金属板からなる請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子用基板。   The said heat sink is a board | substrate for light emitting elements as described in any one of Claims 1-3 which consists of a metal plate. 前記放熱板は、金属板と、該金属板の、前記絶縁基板とは反対側の面上に配設された、前記絶縁基板と同じ材質からなる絶縁板とを含んでなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子用基板。   The heat dissipation plate includes a metal plate and an insulating plate made of the same material as the insulating substrate and disposed on a surface of the metal plate opposite to the insulating substrate. The light emitting element use substrate according to any one of claims 1 to 3. 請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光素子用基板と、
前記発光素子用基板の前記電極パターンの前記載置部に載置されている発光素子とを備えていることを特徴とする発光素子モジュール。
The light emitting element substrate according to any one of claims 1 to 5,
A light emitting element module comprising: a light emitting element placed on the mounting portion of the electrode pattern of the light emitting element substrate.
請求項6記載の発光素子モジュールと、
前記発光素子用基板が載置されているヒートシンクと、
前記ヒートシンクと前記発光素子用基板との間に配置されたグリスとを備えていることを特徴とする発光装置。
The light emitting device module according to claim 6;
A heat sink on which the light emitting element substrate is placed;
A light emitting device comprising: a grease disposed between the heat sink and the light emitting element substrate.
前記ヒートシンクは、凹部を有し、該凹部の内面に前記発光素子用基板の前記樹脂部が当接していることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 7, wherein the heat sink has a concave portion, and the resin portion of the light emitting element substrate is in contact with an inner surface of the concave portion.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021176189A (en) * 2020-04-28 2021-11-04 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US11227985B2 (en) 2019-03-28 2022-01-18 Nichia Corporation Light-emitting device
WO2022075571A1 (en) * 2020-10-07 2022-04-14 삼성전자주식회사 Display device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006001663A1 (en) * 2004-06-24 2006-01-05 Sld Co., Ltd. A circuit board having heat sink layer
JP2012191047A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Panasonic Corp Heat conduction substrate for lighting apparatus and method of manufacturing the same
JP2014175447A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2015046236A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 東芝ライテック株式会社 Light-emitting device and lighting device
WO2015079913A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 シャープ株式会社 Light-emitting device substrate, light-emitting device, and method for producing light-emitting device substrate
WO2015102046A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 三菱電機株式会社 Semiconductor device
WO2015145752A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 三菱電機株式会社 Semiconductor module and drive unit equipped with semiconductor module

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006001663A1 (en) * 2004-06-24 2006-01-05 Sld Co., Ltd. A circuit board having heat sink layer
JP2012191047A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Panasonic Corp Heat conduction substrate for lighting apparatus and method of manufacturing the same
JP2014175447A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2015046236A (en) * 2013-08-27 2015-03-12 東芝ライテック株式会社 Light-emitting device and lighting device
WO2015079913A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 シャープ株式会社 Light-emitting device substrate, light-emitting device, and method for producing light-emitting device substrate
WO2015102046A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 三菱電機株式会社 Semiconductor device
WO2015145752A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 三菱電機株式会社 Semiconductor module and drive unit equipped with semiconductor module

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11227985B2 (en) 2019-03-28 2022-01-18 Nichia Corporation Light-emitting device
US11605768B2 (en) 2019-03-28 2023-03-14 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2021176189A (en) * 2020-04-28 2021-11-04 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP7114854B2 (en) 2020-04-28 2022-08-09 日亜化学工業株式会社 light emitting device
WO2022075571A1 (en) * 2020-10-07 2022-04-14 삼성전자주식회사 Display device

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