KR20050118833A - Package for image sensor - Google Patents
Package for image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050118833A KR20050118833A KR1020040043952A KR20040043952A KR20050118833A KR 20050118833 A KR20050118833 A KR 20050118833A KR 1020040043952 A KR1020040043952 A KR 1020040043952A KR 20040043952 A KR20040043952 A KR 20040043952A KR 20050118833 A KR20050118833 A KR 20050118833A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image sensor
- sensor chip
- package
- substrate
- circuit pattern
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 이미지 센서용 패키지를 개시한다. 개시된 본 발명의 이미지 센서용 패키지는, 중심부에 윈도우(window)를 구비하며 전극단자를 포함한 회로배선을 구비한 기판과, 상기 기판 윈도우 내에 배치되며 상부면 중심부에 이미지 영역을 구비하고 상기 이미지 영역의 외측에 본딩패드를 구비한 이미지 센서 칩과, 상기 이미지 센서 칩 및 기판 상에 부착되며 상기 이미지 센서 칩의 본딩패드와 기판의 전극단자간을 전기적으로 연결하기 위한 회로패턴을 구비한 유리판과, 상기 이미지 센서 칩의 이미지 영역을 가리지 않도록 상기 회로패턴이 형성된 유리판 부분 상에 도포되어 상기 유리판의 회로패턴과 이미지 센서 칩의 본딩패드 및 상기 유리판의 회로패턴과 기판의 전극단자간을 전기적으로 도통시키는 이방성 도전 물질을 포함한다. The present invention discloses a package for an image sensor. The disclosed image package for an image sensor includes a substrate having a window in the center and a circuit wiring including an electrode terminal, and an image area disposed in the substrate window and having an image area in the center of the upper surface. An image sensor chip having a bonding pad on the outside, a glass plate attached to the image sensor chip and the substrate, and having a circuit pattern for electrically connecting the bonding pad of the image sensor chip and an electrode terminal of the substrate; Anisotropy is applied on the glass plate portion in which the circuit pattern is formed so as not to cover the image area of the image sensor chip. It includes a conductive material.
Description
본 발명은 이미지 센서용 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 회로패턴이 설계된 유리판을 이용한 이미지 센서용 반도체 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a package for an image sensor, and more particularly, to a semiconductor package for an image sensor using a glass plate designed with a circuit pattern.
주지된 바와 같이, 이미지 센서는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기 신호로 변환하는 장치로서, 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류되며, 상기 고체 촬상 소자에는 씨모스 이미지 센서(CMOS image sensor)와 씨씨디 이미지 센서(CCD image sensor)의 두 종류가 있다. 이들 이미지 센서는 현재 카메라, 캠코더, 멀티 미디어 퍼스널 컴퓨터 및 감시 카메라 등에 널리 응용되고 있으며, 그 사용이 폭발적으로 증가하고 있는 추세이다. As is well known, an image sensor is a device that converts optical information of one or two or more dimensions into an electrical signal, and is broadly divided into an image tube and a solid-state image sensor, and the image sensor is a CMOS image sensor. And two types of CD image sensor. These image sensors are currently widely applied to cameras, camcorders, multimedia personal computers and surveillance cameras, and their use is exploding.
이와 같은 이미지 센서는 통상 개별 패키징되어 제품으로 출하되며, 이하에서는 종래 이미지 센서용 패키지의 예를 도 1을 참조하여 설명하도록 한다. Such an image sensor is usually packaged separately and shipped as a product. Hereinafter, an example of a conventional image sensor package will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 종래 이미지 센서용 패키지로 사용되고 있는 CLCC(Ceramic Leadless Chip Carrier)의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a ceramic leadless chip carrier (CLCC) that is conventionally used as a package for an image sensor.
도시된 바와 같이, 종래 CLCC 구조에서는 기판(2)의 소재로 세라믹을 이용한다. 세라믹 기판(2)은 계단형의 홈을 구비하며, 상기 홈의 저면에 접착제(4)를 매개로 이미지 센서 칩(1)이 부착된다. 이미지 센서 칩(1)은 상부면 중심부에 이미지 영역(Image Area : I/A)을 구비하며, 상기 이미지 영역(I/A)의 외측으로 Al 재질의 본딩패드(1a)를 구비한다. As shown, the conventional CLCC structure uses a ceramic as the material of the substrate (2). The ceramic substrate 2 has a stepped groove, and the image sensor chip 1 is attached to the bottom of the groove via the adhesive 4. The image sensor chip 1 includes an image area (I / A) at the center of the upper surface, and an bonding pad 1a of Al material outside the image area (I / A).
상기 세라믹 기판(1)의 홈 내부 계단 상에는 기판 저면까지 연장되는 형태로 리드(3)가 구비되며, 상기 리드(3)와 이미지 센서 칩(1)의 본딩패드(1a)는 금속와이어(5)로 연결된다. 상기 세라믹 기판(1) 상에는 이미지 센서 칩(1) 및 금속와이어(5)를 보호하도록 유리판(6)이 부착된다. A lead 3 is provided on a step inside the groove of the ceramic substrate 1 to extend to the bottom of the substrate, and the bonding pad 1a of the lead 3 and the image sensor chip 1 is a metal wire 5. Leads to. A glass plate 6 is attached on the ceramic substrate 1 to protect the image sensor chip 1 and the metal wires 5.
그리고, 이와 같은 종래 이미지 센서용 패키지(10)는 솔더(11)를 매개로 기판(2) 저면으로 연장시킨 리드(3)와 PCB(Printed Circuit Board : 12)의 전극단자(도시안됨)간을 상호 연결시키는 것에 의해 실장된다.In addition, the package 10 for the conventional image sensor is provided between the lead 3 extending to the bottom surface of the substrate 2 through the solder 11 and the electrode terminal (not shown) of the PCB (Printed Circuit Board) 12. It is implemented by interconnecting.
그러나, 전술한 바와 같은 종래 CLCC 구조의 이미지 센서 패키지는 고가의 세라믹 기판을 이용하는 것으로 인해 가공상의 어려움이 존재할 뿐만 아니라 제조비용이 많이 드는 문제점이 있다. However, the image sensor package of the conventional CLCC structure as described above, due to the use of an expensive ceramic substrate, there is a problem in manufacturing as well as a difficulty in processing.
또한, 전술한 종래 CLCC 구조의 이미지 센서 패키지는 구조적으로 복잡하므로 제조가 까다로우며, 그래서, 생산성 측면에서 바람직하지 못한 문제점이 있다. In addition, the image sensor package of the conventional CLCC structure described above is difficult to manufacture because it is structurally complex, so there is an undesirable problem in terms of productivity.
게다가, 전술한 종래 CLCC 구조의 이미지 센서 패키지는 전기적 신호전달경로가 길기 때문에 우수한 전기적 성능을 확보할 수 없는 문제점이 있다. In addition, the image sensor package of the conventional CLCC structure described above has a problem in that excellent electrical performance cannot be secured because of a long electrical signal transmission path.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 용이하게 제조 가능하고 제조비용 또한 절감시킬 수 있는 이미지 센서용 패키지를 제공함에 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a package for an image sensor, which can be easily manufactured and can also reduce manufacturing costs.
또한, 본 발명은 용이하게 제조 가능하도록 함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서용 패키지를 제공함에 그 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a package for an image sensor which can be easily manufactured to improve productivity.
게다가, 본 발명은 전기적 신호전달경로를 최소화시킴으로써 우수한 전기적 성능을 확보하여 고속 동작이 가능하도록 할 수 있는 이미지 센서용 패키지를 제공함에 그 또 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a package for an image sensor that can secure high electrical performance by minimizing an electrical signal transmission path to enable high-speed operation.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 중심부에 윈도우(window)를 구비하며 전극단자를 포함한 회로배선을 구비한 기판; 상기 기판 윈도우 내에 배치되며 상부면 중심부에 이미지 영역을 구비하고 상기 이미지 영역의 외측에 본딩패드를 구비한 이미지 센서 칩; 상기 이미지 센서 칩 및 기판 상에 부착되며 상기 이미지 센서 칩의 본딩패드와 기판의 전극단자간을 전기적으로 연결하기 위한 회로패턴을 구비한 유리판; 상기 이미지 센서 칩의 이미지 영역을 가리지 않도록 상기 회로패턴이 형성된 유리판 부분 상에 도포되어 상기 유리판의 회로패턴과 이미지 센서 칩의 본딩패드 및 유리판의 회로패턴과 기판의 전극단자간을 전기적으로 도통시키는 이방성 도전 물질을 포함하는 이미지 센서용 패키지를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention, the substrate having a window (window) in the center and having a circuit wiring including an electrode terminal; An image sensor chip disposed in the substrate window, the image sensor chip having an image area at the center of an upper surface thereof and a bonding pad outside the image area; A glass plate attached to the image sensor chip and the substrate and having a circuit pattern for electrically connecting a bonding pad of the image sensor chip and an electrode terminal of the substrate; Anisotropy is applied on the glass plate portion in which the circuit pattern is formed so as not to cover the image area of the image sensor chip to electrically conduct between the circuit pattern of the glass plate, the bonding pad of the image sensor chip, the circuit pattern of the glass plate, and the electrode terminals of the substrate. Provided are a package for an image sensor including a conductive material.
상기한 본 발명의 이미지 센서용 패키지는 상기 이미지 센서 칩의 본딩패드 상에 형성된 범프를 더 포함한다. The image sensor package of the present invention further includes a bump formed on a bonding pad of the image sensor chip.
상기한 본 발명의 이미지 센서용 패키지에 있어서, 상기 유리판의 회로패턴은 Cu 또는 Al으로 형성된 것을 특징으로 한다. In the image sensor package of the present invention, the circuit pattern of the glass plate is characterized in that formed of Cu or Al.
또한, 상기한 본 발명의 이미지 센서용 패키지에 있어서, 상기 이방성 도전 물질은 이방성 도전 필름(Anisotropic conductive film) 또는 이방성 도전 페이스트(Anisotropic conductive paste)인 것을 특징으로 한다. In the package for an image sensor according to the present invention, the anisotropic conductive material may be an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서용 패키지를 설명하기 위한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating a package for an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명의 이미지 센서용 패키지(20)는 중심부에 윈도우를 구비한 기판(40)과, 상기 기판 윈도우 내에 배치되는 이미지 센서 칩(21)과, 상기 이미지 센서 칩(21)을 포함한 기판 윈도우 부분을 덮으면서 상기 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 기판 전극단자(41)간을 전기적으로 도통시킬 수 있는 회로패턴(31)을 구비한 유리판(30)과, 상기 이미지 센서 칩(21)의 이미지 영역(I/A)에 대응하는 부분을 제외한 회로패턴(31)이 형성된 유리판(30) 부분에 도포되어 수직적으로만 전기적 도통을 이루도록 하는, 다시말해, 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 회로패턴(31)간 및 기판(40)의 전극단자(41)와 회로패턴(31)간을 전기적으로 도통시키는 이방성 도전 물질(Anisotropic conductive material : 32)을 포함하여 구성된다. As shown, the image sensor package 20 of the present invention includes a substrate 40 having a window in the center, an image sensor chip 21 disposed in the substrate window, and the image sensor chip 21. A glass plate 30 having a circuit pattern 31 for electrically connecting between the bonding pad 21a of the image sensor chip 21 and the substrate electrode terminal 41 while covering the substrate window portion included therein; In other words, the image sensor chip is applied to a portion of the glass plate 30 on which the circuit pattern 31 is formed except for a portion corresponding to the image area I / A of the image sensor chip 21 so as to establish electrical conduction only vertically. Anisotropic conductive material 32 for electrically conducting between the bonding pad 21a and the circuit pattern 31 of the 21 and between the electrode terminal 41 and the circuit pattern 31 of the substrate 40 is formed. It is configured to include.
여기서, 상기 이미지 센서 칩(21)은 상부면 중심부에 이미지 영역(I/A)을 구비하며, 그 외측으로 이격해서 본딩패드(21a)를 구비한다. 상기 기판(40)은 이미지 센서 칩(21)이 배치될 수 있을 정도의 크기로된 윈도우를 구비하며, 상기 윈도우에 인접하여 배치되는 전극단자(41)를 포함한 회로배선(도시안됨)을 구비한다. 상기 유리판(30)은 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 기판(40)의 전극단자(41)에 대응하는 부분들간을 상호 연결하는 회로패턴(31)을 구비한다. 상기 이방성 도전 물질(32)은 예컨데 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive film) 또는 이방성 도전 페이스트(Anisotropic Conductive Paste)로 이루어진다. Here, the image sensor chip 21 includes an image area I / A at the center of the upper surface, and has a bonding pad 21a spaced apart from the outside thereof. The substrate 40 has a window sized enough to allow the image sensor chip 21 to be disposed, and a circuit wiring (not shown) including an electrode terminal 41 disposed adjacent to the window. . The glass plate 30 includes a circuit pattern 31 that interconnects the bonding pads 21a of the image sensor chip 21 and portions corresponding to the electrode terminals 41 of the substrate 40. The anisotropic conductive material 32 is made of, for example, an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste.
상기와 같은 본 발명에 따른 이미지 센서용 패키지는 이미지 센서 칩(21)과 기판(40)에 유리판(30)이 부착되고, 상기 유리판(30)에 구비된 회로패턴(31)에 의해 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 솔더 콘택(solder contact) 부위, 즉, 기판(40)의 전극단자(41)가 전기적으로 도통되는 구조를 갖는다. In the package for an image sensor according to the present invention as described above, the glass plate 30 is attached to the image sensor chip 21 and the substrate 40, and the image sensor chip is formed by the circuit pattern 31 provided on the glass plate 30. The bonding pad 21a of 21 and the solder contact portion, that is, the electrode terminal 41 of the substrate 40 are electrically connected to each other.
따라서, 본 발명의 이미지 센서용 패키지는 단순한 구조를 가지므로, 용이하게 제조 가능하고, 아울러, 고가의 세라믹 기판을 사용하지 않는 등, 제조비용 또한 종래의 그것 보다 절감할 수 있고, 그래서, 생산성을 향상시킬 수 있게 된다. Therefore, the package for an image sensor of the present invention has a simple structure, which can be easily manufactured, and in addition, the manufacturing cost can be reduced compared to the conventional one, such as not using an expensive ceramic substrate, so that productivity is improved. It can be improved.
특히, 본 발명의 이미지 센서용 패키지는 이미지 센서 칩의 본딩패드와 기판 전극단자간 전기적 연결이 이방성 도전 물질을 포함하여 유리판에 구비시킨 회로패턴에 의해 이루어지므로, 종래 보다 짧은 전기적 신호전달경로를 갖게 되므로, 매우 우수한 전기적 성능(electrical performance)을 확보할 수 있게 된다. In particular, the package for the image sensor of the present invention is because the electrical connection between the bonding pad of the image sensor chip and the substrate electrode terminal is made by a circuit pattern provided on the glass plate including an anisotropic conductive material, it has a shorter electrical signal transmission path than conventional Therefore, very good electrical performance can be ensured.
이하에서는 전술한 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서용 패키지의 제작 과정을 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명하도록 한다. Hereinafter, a manufacturing process of the package for an image sensor according to an embodiment of the present invention described above will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 이미지 센서용 패키지 제작 과정을 설명하기 위한 평면도 및 각 평면도의 A-A'선에 따른 단면도이다. 3A to 3D are plan views illustrating a manufacturing process of the package for an image sensor according to the present invention and cross-sectional views taken along line A-A 'of each plan view.
도 3a를 참조하면, 상부면 중심부에 이미지 영역(I/A)을 구비하고, 상기 이미지 영역(I/A)의 외측에 Al 재질의 본딩패드(21a)들이 배열된 이미지 센서 칩(21)을 마련한다. Referring to FIG. 3A, an image sensor chip 21 having an image area I / A at the center of an upper surface and having bonding pads 21a made of Al arranged on an outer side of the image area I / A is provided. Prepare.
도 3b를 참조하면, 이미지 센서 칩 보다 큰 크기로된 유리판(30)을 마련한 후, 상기 유리판(30) 상에 증발(evaporation)법 또는 스퍼터링(sputtering)법 등의 방법으로 Cu, Al막 또는 이와 유사한 전도성을 갖는 금속막을 증착한다. 그런다음, 상기 금속막을 패터닝하여 이미지 센서 칩의 본딩패드와 기판 전극단자간을 전기적으로 도통시킬 수 있는 형태로 회로패턴(31)을 형성한다. Referring to FIG. 3B, after the glass plate 30 having a larger size than the image sensor chip is provided, a Cu, Al film or the like may be formed on the glass plate 30 by an evaporation method or a sputtering method. A metal film having similar conductivity is deposited. Then, the metal layer is patterned to form a circuit pattern 31 in a form that can electrically conduct between the bonding pad of the image sensor chip and the substrate electrode terminal.
도 3b에서, 도면부호 31a는 이미지 센서 칩의 본딩패드에 대응하는 회로패턴 부분을 나타내며, 도면부호 31b는 기판의 전극단자에 대응하는 회로패턴 부분을 나타낸다. In FIG. 3B, reference numeral 31a denotes a circuit pattern portion corresponding to the bonding pad of the image sensor chip, and reference numeral 31b denotes a circuit pattern portion corresponding to the electrode terminal of the substrate.
도 3c를 참조하면, 이미지 센서 칩의 이미지 영역에 대응하는 부분을 제외하고 상기 회로패턴(31)이 형성된 유리판 부분 상에 이방성 도전 필름, 또는, 이방성 도전 페이스와 같이 수직적으로만 상하 패턴간의 전기적 도통을 이루도록 하는 이방성 도전 물질(32)을 도포한다. Referring to FIG. 3C, an electrical conduction between vertical patterns only vertically, such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive face, is formed on the glass plate portion on which the circuit pattern 31 is formed except for a portion corresponding to an image region of the image sensor chip. An anisotropic conductive material 32 is formed to achieve this.
도 3d를 참조하면, 중심부에 이미지 센서 칩이 배치될 수 있을 정도의 크기를 갖는 윈도우를 구비하고 상기 윈도우에 인접하여 배치된 전극단자(41)를 포함하는 회로배선(도시안됨)을 구비한 기판(40)을 마련한다. 그런다음, 상기 기판 윈도우 내에 상기한 이미지 센서 칩(21)을 배치시킨다. 이어서, 상기 이미지 센서 칩 (21)을 포함한 기판 윈도우 부분을 덮도록 상기 기판(40) 및 이미지 센서 칩(21) 상에 유리판(30)을 동시에 부착시키고, 이를 통해, 본 발명의 이미지 센서용 패키지(20)를 완성한다. Referring to FIG. 3D, a substrate including a circuit wiring (not shown) having a window having a size enough to place an image sensor chip in a central portion thereof and including an electrode terminal 41 disposed adjacent to the window. Provide 40. Then, the image sensor chip 21 is placed in the substrate window. Subsequently, the glass plate 30 is simultaneously attached to the substrate 40 and the image sensor chip 21 so as to cover the substrate window portion including the image sensor chip 21, and thereby, the package for the image sensor of the present invention. Complete 20.
이때, 상기 유리판(30)에 구비시킨 회로패턴(31)과 상기 회로패턴(31) 상에 도포된 이방성 도전 물질(32)을 통해 상기 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 기판(40)의 전극단자(41)는 전기적으로 연결된다.In this case, the bonding pads 21a and the substrate of the image sensor chip 21 are formed through the circuit pattern 31 provided on the glass plate 30 and the anisotropic conductive material 32 coated on the circuit pattern 31. The electrode terminal 41 of 40 is electrically connected.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 패키지를 도시한 단면도로서, 이 실시예에 따르면, 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a) 상에 범프(50)가 형성되며, 이러한 범프(50)에 의해 상기 이미지 센서 칩(21)은 회로패턴(31)을 구비한 유리판(30)과 플립-칩 본딩된다. 4 is a cross-sectional view showing a package for an image sensor according to another embodiment of the present invention. According to this embodiment, bumps 50 are formed on the bonding pads 21a of the image sensor chip 21. The image sensor chip 21 is flip-chip bonded to the glass plate 30 having the circuit pattern 31 by the bumps 50.
이 경우, 이미지 센서 칩(21)의 본딩패드(21a)와 유리판(30)의 회로패턴(31)간 전기적 연결은 더욱 안정적으로 이루어질 수 있다.In this case, the electrical connection between the bonding pad 21a of the image sensor chip 21 and the circuit pattern 31 of the glass plate 30 may be made more stable.
이상에서와 같이, 본 발명은 회로패턴을 구비한 유리판을 이미지 센서 칩 및 기판에 부착시켜 패키지를 구성하므로, 패키지 구조를 단순화시킬 수 있으며, 이에 따라, 패키지 제작을 매우 용이하게 할 수 있어서 생산성을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, a glass plate having a circuit pattern is attached to an image sensor chip and a substrate to form a package, thereby simplifying the package structure, and thus, making the package very easy, thereby improving productivity. Can be improved.
또한, 본 발명은 고가의 세라믹 기판을 사용하지 않으면서 단순한 구조로 패키지를 제작하므로, 제조 비용 또한 종래 보다 절감할 수 있다. In addition, since the present invention manufactures a package with a simple structure without using an expensive ceramic substrate, the manufacturing cost can also be reduced than before.
게다가, 본 발명은 이미지 센서 칩의 본딩패드와 기판 전극단자간 전기적 연결을 이방성 도전 물질을 포함하여 유리판에 구비시킨 회로패턴에 의해 이루어지도록 함으로써, 종래 보다 짧은 전기적 신호전달경로를 갖게 할 수 있고, 이에 따라, 우수한 전기적 성능(electrical performance)을 확보할 수 있다. In addition, the present invention is to make the electrical connection between the bonding pad of the image sensor chip and the substrate electrode terminal by a circuit pattern provided on the glass plate including an anisotropic conductive material, it is possible to have a shorter electrical signal transmission path, Accordingly, excellent electrical performance can be secured.
이상, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.As mentioned above, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
도 1은 종래 CLCC(Ceramic Leadless Chip Carrier) 구조의 이미지 센서용 패키지를 도시한 단면도. 1 is a cross-sectional view showing a package for an image sensor of a conventional ceramic leadless chip carrier (CLCC) structure.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서용 패키지를 도시한 단면도. Figure 2 is a cross-sectional view showing a package for an image sensor according to an embodiment of the present invention.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 이미지 센서용 패키지 제작 과정을 설명하기 위한 평면도 및 A-A'선에 따른 단면도. 3A to 3D are plan views and cross-sectional views taken along line A-A 'illustrating a process for manufacturing a package for an image sensor according to the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서용 패키지를 도시한 단면도. Figure 4 is a cross-sectional view showing a package for an image sensor according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20 : 이미지 센서용 패키지 21 : 이미지 센서 칩20: Package for image sensor 21: Image sensor chip
21a : 본딩패드 I/A : 이미지 영역21a: Bonding pad I / A: Image area
30 : 유리판 31 : 회로패턴30: glass plate 31: circuit pattern
32 : 이방성 도전 물질 40 : 기판32: anisotropic conductive material 40: substrate
41 : 전극단자 50 : 범프41: electrode terminal 50: bump
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040043952A KR20050118833A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Package for image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040043952A KR20050118833A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Package for image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050118833A true KR20050118833A (en) | 2005-12-20 |
Family
ID=37291736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040043952A KR20050118833A (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Package for image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050118833A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763773B1 (en) * | 2006-08-29 | 2007-10-05 | (주)제이텍 반도체 | Chip scale package and method of manufacturing the same |
| KR100820913B1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-04-10 | 최현규 | Semiconductor package, method of fabricating the same and semiconductor package module for image sensor |
| KR101022865B1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-16 | 삼성전기주식회사 | Camera module |
| US8981514B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having a blocking pattern between a light transmissive cover and a substrate, and method for fabricating the same |
| CN108428690A (en) * | 2018-03-27 | 2018-08-21 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | A kind of encapsulating structure and packaging method of chip |
-
2004
- 2004-06-15 KR KR1020040043952A patent/KR20050118833A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100820913B1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-04-10 | 최현규 | Semiconductor package, method of fabricating the same and semiconductor package module for image sensor |
| KR100763773B1 (en) * | 2006-08-29 | 2007-10-05 | (주)제이텍 반도체 | Chip scale package and method of manufacturing the same |
| KR101022865B1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-16 | 삼성전기주식회사 | Camera module |
| US8981514B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package having a blocking pattern between a light transmissive cover and a substrate, and method for fabricating the same |
| CN108428690A (en) * | 2018-03-27 | 2018-08-21 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | A kind of encapsulating structure and packaging method of chip |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6686667B2 (en) | Image sensor semiconductor package with castellation | |
| US6740950B2 (en) | Optical device packages having improved conductor efficiency, optical coupling and thermal transfer | |
| US7138695B2 (en) | Image sensor module and method for fabricating the same | |
| EP1357606A1 (en) | Image sensor semiconductor package | |
| KR20140126598A (en) | semiconductor package and method for manufacturing of the same | |
| US6340839B1 (en) | Hybrid integrated circuit | |
| CN112786633A (en) | Sensor device | |
| US20130140664A1 (en) | Flip chip packaging structure | |
| TWI559464B (en) | Package module and its substrate structure | |
| JPH0730059A (en) | Multichip module | |
| KR20050118833A (en) | Package for image sensor | |
| TW201340798A (en) | Multi-chip package | |
| US20060211173A1 (en) | Package of image sensor device and formation thereof | |
| US7205095B1 (en) | Apparatus and method for packaging image sensing semiconductor chips | |
| KR100207902B1 (en) | Multi chip package using lead frame | |
| JPH05211256A (en) | Semiconductor device | |
| TWI606562B (en) | Electronic package structure | |
| JP3100560U (en) | Flip chip package structure of image sensor and its image sensor module | |
| TWI710093B (en) | Semiconductor package with a topping antenna | |
| KR100381841B1 (en) | semiconductor package and its manufacturing method | |
| TWI625077B (en) | Chip package structure | |
| KR100364979B1 (en) | Semiconductor device its manufacturing method | |
| JP2005159136A (en) | Cob mounting frame, package mounting frame, and semiconductor device | |
| JP2007234683A (en) | Semiconductor device, and its manufacturing method | |
| KR20010009995A (en) | Semiconductor package comprising substrate with slit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |