JP3100560U - Flip chip package structure of image sensor and its image sensor module - Google Patents
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Abstract
【課題】製品の信頼性を向上し、製造コストを低減できる映像センサーのフリップチップパッケージ構造とその映像センサーモジュールを提供する。
【解決手段】ガラス板20の下面に映像センサー用半導体チップ10の上面が当接され、映像センサー用半導体チップ10の上には多数の電子接点が設けられている。ガラス板20の下面には導電性連結回路21が形成されており、電子接点の位置に応じて同様の数量の第一ボンディングポイントが導電性連結回路21に形成され、それらの第一ボンディングポイントは電子接点と電気的に連結している。導電性連結回路21の第二ボンディングポイントはガラス板20の何れか一の側辺で集中されている。映像センサー用半導体チップ10以外のガラス板20の下面及びガラス板20の周面には遮蔽物24がカバーしている。
【選択図】図1A flip chip package structure of an image sensor capable of improving product reliability and reducing manufacturing cost and an image sensor module thereof are provided.
An upper surface of an image sensor semiconductor chip is in contact with a lower surface of a glass plate, and a large number of electronic contacts are provided on the image sensor semiconductor chip. A conductive connecting circuit 21 is formed on the lower surface of the glass plate 20, and a similar number of first bonding points are formed on the conductive connecting circuit 21 according to the positions of the electronic contacts. It is electrically connected to electronic contacts. The second bonding point of the conductive connection circuit 21 is concentrated on any one side of the glass plate 20. A shield 24 covers the lower surface of the glass plate 20 and the peripheral surface of the glass plate 20 other than the image sensor semiconductor chip 10.
[Selection diagram] Fig. 1
Description
本考案は、ガラス板の表面に電子回路を形成することにより、フリップチップ及び回路基板がそれにボンディングできる映像センサーのフリップチップパッケージ構造と、ガラス板の精密な輪郭により、レンズ組を精確に定位できる映像センサーモジュールとに関する。 The present invention forms an electronic circuit on the surface of a glass plate, thereby accurately positioning a lens set by a flip chip package structure of an image sensor to which a flip chip and a circuit board can be bonded, and a precise contour of the glass plate. The present invention relates to an image sensor module.
目下、映像センサーのパッケージ技術としては、セラミックパッケージ(CLCC)と、樹脂基板パッケージ(PLCC)と、C/F樹脂射出パッケージ(KLCC)とが広汎に応用されている。これらのパッケージ技術の主な共通の特徴は、チップをダイパッドに置いてから、ワイヤボンディングを実施するが、電子製品は軽薄短小化と、多機能化と、高速化などの要求の下で、電子素子の入出力用端子の数量が多くなってきており、厚さはもっと薄くなり、面積が小さくなってきている。回路基板での挿入孔の寸法の制限で挿入式部品が使用できなくなった後、表面粘着技術が開発された。表面粘着技術によれば、部品の入出力用端子の数量を増加でき、且つ部品の体積も減少できる。しかしながら、端子の距離の縮小は印刷回路基板の高密度化技術を超えたため、部品の端子の排列方式を周縁排列からアレイ排列に変更し、組立ての良品率を向上した。しかしながら、部品の入出力用端子の数量が増加するに従って、パッケージ体の寸法も増加するため、基板の半田不良や変形などの問題が発生し易い。上記の問題を解決するためのもっとも有効な方法は、チップ以外の樹脂部分をできる限りに縮小させる。なお、パッケージした部品の体積は、チップの寸法とほぼ同様になる場合には、チップの寸法に近似させようというパッケージの概念が生まれた。 Currently, ceramic packages (CLCC), resin substrate packages (PLCC), and C / F resin injection packages (KLCC) are widely applied as image sensor package technologies. The main common feature of these package technologies is to place the chip on the die pad and then perform wire bonding. However, electronic products are required to be lighter, thinner and shorter, have more functions, and have higher speeds. The number of input / output terminals of the device is increasing, and the thickness is becoming smaller and the area is becoming smaller. Surface adhesive technology was developed after insertion-type components became unusable due to limitations on the dimensions of the insertion holes in the circuit board. According to the surface adhesive technology, the number of input / output terminals of a component can be increased, and the volume of the component can be reduced. However, since the reduction in the distance of the terminals has exceeded the technology for increasing the density of the printed circuit board, the arrangement of the terminals of the components has been changed from the peripheral arrangement to the array arrangement, thereby improving the non-defective rate of assembly. However, as the number of input / output terminals of the component increases, the dimensions of the package also increase, so that problems such as poor soldering and deformation of the board are likely to occur. The most effective method for solving the above problem is to reduce the resin portion other than the chip as much as possible. When the volume of a packaged component is almost the same as the size of a chip, the concept of a package has been created to approximate the size of the chip.
だから、目下のパッケージ技術はフリップチップパッケージ方式に進展してきている。このパッケージ方式の製造プロセスは、バンプをウェーハの上に成長した後、基板にある電子接点と半田ボンディングすることが必要なので、チップの上面を基板に向かせることが必要になり、それは、映像センサーの感知ゾーンが開放状態でなければならないという前提条件を制限するため、フリップチップパッケージ方式は優れた電気特性を有し、より小さなパッケージ寸法を有し、チップの放熱特性が優れているが、映像センサーへの応用はやはり難しい。 Therefore, the current packaging technology is progressing to the flip-chip packaging method. This package-based manufacturing process requires bumps to be grown on the wafer and then solder-bonded to the electronic contacts on the board, so the top surface of the chip needs to be directed to the board, In order to limit the precondition that the sensing zone of the chip must be open, the flip-chip package method has excellent electrical characteristics, smaller package dimensions, and excellent heat dissipation characteristics of the chip. Application to sensors is still difficult.
図9に示すのは、従来の映像センサーのフリップチップパッケージ構造であり、上方にあるガラス板91の内面はライトマスクエッチング技術によって電子回路910が形成され、且つフリップチップ技術を利用し、スズ玉93によってチップ92をガラス板91の中央ゾーンにある電子接点と半田ボンディングし、なお、回路基板95の表面に粘着するために、ガラス板91の周辺にある電子接点には別々にスズ玉94が設けられている。このような設計の問題点は、ガラス板91の周辺に設けたスズ玉94の直径がチップの厚さよりも大きくないと、回路基板にボンディングしても信頼性が高くない。だから、各スズ玉の間の適当な距離を保持するために、ガラス板の面積を増大しなければならない。これは、映像センサーをカバーするレンズ組8の寸法に悪影響を与えるため、このようなフリップチップパッケージ技術は改善の余地が残っている。
FIG. 9 shows a flip-chip package structure of a conventional image sensor, in which an
本考案の主な目的は、上記の問題を解決するために、表面粘着パッケージ設備によって組立てを完成できることにより、生産設備の投資を低減し、製品の信頼性を向上し、製造コストを低減し、パッケージ体の体積を大幅に縮小できる映像センサーのフリップチップパッケージ構造とその映像センサーモジュールを提供する。 The main purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to be able to complete the assembly with the surface adhesive package equipment, reduce the investment of production equipment, improve the reliability of the product, reduce the manufacturing cost, Provided is a flip-chip package structure of an image sensor capable of greatly reducing the volume of a package, and an image sensor module thereof.
上記目的を達成するためになされた本考案の請求項1は、ガラス板の下面に映像センサー用半導体チップの上面が当接され、前記映像センサー用半導体チップの上には複数の電子接点が設けられていることと、前記ガラス板の下面には導電性連結回路が形成されており、前記映像センサー用半導体チップに形成された電子接点の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイントが前記導電性連結回路に形成され、それらの第一ボンディングポイントは前記電子接点と電気的に連結しており、なお、前記導電性連結回路の第二ボンディングポイントは前記ガラス板の一側辺で集中されていることと、前記映像センサー用半導体チップ以外のガラス板の下面及びガラス板の周面には遮蔽物がカバーしていることとを含むことを特徴とする映像センサーのフリップチップパッケージ構造であることを要旨としている。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device for an image sensor, wherein an upper surface of a semiconductor chip for an image sensor is in contact with a lower surface of a glass plate, and a plurality of electronic contacts are provided on the semiconductor chip for the image sensor. That is, a conductive connection circuit is formed on the lower surface of the glass plate, and a similar number of first bonding points are formed according to the positions of electronic contacts formed on the image sensor semiconductor chip. The first and second bonding points of the conductive connection circuit are formed in the conductive connection circuit, and the first bonding points of the conductive connection circuit are electrically connected to the electronic contacts. And that the lower surface of the glass plate other than the image sensor semiconductor chip and the peripheral surface of the glass plate are covered with a shielding object. It is summarized in that a flip-chip package structure of the image sensor.
本考案の請求項7では、ガラス板の下面に映像センサー用半導体チップの上面が当接され、前記映像センサー用半導体チップの上には複数の電子接点が設けられていることと、前記ガラス板の下面には導電性連結回路が形成されており、前記映像センサー用半導体チップに形成された電子接点の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイントが前記導電性連結回路に形成され、それらの第一ボンディングポイントは前記電子接点と電気的に連結しており、なお、前記導電性連結回路の第二ボンディングポイントは前記ガラス板の側辺で集中されていることと、レンズ組は支持座を有し、前記支持座はガラス板の上面に載っており、その底部から伸びたサイドウォールの厚さは少なくともガラス板の厚さと同様であり、前記サイドウォールはガラス板の三つの側辺をカバーし、開口を残しており、ガラス板に設けた導電性連結回路は前記開口から支持座の外に伸びていることとを含むことを特徴とする映像センサーモジュールであることを要旨としている。 According to claim 7 of the present invention, the upper surface of the image sensor semiconductor chip is in contact with the lower surface of the glass plate, and a plurality of electronic contacts are provided on the image sensor semiconductor chip; A conductive coupling circuit is formed on the lower surface of the semiconductor chip, and a similar number of first bonding points are formed in the conductive coupling circuit according to positions of electronic contacts formed on the image sensor semiconductor chip, The first bonding points are electrically connected to the electronic contacts, and the second bonding point of the conductive connection circuit is concentrated on the side of the glass plate, and the lens set is supported. The support seat rests on the upper surface of the glass plate, and the thickness of the sidewall extending from the bottom is at least the same as the thickness of the glass plate. The cover covers three sides of the glass plate, leaving an opening, and a conductive connecting circuit provided in the glass plate extends out of the support seat from the opening. The gist is that it is a video sensor module.
図1に合わせて、本考案に係る映像センサーのフリップチップパッケージ構造の第一実施例を詳細に説明する。この映像センサーのフリップチップパッケージ構造1は、ガラス板の下面に映像センサー用半導体チップ10の上面11が当接され、前記チップ10の周縁にゲル12を充填することにより、気密状態にし、前記映像センサー用半導体チップ10の上には多数のボンディングパッド111が設けられており、且つ各ボンディングパッド111の上にはスズ玉のような半田玉13が設けられていることと、前記ガラス板20の下面には導電性連結回路21が形成されており、前記映像センサー用半導体チップ10に形成されたボンディングパッド111の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイント22が前記導電性連結回路に形成され、それらの第一ボンディングポイント22は前記ボンディングパッド111と電気的に連結していることと、図3に示すように、前記導電性連結回路21の第二ボンディングポイント211は前記ガラス板20の何れか一の側辺で集中されていることと、前記映像センサー用半導体チップ10以外のガラス板20の下面及びガラス板20の周面には遮蔽物24がカバーしていることとを含む。
第一 With reference to FIG. 1, the first embodiment of the flip chip package structure of the image sensor according to the present invention will be described in detail. In the flip-
前記映像センサー用半導体チップ10以外のガラス板20の下面及びガラス板20の周面に前記遮蔽物24がカバーすることにより、光線がガラス板20の底部を透過して映像センサー用半導体チップ10の撮影品質に悪影響を与えることを回避でき、且つ映像センサー用半導体チップ10の周囲を気密状態にすることもできる。
By covering the lower surface of the
図2に合わせて、本考案に係る映像センサーのフリップチップパッケージ構造の第二実施例を詳細に説明する。この映像センサーのフリップチップパッケージ構造3は、ガラス板20の下面に映像センサー用半導体チップ30の上面31が当接され、前記チップ30の周縁にゲル12を充填することにより、気密状態にし、前記映像センサー用半導体チップ10の上には多数のバンプ311が設けられていることと、前記ガラス板20の下面には導電性連結回路21が形成されており、前記映像センサー用半導体チップ30に形成されたバンプ311の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイント22が前記導電性連結回路21に形成され、それらの第一ボンディングポイント22は前記バンプ311と電気的に連結しており、なお、前記導電性連結回路21の第二ボンディングポイント211は前記ガラス板20の何れか一の側辺で集中されていることと、前記映像センサー用半導体チップ30以外のガラス板20の下面及びガラス板20の周面には遮蔽物24がカバーしていることとを含む。
第二 Referring to FIG. 2, a second embodiment of the flip-chip package structure of the image sensor according to the present invention will be described in detail. The flip-
前記映像センサー用半導体チップ30以外のガラス板20の下面及びガラス板20の周面に前記遮蔽物24がカバーすることにより、光線がガラス板20の底部を透過して映像センサー用半導体チップ10の撮影品質に悪影響を与えることを回避でき、且つ映像センサー用半導体チップ10の周囲を気密状態にすることもできる。
By covering the lower surface of the
上記の二種類の映像センサーのフリップチップパッケージ構造の製造プロセスは、図5に示すように、大面積のガラス板2の何れか一の表面にライトマスクエッチング技術によって多数のセクションの導電性連結回路21を形成し、また、図6に示すように、表面粘着パッケージ設備によって、前記多数の第一ボンディングポイント22に映像センサー用半導体チップ10又は映像センサー用半導体チップ30をフリップチップ方式でボンディングする。そうすると、各第一ボンディングポイント22は映像センサー用半導体チップに形成したボンディングパッド又はバンプと電気的に連結する。
As shown in FIG. 5, the manufacturing process of the flip-chip package structure of the above two types of image sensors is performed by using a light mask etching technique on a surface of any one of the
最後に、前記ガラス板2に形成された各セクションを分割すると、多数のパッケージした映像センサーが完成する。そして、応用された製品の要求によって、映像センサー用半導体チップ30以外のガラス板20の下面に遮蔽物24をカバーするかどうかを決める。
Finally, when the sections formed on the
図1と図2に示す映像センサーのフリップチップパッケージ構造によれば、ガラス板の上にある導電性連結回路はエッチング工程によって形成されたため、極めて狭い幅の中に回路をレーアウトすることができ、チップ寸法に近似するパッケージ体積と極めて薄い厚さとを達成することができる。なお、前記導電性連結回路の第二ボンディングポイントはガラス板の何れか一の側辺で集中されたため、応用された製品にある回路基板と半田で接合することができ、且つ適宜なレーアウトによれば、これらの第二ボンディングポイントの間の隙間はより大きくなることができる。これは、回路基板との接合の信頼性を向上することができる。 According to the flip-chip package structure of the image sensor shown in FIGS. 1 and 2, since the conductive connection circuit on the glass plate is formed by an etching process, the circuit can be laid out in an extremely narrow width. A package volume close to the chip dimensions and a very thin thickness can be achieved. In addition, since the second bonding point of the conductive connection circuit is concentrated on any one side of the glass plate, it can be connected to a circuit board in an applied product by soldering, and an appropriate layout is used. If so, the gap between these second bonding points can be larger. This can improve the reliability of bonding with the circuit board.
勿論、本考案はいろんな設計の変化が可能である。例えば、ガラス板の何れか一の側辺で集中された導電性連結回路21の第二ボンディングポイント211の配列方式は、図3に示すように、距離を置いて並列してもいいし、図4に示すように、アレイ形態で分布してもいい。アレイ形態で分布した第二ボンディングポイント211は、映像センサー用半導体チップの端子が多くある場合に、導電性連結回路の第二ボンディングポイント211が過密になることを回避でき、回路基板との接合の信頼性を向上することができる。
Of course, the present invention allows various design changes. For example, the arrangement of the
一方、本考案は、マイクロプロセッサー(図示省略)に導電性連結回路をフリップチップ方式で接合させることにより、映像センサーをモジュール化することができる。
ひいては、本考案は、上記映像センサーのフリップチップパッケージ構造1及びフリップチップパッケージ構造3を利用して映像センサーモジュールを構成することもできる。図7と図8に示すように、レンズ組4は支持座40を有し、前記支持座40はガラス板20の上面に載っており、その底部から伸びたサイドウォール41の厚さは少なくともガラス板の厚さと同様であり、前記サイドウォール41はガラス板の三つの側辺をカバーし、開口411を残しており、ガラス板20に設けた導電性連結回路は前記開口411から支持座40の外に伸び、回路基板50と接合する。本考案は、場合によって、レンズ組のなかに光ろ過ガラスを組み込むことの代わりに、ガラス板の表面に光ろ過材料をメッキする。
On the other hand, according to the present invention, the image sensor can be modularized by connecting a conductive connection circuit to a microprocessor (not shown) in a flip-chip manner.
In addition, according to the present invention, an image sensor module can be configured using the flip
本考案によれば、次のような効果がある。
ガラス板の表面の平面精度は支持座の最高な取付け基準面を提供し、これにより、レンズ組の光軸は映像センサー用半導体チップの表面と精確に直交することができ、また、支持座のサイドウォールはガラス板の輪郭精度によりレンズ組の光軸が映像センサー用半導体チップの映像感知中心に合うことが組立て工程で簡単に達成できる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
The flatness of the surface of the glass plate provides the best mounting reference plane for the support seat, which allows the optical axis of the lens set to be exactly orthogonal to the surface of the semiconductor chip for the image sensor, In the side wall, it is easy to assemble in the assembling process that the optical axis of the lens set is aligned with the image sensing center of the semiconductor chip for the image sensor due to the contour accuracy of the glass plate.
1 映像センサーのフリップチップパッケージ構造、3 映像センサーのフリップチップパッケージ構造、4 レンズ組、10 映像センサー用半導体チップ、11 上面、12 ゲル、13 半田玉、20 ガラス板、21 導電性連結回路、22 第一ボンディングポイント、24 遮蔽物、30 映像センサー用半導体チップ、31 上面、40 支持座、41 サイドウォール、50 回路基板、111 ボンディングパッド、211 第二ボンディングポイント、311 バンプ 1 Flip chip package structure of image sensor, 3 Flip chip package structure of image sensor, 4 lens group, 10 chip semiconductor chip for image sensor, 11 top surface, 12 gel, 13 solder ball, 20 glass plate, 21 conductive coupling circuit, 22 1st bonding point, 24 ° shield, 30 ° image sensor semiconductor chip, 31 ° top surface, 40 ° support seat, 41 ° sidewall, 50 ° circuit board, 111 ° bonding pad, 211 ° second bonding point, 311 bump
Claims (13)
前記ガラス板の下面には導電性連結回路が形成されており、前記映像センサー用半導体チップに形成された電子接点の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイントが前記導電性連結回路に形成され、それらの第一ボンディングポイントは前記電子接点と電気的に連結しており、前記導電性連結回路の第二ボンディングポイントは前記ガラス板の何れか一の側辺で集中されていることと、
前記映像センサー用半導体チップ以外のガラス板の下面及びガラス板の周面には遮蔽物がカバーしていることと、
を含むことを特徴とする映像センサーのフリップチップパッケージ構造。 The upper surface of the image sensor semiconductor chip is in contact with the lower surface of the glass plate, and a plurality of electronic contacts are provided on the image sensor semiconductor chip,
A conductive connection circuit is formed on the lower surface of the glass plate, and a similar number of first bonding points are provided on the conductive connection circuit according to the positions of the electronic contacts formed on the image sensor semiconductor chip. Being formed, their first bonding points are electrically connected to the electronic contacts, and the second bonding points of the conductive connection circuit are concentrated on any one side of the glass plate. ,
A shielding object covers the lower surface of the glass plate and the peripheral surface of the glass plate other than the image sensor semiconductor chip,
A flip-chip package structure for an image sensor, characterized by including:
前記ガラス板の下面には導電性連結回路が形成されており、前記映像センサー用半導体チップに形成された電子接点の位置に応じて、同様の数量の第一ボンディングポイントが前記導電性連結回路に形成され、それらの第一ボンディングポイントは前記電子接点と電気的に連結しており、前記導電性連結回路の第二ボンディングポイントは前記ガラス板の何れか一の側辺で集中されていることと、
レンズ組は支持座を有し、前記支持座はガラス板の上面に載っており、その底部から伸びたサイドウォールの厚さは少なくともガラス板の厚さと同様であり、前記サイドウォールはガラス板の三つの側辺をカバーし、開口を残しており、ガラス板に設けた導電性連結回路は前記開口から支持座の外に伸びていることと、
を含むことを特徴とする映像センサーモジュール。 The upper surface of the image sensor semiconductor chip is in contact with the lower surface of the glass plate, and a plurality of electronic contacts are provided on the image sensor semiconductor chip,
A conductive connection circuit is formed on the lower surface of the glass plate, and a similar number of first bonding points are provided on the conductive connection circuit according to the positions of the electronic contacts formed on the image sensor semiconductor chip. Being formed, their first bonding points are electrically connected to the electronic contacts, and the second bonding points of the conductive connection circuit are concentrated on any one side of the glass plate. ,
The lens set has a support seat, the support seat rests on the upper surface of the glass plate, the thickness of the sidewall extending from the bottom is at least the same as the thickness of the glass plate, and the sidewall is formed of the glass plate. Covering three sides, leaving an opening, the conductive connection circuit provided in the glass plate extending out of the support seat from the opening,
An image sensor module comprising:
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CN116412779A (en) * | 2023-06-12 | 2023-07-11 | 南京中旭电子科技有限公司 | Processing method and device for Hall sensor package |
CN116412779B (en) * | 2023-06-12 | 2023-08-15 | 南京中旭电子科技有限公司 | Processing method and device for Hall sensor package |
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