KR20050117577A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법 Download PDF

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켄지 오가와
토시카주 와카바야시
토모히로 무라코소
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

배면 기판상에 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하여 구성되는 주 방전셀의 각각을 구획하고 또한, 주사 전극중 인접하는 2개의 주사 전극의 틈에 구성되는 프라이밍 방전셀을 구획하도록 설정한 융벽을 구비하고, 융벽의 정상부는 전면 기판에 접하도록 형성된다. 구동 방법은 홀수 라인 기입 기간에서는, 홀수 주사 전극(SCp)에는 주사 펄스(Va)를 순차 인가하고 짝수 주사 전극(SCp +1)에는 홀수 주사 전극(SCp)과의 사이에 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압(Vq)을 인가하고, 짝수 라인 기입 기간에 있어서는, 짝수 주사 전극(SCp +1)에는 주사 펄스(Va)를 순차 인가하고 홀수 주사 전극(SCp)에는 짝수 주사 전극(SCp +1)과의 사이에 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압(Vq)을 인가한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법{PLASMA DISPLAY PANEL DRIVE METHOD}
본 발명은 벽걸이형 TV나 대형 모니터 등에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP 혹은 패널이라고 함)은 대화면, 박형, 경량인 것을 특징으로 하는 시인성이 우수한 표시 디바이스이다.
PDP로서 대표적인 교류면 방전형 패널은 대향 배치된 전면판과 배면판과의 사이에 다수의 방전셀이 형성되어 있다. 전면판은 주사 전극과 유지 전극으로 이루어진 표시 전극이 전면 글라스 기판상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은 배면 글라스 기판상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그들을 덮도록 유전체층과, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 융벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 융벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다. 그리고, 표시 전극과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되고, 내부의 방전 공간에는 방전 가스가 봉입되어 있다. 이와 같은 구성의 패널에 있어서, 각 방전셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 RGB 각 색의 형광체를 여기 발광시켜서 컬러 표시를 행하고 있다.
패널을 구동하는 방법으로서는 서브 필드법, 즉 1 필드 기간을 복수의 서브 필드로 분할한 상태에서, 발광시키는 서브 필드의 조합에 의해 계조 표시를 행하는 방법이 일반적이다. 여기서, 각 서브 필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 가진다.
초기화 기간에서는 모든 방전셀에서 일제히 초기화 방전을 행하고 그 이전의 개개의 방전셀에 대한 벽전하의 이력을 지우고 또한, 이어지는 기입 동작을 위하여 필요한 벽전하를 형성한다. 이에 부가하여 방전 지연을 작게 하고 기입 방전을 안전하게 발생시키기 위한 프라이밍(방전을 위한 기폭제=여기 입자)을 발생시키는 작용을 가진다. 기입 기간에는 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하고 또한, 데이터 전극에는 표시해야 하는 화상 신호에 대응한 기입 펄스를 인가하고, 주사 전극과 데이터 전극과의 사이에서 선택적으로 기입 방전을 일으켜서 선택적인 벽전하 형성을 행한다. 이어지는 유지 기간에는 주사 전극과 유지 전극과의 사이에 소정 회수의 유지 펄스를 인가하고, 기입 방전에 의한 벽전하 형성을 행한 방전셀을 선택적으로 방전시켜 발광시킨다.
이와 같이 화상을 정확하게 표시하기 위해서는 기입 기간에서의 선택적인 기입 방전을 확실히 행하는 것이 중요하지만, 회로 구성상의 제약으로부터 기입 펄스에 높은 전압을 사용할 수 없는 점, 데이터 전극 상에 형성된 형광체층이 방전을 일으키기 어렵게 하고 있는 점 등, 기입 방전에 관해서는 방전 지연을 크게 하는 요인이 많다. 따라서, 기입 방전을 안정되게 발생시키기 위한 프라이밍이 대단히 중요해진다.
그러나, 방전에 의해 발생하는 프라이밍은 시간의 경과와 함께 급속히 감소한다. 이 때문에, 상술한 패널의 구동 방법에 있어서, 초기화 방전으로부터 긴 시간이 경과한 기입 방전에 대해서는 초기화 방전으로 발생한 프라이밍이 부족하여 방전 지연이 커지고, 기입 동작이 불안정해져서 화상 표시 품질이 저하되는 문제가 있었다. 혹은, 기입 동작을 안정되게 행하기 위하여 기입 시간을 길게 설정하여, 그 결과 기입 기간에 소비하는 시간이 너무 커져 버리는 문제가 있었다.
이들 문제를 해결하기 위하여, 패널의 전면판에 설치한 프라이밍 방전셀을 이용하여 프라이밍을 발생시켜 방전 지연을 작게 하는 패널과 그 구동 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특개 2002-150949호 공보 참조).
그러나, 상술한 패널에서는, 인접하는 방전셀이 상호 간섭을 일으키기 쉽고, 특히 기입 기간에 있어서, 인접하는 방전셀의 기입 방전에 수반하여 발생하는 프라이밍의 영향을 받아서 기입 오류, 혹은 기입 불량을 발생시킬 우려가 있어, 그 때문에 기입 동작의 구동 전압 마진이 좁아지는 과제가 있었다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 이러한 과제를 감안하여 행해진 것으로서, 기입 동작의 구동 전압 마진을 좁히지 않고 기입 방전을 안정되게 발생시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에서의 패널의 구조를 나타내는 분해사시도.
도 2는 동 패널의 단면도.
도 3은 동 패널의 전극 배열도.
도 4는 동 패널의 구동 파형도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에서의 패널의 구동 파형도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
21 전면 기판
22 주사 전극
22a, 23a 투명 전극
22b, 23b 금속 모선
22b' 돌출 부분
23 유지 전극
24 유전체층
25 보호층
28 광흡수층
31 배면 기판
32 데이터 전극
33 유전체층
34 융벽
34a 종벽부
34b 횡벽부
35 형광체층
40 주 방전셀
41 틈새부
41a 프라이밍 방전셀
41b (유지측) 틈새부
본 발명은 제 1 기판과, 제 1 기판상에 있고 2개씩 교대로, 또한 평행하게 배치한 주사 전극 및 유지 전극으로 이루어진 복수의 표시 전극쌍과, 방전 공간을 사이에 두고 제 1 기판에 대향 배치되는 제 2 기판과, 제 2 기판상에 있고 표시 전극쌍과 교차하는 방향에 배치한 복수의 데이터 전극과, 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에 있고 표시 전극쌍과 데이터 전극에 의해 구성된 주(主) 방전을 발생시키는 주 방전셀 및 복수의 주사 전극중 인접하는 2개의 주사 전극에 의해 프라이밍 방전을 발생시키는 프라이밍 방전셀을 구획하도록 설치한 융벽을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서, 1 필드를 초기화 기간, 기입 기간, 유지 기간을 가지는 복수의 서브 필드로 구성하고, 기입 기간은 홀수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 홀수 라인 기입 기간과, 짝수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 짝수 라인 기입 기간을 가지고, 홀수 라인 기입 기간에 있어서, 홀수번째의 주사 전극에는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 짝수번째의 주사 전극에는 주사 펄스를 인가한 홀수번째의 주사전극과의 사이에 프라이밍 방전셀 내에서 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압을 인가하고, 짝수 라인 기입 기간에 있어서, 짝수번째의 주사 전극에는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 홀수번째의 주사전극에는 주사 펄스를 인가한 짝수번째의 주사 전극과의 사이에 프라이밍 방전셀 내에서 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.
(제 1 실시예)
이하, 본 발명의 제 1 실시예에서의 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에서의 패널의 구조를 나타내는 분해사시도이고, 도 2는 동 패널의 단면도이다. 제 1 기판인 글라스로 된 전면 기판(21)과 제 2 기판인 배면 기판(31)이 방전 공간을 사이에 두고 대향 배치되고, 방전 공간에는 방전에 의해 자외선을 방사하는 네온 및 크세논의 혼합 가스가 봉입되어 있다.
전면 기판(21) 상에는 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어진 표시 전극쌍이 서로 평행하게 복수쌍 형성되어 있다. 이때, 주사 전극(22), 유지 전극(23)은 유지 전극(23)-주사 전극(22)-주사 전극(22)-유지 전극(23)-‥‥이 되도록 2개씩 교대로 배열되어 있다. 주사 전극(22)과 유지 전극(23)은 각각 투명 전극(22a, 23a)과, 투명 전극(22a, 23a) 상에 형성된 금속모선(22b, 23b)으로 구성되어 있다. 주사 전극(22)-주사 전극(22) 간, 및 유지 전극(23)-유지 전극(23) 간에는 흑색 재료로 이루어진 광흡수층(28)이 설치되어 있다. 주사 전극(22)의 금속모선(22b)의 돌출 부분(22b')은 광흡수층(28) 상까지 돌출하여 형성되어 있다. 그리고, 이들 주사 전극(22), 유지 전극(23) 및 광흡수층(28)을 덮도록 유전체층(24) 및 보호층(25)이 형성되어 있다.
배면 기판(31) 상에는 주사 전극(22) 및 유지 전극(23)이 교차하는 방향에 데이터 전극(32)이 서로 평행하게 복수 형성되고, 그리고 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되어 있다. 그리고, 유전체층(33) 상에 주 방전셀(40)을 구획하기 위한 융벽(34)이 형성되어 있다.
융벽(34)은 데이터 전극(32)과 평행한 방향으로 연장되는 종벽부(34a)와, 주 방전셀(40)을 형성하고 또한 주 방전셀(40)의 사이에 틈새부(41)를 형성하는 횡벽부(34b)로 구성되어 있다. 그 결과, 융벽(34)은 한 쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어진 표시 전극쌍을 따라 주 방전셀(40)을 복수 연결한 주 방전셀 행을 형성하고, 인접한 주 방전셀 행의 사이에 틈새부(41)를 형성한다. 틈새부(41)중, 2개의 주사 전극이 서로 인접하는 쪽에 위치하는 틈새부에는 돌출 부분(22b')이 형성되어 있고, 이 틈새부는 프라이밍 방전셀(41a)로서 작용한다. 즉, 틈새부(41)는 1개 간격으로 돌출 부분(22b')을 가지는 프라이밍 방전셀(41a)이 되어 있다. 또한, 틈새부(41b)는 2개의 유지 전극이 서로 인접하는 쪽에 위치하는 틈새부이다.
그리고, 이들 융벽(34)의 정상부는 전면 기판(21)에 접하도록 평탄하게 형성되어 있다. 이것은, 인접하는 방전셀의 상호 간섭을 방지하기 위해서이고, 특히 기입 기간에 있어서 인접하는 방전셀의 기입 방전에 수반하여 발생하는 프라이밍의 영향을 받아서 기입 오류를 발생시키는 등의 오동작을 방지하기 위해서이다. 또한 프라이밍 방전에 수반하여 프라이밍 방전셀(41a)에 인접하는 주 방전셀(40)의 벽전하가 감소하여 기입 불량을 발생시키는 등의 오동작을 방지하기 위해서이다. 본 발명의 제 1 실시예에서는 융벽(34)의 단차가 10㎛ 이하가 되도록 형성하고 있다. 이 값은 10㎛ 이상에서 서로 인접하는 주 방전셀(40)간의 상호 간섭이 발생하고 프라이밍 방전셀(41a)과 주 방전셀(40)과의 상호 간섭도 발생한다는 실험 결과에 근거한 값이다.
그리고, 융벽(34)에 의해 구획된 주 방전셀(40)에 대응하는 유전체층(33)의 표면과 융벽(34)의 측면에 형광체층(35)이 설치되어 있다. 또한, 도 1에서는 틈새부(41) 측에 형광체층(35)을 형성하지 않고 있는데, 형광체층(35)을 형성하는 구성으로 해도 무방하다.
또한, 상술한 설명에서는 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되어 있지만, 이 유전체층(33)은 형성하지 않아도 무방하다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에서의 패널의 전극 배열도이다. 열 방향으로 m열의 데이터 전극(D1~Dm;도 1의 데이터 전극(32))이 배열되고, 행 방향으로 n행의 주사 전극(SC1~SCn;도 1의 주사 전극(22))과 n행의 유지 전극(SU1~SUn;도 1의 유지 전극(23))이 유지 전극(SU1)-주사 전극(SC1)-주사 전극(SC2)-유지 전극(SU2)-‥‥이 되도록 2개씩 교대로 배열되어 있다. 그리고, 본 발명의 제 1 실시예에서는 서로 인접하는 주사 전극(SCP, SCP +1(P=홀수))의 돌출 부분(도 1의 돌출 부분(22b'))의 사이에서 프라이밍 방전을 행한다.
그리고, 한 쌍의 주사 전극(SCi), 유지 전극(SUi(i=1~n))과 1 개의 데이터 전극(Dj(j=1~m))을 포함하는 주 방전셀(Ci,j;도 1의 주 방전셀(40))이 방전 공간 내에 m×n 개 형성된다. 또한, 주사 전극(SCP)의 돌출 부분과 주사 전극(SCp +1)의 돌출 부분을 포함하는 프라이밍 방전셀(PSp;도 1의 프라이밍 발전셀(41a))이 형성된다.
다음으로 패널을 구동하기 위한 구동 파형과 그 타이밍에 대하여 패널의 동작과 함께 설명한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에서의 패널의 구동 파형도이다. 이와 같이 제1 실시예에서는 1 필드 기간이 초기화 기간, 기입 기간, 유지 기간을 가지는 복수의 서브 필드로 구성되어 있고, 기입 기간은 홀수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 홀수 라인 기입 기간과, 짝수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 짝수 라인 기입 기간을 가지고, 홀수번째의 주사 전극(이하, 홀수 주사 전극이라고 함)과 짝수번째의 주사 전극(이하, 짝수 주사 전극이라고 함)과의 기입 동작을 시간적으로 분리하여 행한다. 이것은 이하에 상세히 설명하는 바와 같이, 벽전하를 이용하여 프라이밍 방전을 순차적으로 계속하여 안정되게 발생시키기 위해서이다. 또한, 이에 따라 방전셀의 상호 작용의 영향, 특히 기입 기간에서 수직 방향으로 인접하는 주 방전셀의 영향을 작게 할 수도 있다.
먼저, 초기화 기간 전반부에서는 데이터 전극(D1~Dm) 및 유지 전극(SU1~SUn)을 각각 0(V)으로 유지하고 주사 전극(SC1~SCn)에는 유지 전극(SU1~SUn)에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압(Vi1)으로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi2)을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 경사 파형 전압이 상승하는 사이에, 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn), 데이터 전극(D1~Dm)과의 사이에 각각 1회째의 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1~SCn) 상부에 부(負)의 벽전압이 축적됨과 동시에, 데이터 전극(D1~Dm) 상부 및 유지 전극(SU1~SUn) 상부에는 정(正)의 벽전압이 축적된다. 여기서, 전극상부의 벽전압이라는 것은 전극을 덮는 유전체층상 혹은 형광체층상에 축적된 벽전하에 의해 발생하는 전압을 나타낸다. 이 때, 주사 전극(SC1~SCn)은 동전위이기 때문에 프라이밍 방전셀(PSp)에서는 방전이 발생하지 않는다.
초기화 기간 후반부에서는 유지 전극(SU1~SUn)을 정전압(Ve)으로 유지하고, 주사 전극(SC1~SCn)에는 유지 전극(SU1~SUn)에 대하여 방전 개시 전압 이하가 되는 전압(Vi3)으로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 사이에, 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn), 데이터 전극(D1~Dm)과의 사이에서 각각 2회째의 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1~SCn) 상부의 부의 벽전압 및 유지 전극(SU1~SUn) 상부의 정의 벽전압이 약화되고 데이터 전극(D1~Dm) 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이 때에도 주사 전극(SC1~SCn)은 동 전위이기 때문에 프라이밍 방전셀(PSp)에서는 방전이 발생하지 않는다. 이상에 의해 초기화 동작이 종료된다.
홀수 라인 기입 기간에서는 홀수 주사 전극(SCp)을 일단 전압(Vc)으로 유지한다. 그리고, 짝수 주사 전극(SCP +1)에는 인접하는 홀수 주사 전극(SCp)과의 사이에서 프라이밍 방전셀(PSp) 내부에 방전을 발생시키기 위한 전압(Vq)을 인가한다. 다음으로, 1회째의 주사 전극(SC1)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하면 프라이밍 방전셀(PS1) 내에서 2회째의 주사 전극(SC2)과의 사이에서 프라이밍 방전이 발생하고, 주 방전셀(C1 ,1~C1 ,m) 내부에 프라이밍이 공급된다. 이때, 표시해야 하는 화상 신호에 대응하는 데이터 전극(Dk(k는 1~m의 정수))에 정의 입력 펄스(Vd)를 인가하면 데이터 전극(Dk)과 주사 전극(SC1)과의 교차부에서 방전이 발생하고, 대응하는 주 방전셀(C1 ,k)의 유지 전극(SU1)과 주사 전극(SC1)과의 사이의 방전으로 진전한다. 그리고, 주 방전셀(C1 ,k) 내의 주사 전극(SC1) 상부에 정의 벽전압이 축적되고, 유지 전극(SU1) 상부에 부의 벽전압이 축적되어 1회째의 기입 동작이 종료된다. 또한, 이 때, 프라이밍 방전셀(PS1) 내부의 주사 전극(SC1) 상부에는 정의 벽전압이 축적되고 주사 전극(SC2) 상부에는 부의 벽전압이 축적된다.
이하 마찬가지로 홀수번째의 주 방전셀(C3 , k, C5 , k, ‥‥)에 대하여 기입 동작을 행한다.
짝수 라인 기입 기간에서는 짝수 주사 전극(SCp +1)을 일단 전압(Vc)으로 유지한다. 그리고, 홀수 주사 전극(SCp)에는 인접하는 홀수번째의 주사 전극(SCp +1)과의 사이에서 프라이밍 방전셀(PSp) 내부에 방전을 발생시키기 위한 전압(Vq)을 인가한다. 그리고, 2회째의 주사 전극(SC2)에 주사 펄스 전압(Va)을 인가하면 프라이밍 방전셀(PS1) 내에 있어서, 1회째의 주사 전극(SC1)과의 사이에서 프라이밍 방전이 발생한다. 이때의 방전은 프라이밍 방전셀(PS1) 내부의 주사 전극(SC1) 상부에 축적된 정의 벽전압, 주사 전극(SC2) 상부에 축적된 부의 벽전압이 가산되기 때문에 방전 지연이 적고 안정된 방전이 된다. 그리고, 주 방전셀(C2 ,1~C2 , m) 내부에 프라이밍이 공급된다. 이 때, 표시해야하는 화상 신호에 대응하는 데이터 전극(Dk)에 정의 입력 펄스(Vd)를 인가하면 데이터 전극(Dk)과 주사 전극(SC2)과의 교차부에서 방전이 발생하고, 대응하는 주 방전셀(C2 , k)의 유지 전극(SU2)과 주사 전극(SC2)과의 사이의 방전으로 진전한다. 그리고, 주 방전셀(C2 , k) 내의 주사 전극(SC2) 상부에 정의 벽전압이 축적되고 유지 전극(SU2) 상부에 부의 벽전압이 축적되어 2회째의 기입 동작이 종료된다. 또한, 프라이밍 방전셀(PS1) 내부의 벽전압은 반전하고, 프라이밍 방전셀(PS1) 내부의 주사 전극(SC1) 상부에는 부의 벽전압, 주사 전극(SC2) 상부에는 정의 벽전압이 축적된다.
이하 마찬가지로 짝수번째의 주 방전셀(C4 , k, C6 , k‥‥)에 대하여 기입 동작을 행하고 기입 기간을 종료한다.
유지 기간에서는 주사 전극(SC1~SCn) 및 유지 전극(SU1~SUn)을 0(V)으로 일단 되돌린 후, 주사 전극(SC1~SCn)에 정의 유지 펄스 전압(Vs)을 인가한다. 이 때, 기입 방전을 일으킨 방전셀(Ci , k)에서의 주사 전극(SCi) 상부와 유지 전극(SUi) 상부와의 사이의 전압은, 정의 유지 펄스 전압(Vs)에 부가하여 기입 기간에 있어서 주사 전극(SCi) 상부 및 유지 전극(SUi) 상부에 축적된 벽전압이 가산되어 방전 개시 전압보다 커진다. 이에 따라, 방전셀(Ci , k)에서 유지 방전이 발생한다. 이 후 마찬가지로 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn)에 유지 펄스를 교대로 인가함으로써 기입 방전을 일으킨 방전셀(Ci , k)에 대하여 유지 펄스의 회수만큼 유지 방전이 계속해서 행해진다. 이 때, 주사 전극(SC1~SCn)은 동전위이기 때문에 프라이밍 방전셀(PSp)에서는 방전이 발생하지 않는다.
이어지는 서브 필드의 초기화 기간에서는 유지 전극(SU1~SUn)을 정전압(Ve)으로 유지하고 주사 전극(SC1~SCn)에는 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 그러면 유지 방전을 행했던 주 방전셀(C1 , k)의 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn), 데이터 전극(D1~Dm)과의 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1~SCn) 상부 및 유지 전극(SU1~SUn) 상부의 벽전압이 약해지고 데이터 전극(D1~Dm) 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이 때도 주사 전극(SC1~SCn)은 동전위이기 때문에 프라이밍 방전셀(PSp)에서는 방전이 발생하지 않는다.
이 후의 기입 기간, 유지 기간, 및 이어지는 서브 필드의 구동 파형 및 패널의 동작은 상술한 것과 동일하다.
여기서 기입 기간을 홀수 라인 기입 기간과 짝수 라인 기입 기간으로 나눈 이유에 대하여 설명하기 위하여, 프라이밍 방전셀의 동작에 주목하여 재차 설명한다. 프라이밍 방전셀(PSp) 내에서는 홀수 주사 전극(SCp)에 인가한 전압과 짝수 주사 전극(SCp +1)에 인가한 전압이 다른 경우에만 방전이 발생하므로 기입 기간에만 주목하면 된다.
먼저 최초의 서브 필드의 홀수 라인 기입 기간에서는 홀수 주사 전극(SCp)에 부전압의 주사 전압 펄스(Va)를 인가하고, 짝수 주사 전극(SCP +1)에 정전압 Vq를 인가하여 프라이밍 방전을 발생시킨다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 홀수 주사 전극(SCp) 상에 정의 벽전압, 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에 부의 벽전압이 축적된다.
이어지는 짝수 라인 기입 기간에서는 부의 벽전압이 축적되어 있는 짝수 주사 전극(SCp +1)에 또 부전압의 주사 전압 펄스(Va)를 인가하고, 정의 벽전압이 축적되어 있는 홀수 주사 전극(SCp)에 또 정전압 Vq을 인가하여 프라이밍 방전을 발생시킨다. 이와 같이, 이 때의 프라이밍 방전은 전극에 인가한 전압에 또 벽전압이 가산되기 때문에 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에 정의 벽전압, 홀수 주사 전극(SCp) 상에 부의 벽전압이 축적된다.
다음 서브 필드의 홀수 라인 기입 기간에서는 부의 벽전압이 축적되어 있는 홀수 주사 전극(SCp)에 또 부전압의 주사 전압 펄스(Va)를 인가하고, 정의 벽전압이 축적되어 있는 짝수 주사 전극(SCp +1)에 또 정전압(Vq)을 인가하여 프라이밍 방전을 발생시킨다. 따라서, 이 때의 프라이밍 방전도 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 홀수 주사 전극(SCp) 상에 정의 벽전압, 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에 부의 벽전압이 축적된다.
이후 마찬가지로 벽전압이 항상 프라이밍 방전을 강하게 하도록 작용하기 때문에, 프라이밍 방전은 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다. 이와 같이 기입 기간을 홀수 라인 기입 기간과 짝수 라인 기입 기간으로 나눔으로써 프라이밍 방전을 방전 지연이 적은 안정된 방전으로 할 수 있다.
또한, 상술한 동작 설명에서는, 최초의 서브 필드의 초기화 기간은 모든 주 방전셀에서 초기화 방전을 행하는 전(全) 셀 초기화 동작을 행하고, 다음 서브 필드 이후의 초기화 기간은 유지 방전을 행했던 주 방전셀을 선택적으로 초기화하는 선택 초기화 동작을 행하는 것으로서 설명하였지만, 이들 초기화 동작은 임의로 조합해도 무방하다.
(제 2 실시예)
본 발명의 제 2 실시예에서의 패널의 구조는 제 1 실시예와 동일하다. 또한 구동 방법에 있어서도, 기입 기간으로서 홀수 라인 기입 기간과 짝수 라인 기입 기간을 가지고, 이들을 시간적으로 분리하여 행하는 것도 제 1 실시예와 동일하다. 제 2 실시예가 제 1 실시예와 다른 점은, 초기화 기간에 대해서도 홀수 라인 초기화 기간과 짝수 라인 초기화 기간을 시간적으로 분리하여 설정한 서브 필드를 가지는 것이다. 즉, 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 서브 필드에 있어서, 홀수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 초기화 동작을 행하는 홀수 라인 초기화 기간과, 짝수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 초기화 동작을 행하는 짝수 라인 초기화 동작을 가지고, 홀수 라인 기입 기간의 직전에 홀수 라인 초기화 기간을 설정하고, 짝수 라인 기입 기간의 직전에 짝수 라인 초기화 기간을 설정한 것이다.
다음으로 패널을 구동하기 위한 구동 파형과 그 타이밍에 대하여 패널의 동작과 함께 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에서의 패널의 구동 파형도이다.
먼저, 홀수 라인 초기화 기간의 전반부에서는 데이터 전극(D1~Dm) 및 유지 전극(SU1~SUn)을 각각 0(V)로 유지하고, 홀수 주사 전극(SCp)에는 전압(Vi1)으로부터 전압(Vi2)을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 사이에 홀수번째의 주 방전셀 내에서는 1회째의 미약한 초기화 방전이 일어나고, 홀수 주사 전극(SCp) 상부에 부의 벽전압이 축적됨과 함께, 데이터 전극(D1~Dm) 상부 및 홀수 유지 전극(SUp) 상부에는 정의 벽전압이 축적된다. 그리고, 홀수 라인 초기화 기간의 후반부에서는 유지 전극(SU1~SUn)을 정전압(Ve)으로 유지하고 홀수 주사 전극(SCp)에는 전압(Vi3)로부터 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 사이에 홀수번째의 주 방전셀 내에서는 2회째의 미약한 초기화 방전이 일어나고, 홀수 주사 전극(SCp) 상부의 부의 벽전압 및 홀수 유지 전극(SUp) 상부의 정의 벽전압이 약해지고 데이터 전극(D1~Dm) 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다.
이상이 홀수번째의 주 방전셀 내부에서 발생하는 방전 및 그것에 수반되는 벽전압의 움직임이다. 또한, 짝수 라인측의 주 방전셀 내부에서는 방전이 발생하지 않는다.
이 때, 프라이밍 방전셀(PSp) 내부에서는 이하와 같은 방전과 벽전압의 움직임이 발생한다. 먼저, 홀수 라인 초기화 기간의 전반부에서는 짝수 주사 전극(SCp +1)을 0(V)으로 유지하고, 홀수 주사 전극(SCp)에 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi2)을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가하기 때문에, 홀수 주사 전극(SCp)과 짝수 주사 전극(SCp +1)과의 사이에서 각각 1회째의 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내부의 홀수 주사 전극(SCp) 상부에 부의 벽전압이 축적됨과 함께, 짝수 주사 전극(SCp +1) 상부에는 정의 벽전압이 축적된다. 홀수 라인 초기화 기간의 후반부에서는, 홀수 주사 전극(SCp)에는 전압(Vi3)로부터 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 그러나, 짝수 주사 전극(SCp+1)에는 방전을 억제하기 위한 전압(Vr)을 인가하기 때문에 방전은 발생하지 않거나 발생해도 벽전하를 크게는 감소시키지 않는다.
이와 같이 홀수 라인 기입 기간에 앞서서 프라이밍 방전셀(PSp) 내부의 홀수 주사 전극(SCp) 상에는 부의 벽전압이 축적되고 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에는 정의 벽전압이 축적된다.
이어지는 홀수 라인 기입 기간에서는 이미 부의 벽전압이 축적되어 있는 홀수 주사 전극(SCp)에 또 부전압의 주사 전압 펄스(Va)를 인가하고, 이미 정의 벽전압이 축적되어 있는 짝수 주사 전극(SCp +1)에 또 정전압(Vq)을 인가하여 프라이밍 방전을 발생시킨다. 따라서, 최초의 서브 필드에서의 기입 기간의 프라이밍 방전도 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 홀수 주사 전극(SCp) 상에 정의 벽전압, 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에 부의 벽전압이 축적된다.
다음으로, 짝수 라인 초기화 기간의 전반부에서는 데이터 전극(D1~Dm) 및 유지 전극(SU1~SUn)을 각각 0(V)로 유지하고, 짝수 주사 전극(SCp +1)에는 전압(Vi1)으로부터 전압(Vi2)을 향하여 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다. 그리고, 짝수 라인 초기화 기간의 후반부에서는 유지 전극(SU1~SUn)을 정전압(Ve)으로 유지하고, 짝수 주사 전극(SCp)에는 전압(Vi3)으로부터 전압(Vi4)을 향하여 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 사이에 짝수번째의 주 방전셀 내에서는 홀수번째의 주 방전셀과 동일한 초기화 동작이 행해진다. 또한, 짝수번째의 주 방전셀 내부에서는 방전이 발생하지 않는다.
이 때, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 홀수 주사 전극(SCp) 상에는 정의 벽전압, 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에는 부의 벽전압이 축적되어 있기 때문에, 짝수 라인 초기화 기간의 전반부에서 짝수 주사 전극(SCp +1)에 상승하는 경사 파형 전압을 인가해도 벽전압이 이 전압을 취소하는 방향으로 작용하기 때문에 방전은 발생하지 않거나, 발생해도 벽전하를 크게는 감소시키지 않는다. 또한, 짝수 라인 초기화 기간의 후반부에서 짝수 주사 전극(SCp +1)에 하강하는 경사 파형 전압을 인가해도 홀수 주사 전극(SCp)에 방전을 억제하기 위한 전압(Vr)을 인가하기 때문에 방전은 발생하지 않거나, 발생해도 벽전하를 크게는 감소시키지 않는다.
이어지는 짝수 라인 기입 기간에서는 부의 벽전압이 축적되어 있는 짝수 주사 전극(SCp +1)에 또 부전압의 주사 전압 펄스(Va)를 인가하고, 정의 벽전압이 축적되어 있는 홀수 주사 전극(SCp)에 또 정전압(Vq)을 인가하여 프라이밍 방전을 발생시킨다. 이와 같이, 이 때의 프라이밍 방전도, 전극에 인가한 전압에 또 벽전압이 가산되기 때문에 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다. 그리고, 프라이밍 방전셀(PSp) 내의 짝수 주사 전극(SCp +1) 상에 정의 벽전압, 홀수 주사 전극(SCp) 상에 부의 벽전압이 축적된다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서의 패널의 구동 방법에 따르면, 초기화 기간에 대해서도 홀수 라인 초기화 기간과 짝수 라인 초기화 기간을 시간적으로 분리하여 설정한 서브 필드를 가짐으로써, 최초의 서브 필드에서의 기입 기간의 프라이밍 방전도 방전 지연이 적은 안정된 방전이 된다.
또한, 모든 서브 필드에 대하여 홀수 라인 초기화 기간과 짝수 라인 초기화 기간을 설정할 필요는 없고, 예를 들면, 1 필드에 1회, 혹은 수 필드에 1회 설정하는 것만으로 프라이밍 방전을 안정화할 수 있다.
본 발명에 따르면 기입 동작의 구동 전압 마진을 좁히지 않고 기입 방전을 안정되게 발생시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 입력 동작의 구동 전압 마진을 좁히지 않고 기입 방전을 안정되게 발생시킬 수 있으므로 벽걸이형 TV나 대형 모니터 등에 이용되는 패널의 구동 방법으로서 유용하다.

Claims (2)

  1. 제 1 기판과, 상기 제 1 기판상에 있고 2개씩 교대로 또한 평행하게 배치한 주사 전극 및 유지 전극으로 이루어지는 복수의 표시 전극쌍과, 방전 공간을 사이에 두고 상기 제 1 기판에 대향 배치되는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판상에 있고 상기 표시 전극쌍과 교차하는 방향으로 배치한 복수의 데이터 전극과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에 있고 표시 전극쌍과 데이터 전극에 의해 구성된 주 방전을 발생시키는 주 방전셀과, 상기 복수의 주사 전극중 인접하는 2개의 주사 전극에 의해 프라이밍 방전을 발생시키는 프라이밍 방전셀을 구획하도록 설정한 융벽을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로서,
    1 필드를 초기화 기간, 기입 기간, 유지 기간을 가지는 복수의 서브 필드로 구성하고,
    상기 기입 기간은 홀수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 홀수 라인 기입 기간과, 짝수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 기입 동작을 행하는 짝수 라인 기입 기간을 가지고,
    상기 홀수 라인 기입 기간에 있어서, 홀수번째의 주사 전극에는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 짝수번째의 주사 전극에는 상기 주사 펄스를 인가한 홀수번째의 주사 전극과의 사이에 상기 프라이밍 방전셀 내에서 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압을 인가하고,
    상기 짝수 라인 기입 기간에 있어서, 짝수번째의 주사 전극에는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고 홀수번째의 주사 전극에는 상기 주사 펄스를 인가한 짝수번째의 주사 전극과의 사이에 상기 프라이밍 방전셀 내에서 프라이밍 방전을 발생시키기 위한 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 복수의 서브 필드중 적어도 1개의 서브 필드에 있어서, 초기화 기간은 홀수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 초기화 동작을 행하는 홀수 라인 초기화 기간과, 짝수번째의 주사 전극을 가지는 주 방전셀의 초기화 동작을 행하는 짝수 라인 초기화 기간을 가지고,
    상기 홀수 라인 입력 기간의 직전에 상기 홀수 라인 초기화 기간을 설정하고, 상기 짝수 라인 입력 기간의 직전에 상기 짝수 라인 초기화 기간을 설정한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법.
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