KR20050115494A

KR20050115494A - Dual organic electroluminescence display pannel and fabrication method for the same

Info

Publication number: KR20050115494A
Application number: KR1020040040467A
Authority: KR
Inventors: 김승태; 김홍규
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2004-06-03
Filing date: 2004-06-03
Publication date: 2005-12-08
Also published as: KR100617114B1

Abstract

본 발명은 유기 EL에 관한 것으로, 특히 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널에 관한 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널은 기판 상에 화소 구동부가 형성된 유기 EL에 있어서, 상기 유기 EL은 상기 하나의 화소 구동부로 배면발광 및 전면발광이 동시에 구동되도록 복수의 화소 전극과 복수의 공통전극으로 구성된다. The present invention relates to an organic EL, and more particularly to a dual type organic EL display panel. As described above, in the dual type organic EL display panel according to the present invention, in the organic EL having the pixel driver formed on the substrate, the organic EL includes a plurality of pixel electrodes and a plurality of pixels such that back emission and front emission are simultaneously driven by the single pixel driver. It consists of a common electrode.

Description

Dual organic electroluminescence display pannel and fabrication method for the same

본 발명은 유기 EL에 관한 것으로 특히 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic EL, and more particularly to a dual type organic EL display panel and a manufacturing method thereof.

일반적으로 매트릭스형 유기 EL 소자(Active Matrix Organic ElectroLuminescence Device : AMOELD)의 화소 부분은 크게 각 화소 부분을 스위칭 해 주는 스위칭용 박막트랜지스터, 구동용 박막트랜지스터, 저장 커패시터(capacitor), 화소전극(anode), 유기물층, 공통전극(cathod)으로 구성된다. In general, the pixel portion of an active matrix organic electroluminescence device (AMOELD) is a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, a driving capacitor, a storage capacitor, an anode, It is composed of an organic material layer and a common electrode (cathod).

이중 구동용 박막트랜지스터를 기준으로 한 종래 기술에 다른 화소의 단면을 도 1에 도시하였다. FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel different from the related art based on a dual driving thin film transistor.

종래의 유기 EL 소자는 도 1에 나타낸 바와 같이 유기 기판(1)상에 각각 다수 개로 형성된 화소전극(8) 및 공통 전극(메탈 공통전극)(15)에 교차하는 영역에 의해 정의되는 다수개의 화소에 형성되는 유기 발광층(12)과, 상기 유리 기판(1)상에 형성되며 그 드레인 전극이 상기 화소전극(8)에 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터(A)와, 상기 화소전극(8)과 유기 발광층(12) 사이에 적층 형성된 정공주입층(10), 정공 전달층(11)과, 상기 유기 발광층(12)과 메탈 공통전극(15)사이에 적층 형성된 전자전달층(13), 전자주입층(14)으로 구성된다. As shown in FIG. 1, a conventional organic EL device includes a plurality of pixels defined by regions intersecting a plurality of pixel electrodes 8 and a common electrode (metal common electrode) 15 each formed on a plurality of organic substrates 1. An organic light emitting layer 12 formed on the substrate, a thin film transistor A formed on the glass substrate 1 and having a drain electrode electrically connected to the pixel electrode 8, and the pixel electrode 8 and the organic light emitting layer 12. The hole injection layer 10 and the hole transport layer 11 formed between the light emitting layer 12 and the electron transport layer 13 and the electron injection layer stacked between the organic light emitting layer 12 and the metal common electrode 15 are formed. It consists of 14.

상기 박막 트랜지스터(A)는 유리 기판(1)의 일영역상에 형성되어 소오스/드레인 영역(2a)(2c) 및 채널 영역(2b)으로 구성되는 반도체층(2)과, 상기 반도체층(2)을 포함한 유리 기판(1) 전면에 형성되는 게이트 절연막(3)과, 상기 채널 영역(2c) 상부의 게이트 절연막(3)상에 형성되는 게이트 전극(4)으로 구성된다. The thin film transistor A is formed on one region of the glass substrate 1 and includes a semiconductor layer 2 composed of source / drain regions 2a and 2c and a channel region 2b, and the semiconductor layer 2 The gate insulating film 3 is formed on the entire surface of the glass substrate 1 including the gate electrode 3 and the gate electrode 4 formed on the gate insulating film 3 above the channel region 2c.

이때, 상기 소오스/드레인 영역(2a)(2c)과 채널 영역(2b)의 경계는 상기 게이트 전극(4)의 양 에지와 얼라인(align)된다. In this case, the boundary between the source / drain regions 2a and 2c and the channel region 2b is aligned with both edges of the gate electrode 4.

그리고 상기 박막트랜지스터(A)상에는 상기 소오스 영역(2a) 및 드레인 영역(2c)을 오픈하는 층간 절연막(5)이 형성되어 있고, 상기 층간 절연막(5)의 오픈 부위를 통해 상기 소오스/드레인 영역(2a)(2c)에 전기적으로 접속되는 전극 라인(6)이 형성되어 있다. An interlayer insulating film 5 is formed on the thin film transistor A to open the source region 2a and the drain region 2c. The source / drain region is formed through an open portion of the interlayer insulating layer 5. Electrode lines 6 electrically connected to 2a) and 2c are formed.

그리고, 상기 층간 절연막(5) 및 전극 라인(6)을 포함한 전면에는 상기 드레인 영역(2c)에 전기적으로 접속된 전극 라인(6)을 오픈하는 평탄화 절연막(7)이 형성된다. A planarization insulating film 7 for opening the electrode line 6 electrically connected to the drain region 2c is formed on the front surface including the interlayer insulating film 5 and the electrode line 6.

상기 평탄화 절연막(7) 위에는 상기 화소 전극(8)이 형성되게 되는데, 화소 전극(8)은 상기 평탄화 절연막(7)의 오픈 부위를 통해 박막트랜지스터(A)의 드레인 영역(2b)에 전기적으로 연결되게 된다. The pixel electrode 8 is formed on the planarization insulating layer 7, and the pixel electrode 8 is electrically connected to the drain region 2b of the thin film transistor A through an open portion of the planarization insulating layer 7. Will be.

그리고, 이웃하는 화소전극(8) 사이에 화소전극(8)의 일부분이 덮이도록 절연막(9)이 형성되어 있다. The insulating film 9 is formed so that a part of the pixel electrode 8 is covered between the neighboring pixel electrodes 8.

상기 공통전극은 상기 전자주입층(14) 상에 적층 된 메탈 공통전극(15)으로 구성되며, 상기 공통전극상에는 보호막(16)이 형성되어 있다. The common electrode includes a metal common electrode 15 stacked on the electron injection layer 14, and a passivation layer 16 is formed on the common electrode.

다음에 상기한 구조의 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조방법을 설명한다. Next, the manufacturing method of the organic electroluminescent element which concerns on the prior art of the said structure is demonstrated.

도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 제조 공정 단면도이다. 2A to 2D are sectional views of the manufacturing process of the organic EL device according to the prior art.

우선, 도 2a에 도시된 바와 같이 유리 기판(1)상에 박막트랜지스터의 활성층으로 사용하기 위해 예를 들어, 다결정 실리콘 등을 이용하여 반도체층(2)을 형성하고 이후에 박막트랜지스터가 형성될 영역 즉, 박막트랜지스터 예정 영역에만 남도록 상기 반도체층(2)를 패터닝(patterning)한다. First, as shown in FIG. 2A, the semiconductor layer 2 is formed on the glass substrate 1 using, for example, polycrystalline silicon, for use as an active layer of the thin film transistor, and thereafter, the region where the thin film transistor is to be formed. That is, the semiconductor layer 2 is patterned so as to remain only in the thin film transistor predetermined region.

이어, 상기 전면에 게이트 절연막(3)과 게이트 전극용 도전막을 차례로 적층한 다음 상기 패터닝 된 반도체층(2)의 일영역상에 남도록 상기 게이트 전극용 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(4)을 형성한다. Subsequently, the gate insulating film 3 and the gate electrode conductive film are sequentially stacked on the entire surface, and the gate electrode 4 is formed by patterning the conductive film for the gate electrode so as to remain on one region of the patterned semiconductor layer 2. .

그리고, 상기 게이트 전극(4)을 마스크로 상기 반도체층(2)에 보론(B)나 인(P)등의 불순물을 주입한 후에 열처리하여 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역(2a)(2c)을 형성한다. The source / drain regions 2a and 2c of the thin film transistor are then thermally treated by implanting impurities such as boron (B) or phosphorus (P) into the semiconductor layer 2 using the gate electrode 4 as a mask. Form.

이때, 상기 불순물 이온이 주입되지 않은 반도체층(2)은 채널 영역(2b)이다. At this time, the semiconductor layer 2 into which the impurity ions are not implanted is the channel region 2b.

이어, 전면에 층간 절연막(5)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 영역(2a)(2c)이 노출되도록 상기 층간 절연막(5)과 게이트 절연막(3)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다. Next, an interlayer insulating film 5 is formed on the entire surface, and the interlayer insulating film 5 and the gate insulating film 3 are selectively removed so that the source / drain regions 2a and 2c of the thin film transistor are exposed. Form.

그리고, 상기 콘택홀이 매립될 수 있는 정도의 충분한 두께로 제 1 금속막을 형성하고 상기 콘택홀 및 그에 인접한 영역에만 남도록 상기 제 1 금속막을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 영역(2a)(2b)에 각각 전기적으로 연결되는 전극 라인(6)을 형성한다. In addition, the first metal layer may be formed to a thickness sufficient to fill the contact hole, and the first metal layer may be selectively removed to remain only in the contact hole and the region adjacent to the contact hole, thereby forming a source metal layer 2a (2b). Each of the electrode lines 6 is electrically connected.

그리고, 전면에 평탄화 절연막(7)을 형성하여 전면을 평탄화 시키고 상기 드레인 영역(2c)에 연결된 전극 라인(6)이 노출되도록 상기 평탄화 절연막(7)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한 다음 Cr, Al, Mo, AgAu 등과 같이 반사율과 일함수(재가 function)값이 높은 제 2 금속막을 전면에 증착 한다. Next, the planarization insulating layer 7 is formed on the entire surface to planarize the entire surface, and the planarization insulating layer 7 is selectively removed so that the electrode line 6 connected to the drain region 2c is exposed to form a contact hole. A second metal film having high reflectance and work function (rework function) values such as Al, Mo, AgAu, etc. are deposited on the entire surface.

이때, 상기 콘택홀 내에도 제 2 금속막이 형성되어 상기 제 2 금속막은 콘택홀 하부의 전극 라인(6)에 연결되게 된다. In this case, a second metal film is formed in the contact hole so that the second metal film is connected to the electrode line 6 under the contact hole.

이어, 화소 부분에만 남도록 상기 제 2 금속막을 선택적으로 제거하여 상기전극 라인(6)을 통해 하부의 드레인 영역(2c)에 전기적으로 연결되는 ITO와 같은 투명한 화소전극(anode)(8)을 형성한다. Subsequently, the second metal film is selectively removed to remain only in the pixel portion to form a transparent pixel electrode 8 such as ITO electrically connected to the drain region 2c at the lower portion through the electrode line 6. .

이어, 도 2b에 도시된 바와 같이 이웃하는 화소전극(8) 사이에 이 화소전극(8)의 일부분이 덮이게 절연막(9)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, the insulating film 9 is formed so that a portion of the pixel electrode 8 is covered between the neighboring pixel electrodes 8.

그리고, 도 2c에 도시된 바와 같이, 정공 주입층(10), 정공 전달층(11)을 공통유기막으로 증착하고, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 R, G, B 유기발광층(12)을 각각 증착 한다. As illustrated in FIG. 2C, the hole injection layer 10 and the hole transport layer 11 are deposited as a common organic layer, and the R, G, and B organic light emitting layers 12 are formed using a shadow mask. Are deposited respectively.

이어, 전면에 전자 전달층(13)과 전자 주입층(14) 등의 유기물층을 차례로 형성한다. Subsequently, organic material layers such as the electron transport layer 13 and the electron injection layer 14 are sequentially formed on the entire surface.

그 다음에 도 2d에 도시된 바와 같이 메탈 공통전극(cathod)(15)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2D, a metal common electrode 15 is formed.

이때, 상기 메탈 공통전극(15)은 알루미늄(Al)과 같은 일함수가 낮은 금속물질을 증착 한다. In this case, the metal common electrode 15 deposits a metal material having a low work function such as aluminum (Al).

그리고, 상기 메탈 공통전극(15)상에 유기물층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 보호막(16)을 형성한 후 도시되지 않았지만 실런트와 투명기판 혹은 금속 캡을 사용하여 실링용 캡을 부착하여 능동 구동형 유기 EL 소자를 제작을 완성한다. After the protective film 16 is formed on the metal common electrode 15 to protect the organic material layer from oxygen or moisture, the sealing cap is attached using a sealant, a transparent substrate, or a metal cap. Fabrication of the organic EL device is completed.

이때 배면발광형(bottom emission)의 경우 상기 보호막(16) 형성 없이 게터(getter)와 실링용 캡을 사용하여 구동형 유기 EL를 제작하기도 한다.In this case, in the bottom emission type, a driving type organic EL may be manufactured using a getter and a sealing cap without forming the protective layer 16.

도 3은 종래의 능동 구동형 유기 EL 디스플레이의 화소 회로도이고 도 4는 능동 구동형 유기 EL 디스플레이의 화소 구조 평면도로, 스캔 신호에 의해 스위칭 트랜지스터가 온(On)되어 있는 동안 데이터 신호가 커패시터에 저장되고, 구동 트랜지스터는 데이터 전압에 비례하는 전류를 유기 EL에 공급한다.3 is a pixel circuit diagram of a conventional active drive organic EL display, and FIG. 4 is a plan view of a pixel structure of an active drive organic EL display, wherein a data signal is stored in a capacitor while a switching transistor is turned on by a scan signal. The driving transistor then supplies a current proportional to the data voltage to the organic EL.

이와 같은 방식으로 능동 구동형 유기 EL 소자를 제작할 경우, 한 화소의 대부분을 구동회로가 차지하고, 빛이 나오는 부분이 적어 개구율이 낮아지며, 만약 보상회로를 적용할 경우 화소 구동회로가 차지하는 영역은 더욱더 커지게 된다. In the case of fabricating an active driving type organic EL device in this manner, the driving circuit occupies most of one pixel, and the opening ratio is low due to the small portion of light output. If the compensation circuit is applied, the area occupied by the pixel driving circuit is even larger. You lose.

즉, 동일한 화소 크기에 대해 보상회로 적용 시 개구율이 현저히 낮아지는 문제가 있다. That is, when the compensation circuit is applied to the same pixel size, the aperture ratio is significantly lowered.

따라서, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 화소구동 회로가 차지하는 영역을 활용하여 배면 발광 유기 EL 소자와 전면 발광 유기 EL 소자를 동시에 구현하고 구동을 각각 할 수 있는 듀얼형 유기 EL 소자를 제공하기 위한 것이다. Accordingly, an object of the present invention has been devised in view of the above-mentioned problems of the prior art, and simultaneously implements and drives a back light emitting organic EL device and a top light emitting organic EL device by utilizing an area occupied by a pixel driving circuit. It is to provide a dual type organic EL device that can be used.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 기판상에 화소 구동부가 형성된 유기 EL에 있어서, 상기 유기 EL은 상기 하나의 화소 구동부로 배면발광 및 전면발광이 동시에 구동되도록 복수의 화소 전극과 복수의 공통전극으로 구성된다. According to a feature of the present invention for achieving the above object, in the organic EL having a pixel driver formed on the substrate, the organic EL is a plurality of pixel electrodes such that the back light emission and the front light emission are driven simultaneously by the one pixel driver And a plurality of common electrodes.

바람직하게, 상기 복수의 화소 전극과 복수의 공통 전극은 상기 기판에 동시에 형성된다. Preferably, the plurality of pixel electrodes and the plurality of common electrodes are simultaneously formed on the substrate.

그리고, 상기 복수의 공통전극은 전면발광용과 배면발광용이 서로 분리되어 각각 독립적으로 구동되며, 상기 구동은 배면발광을 할 경우 전면발광을 멈추게 하고, 전면 발광시에는 배면 발광을 멈추게 하거나, 동시에 구동된다. In addition, the plurality of common electrodes are driven separately from each other for the front light emitting and the bottom light emitting, and the driving stops the front light emitting when the bottom light is emitted, and stops the back light emission when the front light is emitted, or is driven at the same time. .

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 기판 상에 화소 구동부를 형성하는 단계, 상기 화소 구동부 상에 제 1 에노드 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 구동부와 제 1 에노드 전극 상에 제 2 에노드 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 에노드 전극의 일부분을 노출시키고 제 2 에노드 전극이 덮이도록 절연막을 형성하고 정공 주입층, 정공 전달층, 발광층, 전자 전달층, 전자 주입층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 제 1 에노드를 통한 발광영역을 쉐도우 마스크로 가리고, 제 2 에노드를 통한 발광영역의 유기물층위에 제 1 캐소드 전극을 증착하는 단계, 상기 제 1 캐소드 전극 영역을 쉐도우 마스크로 가리고 제 2 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. According to another feature of the present invention for achieving the above object, forming a pixel driver on the substrate, forming a first anode electrode on the pixel driver, the pixel driver and the first anode Forming a second anode electrode on the electrode, forming an insulating film to expose a portion of the first anode electrode and cover the second anode electrode, and inject a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, Sequentially forming an electron injection layer, covering a light emitting region through the first anode with a shadow mask, and depositing a first cathode electrode on the organic material layer of the light emitting region through the second anode, the first cathode electrode Covering the area with a shadow mask and forming a second cathode electrode.

바람직하게, 상기 제 1 에노드 전극은 배면발광용이고, 제 2 에노드 전극은 전면발광용인이다. Preferably, the first anode electrode is for back emission and the second anode electrode is for top emission.

그리고, 상기 배면 발광용 제 1 에노드 전극은 일 함수(work function) 값이 높은 투명 전도막이다. In addition, the first anode electrode for bottom emission is a transparent conductive film having a high work function value.

또한, 상기 전면 발광용 제 2 에노드 전극은 반사율과 일 함수(work function) 값이 높은 전도성막이며, 상기 제 2 에노드 전극은 Cr, Al, Mo, AgAu 중 하나를 이용한다. The second anode electrode for top emission is a conductive film having a high reflectance and a work function, and the second anode electrode uses one of Cr, Al, Mo, and AgAu.

그리고, 상기 제 1 캐소드 전극은 전면발광용이고, 제 2 캐소드 전극은 배면발광용이며, 상기 제 1 캐소드 전극은 일함수가 낮은 전도성 물질이며, 상기 제 2 캐소드는 반사율이 높고 일함수가 낮은 전도성 물질을 증착 한다. The first cathode electrode is for front emission, the second cathode is for back emission, the first cathode is a conductive material having a low work function, and the second cathode has a high reflectivity and a low work function. Deposit the material.

이하 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a configuration and an operation according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 도 5i는 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이 제작 과정을 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이의 화소 회로도 이며, 도 7은 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이의 화소 구조 평면도이다. 5A to 5I are views illustrating a manufacturing process of the dual type organic EL display according to the present invention, FIG. 6 is a pixel circuit diagram of the dual type organic EL display according to the present invention, and FIG. A pixel structure plan view of a display.

먼저 도 5a와 같이 유리와 같은 투명기판(21)위에 박막트랜지스터의 활성층으로 사용할 다결정실리콘과 같은 반도체 물질(22)을 형성하고 패터닝 한다. 그 위에 게이트 절연막(23)을 형성한 다음, 게이트 전극(24)을 증착한 후 패터닝 한다. 그리고, 상기 반도체층(22)의 일부분에 B나 P같은 불순물을 주입하고 열처리하면 박막트랜지스터의 소스-드레인 영역(22a)(22c)을 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, a semiconductor material 22, such as polycrystalline silicon, to be used as an active layer of a thin film transistor is formed and patterned on a transparent substrate 21 such as glass. After the gate insulating film 23 is formed thereon, the gate electrode 24 is deposited and then patterned. In addition, an impurity such as B or P is implanted into a portion of the semiconductor layer 22 and heat-treated to form source-drain regions 22a and 22c of the thin film transistor.

그리고, 상기 게이트 전극(24)위에 층간 절연막(25)을 증착하고, 트랜지스터의 소스-드레인 영역(22a)(22c)위에 게이트 절연막(23), 층간 절연막(25)의 일부분을 에칭하여 콘택홀을 형성한 다음 메탈을 증착하고 패터닝하여 전극라인(26)을 형성한다. The interlayer insulating layer 25 is deposited on the gate electrode 24, and a portion of the gate insulating layer 23 and the interlayer insulating layer 25 is etched on the source-drain regions 22a and 22c of the transistor to form a contact hole. After forming, the metal is deposited and patterned to form the electrode line 26.

그 다음 공정으로 도 5b처럼 배면발광(bottom emission)용 제 1 화소전극(27)으로 ITO등과 같은 투명하고, 일 함수 값이 높은 투명 전도막을 증착하여 패턴닝 한다. Next, as shown in FIG. 5B, a transparent, high work function value, such as ITO, is deposited on the first pixel electrode 27 for bottom emission and patterned.

그리고, 도 5c와 같이 상기 메탈 라인(26) 및 제 1 화소전극(27) 위에 평탄화막(28)을 형성하여 전면을 평탄화 시킨 다음 드레인 영역(22c) 위의 메탈 전극(26) 위의 일부 평탄화막(28)을 에칭하여 제거하므로 컨택 홀(29)을 형성한다. 5C, a planarization film 28 is formed on the metal line 26 and the first pixel electrode 27 to planarize the entire surface, and then partially planarize the metal electrode 26 on the drain region 22c. The film 28 is etched away to form the contact holes 29.

그 다음 공정으로 도 5d와 같이 전면발광(Top emission)용 제 2 화소전극인 에노드 전극(30)으로 Cr, Al, Mo, AgAu 등과 같은 반사율과 일 함수값이 높은 전도성막을 증착하여 패터닝 한다. Next, as shown in FIG. 5D, a conductive film having a high reflectance and work function value, such as Cr, Al, Mo, AgAu, and the like, is deposited and patterned on the anode electrode 30 as the second pixel electrode for top emission.

그 다음 공정으로 상기 형성한 배면 발광용 제 1 에노드 전극(27)위의 상기 형성한 평탄화막의 일부분을 제거하여 제 1 에노드 전극의 일부분이 노출되게 한다 (도 5e). Next, a portion of the formed planarization film on the formed first emission electrode 27 for back emission is removed to expose a portion of the first anode electrode (FIG. 5E).

그리고, 도 5f와 같이 전면 발광용 제 2 에노드 전극(30)의 가장자리가 덮이도록 절연막(31)을 형성한다. As shown in FIG. 5F, the insulating layer 31 is formed to cover the edge of the second anode electrode 30 for top emission.

그 다음 도 5g와 같이 상기 배면 발광용과 전면 발광용인 제 1 , 제 2 에노드 전극(27, 30) 위에 정공주입층(32), 정공전달층(33), 레드 발광층(34), 전자전달층(35), 전자주입층(36) 등의 유기물을 차례로 형성한다. Next, as shown in FIG. 5G, the hole injection layer 32, the hole transport layer 33, the red emission layer 34, and the electron transport layer are disposed on the first and second anode electrodes 27 and 30, which are used for the bottom emission and the top emission. Organic materials, such as 35 and the electron injection layer 36, are formed one by one.

그 다음으로 배면 발광 영역을 제 1 쉐도우 마스크(37)로 가리고, 전면 발광 영역의 유기물층위에 제 1 캐소드 전극(38)으로 알루미늄을 수 nm 증착한 후, Ag를 수 nm ~ 15 nm 정도 증착하거나 Mg:Ag 같은 메탈을 수 nm ~ 15nm 정도 증착하거나, 일함수가 낮은 전도성 물질을 형성하여 전면 발광용 제 1 캐소드 전극(38)을 형성한다 (도 5h). Next, the back emission region is covered by the first shadow mask 37, and aluminum is deposited several nm with the first cathode electrode 38 on the organic material layer of the top emission region, and then Ag is deposited by several nm to 15 nm or Mg. A metal such as Ag is deposited for several nm to 15 nm, or a conductive material having a low work function is formed to form a first cathode electrode 38 for top emission (FIG. 5H).

그 다음 도 5i와 같이 전면 발광영역을 제 2 쉐도우 마스크(39)로 가린 후 배면 발광 영역의 유기물위에 알루미늄과 같이 반사율이 높고 일함수가 낮은 전도성 물질을 증착하여 배면 발광용 제 2 캐소드 전극(40)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5I, the top emission region is covered with the second shadow mask 39, and then a conductive material having a high reflectance and a low work function, such as aluminum, is deposited on the organic material of the bottom emission region to emit the second cathode electrode 40. ).

그리고, 공정으로 상기 형성한 유기물층을 산소나 수분으로부터 보호하기 위한 보호막(41)을 형성한 후 도면에는 도시하지 않았지만, 실런트와 투명기판을 사용하여 보호 캡을 붙여서 듀얼 능동 구동 유기 EL 패널 제작을 완성한다. After forming a protective film 41 for protecting the formed organic material layer from oxygen or moisture by a process, although not shown in the drawing, a dual active driving organic EL panel is completed by attaching a protective cap using a sealant and a transparent substrate. do.

이렇게 상기와 같이 제작할 경우 전면발광용의 제 1캐소드(38)와 배면발광용 제 2 캐소드(40)가 서로 분리되어있기 때문에 각각 독립적으로 구동을 할 수 있게 된다. In this case, since the first cathode 38 for front emission and the second cathode 40 for rear emission are separated from each other, driving can be performed independently of each other.

즉, 배면 발광을 할 경우에는 전면발광을 멈추게 하고, 전면 발광시에는 배면 발광을 멈추게 하며 혹은 동시에 발광하게 한다. That is, when the bottom emission is performed, the top emission is stopped, and when the front emission is performed, the bottom emission is stopped or the light is simultaneously emitted.

이러한 기능을 이동용 전화기에 사용할 경우 하나의 디스플레이 모듈로 외부창용 디스플레이와 내부창용 디스플레이의 구현이 가능하다.When this function is used in a mobile phone, one display module can be used to implement an external window display and an internal window display.

이상의 설명에서와 같이 본 발명은 동일 기판상에 배면발광형과 전면발광형을 동시에 구현하여 이미지를 양쪽에서 볼 수 있는 새로운 개념의 디스플레이 제작이 가능해 졌으며, 이 새로운 디스플레이의 응용분야는 매우 많아 경제적 가치 또한 매우 높은 효과가 있다. As described above, the present invention enables the production of a display of a new concept in which an image can be viewed from both sides by simultaneously implementing a bottom emission type and a top emission type on the same substrate. It also has a very high effect.

그리고, 디스플레이를 이동용 전화기에 사용할 경우 하나의 디스플레이 모듈로 외부창용 디스플레이와 내부창용 디스플레이의 구현이 가능하다. In addition, when the display is used in a mobile phone, the display for the outer window and the display for the inner window can be implemented with one display module.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the examples, but should be defined by the claims.

도 1은 종래의 유기 EL의 단면도1 is a cross-sectional view of a conventional organic EL

도 2a 내지 도 2d는 종래의 유기 EL 제조 공정 단면도2A to 2D are cross-sectional views of a conventional organic EL manufacturing process

도 3은 종래의 능동 구동형 유기 EL 디스플레이의 화소 회로도3 is a pixel circuit diagram of a conventional active drive organic EL display.

도 4는 능동 구동형 유기 EL 디스플레이의 화소 구조 평면도4 is a plan view of a pixel structure of an active driving organic EL display

도 5a 내지 도 5j는 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널 제조 공정 단면도5A to 5J are cross-sectional views of a dual-type organic EL display panel manufacturing process according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널 화소 회로도6 is a circuit diagram of a dual type organic EL display panel according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 듀얼형 유기 EL 디스플레이 패널의 화소 구조 평면도7 is a plan view of a pixel structure of a dual type organic EL display panel according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

21 : 기판 22 : 반도체층21 substrate 22 semiconductor layer

22a, 22c : 소오스/드레인 영역 22b : 채널 영역22a, 22c: source / drain region 22b: channel region

23 : 게이트 절연막 24 : 게이트 전극23 gate insulating film 24 gate electrode

25 : 층간 절연막 26 : 전극라인 25 interlayer insulating film 26 electrode line

27 : 제 1 에노드 전극 28 : 평탄화막27: first anode electrode 28: planarization film

29 : 컨택 홀 30 : 제 2 에노드 전극29 contact hole 30 second anode electrode

31 : 절연막 32 : 정공 주입층31 insulating film 32 hole injection layer

33 : 정공 전달층 34 : 유기 발광층33: hole transport layer 34: organic light emitting layer

35 : 전자 전달층 36 : 전자 주입층35 electron transfer layer 36 electron injection layer

37 : 제 1 쉐도우 마스크 38 : 제 1 캐소드 전극37: first shadow mask 38: first cathode electrode

39 : 제 2 쉐도우 마스크 40 : 제 2 캐소드 전극39: second shadow mask 40: second cathode electrode

41 : 보호막41: protective film

Claims

In an organic EL in which a pixel driver is formed on a substrate,

And the organic EL includes a plurality of pixel electrodes and a plurality of common electrodes such that back emission and front emission are simultaneously driven by the one pixel driver.

The method of claim 1,

And the plurality of pixel electrodes and the plurality of common electrodes are formed on the substrate at the same time.

The method of claim 1,

The plurality of common electrodes of the dual type organic EL display panel, characterized in that the front light emitting and rear light emitting are separated from each other and driven independently.

The method of claim 3, wherein

The driving stops the front light emission when the back light is emitted, and stops the back light emission when the front light is emitted, or is driven simultaneously.

Forming a pixel driver on the substrate;

Forming a first anode electrode on the pixel driver;

Forming a second anode electrode on the pixel driver and the first anode electrode;

Forming an insulating film to expose a portion of the first anode electrode and to cover the second anode electrode, and sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer;

Covering the light emitting region through the first anode with a shadow mask and depositing a first cathode electrode on the organic material layer of the light emitting region through the second anode;

And covering the first cathode electrode region with a shadow mask to form a second cathode electrode.

The method of claim 5,

And said first anode electrode is for back emission, and said second anode electrode is for top emission.

The method of claim 6,

And said first light emitting electrode for back emission is a transparent conductive film having a high work function.

The method of claim 6,

And the second anode electrode for top emission is a conductive film having a high reflectance and a work function.

The method of claim 8

And the second anode electrode uses one of Cr, Al, Mo, and AgAu.

The method of claim 5,

And said first cathode electrode is for front light emitting and said second cathode electrode is for back light emitting.

The method of claim 10,

The first cathode electrode forms a conductive material having a low work function, the dual type organic EL display panel manufacturing method

The method of claim 10,

And said second cathode deposits a conductive material having a high reflectance and a low work function.