KR100726645B1 - light emitting diodes and method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소요 비용이 적고 두께가 얇은 양면 발광형 유기 전계 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a double-sided organic light emitting device having a low cost and a thin thickness, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 하나의 픽셀에 상부 발광층과 하부 발광층이 각각 분리되어 형성되어 있고 상기 상부 발광층과 상기 하부 발광층은 하나의 구동부에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자를 제공한다. The present invention provides an electroluminescent device, characterized in that the upper emission layer and the lower emission layer are formed separately from each other, and the upper emission layer and the lower emission layer are driven by one driving unit.

본 발명에 따라 양면 발광형 유기 전계 발광소자를 제조할 경우 별다른 추가 공정 및 증착 공정없이 한번 증착으로 양쪽으로 발광하는 소자를 구현할 수 있으므로 부품 비용 및 두께를 획기적으로 줄일 수 있다.When manufacturing a double-sided light emitting organic electroluminescent device according to the present invention can implement a device that emits light to both sides by one deposition without any additional process and deposition process it can significantly reduce the cost and thickness of the component.

양면 발광형 전계 발광소자 Double Sided Light Emitting Electroluminescent Device

Description

전계 발광소자 및 이의 제조방법{light emitting diodes and method for preparing the same}Light emitting diodes and method of manufacturing the same {light emitting diodes and method for preparing the same}

도 1은 종래의 양면 발광형 유기 전계 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional double-sided light emitting organic electroluminescent device.

도 2는 또 다른 종래의 양면 발광형 유기 전계 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the structure of another conventional double-sided light emitting organic electroluminescent device.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an EL device according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 내지 4g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계 발광소자의 제조과정을 나타낸 단면도들이다.4A to 4G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an EL device according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an EL device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6a 내지 6i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계 발광소자의 제조과정을 나타낸 단면도들이다.6A to 6I are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an EL device according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

301,401: 유리 기판 302,402: 폴리실리콘 층 301,401 glass substrate 302,402 polysilicon layer

303,403: 소스/드레인 영역 304,404: 게이트 전극 303, 403: source / drain regions 304, 404: gate electrode

305,405: 게이트 절연막 306,407: 소스/드레인 전극 305 and 405 gate insulating films 306 and 407 source / drain electrodes

307,408: 패시베이션 막 또는 평탄막 308,406: 하부 발광용 양극 307, 408: passivation film or flat film 308, 406: anode for bottom emission

309,409: 상부 발광용 양극 310,410:절연막 309, 409: anode 310, 410 for top emission: insulating film

311,411: 격벽 312,412: 유기 전계 발광층 311,411: partition 312,412: organic electroluminescent layer

313,413: 상부 발광용 음극 314,414: 셰도우 마스크 313, 413: cathode for top emission 314, 414: shadow mask

315,415: 하부 발광용 음극 316,416: 패시베이션 층 315,415: cathode for bottom emission 316,416: passivation layer

317,417: 실란트 318,418: 글라스 캡317, 417: sealant 318, 418: glass cap

본 발명은 소요 비용이 적고 두께가 얇은 양면 발광형 전계 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a double-sided light emitting electroluminescent device having a low cost and a thin thickness and a method of manufacturing the same.

고도의 정보화 시대가 진행되면서 대량의 정보 처리를 위한 소자와 이를 표시하기 위한 디스플레이 소자들이 빠른 속도로 개발되고 있다. 디스플레이 소자들은 기존의 브라운관에서 유기 전계 발광소자(organic light emitting diodes, OLED), 플라즈마 디스플레이 페널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 등 평면 표시소자로 급속히 바뀌어 가고 있다. 이 중에서도 유기 전계 발광소자는 자발광, 저전력 등의 장점으로 차세대 디스플레이로 중요성을 더해가고 있다. As the information age progresses, elements for processing a large amount of information and display elements for displaying the same are being rapidly developed. Display devices are rapidly changing from conventional CRTs to flat display devices such as organic light emitting diodes (OLEDs), plasma display panels (PDPs), and liquid crystal displays (LCDs). Among these, organic light emitting diodes are becoming more important as next generation displays due to their advantages such as self-luminous and low power.

최근 표시장치의 양면에서 화상 구현이 가능한 양면 발광형 유기 전계 발광소자에 관한 연구가 많이 진행되고 있다.Recently, many researches have been conducted on double-sided light emitting organic electroluminescent devices capable of realizing images on both sides of a display device.

도 1은 종래의 양면 발광형 유기 전계 발광소자의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the structure of a conventional double-sided light emitting organic electroluminescent device.

유리기판(101) 상부에 폴리실리콘 층(102)을 형성시키고, 그 상부에 게이트 전극(104)를 형성시킨 후 게이트 전극(104)을 마스크로 사용하여 열처리 하여 소스/드레인 영역(103)을 형성시킨다. 게이트 전극(104)은 게이트 절연막(105)에 의해 절연되어 있다. 상기 게이트 절연막(105)에 형성되어 있는 홀에 소스/드레인 전극(106)이 형성되어 있다. 그 상부에는 패시베이션막 또는 평탄막(107)이 형성되어 있다. The polysilicon layer 102 is formed on the glass substrate 101, the gate electrode 104 is formed on the glass substrate 101, and the source / drain region 103 is formed by heat treatment using the gate electrode 104 as a mask. Let's do it. The gate electrode 104 is insulated by the gate insulating film 105. The source / drain electrodes 106 are formed in holes formed in the gate insulating layer 105. A passivation film or a flat film 107 is formed thereon.

상기 패시베이션막 또는 평탄막(107) 상부에 홀이 형성되어 이 홀을 통해 제1 전극(108))이 소스/드레인 전극(106)과 전기적으로 연결되어 있다. 그 상부에는 박막 트랜지스터 상부에 절연막(109)이 패터닝 되어 있으며, 그 상부에 차례대로 유기 전계 발광층(110)과 제2 전극(111)이 형성되어 있다.A hole is formed in the passivation film or the flat film 107, and the first electrode 108 is electrically connected to the source / drain electrode 106 through the hole. The insulating layer 109 is patterned on the upper portion of the thin film transistor, and the organic EL layer 110 and the second electrode 111 are sequentially formed on the upper portion of the thin film transistor.

실란트(115)를 사용하여 글라스 캡(113)을 소자에 부착하여 인캡슐레이션시킨다. 이때 내부에는 게더(gether)(114)가 부착될 수 있다.The sealant 115 is used to attach and encapsulate the glass cap 113 to the device. At this time, the inside (gether) 114 may be attached.

현재 휴대폰에 채택되는 디스플레이의 경우 서브 패널(sub panel) 및 메인 패널(main panel)으로 나뉘어져 있고, 도 1에 나타낸 바와 같은 하부 발광형 유기 전계 발광소자 두 개를 각각 따로 만든 후 모듈 킷(module kit)에 끼워 휴대폰에 장착하게 된다. Currently, the display adopted in the mobile phone is divided into a sub panel and a main panel, and after making two lower emitting organic electroluminescent devices as shown in FIG. ) Into the phone.

이와 같은 경우 두 개의 소자를 각각 제조하여 발광면이 서로 반대가 되도록 부착하여 휴대폰에 장착할 수 밖에 없고, 모듈의 두께가 두꺼워진다는 문제점이 발생한다.In this case, the two devices may be manufactured and attached to the mobile phone by attaching the light emitting surfaces to be opposite to each other, and the thickness of the module may increase.

도 2는 또 다른 종래의 양면 발광형 유기 전계 발광소자의 구조를 나타낸 도면이다.2 is a view showing the structure of another conventional double-sided light emitting organic electroluminescent device.

즉, 유리기판(201) 상부에 폴리실리콘 층(202)을 형성시키고, 그 상부에 게이트 전극(204)를 형성시킨 후 게이트 전극(204)을 마스크로 사용하여 열처리 하여 소스/드레인 영역(203)을 형성시킨다. 게이트 전극(204)은 게이트 절연막(205)에 의해 절연되어 있다. 상기 게이트 절연막(205)에 형성되어 있는 홀에 소스/드레인 전극(206)이 형성되어 있다. 그 상부에는 패시베이션막 또는 평탄막(207)이 형성되어 있다. That is, the polysilicon layer 202 is formed on the glass substrate 201, the gate electrode 204 is formed on the glass substrate 201, and then the heat treatment is performed using the gate electrode 204 as a mask. To form. The gate electrode 204 is insulated by the gate insulating film 205. A source / drain electrode 206 is formed in a hole formed in the gate insulating layer 205. The passivation film or the flat film 207 is formed in the upper part.

상기 패시베이션막 또는 평탄막(207) 상부에 홀이 형성되어 이 홀을 통해 제1 전극(208))이 소스/드레인 전극(206)과 전기적으로 연결되어 있다. 그 상부에는 박막 트랜지스터 상부에 절연막(209)이 패터닝 되어 있으며, 그 상부에 차례대로 유기 전계 발광층(210)과 제2 전극(211)이 형성되어 있다.A hole is formed in the passivation layer or the flat layer 207, and the first electrode 208 is electrically connected to the source / drain electrode 206 through the hole. The insulating film 209 is patterned on the upper portion of the thin film transistor, and the organic electroluminescent layer 210 and the second electrode 211 are sequentially formed on the thin film transistor.

이와 같은 구조를 가지는 두 개의 소자를 각각 제조하여 발광면이 서로 반대가 되도록 실란트(215)를 사용하여 부착하여 양면 발광형 소자를 완성하게 된다.Two devices having such a structure are manufactured, respectively, and attached by using the sealant 215 so that the light emitting surfaces are opposite to each other, thereby completing a double-sided light emitting device.

그러나, 도 2에 나타낸 양면 발광형 전계 발광소자도 인캡슐레이션 글래스(encapsulation glass)를 사용하는 단계를 생략하는 것을 제외하고는 도 1의 경우와 마찬가지로 각각 두 개의 소자를 만들어야 한다는 한계점이 있었다.However, the double-sided light emitting device shown in FIG. 2 also has the limitation of making two devices, as in the case of FIG. 1, except that the step of using encapsulation glass is omitted.

따라서 공정이 단축되고 소요 비용이 적으며 두께가 얇은 양면 발광형 유기 전계 발광소자 개발이 절실한 실정이었다.Therefore, there is an urgent need to develop a double-sided light emitting organic EL device having a short process, low cost, and a thin thickness.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 별다른 추가 공정 및 증착 공정없이 한번 증착으로 양쪽으로 발광하는 소자를 구현함으로써 부품 비용 및 두께를 획기적으로 줄일 수 있는 양면 발광형 전계 발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a double-sided light emitting electroluminescent device and a method of manufacturing the same that can significantly reduce the cost and thickness of components by implementing a device that emits light on both sides by one deposition without any additional process and deposition process It aims to do it.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 하나의 픽셀에 상부 발광층과 하부 발광층이 각각 분리되어 형성되어 있고 상기 상부 발광층과 상기 하부 발광층은 하나의 구동부에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an electroluminescent device, characterized in that the upper light emitting layer and the lower light emitting layer are formed separately in each pixel, and the upper light emitting layer and the lower light emitting layer are driven by one driving unit. do.

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광층 하부에는 상부 발광용 제1 전극이, 상부에는 상부 발광용 제2 전극이 형성되어 있고, 하부 발광층 하부에는 하부 발광용 제1 전극이, 상부에는 하부 발광용 제2 전극이 차례로 형성되어 있으며, 상부 발광용 제1 전극과 하부 발광용 제1 전극은 구동부의 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.In the electroluminescent device of the present invention, a first electrode for upper emission is formed under the upper emission layer, and a second electrode for upper emission is formed above, the first electrode for lower emission under the lower emission layer, and a lower emission agent above. The two electrodes may be sequentially formed, and the first electrode for upper emission and the first electrode for lower emission may be electroluminescent elements, which are electrically connected to the drain electrode of the driving unit.

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광용 제2 전극과 하부 발광용 제2 전극이 각각 격벽에 의해 분리 형성되어 있으며, 상부 발광용 제2 전극과 하부 발광용 제2 전극은 각각 분리되어 기저 전압에 연결된 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.In the electroluminescent device of the present invention, the second electrode for upper emission and the second electrode for lower emission are separately formed by partition walls, and the second electrode for upper emission and the second electrode for lower emission are respectively separated to the ground voltage. It may be an electroluminescent device characterized in that connected.

본 발명의 전계 발광소자는 하부 발광용 제1 전극 및 상부 발광용 제1 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 유기 전도성 물질, 금속, 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 및 이들의 혼합 형태로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.In the electroluminescent device of the present invention, the first electrode for lower emission and the first electrode for upper emission are indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, a metal, an alloy or a multilayer of metal, and a mixture thereof. It may be an electroluminescent device, characterized in that using any one selected from the group consisting of.

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광용 제1 전극과 상기 상부 발광용 제2 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하거나, 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.The electroluminescent device of the present invention is any one selected from the group consisting of an upper light emitting first electrode and the second light emitting second electrode is made of aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy or silver (Ag). Or an electroluminescent device using any one selected from the group consisting of chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo).

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광용 제1 전극의 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)은 1~1,000Å 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.In the electroluminescent device of the present invention, chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo) of the first electrode for upper emission may be an electroluminescent device, characterized in that it is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å.

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광용 제2 전극은 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물을 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드 또는 무기물을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.In the electroluminescent device of the present invention, the second electrode for emitting light is coated with a mixture of aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) and coated with indium tin oxide or an inorganic material thereon. It may be a light emitting device.

본 발명의 전계 발광소자는 상부 발광용 제2 전극의 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물은 1~1,000Å의 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자일 수 있다.The electroluminescent device of the present invention may be an electroluminescent device, characterized in that the aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixture of the second electrode for top emission is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å.

또한 본 발명은 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 하부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 하부 발광용 제1 전극과 단락시키면서 상기 상부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; 유기 전계 발광층 상부에 상부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계; 및 상기 하부 발광용 제1 전극이 형성된 쪽의 상기 상부 발광용 제2 전극 상부에 하부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method for forming a light emitting device, the method comprising: forming a first electrode for lower emission in a region other than an upper portion of a thin film transistor among an upper portion of a passivation layer or a flat layer; Forming a first electrode for upper emission while shorting the first electrode for lower emission in the upper region of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer; Forming a second electrode for upper emission on the organic electroluminescent layer; And forming a lower electrode for light emitting on the upper side of the second electrode for light emitting on the side on which the first electrode for light emitting on the lower side is formed.

또한 본 발명은 게이트 절연막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 하부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 하부 발광용 제1 전극과 단락시키면서 상기 상부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; 유기 전계 발광층 상부에 상부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계; 및 상기 하부 발광용 제1 전극이 형성된 쪽의 상기 상부 발광용 제2 전극 상부에 하부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of forming a first light emitting lower electrode in the region other than the top of the thin film transistor of the gate insulating film; Forming a first electrode for upper emission while shorting the first electrode for lower emission in the upper region of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer; Forming a second electrode for upper emission on the organic electroluminescent layer; And forming a lower electrode for light emitting on the upper side of the second electrode for light emitting on the side on which the first electrode for light emitting on the lower side is formed.

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 하부 발광용 제2 전극을 셰도우 마스크를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.The method of manufacturing an EL device according to the present invention may be a method of manufacturing an EL device, wherein the second electrode for lower emission is formed using a shadow mask.

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 하부 발광용 제1 전극 및 상부 발광용 제1 전극으로 인듐 틴 옥사이드(ITO), 유기 전도성 물질, 금속, 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 및 이들의 혼합 형태로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.In the method of manufacturing an EL device according to the present invention, an indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, a metal, an alloy or a multilayer of metals, and a first electrode for lower emission and a first electrode for upper emission It may be a method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that using any one selected from the group consisting of a mixed form.

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 상부 발광용 제1 전극으로 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)을 사용하거나 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.In the method of manufacturing an EL device of the present invention, aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy or silver (Ag) is used as the first electrode for upper emission, or chromium (Cr) or indium is disposed thereon. It may be a method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that coated with tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo).

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)을 1~1,000Å 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.The method of manufacturing an EL device according to the present invention may be a method of manufacturing an EL device, wherein chromium (Cr), indium tin oxide (ITO), or molybdenum (Mo) is coated with a thickness of 1 to 1,000 kPa.

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 상부 발광용 제2 전극으로 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)을 사용하거나 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.In the method of manufacturing an EL device of the present invention, aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy or silver (Ag) is used as the second electrode for upper emission, or chromium (Cr) or indium is disposed thereon. It may be a method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that coated with tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo).

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 상부 발광용 제2 전극으로 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물을 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드 또는 무기물을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.The manufacturing method of the electroluminescent device of the present invention is characterized by using a mixture of aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) as a second electrode for the upper light emission and coated with indium tin oxide or inorganic on the top. It may be a method of manufacturing an electroluminescent device.

본 발명의 전계 발광소자의 제조방법은 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물을 1~1,000Å의 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법일 수 있다.The manufacturing method of the electroluminescent device of the present invention may be a method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that the aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixture dried to a thickness of 1 ~ 1,000Å.

본 발명의 전계 발광소자는 내부 픽셀에 박막 트랜지스터가 있는 부분엔 상부 발광용 제1 전극(anode)을 형성시키고 박막 트랜지스터가 없는 부분에는 하부 발광용 제1 전극을 형성시키며, 상부 발광용 제1 전극과 하부 발광용 제1 전극을 서로 단락(short)시킨다. 이때 상부 발광용 제2 전극(cathode)을 격벽을 이용하여 분리 형성시킨 후 하부 발광용 제1 전극이 있는 쪽에는 그 상부에 셰도우 마스크를 이용하여 하부 발광용 제2 전극을 추가적으로 더 형성시킨다. 이로써 한번 증착으로 양면 발광형 전계 발광소자를 구현할 수 있도록 하고 있다. In the electroluminescent device of the present invention, a first electrode for emitting light is formed in a portion having a thin film transistor in an internal pixel, and a first electrode for emitting light is formed in a portion without a thin film transistor, and a first electrode for emitting light is formed. And the first electrode for lower emission are shorted to each other. In this case, the upper light emitting second electrode (cathode) is separated and formed by using a partition wall, and the lower light emitting second electrode is further formed on the side where the first light emitting lower electrode is formed by using a shadow mask on the upper side. Thus, it is possible to implement a double-sided light emitting electroluminescent device by one deposition.

이하 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 들어 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 발광 소자를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a double-sided light emitting device according to an embodiment of the present invention.

유리 기판(301) 상부에 폴리 실리콘층(302)이 형성되어 있고, 그 상부에 게이트 전극(304)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(304)은 게이트 절연막(305)에 의해 절연되어 있다. 한편 상기 폴리실리콘 층(302)은 게이트 전극(304)을 마스크로 사용하여 열처리에 의해 소스/드레인 영역(303)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(305)에 형성되어 있는 컨택홀을 통해 소스/드레인 영역(303)과 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극(306)이 형성되어 있다. 그 상부에는 패시베이션막 또는 평탄막(307)이 형성되어 있다. The polysilicon layer 302 is formed on the glass substrate 301, the gate electrode 304 is formed on the glass substrate 301, and the gate electrode 304 is insulated by the gate insulating film 305. Meanwhile, the polysilicon layer 302 has a source / drain region 303 formed by heat treatment using the gate electrode 304 as a mask. A source / drain electrode 306 electrically connected to the source / drain region 303 is formed through a contact hole formed in the gate insulating layer 305. A passivation film or a flat film 307 is formed thereon.

결과적으로 게이트 전극(304)과 소스/드레인 전극(306)이 하나의 구동부 또는 구동 박막 트랜지스터를 형성하게 된다.As a result, the gate electrode 304 and the source / drain electrode 306 form one driver or driving thin film transistor.

패시베이션막 또는 평탄막(307) 상에 일측 방향으로 드레인 전극과 전기적으로 연결된 하부 발광용 제1 전극(308)이 형성되어 있고 타측 방향으로 드레인 전극(313)과 전기적으로 연결된 상부 발광용 제1 전극(309)이 형성되어 있다. 도 4b의 S1 영역에 나타낸 바와 같이 하부 발광용 제1 전극(308)과 상부 발광용 제1 전극(309)은 드레인 전극상에 순차적으로 형성되어 단락된다.A lower light emitting first electrode 308 is formed on the passivation film or the flat film 307 and electrically connected to the drain electrode in one direction, and the first electrode for upper light emission electrically connected to the drain electrode 313 in the other direction. 309 is formed. As shown in region S1 of FIG. 4B, the lower light emitting first electrode 308 and the upper light emitting first electrode 309 are sequentially formed on the drain electrode and are short-circuited.

상하부 발광용 제1 전극(308, 309)이 단락된 영역(S1) 상부에는 절연막(310)이 형성되어 있고, 그 상부에는 격벽(311)이 형성되어 있다. 한편 유기 전계 발광층(312)과 상부 발광용 제2 전극(313)이 차례로 형성되어 있는데, 격벽(311)에 의해 각 발광 픽셀별로 분리되어 있다.An insulating film 310 is formed above the region S1 where the upper and lower light emitting first electrodes 308 and 309 are short-circuited, and a partition 311 is formed thereon. On the other hand, the organic electroluminescent layer 312 and the second electrode 313 for upper emission are sequentially formed, and are separated for each light emitting pixel by the partition 311.

하부 발광용 제1 전극(308)이 형성된 쪽의 상부 발광용 제2 전극(313) 상부에 하부 발광용 제2 전극(315)이 형성되어 반사막의 기능을 하게 되어있다. The lower emission second electrode 315 is formed on the upper emission second electrode 313 on the side where the lower emission first electrode 308 is formed to function as a reflective film.

결과적으로 하부 발광용 제1 전극이 형성된 쪽에는 상부 발광용 제2 전극(313)과 하부 발광용 제2전극(315)이 겹쳐 하부 발광용 제2 전극(313+315)을 형성하게 된다.As a result, the lower emission second electrode 313 + 315 is formed on the side where the lower emission first electrode is formed by overlapping the upper emission second electrode 313 and the lower emission second electrode 315.

상부 발광용 제2 전극(313)과 하부 발광용 제2 전극(313+315)은 전기적으로 격벽에 의해 분리되어 있으며, 각각 분리되어 다른 기저 전압(GND)에 접속되어 있다. 이에 따라 상부 발광용 제2 전극(313)과 하부 발광용 제2 전극(313+315)를 선택적으로 기저 전압에 연결하므로 상부 발광과 하부 발광을 선택할 수 있다. The upper light emitting second electrode 313 and the lower light emitting second electrode 313 + 315 are electrically separated by a partition wall, and are respectively separated and connected to different ground voltage GND. Accordingly, the upper and lower emission may be selected because the upper emission second electrode 313 and the lower emission second electrode 313 + 315 are selectively connected to the base voltage.

제2 전극이 형성된 상부에 패시베이션 층(316)이 형성되어 있으며, 실란트(317)나 전면 접착제를 사용하여 상기 패시베이션 층(316)상에 글라스(glass)제의 캡(cap)(318)이 접착되어 인캡슐레이션(encapsulation) 된다.A passivation layer 316 is formed on the second electrode, and a glass cap 318 is adhered to the passivation layer 316 using a sealant 317 or a front adhesive. To be encapsulated.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면으로서 패시베이션(passivation)막 또는 평탄막 상부에 하부 발광용 제1 전극(ITO)이 형성되어 있는 경우를 나타낸 도면이다.4A to 4F are views illustrating a manufacturing process of a double-sided light emitting device according to a first embodiment of the present invention, in which a case in which a lower light emitting first electrode ITO is formed on a passivation film or a flat film. The figure shown.

도 4a를 참조하여 설명하자면 다음과 같다.A description with reference to FIG. 4A is as follows.

유리 기판(301) 상부에 폴리실리콘(p-Si)층(302)을 형성한 후 그 상부에 게이트 전극(304)을 형성시킨다.그 후 게이트 전극을 마스크로 사용하여 열처리하여 소스/ 드레인 영역(303)을 정의한다. 그 후 게이트 절연막(305)을 형성하고, 소스/ 드레인 영역까지 홀을 형성한 후 소스/드레인 전극(306)을 형성시킨다. 다음으로 그 상부에 패시베이션(passivation)막 또는 평탄막(307)을 형성시켜서 박막 트랜지스터를 형성한다.A polysilicon (p-Si) layer 302 is formed on the glass substrate 301, and then a gate electrode 304 is formed on the glass substrate 301. Then, the gate electrode is used as a mask and heat-treated to form a source / drain region ( 303). Thereafter, the gate insulating layer 305 is formed, and the source / drain electrode 306 is formed after the hole is formed to the source / drain region. Next, a passivation film or a flat film 307 is formed thereon to form a thin film transistor.

하부 발광용 제1 전극(308)을 소스/드레인 전극과 연결시키면서 상기 패시베이션(passivation)막 또는 평탄막(307) 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 형성시킨다. The lower emission first electrode 308 is connected to the source / drain electrodes and formed in a region other than the upper portion of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer 307.

도 4b를 참조하여 설명하자면 다음과 같다.A description with reference to FIG. 4B is as follows.

도 4a에 나타낸 과정을 거친 후에, 상부 발광용 제1 전극(309)을 하부 발광용 제1 전극(308)의 소스/드레인 전극 연결부분과 단락(short)시키면서 패시베이션 막 또는 평탄막(307) 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 형성시킨다. 즉, 상부 발광용 제1 전극(309)은 박막 트랜지스터가 있어서 하부 발광(bottom emission)이 제한되는 영역에 형성시키게 된다.After the process shown in FIG. 4A, the upper emission first electrode 309 is shorted with the source / drain electrode connection portion of the lower emission first electrode 308, and the upper portion of the passivation film or the flat film 307 is formed. It is formed in the upper region of the thin film transistor. That is, the first electrode 309 for upper emission is formed in a region where the bottom emission is restricted because of the thin film transistor.

하부 발광용 제1 전극 및 상부 발광용 제1 전극의 형성 순서는 상관없으나 통상 하부 발광용 제1 전극을 형성시킨 후 상부 발광용 제1 전극을 형성시키며 상기 실시예도 하부 발광용 제1 전극을 먼저 형성시킨 후 상부 발광용 제1 전극을 형성시키는 경우를 예로 들고 있다.The order of forming the lower emission first electrode and the upper emission first electrode may be used. However, the lower emission first electrode may be formed, and then the upper emission first electrode may be formed. For example, the first electrode for upper emission is formed after the formation.

제1 전극은 전도성 물질이라면 어떤 것이든 사용가능하며, 특히 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide,ITO), 유기 전도성 물질, 금속 및 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 그밖에 상기 물질들의 혼합 형태를 사용하게 된다. The first electrode can be used as long as it is a conductive material, in particular indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, an alloy or multi-layer of metal and metal, or a mixture of the above materials. Done.

그중에서도 특히 상부 발광용 제1 전극으로는 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)을 사용하거나 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드 (ITO), 몰리브덴(Mo)을 1~1,000Å 정도의 두께로 얇게 입힌 것을 사용하는 것이 바람직하다.Among them, aluminum (Al), aluminum (Al) nibidium (Nd) alloy or silver (Ag) may be used as the first electrode for upper emission, or chromium (Cr), indium tin oxide (ITO), or molybdenum (on top). It is preferable to use what coated Mo) thinly in the thickness of about 1-1,000 micrometers.

도 4c의 과정은 도 4b의 과정을 거친 다음에 절연막(310)을 형성시키는 단계를 나타낸다. 도 4d의 과정은 도 4c의 과정을 거친 다음에 제2 전극(313,315)을 분리 형성시키도록 격벽(311)을 형성시키는 단계를 나타낸다.The process of FIG. 4C illustrates a step of forming the insulating film 310 after the process of FIG. 4B. The process of FIG. 4D illustrates a step of forming the partition 311 to separately form the second electrodes 313 and 315 after the process of FIG. 4C.

도 4e의 과정은 도 4d의 과정을 거친 다음에 순서대로 유기 전계 발광층(312) 및 상부 발광용 제2 전극(313)을 형성시키는 단계를 나타낸다.The process of FIG. 4E illustrates the steps of forming the organic EL layer 312 and the second electrode 313 for top emission in order after the process of FIG. 4D.

상부 발광용 제2 전극(313)으로는 빛 투과율이 높은 전도성 물질을 사용하게 되며, 제1 전극(양극)과 마찬가지로 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide,ITO), 유기 전도성 물질, 금속 및 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 그밖에 상기 물질들의 혼합 형태를 사용하게 된다. As the second electrode 313 for upper emission, a conductive material having a high light transmittance is used. Like the first electrode (anode), an indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, an alloy of a metal and a metal Or multi layers, or other mixtures of these materials.

특히 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)-은(Ag)을 1~1,000Å 정도의 두께로 얇게 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드나 무기물을 입힌 것이 바람직하다.
또한, 상부 발광용 제2 전극(313)으로는 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag) 중 어느 하나를 사용하거나, 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나를 입힌 것을 사용할 수도 있다.In particular, aluminum (Al), magnesium (Mg)-silver (Ag) is preferably thinly coated with a thickness of about 1 ~ 1,000Å and indium tin oxide or inorganic on top of it.
In addition, any one of aluminum (Al), aluminum (Al) -nidium (Nd) alloy, or silver (Ag) may be used as the second light emitting electrode 313, or chromium (Cr) or indium may be disposed thereon. One coated with either tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo) may be used.

도 4f의 과정은 도 4e의 과정을 거친 다음에 셰도우 마스크(314)를 이용하여 상기 상부 발광용 제2 전극(313) 상에 반사율이 높은 금속을 사용하여 하부 발광용 제2 전극(315)을 형성시키되 하부 발광용 제1 전극(308)이 형성된 부분에 선택적으로 형성시키는 단계를 나타낸다. 이로써 상부 발광용 제2 전극(313)을 투과한 빛이 하부 발광용 제2 전극(315)에 반사되어 하부로 발광할 수 있도록 한다.In the process of FIG. 4F, after the process of FIG. 4E, the second electrode 315 for lower emission is formed by using a metal having high reflectance on the second electrode 313 for upper emission using the shadow mask 314. And selectively forming the portion in which the lower light emitting first electrode 308 is formed. As a result, light transmitted through the second light emitting electrode 313 may be reflected by the second light emitting electrode 315 to emit light downward.

도 4g의 과정은 도 4f의 과정을 거친 다음에 진공 분위기 또는 수분과 산소량을 조절할 수 있는 분위기 하에서 인캡슐레이션(encapsulation)을 실시하는 단계 를 나타낸다. The process of FIG. 4G represents the step of performing encapsulation in a vacuum atmosphere or an atmosphere in which moisture and oxygen levels can be adjusted after the process of FIG. 4F.

이때 전면 접착제(adhesive)를 사용하거나, 실란트(sealant)(317)를 이용하여 전면 실링(sealing)하기 전에 소자에 패시베이션 층(passivation layer)(316)을 형성할 수 있다.In this case, the passivation layer 316 may be formed on the device before using the front adhesive or the front seal using the sealant 317.

패시베이션 층(316)은 유기물(특히 고분자)층, 무기물(SiNx, SiO2)층 또는 이들의 복합 층(multi-layer)일 수 있다. The passivation layer 316 may be an organic (particularly polymer) layer, an inorganic (SiNx, SiO 2 ) layer, or a multi-layer thereof.

실란트(317)나 전면 접착제를 사용하여 패시베이션 층(316)상에 글라스(glass)제의 캡(cap)(318)을 접착시켜 소자를 인캡슐레이션(encapsulation)시키게 된다.An encapsulation of the device is performed by bonding a glass cap 318 to the passivation layer 316 using a sealant 317 or a front adhesive.

접착제(adhesive)로는 광 효율 특성을 고려하여 적당한 재료를 사용하게 되는데, 주로 UV 경화형, 열 경화형 또는 이 두 가지 형태의 혼합형 유기물을 사용하는데 특히 UV 경화형 접착제가 바람직하다.  As an adhesive, a suitable material is used in consideration of light efficiency characteristics, and mainly UV curable, thermal curable, or a mixed organic material of the two types is particularly preferable.

실링에 사용되는 실란트(sealant)(317)도 UV 경화형, 열 경화형 또는 이 두 가지 형태의 혼합형 유기물 모두 사용 가능하다.The sealant 317 used for the sealing can also be UV curable, heat curable or both types of organic compound.

본 발명의 양면 발광형 유기 전계 발광소자는 하나의 픽셀에 두개의 발광 픽셀을 형성하되 두 개의 제1 전극(양극)은 단락(short)시키고, 제2 전극(음극)을 격벽을 사용하여 분리 형성함으로써 두 발광 픽셀을 선택적으로 발광시킬 수 있는 구조를 가진다. In the double-sided organic light emitting device of the present invention, two light emitting pixels are formed in one pixel, but two first electrodes (cathodes) are shorted and a second electrode (cathode) is formed by using a partition wall. Thus, it has a structure capable of selectively emitting two light emitting pixels.

도 4g에서 a 영역은 상부 발광영역을 나타내며, b영역은 하부 발광 영역을 나타낸다.In FIG. 4G, a region represents an upper emission region, and b region represents a lower emission region.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양면 발광 소자를 나타낸 도면이다.5 is a view showing a double-sided light emitting device according to another embodiment of the present invention.

유리 기판(501) 상부에 폴리 실리콘층(502)이 형성되어 있고, 그 상부에 게이트 전극(504)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(504)은 게이트 절연막(505)에 의해 절연되어 있다. 한편 상기 폴리실리콘 층은 게이트 전극(504)을 마스크로 사용하여 열처리에 의해 소스/드레인 영역(503)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(505)에 형성되어 있는 홀에 소스/드레인 전극(506)이 형성되어 있다. The polysilicon layer 502 is formed on the glass substrate 501, the gate electrode 504 is formed on the glass substrate 501, and the gate electrode 504 is insulated by the gate insulating film 505. In the polysilicon layer, a source / drain region 503 is formed by heat treatment using the gate electrode 504 as a mask. A source / drain electrode 506 is formed in the hole formed in the gate insulating film 505.

한편 하부 발광용 제1 전극(506)은 게이트 절연막(505) 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 형성되어 있으며 그 일부가 소스/드레인 전극(507)과 게이트 절연막 (505)사이에 형성되어 있다.The lower light emitting first electrode 506 is formed in a region other than the upper portion of the thin film transistor in the upper portion of the gate insulating layer 505, and a part thereof is formed between the source / drain electrode 507 and the gate insulating layer 505.

소스/드레인 전극(507) 상부에 패시베이션 막 또는 평탄막(508)이 형성되며, 패시베이션 막 또는 평탄막(408) 상부에 상부 발광용 제1 전극(409)이 형성되어 있고 하부 발광용 제1 전극(506)과 단락되어 있다. The passivation film or the flat film 508 is formed on the source / drain electrode 507, and the first electrode 409 for the top light emission is formed on the passivation film or the flat film 408, and the first electrode for the bottom light emission. It is shorted to 506.

제1 전극(506, 509) 상부에는 절연막(510)이 패터닝 되어 있고, 그 상부에는 격벽(511)이 형성되어 있다. 한편 유기 전계 발광층(512)과 상부 발광용 제2 전극(513)이 차례로 격벽(511)에 의해 각 발광 픽셀별로 분리 형성되어 있다.An insulating film 510 is patterned on the first electrodes 506 and 509, and a partition 511 is formed on the first electrode 506 and 509. On the other hand, the organic electroluminescent layer 512 and the second electrode 513 for upper emission are sequentially formed by each partition pixel by the partition 511.

하부 발광용 제1 전극(506)이 형성된 쪽의 상부 발광용 제2 전극(513) 상부에 하부 발광용 제2 전극(515)이 형성되어 있다. The lower emission second electrode 515 is formed on the upper emission second electrode 513 on the side where the lower emission first electrode 506 is formed.

그 상부에 패시베이션 층(516)이 형성되어 있으며, 실란트(517)나 전면 접착 제를 사용하여 상기 패시베이션 층(516)상에 글라스(glass)제의 캡(cap)(518)이 접착되어 소자는 인캡슐레이션(encapsulation) 되어 있다.A passivation layer 516 is formed thereon, and a glass cap 518 is adhered to the passivation layer 516 using a sealant 517 or a front adhesive. It is encapsulation.

도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양면 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면으로서 소스/드레인 전극 밑에 하부 발광용 제1 전극(ITO)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판을 사용할 경우를 나타낸 도면이다.6A to 6H are views illustrating a manufacturing process of a double-sided light emitting device according to a first embodiment of the present invention, in which a thin film transistor substrate having a first light emitting electrode (ITO) formed under a source / drain electrode is formed. The figure shown.

도 6a를 참조하여 설명하자면 다음과 같다.Referring to Figure 6a as follows.

유리 기판(501) 상부에 폴리 실리콘(poly-Si)층(502)을 형성한 후 그 상부에 게이트 전극(504)을 형성시킨다. 그 후 게이트 전극을 마스크로 사용하여 열처리하여 소스/ 드레인 영역(503)을 정의한다. 그 후 게이트 절연막(505)을 형성하고, 소스/ 드레인 영역까지 홀을 형성한 후 게이트 절연막(505)의 상부 일부에 하부 발광용 제1 전극(506)을 형성시킨다. 그 다음으로 상기 홀에 소스/드레인 전극(507)을 형성시킨다. A poly-Si layer 502 is formed on the glass substrate 501, and then a gate electrode 504 is formed on the glass substrate 501. Thereafter, heat treatment is performed using the gate electrode as a mask to define the source / drain region 503. Thereafter, the gate insulating film 505 is formed, and holes are formed in the source / drain region, and then the lower light emitting first electrode 506 is formed in the upper portion of the gate insulating film 505. Next, source / drain electrodes 507 are formed in the holes.

도 6b는 도 6a에 나타낸 단계를 거친 후 그 상부에 패시베이션(passivation)막 또는 평탄막(508)을 형성시켜서 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 나타낸다.6B illustrates a step of forming a thin film transistor by forming a passivation film or a flat film 508 on the upper side after the step shown in FIG. 6A.

도 6c는 도 6b에 나타낸 단계를 거친 후 상부 발광용 제1 전극(509)을 하부 발광용 제1 전극(506)과 단락(short)시키면서 패시베이션 막 또는 평탄막(508) 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 형성시키는 단계를 나타낸다. 즉, 상부 발광용 제1 전극(509)은 박막 트랜지스터가 있어서 하부 발광(bottom emission)이 제한되는 영역에 형성시키게 된다. 이때 상부 발광용 제1 전극의 일부는 소스/드레인 전극(507)과 연결되어 있다.FIG. 6C illustrates the upper region of the thin film transistor in the upper portion of the passivation layer or the flat layer 508 while shorting the upper emission first electrode 509 with the lower emission first electrode 506 after the step shown in FIG. 6B. Forming step. That is, the first electrode 509 for upper emission is formed in a region where the bottom emission is limited because of the thin film transistor. In this case, a portion of the first emission upper electrode is connected to the source / drain electrode 507.

다음 도 6d 내지 6h 까지의 과정은 도 4c 내지 도 4f에 나타낸 과정과 동일한 공정을 거치게 된다. Next, the processes of FIGS. 6D to 6H are the same as those of FIGS. 4C to 4F.

즉, 도 6d는 도 6c에 나타낸 단계를 거친 후 절연막(510)을 형성시키는 단계를 나타낸다. 도 6e는 도 6d에 나타낸 단계를 거친 후 제2 전극(음극)(513,515)을 분리 형성시키도록 격벽(511)을 형성시키는 단계를 나타낸다. 도 6f는 도 6e에 나타낸 단계를 거친 후 유기 전계 발광층(512)을 형성시키는 단계를 나타낸다. 도 6g는 도 6f에 나타낸 단계를 거친 후 상부 발광용 제2 전극(513)을 형성시키는 단계이다.That is, FIG. 6D illustrates a step of forming the insulating film 510 after the step shown in FIG. 6C. FIG. 6E illustrates a step of forming the partition wall 511 to separately form the second electrodes (cathodes) 513 and 515 after the steps shown in FIG. 6D. FIG. 6F illustrates a step of forming the organic EL layer 512 after the steps shown in FIG. 6E. 6G is a step of forming the second electrode 513 for top emission after the step shown in FIG. 6F.

상부 발광용 제2 전극(513)으로는 빛 투과율이 높은 전도성 물질을 사용하게 되며, 제1 전극(양극)과 마찬가지로 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide,ITO), 유기 전도성 물질, 금속 및 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 그밖에 상기 물질들의 혼합 형태를 사용하게 된다. As the second electrode 513 for upper emission, a conductive material having high light transmittance is used. Like the first electrode (anode), an indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, an alloy of a metal and a metal Or multi layers, or other mixtures of these materials.

특히 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)-은(Ag)을 1~1,000Å 정도의 두께로 얇게 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드나 무기물을 입힌 것이 바람직하다.In particular, aluminum (Al), magnesium (Mg)-silver (Ag) is preferably thinly coated with a thickness of about 1 ~ 1,000Å and indium tin oxide or inorganic on top of it.

도 6h는 도 6g에 나타낸 단계를 거친 후 셰도우 마스크(514)를 이용하여 상기 상부 발광용 제2 전극(513) 상에 반사율이 높은 금속을 사용하여 하부 발광용 제2 전극(515)을 형성시키되 하부 발광용 제1 전극(506)이 형성된 부분에 선택적으로 형성시키는 단계를 나타낸다. 이로써 상부 발광용 제2 전극(513)을 투과한 빛이 하부 발광용 제2 전극(515)에 반사되어 하부로 발광할 수 있도록 한다.FIG. 6H illustrates a bottom light emitting second electrode 515 using a metal having high reflectivity on the top light emitting second electrode 513 using the shadow mask 514 after the steps shown in FIG. 6G. A step of selectively forming the first electrode 506 for lower emission is formed. As a result, the light transmitted through the upper light emitting second electrode 513 is reflected by the lower light emitting second electrode 515 to emit light downward.

다음으로 도 6i에 나타낸 바와 같이 진공 분위기 또는 수분과 산소량을 조절 할 수 있는 분위기 하에서 인캡슐레이션(encapsulation)을 실시한다. Next, as shown in FIG. 6I, encapsulation is performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere capable of controlling moisture and oxygen amounts.

이때 전면 접착제(adhesive)를 사용하거나, 실란트(sealant)(517)를 이용하여 전면 실링(sealing)하기 전에 소자에 패시베이션 층(passivation layer)(516)을 형성할 수 있다.At this time, a passivation layer 516 may be formed on the device before using the front adhesive or the front seal using the sealant 517.

상기 패시베이션 층(516)은 유기물(특히 고분자)층, 무기물(SiNx, SiO2)층 또는 이들의 복합 층(multi-layer)일 수 있다. The passivation layer 516 may be an organic (particularly polymer) layer, an inorganic (SiNx, SiO 2 ) layer or a multi-layer thereof.

실란트(517)나 전면 접착제를 사용하여 상기 패시베이션 층(516)상에 글라스(glass)제의 캡(cap)(518)을 접착시켜 소자를 인캡슐레이션(encapsulation)시키게 된다.An encapsulation of the device is performed by bonding a glass cap 518 onto the passivation layer 516 using a sealant 517 or a front adhesive.

접착제(adhesive)로는 광 효율 특성을 고려하여 적당한 재료를 사용하게 되는데, 주로 UV 경화형, 열 경화형 또는 이 두 가지 형태의 혼합형 유기물을 사용하는데 특히 UV 경화형 접착제가 바람직하다.  As an adhesive, a suitable material is used in consideration of light efficiency characteristics, and mainly UV curable, thermal curable, or a mixed organic material of the two types is particularly preferable.

실링에 사용되는 실란트(sealant)(517)도 UV 경화형, 열 경화형 또는 이 두 가지 형태의 혼합형 유기물 모두 사용 가능하다.The sealant 517 used for the sealing can also be UV curable, thermal curable or both types of mixed organics.

본 발명의 양면 발광형 유기 전계 발광소자는 하나의 픽셀에 두개의 발광 픽셀을 형성하되 두 개의 제1 전극(양극)은 단락(short)시키고, 제2 전극(음극)을 격벽을 사용하여 분리 형성함으로써 두 발광 픽셀을 선택적으로 발광시킬 수 있는 구조를 가진다. In the double-sided organic light emitting device of the present invention, two light emitting pixels are formed in one pixel, but two first electrodes (cathodes) are shorted and a second electrode (cathode) is formed by using a partition wall. Thus, it has a structure capable of selectively emitting two light emitting pixels.

도 6i에서 a 영역은 상부 발광영역을 나타내며, b영역은 하부 발광 영역을 나타낸다.In FIG. 6I, a region represents an upper emission region, and b region represents a lower emission region.

이상, 본 발명을 실시예를 들어 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.In the above, the present invention has been described with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

즉, 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다.That is, it will be understood by those skilled in the art that the technical configuration of the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive.

본 발명에 따라 양면 발광형 전계 발광소자를 제조할 경우 별다른 추가 공정 및 증착 공정 없이 한번 증착으로 양쪽으로 발광하는 소자를 구현할 수 있으므로 부품 비용 및 두께를 획기적으로 줄일 수 있다.In the case of manufacturing the double-sided light emitting device according to the present invention, it is possible to implement a device that emits light on both sides by one deposition without any additional process and deposition process, it is possible to drastically reduce the part cost and thickness.

Claims (17)

하나의 픽셀에 상부 발광층과 하부 발광층이 각각 분리되어 형성되어 있고 상기 상부 발광층과 상기 하부 발광층은 하나의 구동부에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자. The upper emission layer and the lower emission layer are formed separately from each other, and the upper emission layer and the lower emission layer are driven by one driving unit. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 발광층 하부에는 상부 발광용 제1 전극이, 상부에는 상부 발광용 제2 전극이 형성되어 있고;A first electrode for upper emission is formed below the upper emission layer, and a second electrode for upper emission is formed above; 상기 하부 발광층 하부에는 하부 발광용 제1 전극이, 상부에는 하부 발광용 제2 전극이 차례로 형성되어 있으며;A lower first light emitting electrode is formed under the lower light emitting layer, and a second lower light emitting electrode is formed in an upper portion of the lower light emitting layer; 상기 상부 발광용 제1 전극과 상기 하부 발광용 제1 전극은 상기 구동부의 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자. The first light emitting electrode and the first light emitting lower electrode are electrically connected to the drain electrode of the driving unit. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상부 발광용 제2 전극과 상기 하부 발광용 제2 전극은 각각 격벽에 의해 분리 형성되어 있으며, 상기 상부 발광용 제2 전극과 상기 하부 발광용 제2 전극은 각각 분리되어 기저 전압에 연결된 것을 특징으로 하는 전계 발광소자. The upper light emitting second electrode and the lower light emitting second electrode are each formed by a partition wall, and the upper light emitting second electrode and the lower light emitting second electrode are respectively separated and connected to a ground voltage. An electroluminescent element. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 하부 발광용 제1 전극 및 상기 상부 발광용 제1 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 유기 전도성 물질, 금속, 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 및 이들의 혼합 형태로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.The lower light emitting first electrode and the upper light emitting first electrode may be any one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, a metal, an alloy or a multi layer of a metal, and a mixture thereof. Electroluminescent element, characterized in that using one. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 상부 발광용 제1 전극과 상기 상부 발광용 제2 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하거나, 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.The upper light emitting first electrode and the upper light emitting second electrode may use any one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy, or silver (Ag), or an upper portion thereof. Electroluminescent device, characterized in that using any one selected from the group consisting of chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo). 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상부 발광용 제1 전극의 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)은 1~1,000Å 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.The chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo) of the first electrode for top emission is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 상부 발광용 제2 전극은 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물을 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드 또는 무기물을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.The second electrode for upper light emission is an electroluminescent device, characterized in that the aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixed dry and coated with an indium tin oxide or an inorganic material thereon. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 상부 발광용 제2 전극의 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물은 1~1,000Å의 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자.The aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixture of the second electrode for top emission is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å. 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 하부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; Forming a first electrode for lower emission in a region other than the upper portion of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer; 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 하부 발광용 제1 전극과 단락시키면서 상기 상부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계;Forming a first electrode for upper emission while shorting the first electrode for lower emission in the upper region of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer; 유기 전계 발광층 상부에 상부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계; 및Forming a second electrode for upper emission on the organic electroluminescent layer; And 상기 하부 발광용 제1 전극이 형성된 쪽의 상기 상부 발광용 제2 전극 상부에 하부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.And forming a second bottom light emitting electrode on the top of the second top light emitting electrode on the side where the first bottom light emitting electrode is formed. 게이트 절연막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 이외의 영역에 하부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계; Forming a first electrode for lower emission in a region other than the upper portion of the thin film transistor among the gate insulating layer; 패시베이션 막 또는 평탄막 상부 중 박막 트랜지스터 상부 영역에 하부 발광용 제1 전극과 단락시키면서 상기 상부 발광용 제1 전극을 형성시키는 단계;Forming a first electrode for upper emission while shorting the first electrode for lower emission in the upper region of the thin film transistor among the passivation layer or the flat layer; 유기 전계 발광층 상부에 상부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계; 및Forming a second electrode for upper emission on the organic electroluminescent layer; And 상기 하부 발광용 제1 전극이 형성된 쪽의 상기 상부 발광용 제2 전극 상부 에 하부 발광용 제2 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.And forming a second bottom light emitting electrode on the top of the second top light emitting electrode on the side where the first bottom light emitting electrode is formed. 제 9항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 하부 발광용 제2 전극은 셰도우 마스크를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.The second electrode for bottom emission is formed using a shadow mask. 제 9항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 하부 발광용 제1 전극 및 상부 발광용 제1 전극으로 인듐 틴 옥사이드(ITO), 유기 전도성 물질, 금속, 금속의 합금 또는 복층(multi layer), 및 이들의 혼합 형태로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.Any one selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), an organic conductive material, a metal, an alloy or a multi layer of a metal, and a mixture thereof may be used as the first electrode for lower emission and the first electrode for upper emission. Method for producing an electroluminescent device, characterized in that used. 제 9항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상부 발광용 제1 전극으로 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)을 사용하거나 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.Aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy or silver (Ag) may be used as the first light emitting upper electrode, or chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo) thereon. Method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that using the coated. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)은 1~1,000Å 두께로 입 히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.Chromium (Cr), indium tin oxide (ITO) or molybdenum (Mo) is a method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that it is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å. 제9항 또는 제10항에 있어서,The method of claim 9 or 10, 상부 발광용 제2 전극으로 알루미늄(Al), 알루미늄(Al)-니비듐(Nd) 합금 또는 은(Ag)을 사용하거나 그 상부에 크롬(Cr), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 몰리브덴(Mo)을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.Aluminum (Al), aluminum (Al) -nibidium (Nd) alloy or silver (Ag) may be used as the second light emitting upper electrode, or chromium (Cr), indium tin oxide (ITO), or molybdenum (Mo) thereon. Method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that using the coated. 제 9항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상부 발광용 제2 전극으로 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물을 입히고 그 상부에 인듐 틴 옥사이드 또는 무기물을 입힌 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.An aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixed dry material is coated as a second electrode for upper light emission, and an indium tin oxide or an inorganic material is coated on the upper electrode. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 알루미늄(Al) 또는 마그네슘(Mg)-은(Ag) 혼합 건조물은 1~1,000Å의 두께로 입히는 것을 특징으로 하는 전계 발광소자의 제조방법.An aluminum (Al) or magnesium (Mg) -silver (Ag) mixture of dried, the method of manufacturing an electroluminescent device, characterized in that it is coated with a thickness of 1 ~ 1,000Å.
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