KR20050111595A - Electronic component and radiating member, and method of manufacturing semiconductor device using the component and member - Google Patents

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Abstract

A method of manufacturing a semiconductor device using an electronic component and a radiating member connected to each other through a heat conductive member, characterized by comprising the steps of forming one of a flat-shaped metallic body and a recessed metallic body on the electronic component by deposition treatment or plating treatment, forming the other of the flat-shaped metallic body and the recessed metallic body on the radiating member by the deposition treatment or the plating treatment, and filling a liquid metal in the recessed part of the recessed metallic body to form the liquid metal, flat-shaped metallic body, and a part of the recessed metallic body into a solid solution.

Description

전자 부품과 방열 부재 및 이들을 사용한 반도체 장치의 제조 방법{ELECTRONIC COMPONENT AND RADIATING MEMBER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPONENT AND MEMBER}ELECTRONIC COMPONENT AND RADIATING MEMBER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPONENT AND MEMBER}

본 발명은 전자 부품과 방열 부재 및 이들을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전자 부품과 방열 부재를 연결하는 열전도체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component, a heat dissipation member, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and more particularly, to a heat conductor connecting an electronic component and a heat dissipation member.

최근, 정보 기기 장치는 고기능 및 고성능을 요구하고 있다. 그 때문에 기기 장치에 사용되는 전자 부품은 고기능화 및 고속화가 되어가고 있다.In recent years, information equipment devices demand high functions and high performance. Therefore, the electronic components used for the device apparatus have become high in functionality and high in speed.

한편, 이 전자 부품은 발열량이 증가하고, 그 열이 오동작을 초래하여, 성능을 저하시고 있다. 따라서, 이 열을 효율적으로 방열하여 냉각시킬 필요가 있다.On the other hand, the amount of heat generated by this electronic component increases, and the heat causes malfunction, thereby degrading performance. Therefore, it is necessary to radiate and cool this heat efficiently.

일반적인 전자 부품의 냉각 기술로서는 전자 부품과 히트싱크를 압착하고, 전자 부품이 발생한 열을 히트싱크에 전도하고, 히트싱크로부터 공기중에 방열하는 것이 있다. 그러나, 이 냉각 기술은 전자 부품과 히트싱크의 열전도의 밀착의 정도가 매우 적다.Common techniques for cooling electronic components include compressing electronic components and heat sinks, conducting heat generated by the electronic components to the heat sinks, and radiating heat from the heat sinks into the air. However, this cooling technique has a very small degree of adhesion between the heat conduction of the electronic component and the heat sink.

이를 개선한 기술로서 예를 들면 일본국 특개 2002-30217호 공보가 있다. 이 공보에 기재된 냉각 기술은 열을 전도하는 필러(filler)를 혼입한 열전도성 수지를 통해 전자 부품과 히트싱크를 압착시킴으로써 전자 부품과 히트싱크의 열전도의 밀착의 정도를 증가시켜서 방열 효과를 향상시키는 것이다.As an improved technique, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-30217. The cooling technique described in this publication improves the heat dissipation effect by increasing the degree of thermal conductivity of electronic components and heat sinks by compressing the electronic components and heat sinks through a thermally conductive resin incorporating a heat conducting filler. will be.

그 밖의 냉각 기술로서는 일본국 특개소63-102345호 공보가 있다. 이 공보에 기재된 냉각 기술은 열전도성 합금을 통하여 전자 부품과 방열체를 접합하고, 그리하여 전자 부품과 히트싱크의 열전도의 밀착의 정도를 증가시킴으로써 열전도율을 향상시키는 것이다. 이 열전도성 합금은 금속의 인듐과 액상 금속의 갈륨의 반 응고(半凝固) 상태의 금속이다.As another cooling technique, Japanese Patent Laid-Open No. 63-102345 is disclosed. The cooling technique described in this publication improves thermal conductivity by joining an electronic component and a heat sink through a thermally conductive alloy, thereby increasing the degree of adhesion of the thermal conductivity of the electronic component and the heat sink. This thermally conductive alloy is a metal in a semi-solidified state of indium metal and gallium liquid metal.

또한, 일본국 특허출원 2002-140316호 공보가 있다. 이 공보에 기재된 냉각 기술은 금속의 인듐과 액상 금속의 열전도성 합금을 통해 전자 부품과 방열체를 접합하여 열전도율을 향상시키는 것이다. 이 열전도성 합금은 액체이며, 이 액체 금속이 유출하는 것을 방지하는 돌제(突堤: bank)를 마련하고 있고 있다.In addition, there is a Japanese Patent Application Publication No. 2002-140316. The cooling technique described in this publication improves thermal conductivity by joining an electronic component and a heat sink through a thermally conductive alloy of indium metal and liquid metal. This heat conductive alloy is a liquid, and has provided the bank which prevents this liquid metal from flowing out.

그러나, 상술한 일본국 특개 2002-30217호 공보에 기재된 기술은 열전도성 수지를 통해 전자 부품과 방열체인 히트싱크를 압착하는 것이다. 이 때문에 열전도율이 낮다고 하는 문제를 갖게 된다. 또 일본국 특개소 63-102345호 공보에 기재된 기술은 반 응고 상태의 금속을 통해 전자 부품과 히트싱크를 밀착시켜, 전자 부품과 히트싱크를 접속한다. 따라서 반 응고 상태의 금속이 유출, 산란하여 주위의 회로 기판, 전자 부품의 단락을 초래하게 된다. 그리고 특허출원 2002-140316호 공보에 기재된 기술은 액체 금속이 유출하는 것을 방지하는 돌제를 마련했기 때문에, 이 돌제의 존재가 부품 수, 부품 코스트, 제조 공정 수를 증가시킨다.However, the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-30217 is to compress an electronic part and a heat sink which is a heat sink through a thermally conductive resin. For this reason, there exists a problem that thermal conductivity is low. In addition, the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 63-102345 connects an electronic part and a heat sink in close contact with a metal in a semi-solidified state, thereby connecting the electronic part and the heat sink. As a result, the semi-solidified metal leaks and scatters, causing short circuits of surrounding circuit boards and electronic components. In addition, since the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-140316 has provided a projection preventing liquid metal from flowing out, the presence of the projection increases the number of parts, part cost, and number of manufacturing processes.

발명의 개시Disclosure of the Invention

본 발명의 목적은 방열체와 열전도성 부재의 열전도의 밀착의 정도를 증가시켜, 전자 부품과 방열체의 열전도율을 향상시키는 것이다. 결과적으로 전자 부품의 방열 효과를 향상시킨다. 또한 주위의 회로 기판, 전자 부품 등의 단락 장해를 방지하고, 그리하여 부품 수, 부품 코스트, 제조 공정 수의 증가를 억제할 수 있는 새로운 전자 부품 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to increase the degree of adhesion between the heat conduction of the heat sink and the heat conductive member, thereby improving the thermal conductivity of the electronic component and the heat sink. As a result, the heat dissipation effect of the electronic component is improved. In addition, it is to provide a new electronic component device that can prevent short circuit disturbances of surrounding circuit boards, electronic components, and the like, thereby suppressing an increase in the number of components, component costs, and manufacturing processes.

본 발명은 열전도 부재를 통해, 전자 부품과 방열 부재를 연결한 전자 부품 장치로서, 구체적으로는, 전자 부품과 방열 부재에 마련된 열전도 부재의 금속체가 증착 처리 또는 도금 처리에서 형성된다. 그리고 각 금속체는 액체 금속에 의해 고용체로서 서로를 고착(固着)하고 있다. 따라서 금속체와 액상 금속체의 고용체인 열전도 부재를 통해 전자 부품과 방열부가 연결된다. 결과적으로 전자 부품과 열전도 부재의 열전도용의 밀착 면적을 증가시키고, 또한 방열 부재와 열전도 부재의 열전도용의 밀착 면적을 증가시켜, 더욱 열전도 부재의 금속체와 액상 금속체의 열전도율을 향상시킨다. 이 때문에 전자 부품의 방열 효과를 향상시킬 수 있다. 또한 금속체와 액상 금속체의 고용체는 상온에서 행하여지기 때문에, 전자 부품에 열 스트레스를 주지 않는다.This invention is an electronic component apparatus which connected the electronic component and the heat dissipation member via the heat conductive member, Specifically, the metal body of the heat conductive member provided in the electronic component and the heat dissipation member is formed in a vapor deposition process or a plating process. Each metal body is fixed to each other by a solid metal as a solid solution. Therefore, the electronic component and the heat dissipation part are connected through a heat conduction member which is a solid solution of the metal body and the liquid metal body. As a result, the adhesion area for heat conduction of an electronic component and a heat conduction member is increased, and also the adhesion area for heat conduction of a heat radiating member and a heat conduction member is increased, and the thermal conductivity of the metal body of a heat conduction member, and a liquid metal body is further improved. For this reason, the heat radiating effect of an electronic component can be improved. In addition, since the solid solution of a metal body and a liquid metal body is performed at normal temperature, it does not give thermal stress to an electronic component.

또한, 오목 형상 금속체는 바닥부와 가장자리 부위(部位)의 돌기 모양 제방부(堤防部)가 일체로 마련되어지고, 액상 금속체는 오목부에 충전되어 고용체로 된다. 따라서 액상 금속체는 오목부에 밀봉되어, 상기 부위 내로부터 유출되지 않는다. 이 때문에 주위의 회로 기판, 전자 부품 등의 단락 장해를 방지할 수 있다. 또한, 돌기 모양 제방부와 바닥부의 금속체가 일체로 형성되어 있기 때문에, 각 부품을 준비하지 않고 부품 수의 삭감과 제조 공정 수의 증가를 억제할 수 있다.In addition, the concave metal body is provided with the bottom and the protrusion-shaped bank part of the edge portion integrally, and the liquid metal body is filled into the concave portion to form a solid solution. Therefore, the liquid metal body is sealed in the recessed portion and does not flow out from within the portion. For this reason, it is possible to prevent short circuit disturbances of surrounding circuit boards and electronic components. In addition, since the metal body of the protruding embankment portion and the bottom portion is formed integrally, it is possible to suppress the reduction in the number of parts and the increase in the number of manufacturing steps without preparing each part.

금속체는 원소기호 In으로 이루어지고, 액상 금속체는 Ga, Ga-In합금, Ga-In-Sn합금, Ga-In-Zn합금, Ga-Sn합금, Ga-Zn합금의 적어도 한개로부터 선택된다. 따라서, 열전도 부재를 형성하는 금속체와 액상 금속이 응고해서 고용체로 된다. 이에 의해 열전도의 밀착의 정도를 증가시켜, 열전도율을 향상시킨다. 결과적으로 전자 부품의 방열 효과를 향상시킬 수 있다.The metal body is composed of the element symbol In, and the liquid metal body is selected from at least one of Ga, Ga-In alloy, Ga-In-Sn alloy, Ga-In-Zn alloy, Ga-Sn alloy, and Ga-Zn alloy. . Accordingly, the metal body and the liquid metal forming the heat conductive member solidify to form a solid solution. As a result, the degree of adhesion of the thermal conductivity is increased to improve the thermal conductivity. As a result, the heat dissipation effect of the electronic component can be improved.

또한 전자 부품 또는 방열 부재에 마련되는 금속체는 증착 처리 또는 도금 처리에서 형성된다. 따라서, 전자 부품과 열전도 부재의 열전도의 밀착의 정도를 증가시키고, 또한 방열 부재와 열전도 부재의 열전도의 밀착의 정도를 증가시킨다.In addition, the metal body provided in the electronic component or the heat dissipation member is formed in a deposition process or a plating process. Therefore, the degree of adhesion of the thermal conductivity of the electronic component and the heat conductive member is increased, and the degree of adhesion of the thermal conductivity of the heat dissipation member and the thermal conductive member is increased.

결과적으로 전자 부품의 방열 효과를 향상시킬 수 있다.As a result, the heat dissipation effect of the electronic component can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 전자 부품 장치의 설명도이다.1 is an explanatory diagram of an electronic component device according to the present invention.

도 2는 본 실시예에 따른 전자 부품 장치를 제조하는 도금 장치의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a plating apparatus for manufacturing an electronic component apparatus according to the present embodiment.

도 3은 본 실시예에 따른 전자 부품의 개략도이다.3 is a schematic diagram of an electronic component according to the present embodiment.

도 4는 본 실시예에 따른 방열체의 개략도이다.4 is a schematic view of a heat sink according to the present embodiment.

발명을 실시하기To practice the invention 위한 최선의 형태 Best form for

본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 설명한다.An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 전자 부품 장치의 구조를 설명한 도면이다.1 is a view for explaining the structure of an electronic component device according to the present invention.

1은 전자 부품 장치, 2는 반도체 부품 등의 전자 부품, 3은 알루미나 등의 열전도율이 양호한 금속으로 이루어진 방열체, 4는 열전도체, 41은 오목 형상의 금속체, 411은 오목 형상 금속체의 돌기 모양 제방부, 412는 오목 형상 금속체의 바닥부, 42는 평판 형상의 금속체, 43은 액상 금속이다.1 is an electronic component device, 2 is an electronic component such as a semiconductor component, 3 is a heat radiator made of a metal having good thermal conductivity such as alumina, 4 is a heat conductor, 41 is a concave metal body, and 411 is a protrusion of a concave metal body. The shape bank part 412 is a bottom part of a concave metal body, 42 is a flat metal body, and 43 is a liquid metal.

이 전자 부품 장치(1)는 열전도체(4)를 통해 전자 부품(2)과 방열체(3)가 연결되어 있다. 그리고 열전도체(4)는 오목 형상 금속체(41)와 평판 형상의 금속체(42)와 액상 금속(43)으로 구성되어 있다. 이 오목 형상 금속체(41)는 바닥부(4l2)와 가장자리 부위에 돌기 모양 제방부(41l)를 일체 구성으로 구비하고 있다. 이 가장자리 부위의 돌기 모양 제방부(411)와 바닥부(412)는 도금 처리에서 일체 형성되어 있다.In this electronic component device 1, the electronic component 2 and the heat sink 3 are connected via the heat conductor 4. The heat conductor 4 is composed of a concave metal body 41, a flat metal body 42, and a liquid metal 43. This concave metal body 41 is provided with the bottom part 4l2 and the protrusion-shaped bank part 41l in an integral structure. The protrusion-shaped bank part 411 and the bottom part 412 of this edge part are integrally formed by the plating process.

구체적으로는 열전도체(4)의 오목 형상 금속체(41)는 도금에 의해 전자 부품(2)의 상부에 형성되어 있다. 열전도체(4)의 평판 형상의 금속체(42)는 도금에 의해 방열체(3)의 하부에 형성되어 있다. 그리고 액상 금속(43)은 오목 형상 금속체(41)의 돌기 모양 제방부(411)에 둘러싸인 바닥부(412)에 충전되어 있다. 액상 금속(43)으로서는 열전도율이 높은 예를 들면 Ga계 합금을 사용할 수 있다. 그리고 오목 형상 금속체(41), 평판 형상의 금속체(42)로서는 예를 들면 상기의 액상 금속(43)과 금속체(41, 42)가 서로 고용체화가 가능하여, 고용체화 했을 때에도 열전도율이 저하하지 않는 금속은 바람직하게 원소기호 ln 또는 그 합금으로부터 선출된다.Specifically, the concave metal body 41 of the heat conductor 4 is formed in the upper part of the electronic component 2 by plating. The flat metal body 42 of the heat conductor 4 is formed in the lower part of the heat sink 3 by plating. The liquid metal 43 is filled in the bottom portion 412 surrounded by the protruding embankment portion 411 of the concave metal body 41. As the liquid metal 43, for example, a Ga-based alloy having high thermal conductivity can be used. As the concave metal body 41 and the plate-shaped metal body 42, for example, the liquid metal 43 and the metal bodies 41 and 42 can solidify with each other, and the thermal conductivity decreases even when solidified. The metal which is not used is preferably elected from the element symbol ln or its alloy.

이 전자 부품 장치(1)는 회로 기판에 실장되어 가동한다. 이 전자 부품 장치(1)는 가동시에 발열한다. 이 열은 열전도체(4)를 열전달 하여 방열체(3)로부터 방열된다. 따라서 전자 부품은 냉각되어 적온(適溫)으로 유지되어 안정적으로 가동한다.This electronic component apparatus 1 is mounted on a circuit board and operates. This electronic component device 1 generates heat during operation. The heat is transferred from the heat sink 3 by heat transfer to the heat conductor 4. Therefore, the electronic components are cooled and kept at a constant temperature to operate stably.

도 2의 전자 부품 장치를 제조하는 도금 장치의 개략도를 참조하여 설명한다. 이 도금 장치는 욕조 내에 도금액을 채우고 애노드극(極)에 도금물, 예를 들면 In을 마련하고, 캐소드극에 피도금물을 마련할 수 있다. 그리고 애노드극과 캐소드극 사이에 소정 값의 전류를 인가할 수 있다.It demonstrates with reference to schematic diagram of the plating apparatus which manufactures the electronic component apparatus of FIG. This plating apparatus can fill a plating liquid in a bathtub, provide a plated material, for example, In, on the anode electrode, and provide a plated material on the cathode electrode. In addition, a current having a predetermined value may be applied between the anode and the cathode.

도 3을 참조하여 전자 부품의 제조 방법을 설명한다.The manufacturing method of an electronic component is demonstrated with reference to FIG.

(1) 우선 전자 부품(2)을 준비한다. 그리고 이 전자 부품(2)의 도금 처리 영역 이외를 마스크 한다. 예를 들면 레지스트 수지를 도포한다. 그 후에 전자 부품(2)을 도금 장치의 행거에 부착한다. 그리고 도금 장치의 욕조 내에 재치한다.(1) First, the electronic component 2 is prepared. And other than the plating process area | region of this electronic component 2 is masked. For example, a resist resin is applied. Thereafter, the electronic component 2 is attached to the hanger of the plating apparatus. And it mounts in the bathtub of a plating apparatus.

(2) 다음으로 산(酸) 침지(浸漬)처리(acid immersion processing)한다. 처리 조건은 구체적으로 산액은 농도가 약 10%인 황산이고, 액체의 온도는 실온이고, 예를 들면 15℃로 유지된다. 그리고 약 30초간 도금 욕조 내에서 스트로크(Stroke) 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시킨다. 그리고, 도금 처리 영역의 기름막, 오염물을 없앤 후에 물 세척하여 산액을 씻어 버린다.(2) Next, acid immersion processing is performed. The treatment conditions are specifically the acid solution is sulfuric acid having a concentration of about 10%, the temperature of the liquid is maintained at room temperature, for example 15 ℃. Then, in a plating bath for about 30 seconds, the oscillation is gently performed with an amplitude of about 75 mm in stroke. After removing the oil film and the contaminants in the plating region, the acid solution is washed by washing with water.

(3) 계속해서 Ni 도금 처리한다. 도금 조건은 예를 들면 와트 욕(浴)(Watts bath)이 약 p.H. 4.5이고, 전류밀도가 4A/평방dm이고, 액체 온도가 약 50℃이다. 그리고 교반과 스트로크 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시키면서 하지(下地) 도금한다.그 후에 물 세척하여 도금액을 씻어 버린다.(3) Subsequently, Ni plating is performed. Plating conditions, for example, Watts bath (Watts bath) is about p.H. 4.5, a current density of 4 A / square dm, and a liquid temperature of about 50 ° C. The plate is then plated with gentle shaking with agitation and amplitude of about 75 mm. After that, the plating solution is washed by washing with water.

(4) 다음으로 산 침지 처리한다. 처리 조건은 구체적으로 산액은 농도가 약10%인 다인 실버(Dainsilver)(다이와카세이 주식회사 제품의 제품명 ACC)이며, 액체 온도는 실온으로 유지된다. 그리고 약 30초간 도금 욕조 내에서 스트로크 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시킨다. 그리고, 도금 처리 영역의 기름막, 오염물을 없앤다. 그 다음에 물 세척하여 산액을 씻어 버린다.(4) Next, acid immersion treatment is performed. The processing conditions are specifically Dainsilver (product name ACC of Daiwakasei Co., Ltd.) whose concentration is about 10%, and the liquid temperature is kept at room temperature. Then, in the plating bath for about 30 seconds, gently swing with an amplitude of about 75 mm stroke. Then, oil film and contaminants in the plating region are removed. Then, the water is washed by washing with water.

(5) 다음으로 스트라이크(strike) In 도금 처리한다. 도금 처리 조건은 예를 들면 도금액이 DAI NIN-PL30(다이와카세이 주식회사 제품의 주성분이 되는 메탄 술폰산 인듐), 전류밀도가 약 7.5A/평방dm, 액체 온도가 약 50℃이다. 교반(攪拌)과 스트로크 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시키면서 스트라이크 도금한다.(5) Next, strike In plating is performed. Plating treatment conditions are DAI NIN-PL30 (indium methane sulfonate which is a main component of Daiwa Kasei Co., Ltd. product), a current density of about 7.5 A / square dm, and a liquid temperature of about 50 degreeC, for example. Strike-plated with gentle shaking with agitation and amplitude of approximately 75mm stroke.

(6) 그 후에 In 도금 처리한다. 도금 처리 조건은 예를 들면 도금액이 DAI NIN-PL30(다이와카세이 주식회사 제품의 주성분이 되는 메탄 술폰산 인듐), 전류밀도가 약 0.5A/평방dm, 액체 온도가 약 50℃에서 교반과 스트로크 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시키면서 도금한다. 이 In 도금의 두께는 약 O.lmm 이다. 따라서 전자 부품(2)의 레지스트 수지가 도포된 영역 이외에 도금이 평판 형상으로 마련된다.(6) Then, In plating process is performed. Plating treatment conditions include, for example, DAI NIN-PL30 (indium methane sulfonate, the main component of Daiwa Kasei Co., Ltd.), current density of about 0.5A / square dm, and liquid temperature of about 50 ° C. Plating while rocking gently at the amplitude of. The thickness of this In plating is about 0.1 mm. Therefore, in addition to the area | region to which the resist resin of the electronic component 2 was apply | coated, plating is provided in flat form.

(7) 다음으로 상기 도금의 평판 위에 레지스트 수지를 도포한다. 레지스트 수지를 도포하는 영역은 전자 부품의 가장자리 부위의 돌기 모양 제방부를 제외한 영역이다. 이 레지스트 수지는 신일철화학 주식회사 제품의 PDFl00을 사용한다. 라미네이트(laminate) 조건은 온도가 약 80℃이고, 진공도가 약 0.3MPa이다.(7) Next, a resist resin is apply | coated on the said flat plate. The area | region which apply | coats a resist resin is an area | region except the protrusion-like bank part of the edge part of an electronic component. The resist resin uses PDFl00 manufactured by Shinil Iron Chemical Co., Ltd. Laminate conditions have a temperature of about 80 ° C. and a vacuum of about 0.3 MPa.

(8) 그 후에 In 도금 처리한다. 처리 조건은 예를 들면 도금액이 DAININ-P L30(다이와카세이 주식회사 제품의 주성분이 되는 메탄 술폰산 인듐)이며, 전류밀도가 약0.5A/평방dm이고, 액체 온도가 약 50℃이다. 그리고 에어(air)-교반과 스트로크 약 75mm정도의 진폭으로 완만하게 요동시키면서 도금한다. 이 In 도금의 두께는 약 0.02mm 이다. 따라서 전자 부품(2)에 열전도체(4)의 오목 형상의 금속체(41)를 형성할 수 있었다. 형상은 바닥부의 두께가 약 0.1mm이고, 오목 형상 금속체(41)의 돌기 모양 제방부(411)의 내부 높이가 약 0.02mm이고, 폭이 약 5mm이다.(8) Then, In plating treatment is performed. The treatment conditions are, for example, the plating liquid is DAININ-P L30 (indium methane sulfonate which is the main component of Daiwa Kasei Co., Ltd.), the current density is about 0.5 A / square dm, and the liquid temperature is about 50 ° C. The plate is then plated with gentle shaking with an air-stirring stroke and an amplitude of about 75 mm. The thickness of this In plating is about 0.02 mm. Therefore, the concave metal body 41 of the heat conductor 4 could be formed in the electronic component 2. The shape has a thickness of about 0.1 mm at the bottom, an inner height of the protruding embankment 411 of the concave metal body 41 is about 0.02 mm, and a width of about 5 mm.

이러한 도금 처리에 의해 전자 부품(2)은 오목 형상 금속체(41)를 형성하기 때문에 열전도의 밀착의 정도가 좋다. 또한 이 오목 형상 금속체(41)의 가장자리 부위의 돌기 모양 제방부(411)와 바닥부(412)는 도금 처리에 의해 일체로 형성된다. 이 때문에 각 부품을 준비하지 않고 부품 수의 삭감과 제조 공정 수의 증가를 억제할 수 있다.Since the electronic component 2 forms the concave metal body 41 by such a plating process, the closeness of heat conduction is favorable. Further, the protruding embankment portion 411 and the bottom portion 412 of the edge portion of the concave metal body 41 are integrally formed by the plating process. For this reason, the reduction of the number of components and the increase of the number of manufacturing processes can be suppressed, without preparing each component.

(9) 그 후에 상기 제조공정에서 사용된 레지스트 수지를 박리한다. 박리액을 사용하면 용이하게 행할 수 있다.(9) Then, the resist resin used at the said manufacturing process is peeled off. When using a peeling liquid, it can carry out easily.

(10) 다음으로 방열체(3)에 평판 형상의 금속체(42)가 형성된다.(10) Next, a flat metal body 42 is formed on the heat sink 3.

도 4를 참조하여 방열체의 제조 방법을 설명한다.The manufacturing method of a heat sink is demonstrated with reference to FIG.

제조 방법은 상술한 도금 기술을 사용하여 평판 형상의 금속체(42)를 형성한다. 상술한 바와 같이 방열체(3)는 도금 처리되어 방열체(3)의 바닥부에 평판 형상의 금속체(42)를 형성된다. 이 도금 처리 때문에 방열체(3)와 금속체(42)의 열전도의 밀착의 정도가 좋다.The manufacturing method forms the flat metal body 42 using the plating technique mentioned above. As described above, the heat sink 3 is plated to form a flat metal body 42 at the bottom of the heat sink 3. Because of this plating treatment, the degree of adhesion between the heat radiator 3 and the metal body 42 is good.

(11) 다음으로 전자 부품(2)에 형성된 돌기 모양 제방부에 둘러싸인 부위에 액상 금속(43), 구체적으로는 액상의 갈륨, 원소기호 Ga을 충전한다. 충전 방법은 디스펜서(dispenser) 장치에 의해 행한다.(11) Next, the liquid metal 43, specifically, the liquid gallium and the element symbol Ga are filled in a portion surrounded by the protrusion embankment formed on the electronic component 2. The charging method is performed by a dispenser device.

(12) 상기 전자 부품(2)과 상술한 방열체(3)를 합체한다. 따라서, 금속체(41, 42)와 액상 금속(43)의 쌍방이 응고하여 고용체가 된다. 고용체화는 상온에서 수십 시간 방치하면 좋다. 이 때문에 전자 부품에 열 스트레스를 주지 않는다. 액상 금속(43)은 고용체가 될 때까지의 사이에는 액상이지만, 돌기 모양 제방부(411)에 둘러싸여 있기 때문에 주위로 누설되지 않는다. 고용체가 되면 금속체(41, 42)와 액상 금속(43)이 고착되어 전자 부품 장치(1)로 된다.(12) The electronic component 2 and the heat sink 3 described above are merged. Therefore, both the metal bodies 41 and 42 and the liquid metal 43 solidify to form a solid solution. Solid solution may be left for several ten hours at room temperature. For this reason, no thermal stress is applied to the electronic components. The liquid metal 43 is a liquid until it becomes a solid solution, but is not leaked to the surroundings because the liquid metal 43 is surrounded by the protruding embankment 411. When it becomes a solid solution, the metal bodies 41 and 42 and the liquid metal 43 adhere, and become the electronic component apparatus 1.

그 밖의 실시예Other embodiments

상기 실시예에서는 액상 금속에 Ga를 사용한 예를 설명했다. 그러나, 그 밖의 액상 금속으로서 75.5%Ga-24.5%In, 62%Ga-25%In-13%Sn, 67%Ga-29%1n-4%Zn, 92%Ga-8%Sn, 95%Ga-5%Zn합금을 사용해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, an example in which Ga is used for the liquid metal has been described. However, as other liquid metals, 75.5% Ga-24.5% In, 62% Ga-25% In-13% Sn, 67% Ga-29% 1n-4% Zn, 92% Ga-8% Sn, 95% Ga The same effect can be obtained by using a -5% Zn alloy.

상기 실시예에서는 전자 부품(2)측에 오목 형상 금속체(41)를, 방열체(3)측에 평판 형상의 금속체(42)를 형성했다. 그러나 전자 부품 장치는 회로 기판에 여러가지 상태로 탑재된다. 이 탑재의 상태에 따라, 전자 부품(2)측에 평판 형상의 금속체(42)를 방열체(3)측에 오목 형상 금속체(41)를 형성해도 좋다.In the said Example, the concave metal body 41 was formed in the electronic component 2 side, and the flat metal body 42 was formed in the heat sink 3 side. However, the electronic component device is mounted on the circuit board in various states. Depending on the mounting state, the flat metal body 42 may be formed on the electronic component 2 side, and the concave metal body 41 may be formed on the radiator 3 side.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명과 같은 전자 부품 장치는, 전자 부품과 열전도성 부재의 열전도의 밀착의 정도를 증가시키고, 또한 방열체와 열전도성 부재의 열전도의 밀착의 정도를 증가시킨다. 결과적으로 전자 부품의 방열 효과를 향상시킬 수 있다. 또한 주위의 회로 기판, 전자 부품 등의 단락 장해를 방지하고, 또한 부품 수 및 제조 공정의 수의 증가를 억제할 수 있다.As described above, the electronic component device according to the present invention increases the degree of adhesion between the thermal conductivity of the electronic component and the thermally conductive member, and also increases the degree of adhesion of the thermal conductivity between the heat sink and the thermally conductive member. As a result, the heat dissipation effect of the electronic component can be improved. In addition, it is possible to prevent short circuit disturbances of surrounding circuit boards, electronic components and the like, and to suppress increase in the number of components and the number of manufacturing steps.

Claims (4)

열전도 부재를 통해, 전자 부품과 방열 부재를 연결한 전자 부품 장치의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of the electronic component apparatus which connected the electronic component and the heat dissipation member through a heat conductive member, 상기 전자 부품에 평판 형상 금속체 또는 오목 형상 금속체의 한쪽을 증착 처리 또는 도금 처리에 의해 형성하고,One of the flat metal body or the concave metal body is formed in the electronic component by vapor deposition or plating. 상기 방열 부재에 평판 형상 금속체 또는 오목 형상 금속체의 다른 쪽을 증착 처리 또는 도금 처리에 의해 형성하고,The other of the flat metal body or the concave metal body is formed on the heat dissipation member by vapor deposition or plating; 그 후에, 액상 금속을 상기 오목 형상 금속체의 오목부에 충전하고,Thereafter, the liquid metal is filled into the concave portion of the concave metal body, 액상 금속과 평판 형상 금속체 및 오목 형상 금속체의 일부를 고용체로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a part of a liquid metal, a flat metal body and a concave metal body is used as a solid solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속체는 원소기호 In으로 이루어지고,The metal body is composed of the element symbol In, 상기 액상 금속은 Ga, Ga-In합금, Ga-ln-Sn합금, Ga-ln-Zn합금, Ga-Sn합금, Ga-Zn합금 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품 장치의 제조 방법.The liquid metal is made of at least one of Ga, Ga-In alloy, Ga-ln-Sn alloy, Ga-ln-Zn alloy, Ga-Sn alloy, Ga-Zn alloy. 한 쪽에 단자면(端子面)을, 다른 쪽에 전열면(傳熱面)을 갖고, 상기 전열면에 평판 형상 금속체 또는 오목 형상 금속체의 한 쪽을 증착 처리 또는 도금 처리에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 전자 부품.A terminal surface on one side and a heat transfer surface on the other side, wherein one of the plate-shaped metal body or the concave-shaped metal body is formed on the heat-transfer surface by vapor deposition or plating. Electronic components. 한 쪽에 방열 핀을, 다른 쪽에 전열면을 갖고, 상기 전열면에 평판 형상 금속체 또는 오목 형상 금속체의 다른 쪽을 증착 처리 또는 도금 처리에 의해 형성 한 것을 특징으로 하는 방열 부재.A heat dissipation member having a heat dissipation fin on one side and a heat transfer surface on the other side, and the other of the flat metal body or the concave metal body on the heat transfer surface formed by vapor deposition or plating.
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