KR20050096307A - 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 액티브 영역의 손상을 방지하는 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판에서, 소스 및 드레인 전극 패턴 형성시에 포토 레지스트를 AP 플라즈마 장치를 이용하여 제거하고자 할 경우 노출되어 있는 액티브층에 손상이 발생되는 것을 방지하기 위하여 AP 플라즈마 처리 전에 버퍼막을 형성함으로써 소자의 불량을 방지하여 제품의 신뢰도를 높이고 제조 수율을 향상시키고, 상기 액티브층 상에 버퍼막을 형성하는 데 있어서 추가되는 사진 식각 공정 없이 리프트 오프 기술을 적용하여 형성할 수 있으므로 공정이 간단하고 제조 비용을 절감하는 장점이 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치(liquid crystal display : LCD)에 관한 것으로, 특히 액티브 영역의 손상을 방지하는 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정 표시 장치가 활발하게 개발되고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치는 일면에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
액정 표시 장치는 다양한 형태로 이루어질 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이러한 액정 표시 장치는 하부의 어레이 기판에 화소 전극이 형성되어 있고 상부 기판인 컬러 필터 기판에 공통 전극이 형성되어 있는 구조로, 상하로 걸리는 기판에 수직한 방향의 전기장에 의해 액정 분자를 구동하는 방식이다. 이는, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상판의 공통 전극이 접지 역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.
여기서, 액정 표시 장치의 상부 기판은 화소 전극 이외의 부분에서 발생하는 빛샘 현상을 막기 위해 블랙 매트릭스(black matrix)를 더 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래의 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치용 어레이 기판에 대한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치용 어레이 기판에서는 투명한 절연 기판(110) 위에 가로 방향을 가지는 게이트 배선(121)과, 게이트 배선(121)에서 연장된 게이트 전극(122)이 형성되어 있다.
상기 게이트 배선(121)과 게이트 전극(122) 상부에는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있으며, 그 위에 액티브층(141)과 오믹 콘택층(151, 152)이 순차적으로 형성되어 있다.
그리고, 상기 오믹 콘택층(151, 152) 위에 게이트 배선(121)과 직교하는 데이터 배선(161), 데이터 배선(161)에서 연장된 소스 전극(162), 게이트 전극(122)을 중심으로 소스 전극(162)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(163) 및 게이트 배선(121)과 중첩하는 캐패시터 전극(165)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 데이터 배선(161)과 소스 및 드레인 전극(162, 163), 그리고 캐패시터 전극(165)은 보호층(170)으로 덮여 있으며, 보호층(170)은 드레인 전극(163)과 캐패시터 전극(165)을 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(171, 172)을 가진다.
상기 게이트 배선(121)과 데이터 배선(161)이 교차하여 정의되는 화소 영역의 보호층(170) 상부에는 화소 전극(181)이 형성되어 있는데, 화소 전극(181)은 제 1 및 제 2 콘택홀(171, 172)을 통해 각각 드레인 전극(162) 및 캐패시터 전극(165)과 연결되어 있다.
도 3a 내지 도 3g는 이러한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 것이다.
그러면, 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 종래의 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.
액정 표시 장치의 하부 기판인 어레이 기판은 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성된다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상에 금속 물질을 증착하고 제 1 마스크를 이용하여 패터닝함으로써, 게이트 배선(121)과 게이트 전극(122)을 형성한다.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(130)을 형성하고, 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘을 순차적으로 증착한 후, 제 2 마스크를 이용한 사진 식각(photolithography) 공정으로 액티브층(141)과 불순물 반도체층(153)을 형성한다.
이어서, 도 3c 내지 도 3e에 도시한 바와 같이, 금속 물질을 증착하고 제 3 마스크를 이용하여 패터닝하여 데이터 배선(도 1의 161)과 소스 전극(162), 드레인 전극(163) 및 캐패시터 전극(165)을 형성하고, 소스 전극(162)과 드레인 전극(163) 사이에 드러난 불순물 반도체층(153)을 식각하여 오믹 콘택층(151, 152)을 완성한다.
이와 같은 액정표시장치용 어레이 기판의 각 배선 및 전극 패턴은 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 형성되는데, 특히, 감광성 물질인 포토레지스트를 이용한 사진식각 공정에 의해 이루어진다.
사진식각 공정에서는 해당 금속물질(또는, 절연물질, 반도체 물질) 상부에 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 일정패턴을 가지는 마스크를 배치하여 노광하는 단계와, 노광처리된 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층 패턴을 마스크로 하여 금속물질을 식각하여 배선 또는 전극 패턴을 형성하는 공정을 거치게 된다.
이때, 상기 포토레지스트 물질은 노광된 부분이 현상되는 포지티브형(positive type)과, 노광된 부분이 남는 네가티브형(negative type)으로 나뉠 수 있으며, 통상적으로 어레이 공정에서는 포지티브형 포토레지스트 물질이 이용된다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 소스 및 드레인 전극 패턴 형성시에 사용한 포토 레지스트 패턴이 남아 있으며, 이를 제거하기 위하여 AP 플라즈마 장치(189)를 사용한다.
상기 AP 플라즈마(atmospheric pressure) 장치(189)는 상압에서 플라즈마를 발생시키는 장치로서 진공 시스템이 필요치 않아 비용 절감에 효과적인 장비로 주목받고 있다.
이와 같은 AP 플라즈마 장치(189)를 이용하여, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극, 캐패시터 전극 상에 남아 있는 포토 레지스트 패턴을 제거한다.
이때, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 AP 플라즈마 장치(189)는 어레이 기판 전면을 스캔하면서 플라즈마를 발생시키며, 이는 상기 발생되는 플라즈마에 의해서 대기에 노출되어 있는 액티브층에 손상(active damage)(D)을 일으킬 수 있다.
그리고, 도 3f에 도시한 바와 같이, 보호층(170)을 증착하고 제 4 마스크를 이용하여 보호층(170)과 게이트 절연막(130)을 패터닝함으로써, 드레인 전극(163)과 캐패시터 전극(165)을 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(171, 172)을 형성한다.
다음으로, 도 3g에 도시한 바와 같이, 투명 도전 물질을 증착하고 제 5 마스크를 이용하여 패터닝함으로써, 제 1 및 제 2 콘택홀(171, 172)을 통해 드레인 전극(163) 및 캐패시터 전극(165)과 접촉하는 화소 전극(181)을 형성한다.
앞서 언급한 바와 같이, AP 플라즈마 처리로 포토 레지스트 제거시에 발생하는 액티브층의 손상은 채널(channel)에 영향을 미쳐 화질 불량을 일으키는 문제점이 있다.
도 5는 종래 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 소자의 플라즈마 처리 전, 후의 전압 전류 특성을 보여주는 그래프이다.
도 5에 도시된 바와 같이, AP 플라즈마 처리 후에는 액티브층의 손상으로 인하여 소자의 특성이 급격히 나빠지는 것을 볼 수 있다.
한편, 액정 표시 장치를 제조 방법 중에서, 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판은 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통하여 제조하는 것이 일반적이다. 이때, 생산 비용을 줄이기 위해서는 마스크의 수를 적게 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판에서, 소스 및 드레인 전극 패턴 형성시에 포토 레지스트를 AP 플라즈마 장치를 이용하여 제거하고자 할 경우 노출되어 있는 액티브층에 손상이 발생되는 것을 방지하기 위하여 AP 플라즈마 처리 전에 버퍼막을 형성함으로써 소자 불량을 방지하는 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법은, 기판과; 상기 기판 위에 일 방향을 가지는 다수의 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결되어 있는 게이트 전극과; 상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극 상부에 형성되어 있는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에서 상기 게이트 전극을 덮으며 형성되어 있는 액티브층과; 상기 액티브층 상부에 형성되어 있는 오믹 콘택층과; 상기 오믹 콘택층 상부에 형성되어 있고 상기 게이트 배선과 직교하는 데이터 배선, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극 및 상기 소스 전극 맞은편에 위치하는 드레인 전극과; 상기 소스 및 드레인 전극 사이에서 상기 액티브층 상에 형성되는 버퍼막과; 상기 드레인 전극에서 연장되는 화소 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막은 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막은 SiNx로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막은 1000 Å 이하로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막은 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극 상에는 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 전극 상에 보호층을 더 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 기판 위에 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 상부에 게이트 절연막, 비정질 실리콘층, 불순물 비정질 실리콘층을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 불순물 비정질 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 액티브층과 오믹 콘택층을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 데이터 배선 물질과 포토 레지스트 물질을 도포하고 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 데이터 배선과 상기 데이터 배선에서 연장되는 소스 전극, 상기 소스 전극과 소정 간격 이격되는 드레인 전극을 사진 식각하여 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극 상에 남아 있는 포토 레지스트 패턴 상에 버퍼막을 증착하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하여 버퍼막을 리프트 오프(lift-off)하는 단계와; 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막은 절연 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 화소 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼막을 리프트-오프 하는 단계에 있어서, 상기 포토 레지스트 패턴은 AP 플라즈마(Atmospheric pressure plasma)에 의해서 제거되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 단면도를 보여주는 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판에서는 투명한 절연 기판(210) 위에 게이트 배선(221)과, 게이트 배선(221)에서 연장된 게이트 전극(222)이 형성되어 있다.
상기 게이트 배선(221)과 게이트 전극(222) 상부에는 게이트 절연막(230)이 형성되어 있으며, 그 위에 액티브층(241)과 오믹 콘택층(251, 252)이 순차적으로 형성되어 있다.
그리고, 상기 오믹 콘택층(251, 252) 위에 게이트 배선(221)과 직교하는 데이터 배선(도시되지 않음), 데이터 배선에서 연장된 소스 전극(262)과, 상기 게이트 전극(222)을 중심으로 상기 소스 전극(262)과 마주 대하고 있는 드레인 전극(263) 및 상기 게이트 배선(221)과 중첩하는 캐패시터 전극(265)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263) 사이에 노출되어 있는 액티브층(241) 상에는 SiNx와 같은 절연 물질로 이루어지는 버퍼막(296)이 형성되어 있으며, 동일한 물질로 노출되어 있는 게이트 절연막(230) 상에 버퍼막(296)이 형성되어 있다.
즉, 상기 버퍼막(296)은 데이터 배선 물질로 패터닝되어 이루어지는 소스 및 드레인 전극(262, 263), 캐패시터 전극(265)을 제외한 나머지 영역에 소정의 두께로 형성된다.
상기 버퍼막(296)은 SiNx와 같은 물질로 이루어지며 약 1000 Å이하의 두께로 증착된다.
그리고, 상기 드레인 전극(263), 캐패시터 전극(265)과 연결되는 화소 전극(281)이 형성되고, 상기 화소 전극(281)이 형성되어 있는 기판 전면에 보호층(270)이 형성된다.
이와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 소스 및 드레인 전극(262, 263) 사이의 액티브층(241) 상에 형성되는 버퍼막(296)은 상기 소스 및 드레인 전극 형성(262, 263) 시에 액티브층(241)을 보호하는 역할을 한다.
도 7a 내지 도 7g는 이러한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 것이다.
그러면, 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 종래의 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.
액정 표시 장치의 하부 기판인 어레이 기판은 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성된다.
먼저, 도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(210) 상에 금속 물질을 증착하고 패터닝함으로써, 게이트 배선(221)과 게이트 전극(222)을 형성한다.
다음으로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(230)을 형성하고, 비정질 실리콘, 불순물이 함유된 비정질 실리콘을 순차적으로 증착한 후, 사진 식각(photolithography) 공정으로 액티브층(241)과 불순물 반도체층(253)을 형성한다.
이어서, 도 7c에 도시한 바와 같이, 금속 물질을 증착하고 패터닝하여 데이터 배선(도시되지 않음)과 소스 전극(262), 드레인 전극(263) 및 캐패시터 전극(265)을 형성하고, 소스 전극(262)과 드레인 전극(263) 사이에 드러난 불순물 반도체층(253)을 식각하여 오믹 콘택층(251, 252)을 완성한다.
이때, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263) 패턴은 마스크를 이용한 사진 식각 공정에 의한 패터닝 공정으로 형성되는데, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263), 캐패시터 전극(265) 상에 포토 레지스트 패턴(288)이 남게 된다.
그리고, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263), 캐패시터 전극(265) 상에 형성되어 있는 포토 레지스트 패턴(288)에 버퍼막(296)을 증착시킨다.
상기 버퍼막(296)은 SiNx와 같은 절연 물질로 이루어지며 버퍼막(296)의 두께는 리프트-오프(lift-off) 기술을 적용할 수 있도록 포토 레지스트 패턴(288)의 두께와 버퍼막(296)의 적절한 선택비를 이용하여 증착한다.
이때, 상기 버퍼막(296)의 두께는 약 1000 Å이하로 하는 것이 적절하다.
이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(288)을 상압에서 AP(Atmospheric pressure) 플라즈마 처리하여 제거하면, 상기 포토 레지스트 패턴(288) 상에 형성되어 있는 버퍼막(296)은 리프트-오프(lift-off)되어 제거된다.
이때, 상기 AP 플라즈마 처리시에 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263) 사이의 액티브층(241)은 증착된 버퍼막(296)에 의해서 보호되어 손상(damage)을 방지하게 된다.
여기서, 상기 버퍼막(296)은 상기 포토 레지스트 패턴(288)이 형성되어 있지 않은 영역에 형성된다.
이어서, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(262, 263), 캐패시터 전극(265) 상에 남아 있는 포토 레지스트 패턴(288)을 제거하고 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝함으로써, 상기 드레인 전극(263) 및 캐패시터 전극(265)과 접촉하는 화소 전극(281)을 형성한다.
최종적으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 화소 전극(281)이 형성되어 있는 기판 전면에 보호층(270)이 형성된다.
본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 소스 및 드레인 전극 패턴 형성시에 포토 레지스트를 AP 플라즈마 장치를 이용하여 제거하기 전에 버퍼막을 형성하고 리프트 오프를 이용함으로써 액티브층의 손상을 방지하여 소자의 불량을 방지하여 제품의 신뢰도를 높이고 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 액티브층 상에 버퍼막을 형성하는 데 있어서 추가되는 사진 시각 공정 없이 리프트 오프 기술을 적용하여 형성할 수 있으므로 공정이 간단하고 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치용 어레이 기판에 대한 평면도.
도 2는 도 1에서 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 자른 단면도
도 3a 내지 도 3g는 종래 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 공정 순서도.
도 4는 일반적인 AP 플라즈마 장치를 개략적으로 보여주는 도면.
도 5는 종래 액정 표시 장치용 어레이 기판에서 소자의 플라즈마 처리 전, 후의 전압 전류 특성을 보여주는 그래프.
도 6은 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 단면도.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 공정 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
210 : 절연 기판 221 : 게이트 배선
222 : 게이트 전극 230 : 게이트 절연막
241 : 액티브층 251, 252 : 오믹 콘택층
261 : 데이터 배선 262 : 소스 전극
263 : 드레인 전극 265 : 캐패시터 전극
281 : 화소 전극 288 : 포토 레지스트 패턴
296 : 버퍼막
Claims (10)
- 기판과;상기 기판 위에 일 방향을 가지는 다수의 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결되어 있는 게이트 전극과;상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극 상부에 형성되어 있는 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 상부에서 상기 게이트 전극을 덮으며 형성되어 있는 액티브층과;상기 액티브층 상부에 형성되어 있는 오믹 콘택층과;상기 오믹 콘택층 상부에 형성되어 있고 상기 게이트 배선과 직교하는 데이터 배선, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극 및 상기 소스 전극 맞은편에 위치하는 드레인 전극과;상기 소스 및 드레인 전극 사이에서 상기 액티브층 상에 형성되는 버퍼막과;상기 드레인 전극에서 연장되는 화소 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 버퍼막은 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 버퍼막은 SiNx로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 버퍼막은 1000 Å 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 버퍼막은 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극 상에는 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 화소 전극 상에 보호층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
- 기판 위에 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선 상부에 게이트 절연막, 비정질 실리콘층, 불순물 비정질 실리콘층을 순차적으로 증착하는 단계와;상기 불순물 비정질 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 액티브층과 오믹 콘택층을 형성하는 단계와;상기 기판 상에 데이터 배선 물질과 포토 레지스트 물질을 도포하고 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 형성되는 데이터 배선과 상기 데이터 배선에서 연장되는 소스 전극, 상기 소스 전극과 소정 간격 이격되는 드레인 전극을 사진 식각하여 형성하는 단계와;상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극 상에 남아 있는 포토 레지스트 패턴 상에 버퍼막을 증착하는 단계와;상기 포토 레지스트 패턴을 제거하여 버퍼막을 리프트 오프(lift-off)하는 단계와;상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 버퍼막은 절연 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 화소 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 버퍼막을 리프트-오프 하는 단계에 있어서,상기 포토 레지스트 패턴은 AP 플라즈마(Atmospheric pressure plasma)에 의해서 제거되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.
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