KR20050076753A - Radiation sensitive resin composition for forming spacer, spacer and its forming method, and liquid crystal display device - Google Patents

Radiation sensitive resin composition for forming spacer, spacer and its forming method, and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

본 발명은 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선에 의한 노광에서도, 높은 해상도, 높은 감도이며, 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 용이하게 형성할 수 있는 스페이서용 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.The present invention provides a high resolution, high sensitivity, easy to use spacers excellent in various performances such as pattern shape, compressive strength, rubbing resistance, and adhesion to a transparent substrate, even under exposure to radiation that does not substantially include a wavelength of less than 350 nm. Provided is a radiation-sensitive resin composition for a spacer that can be formed.

본 발명에 있어서, 스페이서용 감방사선성 수지 조성물은 In the present invention, the radiation-sensitive resin composition for spacers

〔A〕 (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물과 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물과 (a3) 다른 불포화 화합물과의 공중합체, [A] A copolymer of (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride with (a2) epoxy group-containing unsaturated compound and (a3) other unsaturated compound,

〔B〕 중합성 불포화 화합물, [B] a polymerizable unsaturated compound,

〔C〕 비이미다졸계 화합물, [C] a biimidazole compound,

〔D〕 카르보닐기를 갖는 감방사선성 중합 개시제, 및[D] a radiation sensitive polymerization initiator having a carbonyl group, and

〔E〕 디알킬아미노기를 갖는 화합물 및(또는) 〔F〕티올계 화합물을 함유한다.[E] A compound having a dialkylamino group and / or a [F] thiol compound.

Description

스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물, 스페이서와 그의 형성 방법 및 액정 표시 소자{Radiation Sensitive Resin Composition for Forming Spacer, Spacer and Its Forming Method, and Liquid Crystal Display Device}Radiation Sensitive Resin Composition for Forming Spacer, Spacer and Its Forming Method, and Liquid Crystal Display Device

본 발명은 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물, 스페이서와 그의 형성 방법, 및 액정 표시 소자에 관한 것이고, 더욱 자세하게는 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선에 의한 노광에서도 스페이서의 형성이 가능한 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물, 그로부터 형성된 스페이서와 그의 형성 방법, 및 해당 스페이서를 갖는 액정 표시 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition for forming a spacer, a spacer, a method for forming the same, and a liquid crystal display device, and more particularly, a spacer can be formed even under exposure by radiation that does not substantially include a wavelength of less than 350 nm. The radiation sensitive resin composition for spacer formation, the spacer formed therefrom, its formation method, and the liquid crystal display element which has this spacer.

액정 표시 소자에는 종래부터 2장의 투명 기판간의 간격을 일정하게 유지하기 위해 소정의 입경을 갖는 유리 비드, 플라스틱 비드 등의 스페이서 입자가 사용되고 있지만, 이들 스페이서 입자는 유리 기판 등의 투명 기판상에 불규칙하게 산포되기 때문에, 화소 형성 영역에 스페이서 입자가 존재하면 스페이서 입자가 찍힌 현상을 발생시키거나, 입사광이 산란을 받아 액정 표시 소자의 콘트라스트가 저하한다는 문제가 있었다. In the liquid crystal display element, spacer particles such as glass beads and plastic beads having a predetermined particle diameter are conventionally used to maintain a constant gap between two transparent substrates, but these spacer particles are irregularly formed on a transparent substrate such as a glass substrate. Because of the dispersion, the presence of the spacer particles in the pixel formation region causes a phenomenon in which the spacer particles are imprinted, or incident light is scattered and the contrast of the liquid crystal display element is lowered.

그래서 이들 문제를 해결하기 위해 스페이서를 포트리소그래피에 의해 형성하는 방법이 채용되어 왔다. 이 방법은 감방사선성 수지 조성물을 기판상에 도포하고, 소정의 마스크를 통해 자외선을 노광한 후 현상하여 도트상이나 줄무늬상의 스페이서를 형성하는 것이고, 화소 형성 영역 이외의 소정의 장소에만 스페이서를 형성할 수 있기 때문에, 상술한 바와 같은 문제는 기본적으로는 해결된다. In order to solve these problems, a method of forming spacers by photolithography has been adopted. In this method, the radiation-sensitive resin composition is applied onto a substrate, and the ultraviolet ray is exposed through a predetermined mask and then developed to form a dot or stripe spacer, and the spacer is formed only at a predetermined place other than the pixel formation region. As such, the problem as described above is basically solved.

그런데, 포트리소그래피에서 광원으로서 사용되는 수은 램프로부터의 방사선은, 통상 436 nm 부근(g선), 404 nm 부근(h선), 365 nm 부근(i선), 335 nm 부근, 315 nm 부근(j선), 303 nm 부근 등에 강도가 강한 스펙트럼을 나타내기 때문에, 감방사선성 수지 조성물의 구성 성분인 감방사선성 중합 개시제로는 이들 강도가 강한 스펙트럼의 파장 영역에 최대 흡수 파장을 갖는 것을 선택하여 사용하는 것이 보통이고, 대부분의 경우 투명성의 관점에서 파장이 i선 이하의 영역에 최대 흡수 파장을 갖는 감방사선성 중합 개시제가 사용되고 있다 (예를 들면 일본 특허 공개2001-261761호 공보 참조). 파장이 i선보다 긴 g선, h선 부근에 최대 흡수 파장을 갖는 감방사선성 중합 개시제를 사용하면 그 감방사선성 중합 개시제는 가시광선에 가까운 파장 영역에 흡수를 갖기 때문에, 그것을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 착색하여 형성된 피막의 투명성이 저하한다. 피막의 투명성이 낮으면 노광시 막 표면에서 경화 반응이 진행되고, 피막의 깊이 방향으로의 경화 반응이 불충분해지며, 그 결과 현상 후에 얻어지는 스페이서의 형상은 역테이퍼(단면 형상으로서 막 표면의 변이 기판측의 변보다도 긴 역삼각형상)이 되어, 그 후의 배향막의 러빙 처리시에 스페이서가 박리하는 원인이 된다.  By the way, the radiation from a mercury lamp used as a light source in port lithography is usually around 436 nm (g line), near 404 nm (h line), around 365 nm (i line), near 335 nm, near 315 nm (j Line), near to 303 nm, and the like, and exhibit a strong intensity, so that the radiation-sensitive polymerization initiator which is a constituent of the radiation-sensitive resin composition is selected to have a maximum absorption wavelength in the wavelength region of the strong spectrum. In most cases, a radiation sensitive polymerization initiator having a maximum absorption wavelength is used in a region of i-line or less from the viewpoint of transparency (see Japanese Patent Laid-Open No. 2001-261761, for example). When a radiation sensitive polymerization initiator having a maximum absorption wavelength in the vicinity of g- and h-rays whose wavelength is longer than i-rays is used, since the radiation-sensitive polymerization initiator has absorption in a wavelength region close to visible light, Transparency of the film formed by coloring a resin composition falls. When the transparency of the film is low, the curing reaction proceeds on the surface of the film during exposure, and the curing reaction in the depth direction of the film is insufficient. As a result, the shape of the spacer obtained after development is reverse tapered (cross-sectional substrate as a cross-sectional shape). An inverted triangle longer than the side of the side), which causes the spacer to peel off during the subsequent rubbing treatment of the alignment film.

한편, 실제 스페이서 형성 공정, 예를 들면 컬러 필터 등에 사용되는 투명 기판상에 포트리소그래피에 의해 스페이서를 형성하는 경우에는 프록시미티 노광기를 사용하는 경우가 많지만, 최근에는 프록시미티 노광기의 작업 처리량 향상을 위해 일반적으로 조도가 높은 수은 램프가 사용되고 있다. 이 경우, 작업 처리량 향상에 효과는 있지만, 그대로는 노광기에 사용되고 있는 미러(반사경)의 수명을 저하시키기 때문에, 높은 에너지를 갖는 350 nm 미만의 단파장 방사선을 필터로 차단하여 사용하는 경우가 많다. 그러나 종래의 감방사선성 중합 개시제의 대부분이 350 nm 미만에서 최대 흡수 파장을 갖기 때문에 파장 350 nm 미만의 방사선을 차단하면, 감방사선성 수지 조성물의 경화에 필요한 라디칼 등의 활성종을 충분히 발생시킬 수 없어 경화 반응이 불충분하게 되어 만족스러운 스페이서의 치수나 형상을 얻는 것이 곤란해진다. On the other hand, when the spacer is formed by photolithography on a transparent substrate used in an actual spacer forming process, for example, a color filter, etc., a proximity exposure machine is often used, but recently, in order to improve the throughput of the proximity exposure machine, In general, high intensity mercury lamps are used. In this case, although it is effective to improve the throughput, since it lowers the life of the mirror (reflecting mirror) used in the exposure machine, it is often used to block short wavelength radiation of less than 350 nm having a high energy with a filter. However, since most of the conventional radiation-sensitive polymerization initiators have a maximum absorption wavelength at less than 350 nm, blocking radiation below the wavelength of 350 nm can sufficiently generate active species such as radicals necessary for curing the radiation-sensitive resin composition. There is no curing reaction, and it is difficult to obtain satisfactory spacer dimensions and shapes.

본 발명의 과제는 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선에 의한 노광에서도, 고해상도, 고감도이며, 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 용이하게 형성할 수 있는 스페이서용 감방사선성 수지 조성물, 그로부터 형성된 스페이서와 그의 형성 방법, 및 해당 스페이서를 갖는 액정 표시 소자를 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a spacer having high resolution and high sensitivity and excellent in various performances such as pattern shape, compressive strength, rubbing resistance, and adhesion to a transparent substrate, even under exposure to radiation that does not substantially include a wavelength of less than 350 nm. It is providing the radiation sensitive resin composition for spacers which can be formed so that it may be formed, the spacer formed therefrom, its formation method, and the liquid crystal display element which has this spacer.

본 발명은 첫 번째로, The present invention firstly,

〔A〕 (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물과 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물과 (a3) 다른 불포화 화합물과의 공중합체, [A] A copolymer of (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride with (a2) epoxy group-containing unsaturated compound and (a3) other unsaturated compound,

〔B〕 중합성 불포화 화합물, [B] a polymerizable unsaturated compound,

〔C〕 비이미다졸계 화합물, [C] a biimidazole compound,

〔D〕 카르보닐기를 갖는 감방사선성 중합 개시제, 및[D] a radiation sensitive polymerization initiator having a carbonyl group, and

〔E〕 디알킬아미노기를 갖는 화합물 및(또는) 〔F〕티올계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물을 포함한다.The radiation sensitive resin composition for spacer formation containing the compound which has [E] dialkylamino group, and / or [F] thiol type compound is contained.

본 발명에서 말하는 "방사선"이란, 자외선, 원자외선, X선, 전자선, 분자선, γ선, 싱크로트론 방사선, 양성자빔선 등을 포함하는 것을 의미한다. The term "radiation" in the present invention means ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular rays, gamma rays, synchrotron radiation, proton beam rays, and the like.

본 발명은 두 번째로, 상기 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되어 이루어지는 스페이서를 포함한다.Secondly, the present invention includes a spacer formed from the radiation-sensitive resin composition for spacer formation.

본 발명은 세 번째로, 적어도 하기 (가) 내지 (라)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 형성 방법을 포함한다.The present invention includes a method of forming a spacer, which thirdly comprises at least the following steps (a) to (d).

(가) 청구항 제1항 또는 제2항에 기재된 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물의 피막을 기판상에 형성하는 공정. (A) Process of forming the film of the radiation sensitive resin composition for spacer formation of Claim 1 or 2 on a board | substrate.

(나) 상기 피막의 적어도 일부에 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선을 노광하는 공정. (B) exposing to at least a portion of the coating a radiation substantially free of a wavelength of less than 350 nm.

(다) 노광 후의 피막을 현상하는 공정. (C) Process of developing the film after exposure.

(라) 현상 후의 피막을 가열하는 공정. (D) The process of heating the film after image development.

본 발명은 네 번째로, 상기 스페이서를 구비하여 이루어지는 액정 표시 소자를 포함한다. Fourthly, the present invention includes a liquid crystal display device comprising the spacer.

이하, 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

스페이서용 감방사선성 수지 조성물Radiation-sensitive resin composition for spacer

이하, 본 발명의 스페이서용 감방사선성 수지 조성물(이하, 간단히 "감방사선성 수지 조성물"이라고 함)의 각 성분에 대해서 상술한다. Hereinafter, each component of the radiation sensitive resin composition for spacers (henceforth a "radiation sensitive resin composition") of this invention is explained in full detail.

-〔A〕공중합체-[A] Copolymer-

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 〔A〕성분은 (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물(이하, 이들을 통합하여 "화합물 (a1)"이라고 함), (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물(이하, "화합물 (a2)"라고 함) 및 (a3) 다른 불포화 화합물(이하, "화합물 (a3)"이라고 함)의 공중합체(이하, "〔A〕공중합체"라고 함)을 포함한다.[A] component in the radiation sensitive resin composition of this invention is (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride (henceforth these are called "compound (a1)"), (a2) Copolymer of epoxy group-containing unsaturated compound (hereinafter referred to as "compound (a2)") and (a3) other unsaturated compound (hereinafter referred to as "compound (a3)") (hereinafter referred to as "[A] copolymer") ).

화합물 (a1)로는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 헥사히드로프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 헥사히드로프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등의 모노카르복실산류; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산류; 이들 디카르복실산의 무수물류 등을 들 수 있다. Examples of the compound (a1) include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono (2-methacryloyloxyethyl), and hexahydrophthalic acid mono (2- Monocarboxylic acids such as acryloyloxyethyl) and hexahydrophthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl); Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; And anhydrides of these dicarboxylic acids.

이들 화합물 (a1) 중, 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 무수물 등이 공중합 반응성 및 입수가 용이하다는 관점에서 바람직하다. Among these compounds (a1), acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and the like are preferred from the viewpoint of copolymerization reactivity and availability.

상기 화합물 (a1)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a1) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

〔A〕공중합체에서 화합물 (a1)로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은, 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 5 중량% 미만이면 얻어지는 스페이서의 압축 강도, 내열성이나 내약품성이 저하하는 경향이 있고, 한편 50 중량%를 초과하면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하할 우려가 있다. The content of the structural unit derived from the compound (a1) in the [A] copolymer is preferably 5 to 50% by weight, particularly preferably 10 to 40% by weight. In this case, if the content rate of the said structural unit is less than 5 weight%, there exists a tendency for the compressive strength, heat resistance, or chemical-resistance of the spacer obtained to fall, and when it exceeds 50 weight%, the storage stability of a radiation sensitive resin composition may fall. There is.

또한, 화합물 (a2)로는, 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산3,4-에폭시부틸, 메타크릴산3,4-에폭시부틸, α-에틸아크릴산3,4-에폭시부틸, 아크릴산6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산6,7-에폭시헵틸, 아크릴산β-메틸글리시딜, 메타크릴산β-메틸글리시딜, 아크릴산β-에틸글리시딜, 메타크릴산β-에틸글리시딜, 아크릴산β-n-프로필글리시딜, 메타크릴산β-n-프로필글리시딜, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실 등의 카르복실산 에스테르류; o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 에테르류 등을 들 수 있다. As the compound (a2), for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, α-ethyl acrylate glycidyl, α-n-propyl acrylate glycidyl, α-n-butyl acrylate glycidyl 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, α- Ethyl acrylate 6,7-epoxyheptyl, acrylic acid β-methylglycidyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, acrylic acid β-ethylglycidyl, methacrylic acid β-ethylglycidyl, acrylic acid β-n- Carboxylic acid esters such as propylglycidyl, methacrylic acid β-n-propylglycidyl, acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl; ethers such as o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, and p-vinyl benzyl glycidyl ether.

이들 화합물 (a2) 중, 메타크릴산글리시딜, 메타크릴산6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실, 메타크릴산β-메틸글리시딜, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르 등이 공중합 반응성 및 얻어지는 스페이서의 강도를 높이는 관점에서 바람직하다. Of these compounds (a2), methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid 6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid β-methylglycidyl, o-vinylbenzyl glyc Cydyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like are preferred from the viewpoint of increasing the copolymerization reactivity and the strength of the spacer obtained.

상기 화합물 (a2)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a2) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

〔A〕공중합체에서 화합물 (a2)로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은, 바람직하게는 10 내지 70 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 10 중량% 미만이면 얻어지는 스페이서의 압축 강도, 내열성이나 내약품성이 저하하는 경향이 있고, 한편 70 중량%를 초과하면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하하는 경향이 있다. The content of the structural unit derived from the compound (a2) in the [A] copolymer is preferably 10 to 70% by weight, particularly preferably 20 to 60% by weight. In this case, when the content rate of the structural unit is less than 10% by weight, the compressive strength, heat resistance or chemical resistance of the spacer obtained tends to decrease, while when it exceeds 70% by weight, the storage stability of the radiation-sensitive resin composition tends to decrease. There is this.

또한, 화합물 (a3)으로는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, i-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트 등의 아크릴산알킬 에스테르류; 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-프로필메타크릴레이트, i-프로필메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, i-부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트 등의 메타크릴산알킬 에스테르류; 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트(이하, "트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일"을 "디시클로펜타닐"이라고 함), 2-디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 테트라히드로푸릴아크릴레이트 등 아크릴산의 지환족 에스테르류; 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 테트라히드로푸릴메타크릴레이트 등의 메타크릴산의 지환족 에스테르류; 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등의 아크릴산아릴에스테르류; 페닐메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트 등의 메타크릴산아릴 에스테르류; 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등의 디카르복실산디에스테르류; 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 아크릴산히드록시알킬 에스테르류; 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 등의 메타크릴산히드록시알킬 에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌 등의 방향족 비닐 화합물이나, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 아세트산비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, N-시클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.As the compound (a3), for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, i-propyl acrylate, n-butyl acrylate, i-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, alkyl acrylate esters such as t-butyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-propyl methacrylate, i-propyl methacrylate, n-butyl methacrylate, i-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate Alkyl methacrylate esters such as late; Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-ylacrylate (hereinafter “tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl” Alicyclic esters of acrylic acid such as "dicyclopentanyl"), 2-dicyclopentanyloxyethyl acrylate, isoboroyl acrylate, and tetrahydrofuryl acrylate; Meta, such as cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, 2-dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isobornyl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate Alicyclic esters of methacrylic acid; Acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate; Dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconic acid; Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxypropyl acrylate; Methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl methacrylate and 2-hydroxypropyl methacrylate; Aromatic vinyl compounds, such as styrene, (alpha) -methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, and p-methoxy styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, and methacryl Amide, vinyl acetate, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl- 3-maleimidebenzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- ( 9-acridinyl) maleimide etc. are mentioned.

이들 화합물 (a3) 중, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 스티렌, p-메톡시스티렌, 1,3-부타디엔 등이 공중합 반응성의 관점에서 바람직하다. Among these compounds (a3), 2-methylcyclohexyl acrylate, t-butyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, styrene, p-methoxy styrene, 1,3-butadiene and the like are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity. Do.

상기 화합물 (a3)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said compound (a3) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

〔A〕공중합체에서 화합물 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은, 바람직하게는 10 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 20 내지 60 중량%이다. 이 경우, 상기 구성 단위의 함유율이 10 중량% 미만이면 감방사선성 수지 조성물의 보존 안정성이 저하할 우려가 있고, 한편 80 중량%를 초과하면 현상성이 저하할 우려가 있다. The content of the structural unit derived from the compound (a3) in the [A] copolymer is preferably 10 to 80% by weight, particularly preferably 20 to 60% by weight. In this case, when the content rate of the said structural unit is less than 10 weight%, there exists a possibility that the storage stability of a radiation sensitive resin composition may fall, and when it exceeds 80 weight%, developability may fall.

〔A〕공중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, "Mw"라고 함)은, 통상 2×103 내지 5×105, 바람직하게는 5×103 내지 1×105이다. 이 경우, 〔A〕공중합체의 Mw가 2×103 미만이면 얻어지는 스페이서의 압축 강도나 내열성이 저하하는 경향이 있고, 한편 5×105을 초과하면 현상성이 저하하는 경향이 있다.[A] The polystyrene reduced weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") by gel permeation chromatography (GPC) of the copolymer is usually 2 × 10 3 to 5 × 10 5 , preferably 5 × 10 3 to 1 × 10 5 . In this case, when the Mw of the [A] copolymer is less than 2 × 10 3, the compressive strength and the heat resistance of the spacer obtained tend to decrease, while when it exceeds 5 × 10 5 , the developability tends to decrease.

본 발명에서 〔A〕공중합체는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [A] copolymer in this invention can be used individually or in mixture of 2 or more types.

〔A〕공중합체는 화합물 (a1), 화합물 (a2) 및 화합물 (a3)을, 예를 들면 용매 중에서 중합 개시제의 존재하에 라디칼 중합함으로써 제조할 수 있다. Copolymer [A] can be produced by radical polymerization of compound (a1), compound (a2) and compound (a3), for example, in the presence of a polymerization initiator in a solvent.

〔A〕공중합체의 제조에 사용되는 용매로는, 예를 들면[A] As a solvent used for the manufacture of the copolymer, for example

메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜 에테르류; 에틸렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜 에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜-n-부틸에테르 등의 프로필렌글리콜 에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜-n-프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜-n-부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜 메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜-n-프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜-n-부틸에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르프로피오네이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤류; Alcohols such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran; Ethylene glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; Diethylene glycol ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethylmethyl ether; Propylene glycol ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol-n-propyl ether and propylene glycol-n-butyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol-n-propyl ether acetate, and propylene glycol-n-butyl ether acetate; Propylene glycol alkyl ether propionates such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol-n-propyl ether propionate, and propylene glycol-n-butyl ether propionate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone;

아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 n-부틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록시아세트산 n-프로필, 히드록시아세트산 n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 n-부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산 n-프로필, 3-히드록시프로피온산 n-부틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산 n-프로필, 메톡시아세트산 n-부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산 n-프로필, 에톡시아세트산 n-부틸, n-프로폭시아세트산메틸, n-프로폭시아세트산에틸, n-프로폭시아세트산 n-프로필, n-프로폭시아세트산 n-부틸, n-부톡시아세트산메틸, n-부톡시아세트산에틸, n-부톡시아세트산 n-프로필, n-부톡시아세트산 n-부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산 n-프로필, 2-메톡시프로피온산 n-부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산 n-프로필, 2-에톡시프로피온산 n-부틸, n-프로폭시프로피온산메틸, n-프로폭시프로피온산에틸, n-프로폭시프로피온산 n-프로필, n-프로폭시프로피온산 n-부틸, 2-n-부톡시프로피온산메틸, 2-n-부톡시프로피온산에틸, 2-n-부톡시프로피온산 n-프로필, 2-n-부톡시프로피온산 n-부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산 n-프로필, 3-메톡시프로피온산 n-부틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산 n-프로필, 3-에톡시프로피온산 n-부틸, 3-n-프로폭시프로피온산메틸, 3-n-프로폭시프로피온산에틸, 3-n-프로폭시프로피온산 n-프로필, 3-n-프로폭시프로피온산 n-부틸, 3-n-부톡시프로피온산메틸, 3-n-부톡시프로피온산에틸, 3-n-부톡시프로피온산 n-프로필, 3-n-부톡시프로피온산 n-부틸 등의 다른 에스테르류 등을 들 수 있다. Methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, hydroxyacetic acid n-propyl, hydroxyacetic acid n-butyl, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate , N-butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, n-propyl 3-hydroxypropionic acid, n-butyl 3-hydroxypropionic acid, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2 Ethyl hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, methoxyacetic acid n-propyl, methoxyacetic acid n-butyl, methyl ethoxyacetic acid Ethyl ethoxyacetate, ethoxyacetic acid n-propyl, ethoxyacetic acid n-butyl, n-propoxyacetic acid, n-propoxyacetic acid, n-propoxyacetic acid n-propyl, n-propoxyacetic acid n- Butyl, n-butoxy Methyl acetate, n-butoxyacetic acid, n-butoxyacetic acid n-propyl, n-butoxyacetic acid n-butyl, 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionic acid n- Propyl, n-butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, n-propyl 2-ethoxypropionate, n-butyl 2-ethoxypropionate, methyl n-propoxypropionate, n-propoxypropionate, n-propoxypropionic acid n-propyl, n-propoxypropionic acid n-butyl, 2-n-butoxypropionate methyl, 2-n-butoxyethylpropionate, 2-n-butoxypropionic acid n-propyl, 2-n-butoxypropionate n-butyl, 3-methoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxypropionic acid n-propyl, 3-methoxypropionic acid n-butyl, 3-e Methyl oxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, n-propyl 3-ethoxypropionic acid, 3-ethoxypropionic acid n-butyl, 3-n-propoxypropionate, 3-n-propoxypropionate, 3-n-propoxypropionic acid n-propyl, 3-n-propoxypropionic acid n-butyl, 3-n-butoxy And other esters such as methyl propionate, ethyl 3-n-butoxypropionate, n-propyl 3-n-butoxypropionic acid and n-butyl 3-n-butoxypropionate.

또한, 〔A〕공중합체의 제조에 사용되는 중합 개시제로는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로 알려져 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 유기 과산화물; 과산화수소 등을 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 사용하는 경우에는 환원제를 병용하여 산화 환원형 개시제로 하여도 좋다. Moreover, as a polymerization initiator used for manufacture of [A] copolymer, what is generally known as a radical polymerization initiator can be used, For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- Azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis (4-cyano Azo compounds such as valeric acid), dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate), and 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxy pivalate, 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; Hydrogen peroxide and the like. When using a peroxide as a radical polymerization initiator, you may use a reducing agent together and set it as a redox type initiator.

-〔B〕 중합성 불포화 화합물-[B] Polymerizable Unsaturated Compound-

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 중합성 불포화 화합물로는, 2관능 이상의 아크릴레이트 및 메타크릴레이트(이하, "(메트)아크릴레이트"라고 함)이 바람직하다. As a polymerizable unsaturated compound in the radiation sensitive resin composition of this invention, bifunctional or more acrylate and methacrylate (henceforth "(meth) acrylate") are preferable.

2관능의 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들면 에틸렌글리콜 아크릴레이트, 에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 1,9-노난디올 디아크릴레이트, 1,9-노난디올 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디메타크릴레이트 등을 들 수 있다.  As a bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol acrylate, ethylene glycol methacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9- Nonanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, polypropylene glycol diacrylate, polypropylene glycol dimethacrylate, bisphenoxy Ethanol fluorene diacrylate, bisphenoxy ethanol fluorene dimethacrylate, etc. are mentioned.

또한, 2관능의 (메트)아크릴레이트의 시판품으로는, 예를 들면 아로닉스 M-210, 동 M-240, 동 M-6200(이상, 도아 고오세이(주)제), KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, 동 R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001(이상, 닛본 가야꾸(주)제), 비스코트 260, 동 312, 동 335 HP(이상, 오사카 유우끼 가가꾸 고교(주)제) 등을 들 수 있다. In addition, as a commercial item of a bifunctional (meth) acrylate, for example, Aronix M-210, M-240, M-6200 (above, product made from Toa Kosei Co., Ltd.), KAYARAD HDDA, KAYARAD HX -220, copper R-604, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, MU-2100, MU-4001 Nippon Kayaku Co., Ltd.), Biscot 260, East 312, East 335 HP (above, Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

3관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리쓰리톨트리아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리쓰리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨헥사메타크릴레이트, 트리(2-아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-메타크릴로일옥시에틸)포스페이트나, 9관능 이상의 (메트)아크릴레이트로서, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 가지며 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자내에 1개 이상의 수산기를 가지고, 3개, 4개 또는 5개의 아크릴로일옥시기 및(또는) 메타크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다. As (meth) acrylate more than trifunctional, for example, trimethylol propane triacrylate, trimethylol propane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate , Tri (2-acryloyloxyethyl) phosphate, tri (2-methacryloyloxyethyl) phosphate, or a 9- or more functional (meth) acrylate, having a linear alkylene group and an alicyclic structure, and having two or more isocyanates 3, 4 or 5 acryloyloxy groups and / or methacryloyloxy having a compound having a group and at least one hydroxyl group in the molecule It is reacted with a compound and the like can be obtained urethane acrylate compound.

또한, 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트의 시판품으로는, 예를 들면 아로닉스 M-309, 동-400, 동-402, 동-405, 동-450, 동-1310, 동-1600, 동-1960, 동-7100, 동-8030, 동-8060, 동-8100, 동-8530, 동-8560, 동-9050, 아로닉스 TO-1450(이상, 도아 고오세이(주)제), KAYARAD TMPTA, 동 DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸(주)제), 비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카 유우끼 가가꾸 고교(주)제)나, 우레탄아크릴레이트계 화합물로서, 뉴 프론티어 R-1150(다이이치 고교 세이야꾸(주)제), KAYARAD DPHA-40H(닛본 가야꾸(주)제) 등을 들 수 있다. In addition, as a commercial item of (meth) acrylate more than trifunctional, for example, Aaronic M-309, copper-400, copper-402, copper-405, copper-450, copper-1310, copper-1600, copper- 1960, east-7100, east-8030, east-8060, east-8100, east-8530, east-8560, east-9050, aronix TO-1450 (above, product made by Doa Kosei Co., Ltd.), KAYARAD TMPTA, Copper DPHA, Copper DPCA-20, Copper DPCA-30, Copper DPCA-60, Copper DPCA-120, Copper MAX-3510 (above, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Biscot 295, Copper 300, Copper 360, Copper As GPT, copper 3PA, copper 400 (above, product made by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and urethane acrylate compound, New frontier R-1150 (made by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), KAYARAD DPHA- 40H (made by Nippon Kayaku Co., Ltd.) etc. are mentioned.

본 발명에서 중합성 불포화 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In this invention, a polymerizable unsaturated compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서 중합성 불포화 화합물의 사용량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 30 내지 200 중량부, 특히 바람직하게는 50 내지 140 중량부이다. 이 경우, 중합성 불포화 화합물의 사용량이 30 중량부 미만이면 얻어지는 스페이서의 막이 닳거나 강도의 저하가 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 한편 200 중량부를 초과하면 얻어지는 스페이서의 밀착성이 부족할 우려가 있다. The use amount of the polymerizable unsaturated compound in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 30 to 200 parts by weight, particularly preferably 50 to 140 parts by weight based on 100 parts by weight of the [A] copolymer. In this case, when the usage-amount of a polymerizable unsaturated compound is less than 30 weight part, there exists a tendency for the film | membrane of the spacer obtained to fall easily or a fall of strength tends to occur, and when it exceeds 200 weight part, there exists a possibility that the adhesiveness of the spacer obtained may be insufficient.

-〔C〕비이미다졸계 화합물-[C] biimidazole compound-

본 발명에서 사용되는 비이미다졸계 화합물로는, 예를 들면 하기 화학식 1로 나타내지는 화합물(이하, "비이미다졸계 화합물 (C1)"이라고 함), 화학식 2로 나타내지는 화합물(이하, "비이미다졸계 화합물 (C2)"라고 함) 등을 들 수 있다. As the biimidazole compound used in the present invention, for example, a compound represented by the following formula (1) (hereinafter referred to as "biimidazole compound (C1)"), a compound represented by the formula (2) (" Biimidazole type compound (C2) ", etc. are mentioned.

식 중, X는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타내고, A는 -COO-R(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타냄)을 나타내며, n은 1 내지 3의 정수이고, 각 m은 1 내지 3의 정수이다. In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 9 carbon atoms, and A represents -COO-R, provided that R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or 6 carbon atoms To an aryl group of to 9), n is an integer of 1 to 3, each m is an integer of 1 to 3.

식 중, X1, X2 및 X3은 상호 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타낸다. 단, X1, X2 및 X3 중 2개 이상이 동시에 수소 원자이지는 않다.In formula, X <1> , X <2> and X <3> represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, the C1-C4 alkyl group, or a C6-C9 aryl group mutually independently. However, two or more of X 1 , X 2 and X 3 are not hydrogen atoms at the same time.

비이미다졸계 화합물로는, 예를 들면 As a biimidazole type compound, for example

2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-시아노페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-시아노페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-메톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-에틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-메톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-에틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-에틸페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-페닐페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-메톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-페닐페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-페닐페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-페녹시카르보닐페닐)비이미다졸 등의 비이미다졸계 화합물 (C1); 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5 '-Tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl ) Bimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'- tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'- Bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichloro Phenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4' , 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-cyanophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4- Ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-cyanophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2 , 2'-bis (2-methylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-methoxy Carbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-methylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'- Bis (2-methylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-ethylphenyl) -4,4', 5,5'-tetrakis (4-methoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-ethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxy Carbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-ethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-phenoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2' -Bis (2-phenylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-methoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-phenylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-phenylphenyl) -4,4', 5,5'-tetrakis (4- Biimidazole type compounds (C1) such as phenoxycarbonylphenyl) biimidazole;

2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디시아노페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리시아노페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리메틸페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디에틸페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리에틸페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디페닐페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리페닐페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 등의 비이미다졸계 화합물 (C2) 등을 들 수 있다. 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dibromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2, 2'-bis (2,4,6-tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dicyanophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-tricyanophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2 , 2'-bis (2,4-dimethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trimethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-diethylphenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'- Bis (2,4,6-triethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-diphenylphenyl) -4,4', Biimidazole type, such as 5,5'- tetraphenyl biimidazole and 2,2'-bis (2,4,6- triphenylphenyl) -4,4 ', 5,5'- tetraphenyl biimidazole Compound (C2) etc. are mentioned There.

이들 비이미다졸계 화합물 중, 특히 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 등이 바람직하다. Among these biimidazole compounds, especially 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole and 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4', 5,5'- Tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2' -Bis (2,4-dibromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-tribromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole and the like are preferred. Do.

비이미다졸계 화합물 (C1) 및 비이미다졸계 화합물 (C2)는 용제에 대한 용해성이 우수하고, 미용해물, 석출물 등의 이물질이 발생하지 않으며, 감도가 높고, 350 nm 이하의 파장을 차단한 방사선에서도 적은 에너지량의 노광에 의해 경화 반응을 충분히 진행시킴과 동시에, 패턴의 누락, 결손이나 언더커트가 없는 우수한 스페이서를 형성할 수 있는 것이다. The biimidazole-based compound (C1) and the biimidazole-based compound (C2) are excellent in solubility in solvents, do not generate foreign matters such as unsealed seafood and precipitates, have high sensitivity, and block wavelengths of 350 nm or less. Even in the radiation, the curing reaction can be sufficiently proceeded by the exposure of a small amount of energy, and an excellent spacer free from missing, missing or undercut patterns can be formed.

본 발명에서 비이미다졸계 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. In the present invention, the biimidazole-based compound may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서 비이미다졸계 화합물의 사용량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 50 중량부, 특히 바람직하게는 1 내지 35 중량부이다. 이 경우, 비이미다졸계 화합물의 사용량이 0.1 중량부 미만이면 얻어지는 스페이서의 막이 닳거나 강도의 저하가 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 한편 50 중량부를 초과하면 액정 중에의 용출물이 증가하여 전압 유지율이 저하하기 쉬워지는 경향이 있다. The amount of the non-imidazole compound in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 50 parts by weight, particularly preferably 1 to 35 parts by weight based on 100 parts by weight of the [A] copolymer. In this case, when the amount of the non-imidazole compound is less than 0.1 part by weight, the spacer film obtained tends to be worn down or the strength thereof decreases. On the other hand, when the amount of the non-imidazole compound is greater than 50 parts by weight, the eluate in the liquid crystal increases and the voltage retention rate This tends to decrease.

-〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제-[D] carbonyl group-containing polymerization initiator-

본 발명에서의〔D〕성분은 카르보닐기를 갖는 감방사선성 중합 개시제(이하, "〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제"라고 함)은 형성되는 스페이서의 형상을 조정하는 작용을 갖는 성분이다. The component [D] in the present invention is a radiation-sensitive polymerization initiator having a carbonyl group (hereinafter referred to as "[D] carbonyl group-containing polymerization initiator") is a component having the function of adjusting the shape of the spacer to be formed.

〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제로는, 예를 들면 벤질, 디아세틸 등의 α-디케톤류; 벤조인 등의 아실로인류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 아실로인에테르류; 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 티옥산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 벤조페논류; 아세토페논, 4-디메틸아미노아세토페논, α,α'-디메톡시아세톡시벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, 4-메톡시아세토페논, 2-메틸〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 아세토페논류; 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논류; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드 등의 포스핀옥시드류 등을 들 수 있다. [D] As the carbonyl group-containing polymerization initiator, for example, α-diketones such as benzyl and diacetyl; Acyl phosphorus such as benzoin; Acyloin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; Thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzo Benzophenones such as phenone; Acetophenone, 4-dimethylaminoacetophenone, α, α'-dimethoxyacetoxybenzophenone, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 4-methoxyacetophenone, 2-methyl [4- ( Acetophenones, such as methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1; Quinones such as anthraquinone and 1,4-naphthoquinone; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylforce Phosphine oxides, such as pin oxide, etc. are mentioned.

또한, 〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제의 시판품으로는, 예를 들면 IRGACURE-124, 동-149, 동-184, 동-369, 동-500, 동-651, 동-819, 동-907, 동-1700, 동-1000, 동-1800, 동-1850, 동-2959, Darocur-1173, 동-1116, 동-1664, 동-2959, 동-4043(이상, 치바·스페셜티·케미컬즈사제), KAYACURE-DETX , 동-MBP, 동-DMBI, 동-EPA, 동-OA(이상, 닛본 가야꾸(주)제), LUCIRIN TPO(BASF Co. LTD 제), VICURE-10, 동-55(이상, STAUFFER Co. LTD 제) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of the [D] carbonyl group containing polymerization initiator, For example, IRGACURE-124, copper-149, copper-184, copper-369, copper-500, copper-651, copper-819, copper-907, copper -1700, east -1000, east-1800, east-1850, east-2959, Darocur-1173, east-1116, east-1664, east-2959, east-4043 (above, product made in Chiba specialty chemicals company), KAYACURE-DETX, East-MBP, East-DMBI, East-EPA, East-OA (above, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), LUCIRIN TPO (made by BASF Co. LTD.), VICURE-10, East-55 (more than And STAUFFER Co. LTD.

본 발명에서 〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. [D] carbonyl group containing polymerization initiator can be used individually or in mixture of 2 or more types in this invention.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서, 〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제의 사용량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 1 내지 50 중량부, 특히 바람직하게는 3 내지 30 중량부이다. 이 경우, 〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제의 사용량이 1 중량부 미만이면 얻어지는 스페이서의 막이 닳거나 패턴 형상의 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 한편 100 중량부를 초과하면 얻어지는 패턴의 크기가 마스크 패턴의 설계 크기보다 허용 범위를 초과하여 커질 우려가 있다. In the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the amount of the [D] carbonyl group-containing polymerization initiator to be used is preferably 1 to 50 parts by weight, particularly preferably 3 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the [A] copolymer. . In this case, when the amount of the [D] carbonyl group-containing polymerization initiator is less than 1 part by weight, the spacer film to be obtained tends to be worn out or a defect in the pattern shape tends to occur. There is a fear that the size exceeds the allowable range.

-〔E〕디알킬아미노기를 갖는 화합물-[E] Compound Having Dialkylamino Group-

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 디알킬아미노기를 갖는 화합물은 〔C〕비이미다졸계 화합물을 증감하는 작용을 가지는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직한 화합물로는, 예를 들면 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, p-디메틸아미노벤조산에틸, p-디에틸아미노벤조산에틸, p-디메틸아미노벤조산 i-아밀, p-디에틸아미노벤조산 i-아밀 등의 방향족 화합물을 들 수 있다. 단, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논이나 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논의 경우와 같이 디알킬아미노기를 갖는 화합물이 〔D〕카르보닐기 함유 중합 개시제의 범주에 포함될 때는, 상기 〔D〕성분과는 다른 화합물이 사용된다. The compound having a dialkylamino group in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is not particularly limited as long as it has a function of increasing or decreasing the [C] biimidazole compound, and as a preferable compound, for example, 4,4 ' -Bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, ethyl p-dimethylaminobenzoic acid, ethyl p-diethylaminobenzoic acid, p-dimethylaminobenzoic acid i-amyl, p-di Aromatic compounds, such as ethyl amino benzoic acid i-amyl, are mentioned. However, as in the case of 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone or 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, a compound having a dialkylamino group is included in the category of the [D] carbonyl group-containing polymerization initiator. In this case, a compound different from the above-mentioned [D] component is used.

이들 디알킬아미노기를 갖는 화합물 중, 특히 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논이 바람직하다. Among the compounds having these dialkylamino groups, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone is particularly preferable.

본 발명에서 디알킬아미노기를 갖는 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The compound which has a dialkylamino group in this invention can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서 디알킬아미노기를 갖는 화합물의 사용량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 50 중량부, 특히 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다. 이 경우, 디알킬아미노기를 갖는 화합물의 사용량이 0.1 중량부 미만이면 얻어지는 스페이서의 막이 닳거나 패턴 형상의 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 한편 50 중량부를 초과하면 패턴 형상의 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.  The amount of the compound having a dialkylamino group in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 50 parts by weight, particularly preferably 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the [A] copolymer. In this case, when the amount of the compound having a dialkylamino group is less than 0.1 part by weight, the spacer film to be obtained tends to be worn out or a defect in the pattern shape tends to occur. Tend to lose.

-〔F〕티올계 화합물-[F] thiol compounds-

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서의 티올계 화합물은 〔C〕비이미다졸계 화합물에 대하여 수소 라디칼을 공여하는 작용을 갖는 성분이다. The thiol compound in the radiation sensitive resin composition of the present invention is a component having a function of donating hydrogen radicals to the [C] biimidazole compound.

즉, 〔C〕비이미다졸계 화합물은 〔E〕디알킬아미노기를 갖는 화합물에 의해 증감되어 개열함으로써 이미다졸 라디칼을 발생하지만, 이 경우 티올계 화합물이 존재하지 않으면 높은 라디칼 중합 개시능은 발현되지 않고, 얻어지는 스페이서가 역테이퍼상과 같은 바람직하지 않은 형상이 되는 경우가 많다. 그러나 〔C〕비이미다졸 화합물과〔E〕디알킬아미노기를 갖는 화합물이 공존하는 계에 티올계 화합물을 첨가함으로써, 이미다졸 라디칼에 수소 라디칼이 공여되는 결과, 이미다졸 라디칼이 중성의 이미다졸로 변환됨과 동시에, 중합 개시능이 높은 황 라디칼을 갖는 성분이 발생하고, 그에 따라 스페이서의 형상을 보다 바람직한 순테이퍼상으로 만들 수 있다. That is, the [C] biimidazole-based compound generates imidazole radicals by being sensitized and cleaved by a compound having a [E] dialkylamino group, but in this case, a high radical polymerization initiation capacity is not expressed unless a thiol-based compound is present. The resulting spacers often have an undesirable shape such as an inverted taper shape. However, by adding a thiol-based compound to a system in which a [C] biimidazole compound and a compound having a [E] dialkylamino group coexist, a hydrogen radical is donated to the imidazole radical, and the imidazole radical is converted into a neutral imidazole. At the same time as the conversion, a component having a sulfur radical having a high polymerization initiation capacity is generated, whereby the shape of the spacer can be made into a more preferable forward taper phase.

티올계 화합물로는, 예를 들면 2-머캅토벤조티아졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-머캅토벤조이미다졸, 2-머캅토-5-메톡시벤조티아졸, 2-머캅토-5-메톡시벤조이미다졸 등의 방향족계 화합물; 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토프로피온산메틸, 3-머캅토프로피온산에틸, 3-머캅토프로피온산 n-옥틸 등의 지방족 모노티올계 화합물; 3,6-디옥사-1,8-옥탄디티올, 펜타에리쓰리톨테트라(머캅토아세테이트), 펜타에리쓰리톨테트라(3-머캅토프로피오네이트) 등의 지방족 폴리티올계 화합물 등을 들 수 있다. As a thiol type compound, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzoimidazole, 2-mercapto-5-methoxybenzothiazole, 2-mercapto, for example Aromatic compounds such as -5-methoxybenzoimidazole; Aliphatic monothiol compounds such as 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid methyl, 3-mercaptopropionic acid ethyl, and 3-mercaptopropionic acid n-octyl; Aliphatic polythiol compounds such as 3,6-dioxa-1,8-octanedithiol, pentaerythritol tetra (mercaptoacetate), pentaerythritol tetra (3-mercaptopropionate), and the like. Can be.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에서 티올계 화합물의 사용량은 〔C〕비이미다졸계 화합물 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 50 중량부, 특히 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다. 이 경우, 티올계 화합물의 사용량이 0.1 중량부 미만이면 얻어지는 스페이서의 막이 닳거나 패턴 형상의 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 한편 50 중량부를 초과하면 패턴 형상의 불량이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. The amount of the thiol-based compound used in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 50 parts by weight, particularly preferably 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the [C] biimidazole compound. In this case, when the amount of the thiol-based compound is less than 0.1 part by weight, the spacer film to be obtained tends to be worn out or defects in the pattern shape tend to occur. On the other hand, when the amount of the thiol compound exceeds 50 parts by weight, the pattern defect tends to occur easily. have.

-임의 첨가제-Arbitrary Additives

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에는, 필요에 따라 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서 상기 이외의 임의 첨가제, 예를 들면 접착 조제, 계면활성제, 보존 안정제, 내열성 향상제 등을 배합할 수 있다. The radiation sensitive resin composition of this invention can mix | blend arbitrary additives other than the above, for example, an adhesion | attachment adjuvant, surfactant, a storage stabilizer, a heat resistance improving agent, etc. in the range which does not impair the effect of this invention as needed.

상기 접착 조제는 형성된 스페이서와 기판과의 접착성을 향상시키기 위해 사용하는 성분이다. The said adhesion aid is a component used in order to improve the adhesiveness of the formed spacer and a board | substrate.

이러한 접착 조제로는 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하고, 그 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. As such an adhesion aid, a functional silane coupling agent having reactive functional groups such as carboxyl group, methacryloyl group, vinyl group, isocyanate group and epoxy group is preferable, and examples thereof include trimethoxysilylbenzoic acid and γ-methacryloxypropyl tri. Methoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimeth Oxysilane, etc. are mentioned.

이들 접착 조제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These adhesion aids can be used individually or in mixture of 2 or more types.

접착 조제의 배합량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 20 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 10 중량부 이하이다. 이 경우, 접착 조제의 배합량이 20 중량부를 초과하면 현상 잔사가 발생되기 쉬워지는 경향이 있다. The blending amount of the adhesion aid is preferably 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the [A] copolymer. In this case, when the compounding quantity of an adhesion | attachment adjuvant exceeds 20 weight part, there exists a tendency for image development residue to occur easily.

또한, 상기 계면활성제는 도포성을 향상시키기 위해 사용하는 성분이다. In addition, the said surfactant is a component used in order to improve applicability | paintability.

이러한 계면활성제로는, 예를 들면 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등이 바람직하다. As such surfactant, a fluorochemical surfactant, silicone type surfactant, etc. are preferable, for example.

상기 불소계 계면활성제로는 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및(또는) 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 그 예로는 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨류, 플루오로알킬인산나트륨류, 플루오로알킬카르복실산나트륨류, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르)류, 플루오로알킬암모늄요오다이드류, 플루오로알킬베타인류, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르류, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올류, 퍼플루오로알킬알콕실레이트류, 카르복실산플루오로알킬에스테르류 등을 들 수 있다. As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of terminal, main chain and side chain is preferable, and examples thereof include 1,1,2,2-tetrafluoro -n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di ( 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di ( 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycoldi (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n Sodium dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro- n-dodecane, sodium fluoroalkylbenzene sulfonates, sodium fluoroalkyl phosphates, sodium fluoroalkyl carboxylic acids, diglycerin tetrakis (Fluoroalkyl polyoxyethylene ether) s, fluoroalkyl ammonium iodides, fluoroalkyl betaines, other fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, perfluoroalkyl polyoxyethanols, perfluoroalkyl alkoxyls And carboxylic acid fluoroalkyl esters.

또한, 불소계 계면활성제의 시판품으로는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE 사제), 메가팩 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제), 플루오라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미토모 쓰리엠(주)제), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글라스(주)제), 에프톱 EF301, 동303, 동352(이상, 신아끼다 가세이(주)제), 부타젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, 부타젠트 FTX-218, 동-251(이상, (주)네오스제) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of a fluorine-type surfactant, BM-1000, BM-1100 (above, BM CHEMIE company make), Megapack F142D, copper F172, copper F173, copper F183, copper F178, copper F191, copper F471, Copper F476 (above, Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), fluoride FC-170C, copper -171, copper -430, copper -431 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), Suplon S-112 , East-113, East-131, East-141, East-145, East-382, Suflon SC-101, East-102, East-103, East-104, East-105, East-106 (above, Asahi Glass Co., Ltd.), F-top EF301, copper 303, copper 352 (above, new baby Kasei Co., Ltd.), butanegent FT-100, copper-110, copper-140A, copper-150, copper-250, Copper-251, copper-300, copper-310, copper-400S, butanegent FTX-218, copper-251 (above, made by Neos), etc. are mentioned.

상기 실리콘계 계면활성제로는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이·다우코닝·실리콘(주)제), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바 실리콘(주)제) 등의 상품명으로 시판되고 있는 것을 들 수 있다. As said silicone type surfactant, Toray silicon DC3PA, copper DC7PA, copper SH11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, copper SH-190, copper SH-193, copper SZ-6032, copper SF- 8428, copper DC-57, copper DC-190 (above, made by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 ( As mentioned above, what is marketed by brand names, such as GE Toshiba Silicone Co., Ltd., are mentioned.

또한, 상기 이외의 계면활성제로서, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제나, 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교(주)제), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로 No. 57, 동 No. 95(이상, 교에이샤 가가꾸(주)제) 등을 들 수 있다. Moreover, as surfactant other than the above, Polyoxyethylene alkyl ether, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth ) Acrylic acid copolymer polyflo no. 57, East No. 95 (above, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

이들 계면활성제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These surfactant can be used individually or in mixture of 2 or more types.

계면활성제의 배합량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 1.0 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 계면활성제의 배합량이 1.0 중량부를 초과하면 막 얼룩이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. The compounding quantity of surfactant is 1.0 weight part or less, More preferably, it is 0.5 weight part or less with respect to 100 weight part of [A] copolymers. In this case, when the compounding quantity of surfactant exceeds 1.0 weight part, there exists a tendency for film | membrane stain to arise easily.

상기 보존 안정제로는, 예를 들면 황, 퀴논류, 히드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민류, 니트로니트로소 화합물 등을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 4-메톡시페놀, N-니트로소-N-페닐히드록실아민알루미늄 등을 들 수 있다. Examples of the storage stabilizer include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines, nitronitroso compounds and the like, and more specifically 4-methoxyphenol, N-nitroso-N- Phenyl hydroxyl amine aluminum etc. are mentioned.

이들 보존 안정제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These storage stabilizers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

보존 안정제의 배합량은 〔A〕공중합체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 3.0 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. 이 경우, 보존 안정제의 배합량이 3.0 중량부를 초과하면 감도가 저하하여 패턴 형상이 열화할 우려가 있다. The compounding quantity of a storage stabilizer is 3.0 weight part or less with respect to 100 weight part of [A] copolymers, More preferably, it is 0.5 weight part or less. In this case, when the compounding quantity of a storage stabilizer exceeds 3.0 weight part, there exists a possibility that a sensitivity may fall and a pattern shape may deteriorate.

또한, 상기 내열성 향상제로는, 예를 들면 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, N-(알콕시메틸)멜라민 화합물, 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. In addition, examples of the heat resistance improver include N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N- (alkoxymethyl) melamine compounds, compounds having two or more epoxy groups, and the like.

상기 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물로는, 예를 들면 N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound include N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (ethoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N, N-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (n- Butoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril, etc. are mentioned.

이들 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물 중, N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴이 바람직하다. Among these N- (alkoxymethyl) glycoluril compounds, N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril is preferable.

상기 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물로는, 예를 들면 N,N,N,N,N,N-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. Examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound include N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (e) Methoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (n-propoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (i-propoxymethyl) melamine, N , N, N, N, N, N-hexa (n-butoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (t-butoxymethyl) melamine and the like.

이들 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물 중, N,N,N,N,N,N-헥사(메톡시메틸)멜라민이 바람직하고, 그 시판품으로는, 예를 들면 니카락 N-2702, 동 MW-30 M(이상 산와케미컬(주)제) 등을 들 수 있다. Among these N- (alkoxymethyl) melamine compounds, N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine is preferable, and as the commercial item, for example, Nicarac N-2702, copper MW -30 M (above Sanwa Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned.

상기 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물로는, 예를 들면 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 디프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. Examples of the compound having two or more epoxy groups include ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, triethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, and propylene glycol. Diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol digly Cylyl ether, glycerin diglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, etc. are mentioned.

또한, 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 시판품으로는, 예를 들면 에포라이트 40E, 동 100E, 동 200E, 동 70P, 동 200P, 동 400P, 동 1500NP, 동 80MF, 동 100MF, 동 1600, 동 3002, 동 4000(이상 교에이샤 가가꾸(주)제) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercial item of the compound which has two or more epoxy groups, for example, epolite 40E, copper 100E, copper 200E, copper 70P, copper 200P, copper 400P, copper 1500NP, copper 80MF, copper 100MF, copper 1600, copper 3002 And 4,000 (more than Kyueisha Chemical Co., Ltd. make) etc. are mentioned.

이들 내열성 향상제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These heat resistance improvers can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 적당한 용제에 용해한 조성물 용액으로서 사용하는 데에 이용하도록 하는 것이 바람직하다. It is preferable to use it for using the radiation sensitive resin composition of this invention as a composition solution melt | dissolved in the suitable solvent.

상기 용제로는 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 각 필수 성분 및 임의 첨가제 성분을 균일하게 용해하고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 사용된다. As said solvent, what melt | dissolves each essential component and arbitrary additive component of the radiation sensitive resin composition of this invention uniformly, and does not react with each component is used.

이러한 용제로는, 예를 들면 As such a solvent, for example

메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜에테르류; 에틸렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜에테르류; Alcohols such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran; Ethylene glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; Diethylene glycol ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;

프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르 등의 프로필렌글리콜에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜 메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 n-프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 n-부틸에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르프로피오네이트류; Propylene glycol ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol n-propyl ether and propylene glycol n-butyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol n-propyl ether acetate, and propylene glycol n-butyl ether acetate; Propylene glycol alkyl ether propionates such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol n-propyl ether propionate, and propylene glycol n-butyl ether propionate;

톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논 등의 케톤류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 n-부틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시아세트산메틸, 히드록시아세트산에틸, 히드록시아세트산 n-프로필, 히드록시아세트산 n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 n-부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산 n-프로필, 3-히드록시프로피온산 n-부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산 n-프로필, 3-부톡시프로피온산 n-부틸 등의 다른 에스테르류 등을 들 수 있다. Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; Methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, hydroxy N-propyl acetate, n-butyl hydroxyacetic acid, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, n-butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, n-propyl 3-hydroxypropionate And other esters such as 3-hydroxypropionic acid n-butyl, 3-butoxypropionate methyl, 3-butoxyethyl propionate, 3-butoxypropionic acid n-propyl, and 3-butoxypropionic acid n-butyl. have.

이들 용제 중, 용해성, 각 성분과의 반응성 및 도막 형성의 용이성으로부터, 에틸렌글리콜에테르류, 에틸렌글리콜 알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜에테르류 및 다른 에스테르류가 바람직하다. Among these solvents, ethylene glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol ethers, and other esters are preferable from solubility, reactivity with each component, and ease of coating film formation.

상기 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The said solvent can be used individually or in mixture of 2 or more types.

본 발명에서는 또한, 상기 용제와 함께 고비점 용제를 병용할 수도 있다.In this invention, a high boiling point solvent can also be used together with the said solvent.

상기 고비점 용제로는, 예를 들면 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질 알코올, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, γ-부티롤락톤, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다. As the high boiling point solvent, for example, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone , Dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, capric acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, Diethyl maleate, gamma -butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, and the like.

이들 고비점 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. These high boiling point solvents can be used individually or in mixture of 2 or more types.

또한, 상기한 바와 같이 제조된 조성물 용액은 공경 0.5 ㎛ 정도의 밀리포어 필터 등으로 여과하여 사용할 수도 있다.In addition, the composition solution prepared as described above may be used by filtration with a Millipore filter having a pore size of about 0.5 μm.

스페이서의 형성 방법Formation method of spacer

이어서, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 사용하여 본 발명의 스페이서를 형성하는 방법에 대해서 설명한다. Next, the method of forming the spacer of this invention using the radiation sensitive resin composition of this invention is demonstrated.

본 발명의 스페이서의 형성 방법은 적어도 하기 (가) 내지 (라)의 공정을 포함하는 것이다. The formation method of the spacer of this invention includes the process of at least (a)-(d) below.

(가) 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 피막을 기판상에 형성하는 공정. (A) Process of forming the film of the radiation sensitive resin composition of this invention on a board | substrate.

(나) 상기 피막의 적어도 일부에 350 nm 미만의 파장을 포함하지 않는 방사선을 노광하는 공정. (B) exposing radiation not containing a wavelength of less than 350 nm to at least a portion of the film.

(다) 노광 후의 피막을 현상하는 공정. (C) Process of developing the film after exposure.

(라) 현상 후의 피막을 가열하는 공정. (D) The process of heating the film after image development.

이하, 이들 각 공정에 대해서 순서대로 설명한다. Hereinafter, each of these steps will be described in order.

-(가) 공정- (A) Process

투명 기판의 한면에 투명 도전막을 형성하고, 이 투명 도전막의 위에 본 발명의 감방사선성 수지 조성물의 조성물 용액을 도포한 후, 도포면을 가열(예비 베이킹)함으로써, 피막을 형성한다. A transparent conductive film is formed on one surface of a transparent substrate, and after apply | coating the composition solution of the radiation sensitive resin composition of this invention on this transparent conductive film, a film is formed by heating (prebaking) a coating surface.

스페이서의 형성에 사용되는 투명 기판으로는, 예를 들면 유리 기판, 수지 기판 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 소다 석회 유리, 무알칼리 유리 등의 유리 기판; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다. As a transparent substrate used for formation of a spacer, a glass substrate, a resin substrate, etc. are mentioned, for example, More specifically, glass substrates, such as a soda-lime glass and an alkali free glass; And resin substrates containing plastics such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, and polyimide.

투명 기판의 한 면에 설치되는 투명 도전막으로는 산화주석(SnO2)을 포함하는 NESA 막(미국 PPG 사의 등록상표), 산화인듐-산화주석(In2O3-SnO2)을 포함하는 ITO 막 등을 들 수 있다.Transparent conductive films provided on one side of the transparent substrate include NESA films containing tin oxide (SnO 2 ) (registered trademark of PPG, USA) and ITO containing indium tin oxide (In 2 O 3 -SnO 2 ). And the like.

조성물 용액의 도포 방법으로는, 예를 들면 분무법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. As a coating method of a composition solution, the appropriate method, such as the spray method, the roll coating method, the rotation coating method, can be employ | adopted, for example.

또한, 예비 베이킹의 조건은 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 다르지만, 통상 70 내지 120 ℃에서 1 내지 15 분간 정도이다. In addition, although the conditions of prebaking differ also with kinds, mixing | blending ratio, etc. of each component, it is about 1 to 15 minutes at 70-120 degreeC normally.

-(나) 공정--(B) process-

이어서, 형성된 피막의 적어도 일부에 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선을 노광한다. 이 경우, 피막의 일부에 노광할 때에는 소정의 패턴 마스크를 통해 노광한다. 본 발명에서는 높은 에너지를 갖는 350 nm 미만의 파장의 방사선을 차단함으로써, 노광기에 사용되고 있는 미러의 수명 저하를 유효하게 억제할 수 있다. Subsequently, at least a portion of the formed film is exposed to radiation that does not substantially include a wavelength of less than 350 nm. In this case, when exposing to a part of film, it exposes through a predetermined pattern mask. In the present invention, by reducing the radiation of a wavelength of less than 350 nm having a high energy, it is possible to effectively suppress the reduction in the life of the mirror used in the exposure machine.

노광에 사용되는 방사선으로는 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 사용할 수 있지만, 파장이 190 내지 450 nm의 범위에 있는 방사선으로부터 350 nm 미만을 차단한 것이 바람직하다. As the radiation used for exposure, visible rays, ultraviolet rays, ultraviolet rays, and the like can be used. However, it is preferable to block less than 350 nm from radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm.

노광량은 노광되는 방사선의 파장 365 nm에서의 강도를 조도계(OAI model 356, OAI Optical Associates Inc. 제)에 의해 측정한 값으로서, 통상 100 내지 10,000 J/㎡, 바람직하게는 1,500 내지 3,000 J/㎡이다. The exposure amount is a value measured by an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) of the intensity of the exposed radiation at 365 nm, and is usually 100 to 10,000 J / m 2, preferably 1,500 to 3,000 J / m 2. to be.

방사선의 350 nm 미만의 파장을 차단하는 수법으로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 필터를 사용하는 방법을 채용할 수 있다. Although it does not specifically limit as a method of blocking the wavelength below 350 nm of radiation, For example, the method of using a filter can be employ | adopted.

상기 필터로는, 예를 들면 도시바 가라스(주)제 자외선 투과 필터 "UV-35"를 채용할 수 있다. As said filter, the ultraviolet transmission filter "UV-35" by Toshiba Glass Co., Ltd. can be used, for example.

자외선 투과 필터 "UV-35"를 투과시킨 수은 램프의 발광 스펙트럼(굵은선)과 투과시키지 않은 수은 램프의 발광 스펙트럼(가는선. 단, 350 nm 이상의 발광 스펙트럼은 부분적으로 굵은선과 중첩되어 있음)을 도 1에 나타낸다. 도 1의 발광 스펙트럼(굵은선)에는 350 nm 미만의 파장이 약간 포함되어 있지만, 그 상대 강도 및 누적 면적은 충분히 작고, 노광기에 사용하고 있는 미러의 수명에 악영향을 미치는 경우는 없다. The emission spectrum of the mercury lamp which transmitted the ultraviolet transmission filter "UV-35" (thick line) and the emission spectrum of the mercury lamp which were not transmitted (a thin line, but the emission spectrum of 350 nm or more partially overlaps with a thick line). 1 is shown. Although the wavelength of less than 350 nm is included in the light emission spectrum (thick line) of FIG. 1, the relative intensity and cumulative area are small enough, and it does not adversely affect the lifetime of the mirror used for an exposure machine.

-(다) 공정--(C) process-

이어서, 노광 후의 피막을 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. Next, by developing the film after exposure, an unnecessary part is removed and a predetermined pattern is formed.

현상에 사용되는 현상액으로는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 지방족 1급 아민류; 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 지방족 2급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 지방족 3급 아민류; 피롤, 피페리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸피롤리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨 등의 지환족 3급 아민류; 피리딘, 콜리딘, 루티딘, 퀴놀린 등의 방향족 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알칸올아민류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. As a developing solution used for image development, For example, inorganic alkalis, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia; Aliphatic primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Aliphatic secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; Aliphatic tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine and triethylamine; Pyrrole, piperidine, N-methylpiperidine, N-methylpyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] Alicyclic tertiary amines such as -5-nonene; Aromatic tertiary amines such as pyridine, collidine, lutidine and quinoline; Alkanolamines, such as dimethylethanolamine, methyl diethanolamine, and triethanolamine; Aqueous solutions of alkaline compounds, such as quaternary ammonium salts, such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, can be used.

또한, 상기 알칼리성 화합물의 수용액에는 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매 및(또는) 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.In addition, an aqueous solution of the alkaline compound may be used by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol and ethanol and / or a surfactant.

현상 방법으로는 패들법, 침지법, 샤워법 등 중 어느 것도 좋고, 현상 시간은, 통상 상온에서 10 내지 180 초간 정도이다. As a developing method, any of a paddle method, an immersion method, a shower method, etc. may be sufficient, and developing time is about 10 to 180 second at normal temperature normally.

현상 후, 예를 들면 흐르는 물로 30 내지 90 초간 세정한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 원하는 패턴이 형성된다. After the development, for example, washing with running water for 30 to 90 seconds, followed by air drying with, for example, compressed air or compressed nitrogen, forms a desired pattern.

-(라) 공정--(D) process-

이어서, 얻어진 패턴을 예를 들면 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치에 의해 소정 온도, 예를 들면 100 내지 160 ℃에서 소정 시간, 예를 들면 핫 플레이트상에서는 5 내지 30 분간, 오븐 중에서는 30 내지 180 분간, 가열(후 베이킹)함으로써, 소정의 스페이서를 얻을 수 있다. Subsequently, the obtained pattern is heated at a predetermined temperature, for example, 100 to 160 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 30 minutes on a hot plate, and 30 to 180 minutes in an oven, for example, by a heating device such as a hot plate or an oven. By heating (post-baking), a predetermined spacer can be obtained.

스페이서의 형성에 사용되는 종래의 감방사선성 수지 조성물은 180 내지 200 ℃ 정도 이상의 온도에서 가열 처리를 행하지 않으면 얻어진 스페이서가 충분한 성능을 발휘할 수 없었지만, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 가열 온도를 종래보다 저온으로 할 수 있어, 그 결과 수지 기판의 황변이나 변형을 초래하지 않으며 압축 강도, 액정 배향시의 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등의 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 얻을 수 있다. In the conventional radiation-sensitive resin composition used for forming the spacer, the obtained spacer could not exhibit sufficient performance unless the heat treatment was performed at a temperature of about 180 to about 200 ° C. or more, but the radiation-sensitive resin composition of the present invention had a conventional heating temperature. It can be made at a lower temperature, and as a result, a spacer excellent in various performances such as yellowing or deformation of the resin substrate and excellent in compressive strength, rubbing resistance at the time of liquid crystal alignment, and adhesion to a transparent substrate can be obtained.

액정 표시 소자Liquid crystal display device

이어서, 본 발명의 액정 표시 소자에 대해서 설명한다. Next, the liquid crystal display element of this invention is demonstrated.

본 발명의 액정 표시 소자는 상기한 바와 같이 하여 형성된 스페이서를 구비하는 것이다. The liquid crystal display element of this invention is equipped with the spacer formed as mentioned above.

액정 표시 소자의 구조로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 도 2에 나타낸 바와 같이 투명 기판상에 컬러 필터층과 본 발명의 스페이서를 형성하고, 액정층을 통해 배치되는 2개의 배향막, 대향하는 투명 전극, 대향하는 투명 기판 등을 갖는 구조를 들 수 있다. 또한 도 2에도 나타낸 바와 같이 필요에 따라 편광판이나, 컬러 필터층상에 보호막을 설치할 수도 있다.Although it does not specifically limit as a structure of a liquid crystal display element, For example, as shown in FIG. 2, two alignment films which form the color filter layer and the spacer of this invention on a transparent substrate, and are arrange | positioned through a liquid crystal layer, opposing transparent The structure which has an electrode, an opposing transparent substrate, etc. is mentioned. In addition, as shown in FIG. 2, a protective film can also be provided on a polarizing plate and a color filter layer as needed.

또한 도 3에 나타낸 바와 같이 투명 기판상에 컬러 필터층과 본 발명의 스페이서를 형성하고, 배향막 및 액정층을 통해 박막 트랜지스터(TFT) 어레이와 대향시킴으로써 TN-TFT형의 액정 표시 소자로 만들 수도 있다. 이 경우도, 필요에 따라 편광판이나, 컬러 필터층상에 보호막을 설치할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3, a color filter layer and a spacer of the present invention may be formed on a transparent substrate, and may be formed into a TN-TFT type liquid crystal display element by facing a thin film transistor (TFT) array through an alignment layer and a liquid crystal layer. Also in this case, a protective film can be provided on a polarizing plate and a color filter layer as needed.

<실시예><Example>

이하, 실시예를 들어 본 발명의 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다. Hereinafter, an Example is given and embodiment of this invention is described further more concretely.

<합성예 1>Synthesis Example 1

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부 및 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 250 중량부를 넣고, 계속해서 스티렌 20 중량부, 메타크릴산 17 중량부, 디시클로펜타닐메타크릴레이트 18 중량부 및메타크릴산글리시딜 45 중량부를 넣어 질소 치환한 후, 천천히 교반하면서 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 4 시간 유지하여 중합함으로써 〔A〕공중합체를 포함하는 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액의 고형분 농도는 28.4 중량%이며, 얻어진 〔A〕공중합체의 Mw는 16,000이었다. 이〔A〕공중합체를 "공중합체 (A-1)"이라 한다. 5 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 250 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, followed by 20 parts by weight of styrene and methacryl 17 parts by weight of acid, 18 parts by weight of dicyclopentanyl methacrylate, and 45 parts by weight of glycidyl methacrylate were substituted for nitrogen, and then the temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C. with slow stirring, and the temperature was maintained for 4 hours. And polymerizing to obtain a resin solution containing the [A] copolymer. Solid content concentration of this resin solution was 28.4 weight%, and Mw of the obtained [A] copolymer was 16,000. This [A] copolymer is called "copolymer (A-1)".

공중합체 (A-1) 및 후술하는 공중합체 (A-2)의 Mw는 GPC(겔 투과 크로마토그래피) HLC-8020(도소(주)제)를 사용하여 측정하였다. Mw of copolymer (A-1) and copolymer (A-2) mentioned later was measured using GPC (gel permeation chromatography) HLC-8020 (made by Tosoh Corporation).

<합성예 2>Synthesis Example 2

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 4 중량부 및 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 250 중량부를 넣고, 계속해서 스티렌 5 중량부, 메타크릴산 16 중량부, 디시클로펜타닐메타크릴레이트 34 중량부 및메타크릴산글리시딜 40 중량부를 넣어 질소 치환한 후, 추가로 1,3-부타디엔 5 중량부를 넣고, 천천히 교반하면서 반응 용액의 온도를 70 ℃로 상승시키고, 이 온도를 4 시간 유지하여 중합함으로써 〔A〕공중합체를 포함하는 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액의 고형분 농도는 28.6 중량%이며, 얻어진 〔A〕공중합체의 Mw는 15,000이었다. 이〔A〕공중합체를 "공중합체 (A-2)"라 한다. 4 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 250 parts by weight of diethylene glycol methylethyl ether were added to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, followed by 5 parts by weight of styrene and methacryl 16 parts by weight of acid, 34 parts by weight of dicyclopentanyl methacrylate and 40 parts by weight of glycidyl methacrylate were substituted for nitrogen, and then 5 parts by weight of 1,3-butadiene was added thereto, and the temperature of the reaction solution was slowly stirred. It heated up to 70 degreeC, hold | maintained this temperature for 4 hours, and obtained the resin solution containing the [A] copolymer. Solid content concentration of this resin solution was 28.6 weight%, and Mw of the obtained [A] copolymer was 15,000. This [A] copolymer is referred to as "copolymer (A-2)".

<실시예 1><Example 1>

(I) 감방사선성 수지 조성물의 제조(I) Preparation of a radiation sensitive resin composition

(A) 성분으로서 합성예 1에서 얻은 수지 용액을 공중합체 (A-1)로서 100 중량부(고형분)에 〔B〕성분으로서 디펜타에리쓰리톨헥사아크릴레이트 (상품명 KAYARAD DPHA, 닛본 가야꾸(주)제) 80 중량부, 〔C〕성분으로서 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 10 중량부, 〔D〕성분으로서 2-메틸〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논(상품명 이르가큐어 907, 치바·스페셜티·케미컬즈사제) 15 중량부, 〔E〕성분으로서 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 10 중량부, 〔F〕성분으로서 2-머캅토벤조티아졸 5 중량부, 접착 조제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 5 중량부, 계면활성제로서 FTX-218 (상품명, (주)네오스제) 0.5 중량부, 보존 안정제로서 4-메톡시페놀 0.5 중량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30 중량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트에 용해한 후, 공경 0.5 ㎛의 밀리포어 필터로 여과하여 조성물 용액을 제조하였다. As the component (A), the resin solution obtained in Synthesis Example 1 was used as a copolymer (A-1) in 100 parts by weight (solid content), and as the component (B), dipentaerythritol hexaacrylate (trade name KAYARAD DPHA, Nippon Kayaku ( Note) agent) 80 parts by weight, 10 parts by weight of 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole as the component [C], [D] As a component, 15 parts by weight of 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propane (trade name Irgacure 907, manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.), 4 as [E] component 10 parts by weight of, 4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 5 parts by weight of 2-mercaptobenzothiazole as the [F] component, 5 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as an adhesion aid, and a surfactant 0.5 parts by weight of FTX-218 (trade name, manufactured by Neos Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of 4-methoxyphenol as a storage stabilizer, and propylene glycol monomethyl so as to have a solid content concentration of 30% by weight. It was dissolved in Terre acetate, and an opening diameter of 0.5 mm ㎛ filtered through a pore filter to prepare a composition solution.

(II) 스페이서의 형성(II) Formation of spacer

무알칼리 유리 기판상에 스피너를 사용하고, 상기 조성물 용액을 도포한 후, 90 ℃의 핫 플레이트상에서 3 분간 예비 베이킹하여 막 두께 6.0 ㎛의 피막을 형성하였다. After using the spinner on the alkali free glass substrate and apply | coating the said composition solution, it prebaked for 3 minutes on the 90 degreeC hotplate, and formed the film of 6.0 micrometers in film thickness.

이어서, 얻어진 피막에 10 ㎛ 변(角)의 나머지 패턴의 마스크를 통해, 365 nm에서의 강도가 250 W/㎡이고, 도시바 가라스(주)제 자외선 투과 필터 "UV-35"를 투과시킨 자외선을 10 초간 노광하였다. 그 후, 수산화칼륨의 0.05 중량% 수용액에 의해 25 ℃에서 60 초간 현상한 후, 순수한 물로 1 분간 세정하였다. 그 후, 오븐 중, 150 ℃에서 120 분간 후 베이킹함으로써, 소정 패턴의 스페이서를 형성하였다. Subsequently, the obtained film was a UV light having a strength at 365 nm of 250 W / m 2 and passing through the ultraviolet transmission filter "UV-35" manufactured by Toshiba Glass Co., Ltd. through a mask of a remaining pattern of 10 µm edges. Was exposed for 10 seconds. Thereafter, the solution was developed at 25 ° C. for 60 seconds with a 0.05% by weight aqueous solution of potassium hydroxide, and then washed with pure water for 1 minute. Then, the spacer of a predetermined pattern was formed by baking after baking at 150 degreeC for 120 minutes in oven.

(III) 해상도의 평가(III) evaluation of resolution

상기 II에서 패턴을 형성하였을 때, 나머지 패턴을 해상할 수 있는 경우를 양호(○), 해상할 수 없는 경우를 불량(×)이라 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 3에 나타낸다. When the pattern was formed in II, the case where the remaining pattern could be resolved was evaluated as good (○), and the case where the resolution could not be resolved as defective (×). The evaluation results are shown in Table 3 below.

(IV) 감도의 평가(IV) evaluation of sensitivity

상기 II에서 얻은 패턴에 대해서, 현상 후의 잔막률(현상 후의 막 두께×100/초기 막 두께)가 90 % 이상인 경우를 양호(○), 90 % 미만인 경우를 불량(×)이라 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. About the pattern obtained by said II, the case where the residual film rate (film thickness after image development x 100 / initial film thickness after development) is 90% or more was good ((circle)) and the case where it was less than 90% was evaluated as defect (x). Table 3 shows the results of the evaluation.

(V) 패턴 형상의 평가(V) Evaluation of pattern shape

상기 II에서 얻은 패턴의 단면 형상을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여, 도 4에 나타내는 A 내지 D 중 어느 하나에 해당하는 가에 의해 평가하였다. 이 때, A 또는 B와 같이 패턴 엣지가 순테이퍼상 또는 수직상인 경우는 스페이서로서의 패턴 형상이 양호하다고 할 수 있다. 이에 대하여, C에 나타낸 바와 같이 감도가 불충분하고 잔막률이 낮으며, 단면 치수가 A 및 B와 비교하여 작아지고, 단면 형상의 저면이 평면의 반볼록 렌즈상인 경우는 스페이서로서의 패턴 형상이 불량하며, D에 나타낸 바와 같이 단면 형상이 역테이퍼상인 경우도, 나중의 러빙 처리시에 패턴이 박리될 우려가 매우 크기 때문에 스페이서로서의 패턴 형상을 불량이라 하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. The cross-sectional shape of the pattern obtained in said II was observed with the scanning electron microscope, and it evaluated by any of A-D shown in FIG. At this time, when the pattern edge is in a forward taper shape or a vertical shape like A or B, it can be said that the pattern shape as a spacer is favorable. On the other hand, as shown in C, the sensitivity is insufficient, the residual film ratio is low, the cross-sectional dimension is smaller than that of A and B, and when the bottom of the cross-sectional shape is a flat semiconvex lens shape, the pattern shape as a spacer is poor. Also, as shown in D, even when the cross-sectional shape is in the reverse tapered shape, the pattern shape as a spacer is regarded as defective because there is a high possibility that the pattern is peeled off during the subsequent rubbing treatment. Table 3 shows the results of the evaluation.

(VI) 압축 강도의 평가(VI) evaluation of compressive strength

상기 II에서 얻은 패턴에 대해서, 미소 압축 시험기(MCTM-200, (주)시마즈 세이사꾸쇼제)를 사용하여 직경 50 ㎛의 평면 압자에 의해, 10 mN의 하중을 가했을 때의 변형량을 측정 온도 23 ℃에서 측정하였다. 이 값이 0.5 이하일 때, 압축 강도는 양호라고 할 수 있다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. About the pattern obtained by said II, the deformation amount at the time of applying the load of 10 mN by the planar indenter of 50 micrometers in diameter using a microcompression tester (MCTM-200, the Shimadzu Corporation make) measured temperature 23 Measured at ℃. When this value is 0.5 or less, the compressive strength can be said to be good. Table 3 shows the results of the evaluation.

(VII) 러빙 내성의 평가 (VII) evaluation of rubbing resistance

상기 II에서 얻은 패턴을 형성한 기판에 액정 배향제로서 AL 3046(상품명, JSR(주)제)를 액정 배향막 도포용 인쇄기에 사용하여 도포한 후, 180 ℃에서 1 시간 건조하여 건조막 두께 0.05 ㎛의 배향제의 도막을 형성하였다. 그 후, 이 도막에 폴리아미드제의 천을 감은 롤을 갖는 러빙 머신을 사용하여, 롤의 회전수 500 rpm, 스테이지의 이동 속도 1 cm/초로 하여 러빙 처리를 행하였다. 이 때, 패턴의 깎임이나 벗겨짐의 유무를 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. After apply | coating AL 3046 (brand name, JSR Corporation make) to the board | substrate which formed the pattern obtained by said II as a liquid crystal aligning agent using the printing machine for liquid crystal aligning film application, it dried at 180 degreeC for 1 hour, and dried film thickness of 0.05 micrometer. The coating film of the orientation agent of was formed. Then, using the rubbing machine which has the roll which wound the cloth made from polyamide to this coating film, the rubbing process was performed at the roll speed of 500 rpm and the moving speed of 1 cm / sec of a stage. At this time, it was evaluated whether the pattern was cut or peeled off. Table 3 shows the results of the evaluation.

(VIII) 밀착성의 평가(VIII) Evaluation of adhesion

나머지 패턴의 마스크를 사용하지 않은 것 이외에는 상기 II와 마찬가지로 실시하여, 경화막을 형성하였다. 그 후, JIS K-5400(1900) 8.5의 부착성 시험 중, 8.5·2의 바둑판눈 테이핑법에 의해 평가하였다. 이 때, 100개의 바둑판눈 중 남은 바둑판눈의 수를 표 3에 나타낸다. Except not having used the mask of the remaining pattern, it carried out similarly to said II and formed the cured film. Then, in the adhesion test of JISK-5400 (1900) 8.5, it evaluated by the 8.5 * 2 checker taping method. At this time, Table 3 shows the number of the remaining tiles among the 100 tiles.

<실시예 2 내지 14><Examples 2 to 14>

〔A〕내지〔F〕성분으로서 표 1에 나타내는 각 성분을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 각 조성물 용액을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. Each composition solution was produced and evaluated similarly to Example 1 except having used each component shown in Table 1 as [A]-[F] component. Table 3 shows the results of the evaluation.

<비교예 1 내지 9><Comparative Examples 1 to 9>

〔A〕내지〔F〕성분으로서 표 2에 나타내는 각 성분을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 각 조성물 용액을 제조하여 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다. Each composition solution was produced and evaluated similarly to Example 1 except having used each component shown in Table 2 as [A]-[F] component. Table 3 shows the results of the evaluation.

표 1 및 표 2에서, 공중합체 (A-1) 및 공중합체 (A-2) 이외의 각 성분은 하기와 같다.In Table 1 and Table 2, each component other than a copolymer (A-1) and a copolymer (A-2) is as follows.

〔B〕성분 [B] component

B-1: 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트B-1: dipentaerythritol hexaacrylate

〔C〕성분 [C] component

C-1: 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸C-1: 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

C-2: 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 C-2: 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole

〔D〕성분 [D] component

D-1: 2-메틸〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논D-1: 2-methyl [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propaneone

D-2: 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1D-2: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1

〔E〕성분 [E] component

E-1: 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논E-1: 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone

〔F〕성분 [F] component

F-1: 2-머캅토벤조티아졸 F-1: 2-mercaptobenzothiazole

F-2: 펜타에리쓰리톨 테트라(머캅토아세테이트) F-2: pentaerythritol tetra (mercaptoacetate)

본 발명의 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물은 350 nm 이하의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선에 의한 노광에서도, 고해상도, 고감도이며, 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등의 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 용이하게 형성할 수 있고, 또한 스페이서 형성시 현상 후의 가열 온도를 낮출 수 있으며 수지 기판의 황변이나 변형을 초래하지 않는다.The radiation sensitive resin composition for spacer formation of this invention is high resolution and high sensitivity also in exposure by the radiation which does not contain the wavelength of 350 nm or less substantially, and it is a pattern shape, compressive strength, rubbing tolerance, adhesiveness with a transparent substrate, etc. It is possible to easily form a spacer excellent in various performances, and to lower the heating temperature after development in forming the spacer, and does not cause yellowing or deformation of the resin substrate.

또한, 본 발명의 액정 표시 소자는 패턴 형상, 압축 강도, 러빙 내성, 투명 기판과의 밀착성 등의 여러 가지 성능이 우수한 스페이서를 구비하며, 장기간에 걸쳐 높은 신뢰성을 발현할 수 있다. Moreover, the liquid crystal display element of this invention is equipped with the spacer which was excellent in various performances, such as a pattern shape, compressive strength, rubbing tolerance, adhesiveness with a transparent substrate, and can express high reliability over a long term.

도 1은 자외선 투과 필터 "UV-35"를 투과시킨 수은 램프의 발광 스펙트럼(굵은선)과 투과시키지 않은 수은 램프의 발광 스펙트럼(가는선)을 예시하는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which illustrates the emission spectrum (thick line) of the mercury lamp which permeate | transmitted the ultraviolet transmission filter "UV-35", and the emission spectrum (thin line) of the mercury lamp which was not transmitted.

도 2는 액정 표시 소자의 구조의 일례를 나타내는 모식도이다. It is a schematic diagram which shows an example of the structure of a liquid crystal display element.

도 3은 액정 표시 소자의 구조의 다른 예를 나타내는 모식도이다. It is a schematic diagram which shows the other example of the structure of a liquid crystal display element.

도 4는 스페이서의 단면 형상을 예시하는 모식도이다. It is a schematic diagram which illustrates the cross-sectional shape of a spacer.

Claims (5)

〔A〕(a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물과 (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물과 (a3) 다른 불포화 화합물과의 공중합체, [A] a copolymer of (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride with (a2) epoxy group-containing unsaturated compound and (a3) other unsaturated compound, 〔B〕중합성 불포화 화합물, [B] a polymerizable unsaturated compound, 〔C〕비이미다졸계 화합물, [C] a biimidazole compound, 〔D〕카르보닐기를 갖는 감방사선성 중합 개시제, 및[D] a radiation sensitive polymerization initiator having a carbonyl group, and 〔E〕디알킬아미노기를 갖는 화합물 및(또는) 〔F〕티올계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물. [E] A radiation sensitive resin composition for forming a spacer, comprising a compound having a dialkylamino group and / or a [F] thiol compound. 제1항에 있어서, 〔C〕비이미다졸계 화합물이 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 나타내지는 화합물인 것을 특징으로 하는 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물. [C] The biimidazole compound is a compound represented by the following general formula (1) or (2), The radiation sensitive resin composition for spacer formation of Claim 1 characterized by the above-mentioned. <화학식 1><Formula 1> 식 중, X는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타내고, A는 -COO-R(단, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타냄)을 나타내며, n은 1 내지 3의 정수이고, 각 m은 1 내지 3의 정수이다.In the formula, X represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 9 carbon atoms, and A represents -COO-R, provided that R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or 6 carbon atoms To an aryl group of to 9), n is an integer of 1 to 3, each m is an integer of 1 to 3. <화학식 2><Formula 2> 식 중, X1, X2 및 X3은 상호 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 9의 아릴기를 나타내되, 단 X1, X2 및 X3 중 2개 이상이 동시에 수소 원자이지는 않다.Wherein X 1 , X 2 and X 3 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 9 carbon atoms, provided that X 1 , X 2 and X 3 Two or more of them are not hydrogen atoms at the same time. 제1항 또는 제2항에 기재된 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되어 이루어지는 스페이서. The spacer formed from the radiation sensitive resin composition for spacer formation of Claim 1 or 2. 적어도 하기 (가) 내지 (라)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 형성 방법. A method of forming a spacer comprising at least the steps (a) to (d) below. (가) 제1항 또는 제2항에 기재된 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물의 피막을 기판상에 형성하는 공정, (A) process of forming the film of the radiation sensitive resin composition for spacer formation of Claim 1 or 2 on a board | substrate, (나) 상기 피막의 적어도 일부에 350 nm 미만의 파장을 실질적으로 포함하지 않는 방사선을 노광하는 공정, (B) exposing radiation to the at least a portion of the film that does not substantially include a wavelength of less than 350 nm, (다) 노광 후의 피막을 현상하는 공정, 및 (C) developing the film after exposure, and (라) 현상 후의 피막을 가열하는 공정. (D) The process of heating the film after image development. 제3항에 기재된 스페이서를 구비하여 이루어지는 액정 표시 소자. The liquid crystal display element provided with the spacer of Claim 3.
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