KR20050075198A - 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 완충층 형성을 위해 석영보트가 수용된 소정의 반응관을 구비하고 이를, 일반적인 질화물기판제조장치의, 챔버의 일측면에 별도로 성형된 관통공을 통해 외부와 챔버내부를 연결하도록 장착하여, 이종기판상부에 완충층 형성이 가능하도록 하며, 더불어, 상기 챔버의 내벽을 인너튜브(inner tube)를 통해 둘러싸도록 하여 그 내벽에 불순물 또는 부산물이 증착되는 것을 방지하고자 하며, 첨가하여, 원통형관과 같은 소정의 가이드부재를 별도로 구비해 이를 완충층 형성을 위해 사용되는 반응관의 끝단과 결착시킴으로써 소정의 완충물이 보다 많이 이종기판으로 떨어지게 함으로써, 질화물성장과 더불어 완충층 성장도 가능하도록 하며, 더불어 챔버의 내벽에 완충층 형성시 발생된 부산물이 증착되는 것을 방지하여 챔버에 발생되는 크랙을 줄이고, 또한 기판 위로 떨어지는 부산물을 최소한으로 줄여 양질의 질화물 기판을 얻을 수 있도록 한다.

Description

질화물 기판 제조 장치 및 그 방법{Apparatus and Method for manufacturing substrate of Nitride chemicals}

본 발명은, 질화물 성장과 더불어 소정의 완충층 성장도 가능하도록 하며, 더불어 챔버의 내벽에 완충층 형성시 발생된 부산물이 증착되는 것을 방지하도록 하여 챔버에 발생되는 크랙을 줄이고, 또한 기판 위로 떨어지는 부산물을 최소한으로 줄여 양질의 질화물 기판을 얻을 수 있도록 하는, 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법에 관한 것이다.

최근, 고 효율의 단파장 광소자에 대한 수요가 늘어남에 따라 이러한 용도에 적합한 것으로 알려져 있는 질화물 반도체에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데,특히, 청자색 계열의 단파장 광소자 이외에 포스퍼(Phosphor)를 첨가하여 백색광을 만들 수 있게 되면서, 이 분야에 대한 관심이 날로 증대되어지고 있다.

한편, 이러한 질화물 계열의 레이저 다이오드와 같은 발광 소자에서는 기판으로 사파이어를 주로 사용하였으나, 질화물과 사파이어는 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 인해, 사파이어 기판에 질화물층을 형성하면, 고 밀도의 결정성 결함이 발생하는 문제점이 있었다.

이를 해소하기 위하여 프리 스탠딩(Free standing)된 질화물 기판으로 발광 소자를 제조하려는 시도가 이루어지고 있는데, 이러한 프리 스탠딩 기판 제조 방법은, 사파이어 기판 위에 두꺼운 질화물층을 성장시킨 후, 기계적인 래핑(Mechanical lapping)공정을 수행하거나, 사파이어 기판에 레이저를 조사하여, 질화물층과 사파이어 기판의 계면 부분을 녹이는 레이저 리프트 오프 공정을 이용하여, 사파이어 기판을 질화물층으로부터 분리한다.

도 1은 이러한 프리 스탠딩된 질화물 기판을 제조하기 위한 장치의 단면도로서, 이에 도시된 바와 같이, 일반적인 질화물 기판 장치는, 챔버(100)의 일측에 두 개의 가스공급관(110, 120)을 각기 장착하여 외부에서 공급하는 N₂생성가스와 염화수소가스를 챔버(100) 내부로 전달하는데, 이 때 소정의 가스공급관(120)의 내부에는 갈륨이 수용되어 있는 보트(130)가 설치되어 있어, 염화수소와 같은 반응 가스가 그 관(120)을 통해 흐를 때, 보트(130)에 수용된 갈륨과 반응하여 염화갈륨(GaCl)가스를 생성하게 하고, 이렇게 생성된 염화갈륨(GaCl)가스는 N₂생성 가스와 반응하여 사파이어 기판(140)의 상부에는 질화물인 질화갈륨층이 증착 및 성장되어, 소정의 질화물 기판이 제조되도록 한다.

한편, 기판 상부에 소정의 질화물인 질화갈륨층을 증착 및 성장시키기 전에, 질화갈륨층에 균일한 핵생성 위치를 제공하여 그 질화갈륨이 효율적으로 증착 및 성장되도록 하기 위해, 기판 상부에 먼저 소정의 완충층을 형성하는데, 이러한 완충층은 통상적으로 그 형성시에 상당한 불순물을 발생시키기 때문에, 전술한 일반적인 질화물 기판 제조장치를 그대로 사용할 경우 챔버의 내벽에 원하지 않는 많은 양의 불순물들이 증착되어, 챔버 내벽에 크랙을 발생시키거나 그 불순물들이 기판 위로 떨어져 양질의 질화물 기판을 얻을 수 없게 만드는 문제점이 있었다. 따라서, 이러한 완충층 형성을 위해서는 소정의 개량된 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법이 필요하다.

이에 본 발명은 상기한 필요성을 만족시키기 위하여 개발된 것으로, 질화물성장과 더불어 완충층 성장도 가능하도록 하며, 더불어 챔버의 내벽에 완충층 형성시 발생된 부산물이 증착되는 것을 방지하여 챔버에 발생되는 크랙을 줄이고, 또한 기판 위로 떨어지는 부산물을 최소한으로 줄여 양질의 질화물 기판을 얻을 수 있도록 하는, 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이러한 목적에 따라 본 발명은, 완충층 형성을 위해 석영보트가 수용된 소정의 반응관을 별도로 구비하고 이를, 일반적인 질화물기판제조장치의, 챔버의 일측면에 별도로 성형된 관통공을 통해 외부와 챔버 내부를 연결하도록 장착하여, 이종기판상부에 완충층 형성이 가능하고자 한다.

더불어, 상기 챔버의 내벽을 인너튜브(inner tube)를 통해 둘러싸도록 하여 그 내벽에 불순물 또는 부산물이 증착되는 것을 방지하고자 한다.

첨가하여, 원통형관과 같은 소정의 가이드부재를 별도로 구비해 이를 완충층형성을 위해 사용되는 반응관의 끝단과 결착시킴으로써 소정의 완충물이 보다 많이 기판으로 떨어지게 하고자 한다.

이를 위해 본 발명은, 외주면에 전기로가 장착되어 고온으로 가열되는 챔버;

상기 챔버의 일측면에 장착되어 N₂생성가스를 주입하는 주입관;

상기 챔버의 일측면에 상기 주입관으로부터 일정거리만큼 이격 및 장착되어 제1반응가스를 주입하고, 내부에 갈륨보트를 수용하여 제1반응가스와 갈륨분자가 결합된 제1반응물을 토출하는 제1반응관;

상기 챔버의 일측면에 상기 주입관, 제1반응관으로부터 일정거리만큼 이격 및 장착되어 제2반응가스를 주입하며, 내부에 석영보트를 수용하여 제2반응가스와 석영분자가 결합된 제2반응물을 토출하는 제2반응관;

상기 챔버의 내측에 안착되어 상기 주입관을 통해 주입된 N₂생성가스와 상기 제2반응관에서 토출한 제2반응물이 결합된 완충물과, 상기 N₂생성가스와 제1반응관에서 토출된 제1반응물이 결합된 질화물이, 순차적으로 증착되어 성장되는 소정의 기판을 지지하는 서셉터;

상기 챔버의 내벽을 둘러싸서 보호하도록 장착된 인너튜브(inner tube)를 포함하여 HVPE법이 적용된 소정의 질화물기판제조장치를 개시하며, 덧붙여서, 제2반응관의 끝단에 결착되어 상기 제2반응관에서 토출된 제2반응물을 기판으로 향하도록 가이드하는 소정의 가이드부재를 추가로 포함하는 것을 바람직한 양태로 개시한다.

또한, 본 발명의 질화물기판제조방법은, 전술한 본 발명의 질화물기판제조장치를 이용해 사파이어와 같은 이종기판상부에 완충층을 형성하도록 함으로써, 그 결과를 통해 형성된 완충층을 통해 질화물층 형성시 균일한 질화물의 핵생성 위치를 제공해 줄 수 있도록 하여, 질화물층에 크랙과 전위의 발생을 줄이고자 한다.

이를 통해, 본 발명은 외주면이 전기로로 둘러싸인 챔버에 열을 가하고, 상기 챔버내에 장착된 석영보트로 제1반응가스를 주입하여 석영분자와 제1반응가스가 결합된 제1반응물을 형성하는 제1단계;

상기 챔버의 일측에 장착된 주입관을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 챔버내로 주입하여 상기 제1단계에서 형성한 제1반응물과의 화학반응을 통해 상기 챔버내의 서셉터에 안착된 기판 상부에 완충층을 형성하는 제2단계;

상기 제2단계의 완충층형성에 따라 챔버내의 온도를 질화물형성온도로 조절하고, 상기 챔버내에 장착된 갈륨보트로 제2반응가스를 주입하여 갈륨분자와 제2반응가스가 결합된 제2반응물을 형성하는 제3단계;

상기 주입관을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 주입하여, 상기 제3단계에서 형성한 제2반응물과의 화학반응을 통해 상기 완충층 상부에 질화물층을 형성하는 제4단계를 통해, 질화물 기판을 제조하도록 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 질화물기판제조장치를 설명한다.

상기 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 질화물기판제조장치는, 외주면에 전기로(210)가 장착되어 고온으로 가열되는 챔버(200)와, 상기 챔버(200)의 일측면에 장착되어 N₂생성가스를 주입하는 주입관(201)과, 상기 챔버(200)의 일측면에 상기 주입관(201)으로부터 일정거리만큼 이격 및 장착되어 제1반응가스를 주입하고, 내부에 갈륨보트(202)를 수용하여 제1반응가스와 갈륨분자가 결합된 제1반응물을 토출하는 제1반응관(203)과, 상기 챔버(200)의 일측면에 상기 주입관(201), 제1반응관(203)으로부터 일정거리만큼 이격 및 장착되어 제2반응가스를 주입하며, 내부에 석영보트(204)를 수용하여 제2반응가스와 석영분자가 결합된 제2반응물을 토출하는 제2반응관(205)과, 상기 챔버(200)의 내측에 안착되어 상기 주입관(201)을 통해 주입된 N₂생성가스와 상기 제2반응관(205)에서 토출한 제2반응물이 결합된 완충물과, 상기 N₂생성가스와 제1반응관(203)에서 토출된 제1반응물이 결합된 질화물이, 순차적으로 증착되어 성장되는 소정의 기판(206)을 지지하는 서셉터(207)와, 상기 챔버(200)의 내벽을 둘러싸서 보호하도록 장착된 인너튜브(inner tube)(208)를 포함하여 이루어진다.

이렇게 이루어진 본 발명의 질화물기판장치에서, 챔버(200)는 그 외주면이 전기로(210)에 의해 둘러싸여 상기 전기로(210)에서 공급되는 열을 전달받아 가열되며, 상기 챔버(200)의 일측면, 예컨대 개폐면에는 그 개폐면의 관통부를 관통하면서 그 관통부의 내주면을 따라 형성된 결착홈을 통해 주입관(201)이 장착되어 외부에서 주입하는 N₂생성가스를 그 주입관(201)을 통해 챔버(200)내부로 주입한다.

그리고, 상기 제1반응관(203)은 상기 챔버(200)의 일측면에 장착되되, 상기 주입관(201)으로부터 일정거리만큼 이격된 위치에 설치된 소정의 관통부의 결착홈을 통해 장착되고, 이렇게 장착된 제1반응관(203)은 HCl과 같은 제1반응가스를 외부로부터 주입받으며, 그리고 제1반응관(203) 내부에는 갈륨보트(202)가 수용되어 있어 이렇게 주입된 제1반응가스와 그 갈륨분자가 결합된 제1반응물을 챔버(200)내부로 토출시킨다.

다음, 도 3을 참조하여 특히 본 발명에 따라 새로이 구비된 제2반응관(205)을 좀 더 상세히 설명하면, 본 발명의 제2반응관(205)은 상기 챔버의 일측면에 장착되되, 주입관과 제1반응관으로부터 일정거리만큼 이격된 위치에 설치된 소정의 관통부의 결착홈을 통해 장착되고, 이렇게 장착된 제2반응관(205)은 상기 제1반응가스와 동일하거나 상이한 제2반응가스를 외부로부터 주입받으며, 그리고 제2반응관(205) 내부에는 석영보트(204)가 수용되어 있어 이렇게 주입된 제2반응가스와 그 석영분자가 결합된 제2반응물을 챔버내부로 토출시키는데, 이러한 제2반응관(205)은 본 발명에 따라 사파이어와 같은 이종기판상부에 완충층을 형성하는데 사용된다.

즉, 본 발명은 완충층 형성을 위해 석영보트(204)가 수용된 소정의 반응관을 구비하고 이를, 일반적인 질화물기판제조장치의, 챔버의 일측면에 별도로 성형된 관통공을 통해 외부와 챔버의 내부를 연결하도록 장착하여, 이종기판의 상부에 소정의 완충층을 형성할 수 있도록 한다.

한편, 챔버(200)의 내측에 안착된 소정의 서셉터(207)에는 사파이어와 같은 이종기판(206)이 설치되어, 상기 주입관(201)을 통해 주입된 N₂생성가스와 상기 제2반응관(205)에서 토출한 제2반응물이 결합된 완충물과, 상기 N₂생성가스와 제1반응관(203)에서 토출된 제1반응물이 결합된 질화물이, 순차적으로 그 이종기판(206) 상부에 증착된다.

다음, 본 발명은 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(200)의 내벽을 인너튜브(inner tube)(208)를 통해 둘러싸도록 하는 것이 바람직한데, 가능한한 인너튜브 (inner tube)(208)를 챔버(200)의 내벽을 따라 슬라이드 업(up) 또는 다운(down)되는 방식으로 흡착되도록 장착하는 것이 바람직하며, 이렇게 챔버(200)의 내벽에 본 발명에 따라 인너튜브(inner tube)(208)가 흡착되도록 함으로써, 그 인너튜브(208)를 통해 완충층 형성 및 성장시 챔버(200)의 내벽에 불순물 또는 부산물이 증착되는 것을 방지하여, 챔버(200)에 발생되는 크랙(crack)을 줄일 수 있으며, 더불어 기판 위로 떨어지는 불순물이나 부산물을 최소한으로 줄여 양질의 질화물 기판을 얻을 수 있도록 한다.

덧붙여서, 본 발명은 도 5에 도시된 바와 같이, 일반적인 질화물기판제조장치에 본 발명에 따라 새로이 구비한 제2반응관(205)의 끝단에 가이드부재(209)를 결착하여 상기 제2반응관(205)에서 토출된 제2반응물이 가능한한 상당량이 서셉터(207)상부에 고정된 기판(206)으로 향하도록 하는데, 이를 위해 본 발명은 상기 제2반응관(205) 끝단의 외주면에 원주형의 결착홈을 성형하며, 그 결착홈과 결착되는 굴곡진 원통형 관을 가이드부재(209)로 사용하도록 한다.

이와 같이, 본 발명은 완충층 형성을 위해 석영보트가 수용된 소정의 반응관을 구비하고 이를, 일반적인 질화물기판제조장치의, 챔버의 일측면에 별도로 성형된 관통공을 통해 외부와 챔버내부를 연결하도록 장착하여, 이종기판상부에 완충층 형성이 가능하며, 더불어 상기 챔버의 내벽을 인너튜브(inner tube)를 통해 둘러싸도록 하여 그 내벽에 불순물 또는 부산물이 증착되는 것을 방지하며, 원통형관과 같은 소정의 가이드부재를 별도로 구비해 이를 완충층형성을 위해 사용되는 반응관의 끝단과 결착시킴으로써 소정의 완충물이 보다 많이 이종기판으로 떨어지는 것이 가능한데, 이하에서는 이러한 본 발명의 장치를 이용해 또 다른 본 발명인 질화물기판제조방법에 대해 설명한다.

본 발명의 질화물기판제조방법은, 전술한 본 발명의 질화물기판제조장치를 이용해 사파이어와 같은 이종기판상부에 완충층을 형성한 다음, 그 완충층 상부에 질화물기판을 연속적으로 형성한다.

이에 따라 본 발명의 질화물기판제조방법은, 먼저 하기와 같이, 외주면이 전기로로 둘러싸인 챔버(200)에 열을 가하고, 상기 챔버(200)내에 장착된 석영보트로 제1반응가스를 주입하여 석영분자와 결합된 소정의 제1반응물을 형성한 다음, 상기 챔버(200)의 일측에 장착된 주입관(201)을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 챔버(200)내로 주입하여 상기 제1반응물과의 화학반응을 통해 상기 챔버(200)내의 서셉터(207)에 안착된 기판(206) 상부에 완충층을 형성한다.

구체적인 양태는, 다음과 같다.

먼저, 외주면이 전기로로 둘러싸인 챔버(200)에 열을 가해 그 내부를 700℃정도로 조절하고, 상기 챔버(200)내의 제2반응관(205)에 장착된 석영보트로 HCl을 주입하여 석영분자와 HCl이 결합된 제1반응물인 AlCl₃를 형성한다.

그런 다음, 챔버(200)의 주입관(201)을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 챔버(200)내로 주입하게 되면, 상기 제1반응물인 AlCl₃와 화학반응되어 소정의 완충물인 AlN이 형성되고 이렇게 형성된 AlN이 사파이어와 같은 이종기판(206) 상부에 증착된다.

이런 상태에서, 챔버(200)의 온도를 700℃로 유지한 채로, 10분 ~ 180분정도 AlN을 성장시키면 이종기판(206) 상부에 소정의 완충층이 형성되게 된다.

다음, 본 발명의 질화물기판제조방법은 전술한 바와 같이, 사파이어와 같은 이종기판(206) 상부에 완충층이 형성되고 나면, 그 완충층 상부에 질화물층을 형성하는데, 그 방법은 완충층형성에 따라 챔버(200)내의 온도를 질화물형성온도로 조절하고, 상기 챔버(200)내에 장착된 갈륨보트로 제2반응가스를 주입하여 갈륨분자와 제2반응가스가 결합된 제2반응물을 형성한 다음, 주입관(201)을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 주입하여, 제2반응물과의 화학반응을 통해 상기 완충층 상부에 질화물층을 형성한다.

구체적인 양태는 다음과 같다.

먼저, 전기로(30)에서 가열된 열을 이용해 상기 챔버(200)의 온도를 질화물층 성장 온도, 예컨대 약 800⁰C ~ 1000⁰C 정도로 조절하며, 이러한 상태에서, 상기 제1반응관(203)으로 HCl을 주입하여 상기 보트에 수용되어 있는 Ga분말과 화학 반응시키도록 한다.

다음, 상기 제1반응관(203)을 통해 주입된 반응가스와 상기 Ga보트에 수용되어 있는 Ga분말의 화학 반응에 따라 특정 반응물이 형성되며, 그 화학 반응식은 다음과 같다.

2Ga + 2HCL -> 2GaCl + H_{2 ↑}

다음, 상기 보트내에서 형성된 반응물이 챔버(200)내부로 토출되면, 상기 챔버(200)의 일측에 연결된 주입관(201)을 통해 N₂ 생성 가스를 주입하며, 상기 챔버(200)내에서는 N₂ 생성 가스와 상기 제1반응관(203)에서 토출된 반응물이 결합하여 질화물이 형성되고, 형성된 질화물은 상기 서셉터(207)에 의해 지지되는 기판(206)의 상부 전면에 증착되어 성장되는데, 상기 기판(206)은 사파이어 기판이나 사파이어와 질화갈륨으로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직한데, 이 때, 상기 N₂ 생성 가스는 암모니아(NH₃) 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 질화물 형성에 대한 화학 반응식의 일예는 다음과 같다.

GaCl + NH₃ -> GaN + HCL + H_{2 ↑}

이와 같이, 본 발명의 질화물기판제조방법은, HVPE법을 이용한 질화물기판제조장치를 이용해 사파이어와 같은 이종기판상부에 완충층을 형성할 수 있으며, 그 결과를 통해 형성된 완충층은 질화물층 형성시 균일한 질화물의 핵생성 위치를 제공해 줄 수 있게 되어, 질화물층에는 크랙과 전위의 발생이 현저히 감소되게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 질화물 기판 제조 장치 및 그 방법은, 완충층 형성을 위해 석영보트가 수용된 소정의 반응관을 구비하고 이를, 일반적인 질화물기판제조장치의, 챔버의 일측면에 별도로 성형된 관통공을 통해 외부와 챔버내부를 연결하도록 장착하여, 이종기판상부에 완충층 형성이 가능하도록 하며, 더불어, 상기 챔버의 내벽을 인너튜브(inner tube)를 통해 둘러싸도록 하여 그 내벽에 불순물 또는 부산물이 증착되는 것을 방지하고자 하고, 첨가하여, 원통형관과 같은 소정의 가이드부재를 별도로 구비해 이를 완충층 형성을 위해 사용되는 반응관의 끝단과 결착시킴으로써 소정의 완충물이 보다 많이 이종기판으로 떨어지게 하고자 함으로써, 질화물성장과 더불어 완충층 성장도 가능하도록 하며, 더불어 챔버의 내벽에 완충층 형성시 발생된 부산물이 증착되는 것을 방지하여 챔버에 발생되는 크랙을 줄이고, 또한 기판 위로 떨어지는 부산물을 최소한으로 줄여 양질의 질화물 기판을 얻을 수 있는 효과가 있다.

본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

도 1은 일반적인 질화물 기판 제조 장치를 도시한 도면,

도 2는 본 발명에 따른 질화물 기판 제조 장치를 도시한 도면,

도 3은 도 2의 제2반응관을 좀 더 상세히 설명하기 위한 도면,

도 4는 도 2의 인너튜브를 좀 더 상세히 설명하기 위한 도면,

도 5는 도 2의 가이드부재를 좀 더 상세히 설명하기 위한 도면이고,

도 6은 본 발명에 따른 질화물 기판 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

200 : 챔버 201 : 주입관

202 : 갈륨보트 203 : 제1반응관

204 : 석영보트 205 : 제2반응관

206 : 기판 207 : 서셉터

208 : 인너튜브 209 : 가이드부재

210 : 전기로

Claims (3)

1. 외주면에 전기로가 장착되어 고온으로 가열되는 챔버;

   상기 챔버의 일측면에 장착되어 N₂생성가스를 주입하는 주입관;

   상기 챔버의 일측면에 상기 주입관으로부터 일정거리만큼 이격되게 장착되어 제1반응가스를 주입하고, 내부에 갈륨보트를 수용하여 제1반응가스와 갈륨분자가 결합된 제1반응물을 토출하는 제1반응관;

   상기 챔버의 일측면에 상기 주입관, 제1반응관으로부터 일정거리만큼 이격 되게 장착되어 제2반응가스를 주입하며, 내부에 석영보트를 수용하여 제2반응가스와석영분자가 결합된 제2반응물을 토출하는 제2반응관;

   상기 챔버의 내측에 안착되어 상기 주입관을 통해 주입된 N₂생성가스와 상기 제2반응관에서 토출한 제2반응물이 결합된 완충물과, 상기 N₂생성가스와 제1반응관에서 토출된 제1반응물이 결합된 질화물이, 순차적으로 증착되어 성장되는 소정의 기판을 지지하는 서셉터;

   상기 챔버의 내벽을 둘러싸서 보호하도록 장착된 인너튜브(inner tube)를 포함하여 이루어지는, 질화물 기판 제조 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제2반응관의 끝단에 결착되어 상기 제2반응관에서 토출된 제2반응물을 기판으로 향하도록 가이드하는 소정의 가이드부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 질화물 기판 제조 장치.
3. 외주면이 전기로로 둘러싸인 챔버에 열을 가하고, 상기 챔버내에 장착된 석영보트로 제1반응가스를 주입하여 석영분자와 제1반응가스가 결합된 제1반응물을 형성하는 제1단계;

   상기 챔버의 일측에 장착된 주입관을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 챔버내로 주입하여 상기 제1단계에서 형성한 제1반응물과의 화학반응을 통해 상기 챔버내의 서셉터에 안착된 기판 상부에 완충층을 형성하는 제2단계;

   상기 제2단계의 완충층형성에 따라 챔버내의 온도를 질화물형성온도로 조절하고, 상기 챔버내에 장착된 갈륨보트로 제2반응가스를 주입하여 갈륨분자와 제2반응가스가 결합된 제2반응물을 형성하는 제3단계;

   상기 주입관을 통해 소정 시간동안 N₂생성가스를 주입하여, 상기 제3단계에서 형성한 제2반응물과의 화학반응을 통해 상기 완충층 상부에 질화물층을 형성하는 제4단계로 이루어지는, 질화물 기판 제조 방법.