KR20050072468A - 폴리싱 장치 - Google Patents

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KR20050072468A
KR20050072468A KR1020057007859A KR20057007859A KR20050072468A KR 20050072468 A KR20050072468 A KR 20050072468A KR 1020057007859 A KR1020057007859 A KR 1020057007859A KR 20057007859 A KR20057007859 A KR 20057007859A KR 20050072468 A KR20050072468 A KR 20050072468A
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KR1020057007859A
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다쿠지 하야마
마사후미 이노우에
구니히코 사쿠라이
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

폴리싱 장치는 그 위에 폴리싱면(10)이 부착된 폴리싱 테이블(12) 및 작업물(W)을 폴리싱면(10)에 대하여 가압하는 톱링(20)을 포함하다. 톱링(20)은 하우징(40) 및 작업물(W)의 외주 에지를 유지하기 위하여 하우징(40)에서 수직으로 이동가능한 보유 링(44)을 가진다. 폴리싱 장치는 톱링(20)을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구, 톱링(20)과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷(28), 브래킷(28)의 하향 이동을 방지하도록 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼(32) 및 스토퍼(32)와 브래킷(28) 사이의 거리를 검출하는 센서(36)를 포함한다. 폴리싱 장치는 센서(36)로부터의 거리 신호를 토대로 수직 위치에서 스토퍼(32)를 조정할 수 있는 제어 유닛(34)을 포함한다.

Description

폴리싱 장치 {POLISHING APPARATUS}
본 발명은 폴리싱 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 웨이퍼와 같은 작업물을 평탄경 마무리로 폴리싱하는 폴리싱 장치에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 폴리싱 장치를 조정하는 방법에 관한 것이기도 하다.
최근 수년간, 반도체 디바이스가 더 고집적화됨에 따라, 회로 배선이 더 미세해지고 이들 회로 배선들간의 거리가 더 작아지고 있다. 0.5 ㎛ 폭에 지나지 않는 배선을 형성할 수 있는 포토리소그래피의 경우에, 광학 시스템의 초점 심도가 비교적 작기 때문에, 패턴 이미지들이 스테퍼에 의해 포커싱되어야 하는 표면이 가능한 평탄해야 할 필요가 있다. 이러한 반도체 웨이퍼를 평탄화시키기 위하여, 화학적 기계적 폴리싱(CMP)을 수행하는 폴리싱 장치가 사용되어 왔다.
이러한 종류의 폴리싱 장치는 그 위에 폴리싱 패드(연마포)가 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱될 표면이 폴리싱 테이블을 향하는 방식으로 반도체 웨이퍼와 같이 폴리싱될 작업물을 잡아주는 톱링으로 이루어진다. 폴리싱 패드는 폴리싱면으로 작용하는 상면을 가진다. 이러한 폴리싱 장치에서, 폴리싱 테이블 및 톱링은 독립적으로 회전되고, 연마액(슬러리)이 폴리싱 패드상으로 공급되면서, 작업물이 톱링에 의해 폴리싱 테이블상의 폴리싱 패드에 대하여 사전 설정된 압력으로 가압된다. 따라서, 작업물의 표면이 평탄경 마무리로 폴리싱된다.
이러한 폴리싱 장치가 작업물을 폴리싱하는데 사용되면, 소정의 폴리싱 성능을 달성하기 위하여, 폴리싱시에 톱링내의 구성 요소들의 수직 위치를 조정할 필요가 있다. 종래에는, 톱링내의 구성 요소들의 수직 위치를 조정하는데 블록 게이지(block gauge)가 사용되었다. 상세하게는, 사전 설정된 두께를 가지는 블록 게이지가 폴리싱면과 구성 요소들 사이에 개재된 다음, 톱링이 폴리싱면상의 블록 게이지와 접촉하게 될때까지 톱링이 하강된다. 이에 따라, 폴리싱시에 구성 요소들의 수직 위치가 블록 게이지에 의해 조정된다.
그러나, 종래의 방법에 따르면, 블록 게이지로 구성 요소들의 수직 위치를 수동으로 조정해야할 필요가 있다. 따라서, 종래의 방법에 따라 톱링의 구성 요소들의 수직 위치를 조정하는 것은 곤란하고 시간 소모적이다. 또한, 블록 게이지로 수직 위치가 조정되지 않은 구성 요소들에 관하여, 일단 이러한 구성 요소들이 마모되면(worn), 구성 요소들의 수직 위치가 종래의 방법에 따라 재조정될 수 없다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타내는 개략도;
도 2는 도 1에 도시된 폴리싱 장치의 톱링을 나타내는 개략적인 단면도;
도 3은 스토퍼가 그 수직 위치에서 조정될 때, 도 1에 도시된 폴리싱 장치의 상태를 나타내는 개략도;
도 4는 웨이퍼가 폴리싱될 때, 도 1에 도시된 폴리싱 장치의 상태를 나타내는 개략도;
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 톱링을 나타내는 개략적인 단면도; 및
도 6은 웨이퍼가 폴리싱될 때, 도 5에 도시된 톱링의 상태를 나타내는 개략도.
본 발명은 상기 단점들을 고려하여 만들어졌다. 따라서, 본 발명의 목적은 짧은 시간 기간에 톱링내의 구성 요소들의 위치를 자동으로 조정하고 폴리싱면의 마멸을 방지할 수 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 짧은 시간 기간에 톱링의 구성 요소의 위치를 자동으로 조정하고 폴리싱면의 마멸을 방지할 수 있는 폴리싱 장치를 조정하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1형태에 따르면, 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하기 위한 톱링을 구비한 폴리싱 장치가 제공된다. 톱링은 하우징 및 작업물의 외주 에지를 유지하기 위하여 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 가진다. 폴리싱 장치는 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구, 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷, 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼 및 스토퍼와 브래킷 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함한다. 폴리싱 장치는, 스토퍼와 브래킷간의 거리가, 폴리싱시에 폴리싱면으로부터 하우징의 하면의 높이와 사전 설정된 높이 사이의 차와 동일해지도록, 톱링의 하우징의 하면이 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 보유 링이 폴리싱면과 접촉하게 되는 경우에, 수직 위치에서 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함한다. 사전 설정된 높이는 하우징이 보유 링에 대하여 최상 위치로 이동될 때 톱링의 하우징의 높이로 정의되는 것이 바람직하다.
상기 배열에 따르면, 폴리싱면 예를 들어, 폴리싱 패드가 얇아지더라도, 톱링의 하우징이 소정의 브리지(bridge) 높이를 가지는 소정의 위치에 놓이도록 스토퍼의 수직 위치가 자동으로 조정될 수 있다. 따라서, 짧은 시간 기간에 브리지 높이를 자동으로 조정할 수 있다. 종래의 방법에 따르면, 톱링의 소모성 구성 요소 즉, 보유 링이 마모되는 경우에, 브리지 높이가 조정될 수 없었다. 본 발명에 따르면, 톱링내의 이러한 소모성 구성 요소가 마모되더라도, 브리지 높이가 상술된 방식으로 조정될 수 있다.
본 발명의 제2형태에 따르면, 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하는 톱링을 구비한 폴리싱 장치가 제공된다. 톱링은 작업물의 외주 에지를 유지하기 위한 보유 링 및 그 하면상에 작업물을 유지하는 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트를 가진다. 폴리싱 장치는 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구, 톱링과 함께 수직으로 이동할 수 있는 브래킷, 브래킷의 하향 이동을 방지하도록 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼 및 스토퍼와 브래킷 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함한다. 폴리싱 장치는 또한, 스토퍼와 브래킷간의 거리가, 폴리싱시에 폴리싱면으로부터 리테이너링의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일하도록, 톱링의 보유 링의 하면이 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트의 하면상에 유지된 작업물이 폴리싱면과 접촉하게 되는 경우에, 수직 위치에서 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함한다. 사전 설정된 높이는, 보유 링이 처킹 플레이트에 대하여 최상 위치로 이동될 때 톱링의 보유 링의 높이로 정의되는 것이 바람직하다.
상기 배열에 따르면, 톱링의 보유 링이 소정의 위치에 놓이도록 스토퍼의 수직 위치가 자동으로 조정될 수 있다. 작업물은 보유 링에 의한 폴리싱면의 마멸을 방지하도록 보유 링이 폴리싱면 위에 있는 상태로 폴리싱될 수 있다.
본 발명의 제3형태에 따르면, 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하는 톱링을 구비한 폴리싱 장치가 제공된다. 폴리싱 장치는 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구, 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷 및 브래킷의 하향 이동을 방지하도록 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼를 포함한다. 폴리싱 장치는 또한 수직 위치에서 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함한다.
본 발명의 제4형태에 따르면, 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하기 위한 톱링을 구비한 폴리싱 장치가 제공된다. 톱링은 하우징 및 작업물의 외주 에지를 유지하기 위하여 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 가진다. 폴리싱 장치는 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구, 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷, 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼 및 스토퍼와 브래킷 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함한다. 폴리싱 장치는 또한, 센서로부터의 거리 신호를 토대로 수직 위치에서 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함한다.
본 발명의 제5형태에 따르면, 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하기 위한 톱링을 구비한 폴리싱 장치가 제공된다. 톱링은 하우징 및 작업물의 외주 에지를 유지하기 위하여 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 가진다. 톱링의 하우징의 하면이 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 보유 링이 폴리싱면과 접촉하게 된다. 스토퍼와 브래킷간의 거리가 검출된다. 스토퍼는, 스토퍼와 브래킷간의 거리가 폴리싱시에 폴리싱면으로부터 하우징의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일하도록 수직 위치에서 조정된다. 사전 설정된 높이는 하우징이 보유 링에 대하여 최상 위치로 이동될 때 톱링의 하우징의 높이로 정의되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제6형태에 따르면, 폴리싱 장치를 조정하는 방법이 제공된다. 폴리싱 장치는 그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블 및 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하기 위한 톱링을 가진다. 톱링은 작업물의 외주 에지를 유지하는 보유 링 및 그 하면에 작업물을 유지하기 우하여 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트를 가진다. 톱링의 보유 링의 하면은 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트의 하면에 유지된 작업물은 폴리싱면과 접촉하게 된다. 스토퍼와 브래킷간의 거리가 검출된다. 스토퍼는, 스토퍼와 브래킷간의 거리가 폴리싱시에 폴리싱면으로부터 보유 링의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일하도록 수직 위치에서 조정된다. 사전 설정된 높이는 보유 링이 처킹 플레이터에 대하여 최상 위치로 이동될 때 톱링의 보유 링의 높이로 정의되는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기 및 기타 목적, 특징 및 이점들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 예시적으로 도시하는 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 이하의 내용들로부터 명백해진다.
본 발명의 실시예들에 따른 폴리싱 장치가 도 1 내지 도 6을 참조하여 후술된다. 도 1 내지 도 6에서, 같거나 대응하는 구성 요소들은 동일한 참조 부호로 표시되고 반복하여 설명하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폴리싱 장치를 나타내는 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 폴리싱 장치는 그 위에 폴리싱 패드(10)가 부착된 폴리싱 테이블(12), 지지 샤프트(14), 지지 샤프트(14)의 상단부에 연결된 톱링 헤드(16), 톱링 헤드(16)의 자유단에 부착된 톱링 샤프트(18) 및 톱링 샤프트(18)에 결합된 톱링(20)을 가진다. 예를 들어, 톱링(20)은 원형 플레이트의 형태이다. 폴리싱 테이블(12)은 테이블 샤프트(12a)에 의하여 폴리싱 테이블(12) 아래에 배치된 모터(도시되지 않음)에 결합된다. 따라서, 모터가 작동될 때, 폴리싱 테이블(12)은 테이블 샤프트(12a)를 중심으로 회전된다. 폴리싱 장치는 폴리싱 테이블(12) 위에 배치된 폴리싱액 공급 노즐(22)을 가진다. 폴리싱액 공급 노즐(22)은 폴리싱 테이블(12)상의 폴리싱 패드(10)에 폴리싱액을 공급한다.
톱링 헤드(16)는 톱링 헤드(16)의 상면에 장착된 회전 모터(24)를 가진다. 회전 모터(24)는 톱링 헤드(16)에 배치된 벨트(도시되지 않음)에 의하여 톱링 샤프트(18)에 결합된 샤프트를 가진다. 따라서, 회전 모터(24)가 시동될 때, 톱링 샤프트(18)가 벨트에 의해 회전되어, 톱링(20)이 톱링 샤프트(18)를 중심으로 회전된다. 톱링 헤드(16)는 지지 샤프트(14)를 따라 피벗되도록 지지 샤프트(14)의 상단부에 장착된다. 지지 샤프트(14)는 지지 샤프트(14)의 하단부에 결합된 피버털(pivotal) 이동 모터(26)를 가진다. 따라서, 피버털 이동 모터(26)가 시동될 때, 톱링 헤드(16)가 수평면상에서 지지 샤프트(14)를 따라 피벗된다.
톱링 샤프트(18)는 톱링(20)을 상승 및 하강시키도록 수직으로 이동가능하다. 톱링 샤프트(18)는 톱링 샤프트(18)의 상부에 제공된 브래킷(28)을 가진다. 브래킷(28)은 톱링 샤프트(18)와 함께 수직으로 이동된다. 톱링 헤드(16)는 브래킷(28)의 일부에 연결된 에어 실린더(30)를 가진다. 에어 실린더(30)는 브래킷(28)에 의하여 톱링 샤프트(18) 및 톱링(20)을 톱링 헤드(16)에 대하여 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구로서 작용한다. 따라서, 톱링(20)은 에어 실린더(30)의 시동에 의해 수직으로 이동된다.
톱링 헤드(16)는 톱링 헤드(16)에 배치된 제어 유닛(34) 및 제어 유닛(34)에 연결된 스토퍼(32)를 가진다. 스토퍼(32)는 스토퍼(32)의 수직 위치가 제어 유닛(34)에 의해 조정될 수 있도록 배열된다. 제어 유닛(34)은 스토퍼(32)의 수직 위치를 제어한다. 브래킷(28)이 스토퍼(32)의 상면과 접촉하게 될 때, 스토퍼(32)가 톱링(20)의 더 이상의 하향 이동을 방지한다. 브래킷(28)은 스토퍼(32)의 상면과 브래킷(28)간의 거리를 검출하는 센서(36)를 가진다.
도 2는 도 1의 톱링(20)을 나타내는 개략적인 단면도이다. 톱링(20)은 웨이퍼(W)와 같은 작업물을 폴리싱 패드(10)에 대하여 가압하는 역할을 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 톱링(20)은 톱링 샤프트(18)의 하단부에 연결된 하우징(40), 하우징(40)에 수용된 수직으로 이동가능한 서브-캐리어(42) 및 웨이퍼(W)의 둘레부에 배치된 보유 링(44)을 가진다. 보유 링(44)은 웨이퍼(W)의 외주 에지를 유지하는 역할을 한다. 보유 링(44)은 하우징(40)의 둘레부(40a)와 서브-캐리어(42) 사이에 위치된다.
서브-캐리어(42)는 상부 다이어프램(46)과 하부 다이어프램(48)에 의해 하우징(40)에 부착된다. 다이어프램(46, 48)은 탄성 멤브레인으로 만들어진다. 따라서, 서브-캐리어(42)는 다이어프램(46, 48)에 의해 하우징(40)에 대하여 수직으로 이동할 수 있도록 배열된다. 보유 링(44)은 상부가 하부 다이어프램(48)에 연결되고 하부 다이어프램(48)에 의해 하우징(40)에 대하여 수직으로 이동할 수 있다.
서브-캐리어(42)는 서브-캐리어(42)의 하면상에 탄성 멤브레인(50)을 유지한다. 탄성 멤브레인(50)은 탄성 멤브레인(50)과 서브-캐리어(42)의 하면 사이에 챔버(52)를 형성한다. 챔버(52)에는 사전 설정된 압력을 가지는 유체가 공급될 수 있다. 챔버(52)에 공급되는 유체의 압력을 조정하여, 웨이퍼(W)를 폴리싱 패드(10)에 대하여 가압하는 힘을 조정할 수 있다. 다이어프램(46, 48), 서브-캐리어(42) 및 하우징(40)의 둘레부(40a)가 챔버(54)를 형성하고, 여기에 사전 설정된 압력을 가지는 유체가 공급될 수 있다. 챔버(54)에 공급되는 유체의 압력을 조정하여, 챔버(54)내의 압력을 조정할 수 있다.
하우징(40)의 둘레부(40a)는 반경 방향의 안쪽으로 연장하는 돌출부(40b)를 가진다. 보유 링(44)은 반경 방향의 바깥쪽으로 연장하는 돌출부(44a)를 가진다. 보유 링(44)의 돌출부(44a)가 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면과 접촉하게 되면, 하우징(40)의 돌출부(40b)가 보유 링(44)의 더 이상의 하향 이동을 방지한다.
폴리싱 장치가 이에 따라 구성되면, 웨이퍼(W)가 다음과 같이 폴리싱된다. 에어 실린더(30)가 시동되어 톱링(20)을 하강시켜, 브래킷(28)이 스토퍼(32)와 접촉하게 된다. 이에 따라, 톱링(20)이 사전 설정된 위치로 하강된다. 이러한 위치는 폴리싱 패드(10)의 상면과 하우징(40)의 둘레부(40a)의 하면 사이의 거리(BH)(도 2 참조)가 소정의 값(BH0)으로 유지되도록 미리 결정된다. 이하, 이러한 거리(BH)가 브리지 높이라 일컬어진다.
반복되는 폴리싱 공정에 따른 마멸로 인해 폴리싱 패드(10)가 더 얇아짐에 따라, 톱링(20)이 상기 사전 설정된 위치에 계속 놓여지는 경우에, 보유 링(44)과 서브-캐리어(42)가 폴리싱 패드(10)의 두께의 감소량에 대응하는 거리 만큼 아래쪽으로 돌출할 수 있다. 이러한 경우에, 다이어프램(46, 48)의 형상이 변화된다. 다이어프램(46, 48)의 형상은 웨이퍼의 폴리싱 성능에 영향을 미치므로, 폴리싱 공정에서 중요한 요인이다. 따라서, 다이어프램(46, 48)은 폴리싱 공정 동안에 일정한 형상을 유지할 필요가 있다.
도 2는 폴리싱 공정 동안에 톱링(20)의 이상적인 상태를 나타낸다. 도 2에 도시된 바와 같이, 보유 링(44)의 돌출부(44a)와 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면 사이에는 클리어런스(L)가 있다. 일단, 소정의 브리지 높이가 결정되면, 하우징(40)의 돌출부(40b)와 보유 링(44)의 크기에 관하여 클리어런스(L)에 대한 소정 값이 자동으로 결정될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 클리어런스(L)는 다이어프램(46, 48)의 형상을 유지하기 위해 소정의 브리지 높이(BH0)를 유지하는 소정의 값으로 조정된다. 소정의 값(L0)은 탄성 멤브레인으로서 다이어프램(48)의 반작용력과 폴리싱 동안에 챔버(54)에 공급되는 유체에 의해 다이어프램(48)에 가해지는 힘의 합이 소정의 폴리싱 성능을 달성할 수 있도록 결정되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서, 클리어런스(L)와 브리지 높이(BH)는 다음과 같이 조정된다.
먼저, 보유 링(44)의 돌출부(44a)와 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면간의 소정의 클리어런스(L0)는 소정의 브리지 높이(BH0)로부터 미리 산출된다. 그런 다음, 보유 링(44)의 돌출부(44a)와 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면간의 소정의 클리어런스(L)가 (미리 산출된)소정의 클리어런스(L0)가 되도록 스토퍼(32)가 조정된다.
도 3은 스토퍼(32)가 그 수직 위치에서 조정되는 경우에 폴리싱 장치의 상태를 나타내는 개략도이다. 스토러(32)가 수직 위치에서 조정될 때, 여압된 유체가 보유 링(44) 위에 놓여진 챔버(54)로 공급되어 보유 링(44)을 아래쪽으로 이동시킴에 따라, 보유 링(44)의 돌출부(44a)가 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면과 접촉하게 된다. 상기 상태에서, 톱링(20)은 에어 실린더(30)를 시동시키지 않고 하강되어, 보유 링(44)의 하면이 폴리싱 패드(10)의 상면으로 오게 한다. 톱링(20)은 에어 실린더(30)에 의해 가압되지 않기 때문에, 보유 링(44)의 돌출부(44a)가 도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면과 접촉하여 유지된다. 이러한 상태에서, 톱링(20)의 하우징(40)은 보유 링(44)에 대하여 최상 위치에 있다.
그런 다음, 제어 유닛(34)은, 센서(36)에 의해 검출되는 스토퍼(32)와 브래킷(28)간의 거리가 도 3에 도시된 바와 같이, 소정의 클리어런스(L0)와 동일하도록 센서(36)로부터 출력된 거리 신호를 토대로 스토퍼(32)를 이동시킨다. 스토퍼(32)의 조정된 위치는 폴리싱시에 톱링(20)의 수직 위치를 결정한다. 스토퍼(32)의 조정된 위치는 제어 유닛(34)내의 저장 디바이스에 저장된다.
도 4는 웨이퍼가 폴리싱될 때 폴리싱 장치의 상태를 나타내는 개략도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼가 폴리싱될 때, 에어 실린더(30)가 시동되어 브래킷(28)이 스토퍼(32)의 상면과 접촉할 때 까지, 톱링(20)을 하강시킨다. 이 때, 보유 링(44)이 폴리싱 패드(10)와 접촉하게 되는 동안, 톱링(20)이 도 3에 도시된 상태로부터 거리(L0) 만큼 아래쪽으로 이동된다. 이에 따라, 보유 링(44)의 돌출부(44a)와 하우징(40)의 돌출부(40b)의 상면 사이에 소정의 클리어런스(L0)가 형성될 수 있다. 따라서, 하우징(40)의 둘레부(40a)의 하면이 소정의 브리지 높이(BH0)에 위치된다.
상술된 바와 같이, 본 실시예에서는, 도 3에 도시된 상태에서 스토퍼(32)와 브래킷(28)간의 거리가 폴리싱시에 폴리싱 패드(10)로부터 하우징(40)의 하면의 높이(BH0)와 도 3에 도시된 하우징(40)의 하면의 높이간의 차 즉, 거리(L0)와 동일하도록 스토퍼(32)의 수직 위치가 조정된다. 이러한 배열에 따르면, 폴리싱 패드(10)가 얇아지더라도, 톱링(20)의 하우징(40)이 소정의 위치에 놓여 소정의 브리지 높이를 가지도록 스토퍼(32)의 위치가 자동으로 조절될 수 있다. 따라서, 짧은 시간 기간에 브리지 높이를 자동으로 조정할 수 있다. 종래의 방법에 따르면, 톱링(20)의 소모성 구성 요소 예를 들어, 보유 링(44)이 마모되는 경우에, 브리지 높이가 재조정될 수 없었다. 본 발명에 따르면, 톱링(20)의 소모성 구성 요소가 마모되더라도, 브리지 높이가 상술된 방식으로 재조정될 수 있다.
본 발명은 상술된 톱링에 제한되지 않고 여하한의 종류의 톱링에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 도 5에 도시된 톱링에도 적용가능하다. 도 5에 도시된 톱링(120)은 톱링 샤프트(18)의 하단부에 연결된 하우징(140), 하우징(140)에 수용된 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트(142) 및 하우징(140)의 하단부 둘레에 부착된 보유 링(144)을 가진다.
처킹 플레이트(142)는 탄성 멤브레인으로 만들어진 다이어프램(146)에 의해 하우징(140)에 부착된다. 처킹 플레이트(142)는 하우징(140) 및 보유 링(144)에 대하여 수직으로 이동가능하다. 다이어프램(146)은 하우징(140)과 처킹 플레이트(142) 사이에 챔버(148)를 형성한다. 챔버(148)에는 사전 설정된 압력을 가지는 유체가 공급될 수 있다. 챔버(148)에 공급되는 유체의 압력을 조정하여, 하우징(140) 및 보유 링(144)에 대하여 처킹 플레이트(142)를 수직으로 이동시킬 수 있다.
처킹 플레이트(142)는 처킹 플레이트(142)의 하면상에 탄성 멤브레인(150)을 유지한다. 탄성 멤브레인(150)은 탄성 멤브레인(150)과 처킹 플레이트(142)의 하면 사이에 챔버(152)를 형성한다. 챔버(152)에는 사전 설정된 압력을 가지는 유체가 공급될 수 있다. 챔버(152)에 공급되는 유체의 압력을 조정하여, 웨이퍼(W)를 폴리싱 패드(10)에 대하여 가압하는 힘을 조정할 수 있다.
처킹 플레이트(142)는 반경 방향 바깥쪽으로 연장되는 돌출부(142a)를 가진다. 처킹 플레이트(142)의 돌출부(142a)가 보유 링(144)의 상면과 접촉하게 되면, 보유 링(144)은 처킹 플레이트(142)의 더 이상의 하향 이동을 방지한다. 하우징(140)은 처킹 플레이트(142)의 더 이상의 하향 이동을 방지하도록 반경 방향의 안쪽으로 연장하는 둘레부를 가질 수 있다.
스토퍼(32)가 수직 위치에서 조정될 때, 처킹 플레이트(142)를 아래쪽으로 이동시키도록 여압된 유체가 처킹 플레이트(142) 위에 놓여진 챔버(148)에 공급되어, 처킹 플레이트(142)의 돌출부(142a)가 보유 링(144)의 상면과 접촉하게 된다. 상기 상태에서, 톱링(120)은 에어 실린더(30)를 시동시키지 않고 하향되어, 처킹 플레이트(142)의 하면에 유지된 웨이퍼(W)를 폴리싱 패드(10)의 표면상에 오게 한다. 톱링(120)이 에어 실린더(30)에 의해 가압되지 않기 때문에, 처킹 플레이트(142)의 돌출부(142a)가 보유 링(144)의 상면과 접촉하여 유지된다. 이러한 상태에서, 톱링(120)의 하우징(140) 및 보유 링(144)은 처킹 플레이트(142)에 대하여 최상 위치에 있다. 그런 다음, 제어 유닛(34)은, 센서(36)에 의해 검출되는 스토퍼(32)와 브래킷(28)간의 거리가 사전 설정된 거리(H0)(도 6 참조)와 동일하도록 스토퍼(32)를 이동시키고 센서(36)로부터 출력된 거리 신호를 토대로 스토퍼(32)의 수직 위치를 조정한다. 스토퍼(32)의 조정된 위치가 폴리싱 시에 톱링(120)의 수직 위치를 결정한다. 스토퍼(32)의 조정된 위치는 제어 유닛(34)내의 저장 디바이스에 저장된다.
웨이퍼가 폴리싱될 때, 에어 실린더(30)가 시동되어, 브래킷(28)이 스토퍼(32)와 접촉하게 될 때까지 톱링(120)이 하강되낟. 도 6은 톱링(120)의 이러한 상태를 나타낸다. 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼는 보유 링(144)이 폴리싱 패드(10)로부터 사전 설정된 높이(H0)에 위치되는 상태로 폴리싱될 수 있다. 상세하게는, 보유 링(144)이 폴리싱 패드(10) 위이 있는 상태로 웨이퍼가 폴리싱되어, 보유 링(144)에 의해 발생될 수 있는 폴리싱 패드(10)의 마멸을 방지할 수 있다.
상기 실시예에서, 폴리싱 패드(10)의 상면은 반도체 웨이퍼(W)와 미끄러져 접촉하게 되는 폴리싱면으로 작용한다. 그러나, 폴리싱면은 폴리싱 패드의 상면에 제한되지 않는다. 예를 들어, 폴리싱면은 고정 연마재로 구성될 수 있다. 고정 연마재는 바인더로 고정된 연마 입자로 이루어진 평탄한 플레이트로 형성된다. 폴리싱을 위해 고정 연마재를 사용하면, 고정 연마재로부터 자체적으로 생성된 연마 입자에 의해 폴리싱 공정이 수행된다. 고정 연마재는 연마 입자, 바인더 및 세공(pore)으로 이루어진다. 예를 들어, 평균 입자 크기가 0.5 ㎛ 이하인 세륨 산화물(CeO2)이 연마 입자로 사용되고, 에폭시 수지가 바인더로 사용된다. 이러한 고정 연마재는 경질의 폴리싱면을 형성한다. 고정 연마재는 고정 연마재의 박층 및 고정 연마재의 박층의 하면에 부착된 탄성 폴리싱 패드로 형성된 2층 구조를 가지는 고정 연마 패드를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예들이 상세히 기술되었지만, 첨부된 청구항의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 작업물을 평탄경 마무리로 폴리싱하는 폴리싱 장치에 사용하기 적절하다.

Claims (10)

  1. 폴리싱 장치에 있어서,
    그 위에 폴리싱면을 구비한 폴리싱 테이블;
    상기 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하고, 하우징 및 상기 작업물의 외주 에지를 유지하기 위하여 상기 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 구비한 톱링;
    상기 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷;
    상기 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼;
    상기 스토퍼와 상기 브래킷 사이의 거리를 검출하는 센서; 및
    상기 스토퍼와 상기 브래킷간의 거리가, 폴리싱시에 상기 폴리싱면으로부터 상기 하우징의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일해지도록, 상기 톱링의 하우징의 하면이 상기 폴리싱면으로부터 상기 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 상기 보유 링이 상기 폴리싱면과 접촉하게 되는 경우에, 수직 위치에서 상기 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함하는 폴리싱 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 사전 설정된 높이는 상기 하우징이 상기 보유 링에 대하여 최상 위치로 이동될 때, 상기 폴리싱면 위의 상기 하우징의 높이로 정의되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  3. 폴리싱 장치에 있어서,
    그 위에 폴리싱면을 구비한 폴리싱 테이블;
    상기 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하고, 상기 작업물의 외주 에지를 유지하는 보유 링 및 그 하면상에 상기 작업물을 유지하는 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트를 구비한 톱링;
    상기 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷;
    상기 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼;
    상기 스토퍼와 상기 브래킷 사이의 거리를 검출하는 센서; 및
    상기 스토퍼와 상기 브래킷간의 거리가, 폴리싱시에 상기 폴리싱면으로부터 상기 보유 링의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일해지도록, 상기 톱링의 보유 링의 하면이 상기 폴리싱면으로부터 상기 사전 설정된 높이에 위치함과 동시에 상기 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트의 하면에 유지된 상기 작업물이 상기 폴리싱면과 접촉하게 되는 경우에, 수직 위치에서 상기 스토퍼를 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함하는 폴리싱 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 사전 설정된 높이는 상기 보유 링이 상기 처킹 플레이트에 대하여 최상 위치로 이동될 때, 상기 폴리싱면 위의 상기 보유 링의 높이로 정의되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  5. 폴리싱 장치에 있어서,
    그 위에 폴리싱면이 부착된 폴리싱 테이블;
    상기 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하는 톱링;
    상기 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷;
    상기 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼;
    상기 스토퍼를 수직 위치에서 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함하는 폴리싱 장치.
  6. 폴리싱 장치에 있어서,
    그 위에 폴리싱면을 구비한 폴리싱 테이블;
    상기 폴리싱면에 대하여 작업물을 가압하고, 하우징 및 상기 작업물의 외주 에지를 유지하기 위하여 상기 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 구비한 톱링;
    상기 톱링을 수직으로 이동시킬 수 있는 수직 이동 기구;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷;
    상기 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정가능한 스토퍼;
    상기 스토퍼와 상기 브래킷간의 거리를 검출하는 센서; 및
    상기 센서로부터의 거리 신호를 토대로 상기 스토퍼를 수직 위치에서 조정할 수 있는 제어 유닛을 포함하는 폴리싱 장치.
  7. 폴리싱 장치를 조정하는 방법에 있어서,
    톱링의 하우징내에서 수직으로 이동가능한 보유 링을 폴리싱면과 접촉하게 하는 한편, 상기 톱링의 상기 하우징의 하면을 상기 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치시키는 단계;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷과 상기 브래킷의 하향 이동을 방지하기 위하여 수직 위치에서 조정될 수 있는 스토퍼 사이의 거리를 검출하는 단계; 및
    상기 브래킷과 상기 스토퍼간의 거리가, 폴리싱시에 상기 폴리싱면으로부터 상기 하우징의 하면의 높이와 상기 사전 설정된 높이간의 차와 동일하도록 수직 위치에서 상기 스토퍼를 조정하는 단계를 포함하는 폴리싱 장치를 조정하는 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 사전 설정된 높이는 상기 하우징이 상기 보유 링에 대하여 최상 위치로 이동될 때 상기 폴리싱면 위의 상기 하우징의 높이로 정의되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치를 조정하는 방법.
  9. 폴리싱 장치를 조정하는 방법에 있어서,
    톱링의 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트의 하면에 작업물을 유지하는 단계;
    상기 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트의 하면에 유지된 상기 작업물을 폴리싱면과 접촉시키는 한편, 상기 작업물의 외주 에지를 유지하는 톱링의 보유 링의 하면을 상기 폴리싱면으로부터 사전 설정된 높이에 위치시키는 단계;
    상기 톱링과 함께 수직으로 이동가능한 브래킷과 상기 브래킷의 하향 이동을 방지하도록 수직 위치에서 조정될 수 있는 스토퍼간의 거리를 검출하는 단계; 및
    상기 브래킷과 상기 스토퍼간의 거리가 폴리싱시에 상기 폴리싱면으로부터 상기 보유 링의 하면의 높이와 사전 설정된 높이간의 차와 동일하도록 수직 위치에서 상기 스토퍼를 조정하는 단계를 포함하는 폴리싱 장치를 조정하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 사전 설정된 높이는 상기 보유 링이 상기 수직으로 이동가능한 처킹 플레이트에 대하여 최상 위치로 이동될 때, 상기 폴리싱면 위의 상기 보유 링의 높이로 정의되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치를 조정하는 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101318885B1 (ko) * 2012-01-26 2013-10-16 주식회사 케이엔제이 휠 마모량 보정이 가능한 기판 연마장치
KR20180064359A (ko) * 2013-01-31 2018-06-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004154874A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Ebara Corp ポリッシング装置及びポリッシング方法
TWI238754B (en) 2002-11-07 2005-09-01 Ebara Tech Inc Vertically adjustable chemical mechanical polishing head having a pivot mechanism and method for use thereof
JP4597634B2 (ja) * 2004-11-01 2010-12-15 株式会社荏原製作所 トップリング、基板の研磨装置及び研磨方法
KR101186239B1 (ko) 2004-11-01 2012-09-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
JP4817687B2 (ja) * 2005-03-18 2011-11-16 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
JP2007307623A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Elpida Memory Inc 研磨装置
CN101096074B (zh) * 2006-06-30 2010-11-24 上海中晶企业发展有限公司 大直径高精度玻璃抛光机的自动移盘机构
WO2009154988A2 (en) * 2008-06-17 2009-12-23 University Of Iowa Research Foundation Agr-mediated inhibition and dispersal of biofilms
JP5390807B2 (ja) * 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
US8460067B2 (en) * 2009-05-14 2013-06-11 Applied Materials, Inc. Polishing head zone boundary smoothing
JP5303491B2 (ja) * 2010-02-19 2013-10-02 信越半導体株式会社 研磨ヘッド及び研磨装置
CN102554781A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 中国电子科技集团公司第四十五研究所 化学机械抛光头抛光压力控制方法及其装置
CN103619538A (zh) * 2011-06-29 2014-03-05 信越半导体株式会社 研磨头及研磨装置
CN102229093B (zh) * 2011-07-01 2013-09-18 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种应用在晶片抛光设备上的升降加压机构
JP6293519B2 (ja) * 2014-03-05 2018-03-14 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
CN105563304A (zh) * 2015-07-14 2016-05-11 山东理工大学 一种改进的精密研磨抛光机的样品固定与调节装置
CN105014526B (zh) * 2015-07-27 2018-01-05 尚德太阳能电力有限公司 丝网印刷刮条的自动打磨机及自动打磨方法
CN109623541B (zh) * 2018-10-16 2020-07-17 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） Bga封装器件焊球去除设备及其方法
CN117066999B (zh) * 2023-09-21 2024-05-03 意特利（滁州）智能数控科技有限公司 一种贴塑面铲刮工装

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000167767A (ja) * 1998-12-07 2000-06-20 Mitsubishi Materials Corp ウェーハ研磨装置およびそれを用いたウェーハ製造方法
JP4476398B2 (ja) 1999-11-02 2010-06-09 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置及び研磨状態検出方法
KR20010030213A (ko) * 1999-09-02 2001-04-16 아끼모토 유미 연마 헤드, 이것을 이용한 연마 장치, 및 연마 상태 검출방법
EP1260315B1 (en) * 2001-05-25 2003-12-10 Infineon Technologies AG Semiconductor substrate holder for chemical-mechanical polishing comprising a movable plate
JP2004154874A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Ebara Corp ポリッシング装置及びポリッシング方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101318885B1 (ko) * 2012-01-26 2013-10-16 주식회사 케이엔제이 휠 마모량 보정이 가능한 기판 연마장치
KR20180064359A (ko) * 2013-01-31 2018-06-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
KR101877092B1 (ko) * 2013-01-31 2018-07-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법

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