KR20050067992A - 웨이퍼의 파티클 검출 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
웨이퍼의 파티클 검출 장치는 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센싱 유닛을 포함한다. 제 1 센싱 유닛은 웨이퍼의 하부에 배치된다. 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센싱 유닛이 웨이퍼의 상부에 배치된다. 제 1 센싱 유닛은 스테이지 상에 접하는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센서 및 웨이퍼의 배면 중앙부를 제외한 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센서를 포함한다. 판별부가 제 1 및 제 2 센싱 유닛에서 감지된 신호로 웨이퍼의 전면과 배면에 파티클이 묻어 있는지의 여부를 판별한다. 웨이퍼의 전면과 배면에 대해서 파티클의 존재 여부를 독립적인 방법으로 검출하게 되므로, 파티클이 웨이퍼의 전면 또는 후면에 묻어 있는지를 정확하게 알 수가 있게 된다.
Description
본 발명은 웨이퍼의 파티클(particle) 검출 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 노광 공정 전에 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 검출하는 장치와, 이 검출 장치를 이용해서 웨이퍼의 양면에 묻은 파티클을 검출하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성하기 위해서, 포토레지스트를 웨이퍼 상에 코팅한 후, 웨이퍼를 노광 장치에 투입하여 노광 공정을 실시한다. 노광 장치는 레티클의 크롬 패턴을 빛을 이용하여 포토레지스트 막에 전사하는 공정을 실시한다.
노광 장치는 이송부, 정렬부, 노광부 및 방전부를 포함한다. 정렬부와 노광부 사이에 반입 유닛이 배치되고, 노광부와 방전부 사이에 반출 유닛이 배치된다.
이송부는 카세트에 수납된 웨이퍼를 정렬부로 이송하거나, 노광 공정이 완료된 웨이퍼를 카세트로 이송한다.
정렬부는 웨이퍼를 노광부로 이송하기 전에 웨이퍼를 정렬한다. 정렬부는 웨이퍼가 정렬척 상에 안치된 상태에서 마크 센서 또는 에지 센서를 이용하여 웨이퍼를 정렬한다.
노광부는 정렬된 웨이퍼에 대해 노광 공정을 실시한다. 반입 유닛은 정렬 공정이 완료된 웨이퍼를 노광부로 이송하고, 이와 동시에 이송부의 웨이퍼를 정렬부로 이송한다.
방전부는 노광 공정이 완료된 웨이퍼에 대해 방전 공정을 실시한다. 반출 유닛은 노광 공정이 완료된 웨이퍼를 방전부로 이송하고, 이와 동시에 방전 공정이 완료된 웨이퍼를 이송부로 이송한다. 이송부로 이송된 웨이퍼는 카세트에 수납된다.
한편, 노광부의 노광 척 상에 안치된 웨이퍼는 평탄도 및 수평도가 유지되어야 한다. 만일, 웨이퍼가 노광 척 상에 평탄하지 않거나 또는 수평하지 않게 안치되어 있으면, 웨이퍼 상의 원하는 위치에 빛을 정확하게 조사할 수가 없게 된다. 결국, 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 정확하게 형성할 수가 없게 된다. 웨이퍼의 평탄도 및 수평도가 유지되지 않는 주된 이유는 웨이퍼에 묻은 파티클이다. 따라서, 노광 공정 전에, 웨이퍼에 묻은 파티클을 검출하는 공정이 선행되어야 한다.
종래의 파티클 검출 방법을 도 1 내지 도 3을 참고로 하여 설명한다.
도 1은 파티클이 묻은 웨이퍼를 나타낸 정면도이다. 도 1을 참조로, 파티클은 웨이퍼(W)의 전면과 후면에 묻을 수가 있다. 즉, 제 1 파티클(Pf)은 웨이퍼(W)의 전면에 묻고, 제 2 파티클(Pb)은 웨이퍼(W)의 배면에 묻는다.
도 2는 웨이퍼의 파티클을 검출하는 종래의 방법을 나타낸 정면도이다. 도 2를 참조로, 제 1 및 제 2 파티클(Pf,Pb)이 묻은 웨이퍼(W)가 스테이지(S) 상에 안치된다. 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 제 2 파티클(Pb)로 인해, 웨이퍼(W)에는 위로 돌출된 굴곡부(1)가 형성된다.
이러한 상태에서, 발광 센서(2)가 웨이퍼(W) 표면에 레이저를 조사하고, 웨이퍼(W) 표면에서 반사된 레이저는 수광 센서(3)로 전달된다.
도 3은 수광 센서에 수광된 레이저의 파형을 나타낸 도면이다. 도 3을 참조로, 제 1 및 제 2 파티클(Pf,Pb)이 있는 부분의 레이저 파장은 평탄한 다른 부분보다 위로 돌출된 파형을 나타낸다. 이러한 돌출된 파형을 판독하여, 웨이퍼(W)에 파티클이 묻어 있는지를 검출하게 된다.
그런데, 상기된 종래의 검출 방법은 발광 센서(2)가 웨이퍼(W) 상으로 레이저를 조사하여 파티클을 검출하는 방식이다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 제 1 파티클(Pf)에 의한 파형과, 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 제 2 파티클(Pb)에 의한 파형이 동일하게 위로 향하는 형상으로 나타난다. 결국, 종래의 검출 방법으로는 파티클 유무 여부를 확인할 수는 있지만, 웨이퍼(W) 상에 묻은 파티클이 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 것이지 후면에 묻은 것인지를 판별할 수가 없다. 결국, 파티클을 제거하기 위한 공정을 웨이퍼(W)의 전후면 모두에 걸쳐 실시해야만 하는 문제가 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 제 2 파티클(Pb)은 파티클의 물성에 따라 웨이퍼(W)와 함께 반출될 수도 있지만 웨이퍼(W)로부터 떨어져 나와 스테이지(S) 상에 묻게 될 수도 있다. 종래의 검출 방법으로는, 전술된 바와 같이 파티클의 위치를 판별할 수가 없으므로, 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 제 2 파티클(Pb)이 스테이지(S) 상에 묻게 되는지의 여부도 알 수가 없게 된다. 결국, 스테이지(S)에 대한 파티클 유무를 확인하기 위해, 별도의 검출 공정을 실시할 수밖에 없는 문제점이 있다.
본 발명의 제 1 목적은 웨이퍼에 묻은 파티클이 웨이퍼의 전면 또는 배면에 있는지를 정확하게 알 수 있는 웨이퍼의 파티클 검출 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 제 2 목적은 파티클이 웨이퍼의 전면이나 배면에 묻어 있는지를 정확하게 판별할 수 있는 웨이퍼의 파티클 검출 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제 1 목적을 달성하기 위해, 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센싱 유닛이 웨이퍼의 하부에 배치된다. 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센싱 유닛이 웨이퍼의 상부에 배치된다. 제 1 센싱 유닛은 스테이지 상에 접하는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센서 및 웨이퍼의 배면 중앙부를 제외한 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센서를 포함한다. 판별부가 제 1 및 제 2 센싱 유닛에서 감지된 신호로 웨이퍼의 전면과 배면에 파티클이 묻어 있는지의 여부를 판별한다.
본 발명의 제 2 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 파티클 검출 방법은 스테이지로 반입되는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지하는 단계를 포함한다. 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 배면 중앙부를 제외한 가장자리부에 묻은 파티클을 감지한다. 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지한다. 스테이지로부터 반출되는 웨이퍼의 배면 중심부에 묻은 파티클을 감지한다. 감지된 신호들로부터 파티클이 웨이퍼에 묻어 있는지 여부와 웨이퍼의 전면이나 후면에 묻어 있는지를 판별한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 전면과 배면에 대해서 파티클의 존재 여부를 독립적인 방법으로 검출하게 되므로, 파티클이 웨이퍼의 전면 또는 후면에 묻어 있는지를 정확하게 알 수가 있게 된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파티클 검출 장치를 나타낸 정면도이고, 도 5는 도 4의 배면도이다.
도 4 및 도 5를 참조로, 본 발명에 따른 파티클 검출 장치는 스테이지(S) 상에 안치된 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센싱 유닛 및 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센싱 유닛을 포함한다.
제 1 센싱 유닛은 스테이지(S)의 표면과 접하는 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센서(10) 및 웨이퍼(W)의 배면 중앙부를 제외한 나머지 가장자리부에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센서(20)를 포함한다.
제 1 센서(10)는 스테이지(S) 상에 안치된 웨이퍼(W) 외곽 하부에 배치된다. 특히, 제 1 센서(10)는 스테이지(S)의 반지름 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 배치된 긴 막대형이다. 제 1 센서(10)는 웨이퍼(W)의 배면 중앙부로 레이저를 조사하는 발광부와, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에서 반사된 레이저를 수광하는 수광부를 포함한다. 본 실시예에서, 제 1 센서(10)는 발광부와 수광부가 일체화된 일체형이다. 물론, 제 1 센서(10)를 발광부와 수광부가 분리된 분리형으로 구성할 수도 있을 것이다.
웨이퍼(W)가 스테이지(S) 상으로 안치되면, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부는 스테이지(S)의 표면에 가려서 보이지 않게 된다. 따라서, 제 1 센서(10)는 웨이퍼(W)가 스테이지(S)로 반입되는 동작과 스테이지(S)로부터 반출되는 동작 중 2회에 걸쳐서 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지한다.
제 2 센서(20)는 스테이지(S) 상에 안치된 웨이퍼(W)의 하부에 배치된다. 제 2 센서(20)는 스테이지(S)의 반지름 방향을 따라 배치된 긴 막대형이다. 즉, 제 2 센서(20)는 제 1 센서(10)와 실질적으로 직교하는 방향을 따라 배치된다. 제 2 센서(20)는 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부로 레이저를 조사하는 발광부와, 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부에서 반사된 레이저를 수광하는 수광부를 포함한다. 본 실시예에서, 제 2 센서(20)는 발광부와 수광부가 일체화된 일체형이다. 물론, 제 2 센서(20)를 발광부와 수광부가 분리된 분리형으로 구성할 수도 있을 것이다.
제 2 센서(20)는 스테이지(S) 상에 안치되어 있는 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지한다. 즉, 제 2 센서(20)는 웨이퍼(W)가 스테이지(S) 상에 안치된 상태에서 스테이지(S)의 표면과 접하고 있는 웨이퍼(W)의 배면 중앙부를 제외한 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지한다. 특히, 제 2 센서(20)는 고정된 상태이고, 스테이지(S)가 모터(미도시)에 의해 회전을 하게 되어, 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부 전체가 제 2 센서(20)에 의한 감지 대상 영역이 될 수가 있다. 반대로, 스테이지(S)는 고정되고 제 2 센서(20)가 회전되는 방식으로 변경될 수도 있다.
제 2 센싱 유닛은 스테이지(S) 상에 안치된 웨이퍼(W)의 상부에 배치된다. 제 2 센싱 유닛은 웨이퍼(W)의 전면으로 레이저를 조사하는 발광부(30)와, 웨이퍼(W)의 전면에서 반사된 레이저를 수광하는 수광부(31)를 포함한다.
제 1 및 제 2 센싱 유닛에서 감지된 신호는 판별부(40)에서 분석된다. 판별부(40)는 웨이퍼(W)에 파티클이 묻어 있는지의 여부를 판별함과 아울러 파티클이 웨이퍼(W)의 전면이나 후면에 묻어 있는지의 여부도 판별한다.
상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 파티클 검출 장치를 이용해서 웨이퍼 상의 파티클을 검출하는 방법을 첨부도면들을 참조로 하여 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명에 따른 파티클 검출 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다. 도 7a는 스테이지로 반입되는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 1차 검출하는 동작을 나타낸 정면도이고, 도 7b는 도 7a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다. 도 8a는 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 검출하는 동작을 나타낸 정면도이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다. 도 9a는 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 검출하는 동작을 나타낸 정면도이고, 도 9b는 도 9b에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다. 도 10a는 스테이지로부터 반출되는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 2차 검출하는 동작을 나타낸 정면도이고, 도 10b는 도 10a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다. 도 11은 각 검출 동작에 의해 검출된 파형들이 합쳐진 종합 파형도이다.
도 6, 도 7a 및 도 7b를 참조로, 단계 ST1에서, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 1차 감지한다. 즉, 스테이지(S)로 반입되는 웨이퍼(W)의 배면 중앙부로 제 1 센싱 유닛의 제 1 센서(10)의 발광부에서 레이저가 조사된다. 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에서 반사된 레이저는 다시 제 1 센서(10)의 수광부에 수광된다. 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에는 파티클이 존재하지 않으므로, 수광된 신호의 파형은 도 7b와 같이 직선형을 나타낸다.
도 6, 도 8a 및 도 8b를 참조로, 단계 ST2에서, 웨이퍼(W)는 스테이지(S) 상에 안치된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부는 스테이지(S)의 표면에 접하게 된다. 이러한 상태에서, 스테이지(S)가 회전하게 됨으로써, 웨이퍼(W)도 회전하게 된다. 제 1 센싱 유닛의 제 2 센서(20)의 발광부로부터 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부로 레이저가 조사된다. 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부에서 반사된 레이저는 제 2 센서(20)의 수광부에 수광된다. 여기서, 웨이퍼(W)의 배면 가장자리부에는 파티클(Pb)이 묻어 있다. 파티클(Pb)에서 반사된 레이저는 회절하게 된다. 따라서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 검출된 신호의 파형은 아래로 돌출된 부분을 갖게 된다. 이러한 동작에 의해, 웨이퍼(W)의 배면에 묻은 파티클(Pb)이 검출된다.
도 6, 도 9a 및 도 9b를 참조로, 단계 ST3에서, 제 2 센싱 유닛에 의해 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 파티클(Pf)을 감지한다. 즉, 제 2 센싱 유닛의 발광부(30)로부터 레이저가 웨이퍼(W)의 전면으로 조사된다. 웨이퍼(W)의 전면에서 반사된 레이저는 수광부(31)에 수광된다. 웨이퍼(W)의 전면에는 파티클(Pf)이 존재하므로, 도 9b에 도시된 바와 같이, 검출된 신호의 파형은 위로 돌출된 부분을 갖게 된다. 이러한 동작에 의해, 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 파티클(Pf)이 검출된다.
도 6, 도 10a 및 도 10b를 참조로, 단계 ST4에서, 제 1 센싱 유닛의 제 1 센서(10)에 의해 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 2차 감지한다. 즉, 스테이지(S)로부터 반출되는 웨이퍼(W)의 배면 중앙부로 제 1 센서(10)의 발광부로부터 레이저가 조사되고, 반사된 레이저는 다시 제 1 센서(10)의 수광부에 수광된다. 전술된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에는 파티클이 존재하지 않으므로, 도 10b에 도시된 바와 같이, 검출된 신호의 파형은 직선형이 된다.
여기서, 본 실시예에서와 같이, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 파티클이 존재하지 않으면, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 2차 감지할 필요는 없다. 그러나, 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 파티클이 묻어 있으면, 2차 감지할 필요가 있게 된다.
웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 파티클이 존재하면, 단계 ST1에서 파티클이 감지될 것이다. 즉, 아래로 돌출된 부분을 갖는 신호 파형이 검출될 것이다. 만일, 웨이퍼(W)가 스테이지(S)로부터 반출될 때, 파티클이 웨이퍼(W)의 배면 중앙부에 계속 존재한다면, 단계 ST4에서 단계 ST1에서와 같이 아래로 돌출된 부분을 갖는 파형이 검출될 것이다.
그러나, 파티클이 웨이퍼(W)로부터 떨어져서 스테이지(S) 상에 남게 된다면, 단계 ST4에서 검출된 신호의 파형은 직선형이 될 것이다. 스테이지(S) 상에 파티클이 묻어 있는 상태로 파티클 검출 동작을 계속 수행하게 되면, 파티클이 존재하지 않은 다른 웨이퍼(W)의 배면에서 파티클이 존재한다는 신호가 검출되는 오류가 발생된다. 따라서, 검사자는 상기와 같은 검출 결과를 확인하여, 파티클이 스테이지(S) 상에 묻어 있다는 것을 인식할 수가 있게 된다. 검사자는 즉시 스테이지(S) 상에 묻은 파티클을 제거함으로써, 후속 검출 작업을 원활하게 진행시킬 수가 있을 것이다.
도 6 및 도 11을 참조로, 단계 ST5에서, 각 단계들에서 검출된 신호 파형들은 판별부(40)로 수집되어 전부 합산된다. 합산된 파형은 도 11에 도시된 바와 같이, 위로 돌출된 부분과 아래로 돌출된 부분을 갖게 된다. 판별부(40)는 위로 돌출된 파형이 있는 부분을 웨이퍼(W)의 전면에 묻은 파티클(Pf)로 판별하고, 아래로 돌출된 파형이 있는 부분을 웨이퍼(W)의 후면에 묻은 파티클(Pb)로 판별한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 파티클이 웨이퍼의 전면이나 배면에 묻어 있는지를 정확하게 검출할 수가 있게 된다. 따라서, 파티클이 묻은 웨이퍼의 전면 또는 배면에 대해서만 세정 공정을 실시하기만 하면 되므로, 불필요한 세정 공정을 배제할 수가 있게 된다.
또한, 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클이 스테이지 상에 남게 되는 것도 검출할 수가 있게 되므로, 스테이지의 오염을 방지할 수가 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 전면과 배면에 파티클이 묻은 웨이퍼를 나타낸 정면도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼에 대해서 파티클을 검출하는 종래의 장치를 나타낸 정면도이다.
도 3은 종래의 장치로 획득한 파형도이다.
도 4는 본 발명에 따른 파티클 검출 장치를 나타낸 정면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 파티클 검출 장치를 나타낸 저면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 파티클 검출 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 7a는 스테이지로 반입되는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 1차 검출하는 동작을 나타낸 정면도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다.
도 8a는 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 검출하는 동작을 나타낸 정면도이다.
도 8b는 도 8a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다.
도 9a는 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 검출하는 동작을 나타낸 정면도이다.
도 9b는 도 9b에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다.
도 10a는 스테이지로부터 반출되는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 2차 검출하는 동작을 나타낸 정면도이다.
도 10b는 도 10a에 도시된 검출 동작에 의해 검출된 파형도이다.
도 11은 각 검출 동작에 의해 검출된 파형들이 합쳐진 종합 파형도이다.
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
W : 웨이퍼 S : 스테이지
Pf,Pb : 파티클 10 : 제 1 센서
20 : 제 2 센서 30 : 발광부
31 : 수광부 40 : 판별부
Claims (6)
- 스테이지 상에 안치된 웨이퍼의 하부에 배치되어, 상기 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센싱 유닛;상기 웨이퍼의 상부에 배치되어, 상기 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센싱 유닛; 및상기 제 1 및 제 2 센싱 유닛에서 감지된 신호의 파형을 분석하여 파티클의 존재 및 위치를 판별하는 판별부를 포함하는 웨이퍼의 파티클 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 센싱 유닛은상기 웨이퍼의 외곽 하부에 배치되어, 상기 스테이지의 표면과 접하는 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 감지하는 제 1 센서; 및상기 웨이퍼의 하부에 배치되어, 상기 웨이퍼의 배면 중앙부를 제외한 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지하는 제 2 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 파티클 검출 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 센서는 상기 스테이지의 반지름 방향을 따라 고정 배치되고, 상기 스테이지가 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 파티클 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 센싱 유닛은상기 웨이퍼의 배면과 전면 상으로 레이저를 조사하는 발광부; 및상기 웨이퍼의 배면과 전면에서 반사된 레이저를 수광하고, 상기 수광된 레이저 신호를 상기 판별부로 전송하는 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 파티클 검출 장치.
- 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 감지하여, 제 1 감지 신호를 획득하는 단계;상기 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지하여, 제 2 감지 신호를 획득하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 감지 신호의 파형들을 분석하여, 상기 파티클의 존재 및 위치를 판별하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 파티클 검출 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 배면에 묻은 파티클을 감지하는 단계는상기 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 1차 감지하는 단계;상기 웨이퍼의 배면 가장자리부에 묻은 파티클을 감지하는 단계; 및상기 웨이퍼의 전면에 묻은 파티클을 감지한 후, 상기 웨이퍼의 배면 중앙부에 묻은 파티클을 2차 감지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 파티클 검출 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030099032A KR20050067992A (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 웨이퍼의 파티클 검출 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020030099032A KR20050067992A (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 웨이퍼의 파티클 검출 장치 및 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050067992A true KR20050067992A (ko) | 2005-07-05 |
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ID=37258602
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020030099032A KR20050067992A (ko) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | 웨이퍼의 파티클 검출 장치 및 방법 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR20050067992A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729038B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼의 오염을 감지하는 셈장치 |
| KR101021473B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2011-03-16 | (주)보부하이테크 | 웨이퍼 정렬-배면 검사장치 |
| WO2012044092A3 (en) * | 2010-09-30 | 2012-06-07 | Woongjin Coway Co., Ltd | Hot water tank having overheating prevention function |
| KR102234984B1 (ko) * | 2020-10-14 | 2021-04-01 | 차일수 | 반도체 웨이퍼의 파티클 검출장치 |
-
2003
- 2003-12-29 KR KR1020030099032A patent/KR20050067992A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR102234984B1 (ko) * | 2020-10-14 | 2021-04-01 | 차일수 | 반도체 웨이퍼의 파티클 검출장치 |
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