KR20050059834A - 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형포토레지스트 조성물 - Google Patents

감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR20050059834A
KR20050059834A KR1020030091550A KR20030091550A KR20050059834A KR 20050059834 A KR20050059834 A KR 20050059834A KR 1020030091550 A KR1020030091550 A KR 1020030091550A KR 20030091550 A KR20030091550 A KR 20030091550A KR 20050059834 A KR20050059834 A KR 20050059834A
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Abstract

248nm 또는 193nm 이하의 단파장 노광 공정을 사용하는 경우에도, 우수한 투명성과 건식 식각 내성을 갖는 포토레지스트층을 형성할 수 있는 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 감광성 화합물은 하기 화학식(여기서, R은 탄소수 1 내지 30개의 선형, 분지형 또는 환형 지방족 탄화수소이다.)으로 표시될 수 있다.
또한, 상기 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은 a) 감광성 고분자 수지, b) 광산발생제, c) 유기 용매 및 d) 상기 화학식으로 표시되는 감광성 화합물을 포함한다. 여기서, 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 상기 고분자 수지의 함량은 1 내지 50 중량%이고, 상기 광산발생제의 함량은 0.01 내지 50 중량%이고, 상기 유기 용매의 함량은 0.1 내지 98.89 중량%이며, 상기 감광성 화합물의 함량은 0.01 내지 50중량%인 것이 바람직하다.

Description

감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 {Photosensitive compound, and chemically amplified photoresist composition including the same}
본 발명은 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 248nm 또는 193nm 이하의 단파장 노광 공정을 사용하는 경우에도, 우수한 투명성과 건식 식각 내성을 갖는 포토레지스트층을 형성할 수 있는 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근 반도체 집적회로 소자의 고집적화에 따라, 기가비트(Gigabit)급 이상의 기억용량을 가진 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(이하, "DRAM"이라 함)의 개발이 활발히 진행되고 있다. 1 기가비트급 이상의 DRAM을 제조하기 위해서는, 쿼터 마이크론 이하의 선폭을 가지는 극미세 패턴 형성이 필요하며, 이를 위하여 g-라인(436nm), i-라인(365nm)보다 단파장의 광을 발산하는 KrF 엑시머 레이저(248nm) 또는 ArF 엑시머 레이저(193nm) 등을 노광원으로 사용하는 포토리쏘그래피 기술이 도입되었고, 한편으로 단파장(248nm 및 193nm 이하)의 노광원에서 고해상력을 가지며, 투명성, 건식 식각 내성, 접착성이 우수한 포토레지스트 개발도 동시에 진행되고 있다. 일반적으로 ArF 엑시머 레이저용 포토레지스트 조성물은 193nm 파장에서의 투명성, 건식 식각(dry etching) 내성 및 하부 막질에 대한 접착성이 높아야 하며, 현상액으로 널리 사용되는 2.38중량% 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 수용액에서 현상이 용이하여야 한다. 특히 패턴이 미세화될수록 레지스트 조성물의 투명성 향상과 라인 에지 러프니스(line edge roughness)의 감소가 중요하며, 또한 패턴의 무너짐 현상(pattern collapse)을 막기 위해서 포토레지스트의 두께를 감소시켜야 하므로, 포토리쏘그래피 공정 중 건식 식각 내성의 중요성이 더욱 증대되고 있다.
지금까지 193nm 노광용 레지스트에서는 고분자 수지 내에 이소보닐, 아다만틸, 트리시클로데카닐과 같은 벌키(bulky)한 지방족 고리 화합물을 도입하여, 투명성과 건식 식각 내성을 향상시키는 방법이 많이 사용되었다. 그러나 레지스트의 두께가 계속적으로 감소하는 시점에서, 고분자 수지 내에 지방족 고리 화합물의 벌키니스(bulkyness) 만을 증가시키는 방법은 레지스트 패턴의 하부 막질에 대한 접착성을 저하시키고, 라인 에지 러프니스의 증가나 패턴의 형상을 나쁘게 하는 한계를 가진다. 따라서 투명성을 높이고 건식 식각 내성을 향상시키기 위해서는 수지 자체의 벌키니스 조절과 함께 투명성과 건식 식각 내성이 우수한 첨가제의 개발이 요구되고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 단파장의 노광원을 사용하는 경우에도, 포토레지스트층의 투명성과 건식 식각 내성을 향상시킬 수 있는 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광 전후의 용해도 차이가 커서, 콘트라스트가 개선된 포토레지스트층을 형성할 수 있는 감광성 화합물 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식(여기서, R은 탄소수 1 내지 30개의 선형, 분지형 또는 환형 지방족 탄화수소이다.)으로 표시되는 감광성 화합물을 제공한다.
또한, 본 발명은 a) 감광성 고분자 수지, b) 광산발생제, c) 유기 용매 및 d) 상기 화학식으로 표시되는 감광성 화합물을 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 및 이와 같은 화학 증폭형 포토레지스트 조성물로 제조된 반도체 소자를 제공한다. 여기서, 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 상기 고분자 수지의 함량은 1 내지 50 중량%이고, 상기 광산발생제의 함량은 0.01 내지 50 중량%이고, 상기 유기 용매의 함량은 0.1 내지 98.89 중량%이며, 상기 감광성 화합물의 함량은 0.01 내지 50중량%인 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물용 감광성 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 30개의 선형, 분지형 또는 환형 지방족 탄화수소이고, 바람직하게는 탄소수 5 내지 20개의 벌키한 시클로알킬기이다. 본 발명에 따른 감광성 화합물의 바람직한 예는 하기 화학식 1a 및 1b으로 표시되는 화합물이다.
상기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물은 벌키한 지방족 고리 탄화수소와 전기음성도가 큰 -CF3기를 포함하여, 포토레지스트층의 투명성 및 건식 식각 내성을 향상시킨다. 또한 노광부에서는 산의 작용에 의하여 -CF3기를 포함한 양말단의 지방족 고리 탄화수소가 분해되어 현상액에 용해되며, 비노광부에서는 현상액에 대한 용해성을 감소시켜, 포토레지스트층의 콘트라스트를 향상시키고, 라인 에지 러프니스를 개선한다. 상기 화학식 1의 감광성 화합물은 통상 다양한 유기합성법에 따라 제조할 수 있으며, 예를 들면, 2-비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올에 대하여 수소 첨가반응을 진행하여, 2-비시클로[2.2.1]헵트-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올을 얻은 다음, 이를 (여기서, R은 화학식 1에서 정의한 바와 같다.)와 반응시켜 제조할 수 있다.
본 발명은 또한, a) 감광성 고분자 수지, b) 산을 발생시키는 광산발생제(Photoacid generator: PAG), c) 유기 용매 및 d) 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물을 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
상기 a)의 고분자 수지로는 포토레지스트 조성물의 제조에 통상적으로 사용되는 고분자 수지를 제한 없이 사용할 수 있으나(미국 특허 제6,103,450호 및 6,294,309호 참조), 중량평균 분자량(Mw)이 1,000 내지 150,000이고, 알카리 불용성 및 가용성 관능기를 포함하는 고분자 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 사용될 수 있는 상기 고분자 수지의 비한정적인 예로는 폴리히드록시스티렌, 아크릴 폴리머, 메틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 메타크릴레이트 등을 포함하는 아크릴 코폴리머, 노보넨(norbornene) 단량체를 포함하는 코폴리머 등을 예시할 수 있다. 상기 고분자 수지의 함량은 전체 레지스트 조성물에 대하여 1 내지 50 중량%인 것이 바람직하며, 만일 상기 고분자 수지의 함량이 1중량% 미만인 경우에는 코팅 후 남게되는 레지스트층이 너무 얇아 원하는 두께의 패턴을 형성하기 곤란한 문제가 있고, 50중량%를 초과하면 코팅 유니포미티(coating uniformity)가 저하되는 문제가 있다.
상기 b)의 광산발생제는 노광에 의하여 H+ 등 강한 산성 이온을 형성하여, 화학 증폭 작용을 유도하는 기능을 하는 것으로서, 당업계에 통상적으로 알려진 광산발생제를 본 발명에 광범위하게 사용할 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 광산발생제의 비한정적인 예로는 설포늄염, 요도늄(iodonium) 등과 같은 오늄염(onium salt), N-이미노설포네이트류, 다이설폰류, 비스아릴설포닐다이아조메탄류, 아릴카보닐아릴설포닐다이아조메탄류 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 구체적으로는 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 광산발생제의 함량은 전체 레지스트 조성물에 대하여 0.01 내지 50 중량%인 것이 바람직하고, 0.1 내지 40중량%이면 더욱 바람직하며, 만일 상기 광산발생제의 함량이 0.01중량% 미만인 경우에는 노광에 의하여 발생하는 산(H+)의 양이 적어 보호그룹의 탈보호가 어렵게 되고, 50중량%를 초과하면 레지스트의 흡광도가 급격히 증가하여 패턴의 슬로프(slope)을 유발하는 문제가 있다.
상기 c)의 유기 용매 또한 포토레지스트 조성물의 제조에 통상적으로 사용되는 유기용매를 광범위하게 사용할 수 있으며, 구체적으로는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, n-헵탄온, 에틸락테이트, 초산부틸 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 전체 레지스트 조성물에 대하여 0.1 내지 98.89 중량%인 것이 바람직하며, 1 내지 98중량%이면 더욱 바람직하며, 만일 상기 유기 용매의 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 포토레지스트 조성물 내 각 성분간의 용해가 잘되지 않고 코팅시 코팅 유니포미티가 저하되는 문제가 있고, 98.89중량%를 초과하면 원하는 두께의 레지스트 패턴을 형성할 수 없는 문제가 있다.
상기 d) 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물은 비노광된 포토레지스트층의 용해를 억제하여, 비노광부와 노광부의 용해도 차이를 증가시켜 콘트라스트를 향상시키는 용해억제제의 기능을 한다. 상기 감광성 화합물의 사용량은 전체 레지스트 조성물에 대하여 0.01 내지 50중량%인 것이 바람직하고, 0.1 내지 40중량%이면 더욱 바람직하며, 만일 상기 감광성 화합물의 함량이 0.01중량% 미만인 경우에는 건식 식각 내성과 라인 에지 러프니스 개선효과를 얻기 힘들고, 50중량%를 초과하면 레지스트 내 저분자들의 함량이 많아짐으로 인하여 패턴의 기계적 강도가 약해져 패턴의 무너짐 현상이 증가하는 문제가 있다.
또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 유기 염기를 더욱 포함할 수 있으며, 이와 같은 유기 염기가 사용될 경우, 그 함량은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.01 내지 20 중량%인 것이 바람직하다. 상기 유기 염기로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 상기 각 성분들을 단순히 혼합함에 의하여 얻을 수 있으며, 필요에 따라, 각 성분을 혼합하기 전 또는 후에 불순물을 제거하기 위한 여과공정을 추가로 수행할 수도 있다. 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 코팅, 노광, 및 현상 공정을 거치는 통상의 포토리쏘그래피 공정에 사용될 수 있으며, 특히 ArF 또는 KrF 엑시머 레이저를 사용하는 미세 패턴 형성공정에 적합하다. 또한, 본 발명은 상기 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 화학식 1a로 표시되는 감광성 화합물의 합성
A. 2-비시클로[2.2.1]헵트-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올의 합성
하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 2-비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올 10g (0.0365몰)과 암모늄 포르메이트 11.51g(0.1825몰)을 250ml 플라스크에 넣고, 50g의 무수 메탄올로 용해시켰다. 다음으로, 팔라듐 촉매 0.5g을 넣고, 질소 분위기 하에서 반응온도를 60 내지 70℃로 유지하면서, 약 24시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응이 완료된 후, 칼럼크로마토그래피를 이용하여 반응 혼합물을 분리하고, 건조하여 5.2g의 목적 화합물(2-비시클로[2.2.1]헵트-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올)을 얻었다(수율: 52%).
B. 화학식 1a로 표시되는 감광성 화합물 합성
하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이, 얻어진 2-비시클로[2.2.1]헵트-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올 5g(0.0180몰)과 1,4-시클로헥산 디메탄올디비닐에테르 0.88g(0.0045몰)을 100ml 플라스크에 넣고, 15g의 메틸렌클로라이드로 용해시켰다. 다음으로, 촉매로서 0.05g의 피리디늄 p-톨루엔설포네이트을 넣고, 상온에서 48시간 동안 교반하여 반응시켰다. 반응이 완료된 후, 칼럼크로마토그래피를 이용하여 반응 혼합물은 분리하고, 건조하여 1.39g의 목적 화합물을 얻었다(수율: 41%).
[실시예 2] 화학식 1b로 표시되는 감광성 화합물의 합성
A. 4,4‘-이소프로필리덴디비닐옥시시클로헥산의 합성
하기 반응식 3에 나타낸 바와 같이, 4,4‘-이소프로필리덴디시클로헥산올 10g(0.0416몰)을 고압 반응기에 넣고, 20g의 테트라히드로퓨란으로 용해시킨 다음, 아세틸렌 3.25g(0.1248몰)을 첨가한다. 이어서 100 내지 120℃의 온도, 5 내지 6atm의 기압에서 10 내지 12시간 동안 교반하면서 반응을 진행하였다. 반응 완료 후, 칼럼크로마토그래피를 이용하여 반응 혼합물을 분리하고, 건조하여 4.6g의 목적 화합물을 얻었다(수율: 36%).
B. 화학식 1b로 표시되는 감광성 화합물 합성
하기 반응식 4에 나타낸 바와 같이, 실시예 1에서 얻어진 2-비시클로[2.2.1]헵트-2-일메틸-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-프로판-2-올 11.38g(0.0412몰)과 4,4‘-이소프로필리덴디비닐옥시시클로헥산 3g(0.0103몰)을 100ml 플라스크에 넣고, 15g의 메틸렌클로라이드로 용해시켰다. 다음으로, 촉매로서 피리디늄 p-톨루엔설포네이트 0.05g을 투입하고, 상온에서 48시간동안 교반하면서 반응시켰다. 반응 완료 후, 칼럼크로마토그래피를 이용하여 반응 혼합물을 분리하고 건조하여, 3.31g의 목적 화합물을 얻었다(수율: 38%).
[실시예 3] 화학식 1a로 표시되는 감광성 화합물을 이용한 화학 증폭형 포토레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성
실시예 1에서 제조된 화학식 1a의 감광성 화합물 0.06g과 하기 화학식 2의 고분자 수지 2.0g 및 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.02 g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 17 g에 완전히 용해시킨 다음, 얻어진 용액을 0.2 ㎛의 디스크 필터로 여과하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
얻어진 포토레지스트 조성물을 유기 반사 방지막이 코팅된 실리콘 웨이퍼 상부에 약 0.27 ㎛의 두께로 코팅하였다. 상기 레지스트 조성물이 코팅된 웨이퍼를 130℃에서 90초 동안 프리베이킹하고, 개구수 0.60인 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 노광한 다음, 130℃에서 90초 동안 포스트 노광 베이킹(PEB)을 실시하였다. 이후, 2.38 중량%의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 용액을 사용하여, 30초 동안 현상하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 전자주사현미경 사진을 도 1에 나타내었고, 감도, 건식 식각 내성 및 라인 에지 러프니스를 평가하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 4] 화학식 1b로 표시되는 감광성 화합물을 이용한 화학 증폭형 포토레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성
상기 화학식 1a로 표시되는 감광성 화합물 대신, 실시예 2에서 제조된 감광성 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 감도, 건식 식각 내성 및 라인 에지 러프니스를 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[비교예 1] 감광성 화합물을 포함하지 않는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성
상기 화학식 1a로 표시되는 감광성 화합물을 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 전자주사현미경 사진을 도 2에 나타내었으며, 감도, 건식 식각 내성 및 라인 에지 러프니스를 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
상기 표 1 및 도 1, 2로부터, 본 실시예의 조성물을 사용할 경우, 노광량이 약 23mJ/㎠일 때, 폭 0.12 ㎛의 동일 라인 및 스페이스 패턴을 가지는 직사각형 모양의 양호한 포토레지스트 프로파일이 얻어짐을 알 수 있다. 또한 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 사용할 경우, 비교예의 포토레지스트 조성물을 사용한 경우보다, 형성된 포토레지스트 패턴의 건식 식각 내성과 라인 에지 러프니스 특성이 우수함을 알 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 감광성 화합물은 벌키한 지방족 고리 탄화수소와 -CF3기를 포함하는 구조로 이루어져 있어, 산에 의해 탈보호되므로, 형성된 포토레지스트층의 투명성과 건식 식각 내성을 향상시킬 뿐만 아니라, 현상액에 대한 노광부와 비노광부의 용해도 차이를 증가시켜 라인 에지 러프니스를 개선할 수 있다. 본 발명에 따른 화학 증폭형 레지스트 조성물은 248nm 및 193nm 이하의 단파장 노광원을 사용하는 경우에 특히 적합하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성한 포토레지스트 패턴의 전자주사현미경사진.
도 2은 통상적인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성한 포토레지스트 패턴의 전자주사현미경사진.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물.
    [화학식 1]
    상기 식에서, R은 탄소수 1 내지 30개의 선형, 분지형 또는 환형 지방족 탄화수소이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 하기 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 것인 감광성 화합물.
    [화학식 1a]
    [화학식 1b]
  3. a) 감광성 고분자 수지, b) 광산발생제, c) 유기 용매 및 d) 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물을 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 상기 고분자 수지의 함량은 1 내지 50 중량%이고, 상기 광산발생제의 함량은 0.01 내지 50 중량%이고, 상기 유기 용매의 함량은 0.1 내지 98.89 중량%이며, 상기 감광성 화합물의 함량은 0.01 내지 50중량%인 것인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 상기 고분자 수지는 중량평균 분자량(Mw)이 1,000 내지 150,000이고, 알카리 불용성 및 가용성 관능기를 포함하는 것인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 상기 광산발생제는 설포늄염, 요도늄, N-이미노설포네이트류, 다이설폰류, 비스아릴설포닐다이아조메탄류, 아릴카보닐아릴설포닐다이아조메탄류 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  7. 제3항에 있어서, 상기 유기 용매는 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, n-헵탄온, 에틸락테이트, 초산부틸 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  8. 제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리이소옥틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 염기를 전체 포토레지스트 조성물에 대하여 0.01 내지 20 중량% 더욱 포함하는 것인 화학 증폭형 포토레지스트 조성물.
  9. 제3항에 따른 화학 증폭형 포토레지스트 조성물로 제조된 반도체 소자.
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