KR20050053360A - 넓은 에이지씨 범위를 갖는 튜너 - Google Patents

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KR20050053360A
KR20050053360A KR1020030086191A KR20030086191A KR20050053360A KR 20050053360 A KR20050053360 A KR 20050053360A KR 1020030086191 A KR1020030086191 A KR 1020030086191A KR 20030086191 A KR20030086191 A KR 20030086191A KR 20050053360 A KR20050053360 A KR 20050053360A
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Abstract

본 발명은 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너에 관한 것으로, 상세하게는 AGC 회로는, RF 입력단과 RF 출력단 사이에서 병렬 연결되어 바이어스 전압 및 AGC 전압을 공급하는 바이어스 전압단 및 AGC 전압단과, 상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이이며, 상기 AGC 전압단이 병렬 연결된 후단에 순방향으로 연결되어 AGC 전압에 따라 스위칭되는 제 1핀 다이오드와, 상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이에 병렬 연결되고, 상기 제 1핀 다이오드의 스위칭동작에 따라 상기 강전계 입력시 AGC 축소 범위를 크게 하는 공진 노치 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서 상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면 핀 다이오드의 기생 커패시턴스를 분포 정수로 구성된 인덕터와 공진 노치 회로를 형성하여 고주파에서 넓은 AGC 축소 범위를 갖도록 하고, 또한 싱글 시리즈 핀 다이오드를 이용하여 기존 안티 시리즈 페어 형태 구조가 가지는 변환기 로스를 최소화하여 약전계 수신 감도 특성을 최적화시킬 수 있다.

Description

넓은 에이지씨 범위를 갖는 튜너{TUNER HAVING EXTENT OF WIDE AGC}
본 발명은 실리콘 튜너에 관한 것으로, 상세하게는 핀 다이오드의 기생 커패시턴스를 분포 정수로 구성된 인덕터와 공명 노치 회로를 형성하여 고주파에서의 넓은 AGC 축소 범위를 갖도록 하고, 또한 싱글 시리즈 핀 다이오드를 이용하여 기존 안티 시리즈 페어 형태 구조가 가지는 변환기 로스를 최소화하여 약전계 수신 감도 특성을 최적화시키도록 하는 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너에 관한 것이다.
일반적으로 튜너는 안테나를 통해 RF 신호(무선 주파수 신호)를 입력받아 IF 신호(중간 주파수 신호)로 변환후 이를 검파하여 비디오 신호와 오디오 신호로 분리하여 출력하는 장치를 말한다.
현재 튜너의 소형화 추세로 인하여 실리콘 기판위에 집적화를 시켜 IC 형태로 만들어진 실리콘 튜너가 개발되었다.
이러한 실리콘 튜너에는 필드의 싱글 파워 레벨에 따른 파워 레벨을 제어하기 위하여 도 1에 도시된 바와 같이 실리콘 튜너의 입력단에 파이(π)형 AGC 회로가 사용된다. 특히 디지털 방송용 더블 컨버젼 타입 튜너의 경우 핀 다이오드를 이용한 AGC 회로를 사용하고 있다.
상기의 AGC 회로는 4개의 핀 다이오드가 파이(π)형태의 감쇠기로 구조상 대칭성을 갖고 있어 바이어스 네트워크 구성이 간단하고, 시리즈 다이오드의 백 투 백(Back To Back) 구조로 고조파 신호들을 상쇄시킬 수 있어 왜곡을 줄일 수 있는 장점이 있다.
그러나 이러한 AGC 회로는 시리즈 페어가 갖고 있는 핀 다이오드의 시리즈 저항 성분으로 인해 최대 AGC 전압인가시 AGC 회로의 변환기 로스가 커지기 때문에 약전계 입력시 튜너의 수신 감도가 상대적으로 열화되고, 핀 다이오드의 시리즈 저항이 갖고 있는 커패시턴스 성분 때문에 도 2에 도시된 바와 같이 고주파에서 충분한 AGC 축소 범위를 갖지 못하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 핀 다이오드의 기생 커패시턴스를 분포 정수로 구성된 인덕터와 공진 노치 회로를 형성하여 고주파에서 넓은 AGC 축소 범위를 갖도록 하고, 또한 싱글 시리즈 핀 다이오드를 이용하여 기존 안티 시리즈 페어 형태 구조가 가지는 변환기 로스를 최소화하여 약전계 수신 감도 특성을 최적화시키도록 하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
입력단에 AGC 회로를 구비하는 튜너에 있어서,
상기 AGC 회로는,
RF 입력단과 RF 출력단 사이에서 병렬 연결되어 바이어스 전압 및 AGC 전압을 공급하는 바이어스 전압단 및 AGC 전압단과,
상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이이며, 상기 AGC 전압단이 병렬 연결된 후단에 순방향으로 연결되어 AGC 전압에 따라 스위칭되는 제 1핀 다이오드와,
상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이에 병렬 연결되고, 상기 제 1핀 다이오드의 스위칭동작에 따라 상기 강전계 입력시 AGC 축소 범위를 크게 하는 공진 노치 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 공진 노치 회로는,
상기 RF 입력단과 상기 AGC 전압단 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 2핀 다이오드와,
상기 제 2핀 다이오드의 후단에 연결되는 제 1패턴 인덕터와,
상기 AGC 전압단과 상기 RF 출력단 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 3핀 다이오드와,
상기 제 3핀 다이오드의 후단에 연결되는 제 2패턴 인덕터와,
상기 제 1패턴 인덕터와 상기 제 2패턴 인덕터에 연결되는 제 1저항으로 구성된다.
여기에서 또한 상기 제 1패턴 인덕터와 제 2패턴 인덕터는,
PCB 기판의 양면에 서로 대응되도록 형성되며,
상기 제 1저항은,
홀을 통해 상기 제 1패턴 인덕터와 제 2패턴 인덕터에 연결된다.
이하, 본 발명에 의한 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너의 구성을 도 3을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너(100)는, 바이어스 전압단(BIAS)과, AGC 전압단(AGC)과, 제 1핀 다이오드(PD1)와, 공진 노치 회로(110)로 구성된다.
바이어스 전압단(BIAS)은 RF 입력단(INPUT)과 RF 출력단(OUTPUT) 사이에 병렬 연결되어 바이어스 전압을 공급한다. 여기에서 바이어스 전압단(BIAS)에는 RF 신호가 바이어스 전압으로 오는 것을 막기 위한 RF 쵸크용 인덕터(L1)가 구비된다.
AGC 전압단(AGC)은 RF 입력단(INPUT)과 RF 출력단(OUTPUT) 사이에 병렬 연결되어 AGC 전압을 공급한다. 여기에서 AGC 전압단(AGC)에는 RF 신호가 AGC 전압으로 오는 것을 막기 위한 RF 쵸크용 인덕터(L2)가 구비된다.
제 1핀 다이오드(PD1)는 RF 입력단(INPUT)과 RF 출력단(OUTPUT) 사이이며, AGC 전압단(AGC)이 병렬 연결된 후단에 순방향으로 연결되어 AGC 전압에 따라 스위칭된다.
공진 노치 회로(110)는 RF 입력단(INPUT)과 AGC 전압단(AGC) 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 2핀 다이오드(PD2)와, 제 2핀 다이오드(PD2)의 후단에 연결되는 제 1패턴 인덕터(PL1)와, AGC 전압단(AGC)과 RF 출력단(OUTPUT) 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 3핀 다이오드(PD3)와, 제 3핀 다이오드(PD3)의 후단에 연결되는 제 2패턴 인덕터(PL2)와, 상호 결합량을 조절하도록 제 1패턴 인덕터(PL1)와 제 2패턴 인덕터(PL2)에 연결되는 제 1저항(R1)으로 구성된다. 여기에서 제 1패턴 인덕터(PL1)와 제 2패턴 인덕터(PL2)는 PCB 기판(도시 생략)의 양면에 서로 대응되도록 형성되며, 제 1저항(R1)은 홀을 통해 제 1패턴 인덕터(PL1)와 제 2패턴 인덕터(PL2)에 연결된다.
한편 도면중 미설명 부호인 C1, C2, C3는 DC 차단용 커패시터이고, R1, R2는 DC 전압의 리플을 제거하기 위한 저항이며, C4, C5, C6, C7은 고용량의 바이패스이고, L3, C8는 후단에 전기적 연결이 가능하도록 하는 매칭용 LC필터이다.
이하 본 발명에 따른 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너의 동작을 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 4는 도 3의 AGC 회로의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 지상파 방송 주파수가 튜너에 입력 될 때 약전계입력시 신호 흐름은 RF 입력단(INPUT)을 통해 C1, C2, 제 1핀 다이오드(PD1) 및 C3를 통해 곧바도 출력되도록 한다.
이를 위해서는 AGC 전압단(AGC)의 AGC 전압이 1.1V 이상 공급되어야 한다.
한편 AGC 전압단(AGC)의 전압이 1.1V 이하이면 강전계로 인식하여 제 1핀 다이오드(PD1)가 오프되고, 공진 노치 회로(110)의 제 2핀 다이오드(PD2) 및 제 3핀 다이오드(PD3)가 온된다.
그러면 RF 입력 신호는 R2, 제 2핀 다이오드(PD2), 제 1패턴 인덕터(PL1), 제 1저항(R1), 제 2패턴 인덕터(PL2), 제 1핀 다이오드(PD1), R3를 통해 출력된다.
즉, RF 입력 신호는 공진 노치 회로(110)로 입력되기 때문에 제 1패턴 인덕터(PL1)와 제 2패턴 인덕터(PL2)가 상호 결합 방식으로 PCB 기판의 양면에 대칭으로 구현되어 있어 결국, 제 2핀 다이오드(PD2) 및 제 3핀 다이오드(PD3)의 커패시턴스 성분과 제 1패턴 인덕터(PL1) 및 제 2패턴 인덕터(PL2)가 방송 주파수의 고주파에서 공진 회로를 형성함으로써 AGC 축소 범위를 크게 할 수 있다.
따라서 도 4에 도시된 바와 같이 넓은 AGC 범위를 갖도록 함으로써 약전계 입력시에도 튜너의 수신 감도를 상대적으로 높일 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너에 의하면, 핀 다이오드의 기생 커패시턴스를 분포 정수로 구성된 인덕터와 공진 노치 회로를 형성하여 고주파에서 넓은 AGC 축소 범위를 갖도록 하고, 또한 싱글 시리즈 핀 다이오드를 이용하여 기존 안티 시리즈 페어 형태 구조가 가지는 변환기 로스를 최소화하여 약전계 수신 감도 특성을 최적화시킬 수 있다.
도 1은 종래의 실리콘 튜너의 AGC 회로의 구성을 나타낸 회로도
도 2는 도 1의 AGC 회로의 특성을 나타낸 그래프
도 3은 본 발명에 따른 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너의 구성을 나타낸 회로도
도 4는 도 3의 AGC 회로의 특성을 나타낸 그래프
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 공진 노치 회로 PD1~PD3 : 제 1~3핀 다이오드
PL1, 2 : 제 1, 2패턴 인덕터 R1 : 제 1저항

Claims (3)

  1. 입력단에 AGC 회로를 구비하는 튜너에 있어서,
    상기 AGC 회로는,
    RF 입력단과 RF 출력단 사이에서 병렬 연결되어 바이어스 전압 및 AGC 전압을 공급하는 바이어스 전압단 및 AGC 전압단과,
    상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이이며, 상기 AGC 전압단이 병렬 연결된 후단에 순방향으로 연결되어 AGC 전압에 따라 스위칭되는 제 1핀 다이오드와,
    상기 RF 입력단과 RF 출력단 사이에 병렬 연결되고, 상기 제 1핀 다이오드의 스위칭동작에 따라 상기 강전계 입력시 AGC 축소 범위를 크게 하는 공진 노치 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공진 노치 회로는,
    상기 RF 입력단과 상기 AGC 전압단 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 2핀 다이오드와,
    상기 제 2핀 다이오드의 후단에 연결되는 제 1패턴 인덕터와,
    상기 AGC 전압단과 상기 RF 출력단 사이에 순방향으로 병렬 연결되는 제 3핀 다이오드와,
    상기 제 3핀 다이오드의 후단에 연결되는 제 2패턴 인덕터와,
    상기 제 1패턴 인덕터와 상기 제 2패턴 인덕터에 연결되는 제 1저항으로 구성되는 것을 특징으로 하는 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1패턴 인덕터와 제 2패턴 인덕터는,
    PCB 기판의 양면에 서로 대응되도록 형성되며,
    상기 제 1저항은,
    홀을 통해 상기 제 1패턴 인덕터와 제 2패턴 인덕터에 연결되는 것을 특징으로 하는 넓은 AGC 범위를 갖는 튜너.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100777445B1 (ko) * 2006-07-28 2007-11-21 삼성전자주식회사 고주파 신호의 스위칭 장치
KR100900800B1 (ko) * 2007-08-17 2009-06-04 주식회사 텔콘 알에프 서지 보호 장치

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KR100777445B1 (ko) * 2006-07-28 2007-11-21 삼성전자주식회사 고주파 신호의 스위칭 장치
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