KR0180932B1 - 소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너 - Google Patents

소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너 Download PDF

Info

Publication number
KR0180932B1
KR0180932B1 KR1019950014886A KR19950014886A KR0180932B1 KR 0180932 B1 KR0180932 B1 KR 0180932B1 KR 1019950014886 A KR1019950014886 A KR 1019950014886A KR 19950014886 A KR19950014886 A KR 19950014886A KR 0180932 B1 KR0180932 B1 KR 0180932B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tuner
circuit
transistor
buffer amplifier
local
Prior art date
Application number
KR1019950014886A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960036299A (ko
Inventor
슈우지 마쯔우라
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR960036299A publication Critical patent/KR960036299A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0180932B1 publication Critical patent/KR0180932B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/1607—Supply circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1221—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising multiple amplification stages connected in cascade
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B1/00—Details
    • H03B1/02—Structural details of power oscillators, e.g. for heating
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0034—Circuit elements of oscillators including a buffer amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0088—Reduction of noise
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2202/00—Aspects of oscillators relating to reduction of undesired oscillations
    • H03B2202/02—Reduction of undesired oscillations originated from natural noise of the circuit elements of the oscillator
    • H03B2202/025—Reduction of undesired oscillations originated from natural noise of the circuit elements of the oscillator the noise being coloured noise, i.e. frequency dependent noise
    • H03B2202/027—Reduction of undesired oscillations originated from natural noise of the circuit elements of the oscillator the noise being coloured noise, i.e. frequency dependent noise the noise being essentially proportional to the inverse of the frequency, i.e. the so-called 1/f noise
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2202/00—Aspects of oscillators relating to reduction of undesired oscillations
    • H03B2202/03—Reduction of undesired oscillations originated from internal parasitic couplings, i.e. parasitic couplings within the oscillator itself
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2202/00—Aspects of oscillators relating to reduction of undesired oscillations
    • H03B2202/08—Reduction of undesired oscillations originated from the oscillator in circuit elements external to the oscillator by means associated with the oscillator
    • H03B2202/082—Reduction of undesired oscillations originated from the oscillator in circuit elements external to the oscillator by means associated with the oscillator by avoiding coupling between these circuit elements
    • H03B2202/086—Reduction of undesired oscillations originated from the oscillator in circuit elements external to the oscillator by means associated with the oscillator by avoiding coupling between these circuit elements through a frequency dependent coupling, e.g. which attenuates a certain frequency range

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

본 발명은 소비전력을 저감함과 동시에 발열량을 감소시켜 신뢰성을 향상시킬 수 있는 튜너를 제공한다. 이 튜너는 하나의 트랜지스터 Q3로 구성되는 하나의 광대역증폭회로 BC1이 완충 증폭기를 구성한다. 또한, 상기 광대역증폭회로 BC1은 제1국부발진회로 OC1에 직류결합한다. 완충 증폭기의 회로구성을 간단히 할 수 있어 노이즈를 감소시킬 수 있다. 증폭회로 BC1과 발진회로 OC1이 직류결합됨으로써 소비전력이 저감된다.

Description

소빈력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너
제1도는 본 발명의 한 실시예에 의한 튜너회로의 회로도.
제2도는 제1도에 보인 실시예의 온도상승특성을 보인 그래프.
제3도는 제1도에 보인 실시예의 주파수특성을 보인 그래프.
제4도는 종래 튜너회로의 회로도.
제5도는 종래 튜너의 블럭도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
OC1 : 제1국부발진회로 OC1 BC1 : 광대역증폭회로
Q1: 제1국부발진용 트랜지스터 Q3: 완충증폭용 트랜지스터
CE: 바이패스 콘덴서 C1, C2: 귀환용량
C3, C4: 공진용량 C5~C8: 결합콘덴서
L1: 제1국부발진용 스트립 공진선로 L2: 발진출력 커플링도체
L3: 트리머 L4~L5: 초크코일
L6: 정합용코일 R1~R10: 바이어스 저항
R12: 댐핑저항 R13: 가변용량 바이어스 저항
VT: 가변용량 다이오드
본 발명은 주로 CATV(cable television)의 단말기인 세트 박스에 적용되는 튜너에 관한 것으로, 특히 업다운 방식의 튜너에 관한 것이다.
CATV는 멀티미디어의 중핵으로서 최근 매우 주목되고 있으며, 특히 미합중국을 비롯해 세계 각국에서 CATV를 통해 통신과 방송의 융합화 서비스를 촉진하기 위한 많은 실험이 행해지고 있다. 이와 같은 상황하에서, CATV 시스템의 단말기인 세트 톱 박스에 대한 기능의 업그레이드, 특히 디지탈 방송 신호를 수신할 수 있는 시스템을 개발하고 있는 추세이다.
종래, 이와 같은 세트 박스에 사용되는 튜너로서는 제5도에 보인 바와 같은 것이 있다. 이 튜너는 입력단자(51), 필터회로(52), 광대역 가변 감쇠기(53), 광대역 증폭기(54), 제1혼합기(56), 완충 증폭기(57), 전압제어발진기(58), 제1대역필터(59), 제1중간주파증폭기(60), 제2대역필터(61), 제2혼합기(62), 제2중간주파증폭기(64), 출력단자(65)를 구비한다.
제5도에 보인 블럭도는 파선으로 둘러싸인 완충 증폭기(57)와 전압제어발진기(58)로 구성되는 국부발진기 Z를 포함하며, 국부발진기 Z의 전기회로를 제4도에 보인다. 제4도에 보인 바와 같이, 국부발진기 Z는 완충 증폭기(57)를 구성하는 회로 BA와, 발진기(58)를 구성하는 회로 CT1를 갖는다.
상기 완충 증폭기(57)를 구성하는 회로 BA는 제4도에 보인 바와 같이 트랜지스터 Q2A와 Q3A를 갖는다. 또한, 상기 전압제어발진기(58)를 구성하는 회로 CT1은 콜렉터접지형 λ/2형 발진회로 CT1이고, 제1국부발진용 트랜지스터 Q1A와, 귀환용량 C1A, C2A와, 바이어스저항 R1A, R2A, R3A, R4A와 공진 회로를 구성하는 λ/2 스트립선로 L1A와, 발진주파수 가변용 가변용량 다이오드 DTA를 구비한다. 상기 콜렉터접지형 λ/2형 발진회로 CT1은 제1국부발진회로이다. 상기 발진회로 CT1은 공진용량 C3A, C4A와 바이어스저항 R13A와 코일 L3A를 구비한다. 상기 공진용량 C3A, C4A은 상기 다이오드 DTA와의 공진용량임과 동시에, 상기 발진용 트랜지스터 Q1A와의 정합용량이다. 또한, 상기 저항 R13A는, 발진용주파수가변용 가변용량 다이오드 DTA를 위한 동조전압공급용 바이어스저항이다. 또한, 코일 L3A는 제1국부발진주파수가변용 트리머이다. 또한, CF는 바이패스콘덴서이다.
이에 따라, 상기 제1국부발진회로(콜렉터접지형 λ/2형 발진회로 CT1)로 부터의 제1국부발진회로는 λ/2공진회로 L1A로 부터 유도결합을 통해 커플링도체 L2A에 유도된다. 따라서, 상기 커플링도체 L2A에 유도된 신호는 커플링도체 L2A로 부터 결합콘덴서 C5A를 통해 완충 증폭기(57)(버퍼앰프회로 BA)에 포함되어 있는 트랜지스터 Q2A에 공급된다.
한편, 상기 트랜지스터 Q2A와 Q3A를 갖는 완충 증폭기(57)는 바이어스저항 R6A, R7A, R8A, R9A, R10A, R11A, R12A를 갖는다. 또한, 상기 완충 증폭기(57)는 저항 R5A와 코일 L4A, L5A를 갖는다. 저항 R5A는 국부발진회로인 발진회로 CT1과 완충 증폭기(57)와의 결합시에 발생하는 기생발진을 방지하기 위한 댐핑저항이다. 또한, 코일 L4A와 L5A는 고주파 초크 코일이다.
상기 콜렉터접지형 λ/형 발진회로 CT1로부터 출력된 국부발진신호는 발진출력도출용 커플링도체 L2A를 경유하여 완충 증폭기(57)(버퍼앰프)에 공급된다. 상기 신호는 이 완충 증폭기(57)의 트랜지스터 Q2A에 의해, 발진주파수범위(통상 688MHz~1158MHz)에 걸쳐 증폭된다. 다음, 상기 신호는 차단(next stage)에서 트랜지스터 Q3A를 갖는 광대역증폭회로에 의해 다시 증폭된다. 이 광대역증폭회로의 출력은 L6A와 C7A로 구성되는 로우패스필터를 통해 결합용콘덴서 C8A에 전달된 다음, 차단의 더블밸런스믹서(double-balance mixer)에 +15dBm이상의 출력레벨을 갖는 출력신호로 출력된다. 통상적으로, 발진출력 커플링도체 L2A로부터 도출되는 발진출력신호의 레벨은 0dBm 전후이고, 트랜지스터 Q2A와 Q3A로 구성되는 완충 증폭기(57)(버퍼 앰프)는 상기 신호에 대해 15dB 이상의 증폭을 행한다.
최근, CATV용 컨버터(셋업 컨버터)는 TV(텔레비젼 수상기) 또는 VTR(비디오 테이프 레코더)에 탑재되어 사용되는 관계로, 편평한 디자인이 요구되는 경우가 많다. 따라서, 이러한 형태의 튜너는 직립형으로 사용될 수 있는 소형 경량의 구성이 요구된다. 따라서, 이와 같은 상황하에서 소비전력이 종래와 같을 경우 발열에 따른 온도상승이 커지는 문제가 있다.
일반적으로, CATV용 컨버터의 튜너의 전원은 TV신호 수신시는 공급되지만, TV를 시청하지 않을 때 또는 대기시에는 공급되지 않는다. 이 경우, 전기 공급 상태와 비공급 상태 사이에 튜너의 온도변화가 급격하여, 튜너의 주변의 온도상승을 가미하면 주위온도에 대해 +25℃의 온도상승(튜너의 소비전력이 약 2W의 경우)으로 된다. 한편, 튜너는 금속 케이싱으로 형성되어 있고, 회로부품은 프린트기판에 납땜으로 결선되어 조립되는 것이 통례이다. 그 결과, 상기 프린트기판에 발생한 온도차가 큰 경우에는 상기 프린트기판을 구성하고 있는 금속부분과 적층판의 열팽창량의 차이가 커져 상기 납땜부에 스트레스가 가해진다. 이 스트레스는 납땜부를 균열시켜 솔더 크랙을 촉진한다.
따라서, 본 발명의 목적은 소비전력을 절감함과 동시에 발열량을 감소시켜 신뢰성을 향상시킬 수 있는 튜너를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 튜너는 국부발진신호를 혼합기로 출력하는 국부발진기(local oscillator)를 구비하는 튜너로서, 상기 국부발진기로는 증폭회로 1단으로 구성되어 있는 완충 증폭기와, 상기 완충 증폭기에 직류결합되어 있는 국부발진부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 튜너는 완충 증폭기가 1단으로 구성되어 있기 때문에, 완충 증폭기를 증폭회로 2단으로 구성하고 있는 종래예에 비해 회로구성을 간단히 할 수 있다. 따라서, 코스트저감이 가능함과 동시에 회로동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 완충 증폭기를 구성하는 증폭회로를 1단으로 할 수 있기 때문에, 완충 증폭기에서 발생하는 국부 노이즈를 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 튜너는 완충 증폭기와 국부발진기가 직류결합되어 있어, 종래예에 비해 소비전력을 저감할 수 있다. 따라서, 튜너의 온도변화를 억제할 수 있으므로, 열충격에 의한 솔더 크랙의 발생율을 크게 저감할 수 있어 고신뢰도설계를 가능하게 한다.
한 실시예의 튜너에 있어서, 국부발진기는 베이스접지형의 1/2파장 발진회로이기 때문에, 종래의 콜렉터접지방식에 비해 발진출력을 크게 할 수 있다. 이에 따라, 국부발진부와 완충 증폭기를 용이하게 결합할 수 있다. 따라서, 기생발진의 문제를 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 튜너의 실시예의 국부발진기를 도시한다. 이 실시예는, 제1도에 보인 국부발진기 이외의 구성은 제5도에 보인 종래의 튜너구성과 같기 때문에 설명을 생략한다. 본 실시예의 국부발진기는, 베이스접지형 λ(파장)/2 발진회로인 제1국부발진회로 OC1과 광대역증폭회로 BC1을 구비한다. 상기 제1국부발진회로 OC1은 제1국부발진용 트랜지스터 Q1을 갖는다. 또한, 상기 광대역증폭회로 BC1은 완충증폭용 트랜지스터 Q3를 갖는다. 제1도에 있어서, +B는 공급전원전압, CE는 바이패스콘덴서, C5~C8은 결합콘덴서, C3, C4는 공진용량, C1, C2는 귀환용량, L1은 제1국부발진용 스트립 공진선로를 각각 나타낸다. 또한, 제1도에서, L2는 발진출력 커플링도체 L3는 트리머이다. 또한, L4~L5는 초크코일, L6는 정합용코일, R13은 가변용량 바이어스 저항, R12는 댐핑저항, R1~R10은 바이어스 저항이다. 또한, VT는 가변용량 다이오드이다.
제1국부발진회로 OC1은 베이스접지형 λ/2(1/2파장) 발진회로이기 때문에, 종래의 콜렉터접지방식에 비해 공진회로측에서 본 네가티브 저항을 높게 취한다. 따라서, 상기 제1국부발진회로 OC1은 통상 종래의 콜렉터접지방식에 비해 발진출력을 높게 취한다. 발진출력을 높이기 위해서는 바이어스의 선정이 중요하다. 제1국부발진회로 OC1으로부터 출력되는 제1국부발진출력은 결합콘덴서 C5에 의한 용량결합 또는 발진출력 커플링도체 L2에 의한 유도결합을 통해 도출되어 광대역증폭회로 BC1에 인가된다. 광대역증폭회로 BC1이 트랜지스터 Q3는 종래예와 같이 제1국부발진주파수 범위(예컨대, 668MHz~1158MHz)의 제1국부발진출력을 증폭한다. 또한, 상기 광대역증폭회로 BC1은 콘덴서 C8을 통해 +15dBm 이상의 발진출력을 차단의 밸런스믹서회로(도시되지 않음)에 도출한다. 또한, 상기 광대역증폭회로 BC1의 콘덴서 C7과 코일 L6은 차단으로의 정합회로 및 로우패스 필터(저역여파기)를 구성한다. 이 로우패스 필터는 제1국부발진신호의 고주파성분 또는 의사성분(spurious component)을 제거한다.
트랜지스터 Q3는 완충증폭용 트랜지스터이다. 이 트랜지스터 Q3에는 바이어스 저항 R9와 R10에 의해 베이스전류가 흐르고, 다시 바이어스전류로서의 콜렉터전류가 흐른다. 이 바이어스전류로서의 콜렉터전류는 트랜지스터 Q3를 트랜지스터 Q1의 콜렉터에 직류결합한다. 이 직류결합은 직류성분을 패스시킬 수 있는 결합이다. 한편, 상기 트랜지스터 Q1에 대한 바이어스(바이어스전류)는 저항 R4와 R2에 의해 발생된 콜렉터전류이다. 이 콜렉터전류는 저항 R1에 의해 값이 결정된다. 따라서, 트랜지스터 Q3에서 트랜지스터 Q1으로 흐르는 전류는 트랜지스터 Q1의 바이어스를 결정한다.
본 실시예는 제1국부발진회로 OC1을 구성하는 디바이스(트랜지스터 Q1)로서, 종래보다 높은 이득 대역폭 적(gain-bandwidth product) fT(대역폭:7~10GHz)를 갖는 디바이스를 채용한다. 상기 구성에 따라, 본 실시예에서는 제1국부발진회로 OC1의 발진출력 커플링도체 L2의 출력단의 출력레벨을 +5dBm~+6dBm으로 한다. 또한, 트랜지스터 Q3로 구성되는 광대역증폭회로 BC1의 이득을 +10dB~+12dB로 한다. 따라서, 본 실시예는 출력레벨을 +15dBm이상으로 할 수 있어 종래예와 같은 레벨의 버퍼앰프출력을 얻을 수 있다.
특히, 본 실시예에서는 양 디바이스(트랜지스터 Q1과 트랜지스터 Q3) 모두 전류가 같게 되므로, 비교적 양호한 전류 신장도를 갖는 디바이스를 선정할 필요가 있다. 이 양호한 전류 신장도란 같은 fT(gain-bandwidth product)에 대해 hFE(직류전류 증폭율)이 크다는 것이다. 본 실시예에서는 양 디바이스(트랜지스터 Q1과 트랜지스터 Q3)를 10mA~20mA의 전류로 만족한 성능 및 안정도를 얻을 수 있는 디바이스로 한다.
상기 구성의 튜너는 하나의 트랜지스터 Q3로 구성되는 하나의 광대역증폭회로 BC1이 완충 증폭기를 구성한다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 증폭회로 2단으로 완충 증폭기를 구성하고 있는 종래예에 비해 회로구성을 간단히 할 수 있기 때문에, 코스트절감을 도모함과 동시에 회로동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 완충 증폭기를 구성하는 증폭회로를 1단으로 할 수 있기 때문에, 완충 증폭기에서 발생하는 국부노이즈를 감소시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제3도에 보인 바와 같이, 본 실시예에 의하면 국부발진주파수 fLO에서 fLO+100kHz까지의 진폭저하를 종래의 100dBc에서 110dBc로 개선할 수 있었다.
또한 본 실시예의 튜너는 버퍼앰프를 구성하는 광대역증폭회로 BC1의 트랜지스터 Q3와, 국부용 디바이스인 제1국부발진회로 OC1이 트랜지스터 Q1이 DC 직결형으로 되어 있다. 따라서, 본 실시예의 튜너에 의하면, 종래에 비해 소비전력을 절감할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 종래에 비해 소비전력을 40% 절감할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 종래예에 비해 상승온도를 5℃ 이상 감소시킬 수 있다. 보다 상세히 말하면, 제2도에 보인 바와 같이, 전원을 투입하여 60분 후의 튜너의 표면온도 T를 종래의 17℃에 비해 7℃ 낮은 10℃까지 저하시킬 수 있다. 따라서, 튜너의 온도변화를 억제할 수 있어 열충격 테스트에서 종래에 비해 솔더 크랙의 발생율을 대폭 감소시킴으로써 고신뢰도설계를 가능케 한다.
또한, 제1국부발진회로 OC1의 발진출력이 종래예보다 크기 때문에, 제1국부발진회로 OC1과 광대역증폭회로 BC1의 결합이 용이하게 되어 기생발진의 발생을 억제할 수 있다.
이상으로 부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 튜너는 완충 증폭기와 증폭회로 1단을 갖도록 구성되어 있기 때문에, 완충 증폭기가 증폭회로 2단으로 구성되어 있는 종래예에 비해 회로구성을 간단히 할 수 있다. 따라서, 코스트절감을 도모함과 동시에 회로동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 완충 증폭기를 구성하는 증폭회로를 1단으로 할 수 있기 때문에, 완충 증폭기에서 발생하는 국부 노이즈를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 튜너는 완충 증폭기와 국부발진부가 직류결합되어 있기 때문에, 종래예에 비해 소비전력을 절감시킬 수 있다. 따라서, 튜너의 온도변화를 억제할 수 있어 열충격에 의한 솔더 크랙의 발생율을 대폭 감소시킴으로써 고신뢰도설계를 가능케 한다.
또한, 본 실시예의 튜너는 국부발진부가 베이스접지형의 1/2파장 발진회로이기 때문에, 종래의 콜렉터접지방식에 비해 발진출력을 크게 할 수 있다. 따라서, 국부발진부와 완충 증폭기를 용이하게 결합시킬 수 있다. 따라서, 기생발진의 문제점을 억제할 수 있다.
당업자에 의하면 본 발명의 범위와 정신을 벗어나지 않고도 여러가지 다른 변형들이 가능할 것이다. 따라서, 청구범위는 본 명세서에 설명된 것에 한정되지 않고 보다 넓게 해석되어야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 국부발진신호를 혼합기로 출력하는 국부발진기(local oscillator)를 구비하는 튜너로서, 상기 국부발진기는 증폭회로 1단으로 구성되어 있는 완충 증폭부; 및 상기 완충 증폭부에 직류결합되어 있는 국부발진부(local oscillation section)로서, 상기 완충 증폭부의 1단의 증폭 단계가 에미터를 갖는 제1트랜지스터로 구성되고, 상기 국부발진부는 콜렉터를 갖는 제2트랜지스터를 더 포함하며, 상기 튜너는 상기 제1트랜지스터의 에미터와 상기 제2트랜지스터의 콜랙터를 접속하는 접속 분기점을 더 포함하여, 상기 직류 결합을 제공하는 국부발진부를 구비한 튜너.
  2. 제1항에 있어서, 상기 국부발진부는 베이스접지형의 1/2파장 발진회로를 갖는 것을 특징으로 하는 튜너.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접속 분기점은 댐핑저항을 포함하는 튜너.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터 각각은 베이스를 포함하고, 상기 튜너는 각 베이스에 대한 DC 베이스 전류를 바이어싱하기 위해, 레지스터 각 쌍을 더 포함하는 튜너.
  5. 제2항에 있어서, 상기 튜너는 상기 제2트랜지스터의 상기 콜렉터와 접지 사이에 접속된 국부발진 스트립 선로 도전체(stripline conductor)를 더 포함하는 튜너.
KR1019950014886A 1995-03-30 1995-06-03 소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너 KR0180932B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07072995A JP3142220B2 (ja) 1995-03-30 1995-03-30 チューナ
JP95-72995 1995-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960036299A KR960036299A (ko) 1996-10-28
KR0180932B1 true KR0180932B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=13505514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950014886A KR0180932B1 (ko) 1995-03-30 1995-06-03 소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5697095A (ko)
JP (1) JP3142220B2 (ko)
KR (1) KR0180932B1 (ko)
TW (1) TW275167B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108529A (en) * 1998-02-01 2000-08-22 Bae Systems Aerospace Electronics Inc. Radio system including FET mixer device and square-wave drive switching circuit and method therefor
JP2002271151A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Alps Electric Co Ltd 緩衝増幅器及び該緩衝増幅器を用いた電子回路ユニット
US7310505B2 (en) * 2003-09-09 2007-12-18 Zenith Electronics Corporation Attenuation control for tuners
JP4425886B2 (ja) * 2006-07-27 2010-03-03 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 電子回路装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3051932A (en) * 1958-09-12 1962-08-28 Foxboro Co Electrically operated apparatus for remote measuring
US3107331A (en) * 1961-03-30 1963-10-15 Westinghouse Electric Corp Monolithic semiconductor mixer apparatus with positive feedback
BE788482A (nl) * 1971-09-07 1973-03-07 P Wolf Werkwijze en inrichting ter vermindering van stoorsignalen bij overdracht bij laagfrequentsignalen in, in de tijd, gecomprimeerde vorm
JPH0638567B2 (ja) * 1985-02-08 1994-05-18 株式会社日立製作所 周波数変換器
US4928314A (en) * 1989-01-27 1990-05-22 Motorola, Inc. Heterodyne stage having precise closed-loop control of the amplitude of the injection signal thereof
US5107228A (en) * 1991-09-30 1992-04-21 Motorola, Inc. Voltage controlled oscillator employing negative resistance
JPH07235874A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Sony Corp 発振器、それを用いたシンセサイザチューナ回路及びａｍ同期検波回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR960036299A (ko) 1996-10-28
JPH08274675A (ja) 1996-10-18
TW275167B (en) 1996-05-01
JP3142220B2 (ja) 2001-03-07
US5697095A (en) 1997-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6023192A (en) Dual gain amplifier circuit
US5339048A (en) Radio frequency amplifier
US4668882A (en) Radio frequency signal variable attenuation circuit
US4464636A (en) Wideband IF amplifier with complementary GaAs FET-bipolar transistor combination
EP0166626B1 (en) Frequency conversion apparatus
KR0180932B1 (ko) 소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너
US5451906A (en) Circuit for compensating an amplifier
US6005441A (en) Amplifying circuit
US3949306A (en) High frequency amplifier with frequency conversion
US5003620A (en) Tuner circuit and receiving band change-over circuit with a push-pull amplifier
US7030937B2 (en) Simplified TV tuner intermediate frequency circuit
US4797638A (en) Oscillator including a transistor used both as constant current source and amplifier
US6944431B2 (en) High-frequency signal transmission apparatus and electronic tuner using the same
JP2004072451A (ja) 電子チューナ
JP4252415B2 (ja) ミキサ回路及びチューナ
US6678013B2 (en) Intermediate frequency circuit of digital television tuner having flat transmission characteristic in intermediate frequency band
JPH1084230A (ja) 増幅器、光受信回路および回路装置
US5442323A (en) Broad-band power amplifier
JP3106513B2 (ja) 電子同調式チューナ
KR101056127B1 (ko) 수신 대역 내에 선형 보상을 포함하는 수신기
JPH051132Y2 (ko)
KR890004653Y1 (ko) 유선텔레비젼 튜너의 중간주파수 회로
JP2002232241A (ja) プリディストーション回路
KR930004660Y1 (ko) 슈퍼 헤테로다인 수신회로
JPS63107311A (ja) 可変周波数発振装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081126

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee