KR20050053076A - 반도체 기판의 박막 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 반도체 기판 상에 박막을 증착하거나 식각하는 박막제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 기판의 박막제조장치는 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서, 상기 반도체 기판이 놓이는 웨이퍼블록 하부에 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 하부전극; 및 상기 하부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 RF 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 기판 중심부와 외곽부의 플라즈마 밀도 내지는 플라즈마 내에 존재하는 이온 에너지 세기의 비를 조정하여 반도체 기판 중심부와 외곽부의 식각 속도 내지는 박막증착 균일도를 좋게 할 수 있다.

Description

반도체 기판의 박막 제조장치{A thin-film manufacture apparatus of semiconductor substrate}
본 발명은 화학반응에 기초한 반도체 기판의 박막 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 반도체 기판의 박막을 증착 또는 식각하는 반도체 기판의 박막 제조장치에 관한 것이다.
회로소자의 초미세화와 함께 장치의 대구경화(300mm)를 지향함에 따라 특히 플라즈마를 반도체 기판 상에 발생시키는 매엽식 장치에 있어선 반도체 기판 내에서의 박막순도, 조성비, 두께 균일도, 스텝커버리지의 균일도 조정이 가장 큰 관심사가 되고 있다.
대체적으로 매엽식 반도체 기판처리 장치에 있어서 외곽부의 반도체 기판 온도가 중심부보다 낮아 온도차이에 따라 기판 중심부와 기판 외곽부의 플라즈마 반응정도가 달라지는 문제점이 있어, 이를 보상하고자 장치 메이커들 중 일부는 투 존 히터를 채용하기도 하는 등, 플라즈마를 이용한 박막처리장치에 있어서도 반도체 기판 중심부와 외곽부의 두께 균일도, 스텝커버리지 균일도, 막질 균일도의 유지는 가장 중요한 요소이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 기판 중심부와 외곽부의 플라즈마 밀도 내지는 플라즈마 내에 존재하는 이온 에너지 세기의 비를 조정하여 반도체 기판 중심부와 외곽부의 식각 속도 내지는 박막증착 균일도를 더 좋게 할 수 있는 반도체 기판의 박막 제조장치를 제공한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 반도체 기판의 박막 제조장치는 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서, 상기 반도체 기판이 놓이는 웨이퍼블록 하부에 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 하부전극; 및 상기 하부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 RF 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 반도체 기판의 박막 제조장치는 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서, 상기 반도체 기판 상부에 위치하여 상기 플라즈마를 상기 반도체 기판에 분사하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드 상부에 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 상부전극; 및 상기 상부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 RF 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 반도체 기판의 박막 제조장치는 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서, 상기 반도체 기판 상부에 위치하여 RF바이어스 전원에 의해 RF바이어스가 인가되며, 가스라인으로부터 공급되는 플라즈마를 상기 반도체 기판에 분사하는 샤워헤드; 상기 반도체 기판이 놓이는 웨이퍼블록 내부에 위치하며, 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 하부전극; 및 상기 하부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 접지바이어스 전원에 의해 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 기판의 박막 제조장치의 일실시예를 도시한 것이다.
제1 RF 코일(101)과 제2 RF 코일(102)에 의해 유도된 플라즈마가 반도체 기판(110)에 증착되는데, 이 때 반도체 기판(110)에 증착되는 플라즈마(119)는 중앙영역과 가장자리영역의 두께가 균일하게 증착된다.
상기 플라즈마(119)의 중앙영역과 가장자리영역의 두께가 균일하게 반도체 기판(110)에 증착되는 과정은 다음과 같이 설명된다.
반도체 기판(110)이 안착되는 하부전극(130)에 바이어스 스프리터(140)를 장착하여 RF 바이어스를 인가할 때 상기 RF바이어스를 중앙 바이어스 영역(131)과 가장자리 바이어스 영역(132)으로 나누어 인가한다.
즉, 하부전극(130)을 중앙 바이어스 영역(131)과 가장자리 바이어스 영역(132)으로 구성하여 상기 중앙 바이어스 영역(131)과 가장자리 바이어스 영역(132)의 RF바이어스의 세기를 조정하는 바이어스 스프리터(140)를 이용하여 플라즈마(119)의 중앙영역 이온에너지 세기와 가장자리영역 이온에너지 세기를 조절함으로써 상기 플라즈마(119)를 이용한 박막증착 또는 박막식각의 균일도를 좋게 하는 것이다.
이때, 상기 RF바이어스의 중앙 바이어스 영역(131)과 가장자리 바이어스 영역(132)은 서로 겹치지 않게 설정하며, 가장자리 바이어스 영역(132)과 플라즈마(119) 사이의 이온에너지 조절을 위한 임피던스 Z1과 중앙 바이어스 영역(131)과 플라즈마(119) 사이의 이온에너지 조절을 위한 임피던스 Z2의 합은 일정한 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 스프리터(140)는 중앙 바이어스 영역(131)과 연결된 튜닝 가능한 로드(load) 임피던스 Z2와 가장자리 바이어스 영역(132)과 연결된 튜닝 가능한 로드(load) 임피던스 Z1로 이루어지며 상기 Z1과 Z2는 상기 RF전원 내지 접지 바이어스에 대하여 병렬 연결된다.
도 2는 도 1의 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 일실시예에 대한 주요구성의 일부분을 사시도로 도시한 것이다.
반도체 기판(110)은 웨이퍼블록(120) 위에 위치하며 하부전극(130)은 웨이퍼블록(120) 아래에서 원형으로 이루어진다.
하부전극(130)은 중앙 바이어스 영역(131)과 가장자리 바이어스 영역(132)은 서로 겹치지 않게 설정되며, 중앙 바이어스 영역(131)은 임피던스 Z2와 연결되며, 가장자리 바이어스 영역(132)은 임피던스 Z1과 연결된다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 다른 일실시예에 대한 단면도를 도시한 것이다.
도 3에 따르면, 공정가스인 플라즈마(119)를 분사하는 샤워헤드(350)위에 중앙영역과 가장자리영역의 플라즈마(119)의 양 또는 플라즈마(119)의 이온에너지를 제어하기 위한 상부전극(330)이 위치하고 RF바이어스 전원(300) 및 바이어스 스프리터(340)가 상부전극(330)에 연결된다.
상기 샤워헤드(350)위에 장착된 상부전극(330)에 바이어스 스프리터(340)를 장착하여 RF 바이어스를 인가할 때 상기 RF바이어스를 중앙 바이어스 영역(331)과 가장자리 바이어스 영역(332)으로 나누어 인가한다.
즉, 상부전극(330)을 샤워헤드(350)위에 중앙 바이어스 영역(331)과 가장자리 바이어스 영역(332)으로 나누어 구성하고, RF바이어스의 세기를 조정하는 바이어스 스프리터(340)를 이용하여 플라즈마(119)의 중앙영역 이온에너지 세기와 가장자리영역 이온에너지 세기를 조절가능하게 함으로써 상기 반도체 기판의 박막 증착 또는 식각의 균일도 및 박막의 질을 향상시키는 것이다.
이때, 상기 중앙 바이어스 영역(331)과 가장자리 바이어스 영역(332)은 서로 겹치지 않게 설정하며, 상기 바이어스 영역은 원형으로 형성된다.
또한, 상기 바이어스 스프리터(340)는 중앙 바이어스 영역(331)과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z1과 가장자리 바이어스 영역(332)과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z2로 이루어지며 상기 임피던스 Z1과 Z2는 상기 RF전원 바이어스에 대하여 병렬 연결된다.
즉, 상기 임피던스 Z1과 Z2를 조절하여 상기 플라즈마(119)의 중앙영역 이온에너지 세기와 가장자리영역 이온에너지 세기를 서로 달리 제어 가능하게 함으로써 상기 반도체 기판의 중앙영역과 가장자리영역에 형성되는 박막이나 식각의 균일도를 향상시키는 것이다.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 또 다른 일실시예에 대한 단면도를 도시한 것이다.
접지 바이어스 전원(400) 및 바이어스 스프리터(440)가 반도체 기판(410) 하부의 웨이퍼 블록(420)에 인가되며, 반도체 기판(410) 상부에는 RF바이어스(460)가 인가되며 공정가스를 분사하는 샤워헤드(450)가 위치한다.
반도체 기판(410) 하부의 웨이퍼 블록(420) 내부의 하부전극(430)에 바이어스 스프리터(440)를 연결하여 접지 바이어스를 인가할 때 상기 접지 바이어스를 중앙 바이어스 영역(431)과 가장자리 바이어스 영역(432)으로 나누어 인가한다.
즉, 플라즈마(119)의 중앙영역과 가장자리 영역에 하부전극(430)을 별도로 구성하고, 접지 바이어스의 세기를 조정하는 바이어스 스프리터(440)를 이용하여 플라즈마(119)의 중앙영역 이온에너지 세기와 가장자리영역 이온에너지 세기를 조절하여 상기 플라즈마(119)를 이용한 박막증착 또는 박막식각의 균일도와 박막의 질을 향상시키는 것이다.
이때, 상기 접지 바이어스의 중앙 바이어스 영역(431)과 가장자리 바이어스 영역(432)은 서로 겹치지 않게 설정하며, 상기 접지 바이어스 영역은 원형으로 이루어진다.
또한, 상기 바이어스 스프리터(440)는 중앙 바이어스 영역(431)과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z1과 가장자리 바이어스 영역(432)과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z2로 이루어지며 상기 임피던스 Z1과 Z2는 상기 접지 바이어스에 대하여 병렬 연결된다.
즉, 상기 임피던스 Z1과 Z2를 조절하여 상기 플라즈마(119)의 중앙영역 이온에너지 세기와 가장자리영역 이온에너지 세기를 제어함으로써 상기 반도체 기판 상의 박막증착 또는 박막식각의 균일도와 박막의 질을 향상시키는 것이다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체 기판 중심부와 외곽부의 플라즈마 밀도 내지는 플라즈마 내에 존재하는 이온 에너지 세기의 비를 조정하여 반도체 기판 중심부와 외곽부의 식각 속도 내지는 박막증착 균일도를 더 좋게 할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 일실시예에 대한 단면도를 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 일실시예에 대한 주요구성의 일부분을 사시도로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 다른 일실시예에 대한 단면도를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 기판 박막 제조장치의 또 다른 일실시예에 대한 단면도를 도시한 것이다.

Claims (10)

  1. 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서,
    상기 반도체 기판이 놓이는 웨이퍼블록 하부에 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 하부전극; 및
    상기 하부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 RF 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역은
    서로 겹치지 않고, 상기 바이어스 영역이 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 스프리터는
    상기 중앙 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z2와 상기 가장자리 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z1으로 이루어지며 상기 Z1과 Z2는 상기 RF바이어스전원에 대하여 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 기판 상부에는 RF코일(coil)들에 의하여 플라즈마가 형성됨을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  5. 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서,
    상기 반도체 기판 상부에 위치하여 상기 플라즈마를 상기 반도체 기판에 분사하는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드 상부에 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 상부전극; 및
    상기 상부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 RF 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역은
    서로 겹치지 않고, 상기 바이어스 영역이 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 바이어스 스프리터는
    상기 중앙 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z1과 상기 가장자리 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z2로 이루어지며 상기 Z1과 Z2는 상기 RF바이어스전원에 대하여 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  8. 화학반응과 전기적 에너지를 이용하여 반도체 기판 상에 플라즈마를 발생시켜 박막을 증착하거나 식각하는 매엽식 박막제조장치에 있어서,
    상기 반도체 기판 상부에 위치하여 RF바이어스 전원에 의해 RF바이어스가 인가되며, 가스라인으로부터 공급되는 플라즈마를 상기 반도체 기판에 분사하는 샤워헤드;
    상기 반도체 기판이 놓이는 웨이퍼블록 내부에 위치하며, 중앙바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역을 구비하는 하부전극; 및
    상기 하부전극에 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역으로 나누어 접지바이어스 전원에 의해 바이어스의 세기를 조정하여 인가하는 바이어스 스프리터;를 포함함을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 중앙 바이어스 영역과 가장자리 바이어스 영역은
    서로 겹치지 않고, 상기 바이어스 영역이 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 바이어스 스프리터는
    상기 중앙 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z1과 상기 가장자리 바이어스 영역과 연결된 튜닝 가능한 임피던스 Z2로 이루어지며 상기 Z1과 Z2는 상기 접지바이어스 전원에 대하여 병렬 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 박막 제조장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009117173A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Tunable ground planes in plasma chambers
US10790121B2 (en) 2017-04-07 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Plasma density control on substrate edge

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10326772A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Ricoh Co Ltd ドライエッチング装置
KR20000001982A (ko) * 1998-06-16 2000-01-15 김영환 반도체 웨이퍼 식각장비의 듀얼바이어스정전척
JP2000183038A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000195851A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Nec Corp プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法
KR20020011761A (ko) * 2000-08-04 2002-02-09 윤종용 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10326772A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Ricoh Co Ltd ドライエッチング装置
KR20000001982A (ko) * 1998-06-16 2000-01-15 김영환 반도체 웨이퍼 식각장비의 듀얼바이어스정전척
JP2000183038A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000195851A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Nec Corp プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法
KR20020011761A (ko) * 2000-08-04 2002-02-09 윤종용 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009117173A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Tunable ground planes in plasma chambers
CN101978474B (zh) * 2008-03-20 2013-11-13 应用材料公司 等离子体室中的可调式接地平面
CN103594340A (zh) * 2008-03-20 2014-02-19 应用材料公司 等离子体室中的可调式接地平面
TWI508632B (zh) * 2008-03-20 2015-11-11 Applied Materials Inc 電漿室中的可調式接地平面
US10774423B2 (en) 2008-03-20 2020-09-15 Applied Materials, Inc. Tunable ground planes in plasma chambers
US10790121B2 (en) 2017-04-07 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Plasma density control on substrate edge
US11495440B2 (en) 2017-04-07 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Plasma density control on substrate edge

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