KR20050044487A - 금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체 - Google Patents

금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20050044487A
KR20050044487A KR1020047007436A KR20047007436A KR20050044487A KR 20050044487 A KR20050044487 A KR 20050044487A KR 1020047007436 A KR1020047007436 A KR 1020047007436A KR 20047007436 A KR20047007436 A KR 20047007436A KR 20050044487 A KR20050044487 A KR 20050044487A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
independently
recording
layer
alkyl
Prior art date
Application number
KR1020047007436A
Other languages
English (en)
Inventor
모튼콜린
유새프타허
부드리잔-루크
슈미드할터베아트
스파니하인츠
Original Assignee
시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. filed Critical 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크.
Publication of KR20050044487A publication Critical patent/KR20050044487A/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

본 발명은 기재 및 기록 층을 포함하고, 기록 층이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물을 포함하는 광학 기록 매체에 관한 것이다.
화학식 Ia
화학식 Ib
화학식 Ic
위의 화학식 Ia 내지 Ic에서,
Q2-는 화학식 의 리간드 또는 이의 토우토머이고,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 시아노, COOR9, CONHR9, CONR9R10, R9, OR9, SR9, NHR9 또는 NR9R10(여기서, R9 및 R10 은 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C24 사이클로알킬, C2 -C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C12 헤테로사이클로알킬, C1 -C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이다)이고, R1 및 R2 , R3 및 R4, R5 및 R6, 및 R7 및 R8은 서로 독립적으로 직접 결합 또는 브릿지 O 또는 S를 통해 결합될 수 있고,
Mm+은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온이고,
L1은 서브-구조 N-C, P-C 또는 As-C를 갖는 리간드이고,
L2는 L1과 독립적으로 하나 이상의 헤테로 원자 N, P, As, O, S, Se 또는 Te를 함유하는 추가의 리간드이고,
L3 -은 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO- , N3 -, L1-O-, L1-S-, L1 -CO2 -, L1-SO3 - 또는 L1-PO3 -이고,
L4 -는 L3 -과 독립적으로 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO-, N3 -, L3-O- , L3-S-, L3-CO2 -, L3-SO3 - 또는 L3-PO3 -이고,
p 및 q는 서로 독립적으로 0 또는 1의 수이고,
, 및 은 각각 카운터 이온이고,
m은 Mm+에서 양전하와 동일한 1, 2, 3 또는 4의 수이고,
n은 -2, -1, +1 또는 +2의 수이어서, , 또는 이 음수가 아니다.
우수한 광학 특성을 갖는 무정형 고체 층이 수득된다.

Description

금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체{Writable high-capacity optical storage media containing metal complexes}
본 발명의 분야는 1회 기록(write once) 저장 매체 상에 정보의 광학 저장이며, 정보 마크는 기록 및 비-기록 부위에서 착색제의 상이한 광학 특성에 의해 구별된다. 이러한 기술은 통상 "WORM"(예: "CD-R" 또는 "DVD-R")이라 하며, 이들 용어가 본 명세서에서 계속 유지된다.
770 내지 830nm의 파장에서 기록 가능한 콤팩트 디스크는 문헌[참조: "Optical Data Storage 1989", Technical Digest Series, Vol. 1, 45(1989)]에 공지되어 있고, 이의 많은 상이한 변형은 시판되고 있다. 그러나, 600 내지 700nm의 범위에서 방출되는 보다 최근의 콤팩트 고성능 적색 다이오드 레이저를 사용하여, 대체로 데이타 패킹 밀도를 5 내지 8배 개선시킬 수 있으며, 트랙 피치(정보 트랙의 2개의 턴 사이의 거리) 및 비트의 크기는 통상의 CD와 비교하여 대략 1/2 값으로 감소될 수 있다.
그러나, 청색 레이저와 비교하여 CD-R 내지 DVD-R 및 추가로 광학 매체의 이러한 고도의 바람직한 방출은 이례적으로 사용되는 기록 층에 높은 요구 사항, 예를 들면, 높은 굴절률, 상이한 길이 펄스 지속에서 스크립트 폭의 균일성 및 또한 일광에서의 높은 광 안정성과 동시에 고에너지 레이저 방사선에 대한 높은 감도를 강요한다. 공지된 기록 층은 이들 특성을 완전히 만족스러운 정도로 지니지 못한다.
옥타페닐-포르피라진 및 냉 유기 용매에서의 이들의 적용 가능한 용해도를 제외하고는 프탈로시아닌에 대한 이들의 화학 특성의 유사성은 문헌[참조: A. H. Cook and R. P. Linstead (J. Chem. Soc. 1937, 929-933)]에 기술되어 있다.
미국 특허 제5 998 093호에는 광학 기록 매체에서 포르피라진의 용도가 기술되어 있다. 그러나, 주위 라디칼 중의 하나 이상이 할로겐, 시아노 또는 치환되지 않거나 치환된 알콕시일 필요가 있다. 또한, 우수한 기록 및 재생 특성은 이들의 보다 낮은 분해 온도로 Pd, Ni, Co, Pt, Cu, Zn 또는 V(=O)를 사용하여야만 수득된다. 지시된 몇몇 구조는 메틸사이클로헥산, 2-메톡시에탄올, 에틸 메틸 케톤 및 테트라하이드로푸란의 용액으로부터 홈이 있는 폴리카보네이트 디스크상에 피복되나, 이의 양은 제공되어 있지 않으며, 및 을 포함하는 635nm의 레이저를 사용하여 기록된다.
국제 공개공보 제WO 01/47719호의 비교 실시예 A-1 내지 A-3은 테트라-3급-부틸-테트라아자팔라듐(II) 포르필린 및 광학 저장 매체에서 이의 용도가 기술되어 있다. Pd(II)은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 8개의 전자(d8)의 전이 금속 양이온이다.
일본 공개특허공보 제2001/287460호에는 광학 저장 매체에서 축 배위 N-함유 방향족 헤테로사이클을 갖는 디아자-포르피린의 용도가 기술되어 있다. 만족스러한 순도로 화합물의 제조를 가능하게 하는 합성 실시예는 제공되어 있지 않다. 피트는 ≥40db의 C/N 비로 기록 및 판독될 수 있으나, 광학 기록에 대한 실제 사용 특성(예: 지터 또는 Pl 섬 8)은 여전히 완전히 만족스럽지 않다.
유럽 공개특허공보 제1 189 218호 및 일본 공개특허공보 제2002/192834호에는 본 발명의 우선일 이후에 공개된 보다 가까운 특허원이다.
그러나, 특히 고체 형태의 공지된 화합물의 특성이 목적하는 것, 예를 들면, 냉 용해도, 결정화 경향 및 흡수 밴드의 높이 및 구배를 방치하였음을 나타낸다.
본 발명의 목적은 광학 기록 매체를 제공하기 위한 것이며, 기록 층은 우수한 기타 특성과 배합된 높은 저장 용량을 갖는다. 기록 매체는 300 내지 700nm의 동일한 파장(바람직하게는 350 내지 500nm 또는 600 내지 700nm, 특히 350 내지 450nm 또는 630 내지 690nm)에서 적은 오류로 고속으로 기록 가능하고 판독 가능해야 한다.
매우 놀랍게도, 기록 층으로서 특정 포르피라진을 사용하여 지금까지 공지된 기록 매체에 비해 몹시 우수한 특성을 갖는 광학 기록 매체를 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명은 기재 및 기록 층을 포함하고, 기록 층이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물을 포함하는 광학 기록 매체에 관한 것이다.
위의 화학식 Ia 내지 Ic에서,
Q2-는 화학식 의 리간드 또는 이의 토우토머이고,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 시아노, COOR9, CONHR9, CONR9R10, R9, OR9, SR9, NHR9 또는 NR9R10(여기서, R9 및 R10 은 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C24 사이클로알킬, C2 -C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C12 헤테로사이클로알킬, C1 -C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이다)이고, R1 및 R2 , R3 및 R4, R5 및 R6, 및 R7 및 R8은 서로 독립적으로 직접 결합 또는 브릿지 O 또는 S를 통해 결합될 수 있고,
Mm+은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온이고,
L1은 서브-구조 N-C, P-C 또는 As-C를 갖는 리간드이고,
L2는 L1과 독립적으로 하나 이상의 헤테로 원자 N, P, As, O, S, Se 또는 Te를 함유하는 추가의 리간드이고,
L3 -은 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO- , N3 -, L1-O-, L1-S-, L1 -CO2 -, L1-SO3 - 또는 L1-PO3 -이고,
L4 -는 L3 -과 독립적으로 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO-, N3 -, L3-O- , L3-S-, L3-CO2 -, L3-SO3 - 또는 L3-PO3 -이고,
p 및 q는 서로 독립적으로 0 또는 1의 수이고,
, 및 은 각각 카운터 이온이고,
m은 Mm+에서 양전하와 동일한 1, 2, 3 또는 4의 수이고,
n은 -2, -1, +1 또는 +2의 수이어서, , 또는 이 음수가 아니다.
R9 및 R10의 치환체는 목적하는 치환체, 예를 들면, 할로겐, 하이드록시, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, C1-C8 알킬티오, 시아노, COOR11 또는 P(O)OR11R12일 수 있고, R11 및 R12는 서로 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C12 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬, C6-C10 아릴 또는 C4-C9 헤테로아릴이다. 이들 치환체는 그 자체가 예를 들면, 할로겐, 하이드록시, 포르밀, C1-C12 알콕시, C1-C12 알콕시카보닐, C1-C12 알킬아미노 또는 디(C1-C12 알킬)아미노에 의해 치환될 수 있다. 본 명세서에서 기술된 모든 치환체는 R9 또는 R10으로서 고려된다.
화학식 Ia, Ib 및 Ic의 착물은 배위 금속 착물이다.
가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온은 종종 교과서에서 "d5" 또는 "d6" 양이온으로 나타내며, 예를 들면, Mn+, Mn2+, Fe2+, Fe3+, Co3+, Co4+, Ru2+, Ru3+, Os2+, Os3+ 및 Rh4+이다. 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 6개의 전자("d6")를 갖는 전이 금속 양이온, 특히 Fe2+ 또는 Co 3+, 보다 특히 Fe2+가 바람직하다.
알킬, 알케닐 또는 알키닐은 직쇄 또는 측쇄일 수 있다. 알케닐은 일불포화 또는 다불포화된 알킬이며, 2개 이상의 이중 결합은 분리되거나 공액될 수 있다. 알키닐은 1회 이상 이중 불포화된 알킬 또는 알케닐이며, 삼중 결합은 분리되거나 서로 또는 이중 결합과 공액될 수 있다. 사이클로알킬 또는 사이클로알케닐은 각각 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 알킬 또는 알케닐이다.
따라서, C1-C24 알킬은 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급-부틸, 이소부틸, 3급-부틸, 2-메틸-부틸, n-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2,2-디메틸프로필, n-헥실, 헵틸, n-옥틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실, 노나데실, 에이코실, 헨에이코실, 도코실 또는 테트라코실이다.
따라서, C3-C24 사이클로알킬은 예를 들면, 사이클로프로필, 사이클로프로필-메틸, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헥실-메틸, 트리메틸사이클로헥실, 투질, 노르보르닐, 보르닐, 노르카릴, 카릴, 멘틸, 노르피닐, 피닐, 1-아다만틸, 2-아다만틸, 5α-고닐, 5ξ-프레그닐, (+) 1,3,3-트리메틸비사이클로[2.2.1]헵틸(펜킬) 또는 경우에 따라 이의 광학 대장체이다.
C2-C24 알케닐은 예를 들면, 비닐, 알릴, 2-프로펜-2-일, 2-부텐-1-일, 3-부텐-1-일, 1,3-부타디엔-2-일, 2-펜텐-1-일, 3-펜텐-2-일, 2-메틸-1-부텐-3-일, 2-메틸-3-부텐-2-일, 3-메틸-2-부텐-1-일, 1,4-펜타디엔-3-일 또는 헥세닐, 옥테닐, 노네실, 데세닐, 도데세닐, 테트라데세닐, 헥사데세닐, 옥타데세닐, 에이코세닐, 헨에이코세닐, 도코세닐, 테트라코세닐, 헥사디에닐, 옥타디에닐, 노나디에닐, 데카디에닐, 도데카디에닐, 테트라데카디에닐, 헥사데카디에닐, 옥타데카디에닐 또는 에이코사디에닐의 목적하는 이성체이다.
C3-C24 사이클로알케닐은 예를 들면, 2-사이클로부텐-1-일, 2-사이클로펜텐-1-일, 2-사이클로헥센-1-일, 3-사이클로헥센-1-일, 2,4-사이클로헥사디엔-1-일, 1-p-멘텐-8-일, 4(10)-투젠-10-일, 2-노르보르넨-1-일, 2,5-노르보르나디엔-1-일, 7,7-디메틸-2,4-노르카라디엔-3-일 또는 캄페닐이다.
C1-C24 알콕시는 O-C1-C24 알킬이고, C1-C24 알킬티오는 S-C1-C24 알킬이다.
C2-C24 알키닐은 예를 들면, 1-프로핀-3-일, 1-부틴-4-일, 1-펜틴-5-일, 2-메틸-3-부틴-2-일, 1,4-펜타디인-3-일, 1,3-펜타디인-5-일, 1-헥신-6-일, 시스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 트란스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 1,3-헥사디인-5-일, 1-옥틴-8-일, 1-노닌-9-일, 1-데신-10-일 또는 1-테트라코신-24-일이다.
C7-C24 아르알킬은 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, 9-플루오레닐, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω-페닐-옥틸, ω-페닐-도데실 또는 3-메틸-5-(1',1',3',3'-테트라메틸-부틸)-벤질이다. C7-C24 아르알킬은 또한 예를 들면, 2,4,6-트리-3급-부틸-벤질 또는 1-(3,5-디벤질-페닐)-3-메틸-2-프로필이다. C7-C24 아르알킬이 치환된 경우, 아르알킬 그룹의 알킬 잔기 또는 아릴 잔기가 치환될 수 있으며, 후자가 바람직하다.
C6-C24 아릴은 예를 들면, 페닐, 나프틸, 비페닐릴, 2-플루오레닐, 펜안트릴, 안트라세닐 또는 테르페닐릴이다.
또한, 아릴 및 아르알킬은 예를 들면 그 자체가 공지된 전이 금속의 메탈로센의 형태로 금속에 결합된 방향족 그룹, 보다 특히 , , 또는 일 수 있고, R13은 CH2OH, CH2OR11, COOH, COOR11 또는 COO-이다.
C4-C12 헤테로아릴은 4n+2 공액 π-전자를 갖는 불포화 또는 방향족 라디칼, 예를 들면, 2-티에닐, 2-푸릴, 1-피라졸릴, 2-피리딜, 2-티아졸릴, 2-옥사졸릴, 2-이미다졸릴, 이소티아졸릴, 트리아졸릴 또는 티오펜, 푸란, 피리딘, 티아졸, 옥사졸, 이미다졸, 이소티아졸, 티아디아졸, 트리아졸, 피리딘 및 벤젠 환으로 이루어지고 1 내지 6개의 에틸, 메틸, 에틸렌 및/또는 메틸렌 치환체에 의해 치환되거나 치환되지 않은 기타 환 시스템이다.
C1-C12 헤테로사이클로알킬 또는 C1-C12 헤테로사이클로알케닐은 불포화 또는 부분 불포화 환 시스템 라디칼, 예를 들면, 테트라졸릴, 피롤리딜, 피페리딜, 피페라지닐, 이미다졸리닐, 피라졸리디닐, 피라졸리닐, 모르폴리닐, 퀴누클리디닐 또는 단일- 또는 다-수소화된 또 다른 C4-C12 헤테로아릴이다.
할로겐은 염소, 브롬, 불소 또는 요오드, 바람직하게는 염소 또는 브롬이다.
R1 내지 R7은 바람직하게는 페닐 또는 나프틸, 특히 페닐이다. R8은 바람직하게는 페닐 또는 나프틸, 특히 페닐이다. R1 내지 R8은 바람직하게는 할로겐, 하이드록시, 니트로, Z1, OZ1, SZ1, NHZ1, NZ1Z2 , CHO, CHOZ1OZ2, CHNZ1, CO2H, CO2Z1 , CONHZ1, CONZ1Z2, SO2Z1, SO2NHZ1 , SO2NZ1Z2, SO3Z1, P(O)OZ1OZ 2, O-P(O)OZ1OZ2, C1-C6 알킬렌-OH 또는 C1-C8 알킬렌-OZ1에 의해 1 내지 3회 치환되거나 치환되지 않고, Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 1 내지 3개의 산소 및/또는 규소원자에 의해 차단되거나 차단되지 않은 C1-C24 알킬이고, Z1 및 Z2는 치환되지 않거나 부분적으로 플루오르화 또는 퍼플루오르화되거나 1 또는 2개의 하이드록시 치환체 또는 메탈로세닐 라디칼에 의해 치환된다. Z1 및 Z2는 특히 C1-C8 알킬, CH2-CH 2-OH, -CH2-O-CH3, -CH2-O(CH2)7-CH3, -CH2-CH2-O-CH2-CH3, -CH2-CH(OCH 3)2, -CH2-CH2-CH(OCH3)2, -CH2 -C(OCH3)2-CH3, -CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH3, -(CH2)3 -OH, -(CH2)6-OH, -(CH2)7-OH, -(CH2)8 -OH, -(CH2)9-OH, -(CH2)10-OH, -(CH2)11-OH, -(CH2)12-OH, -CH2-Si(CH3)3, -CH2-CH2-O-Si(CH3) 2-C(CH3)3, -(CH2)3-O-Si(CH3)2-C(CH3 )3, -(CH2)4-O-Si(C6H5)2-C(CH 3)3, -(CH2)5-O-Si(CH(CH3)2)3, -CH2-CH2-CH(CH3)-CH 2-CH2-CH(OH)-C(CH3)2-OH, -CH2-CH(CH3)-CH 2-OH, -CH2-C(CH3)2-CH2-OH, -CH2-C(CH2-OH) 3, -CH2-CH(OH)-CH3, -CH2-CH(OH)-CH2-OH, , , , , , , , , , , , C2-C8 알킬렌-O-CO-D, C2-C8 알킬렌-COO-D 또는 C2-C8 알킬렌-N=CH-D(여기서, D는 , , 또는 이고, R13은 CH2OH, CH2OR11, COOH, COOR11 또는 COO-이고, R14는 각각 1 내지 3개의 산소 및/또는 규소원자에 의해 차단되거나 차단되지 않은 C1-C24 알킬, C2-C24 알케닐 또는 C2 -C24 알키닐, 또는 C3-C34 사이클로알킬, C3-C24 사이클로알케닐, C7-C24 아르알킬, C6 -C24 아릴, C4-C12 헤테로아릴 또는 C1-C12 헤테로사이클로알킬이다)이다.
메탈로세닐 라디칼은 바람직하게는 금속으로서 Ni, Co, Cu 또는 특히 Fe를 함유한다.
C6-C24 아릴로서 R14의 예는 화학식 , , , , 및 의 메탈로세닐 라디칼이다.
리간드 Q2-, L1, L3 - 및 경우에 따라 금속 Mm+ 주위의 L2 및 L4 -의 기하학은 균일한 결정 격자의 형성이 바람직하지 않으므로 그 자체가 관련있지 않다. 광학 기록 매체의 피복에서, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물은 바람직하게는 무정형 형태로 수득되며, 이의 구조는 연구할 수 없다. 용매의 빠른 증발로 모든 가능한 위치 이성체가 서로 고체로 동결되고, L1, L3 - 및 경우에 따라 L2 및 L4 -가 Q2-에 대하여 안티(anti) 또는 신(syn)으로 위치할 수 있다.
L2 및 L4 -은 리간드, 예를 들면, 국제 공개공보 제WO 96/24629호에 기술된 리간드이다. 이들은 종종 유리 배위 부위에서 리간드 Q2- 및 L1 또는 L3 -을 보충하는 헤테로 원자 함유 용매이다. 이들의 숫자는 전이 금속, 이의 산화 수 및 특히 L1 또는 L3 -의 성질에 의존한다. 그러나, 바람직하게는, 경우에 따라, L2는 L1과 독립적으로 추가의 리간드 L1이고 L4 -는 L3-과 독립적으로 추가의 리간드 L3-이다. 특히, p 및 q는 1이고, L1은 L2와 동일하고, L3 -은 L4 -와 동일하다.
L1은 서브-구조 N-C 또는 P-C를 함유하며, 단일 또는 바람직하게는 이중 불포화되거나 포화 또는 바람직하게는 불포화 환의 일부일 수 있다.
헤테로사이클릭 리간드 L1의 예는 각각 치환되지 않거나 R9에 의해 치환될 수 있는 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌, 이소인돌, 이돌리진, 인다졸, 푸린, 퀴놀리진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 1,8-나프티리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 카바졸, β-카볼린, 아크리딘, 펜안트리딘, 페리미딘, 1,7-펜안트롤린, 펜아진, 펜아르사진, 페노티아진, 페녹사진, 옥사졸, 이속사졸, 포스핀돌, 티아졸, 이소티아졸, 푸라잔, 피롤리딘, 피페리딘, 2-피롤린, 3-피롤린, 이미다졸리딘, 2-이미다졸린, 4-이미다졸린, 피라졸리딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, 피페리딘, 피페라진, 인돌린, 이소인돌린, 퀴누클리딘, 모르폴린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 포스피놀린 및 포스핀돌린이다.
그러나, 바람직한 리간드 L1은 니트릴, 이소니트릴, 풀미네이트, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 아조메틴, 옥심, 하이드라존, 세미카바존, 이민, 아미딘 및 아미독심이다. 이들 작용성 그룹에 결합된 것은 바람직하게는 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C12 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬, C6-C 10 아릴 또는 C4-C9 헤테로아릴이다.
바람직한 리간드 음이온 L3 - 및 L4 -는 특히 화학식 1c에서 카운터 이온 으로서 1급, 2급, 3급 또는 4급 암모늄을 갖는 CN-, SCN- 및 NCS-이다.
L1은 매우 특히 화학식 의 이소니트릴이며, R15은 치환되지 않거나 치환된 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C12 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬, C6-C10 아릴 또는 C4-C9 헤테로아릴이다. 경우에 따라, 이의 치환체는 예를 들면, R11 또는 R12에서와 동일하다.
n이 -2 또는 -1인 카운터-이온은 음이온이고, n이 +1 또는 +2인 카운터-이온은 양이온이다. 위첨자 n은 카운터-이온의 전하이고, 부호는 숫자 전에 또는 후에 기록되는 당량으로 간주된다. n이 지수인 경우, 이는 명쾌하기 위하여 양의 부호를 삭제하는 것이 통상적이다.
, 및 는 유익하게는 전하 평형에 필요한 화학량론에서 무기, 유기 또는 유기 금속 카운터-이온, 예를 들면, 무기산의 음이온 또는 유기산의 콘쥬게이트 염기, 예를 들면, 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 요오다이드, 퍼클로레이트, 퍼요오데이트, 니트레이트, 1/2 카보네이트, 하이드로겐 카보네이트, C1-C4 알킬 설페이트, 1/2 설페이트, 하이드로겐 설페이트, 모노알칼리 금속 설페이트, 메탄설포네이트, 트리플루오로메탄설포네이트, 1/2 모노알칼리 금속 포스페이트, 디알칼리 금속 포스페이트, 1/2 하이드로겐 포스페이트, 디하이드로겐 포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로포스페이트, 1/2 C1-C4 알칸포스포네이트, C1-C4 알킬-C1-C12 알킬-포스포네이트, 디-C1-C 4 알킬-포스피네이트, 테트라페닐보레이트, 테트라플루오로보레이트, 아세테이트, 트리플루오로아세테이트, 헵타플루오로부티레이트, 1/2 옥살레이트, 벤젠설포네이트, 토실레이트, p-클로로벤젠설포네이트, p-니트로벤젠설포네이트, 알콜레이트, 페놀레이트(예: 페놀레이트 자체), 카복실레이트(또한, 예를 들면, 벤조에이트), 설포네이트 또는 포스포네이트 또는 양이온, 예를 들면, H+, Li+, K+, Na+, Mg+2, Ca+2, Sr+2, Al+3 또는 1급, 2급, 3급 또는 4급 암모늄, 예를 들면, (여기서, R1' 내지 R4'는 R1 내지 R4와 독립적으로 추가의 라디칼 R1 내지 R4, 바람직하게는 H 또는 치환되지 않거나 하이드록시에 의해 치환되고 차단되지 않거나 산소에 의해 1회 이상 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, C2-C24 알케닐, C3-C24 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬 또는 C6-C10 아릴)이다.
페놀레이트 또는 카복실레이트는 예를 들면, C1-C12 알킬화, 특히 3급-C4-C 8 알킬화 페놀 또는 벤조산의 음이온, 예를 들면, , , 이다.
당해 분야의 숙련가는 그에게 친숙한 기타 카운터-이온을 사용할 수 있다는 것을 쉽게 인지할 것이다.
, 또는 이 0이 아닌 경우, n 전하를 갖는 양이온 또는 음이온 X의 수를 지시하는 것, 예를 들면, 1/2·SO4 2-(n=-2) 또는 1/2·Mg2+(n=+2)으로 이해될 것이다. 다전하 카운터-이온은 몇몇 단일 전하 양이온 또는 음이온 또는 하나의 다전하 양이온 또는 음이온을 중화시킬 수 있으며, 예를 들면, 이러한 경우에 이량체가 형성될 수 있다.
, 또는 가 유기 금속 음이온인 경우, 바람직하게는 이는 화학식 III 또는 IV의 금속 착물이다.
위의 화학식 III 및 IV에서,
E1 및 E2는 전이 금속이고, E1은 바람직하게는 Cr3+ 또는 Co 3+이고, E2는 바람직하게는 Ni2+, Co2+ 또는 Cu2+이고,
n은 1 내지 6의 수이고,
L5 및 L6은 서로 독립적으로 화학식 , , , , , , , , 또는 의 리간드이고,
L7 및 L8은 서로 독립적으로 화학식 , , , , , , , , 또는 의 리간드이고,
R16, R17, R18, R19, R20 및 R21은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노, R24, NO2, NR24R25, NHCO-R24, NHCOOR24, SO2-R 24, SO2NH2, SO2NHR24, SO2NR24 R25, SO3 - 또는 SO3H, 바람직하게는 수소, 염소, SO2NH2 또는 SO2NHR24 이고,
R22 및 R23은 서로 독립적으로 CN, CONH2, CONHR24, CONR24 R25, COOR24 또는 COR24이고,
R24 및 R25는 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 하이드록시, 할로겐, 설페이토, C1-C6 알콕시, C1-C6 알킬티오, C1-C6 알킬아미노 또는 디-C1-C6 아릴아미노에 의해 치환된 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시-C2-C 12 알킬, C7-C12 아르알킬 또는 C6-C12 아릴, 바람직하게는 C1-C4 알킬이거나,
R24 및 R25는 함께 C4-C10 헤테로사이클로알킬이고,
또한, R16 및 R17, R18 및 R19, 및/또는 R20 및 R21은 함께 쌍으로 5- 또는 6-원 환이 형성되는 방식으로 결합될 수 있다.
일례로 미국 특허 제5 219 707호, 일본 공개특허공보 제06/199045호 및 일본 공개특허공보 제07/262604호에 기술된 개개 화합물를 참조하나, 이로 한정되는 것은 아니다. 유기 금속 음이온으로서 , , 는 바람직하게는 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 또는 이다.
그러나, 예를 들면, 리간드 L5 또는 L6으로서 페놀 또는 페닐카복실 아조 화합물을 함유하는 기타 공지된 전이 금속 착물 음이온을 사용할 수 있다.
본 발명에 따라 사용되는 대분의 리간드 Q2+, L1, L2, L3 -, L4 -, L5, L6, L7 및 L8은 공지되어 있으며, 예를 들면, 몇몇 Q2+는 문헌[참조: Transition Met. Chem. 14, 341-346 (1989), Russian Journal of Coordination Chemistry 23/9, 623-628 (1997) or Russian Journal of General Chemistry 69/2, 308-313(1999)]에 공지되어 있고, 몇몇은 신규하며, 그 자체가 공지된 방법을 사용하여 공지된 화합물로부터 제조할 수 있다.
본 발명에 따르는 화학식 Ia, Ib 및 Ic의 착물은 놀랍게도 광학 저장 매체에서 사용되는 바와 같은 고체 필름의 형태로 이러한 화합물에 대하여 놀랍게도 낮은 집합 경향 및 320 내지 420nm 및 540 내지 640nm에서 최대인 2개의 좁고 강한 흡수 밴드를 가지며, 긴 파장 측면에 대하여 특히 가파른 흡수 밴드의 구배를 갖는다. 흡수 밴드의 각각의 보다 긴 파장 플랭크에서, 굴절률은 높고 바람직하게는 380 내지 450nm의 범위에서 1.8 내지 2.5의 피크 값 및 600 내지 700nm의 범위에서 2.0 내지 3.0의 피크 값을 달성하므로 높은 반사성 뿐만 아니라 목적하는 스펙트럼 범위에서 높은 감도 및 양호한 재생 특징을 갖는 매체를 달성할 수 있다. 기록 및 판독 파장의 범위에서 층의 반사성은 기록되지 않은 상태에서 높다.
이들의 우수한 층 특성으로, 감도가 높고, 재생성이 높고, 기하학적으로 매우 정밀하게 한정된 마스크, 굴절률 및, 높은 콘트라스트 정도를 제공하는 실질적으로 변하는 반사성을 갖는 빠른 광학 기록을 수득할 수 있다. 마크 길이 및 간격 거리("지터")의 차이는 매우 적으며, 좁은 트랙 간격("피치")을 갖는 비교적 얇은 기록 홈을 사용하여 높은 저장 밀도를 수득할 수 있다. 또한, 기록된 데이타는 놀랍게도 낮은 오차 속도로 재생될 수 있으므로 오차 정정은 적은 양의 저장 공간을 요구한다.
무극성 용매 중에서 용해도를 포함하는 용해도로, 용액을 예를 들면, 저장 동안 성가신 침전 없이 고농도에서도 사용할 수 있으므로 스핀 피복 동안 문제점은 크게 제거된다.
이에 도포되는 층의 지지체로서 작용하는 기재는 유익하게는 반투명(T≥10%)하거나 바람직하게는 투명하다(T≥90%). 지지체는 두께가 0.01 내지 10mm, 바람직하게는 0.1 내지 5mm이다.
기록 층은 바람직하게는 투명한 기재와 반사 층 사이에 배열된다. 기록 층의 두께는 10 내지 1000nm, 바람직하게는 30 내지 300nm, 특히 약 80nm, 예를 들면, 60 내지 120nm이다. 기록 층의 흡수는 흡수 최대에서 통상적으로 0.1 내지 1.0이다. 층 두께는 매우 특히 판독 파장에서 비-기록 상태 및 기록 상태에서 각각의 굴절률에 의존하여 공지된 방법으로 선택되며, 비-기록 상태에서, 구조적 방해를 수득하거나, 기록 상태에서 파괴적 방해를 수득하거나 그 반대이다.
두께가 10 내지 150nm 일 수 있는 반사 층은 바람직하게는 낮은 투명도(T≤10%)와 커플링된 높은 반사성(R≥50%, 특히 R≥60%)을 갖는다. 추가의 양태에서, 예를 들면, 다수의 기록 층을 갖는 매체의 경우에서, 반사기 층은 반-투명하다. 즉, 비교적 높은 투명도(예를 들면, T≥50%) 및 낮은 반사성(예를 들면, R≤45%)를 갖는다.
최고 층, 예를 들면, 층 구조에 따라 반사 층 또는 기록 층에 유익하게는 추가로 두께가 0.1 내지 1000㎛, 바람직하게는 0.1 내지 50㎛, 특히 0.5 내지 15㎛인 보호 층이 제공된다. 이러한 보호 층은 경우에 따라, 이에 도포되는 제2 기재 층에 대한 접착 촉진제로서 작용하며, 바람직하게는 두께가 0.1 내지 5mm이고, 지지체 기재와 동일한 물질로 이루어진다.
전체 기록 매체의 반사성은 바람직하게는 15% 이상, 특히 40% 이상이다.
본 발명에 따르는 기록 층의 주요 특징은 레이저 다이오드의 파장 범위에서 매우 높은 초기 반사성이며, 특히 높은 감도, 높은 굴절률, 고체 상태에서 좁은 흡수 밴드, 상이한 펄스 지속에서 스크립트 폭의 양호한 균일성, 양호한 광 안정성 및 극성 용매에서 양호한 용해도로 개질될 수 있다.
화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 염료의 사용은 유익하게는 높은 굴절률을 갖는 균일한, 무정형 및 낮은 비산 기록 층을 초래하며, 흡수 모서리는 놀랍게도 고체 상태에서도 특히 가파르다. 추가의 이점은 일광 및 저에너지 밀도의 레이저 방사선하에 높은 광 안정성과 동시에 고에너지 밀도의 레이저 방사선하에 높은 감도, 균일한 스크립트 폭, 높은 콘트라스트 및 또한 양호한 열 안정성 및 저장 안정성이다.
신규한 화합물은 또한 본 발명의 목적이다.
따라서, 본 발명은 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물에 관한 것이다.
화학식 Ia
화학식 Ib
화학식 Ic
위의 화학식 Ia 내지 Ic에서,
Q2-는 화학식 의 리간드 또는 이의 토우토머이고,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 시아노, COOR9, CONHR9, CONR9R10, R9, OR9, SR9, NHR9 또는 NR9R10(여기서, R9 및 R10 은 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C24 사이클로알킬, C2 -C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C12 헤테로사이클로알킬, C1 -C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이다)이고, R1 및 R2 , R3 및 R4, R5 및 R6, 및 R7 및 R8은 서로 독립적으로 직접 결합 또는 브릿지 O 또는 S를 통해 결합될 수 있고,
Mm+은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온이고,
L1은 서브-구조 N-C, P-C 또는 As-C를 갖는 리간드이고,
L2는 L1와 독립적으로 하나 이상의 헤테로 원자 N, P, As, O, S, Se 또는 Te를 함유하는 추가의 리간드이고,
L3 -은 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO- , N3 -, L1-O-, L1-S-, L1 -CO2 -, L1-SO3 - 또는 L1-PO3 -이고,
L4 -는 L3 -과 독립적으로 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO-, N3 -, L3-O- , L3-S-, L3-CO2 -, L3-SO3 - 또는 L3-PO3 -이고,
p 및 q는 서로 독립적으로 0 또는 1의 수이고,
, 및 은 각각 카운터-이온이고,
m은 Mm+에서 양전하와 동일한 1, 2, 3 또는 4의 수이고,
n은 -2, -1, +1 또는 +2의 수이어서, , 또는 이 음수가 아니고,
단, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 모두 페닐이고, M이 Fe(II), Ru(II) 또는 Os(II)이고, L1 및 L2가 둘 다 피리딘이거나,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 모두 페닐 또는 p-3급-부틸-페닐이고, M이 Fe(II)이고, L1 및 L2가 피라진, 3급-부틸이소시아나이드, 사이클로헥실이소시아나이드, 페닐이소시아나이드 또는 2,3,5,6-테트라메틸디이소시아노벤젠인 경우는 제외된다.
비교적 높은 기록 속도에서, 수득된 결과는 놀랍게도 앞서 공지된 기록 매체에서보다 우수하다. 마크는 주위 매체에 비해 보다 정밀하게 한정되고, 열 유도 변형은 나타나지 않는다. 오차 속도(Pl 섬 8, 이전에는 BLER) 및 마크 길이(지터)에서 통계적 변화는 정상 기록 속도 및 비교적 높은 기록 속도에서 둘 다 낮으므로 오차 유리 기록 및 재생이 넓은 속도 범위에서 달성될 수 있다. 이들은 높은 기록 속도에서도 사실상 거부되지 않으며, 기록된 매체의 판독은 오차 정정에 의해 느려지지 않는다. 이점은 600 내지 700nm, 바람직하게는 630 내지 690nm, 특히 650 내지 670nm, 특히 658±5nm의 전체 범위에서 수득된다.
적합한 기재는 예를 들면, 유리, 광물, 세라믹 및 열경화성 또는 열가소성 플라스틱이다. 바람직한 지지체는 유리 및 단독- 및 공중합체성 플라스틱이다. 적합한 플라스틱은 예를 들면, 열가소성 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리올레핀, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리이미드, 열경화성 폴리에스테르 및 에폭시 수지이다. 지지체는 순수한 형태이거나 통상의 첨가제, 예를 들면, 기록 층용 광 안정제로서 일본 공개특허공보 제04/167 239호에 기술된 바와 같은 UV 흡수제 또는 염료를 포함할 수 있다. 후자의 경우에서, 지지체 기재에 첨가되는 염료가 10nm 이상, 바람직하게는 20nm 이상으로 기록 층의 염료에 대하여 단파장으로 이동되는 흡수 최대를 갖는 것이 유익할 수 있다.
기재는 유익하게는 600 내지 700nm의 범위(바람직하게는 상기 지시된 바와 같음)의 적어도 일부분에 대하여 투명하므로, 기록 또는 판독 파장의 입사 광의 90% 이상을 투과한다. 기재는 바람직하게는 홈 깊이가 50 내지 500nm이고, 홈 폭이 0.2 내지 0.8㎛이고, 2개의 턴 사이의 트랙 간격이 0.4 내지 1.6㎛, 특히 홈 깊이가 100 내지 200nm이고, 홈 폭이 0.3㎛이고, 2개의 턴 사이의 간격이 0.6 내지 0.8㎛인 나선형 유도 홈을 피복 측면에 갖는다. 따라서, 본 발명에 따르는 저장 매체는 특히 유익하게는 현재 통상의 마크 폭이 0.4㎛이고 트랙 간격이 0.74㎛인 DVD 매체의 광학 기록에 적합하다. 공지된 매체에 대하여 증가된 기록 속도는 동시 기록을 허락하거나, 특별한 효과에 대하여, 상 특성이 우수한 비디오 시퀀스의 가속 기록도 허락한다.
화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 단일 화합물 대신, 기록 층은, 예를 들면, 본 발명에 따르는 2, 3, 4 또는 5개의 포르피라진 염료를 갖는 이러한 화합물의 혼합물을 포함할 수 있다. 혼합물의 사용, 예를 들면, 이성체 또는 동족체의 혼합물 및 상이한 구조의 혼합물의 사용으로, 용해도는 증가되고/되거나 무정형 함량이 개선될 수 있다. 경우에 따라, 이온 쌍 화합물의 혼합물은 상이한 음이온, 상이한 양이온 또는 상이한 음이온 및 상이한 양이온 둘 다를 가질 수 있다.
안정성의 추가의 증가를 위해, 경우에 따라, 공지된 안정제, 예를 들면, 광 안정제로서 일본 공개특허공보 제04/025 493호에 기술된 니켈 디티올레이트를 통상의 양으로 가할 수 있다.
기록 층은 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물 또는 이러한 화합물의 혼합물을 유익하게는 굴절률에 대하여 실질적으로 영향을 주기에 충분한 양, 예를 들면, 30중량% 이상, 바람직하게는 60중량% 이상, 특히 80중량% 이상의 양으로 포함한다. 기록 층은 특히 유용하게는 주성분으로서 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물 또는 다수의 이러한 화합물의 혼합물을 포함하거나 전적으로 또는 사실상 하나 이상의 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물로 이루어질 수 있다.
추가의 통상의 성분, 예를 들면, 기타 발색단(예: 300 내지 1000nm에서 흡수 최대는 갖는 것), UV 흡수제 및/또는 기타 안정제, 유리 라디칼 포획제(예: 1O2) 또는 발광-급냉제, 융점 강하제, 분해 촉진제 또는 광학 기록 매체에서 이미 기술된 기타 첨가제, 예를 들면, 필름 형성제가 가능하다.
기록 층이 추가의 발색단을 포함하는 경우, 이러한 발색단은 대체로 기록 동안 레이저 방사선에 의해 분해 또는 개질될 수 있는 염료이거나 이들은 레이저 방사선에 불활성일 수 있다. 추가의 발색단이 레이저 방사선에 의해 분해 또는 개질되는 경우, 이는 레이저 방사선의 흡수에 의해 직접 일어나거나 본 발명에 따르는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 분해에 의해 간접, 예를 들면, 열적으로 유도될 수 있다.
사실상, 추가의 발색단 또는 유색 안정제는 기록 층의 광학 특성에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 광학 특성이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물과 가능한 부합되거나 상이한 추가의 발색단 또는 유색 안정제를 사용하는 것이 바람직하거나 추가의 발색단의 양은 적게 유지된다.
광학 특성이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물과 가능한 부합되는 추가의 발색단이 사용되는 경우, 바람직하게는 이는 가장 긴 파장 흡수 플랭크의 범위 경우이어야 한다. 바람직하게는, 추가의 발색단 및 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 반전점의 파장은 한쪽으로 최대 40nm, 특히 최대 20nm이다. 이러한 경우에서, 추가의 발색단 및 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물은 레이저 방사산에 대하여 유사한 거동을 나타내야 하므로, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물에 의해 작용이 상승적으로 증가되거나 고양되는 공지된 기록제를 추가의 발색단으로서 사용할 수 있다.
광학 특성이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물과 가능한 상이한 추가의 발색단 또는 유색 안정제가 사용되는 경우, 이들은 유익하게는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 염료에 대하여 단파장으로 또는 장파장으로 이동하는 흡수 최대를 갖는다. 이러한 경우에서, 흡수 최대는 바람직하게는 한쪽으로 50nm 이상, 특히 100nm 이상이다. 이의 예는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 염료에 대하여 단파장인 UV 흡수제 또는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 염료에 대하여 장파장 및 예를 들면, NIR 또는 IR 범위에 있는 흡수 최대를 갖는 유색 안정제이다. 기타 염료는 색-암호화 확인, 색-마스킹("다이아몬드 염료") 목적 또는 기록 층의 심미적 외형을 증진시키기 위해 가할 수 있다.
또 다른 발색단을 가하여 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 광학 특성을 개질시키고자 하는 경우, 이의 양은 달성하고자 하는 광학 특성에 의존한다. 당해 분야의 숙련가는 목적하는 결과를 수득할때까지 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물에 대한 추가의 염료의 비를 변화시켜 어려움 없이 찾을 수 있다. 기타 발색단에 대한 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 중량비는 일반적으로 1:99 내지 99:1, 바람직하게는 1:95 내지 95:1, 특히 30:70 내지 70:30, 보다 특히 40:60 내지 60:40, 예를 들면, 50:50이다.
화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물 이외에 기록 층에 사용될 수 있는 추가의 발색단은 유익하게는 고체 형태로 350 내지 620nm의 범위에서 최대 흡수(λmax)를 갖는다. 예는 시아닌 및 시아닌 금속 착물(미국 특허 제5 958 650호), 스티릴 화합물(미국 제6 103 331호), 옥소놀 염료(유럽 공개특허공보 제0 833 314호), 아조 염료 및 아조 금속 착물(일본 공개특허공보 제11/028865호), 프탈로시아닌(유럽 공개특허공보 제0 232 427호, 유럽 공개특허공보 제0 337 209호, 유럽 공개특허공보 제0 373 643호, 유럽 공개특허공보 제0 463 550호, 유럽 공개특허공보 제0 492 508호, 유럽 공개특허공보 제0 509 423호, 유럽 공개특허공보 제0 511 590호, 유럽 공개특허공보 제0 513 370호, 유럽 공개특허공보 제0 514 799호, 유럽 공개특허공보 제0 518 213호, 유럽 공개특허공보 제0 519 419호, 유럽 공개특허공보 제0 519 423호, 유럽 공개특허공보 제0 575 816호, 유럽 공개특허공보 제0 600 427호, 유럽 공개특허공보 제0 676 751호, 유럽 공개특허공보 제0 712 904호, 국제 공개공보 제WO 98/14520호, 국제 공개공보 제WO 00/09522호, PCT/EP 02/03945호), 포르피린, 디피로메텐 염료 및 이의 금속 킬레이트 화합물(유럽 공개특허공보 제0 822 544호, 유럽 공개특허공보 제0 903 733호), 크산텐 염료 및 이의 금속 착물 염(미국 특허 제5 851 621호) 또는 쿠아드라트산 화합물(유럽 공개특허공보 제0 568 877호), 또한 옥사진, 디옥사진, 디아자스티릴, 포르마잔, 안트라퀴논 또는 페노티아진 또는 기타 포르피라진(유럽 공개특허공보 제0 822 546호, 미국 특허 제5 998 093호, 일본 공개특허공보 제2001/277723호)이며, 이로 한정되는 것은 아니며, 당해 분야의 숙련가는 추가의 공지된 염료, 예를 들면, 국제 공개공보 제WO 01/75873호에 기술된 것을 포함하는 목록을 이해할 것이다.
놀랍게도 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물과 고체 형태로 350 내지 620nm의 범위에서 최대 흡수(λmax)를 갖는 기타 발색단의 혼합물이 순수한 성분에 비하여 자외선(UV) 및 가시선(VIS)에서 개선된 광 안정성을 나타냄을 발견하였다. 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 첨가로, 기타 발색단은 놀랍게도 효과적으로 안정화된다.
따라서, 본 발명은 기타 발색단에 대한 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 중량비가 1:99 내지 99:1, 바람직하게는 1:95 내지 95:1, 특히 30:70 내지 70:30, 보다 특히 40:60 내지 60:40인 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물과 고체 형태로 350 내지 620nm의 범위에서 최대 흡수(λmax)를 나타내는 기타 발색단을 포함하는 고체 물질 조성물에 관한 것이다. 또한, 다수의 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물 및/또는 다수의 기타 발색단이 존재할 수 있다. 이러한 경우에서, 모든 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 전체 중량 및 모든 기타 발색단의 전체 중량을 기준으로 하여 중량비를 계산하여야 한다. 기타 발색단은 λmax에서 5000 이상의 몰 여기 계수 ε를 갖지만, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic에 상응하지 않는 물질이다. 고체 물질은 융점이 25℃ 이상이거나, 이들은 용융 없이 열적으로 분해된다.
물질 조성물에서, 성분은 바람직하게는 예를 들면, 고체 용액 또는 매스의 형태로 서로 분리할 수 없게 결합되며, 바람직하게는 당해 성분의 무정형 영역은 하나 이상의 공통 경계면을 갖는다. 예를 들면, 이들은 다른 성분의 매트릭스 중의 하나의 성분의 포함일 수 있으며, 하나 또는 둘 다의 성분은 서로 독립적으로, 결정상, 바람직하게는 부분 결정상 또는 특히 무정형일 수 있다. 영역 또는 포함은 예를 들면, 혼합 결정에서와 같이 개개 분자일 수 있거나 동일한 성분의 개개 분자를 포함할 수 있으며, 예를 들면, 이들은 10-26 내지 10-8m3, 바람직하게는 10-24 내지 10-19m3의 용적을 가질 수 있다.
특히 놀랍게도, 상승 결과는 기타 발색단이 치환되지 않거나 모노덴테이트 또는 바이덴테이트 라디칼에 의해 치환될 수 있는 기본 구조 를 갖는 경우 수득된다. 물론, 바이덴테이트 라디칼은 추가의 환을 제공한다. 미국 특허 제5 851 621호에 기술된 기본 구조(VIII)를 갖는 발색단이 특히 바람직하다.
발색단 또는 유색 안정제가 기타 목적으로 사용되는 경우, 이의 양은 바람직하게는 600 내지 700nm의 범위에서 기록 층의 전체 흡수에 대한 이의 기여가 최대 20%, 바람직하게는 최대 10%일 정도로 작야야 한다. 이러한 경우에서, 추가의 염료 또는 안정제의 양은 유익하게는 기록 층을 기준으로 하여 최대 50중량%, 바람직하게는 최대 10중량%이다.
추가의 특정 양태에서, 추가의 발색단 대신에, 유색 안정제를 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물에 가한다.
안정제, 유리 라디칼 포획제 또는 발광-급냉제는 예를 들면, N- 또는 S-함유 에놀레이트, 페놀레이트, 비스페놀레이트, 티올레이트 또는 비스티올레이트, 또는 아조, 아조메틴 또는 푸마잔 염료, 예를 들면, RIrgalan Bordeaux EL, RCibafast N 또는 유사한 화합물, 장애 페놀 및 이의 유도체(임의로 또한 카운터 이온 , 또는 으로서), 예를 들면, RCibafast AO, o-하이드록시페닐-트리아졸 또는 -트리아진 또는 기타 UV 흡수제, 예를 들면, RCibafast W 또는 RCibafast P 또는 장애 아민(TEMPO 또는 HALS, 또한 니트로옥사이드로서 또는 NOR-HALS, 임의로 또한 카운터 이온 , 또는 으로서) 및 또한 양이온 디임모늄, ParaquatTM 또는 OrthoquatTM 염, 예를 들면, RKayasorb IRG 022 또는 RKayasorb IRG 040의 금속 착물이다. RIrgalan 및 RCibafast 브랜드는 Ciba Spezialitatenchemie AG로부터, RKayasorb 브랜드는 Nippon Kayaku Co. Ltd.로부터 입수된다.
많은 이러한 구조는 공지되어 있고, 몇몇은 또한 예를 들면, 미국 특허 제5 219 707호, 일본 공개특허공보 제06/199045호, 일본 공개특허공보 제07/76169호 또는 일본 공개특허공보 제07/262604호로부터 광학 기록 매체과 관련하여 공지되어 있다. 이들은 또한 예를 들면, 상기 기술한 금속 착물 음이온과 목적하는 양이온, 예를 들면, 상기 기술한 양이온의 염일 수 있다.
중성 금속 착물, 예를 들면, 화학식 V, VI 또는 VII의 화합물이 또한 적합하다.
위의 화학식 V 내지 VII에서,
L9는 C1-C12 알킬-OH, C6-C12 아릴-OH, C7 -C12 아르알킬-OH, C1-C12 알킬-SH, C6-C12 아릴-SH, C7-C12 아르알킬-SH, C1-C12 알킬-NH 2, C6-C12 아릴-NH2, C7-C12 아르알킬-NH2, 디-C1-C12 알킬-NH, 디-C6-C12 아릴-NH, 디-C 7-C12 아르알킬-NH, 트리-C1-C12 알킬-N, 트리-C6-C12 아릴-N 또는 트리-C7-C12 아르알킬-N이고,
L10 및 L11은 , , 또는 이고,
L12은 또는 이고,
E2 및 R16 내지 R21은 위에서 정의한 바와 같다.
언급할 수 있는 화학식 VII의 첨가제의 특정 예는 예를 들면, 화학식 , , 또는 의 화합물로 예시되는 구리 착물이다.
언급될 수 있는 화학식 V의 첨가제의 특정 예는 니켈 비스페놀레이트, 예를 들면, 화학식 의 화합물이다.
당해 분야의 숙련가는 기타 광학 정보 매체로부터 공지되어 있거나 용이하게 확인할 것이며, 첨가제의 농도는 목적에 특히 적합하다. 첨가제의 적합한 농도는 예를 들면, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 기록 매체를 기준으로 하여 0.001 내지 1000중량%, 바람직하게는 1 내지 50중량%이다.
본 발명에 따라는 기록 매체는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물을 포함하는 것 이외에, 추가로 염, 예를 들면, 염화암모늄, 펜타데실암모늄 클로라이드, 염화나트륨, 황산나트륨, 나트륨 메틸 설포네이트 또는 나트륨 메틸 설페이트를 포함할 수 있으며, 이의 이온은 예를 들면, 사용되는 성분으로부터 비롯된다. 존재하는 경우, 추가의 염은 기록 층의 전체 중량을 기준으로 하여 바람직하게는 20중량% 이하의 양으로 존재한다.
반사 층에 적합한 반사 물질은 특히 기록 및 재생에 사용되는 레이저 방사선의 양호한 반사를 제공하는 금속, 예를 들면, 원소 주기율표의 주 그룹 III, IV 및 V 및 서브 그룹의 금속을 포함한다. Al, In, Sn, Pb, Sb, Bi, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Sc, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 및 이들의 합금이 특히 적합하다. 높은 반사성 및 제조 용이성으로 인해 알루미늄, 은, 구리, 금 또는 이들의 합금의 반사 층이 특히 바람직하다.
커버링 층에 적합한 물질은 주로 접착제 층으로 또는 직접 최고 층 또는 지지체에 박층으로 도포되는 플라스틱을 포함한다. 추가로 개질, 예를 들면, 기록될 수 있는 양호한 표면 특성을 갖는 기계적으로 및 열적으로 안정한 플라스틱을 선택하는 것이 유익하다. 플라스틱은 열경화성 플라스틱 또는 열가소성 플라스틱일 수 있다. 제조하기가 특히 간단하고 경제적인 방사선 경화(예를 들면, UV 방사선 사용) 보호 층이 바람직한다. 각종 방사선 경화성 물질은 공지되어 있다. 방사선 경화성 단량체 및 올리고머의 예는 디올, 트리올 및 테트롤의 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 방향족 테트라카복실산의 폴리이미드 및 아미노 그룹의 적어도 2개의 오르토-위치에서 C1-C4 알킬 그룹을 갖는 방향족 디아민, 및 디알킬말레인이미딜 그룹, 예를 들면, 디메틸말레인이미딜 그룹을 갖는 올리고머이다. 접착 촉진제를 사용하여 도포되는 커버링 층에 대하여, 기재 층에 사용된 것과 동일한 물질, 예를 들면, 폴리카보네이트를 사용하는 것이 바람직하다. 사용되는 접착 촉진제는 바람직하게는 방사선-경화성 단량체 및 올리고머이다. 접착 촉진제를 사용하여 도포되는 커버링 층 대신, 기록 및 반사기 층을 포함하는 제2 기재를 사용하여 기록 매체가 양 측면에서 플레이 가능하다. 대칭 구조가 바람직하며, 2개의 부분을 접착 촉진제에 의해 직접 또는 중간 층에 의해 반사기 측면에서 함께 결합시킨다.
이러한 구조에서, 커버링 층 또는 커버링 물질의 광학 특성은 경우에 따라 이의 경화가 예를 들면, UV 방사선에 의해 달성되는 한 그 자체가 본질적으로 역할을 행하지 않는다. 커버링 층의 기본 기능은 전체로서 기록 매체의 기계적 강도 및 경우에 따라, 반사기 박층의 기계적 강도를 보장하는 것이다. 기록 매체가 충분히 강한 경우, 예를 들면, 두꺼운 반사기 층이 존재하는 경우 커버링 층이 완전히 배제될 수 있다. 커버링 층의 두께는 전체로서 기록 매체의 두께에 의존하며, 바람직하게는 최대 약 2mm 두께 이어야 한다. 커버링 층은 바람직하게는 10㎛ 내지 1mm 두께이다.
본 발명에 따르는 기록 매체는 추가의 층, 예를 들면, 간섭 층을 가질 수 있다. 또한 다수의 (예를 들면, 2개의) 기록 층을 갖는 기록 매체를 작제할 수 있다. 이러한 물질의 구조 및 용도는 당해 분야의 숙련가에게 공지되어 있다. 존재하는 경우, 기록 층과 반사 층 사이 및/또는 기록 층과 기재 사이에 간섭 층이 배열하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제0 353 393호에 기술된 바와 같이 TiO2, Si3N4, ZnS 또는 실리콘 수지의 유전 물질로 이루어진다.
본 발명에 따르는 기록 매체는 그 자체가 공지된 방법으로 제조할 수 있으며, 사용되는 물질 및 이의 기능에 따라 각종 피복 방법을 사용할 수 있다.
적합한 피복 방법은 예를 들면, 침지, 붓기, 브러쉬-피복, 블레이드-도포 및 스핀-피복 뿐만 아니라 고진공하에 수행되는 증착 방법이다. 예를 들면, 붓기 방법을 사용하는 경우, 유기 용매 중의 용액을 일반적으로 사용한다. 용매가 사용되는 경우, 사용되는 지지체가 이들 용매에 민감하지 않아야 한다. 적합한 피복 방법 및 용매는 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제0 401 791호에 기술되어 있다.
기록 층은 바람직하게는 염료 용액에 의해 스핀-피복으로 도포되며, 만족스러운 용매는 특히 알콜, 예를 들면, 2-메톡시에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 이소부탄올, n-부탄올, 아밀 알콜 또는 3-메틸-1-부탄올 또는 바람직하게는 플루오르화 알콜, 예를 들면, 2,2,2-트리플루오로에탄올 또는 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올 및 이들의 혼합물이다. 기타 용매 또는 용매 혼합물, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제0 511 598호 및 유럽 공개특허공보 제0 833 316호에 기술된 용매 혼합물을 사용할 수 있다. 에테르(디부틸 에테르), 케톤(2,6-디메틸-4-헵탄온, 5-메틸-2-헥산온) 또는 포화 또는 불포화 탄화수소(톨루엔, 크실렌)을 예를 들면, 혼합물의 형태(예: 디부틸 에테르/2,6-디메틸-4-헵탄온) 또는 혼합 성분을 사용할 수 있다. 적합한 추가의 용매는 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제0 483 387호에 기술되어 있다.
스핀 피복 분야의 숙련가는 일반적으로 친숙한 용매 뿐만 아니라 이의 이원 및 삼원 혼합물을 시험하여 높은 품질을 수득하고 동시에 선택된 고체 성분을 함유하는 비용-효율 기록 층을 제공하는 용매 또는 용매 혼합물을 발견할 것이다. 공지된 프로세스 엔지니어링 방법을 이러한 최적화 방법에 사용하여 수행하고자 하는 실험의 수를 최소로 할 수 있다. 스핀 피복의 경우에서, 수득되는 층은 바람직하게는 가능한 무정형이여야 한다.
따라서, 본 발명은 유기 용매 중의 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 용액을 하나 이상의 함몰을 갖는 기재, 예를 들면, 나선형 홈 깊이가 1nm 내지 1㎛인 디스크에 도포함을 포함하는, 광학 기록 매체의 제조방법에 관한 것이다. 도포는 바람직하게는 스핀 피복에 의해 수행한다.
금속성 반사 층의 도포는 바람직하게는 스퍼터링, 진공 하의 증착 또는 화학적 증착(CVD)에 의해 수행한다. 스퍼터링 기술은 지지체에 대한 부착 정도가 높으므로 금속성 반사 층의 도포에 특히 바람직하다. 이러한 기술은 공지되어 있고 특정 문헌에 기술되어 있다[참조: J. L. Vossen and W. Kern, "Thin Film Processes", Academic Press, 1978].
본 발명에 따르는 기록 매체의 구조는 주로 판독 방법에 좌우되며, 공지된 기능 원리는 전도 또는, 바람직하게는 반사 변화 측정을 포함하나, 예를 들면, 전도 또는 반사 대신 형광을 측정하는 것도 공지되어 있다.
기록 물질이 반사 변화에 대하여 구조화되는 경우, 예를 들면, 다음 구조를 사용할 수 있다: 투명한 지지체/기록 층(임의로 다층)/반사 층 및 편의상, 보호 층(반드시 투명할 필요는 없다) 또는 지지체(반드시 투명할 필요는 없다)/반사 층/기록 층 및 편의상, 투명한 보호 층. 제1 경우에서, 광은 지지체 측면으로부터 입사되는 반면, 후자의 경우에서, 방사선은 기록 층 측면으로부터 입사되거나 경우에 따라 보호 층 측면으로부터 입사된다. 양 경우에서, 광 검출기는 광 공급원과 동일한 측면에 위치한다. 본 발명에 따라 사용되는 제1 언급된 기록 물질의 구조가 일반적으로 바람직하다.
기록 물질이 광 전도 변화에 대하여 구조화되는 경우, 예를 들면, 다음의 상이한 구조가 고려된다: 투명한 지지체/기록 층(임의로 다층) 및 편의상, 투명한 보호 층. 기록 및 판독용 광은 지지체 측면 또는 기록 층 측면으로부터 입사되거나 경우에 따라 보호 층 측면으로부터 입사되고, 이러한 경우에서 광 검출기는 반대 측면에 항상 위치한다.
적합한 레이저는 파장이 600 내지 700nm이며, 예를 들면, 파장이 602nm, 612nm, 633nm, 635nm, 647nm, 650nm, 670nm 또는 680nm인 시판되는 레이저, 특히 반도체 레이저, 예를 들면, 파장이 특히 약 635nm, 650nm 또는 658nm인 GaAsAl, InGaAlP 또는 GaAs 레이저 다이오드이다.
기록은 예를 들면, 그 자체가 공지된 방법으로 마크 길이에 따라 레이저를 조절하고, 기록 층 상에 이의 방사선을 집중시켜 점점으로 수행한다. 이는 문헌에 공지되어 있으며, 사용하기에 적합한 기타 방법은 현재 개발되었다.
본 발명에 따르는 방법은 매우 양호한 기계적 및 열 안정성과 높은 광 안정성 및 마크의 가파른 경계 영역을 특징으로 하는 높은 신뢰성과 안정성을 갖는 정보의 저장을 가능하게 한다. 특정 이점은 높은 콘트라스트, 낮은 지터 및 놀랍게도 높은 신호/노이즈 비를 포함하므로, 우수한 판독이 달성된다. 높은 저장 용량은 비디오 분야에서 특히 유용하다.
정도의 판독은 그 자체가 공지된 방법에 따라 예를 들면, 문헌[참조: "CD-Player und R-DAT Recorder"(Claus Biaesch-Wiepke, Vogel Buchverlag, Wurzburg 1992]에 기술된 바와 같이 레이저 방사선을 사용하여 흡수 또는 반사 변화를 기재하여 수행한다.
본 발명에 따르는 정보 함유 매체는 특히 WORM 형태의 광학 정보 물질이다. 이는 예를 들면, 플레이 가능한 DVD(digital versatile disk), 컴퓨터용 저장 물질 또는 확인 및 보안 카드로서 또는 회절 광학 소자, 예를 들면, 홀로그램의 제조용으로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 본 발명에 따르는 기록 매체가 사용되는 정보의 광학 기록, 저장 및 재생 방법에 관한 것이다. 기록 및 재생은 예를 들면, 600 내지 700nm의 파장에서 수행된다.
또한, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물은 유익하게는 낮은 파장에서 사용되어 기록 및 재생이 동일한 파장에서 일어나는 경우 데이타 밀도의 추가의 증가가 가능하다. 이러한 경우에서, 예를 들면, 350 내지 500nm, 바람직하게는 370 내지 450nm의 단일 레이저 원을 갖는 간단한 광학 시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 370 내지 390nm, 특히 약 380nm의 UV 범위 또는 특히 390 내지 430nm, 특히 약 405±5nm의 가시범위 가장자리에 있는 것이 특히 바람지하다. 높은 수의 틈을 갖는 광학 시스템이 있는 콤팩트 청색 또는 보라색 레이저 다이오드(예: Nichia GaN 405nm)의 범위에서, 마크는 기록 층 당 약 20 내지 25Gb 이하가 120mm 디스크 상에 달성될 수 있도록 작게 제조되고 트랙은 좁게 제조된다. 380nm에서, 레이저 원이 이미 원형으로 존재하는 인듐 도핑 UV-VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)를 사용할 수 있다[참조: Jung Han et al., see MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W6.2(2000].
또한, 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물의 광학 특성으로, 600 내지 700nm에서 기록되는 광학 기록 매체에 대하여 단일 레이저를 사용하여 350 내지 500nm에서 판독할 수 있거나 그 반대로 할 수 있다(데이타 밀도는 보다 높은 파 길이에 상응한다). 이러한 놀랍고도 매우 유익한 다치성은 광학 기록 장치의 작제 및 이의 소형화에서 제조 절감을 가능하게 한다.
한 양태에서, 기록 매체는 공지된 기록 매체의 구조를 기본으로 하며, 예를 들면, 상기 언급된 바와 유사하게 작제되며, 기록 및 판독을 기재를 통해 일어난다.
이러한 경우에서, 기재는 유익하게는 350 내지 500nm의 범위의 적어도 일부분에 대하여 투명하므로, 예를 들면 기록 또는 판독 파장의 입사광의 80% 이상을 투과한다. 기재는 유익하게는 10㎛ 내지 1mm 두께, 바람직하게는 20 내지 600㎛ 두께, 특히 20 내지 600㎛ 두께이고, 바람직하게는 홈 깊이가 10 내지 200nm, 바람직하게는 80 내지 150nm이고, 홈 폭이 100 내지 400nm, 바람직하게는 150 내지 250nm이며, 2개의 턴 사이의 간격이 200 내지 600nm, 바람직하게는 350 내지 450nm인 피복 측면에 나선형 유도 홈(트랙)을 갖는다. 상이한 단면 형태, 예를 들면, 직사각형, 사다리꼴 또는 V-형태의 홈이 공지되어 있다. 공지된 CD-R 및 DVD-R 매체과 유사하게, 유도 홈이 추가로 적은 주기 또는 준-주기 측면 편향(동요)되어 판독 헤드(픽업)의 속도 및 절대 위치는 동조화될 수 있다. 편형 대신 또는 편향 이외에, 동일한 기능을 인접한 홈(프리-피트) 사이에 마킹에 의해 수행할 수 있다.
기록 층은 표면("랜드") 상에서 바람직하게는 0 내지 30nm 두께, 특히 1 내지 20nm 두께, 보다 특히 2 내지 10nm 두께이며, 홈의 기하학에 따라 유익하게는 홈에서 20 내지 150nm 두께, 바람직하게는 50 내지 120nm 두께, 특히 60 내지 100nm 두께이다.
반사기 층은 예를 들면, 5 내지 200nm 두께, 바람직하게는 10 내지 100nm 두께, 특히 40 내지 60nm 두께이나, 보다 두꺼운 반사기 층, 예를 들면, 1mm 두께 또는 그 이상도 가능하다.
본 발명에 따르는 기록 매체는 또한 추가의 층, 예를 들면, 간섭 층 또는 차단 층을 가질 수 있다. 또한, 다수의 (예를 들면, 2 내지 10개의) 기록 층을 갖는 기록 매체를 작제할 수 있다. 이러한 물질의 구조 및 용도는 당해 분야의 숙련가에게 공지되어 있다. 존재하는 경우, 기록 층과 반사 층 사이 및/또는 기록 층과 기재 사이에 배열되고 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제0 353 393호에 기술된 바와 같은 TiO2, Si3N4, ZnS 또는 실리콘 수지의 유전 물질로 이루어진 간섭 층이 바람직하다.
본 발명에 따르는 기록 매체는 그 자체가 공지된 방법으로 제조될 수 있으며, 사용되는 물질 및 이의 기능에 따라 각종 피복 방법을 사용할 수 있다.
본 발명에 따르는 정보 함유 매체는 특히 WORM 형태의 광학 정보 물질이다. 이는 예를 들면, 컴퓨터에서 CD-R(compact disc-recordable) 또는 DVD-R(digital video disc-recordable) 및 또한 확인 및 보안 카드용 저장 물질로서 또는 회절 광학 소자, 예를 들면, 홀로그램의 제조에 유사하게 사용될 수 있다.
그러나, CD-R 또는 DVD-R과 비교하여, 이러한 구조에 대한 출발 물질은 매우 얇은 기재이므로, 제공 공정이 상당히 보다 불편하다. 높은 저장 밀도 및 상응하게는 작은 마크("피트")를 갖는 기록 매체의 제조에서, 이는 정밀 집중화에 필요한 것으로 입증되었다.
따라서, 다음의 층 순서를 갖는 역 층 구조가 바람직하다.: 기재, 반사기 층, 기록 층 및 커버링 층. 기록 층은 따라서 반사기 층과 커버링 층 사이에 위치한다. 기록 및 재생은 따라서 기재를 통해 일어나지 않고 커버링 층을 통해 수행된다. 따라서, 각각의 커버링 층 및 기재의 역할, 특히 기하학 및 광학 특성은 상기 기술된 구조와 비교하여 상반된다. 유사한 개념은 문헌[참조: Proceedings SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 1999, 3864 for digital video recordings in conjunction with a blue GaN laser diode]에 여러번 기재되어 있다.
역 층 구조는 기록 기재에 대하여 상당히 높은 요구 사항을 정하며, 본 발명에 따라 사용되는 화합물은 놀랍게도 잘 충족시킨다. 따라서, 이에 유의한 변화 없이 고체 기록 층에 얇은 커버링 층을 보다 낮은 곳에 도포할 수 있고, 기록 물질은 마찰, 광-산화, 지문, 수분 및 기타 환경 영향으로부터 충분히 잘 보호된다.
고체 기록 층에 예를 들면, 0.001 내지 10㎛, 바람직하게는 0.005 내지 1㎛, 특히 0.01 내지 0.1㎛의 두께로 금속, 가교 결합 유기 금속 또는 유전 무기 물질의 추가의 분리 박층을 도포하는 것이 바람직하다. 높은 반사성으로, 금속 분리 층은 유익하게는 최대 0.03㎛ 두께이어야 한다.
가교 결합 유기 금속 또는 유전 무기 층은 그 자체가 공지되어 있고, 예를 들면, 전자 음성이 1 내지 2인 금속, 예를 들면, 산화 상태 II 내지 V의 알루미늄, 아연, 지르코늄, 티탄, 크롬, 철, 코발트, 니켈 및 특히 규소의 산화물, 산화물 수화물 또는 할라이드(특히, 플루오라이드), 예를 들면, CaF2, Fe2O3, CoO, CoTiO3, Cr2O3, Fe2TiO5 또는 SiO2로 이루어진다. 이들은 공지된 방법에 따라 또는 유사하게, 예를 들면, 음극 스퍼터링, 증착 또는 화학적 증착에 의해 또는 특정 층에 대하여 예를 들면, 국제 공개공보 제WO 93/08237호에 기술된 공지된 습윤-화학 방법에 의해 도포될 수 있다. 증착, 음극 스퍼터링 및 화학적 증착의 일반적인 방법은 당해 분야의 숙련가에게 가장 잘 공지되어 있다. 유익하게는 진공하에 이러한 공정을 수행하는 것이며, 피복 조작 동안 압력은 10-1 내지 10-8Pa이다. 산화규소를 제외한 금속 산화물은 바람직하게는 1.3·10-2 내지 1.3·10-3Pa의 압력하에 증착된다.
당해 분야의 숙련가에게 공지된 기타 피복 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 피복물은 유럽 공개특허공보 제0 504 926호, 일본 공개특허공보 제07/207186호, 일본 공개특허공보 제08/175823호, 일본 공개특허공보 제09/239311호 및 일본 공개특허공보 제10/204296호에 공지된 졸/겔 기술에 의해 제조되거나, 산화규소 피복물은 또한 열 분해에 의해 SiH4로부터 제조될 수 있다.
산화규소는 특히 유익하게는 산소의 존재하에 금속 규소의 증착에 의해 피복된다. 증착에서, 규소(순수할 필요는 없다)를 기체상(분자) 산소(순수할 필요는 없다)의 존재하에, 피복될 기재의 부근에서 감압하에 유도 또는 전자-건에 의해 고온, 예를 들면, 500 내지 2000℃로 가열한다. 산소의 상대 몰 농도에 따라, 황색 내지 암회색 정도의 아산화규소 또는 바람직하게는 무색 이산화규소가 형성된다.
특히 금속 합금(CD-RW)을 기본으로 하는 재기록 가능한 기록 매체에서 절연 층과 동일하거나 유사한 층, 예를 들면, SiO2 및 ZnS의 혼합물을 포함하는 것을 도포할 수 있다. 그 결과, 전개가 가속화되고 피복 공정의 추가 경비가 절감될 수 있다.
추가의 피복 전에 기록 층을 접착 촉진제, 예를 들면, N-(3-트리메톡시실릴)-프로필)피롤[참조: J. Amer. Chem. Soc. 104, 2031-4 (1982) and Chemistry of Materials 9/2, 399-402(1997)], 티탄 또는 지르코늄 염, 예를 들면, Ti(OiPr)4 또는 Zr(acac)4 및/또는 산 또는 염기, 예를 들면, 암모니아 또는 1급, 2급 또는 3급 아민으로 처리하는 것이 유익한 것으로 입증될 수 있다. 화학식 의 아민(여기서, R26은 수소 또는 R29이고, R27 및 R28은 서로 독립적으로 R29이고, R29는 [-1,2-C2-C3 알킬렌-T-]n-H이고, T는 O 또는 NH이고, n은 1 내지 3의 수이다]과 화학식 또는 의 유기 금속 화합물(여기서, R30 내지 R32는 C1-C4 알킬이다)의 동시 사용이 바람직하다. 이러한 경우에서, 바람직하게는, 유기 금속 화합물에 대한 아민의 몰 비는 10:1 내지 1000:1이고, 온도는 -20 내지 150℃, 특히 20 내지 80℃이고, 처리시간은 1/4 내지 100시간이고, 보다 특히 유기 금속 화합물에 대한 아민의 몰 비는 50:1 내지 250:1이고, 온도는 50 내지 80℃이고, 처리시간은 1 내지 10시간이다.
경우에 따라, 이러한 피복물은 지지체 물질 및 금속 반사기 층 또는 금속 반사기 층 및 광학 기록 층 사이에 동일한 두께로 도포될 수 있다. 이는 특정 경우에 예를 들면, 은 반사기가 기록 층에서 황 함유 첨가제와의 배합물로 사용되는 경우 유익할 수 있다.
무기 또는 가교 결합 유기 금속 층 대신 또는 이 이외에, 예를 들면 중합, 특히 광중합 또는 적층에 의해 도포될 수 있는 중합체 층을 사용할 수 있다.
상기 기술한 두께 및 광학 특성을 갖는 커버링 층이 무기 또는 가교 결합 유기 금속 층에 중합 또는 적층에 의해 도포되는 것이 특히 유익하다.
따라서, 본 발명은 다음 배열을 포함하는 광학 기록 매체에 관한 것이다.
(a) 반사 물질 또는 바람직하게는 반사 금속 층을 갖는 중합체의 지지체 물질,
(b) 광학 기록 층,
(c) 금속, 가교 결합 유기 금속 또는 유전 무기 물질의 분리 층, 및
(d) 커버링 층.
다음의 실시예는 본 발명을 보다 상세하게 기술하기 위한 것이다(달리 설명되지 않는 한, UV/VIS 스펙트럼은 디클로로메탄 용액 중에서 측정한다).
실시예 1
문헌[참조: Transition Met. Chem. 14, 341-346 (1989)]에 따라 수득된 생성물 "(피리딘)2Fe(OPTAP)" 1.0중량%를 2-메톡시에탄올 및 2,6-디메틸-4-헵탄온의 85:15 혼합물 99.0중량%에 용해시키고, 용액을 공극 크기가 0.2㎛인 테플론 필터를 통해 여과하고, 0.6mm 두께의 홈이 있는 폴리카보네이트 디스크(직경 120mm, 홈 깊이 170nm, 홈 폭 350nm, 트랙 간격 0.74㎛)의 표면에 800rev/min으로 도포하였다. 과량의 용액을 회전 속도를 증가시켜 방사 제거하였다. 용매 증발시, 염료는 균일한 무정형 고체 층의 형태로 후에 잔류한다. 순환 공기 오븐에서 70℃(10분)에서 건조시킨 후, 고체 층은 623nm에서 0.37의 흡수를 나타낸다. 고체의 투과 스펙트럼은 도 1에 나타내었다.
70nm 두께의 은 층을 진공 피복 장치(TwisterTM, Balzers Unaxis)에 분무하여 생성된 기록 층에 도포하였다. UV 경화성 광중합체의 6㎛ 두께의 보호 층(650-020TM, DSM)을 스핀 피복에 의해 도포하였다. 기록 지지체는 658nm에서 48%의 반사를 나타낸다. 시판되는 시험 장치(DVDT-RTM, Expert Magnetics)를 사용하여, 마크를 속도 3.5m/sec 및 레이저 파워 9.5mW에서 파장 658nm이 레이저 다이오드를 사용하여 활성 층으로 기록하였다. 동일한 시험 장치에서 측정한 동적 매개변수는 매우 양호하다: DTC 지터=9.5%, R14H=47%, l14/14H=0.55.
실시예 2
자기 교반기, 환류 응축기, 온도계, 질소 유입 튜브 및 버블러가 장착된 환저 플라스크에 디페닐 푸마로니트릴 23g 및 1-브로모나프탈렌 46ml를 충전하고, 260 내지 270℃로 가열하였다. 순수한 액체 Fe(CO)5 9.8g을 이러한 용액에 3시간 동안에 걸쳐 깔때기로부터 적가하였다. 반응은 격렬하게 발열성이고, 녹색빛 흑색 고체를 생성하며 밤새 적색빛 갈색으로 변한다. 반응 매체를 약 25℃로 냉각하고, n-헥산 100ml를 적색빛-흑색 시럽 용액에 가하였다. 생성된 현탁액을 약 1시간 동안 교반하고, 여과하였다. 생성된 적색빛 흑색 고체를 48시간 동안 사이클로헥실 이소시아나이드 10.9g을 함유하는 사이클로포름으로 soxhlet에서 추출하였다. 생성된 터키석빛 용액을 증발시켜 자줏빛 고체 14g을 수득하고, TLC(실리카 플레이트/톨루엔 이동상)에서 단일 스폿을 나타낸다. UV/VIS: λmax=615nm(ε=96000l·mol-1·cm-1).
실시예 3
사이클로헥실 이소시아나이드를 등몰량의 피리딘으로 대체하여 실시예 2를 반복하였다. UV/VIS: λmax=617nm(ε=98000l·mol-1·cm-1).
실시예 4
사이클로헥실 이소시아나이드를 등몰량의 메틸 이소시아나이드로 대체하여 실시예 2를 반복하였다. UV/VIS: λmax=614nm(ε=76000l·mol-1·cm-1).
실시예 5
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=611nm(ε=110000l·mol-1·cm-1).
이러한 생성물 MZ42 0.5중량%를 디클로로메탄에 용해시키고, 용액을 공극 크기 0.2㎛의 테플론 필터를 통해 여과하고, 직경이 120mm인 1.2mm 두께의 평평한 유리 디스크의 표면에 1000r.p.m.으로 스핀 피복에 의해 도포하였다. 광학 상수(흡수 최대 λmax, 658nm에서 굴절률 n658, 658nm에서 흡수 계수 k658)를 반사 측정으로 측정하였다(ETA-RTTM, ETA-Optik, Germany): λmax=617nm, n658=1.92, k 658=0.092.
실시예 6
다음 화학식의 화합물(나타낸 4개의 이성체 중의 하나, 각각의 피롤 환 상의 페닐 및 톨릴 그룹은 교환될 수 있다)을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=612nm(ε=115000l·mol-1·cm-1).
이러한 생성물 1중량%를 디클로로메탄에 용해시키고, 용액을 공극 크기 0.2㎛의 테플론 필터를 통해 여과하고, 직경이 120mm인 1.2mm 두께의 평평한 유리 디스크의 표면에 1000r.p.m.으로 스핀 피복에 의해 도포하였다. 광학 상수(흡수 최대 λmax, 658nm에서 굴절률 n658, 658nm에서 흡수 계수 k658)를 반사 측정으로 측정하였다(ETA-RTTM, ETA-Optik, Germany): λmax=621nm, n658=1.98, k658 =0.124.
400 내지 800nm의 파장에서 고체의 착물 굴절률은 도 2에 나타내었다.
실시예 7
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=612nm.
실시예 8
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=585nm(ε=50000l·mol-1·cm-1).
실시예 9
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=585nm.
실시예 10
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=586nm.
실시예 11
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=583nm(ε=48000l·mol-1·cm-1).
실시예 12
다음 화학식의 화합물을 실시예 2의 방법과 유사하게 제조하였다.
UV/VIS: λmax=583nm.
실시예 13 내지 23
(피리딘)2Fe(OPTAP)를 실시예 2 내지 12의 생성물로 대체하여 광학 기록 매체를 실시예 1의 방법에 따라 제조하였다. 피트는 우수한 성능으로 기록 및 판독될 수 있다.

Claims (18)

  1. 기재 및 기록 층을 포함하고, 기록 층이 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물을 포함하는 광학 기록 매체.
    화학식 Ia
    화학식 Ib
    화학식 Ic
    위의 화학식 Ia 내지 Ic에서,
    Q2-는 화학식 의 리간드 또는 이의 토우토머이고,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 시아노, COOR9, CONHR9, CONR9R10, R9, OR9, SR9, NHR9 또는 NR9R10(여기서, R9 및 R10 은 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C24 사이클로알킬, C2 -C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C12 헤테로사이클로알킬, C1 -C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이다)이고, R1 및 R2 , R3 및 R4, R5 및 R6, 및 R7 및 R8은 서로 독립적으로 직접 결합 또는 브릿지 O 또는 S를 통해 결합될 수 있고,
    Mm+은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온이고,
    L1은 서브-구조 N-C, P-C 또는 As-C를 갖는 리간드이고,
    L2는 L1과 독립적으로 하나 이상의 헤테로 원자 N, P, As, O, S, Se 또는 Te를 함유하는 추가의 리간드이고,
    L3 -은 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO- , N3 -, L1-O-, L1-S-, L1 -CO2 -, L1-SO3 - 또는 L1-PO3 -이고,
    L4 -는 L3 -과 독립적으로 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO-, N3 -, L3-O- , L3-S-, L3-CO2 -, L3-SO3 - 또는 L3-PO3 -이고,
    p 및 q는 서로 독립적으로 0 또는 1의 수이고,
    , 및 은 각각 카운터 이온이고,
    m은 Mm+에서 양전하와 동일한 1, 2, 3 또는 4의 수이고,
    n은 -2, -1, +1 또는 +2의 수이어서, , 또는 이 음수가 아니다.
  2. 제1항에 있어서,
    L1이 각각 치환되지 않거나 R9에 의해 치환될 수 있는 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 인다졸, 푸린, 퀴놀리진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 1,8-나프티리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 카바졸, β-카볼린, 아크리딘, 페난트리딘, 페리미딘, 1,7-펜안트롤린, 펜아진, 펜아르사진, 페노티아진, 팬옥사진, 옥사졸, 이속사졸, 포스핀돌, 티아졸, 이소티아졸, 푸라잔, 피롤리딘, 피페리딘, 2-피롤린, 3-피롤린, 이미다졸리딘, 2-이미다졸린, 4-이미다졸린, 피라졸리딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, 피페리딘, 피페라진, 인돌린, 이소인돌린, 퀴누클리딘, 모르폴린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 포스피놀린 및 포스핀돌린으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고,
    R9가 각각 치환되지 않거나 할로겐, 하이드록시, C1-C12 알킬, C1 -C12 알콕시, C1-C8 알킬티오, 시아노, COOR11 또는 P(O)OR11R12에 의해 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C 3-C24 사이클로알킬, C2-C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C 12 헤테로사이클로알킬, C1-C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이고,
    R11 및 R12가 서로 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C12 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬, C6-C10 아릴 또는 C4-C9 헤테로아릴인 기록 매체.
  3. 제1항에 있어서, L1이 니트릴, 이소니트릴, 풀미네이트, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 아조메틴, 옥심, 하이드라존, 세미카바존, 이민, 아미딘 및 아미독심을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 기록 매체.
  4. 제1항에 있어서,
    L3 - 및 L4 -가 CN-, SCN- 또는 NCS- 이고,
    가 1급, 2급, 3급 또는 4급 암모늄인 화학식 의 기록 매체.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, Mm+가 Fe2+ 또는 Co3+인 기록 매체.
  6. 제5항에 있어서, L1이 화학식 의 이소니트릴이고, R15가 치환되지 않거나 치환된 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C12 사이클로알킬, C7-C24 아르알킬, C6-C10 아릴 또는 C4-C9 헤테로아릴인 기록 매체.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 반사기 층 및 커버링 층을 또한 포함하고, 기재, 반사기 층, 기록 층 및 커버링 층의 순서로 배열되는 기록 매체.
  8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따르는 기록 매체가 사용됨을 포함하는, 정보의 광학 기록, 저장 및 재생방법.
  9. 제8항에 있어서, 기록 및 재생이 350 내지 500nm 또는 600 내지 700nm의 파장 범위에서 수행되는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 기록 및 재생이 600 내지 700nm의 파장 범위에서 수행되는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 기록 및 재생이 350 내지 500nm의 파장 범위에서 수행되는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 기록이 600 내지 700nm의 파장 범위에서 수행되고, 재생이 350 내지 500nm의 파장 범위에서 수행되는 방법.
  13. 2-메톡시에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 이소부탄올, n-부탄올, 아밀 알콜, 3-메틸-1-부탄올, 2,2,2-트리플루오로에탄올, 2,2,3,3-테트라플루오로-1-프로판올, 디부틸 에테르, 2,6-디메틸-4-헵탄온, 5-메틸-2-헥산온, 톨루엔, 크실렌, 2,6-디메틸-4-헵탄온 및 이들의 혼합물로부터 선택된 유기 용매에 용해된 제1항에 따르는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물을 포함하는 물질 조성물.
    화학식 Ia
    화학식 Ib
    화학식 Ic
  14. 제13항에 따르는 물질 조성물을 하나 이상의 함몰을 갖는 기재에 스핀 피복에 의해 도포함을 포함하는, 광학 기록 매체의 제조방법.
  15. 정보의 광학 저장을 위한 제1항에 따르는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물의 용도.
    화학식 Ia
    화학식 Ib
    화학식 Ic
  16. 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 착물.
    화학식 Ia
    화학식 Ib
    화학식 Ic
    위의 화학식 Ia 내지 Ic에서,
    Q2-는 화학식 의 리간드 또는 이의 토우토머이고,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 시아노, COOR9, CONHR9, CONR9R10, R9, OR9, SR9, NHR9 또는 NR9R10(여기서, R9 및 R10 은 서로 독립적으로 각각 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C6-C10 아릴, C4-C9 헤테로아릴 또는 직쇄 또는 측쇄 C1-C24 알킬, C3-C24 사이클로알킬, C2 -C24 알케닐, C3-C24 사이클로알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C12 헤테로사이클로알킬, C1 -C12 헤테로사이클로알케닐, C7-C24 아르알케닐 또는 C7-C24 아르알킬이다)이고, R1 및 R2 , R3 및 R4, R5 및 R6, 및 R7 및 R8은 서로 독립적으로 직접 결합 또는 브릿지 O 또는 S를 통해 결합될 수 있고,
    Mm+은 가장 바깥쪽에 위치하는 d-쉘에서 5 또는 6개의 전자를 갖는 전이 금속 양이온이고,
    L1은 서브-구조 N-C, P-C 또는 As-C를 갖는 리간드이고,
    L2는 L1과 독립적으로 하나 이상의 헤테로 원자 N, P, As, O, S, Se 또는 Te를 함유하는 추가의 리간드이고,
    L3 -은 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO- , N3 -, L1-O-, L1-S-, L1 -CO2 -, L1-SO3 - 또는 L1-PO3 -이고,
    L4 -는 L3 -과 독립적으로 CN-, SCN-, NCS-, OCN-, NCO-, N3 -, L3-O- , L3-S-, L3-CO2 -, L3-SO3 - 또는 L3-PO3 -이고,
    p 및 q는 서로 독립적으로 0 또는 1의 수이고,
    , 및 은 각각 카운터 이온이고,
    m은 Mm+에서 양전하와 동일한 1, 2, 3 또는 4의 수이고,
    n은 -2, -1, +1 또는 +2의 수이어서, , 또는 이 음수가 아니고,
    단, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 모두 페닐이고, M이 Fe(II), Ru(II) 또는 Os(II)이고, L1 및 L2가 둘 다 피리딘이거나,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 모두 페닐 또는 p-3급-부틸-페닐이고, M이 Fe(II)이고, L1 및 L2가 피라진, 3급-부틸이소시아나이드, 사이클로헥실이소시아나이드, 페닐이소시아나이드 또는 2,3,5,6-테트라메틸디이소시아노벤젠인 경우는 제외된다.
  17. 제1항에 따르는 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물, 및 고체 형태로 350 내지 620nm 범위에서 최대 흡수(λmax)를 나타내는 또 다른 발색단을 포함하고, 또 다른 발색단에 대한 화학식 Ia, Ib 또는 Ic의 화합물의 중량비가 1:99 내지 99:1, 바람직하게는 1:95 내지 95:1, 특히 30:70 내지 70:30, 보다 특히 40:60 내지 60:40인 물질 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 또 다른 발색단이 기본 구조 를 갖는 물질 조성물.
KR1020047007436A 2001-11-15 2002-11-07 금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체 KR20050044487A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH21022001 2001-11-15
CH20012102/01 2001-11-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050044487A true KR20050044487A (ko) 2005-05-12

Family

ID=4567519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047007436A KR20050044487A (ko) 2001-11-15 2002-11-07 금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20050008974A1 (ko)
EP (1) EP1446800A1 (ko)
JP (1) JP2005511344A (ko)
KR (1) KR20050044487A (ko)
CN (1) CN1585977A (ko)
BR (1) BR0214163A (ko)
MX (1) MXPA04004578A (ko)
RU (1) RU2004118245A (ko)
TW (1) TW200300549A (ko)
WO (1) WO2003042990A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4417869B2 (ja) * 2005-03-15 2010-02-17 株式会社東芝 情報記憶媒体、再生方法及び記録方法
US20070010645A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Silverbrook Research Pty Ltd Red-shifted water dispersible IR dyes

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9123814D0 (en) * 1991-11-08 1992-01-02 Johnson Matthey Plc Photosensitizers
US5348840A (en) * 1993-05-05 1994-09-20 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Optical recording medium
ES2200088T3 (es) * 1996-01-29 2004-03-01 Ricoh Company, Ltd Medio de registro optico de informacion.
DE59710824D1 (de) * 1996-05-03 2003-11-13 Ciba Sc Holding Ag Optische Speichermedien mit hoher Kapazität, die Xanthenfarbstoffe enthalten
JPH09309268A (ja) * 1996-05-23 1997-12-02 Mitsubishi Chem Corp 光学的記録媒体及び情報記録方法
JP3685922B2 (ja) * 1997-11-05 2005-08-24 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体およびその記録方法
KR100510022B1 (ko) * 1999-12-28 2005-08-25 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 신규한 아자포르피린 화합물 및 그 제조방법
TW518591B (en) * 2000-09-19 2003-01-21 Mitsui Chemicals Inc Optical recording information medium
JP2004509377A (ja) * 2000-09-21 2004-03-25 バイエル　アクチェンゲゼルシャフト 光を使用して記録可能な情報層中にＣｏ−フタロシアニン錯体を含有する光学的データ貯蔵装置
CN1462435A (zh) * 2000-09-21 2003-12-17 拜尔公司 在信息层中包含酞菁染料作为吸光化合物的光数据载体
US6737143B2 (en) * 2001-06-14 2004-05-18 Ricoh Company Ltd. Optical recording medium, optical recording method and optical recording device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1585977A (zh) 2005-02-23
WO2003042990A1 (en) 2003-05-22
BR0214163A (pt) 2004-09-28
TW200300549A (en) 2003-06-01
US20050008974A1 (en) 2005-01-13
EP1446800A1 (en) 2004-08-18
RU2004118245A (ru) 2005-09-10
MXPA04004578A (es) 2004-08-13
JP2005511344A (ja) 2005-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100466374B1 (ko) 고용량저장매체및이를이용한광기록,저장및재생방법
US20100075098A1 (en) Pyridinone based azo dyes and thier metal complex salts
JP2005525956A (ja) 五環式キサンチリウム染料を含む光学記憶媒体
US20070248782A1 (en) High-Capacity Optical Storage Media
WO2003007296A1 (en) Fast-writable and precision-writable high-capacity optical storage media
US20040096775A1 (en) Optical recording materials having high storage density
KR20040078675A (ko) 저장 밀도가 높은 광학 레코딩 소재
US5871882A (en) High capacity recording media
US20080130474A1 (en) Optical Recording Materials Having High Stroage Density
US20050238840A1 (en) High-performance optical storage media
KR20060006900A (ko) 고용량 광저장 매체
KR20050044487A (ko) 금속 착물을 함유하는 기록 가능한 고용량 광학 저장 매체
KR20050115265A (ko) 저장 밀도가 높은 광학 기록 물질
EP1719126A1 (en) Optical recording materials having high storage density
KR20070042575A (ko) 저장 밀도가 높은 광기록 재료
WO2007131875A1 (en) High capacity optical storage media comprising metallized, heterocyclic ions pairs
WO2005081239A1 (en) Optical recording materials having high storage density

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid