KR20050044265A - 센서 모듈 - Google Patents

센서 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20050044265A
KR20050044265A KR1020040089560A KR20040089560A KR20050044265A KR 20050044265 A KR20050044265 A KR 20050044265A KR 1020040089560 A KR1020040089560 A KR 1020040089560A KR 20040089560 A KR20040089560 A KR 20040089560A KR 20050044265 A KR20050044265 A KR 20050044265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensor module
cover
lid
housing
conductive
Prior art date
Application number
KR1020040089560A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101026556B1 (ko
Inventor
바이블렌쿠르트
슈미히프란츠
에메리히하랄트
오프터딩어클라우스
보이텔한스외르크
베르만요한
그라브마이어플로리안
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20050044265A publication Critical patent/KR20050044265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101026556B1 publication Critical patent/KR101026556B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032Packages or encapsulation
    • B81B7/0064Packages or encapsulation for protecting against electromagnetic or electrostatic interferences
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00Details of instruments
    • G01P1/02Housings
    • G01P1/023Housings for acceleration measuring devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/648Protective earth or shield arrangements on coupling devices, e.g. anti-static shielding  
    • H01R13/658High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
    • H01R13/6591Specific features or arrangements of connection of shield to conductive members
    • H01R13/6594Specific features or arrangements of connection of shield to conductive members the shield being mounted on a PCB and connected to conductive members
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0242Gyroscopes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 발명은 센서 모듈, 특히 가속도 및 회전율을 측정하기 위한 센서 모듈에 관한 것으로, 상기 센서 모듈은 합성수지 재료로 이루어진 하우징 기본 부재(2)와, 이 하우징 기본 부재(2)를 통해 연장되고 회로기판에 부착하기 위해 마련된 접속핀(14)인 리드(10, 13)를 구비한 리드프레임(11)과, 도전성 재료로 이루어지고 기본 부재(2)와 결합되며 적어도 하나의 접속핀(14)과 결합되는 덮개(3)와, 접속본드(12)에 의해 리드프레임(11)과 접촉되고 적어도 하나의 센서칩(7)을 구비한 센서장치(7, 9)로 구성된다.
접속핀과 결합되는 도전성 덮개는 차폐 효과가 크고 구조가 간단하게 되어 있다. 이때, 덮개는 예를 들어 뚜껑으로서 회로기판에 꽂을 때 접속핀을 거쳐 또 다른 접속핀과 바로 접촉될 수 있다.
센서 모듈은 몰딩될 수 있거나 주조 하우징으로 제공될 수 있다. 덮개는 모서리 또는 리드프레임의 하나의 리드부와 융착되는 접촉부에 접착되거나 압착될 수 있다.

Description

센서 모듈{SENSOR MODULE}
본 발명은 센서모듈에 관한 것으로, 특히 가속도 또는 회전율을 측정하기 위한 센서모듈, 바람직하게는 전자파에 민감한 센서에 관한 것이다.
회로기판에 꽂는 센서 모듈은 통상적으로 합성수지 하우징과 회로기판 상에 접속하기 위해 접속핀을 구비하고 있다. 이때, 센서칩 내지 센서칩과 프로세스칩은 리드프레임 상에 삽입되고 합성수지로 몰딩되거나 또는 일체형 리드프레임을 구비한 주조 하우징에 삽입되는데, 이 일체형 리드프레임은 하나의 뚜껑에 의해 밀폐된다. 이러한 두가지 시스템의 경우, 일반적으로 전자적 적합성(EMC)은 충분한 차폐를 통해서도 쉽지 않게 실현되고 있다. 이는 예를 들어 용량을 읽어내는 센서, 일례로 구조적으로 마이크로 메커니즘적인 가속도센서 및 각속도센서의 사용의 경우 문제가 많다. 이 경우, EMC 콘덴서는 최적의 스트립 컨덕터 레이아웃, 하우징 내 외부 보호 또는 견고한 프로세스전환장치 및 전환장치원리가 사용될 수 있다. 또한, 이를 통해 안전한 사용을 위해서, 특히 차량에서 EMC에 대한 필수적인 요건들이 종종 충족되지 못하고 있어서 이러한 안전 중시 형태의 사용시 센서는 최적의 효율적인 투여에 의해 사용된다.
그에 반해, 본 발명에 따른 센서 모듈은 한편으로는 표준 회로기판 인라인 어셈블리에 사용가능하고, 또 다른 한편으로는 전자기 방해에 대해 센서장치를 양호하게 보호할 수 있는 장점이 있다. 바람직하게는, 구조가 비교적 간단하고 제조가 용이하며 비용저렴하다.
본 발명에 따르면, 아주 간단한 방법으로 구조는 더 단순하면서 높은 차폐 효과에 도달될 수 있는데, (본 발명에 따르면, 원칙적으로는 도전 영역 이외에도 일부 비도전 영역을 제공할 수 있는) 도전성 덮개는 접속핀에 의해 결합되어 지고, 회로기판 인라인 어셈블리의 경우 덮개는 접속핀에 의해 또 다른 접속핀과 함께 바로 접촉될 수 있다. 이때, 덮개는 예정된 힘, 바람직하게는 어떤 물질로 고정 위치된다.
첫번째 구성에 따르면, 주조 하우징은 하우징 하부와 덮개로 사용될 수 있다. 이런 경우, 바람직하게는 도전성 덮개는 하우징 하부에 삽입된다. 여기서 선택적인 두번째 구성에 따르면, 리드프레임과 센서장치는 몰딩되어지고, 차폐 효과를 개선시키기 위해 물질과 연결되고 센서장치하부에 있는 다이 패드는 몰딩될 수 있다. 하나 이상의 능동적인 또는 수동적인 부품요소 내지 칩이 하우징 내로 수납될 수 있다.
덮개는 한편으로는 리드프레임의 핀 부재에 의해 센서칩장치의 접속 부재에 연결되고, 또 다른 한편으로는 덮개로부터 하부로 연장되는 돌기부에 형성되고 그 옆에 배열된 리드프레임의 핀 부재에 의해 함께 접촉될 수 있는 분리된 덮개-접속핀을 구비하고 있다.
리드프레임에 의한 덮개의 접촉은 예를 들어 위로 꺾여진 핀부재를 통해 덮개 또는 그에 부합되는 수납장치부, 예를 들어 리드프레임의 리드포크부의 가압과 접합으로 이루어진다.
또한, 기부 하우징은 물질상에 놓여지지 않은 리드프레임 핀의 관통을 위해 사용되는 절연 영역을 갖는 도전성 합성수지로 형성될 수 있고, 이를 통해 모든 방향으로의 차폐 또는 완전한 주위 차폐가 달성되며, 이는 예를 들면 유리 가이드를 갖는 강철 모듈에 의한 공지된 구조에 비해 명백한 구조적 단순화를 나타낸다.
몰딩된 센서 모듈의 경우 추가적으로 도전성 덮개를 쉽게 얹게되어 있거나 또는 이미 합성수지 기본 부재에 융착된다. 주조 하우징의 경우, 덮개는 안으로 압착, 클램핑, 융착, 또는 바로 용접도 될 수 있다.
전체적인 결합의 경우, 그리고 예비 몰딩뿐만아니라 이미 몰딩된 경우에도 덮개는 부품을 향해 내려 앉아 덮혀지거나 측면으로 깊숙이 이동된다. 또한, 도전성 덮개는 하향으로 꺾이거나 연장되는 반면에 전체 회전 보호는 전기적 물질이 연결되는 도전성 금속 영역을 통해 이루어진다.
본 발명에 따르면, 덮어 씌우기 위해 꺾여진 복수의 핀 부재는 측면의 EMC파의 축소를 위해 리드로부터 그리드를 형성한다.
도전성 덮개는 예를 들어 뚜껑, 특히 깊숙이 들어가는 뚜껑, 도전 압력, 필름, 또는 층이 될 수 있다. 그것들은 모두 도전성 재료로 만들어지거나 또는 비도전성 매트릭스 내 도전성 침적 및/또는 도전성 적층을 마련한다. 여기서 중요한 것은 필수적인 차폐 효과에 도달한다는 것이다.
도전성 덮개는 바람직하게는 설치후, 예를들어 열코킹후 부품핀을 형성시킬만큼 변형된다.
장점적으로는 센서 모듈 하부의 회로기판 상에 추가적인 물질의 면적을 마련한다.
본 발명의 구성을 살펴보면, 도전성 덮개와 리드프레임의 핀 부재 사이의 접촉은 주조 하우징 하부의 하우징 벽내 채널, 덮개의 구멍, 핀부재를 통하고 이 채널과 구멍을 통해 연장되는 접촉부, 특히 도전성 점착부 또는 접촉핀을 통해 이루어진다.
본 발명은 첨부하는 도면을 근거로 다음의 실시예를 설명해 주고 있다.
도1a 및 도1b에 따르면, 센서 모듈(1)은 합성수지 하우징으로 이루어진 하우징 하부(2)와 금속 덮개(3)로 구성되는 주조 하우징(2, 3)으로 제공되며, 이들 사이에는 내부공간(4)이 형성되어 있다. 이 내부공간(4)에서 하우징 하부(2)의 내면(5)에 부착층(6)에 의해 센서칩(7)과 프로세스칩, 예를들어 에이직(9, ASIC 응용 주문형 집적회로)이 붙어 있으며, 이는 리드프레임(11)상의 리드(10, 13)의 접촉영역을 통해 접속본드(12)에 의해 공지된 방법으로 서로 연결되어 있다. 리드프레임(11)은 하우징 하부(2)를 관통하여 연장하고, 리드부(13)와 또 다른 리드(10)가 제공되는데, 도면에 표지되지 않은 회로기판에 고정하기 위해 공지된 방법에 의해 외단부상에서 돌출된 접속핀(14) 아래로 내려간다.
센서칩(9)은 특히 미세한 구조의 부품으로, 예를들어 수직으로 형성된 기판을 구비한 가속도센서로, 효과적인 가속도 및 회전율의 경우 그 탄성에 부합하여 변형될 수 있으며, 프로세스변환장치(9)는 측정신호를 용량으로 판독한다. 내부공간(4)은 비어 있거나 공기로 채워지거나 또는 차폐물질, 예를 들어 젤로 부분적으로 채워지거나 가득 부어 채워 넣는다.
본 발명에 따르면, 리드프레임(11)은 적어도 부분적으로는 금속돌출부(15, 리드)를 향해 꺾여진 돌기 단부(16)를 마련한다. 금속돌출부(15)는 도면에 나타난 바와 삽입된 상태에서 결합되는 금속덮개(3)를 수납하는데 사용된다. 이 경우, 금속돌출부(15)의 단부(16)는 외향하여 꺾여 있어서 위로부터 얹혀지는 덮개(3)는 자체 중심으로 수납된다. 금속돌출부(15)는 전방을 비워 위치시킬 수 있거나 하부 영역에서 하우징 하부(2)를 관통하여 연장될 수 있다. 이로써, 본 발명에 따르면 덮개(3)는 프로세스칩(9)의 접속부로도 사용하는 리드부(13)를 구비한 금속돌출부(15)를 거쳐 전기적으로 연결되고 기판의 접촉부 내지 접촉면과 접속된다.
도2a, 도2b 및 도2c에서 니타난 실시예에 있어서, 도전성 덮개(20)는 하우징 하부(2)로 위치하게 되고 그 덮개의 하부 모서리(21)로 예를 들어 4개의 복수 리드포크부(23)를 눌러 결합되며 리드부(13)를 구비한 리드포크부(23)를 거쳐 접촉하게 된다. 개략적인 도면을 나타낸 본 도면에서는 칩이 생략되어 있지만, 도1a 및 도1b에 부합하여 하우징 하부(2)에 고정되고 리드프레임(11)의 리드에 의해서 접촉된다. 리드포크부(23)는 매번 2개의 상향 돌기된 금속돌출부(24)를 제공하고, 이는 덮개하부모서리(21)를 위한 수납개구부(22)를 정하고 예를 들어 짧게 연장하는 돌기부(25)가 중심으로 내려 간다. 금속돌출부는 삽입되는 덮개하부모서리(21)를 탄력적으로 수납한다. 도면에 나타난 실시예에서 선택적으로 덮개(20)는 예를 들어 하부모서리(21)에 있는 것이 아니라 추가적으로 마련된 것인데, 리드포크부(23)로부터 하향 돌기된 돌기부를 향해 수납된다.
도3a 및 도3b에 나타난 실시예의 경우, 금속덮개(26)는 덮을 때 리드부(13)의 리드 단부(30)가 깎여 들어가는 홈(29)을 하부모서리(21)에 마련한다. 도3a 및 도3b에 나타난 바와 같이, 이를 통해 홈(29) 전체 권역을 거쳐 연장하는 금속덮개와 리드부(13) 사이의 큰 접촉면이 형성된다.
도4a 및 도4b에 나타난 실시예의 경우, 리드부(13)의 단부는 하우징 하부(2)로부터 수직으로 올라와 돌출하는 가압핀(32)으로 형태가 이루어진다. 금속덮개(33)에는 덮개를 덮을 때 가압핀(32)이 삽입되는 구멍(34)이 마련되어 있다. 여기서 리드부(13)의 가압핀(32)은 고정하기 위해 부착용으로 사용될 뿐만 아니라 금속덮개(33)의 전기적 접촉을 위해서도 사용된다.
도5a 및 도5b에 나타난 실시예의 경우, 하우징 하부(2)는 도전성 합성수지나 예를 들어 섬유와 같은 도전성 보충재를 비치하는 합성수지 재료로부터의 도전 가능 영역(35)과, 전기적으로 절연되는 합성수지로부터의 절연 영역(36)을 마련한다. 하우징 하부(2)의 절연 영역(36)은 도5a의 좌측 도시부분에 따르면 부재와 연결되어 있지 않은 리드(10)를 에워싸고 있어서 리드(10)로 가는 칩(7, 9)의 전기적 접촉은 접속본드(12)에 의해서 가능하다. 절연 영역(36)은 도전성 하우징 하부(2)를 통하여 리드(10)가 관통하는데 사용된다. 도5a 및 도5b의 우측에 도시된 바와 같이, 핀부재(13)는 전기 절연없이 하우징 하부(2)의 도전 영역(35)을 관통하고, 하우징 하부(2)와 이와 결합되는 금속이나 또는 도전성 합성수지로 된 도전성 덮개(3)의 도전 영역(35)은 이들을 전기적으로 연결하고 핀부재(13)에 의해 결합된다. 이러한 실시예의 형태의 경우, 작은 절연 영역(36) 상에서 칩(7, 9)의 완전한 차폐를 가능하게 한다.
도6a 및 도6b의 실시예의 경우, 도전성 재료, 예를 들어 금속이나 도전성 합성수지로 된 덮개(3)에는 리드프레임(11)의 접속핀(14)이 수평 상태가 되도록 아래로 꺾여져 내려 오게 한 예를 들어 금속으로 된 브리지(39)가 고정되어 있고, 이를 통해 접속핀(37)으로 이어 넘어 간다. 이러한 2부분 구성에 대해 선택적으로, 덮개(3)와 브리지(39)가 도전성 재료로 일체형으로 제조될 수도 있다. 이로써, 회로기판 부품의 경우 모듈(1)은 리드부재(13)와 브리지(39)의 접속핀(14, 37)이 공동으로 접촉될 수 있는 한 접촉될 수 있다.
도7의 (a) 내지 (d)의 실시예의 경우, 칩(7, 9)을 구비한 리드프레임(11)이 합성수지 재료에 바로 융착되거나 몰딩되어 있는 센서 모듈을 도시하고 있고, 리드(10, 13)의 접속핀(14)이 돌출되어 있는 합성수지 기본부재(40)는 비도전성 합성수지로 이루어져 있다. 이렇게 몰딩된 부품은 공지된 방식대로 기판에 부착하는데 바로 사용된다. 본 발명에 따르면, 도전성 재료, 예를 들어 금속이거나 또는 도전성 합성수지로 이루어지는 덮개(41, 42)가 각각 얹혀진다.
도7의 (a) 내지 (c)의 실시예의 경우, 도전성 덮개(41)의 접촉은 도4a 및 도4b에 도시된 실시예에 일치하여 접촉에 동시에 사용하는 가압핀(32)에 의해 일어난다. 도7의 (a)의 경우, 덮개(41)는 합성수지 기본부재(40) 상에 위치된다. 도7의 (b)의 경우, 덮개(41)는 합성수지 기본부재(40)의 모서리 위로 위치하게 된다. 도7의 (c)의 실시예의 경우, 도전성 덮개(41)는 먼저 가압핀(32) 위로 얹혀지고 합성수지 기본부재(40)가 이어서 주입됨으로써, 덮개(41)는 합성수지 기본부재(40)에 주입된다. 도7의 (d)의 실시예의 경우, 도6a 및 도6b의 실시예와 일치하여 덮개 접속핀(37)을 구비한 브리지(39)를 거쳐 도전성 덮개(42)의 접촉이 일어난다. 이로써, 덮개(42)는 합성수지 기본부재(40) 상에 용이하게 위치하게 되고, 덮개 접속핀(37)에 의해서 리드부(13)의 접속핀(14)과 함께 기판상에서 접촉된다.
도7의 (a) 내지 (d)의 전체 도면의 경우, 바람직하게는 리드부(13)와 연결된 다이 패드(43)는 센서장치(7, 9) 아래에 그리고 접속본드(12)는 하향하여 차폐 효과가 상승하는 합성수지 부재(40) 내로 몰딩된다.
주조 하우징 하부의 실시예에 있어서도 원칙적으로 도전 요소, 예를 들어 주조 하우징 하부로의 다이 패드(die pad)가 차폐 효과를 높이기 위해서 센서장치 아래로 융착된다.
도1a 내지 도6b의 실시예는 결합부재 내지 접합효과를 상승시키기 위해 원칙적으로 복합 연계될 수 있으며, 도7의 (a) 내지 (d)의 실시예에서와 같이 복합 연계될 수도 있다.
도8a, 도8b 및 도9a 내지 도9d의 실시예에서는 비도전성 합성수지로 된 주조 하우징 하부(2)와, 하우징 하부에 삽입되고 도전성 재료로 이루어지며 거의 수직으로 연장하는 벽(56)을 구비하는 덮개(53)가 도시되어 있다. 이 때, 덮개(53)는 특히 박판의 프레스물로 저렴하게 제작될 수 있다. 또한, 예를 들어 천공 및 절곡을 통해 제작될 수도 있다. 이 덮개는 도8b의 좌측 도시부분에 따르면 접착부(54)를 통해 하우징 하부(2)와 결합되고, 도8b의 우측 도시부분에 따르면 끼움형상부, 예를 들어 하우징 하부(2)에 도시된 절곡단부(55)를 통해 결합된다.
벽부(56)의 덮개 하부 모서리(57)는 도8a에 따르면 하우징 하부(2)의 내면(5)상에서 전후방에 마련된다. 측면에서 보는 이 덮개 모서리(57)는 도8b의 좌측 도시부분에 따르면 부재상에 놓여있지 않은 리드(10) 위에서 끝나고, 도8b의 우측 도시부분에 따르면 리드부(13)와 전기적으로 결합된다. 덮개(53)의 벽부(56)를 통해서 지속적인 차폐가 전후방 및 측면으로 일어난다.
덮개 모서리(57)는 상이한 방식에 의해 리드부(13) 상에 고정된다. 이 때, 덮개 모서리는 도9a 내지 도9d에 따르면 리드부(13) 상에 얹혀져 융착되고, 용접되거나 또는 접속접착부(60)에 의해서 고정된다. 접속접착부(60)의 사용의 경우, 이는 덮개(53)를 씌우기 전에 리드부(13) 상에 주입되며 접촉부(59)는 젖은 접속접촉부(50)를 누르게 되고 최종적으로는 견고하게 된다.
덮개(53)와 리드부(13) 사이의 융착 결합은 바람직하게는 저항 용접을 통해 이루어지는데, 덮개(53)와 리드부(13) 사이에 전자의 도움에 의해서 전류가 발생되어 양쪽이 서로 결합하게 된다.
이에 선택적으로, 도9a 내지 도9c에 따르면 덮개(57)에는 리드부(13)의 구멍(61)에 삽입되는 하나의 접촉부(59)가 형성되고 성형되거나 또는 설치된다. 덮개(57) 내지 접촉부(59)는 도9a의 실시예의 경우 리드부(13)와 융착되고 도9b에서는 도9d에서와 같이 처리되는 접속접착부(60)를 통해 부착된다. 도9c의 실시예의 경우 접촉부(59)는 정사각형 단면으로 형성되고 구멍(61) 내로 가압된다. 접촉부(59)와 구멍(61)은 4개의 에지(62)가 가압시 변형되어 전기적 접촉이 형성될 정도의 크기로 한다.
도10의 실시예에서는 도1a 내지 도6b의 실시예와는 반대로 리드프레임의 핀부재(13)와 덮개(3) 사이의 접촉이 하우징 하부(2)의 하우징벽(69)을 통해 일어나는 주조 하우징 하부(2)와 씌워지는 도전성 덮개(3)가 도시되어 있다. 이 경우, 하우징벽(69)에는 하부로부터 상부로 관통하는 채널(70) 내지 통로가 형성되어 있다. 또한, 리드프레임의 핀부재(13)에 있는 구멍(71)과 채널(70)과 동렬로 되어 있는 덮개(3)에 있는 구멍(72)이 일치하게 형성되어 있다. 채널(70)과 구멍(71, 72)에는 덮개(3)와 핀부재(13) 사이의 접착접촉부(74)를 형성하는 접속접착부가 설치된다. 하우징 하부(2)에 있는 채널(70)은 하우징벽(69)에 주조 하우징 하부(2)를 주입할 때 바로 형성되고, 또한 구멍(71, 72)은 미리 제조될 수 있거나 또는 접촉전에 닫혀진 상태에서 구멍을 낼 수도 있다. 덮개(3)를 덮고 난 후 구멍을 통해 덮개(3)에 접속접착부가 필요없게 되며, 채널(70)과 구멍(71, 72)의 관통은 공기가 하방으로 빠져 나오도록 작용한다.
도11의 실시예의 경우, 채널(70)과 구멍(71, 72)은 도10에서와 같이 일치되게 형성된다. 최종적으로는 접촉핀(76)은 채널(70)과 구멍(71, 72)에 설치되는데, 이 때 리드프레임의 핀부재(13)와 덮개(3) 사이에 접촉 작용이 일어난다.
도12a 내지 도12c의 실시예의 경우, 도전성 덮개(3)에는 하우징 하부(2)를 리드(10)가 없는 측면영역(84)에서 후방파지영역(82)에 의해서 후방 파지하는 클램핑아암(80)이 마련되어 있으며, 이는 덮개(3)와 하우징 하부(2) 사이를 끼워맞춤식으로 결합한다. 원칙적으로 전체적인 하우징 하부(2)에서 도시된 후방파지에 대해서는 선택적으로 예를 들어 하우징 하부(2)의 측벽에 긴 홈을 마련할 수 있다.
하우징 하부(2)의 또 다른 양측면은 도면에 도시된 것과 같이 덮개(3)의 돌출연장부(83)에 의해서 고정하기 위해 에워싸도록 되어 있어서 덮개(3)는 하우징 하부(2)에서 빠져 나올 수 없다. 덮개(3)는 프레스물로서 천공 및 추가적인 절곡을 통해 제작될 수 있다. 이로써, 빠르고 간단하면서도 안전하게 하우징 하부(2) 상의 덮개 제작이 가능하며, 이 때 도12c 및 도12a, 도12b에 따르면, 덮개는 하우징 하부(2) 상에 위치하게 되어 클램핑된다.
이러한 실시예의 경우, 도7의 (d)의 실시예와 일치하여 덮개(3)의 접촉이 클램핑아암(80)에 의해서 일어난다. 또한, 하우징 하부(2)의 바닥면(85)이 도전될 수 있기 때문에, 이 바닥면은 클램핑아암(80)에 의해서 덮개(3)와 접촉하게 되어 있고, 또한 기판, 예를 들어 기판의 다이 패드(die pad) 상에 결합시키기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 센서 모듈은 표준 회로기판 인라인 어셈블리에 사용가능하고, 전자기 방해에 대해 센서장치를 양호하게 보호할 수 있는 효과가 있다.
도1a 및 도1b는 주조 하우징과 접착되어진 덮개에 대한 제1 실시예에 따른 센서모듈의 단면도와 부분 개구된 평면도.
도2a, 도2b 및 도2c는 주조 하우징 및 덮혀진 뚜껑에 대한 또 다른 실시예에 따른 센서모듈의 단면도와 부분 개구된 평면도 및 개별체(Z).
도3a 및 도3b는 주조 하우징과 절개된 리드단부에 대한 또 다른 실시예에 따른 조립전후의 센서 모듈의 단면도.
도4a 및 도4b는 주조 하우징과 가압핀으로 가압시킨 덮개에 대한 또 다른 실시예에 따른 센서 모듈의 평면도 및 단면도.
도5a 및 도5b는 도전성 영역을 구비한 주조 하우징으로 된 또 다른 실시예에 따른 단면도 및 평면도.
도6a 및 도6b는 도전성 영역을 구비한 주조 하우징으로 된 또 다른 실시예에 따른 단면도 및 평면도.
도7은 몰딩된 구성요소의 상이한 실시예에 따른 단면도.
도8a는 하부로부터의 주조 하우징과 덮혀진 도전성 덮개로 구성된 또 다른 실시예에 따른 측면 단면도.
도8b는 도8a의 또 다른 실시예에 따른 전방 단면도.
도9a 내지 도9d는 상이한 실시예에 따른 도8a의 확대도.
도10은 주조 하우징, 도전성 덮개, 점착성을 갖는 채널을 거치는 접촉부로 이루어지는 또 다른 실시예에 따른 단면도.
도11은 주조 하우징, 도전성 덮개, 채널에 삽입된 접촉핀을 거치는 접촉부로 이루어지는 또 다른 실시예에 따른 단면도.
도12a 내지 도12c는 주조 하우징과 도전성 덮개로 이루어지는 또 다른 실시예에 따른 평면사시도, 배면사시도 및 결합도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 센서 모듈
2: 하우징 하부
3: 금속 덮개
4: 내부공간
5: 내면
6: 부착층
7: 센서칩
9: 에이직
11: 리드프레임
12: 접속본드
13: 리드부
14: 접속핀

Claims (26)

  1. 합성수지 재료로 이루어진 하우징 기본 부재(2, 40)와, 이 하우징 기본 부재(2)를 통해 연장되고 회로기판에 부착하기 위해 마련된 접속핀(14)인 리드(10, 13)를 구비한 리드프레임(11)과, 도전성 재료로 이루어지고 기본 부재(2, 40)와 결합되는 덮개(3, 20, 26, 33, 41, 42, 53)와, 적어도 하나의 센서칩(7)을 구비한 센서장치(7, 9)로 구성되고, 상기 센서 장치(7, 9)는 접속본드(12)에 의해 리드프레임(11)과 접촉되고, 상기 덮개(3, 20, 26, 33, 41, 42, 53)는 센서 모듈(1)에서 적어도 하나의 접속핀(14, 37)과 결합되는 센서 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 덮개(3, 42)는 회로기판에 접속시킬 수 있도록 덮개 접속핀(37)과 결합되도록 하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 덮개 접속핀(39)은 리드프레임(11)에서 핀 부재(13) 상에 경계되어 있는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 덮개(3, 20, 26, 33, 41, 53)는 리드프레임(11)의 핀 부재(13)와 결합되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  5. 제4항에 있어서, 리드프레임(11)은 상향 돌출하는 적어도 하나의 금속돌출부, 특히 꺾여진 단부(16)를 구비한 금속돌출부를 마련하고, 덮개(3)는 금속돌출부(15) 사이를 접합시켜주는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 덮개(3)는 리드프레임(11)의 수납장치부(23)에 압착시키는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 덮개(3)는 덮개 모서리부(21)에 의해 리드프레임(11)의 수납장치부(23) 상의 개구부 안으로 압착시키는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 수납장치 리드부(23)는 삽입된 덮개(21)의 접합을 위해 각각 적어도 2개의 이격된 금속돌출부(24)를 구비하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  9. 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 덮개(26)는 리드프레임(11)의 리드 단부(30)가 죄여 들어가도록 덮개 하부측면(21)상에 홈(29)이 마련되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  10. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 덮개(33)는 리드프레임(11)의 압착핀(32)을 압착시켜 넣을 수 있는 개구부(34)를 마련하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 기본 부재(2)는 도전 영역(35)과 절연 영역(36)을 마련하고, 상기 도전 영역(35)은 덮개(3)가 도전 영역(35) 상에 위치하게 되고 리드부(13)가 도전 영역(35)을 관통하여 가이드되는 기본 부재(2)의 대부분을 거쳐 연장되며, 상기 절연 영역(36)은 리드프레임(11)의 또 다른 리드(10)를 에워싸고 도전 영역(35)을 통해 가이드되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 하우징 기본 부재(40)는 리드프레임(11)과 센서장치부(7, 9)에 대해 몰딩되고 덮개(41, 42)가 얹혀지는 절연 합성수지로 이루어진 기본 부재인 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 기본 부재(2)는 주조 하우징 하부(2)로 되어 있고 센서 장치부(7, 9)는 하우징 하부(2)와 덮개(3)로 둘러싸이는 내부 공간(4) 안에 위치되고, 바람직하게는 부착되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  14. 제13항에 있어서, 덮개(3)는 하우징 하부(2)로 얹혀지는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 덮개는 깊게 삽입되는 뚜껑(53) 또는 절곡된 금속으로 된 뚜껑인 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 덮개(53)는 접착부(54) 또는 클램핑, 예를 들어 뚜껑을 후방에서 걸리게 하우징 하부(2) 상의 절곡부(55)에 의해 하우징 하부(2)와 결합되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 덮개(53) 상에는, 바람직하게는 덮개(53)의 뚜껑 모서리부(57)에는 리드부(13)의 구멍(61)으로 삽입시키는 적어도 하나의 접촉부(59)가 형성되거나 설치되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  18. 제17항에 있어서, 적어도 하나의 접촉부(59)는 에지(62)의 변형하에 구멍(61) 속으로 압착시켜 밀어 넣는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  19. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 뚜껑 모서리부(57) 또는 접촉부(59)는 용접하여 융착시키거나 도전성 접착부(54)를 통해 리드부(13)와 결착되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  20. 제13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 주조 하우징 하부(2)의 하우징벽에는 덮개(3)와 핀 부재(13) 사이에 도전성 접촉부(74, 76)가 형성되어 있는 채널(70)이 구성되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  21. 제20항에 있어서, 핀 부재(13) 및/또는 덮개(3)로 연속하는 구멍(70, 71)이 채널(70) 상에 형성되고 접촉부는 구멍(70, 71) 및 채널(70)을 통해 연장하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, 도전성 접촉부는 채널(70) 상에 형성되어 있는 결착 접촉부(74)인 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  23. 제20항 또는 제21항에 있어서, 도전성 접촉부는 채널(70) 안으로 밀어 넣는 접촉핀(76)인 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  24. 제13항 내지 23항 중 어느 한 항에 있어서, 덮개(3)는 하우징 하부(2)와 결착되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  25. 제24항에 있어서, 뚜껑은 하우징 하부(2)가 후방으로 걸리게 하고 금속으로 된 클립부를 구비하는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
  26. 제24항에 있어서, 클립부(80) 또는 클립부로부터 접촉되는 하우징 하부(2)의도전 영역(85)은 접속을 위해 회로기판에 마련되는 것을 특징으로 하는 센서 모듈.
KR1020040089560A 2003-11-07 2004-11-05 센서 모듈 KR101026556B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10352002A DE10352002A1 (de) 2003-11-07 2003-11-07 Sensormodul
DE10352002.3 2003-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050044265A true KR20050044265A (ko) 2005-05-12
KR101026556B1 KR101026556B1 (ko) 2011-03-31

Family

ID=34530157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040089560A KR101026556B1 (ko) 2003-11-07 2004-11-05 센서 모듈

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7323766B2 (ko)
KR (1) KR101026556B1 (ko)
DE (1) DE10352002A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070006458A (ko) * 2005-07-08 2007-01-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리, 및이를 구비한 표시 장치
KR20200005882A (ko) * 2018-07-09 2020-01-17 주식회사 코스텍시스 습기 차단 기능을 갖는 반도체 디바이스 패키지

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138604B2 (en) * 2003-05-02 2006-11-21 Delphi Technologies, Inc. Ceramic device, sensor device, method of making the same, and method for sensing gas
JP4442339B2 (ja) * 2004-07-08 2010-03-31 株式会社デンソー 角速度検出装置
US7316965B2 (en) * 2005-06-21 2008-01-08 Freescale Semiconductor, Inc. Substrate contact for a capped MEMS and method of making the substrate contact at the wafer level
JP4839747B2 (ja) * 2005-09-20 2011-12-21 三菱電機株式会社 静電容量型加速度センサ
DE102006030805B4 (de) 2006-06-30 2021-08-26 Continental Teves Ag & Co. Ohg EMV Optimierung für Sensorgehäuse
US7518067B2 (en) * 2006-09-27 2009-04-14 Advanced Micro Devices, Inc. Metal cage structure and method for EMI shielding
DE102006052468A1 (de) * 2006-11-07 2008-05-08 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Sensor mit integriertem Chipkondensator
US8106501B2 (en) * 2008-12-12 2012-01-31 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including low stress configuration
DE102007033005A1 (de) 2007-07-16 2009-01-22 Robert Bosch Gmbh Modul und Verfahren zur Herstellung eines Moduls
US8148808B2 (en) * 2007-08-13 2012-04-03 Lv Sensors, Inc. Partitioning of electronic packages
DE102007062700A1 (de) 2007-12-27 2009-07-02 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
TWI355220B (en) 2008-07-14 2011-12-21 Unimicron Technology Corp Circuit board structure
DE102008040672A1 (de) 2008-07-24 2010-01-28 Robert Bosch Gmbh Sensormodul und Anordnung eines Sensormoduls
TWI421982B (zh) * 2008-11-21 2014-01-01 Advanpack Solutions Pte Ltd 半導體導線元件及其製造方法
DE102009029283A1 (de) 2009-09-08 2011-03-24 Robert Bosch Gmbh Modul und Verfahren zur Herstellung eines Moduls
DE102010042438B4 (de) * 2010-01-27 2013-09-26 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung
DE202010009785U1 (de) * 2010-07-02 2010-10-07 Asm Automation Sensorik Messtechnik Gmbh Sensor mit Laser-verschweißtem Deckel
CN102589753B (zh) * 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US9269685B2 (en) 2011-05-09 2016-02-23 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and packaging methods
US9425116B2 (en) 2011-05-09 2016-08-23 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and a method for manufacturing an integrated circuit package
US9105562B2 (en) 2011-05-09 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Integrated circuit package and packaging methods
US9222842B2 (en) * 2013-01-07 2015-12-29 Kla-Tencor Corporation High temperature sensor wafer for in-situ measurements in active plasma
US9209121B2 (en) * 2013-02-01 2015-12-08 Analog Devices, Inc. Double-sided package
DE102013101731A1 (de) 2013-02-21 2014-09-04 Epcos Ag Drucksensorsystem
US9249010B2 (en) * 2013-06-25 2016-02-02 Analog Devices, Inc. Electrical shielding in a MEMS leadframe package
DE102014215920A1 (de) 2014-08-12 2016-02-18 Continental Automotive Gmbh Sensorbaugruppe mit einem Schaltungsträger und einer Sensorelektronik sowie Verfahren zu deren Herstellung
US9731959B2 (en) 2014-09-25 2017-08-15 Analog Devices, Inc. Integrated device packages having a MEMS die sealed in a cavity by a processor die and method of manufacturing the same
US9533878B2 (en) 2014-12-11 2017-01-03 Analog Devices, Inc. Low stress compact device packages
US9728510B2 (en) 2015-04-10 2017-08-08 Analog Devices, Inc. Cavity package with composite substrate
US10781095B2 (en) * 2018-12-17 2020-09-22 Infineon Technologies Ag Molded lead frame sensor package
US11049817B2 (en) * 2019-02-25 2021-06-29 Nxp B.V. Semiconductor device with integral EMI shield
US11296005B2 (en) 2019-09-24 2022-04-05 Analog Devices, Inc. Integrated device package including thermally conductive element and method of manufacturing same
US20220108930A1 (en) 2020-10-07 2022-04-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component with metallic cap
JP2023042084A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 セイコーエプソン株式会社 慣性センサーモジュール
DE102022124937A1 (de) * 2022-09-28 2024-03-28 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Ultraschallsensor für ein kraftfahrzeug, kraftfahrzeug und herstellungsverfahren für einen ultraschallsensor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4024335B2 (ja) * 1996-01-26 2007-12-19 ハリス コーポレイション 集積回路のダイを露出させる開口部を有する集積回路装置とその製造方法
US5956415A (en) * 1996-01-26 1999-09-21 Harris Corporation Enhanced security fingerprint sensor package and related methods
KR20010056371A (ko) * 1999-12-15 2001-07-04 박종섭 반도체 고체촬상소자 패키지
WO2002009180A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Ssi Inc Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods
JP2002353380A (ja) 2001-05-28 2002-12-06 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP2003282791A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Fujitsu Ltd 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
US6953891B2 (en) * 2003-09-16 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Moisture-resistant electronic device package and methods of assembly

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070006458A (ko) * 2005-07-08 2007-01-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리, 및이를 구비한 표시 장치
KR20200005882A (ko) * 2018-07-09 2020-01-17 주식회사 코스텍시스 습기 차단 기능을 갖는 반도체 디바이스 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR101026556B1 (ko) 2011-03-31
US20050101161A1 (en) 2005-05-12
DE10352002A1 (de) 2005-06-09
US7323766B2 (en) 2008-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050044265A (ko) 센서 모듈
EP2187435B1 (en) Electronic component
US5783750A (en) Semiconductor sensor including laminated supporting pedestal
US8705776B2 (en) Microphone package and method for manufacturing same
KR100966681B1 (ko) 반도체 장치, 리드 프레임 및 그 마이크로폰 패키지
EP0690297A1 (en) Package for electrical components and method for making
JP2604340B2 (ja) Icカードのための集積回路の封止方法
JP3498945B2 (ja) 太陽電池モジュールの接続用端子ボックス装置
US6058020A (en) Component housing for surface mounting of a semiconductor component
US6678164B2 (en) Pressure sensor and method for manufacturing the same
CN105611774B (zh) 具有传感器和电缆的组件
EP3232516B1 (en) Water-resistant electronic component
JP4742706B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4334335B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
KR101196694B1 (ko) 반도체 패키지
US10854540B2 (en) Packaged IC component
US20050161782A1 (en) Hybrid integrated circuit device and manufacturing method of the same
US20030168724A1 (en) Power semiconductor module with ceramic substrate
KR20100011922A (ko) 센서 모듈 및 센서 모듈 장치
EP2595462B1 (en) Layered composite circuit with integrated components which are accessible from outside
JP4049176B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007171058A (ja) 赤外線検出器
JP3209119B2 (ja) 圧力センサ
JP2008098644A (ja) 半導体装置
JP3587001B2 (ja) 圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140320

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160315

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170314

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180320

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 9