KR20050043748A - 기계적 특성이 개선된 알루미늄-실리콘 합금 - Google Patents

기계적 특성이 개선된 알루미늄-실리콘 합금 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공융 상태를 포함하는, 실제로 Al-Si-합금으로 이루어진 대상물의 열처리 방법 그리고 상기 합금으로 이루어진 대상물에 관한 것이다. 재료 연성을 개선하고 파괴 연성값을 높이기 위해, 본 발명에 따라 용액 어닐링 처리는 400 ℃ 내지 555 ℃의 어닐링 온도까지의 급속 가열 단계, 상기 온도에서 최대 14,8 분 동안 유지시키는 유지 단계 및 가속 냉각시키는 단계로 이루어진 충격 어닐링 처리로서 실행되며, 상기 냉각 단계 후에는 대상물의 경화가 이루어진다. 본 발명에 따른 대상물은 공융 상태 부분에 구형으로 된 실리콘 증착층을 포함하고, 상기 실리콘 증착층은 4 ㎛ 미만의 평균 단면적(ASi) 및/또는 4 ㎛ 미만의 실리콘 입자간 평균 간격(λSi) 및/또는 10 이상의 평균 구형화 밀도(ξSi)를 갖는다.

Description

기계적 특성이 개선된 알루미늄-실리콘 합금 {ALUMINUM-SILICON ALLOYS HAVING IMPROVED MECHANICAL PROPERTIES}
본 발명은 알루미늄-실리콘-합금의 기계적 특성을 개선하기 위한 방법에 관한 것이다. 좀 더 정확하게 표현하자면, 본 발명은 바람직하게 정련되거나 정제된 알루미늄-실리콘-합금, 경우에 따라서는 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 캐스팅 합금 또는 템퍼링 합금으로 이루어지고, 어닐링 처리 공정 및 후속하는 경화 공정을 거치는 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 바람직하게 적어도 하나의 정제 원소를 포함하는, 경우에 따라서는 마그네슘 및 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 알루미늄-실리콘 합금으로 이루어지고, 상기 공융 상태의 부분이 실제로 αAl-매트릭스 및 실리콘 증착층으로 이루어진 대상물에 관한 것이다.
알루미늄은 실리콘과 함께 간단한 공융계를 형성하며, 이 경우 공융점은 12.5 중량%의 실리콘-농도 및 577 ℃의 온도에 존재한다.
약 550 ℃의 온도에서 최대 0.47 중량%의 함량까지 αAl-매트릭스 내에 용해될 수 있는 마그네슘을 첨가함으로써, 열처리 및 이 때 형성되는 Mg2Si-침전물에 의해 재료의 강도가 증가될 수 있다.
Al-Si-Mg-용융물의 냉각시에는 잔류 용융물이 공융 방식으로 응고될 수 있으며, 이 경우 상기 용융물 내에서는 실리콘이 플레이트와 유사한 굵은 형태로 침전된다. 상기와 같은 합금에 나트륨 또는 스트론튬을 첨가함으로써 응고시 실리콘 결정의 성장을 저지하는 것은 오래 전부터의 선행 기술이며, 이와 같은 조치는 정제 또는 정련으로 언급되고, 전적으로 기계적인 특성, 특히 파괴 연성을 개선하기 위하여 실행된다.
반제품 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 대상물의 기계적인 특성들은 열처리 방법에 의해서 현저하게 영향을 받으며, 열처리 상태들은 유럽 표준 EN 515에 규정되어 있다. 표준에 따르면 철자 F = 제조 상태를 의미하고, T = 열처리 후의 안정된 상태를 의미한다. 상세하게 말하자면, 각각의 열처리 상태는 철자 T 다음에 있는 숫자로 표시된다.
또한 명세서에서 하기의 재료 열처리 상태들은 간략 부호로 지시된다:
F 제조 상태
T5 제조 온도로부터 급랭 및 열경화
T6 용액 어닐링 및 열경화
T6x 본 발명에 따라 열처리 됨
T4x 본 발명에 따라 열처리 됨
Al-Si-합금으로 이루어진 대상물을 판매하거나 산업적으로 이용하기 위해서는 한편으로는 재료의 특성이, 그러나 다른 한편으로는 제조 비용 또는 경제적인 제조 조건들이 중요한데, 그 이유는 특히 보다 높은 온도에서의 보다 긴 시간 동안의 어닐링 처리 그리고 장시간 동안의 어닐링시 소위 중력 크리이프(gravitation creep)에 의해 요구될 수 있는 필요한 재조절 과정들도 복잡하기 때문이다.
기본적으로, F 상태에서는 Al-Si-합금이 대부분 낮은 재료 강도값(Rp) 및 상대적으로 높은 파괴 연성값(A)을 갖는다는 사실이 확인될 수 있다.
열처리 상태(T5), 즉 제조 온도로부터 급랭되어 155 ℃ 내지 190 ℃에서 1 시간 내지 12 시간 동안 열경화 된 경우에는, 샘플의 보다 높은 강도값(Rp)에 도달되지만 보다 낮은 파괴 연성값(A)에 도달된다.
예를 들어 540 ℃의 온도에서 12 시간 동안 그리고 후속하는 열경화 공정에서 용액 어닐링되는 T6에 상응하는 열처리 상태에서는 상태 F에 비해 샘플의 파괴 연성 또는 재료의 연성은 크기가 거의 같은 한편 재료의 강도는 현저하게 상승될 수 있다. 장시간 동안의 용액 어닐링 기간은 예를 들어 재료 내에서의 마그네슘 원소의 바람직한 확산을 가능하게 하며, 그럼으로써 대상물의 급랭 및 열경화 공정 후에는 미세하고 균일하게 분배된 Mg2Si 침전물이 αAl-매트릭스 내에 형성될 수 있고, 상기 침전물은 재료 강도를 결정적으로 상승시킨다.
그러나 고온에서 장시간 동안의 용액 어닐링 처리는, 앞에서 언급된 바와 같이, 부품의 중력 그리고 복잡한 온도-시간-처리 시퀀스의 단점을 갖는다. 그렇기 때문에 경제적인 이유에서 T6에 의한 재료의 최고 강도 및 우수한 연성의 도달이 수차례 포기되고 대상물을 위한 처리 상태 T5가 선택된다. T5에 의해 결정적으로 보다 낮아진 재료 강성은 경우에 따라 부품의 구조 변경에 의해서 보상되어야 한다.
본 발명의 목적은, T6에 비해 재료 강도 면에서 큰 파괴 또는 훨씬 더 높은 연성 및 T5에 비해 보다 높은 재료 강도에 도달되지 않으면서, 재료의 연성을 현저하게 상승시킬 수 있는 새롭고 경제적인 열처리 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 과제는 바람직한 기계적 재료 특성을 야기하는 서문에 언급한 유형의 대상물의 미세 구조를 제공하는 것이다.
방법에 따른 목적은, 용액 어닐링 처리가 400 ℃ - 555 ℃의 어닐링 온도까지의 급속 가열 단계, 상기 온도에서 최대 14,8 분 동안 유지시키는 유지 단계 및 후속적으로 실제로 실온까지 가속 냉각시키는 단계로 이루어진 충격 어닐링 처리로서 실행됨으로써 달성된다.
본 발명에 의해 달성된 장점은 실제로 간단한 고온-단시간 어닐링에 의해 재료의 최대 연성값에 도달된다는 것이다. 또한 소위 충격 어닐링이 부품의 지연 또는 대상물의 지연을 적게 야기하거나 심지어 전혀 야기하지 않음으로써, 경우에 따라서는 부품 또는 대상물의 정리도 필요치 않다. 단시간-어닐링 처리는 또한 높은 경제성을 가지며, 간단한 방식으로 예컨대 연속 흐름 오븐에 의한 시퀀스와 같은 제조 시퀀스에 통합될 수 있다. 그에 따라 재료 강도의 조절은 대부분 열경화에 매칭되는 기술에 의해서 이루어질 수 있다. 바람직한 것으로 여겨질 수 있는 것과 같이, 충격 어닐링 처리가 6,8 분 미만의 유지 시간, 바람직하게는 1,7 분 내지 경우에 따라서는 최대 5 분까지의 시간격으로 실행되면, 대다수의 Al-Si-합금에서 최대 연성 상승에 도달된다.
충격 어닐링 후에 대상물의 열경화가 실행되면, 150 ℃ 내지 200 ℃ 범위의 온도에서 1 시간 내지 14 시간 동안 상기 열경화를 유지시키는 것이 바람직하다.
충격 어닐링에 이어 대상물의 경화가 냉각 경화 공정으로서 실온에서 이루어지는 것도 재료 기술적으로 장점이 될 수 있다.
본 발명의 추가의 목적은, 공융 상태 부분의 실리콘 증착층이 구형으로 되고 4 ㎛2의 평균 단면적(ASi)을 가짐으로써 달성된다.
단면적 검출은 팩터들이 언급되어 있는 하기 식으로 나타나 있다:
ASi = ㎛2로 나타낸 실리콘 입자의 평균 면적
A = ㎛2로 나타낸 이미지당 실리콘 입자의 평균 면적
n = 측정된 개수
상기와 같은 미세 구조의 장점들은 실제로, Si-증착층의 구형화에 의한 재료 내에서의 균열 개시 및 상기 증착층의 미세도가 훨씬 감소되어 재료 연성이 개선된다. 달리 말해서: 상기 구형화 및 적은 크기는 깨지기 쉬운 공융 실리콘의 유리한 형태를 야기하고, 재료의 훨씬 더 높은 파괴 연성값을 야기한다. 기계적인 부하시에는 위상 경계면(Si-Al)에서의 전압 피크가 감소된다. 테스트에서도 재료의 입내(transcrystalline) 파괴가 발견되었고, 이와 같은 사실은 상기 재료의 최고 연성을 지시한다.
방법 기술적으로, 그러나 재료의 높은 파괴 연성값을 위해서도, 공융 상태 부분에 있는 실리콘 증착층이 구형으로 되고 2 ㎛2 미만의 평균 단면적을 갖는 것이 장점이 될 수 있다.
측정 면적 내에 포함된 실리콘 입자 개수로 나누어진 측정 평방 면적의 근으로서 규정된 상기 공융 상태 부분의 실리콘 입자간 평균 자유 경로 길이(λSi)가 4 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만, 특히 2 ㎛ 미만의 크기를 가짐으로써 개발 작업에서 나타난 바와 같은 목적과 관련된 본 발명에 따른 해결책이 달성되면, 부하를 받은 재료의 전압 피크값이 최저인 경우에 매우 균일한 전압 분배가 이루어지는데, 그 이유는 면적이 작은 실리콘 입자 간 간격이 실제로 상응하는 전압 상태에 있는 재료의 유동 특성에 영향을 미치기 때문이다. 실리콘 입자간 평균 간격(λSi)의 검출은 하기에 재차 식으로 나타나 있다.
λSi = 실리콘 입자간 평균 간격
AQuadrat = ㎛2로 나타낸 평방 기준 면적
NSilizium = 실리콘 입자의 개수
n = 측정된 이미지의 개수
경화에 유효한 합금 원소의 확산 및 혼합 결정 내에서의 상기 원소의 농축을 위해 2 시간 내지 12 시간의 장시간 어닐링으로서 제공된 선행 기술에 따른 용액 어닐링은 부수 효과로서 실리콘 입자의 구형화도 야기하지만, 상기 입자는 긴 어닐링 기간으로 인해 매우 크기가 크고 대략적으로 분배되며, 이와 같은 내용은 재료의 파괴 특성에 단점적으로 작용할 수 있다. 매우 놀라운 사실은, 단시간 동안의 충격 어닐링으로 인해 소수 분의 적은 시간격 내에 이미 공융 실리콘계가 본 발명에 따라 구형으로 될 수 있어 재료의 바람직한 미세 구조에 도달할 수 있다는 것이다. 이 경우에는 충격 어닐링을 위한 온도가 가급적 높지만 최저 용융 상태 아래, 바람직하게는 5 내지 20 ℃ 아래에 있는 것이 중요하다.
실리콘 입자는 어닐링 시간이 증가함에 따라 확산 제어된 성장을 하며, 이 때에는 초기에 바람직하게 높은 구형화 밀도(ξSi)가 축소된다.
본 발명에 따른 목적의 해결책에서는, 100 ㎛2 당 구형으로 된 공융 실리콘 입자의 개수로 규정된 평균 구형화 밀도(ξSi)가 10 이상, 그러나 바람직하게는 20 이상의 값을 갖는 경우에 Al-Si-합금의 대상물의 최고 연성이 발견되었다.
ξSi = 공융 실리콘 입자의 평균 구형화 밀도
NSilizium = 실리콘 입자의 개수
A = ㎛2로 나타낸 기준 면적
n = 측정된 이미지의 개수
상기 식의 형식적인 지시는 재차 만일을 대비해서 이루어졌다.
작업을 통해, 실제로 공정(共晶)을 함유하는 각각의 Al-Si-합금에 본 발명에 따른 구조가 제공될 수 있고, 그로부터 형성되는 대상물이 재료의 높은 연성값을 갖는다고 나타났다. 대상물이 틱소 캐스팅 방법으로 제조되면 품질의 상승 및 파괴 연성의 개선이 특히 효과적이다.
본 발명은 검사 결과 및 이미지들을 참조하여 하기에서 자세히 설명된다.
도 1은 막대 그래프: 열처리 상태에 따른 기계적 재료값이고,
도 2는 도 1과 동일하며,
도 3은 REM-현미경 사진이고,
도 4는 도 3과 동일하며,
도 5는 어닐링 시간과 Si-증착층의 평균 면적과의 관계를 도시한 그래프이고,
도 6은 도 5와 동일하며,
도 7은 실리콘 입자간 평균 자유 경로 길이이고,
도 8은 평균 구형화 밀도이며,
도 9는 막대 그래프: 다양한 Al-Si 합금의 기계적 재료 특성이다.
표 1은 도 9의 숫자값.
도 1에는 합금 AlSi7Mg0,3으로 이루어진 검사 부품의 샘플의 Rp0,2 팽창 한정값 그리고 파괴 연성값(A)이 막대 그래프로 도시되어 있으며, 상기 검사 부품은 틱소 캐스팅 방법으로 제조되었다. 재료의 열처리 상태(T6)(12 시간 540 ℃ + 4 시간 160 ℃)의 값은 본 발명에 따른 방법(T6x)으로 1 분의 충격 어닐링 시간 후에(T6x1), 3 분 후에(T6x3) 및 5 분 후에(T6x5) 540 ℃의 온도에 의해 달성된 값과 비교된다. 전체 샘플에서 160 ℃의 온도로 열경화(4 시간)가 이루어졌다. 장력 테스트의 결과들은 충격 어닐링 처리 후에 샘플이 명백하게 더 높은 파괴 연성값을 갖는다는 것을 보여주며, 이 경우 상기 상태(T6x3)는 T6에 비해 대략 60 %만큼 A를 상승시킨다.
도 2에서는 샘플 상태가 동일한 경우에 상태값들 F, T4x3, T5, T6x3 및 T6이 재차 Rp0,2 및 파괴 연성(A) 측면에서 막대 형태로 비교된다. 비교 관찰을 통해 재차 파괴 연성값의 두드러진 상승이 나타났다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 뛰어난 파괴 연성 특성을 얻기 위해 3 분의 충격 어닐링 후에는 재료가 차게 (T4x3) 또는 따뜻하게 (T6x3) 경화될 수 있다.
도 3 및 도 4는 실리콘 증착층의 그리드-전자-현미경-촬영을 보여준다. 촬영 방법 및 평가 방법에 대해 주목할 것은: 현미경 사진을 정량적으로 평가할 수 있기 위해서는 적합한 2진 이미지가 이용되어야 한다는 것이다. 현미경 사진이 미리 30 초 동안 99.5 %의 물 및 0.5 %의 플루오르화수소산으로 이루어진 용액으로 에칭된 후에는, 2 시간의 어닐링 시간까지 그리드-전자-현미경에 의한 촬영이 이루어졌다. 4 시간의 어닐링 기간부터는 현미경 사진이 저장 용액으로 에칭되고, 사진들이 광현미경으로 촬영될 수 있었다. 그 다음에 모든 사진들은 프로그램 Adobe Photoshop 5.0으로 디지털 방식으로 마무리 처리되어 사진 분석 프로그램 Leica QWin V2.2로 평가되었으며, 이 경우 최소 검출 면적은 0.1 ㎛2이었다. 도 3은 12 시간의 통상적인 T6-어닐링 시간 후에 재료 AlSi7Mg0,3을 REM-촬영에 의해 보여준다. 도 4에는 5 분의 충격 어닐링 처리 후의 동일한 재료의 마이크로 구조가 재현되어 있다. 실리콘 증착층의 구형화는 이미 단시간 후에(도 4) 그리고 실리콘 증착층의 확산 제어된 성장은 긴 어닐링 시간 후에(도 3)명확하게 알 수 있다.
도 5 및 도 6에는 현미경 사진 실험시 실리콘 입자의 평균 단면적(ASi)이 540 ℃에서 어닐링 시간에 따라 도시되어 있다. 대수적 시간축을 갖는 도 4에 따른 도시로부터 입자 크기를 나타내는 실리콘 입자의 평균 단면적의 증가를 명확하게 알 수 있다. 도 6의 상세도로부터는 처음 60 분 이내에서의 평균 실리콘 면적의 확산에 의한 증가를 알 수 있다. 어닐링 시간에 의해 증가되는 실리콘 입자의 평균 크기는 대부분 공융 상태에서의 실리콘 입자의 초기 크기와 관련이 있다. 인용된 경우에는 극도로 우수하게 정련되고 세밀하게 분배된 실리콘이 존재하기 때문에, 경우에 따라 실리콘 입자가 덜 우수하게 정련되고 초기의 입자 크기가 보다 큰 경우에는 약 4 ㎛2의 임계 평균 실리콘 면적(ASi)에 도달하는 시간이 단축될 수 있다.
어닐링 시간에 따른 실리콘 입자간 평균 간격의 변동은 시험 결과를 참조하여 도 7에 도시되어 있다. 실리콘 함유물의 평균 간격의 증가를 명확하게 알 수 있다.
마지막으로 도 8에는 어닐링 시간에 따른 평균 구형화 밀도(ξSi)의 감소가 도시되어 있다. 평균 구형화 밀도의 급격한 감소는 1,7 분에서 이미 시작되고, ξSi < 10의 값부터는 두드러진 연성 손실을 야기한다. 보다 높은 어닐링 온도에서는 상기 값이 14 분 내지 25 분 후에 이미 달성될 수 있으며, 이 경우 뛰어나게 높은 파괴 연성값을 위해서는 20 이상의 밀도값이 제공되어야 한다.
도 9에는 표 1로부터 유래하는 다양하게 조성된 8가지 Al-Si-합금의 팽창 한계 및 파괴 연성을 고려한 측정값이 막대 그래프를 참조하여 재현되어 있다. 본 발명에 따라 모든 합금에서 재료 연성의 상승이 이루어진다.
[표 1]
F T5 T6x3 T6
변형예 Rp[MPa] A[%] Rp[MPa] A[%] Rp[MPa] A[%] Rp[MPa] A[%]
AlSi7Mg03 121.7 13.0 167.5 9.9 228.5 16.7 259.8 10.6
AlSi7Mg05 143.9 10.4 175.8 9.3 240.2 13.9 311.7 9.1
AlSi7Mgx 159.8 8.3 197.2 6.8 265.2 10.1 322.9 7.6
AlSi6Mgx 159.7 10.2 195.3 7.8 250.6 8.9 318.6 6.5
AlSi5Mgx 154.9 10.1 189.6 7.5 240.6 9.5 313.6 8.7
+Mn04 157.1 10.6 183.7 6.9 252.7 7.4 322.7 7.6
+Mn08 154.8 9.9 184.0 6.6 255.9 6.7 324.4 4.9
AlSi5Mgxc 211.7 3.5 256.4 2.5 242.1 5.1 291.6 5.3

Claims (11)

  1. 바람직하게 정련되거나 정제된 알루미늄-실리콘-합금, 경우에 따라서는 마그네슘, 망간, 철 등과 같은 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 캐스팅 합금 또는 템퍼링 합금으로 이루어지고, 어닐링 처리 공정 및 후속하는 경화 공정을 거치는 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법으로서,
    상기 어닐링 처리가 400 ℃ 내지 555 ℃의 어닐링 온도까지 신속 가열하는 단계, 바람직하게는 적어도 1,7 분 내지 최대 14,8 분까지의 유지 시간으로 상기 온도에서 유지시키는 단계, 및 후속적으로 실온에서 가속 냉각시키는 단계로 이루어진 충격 어닐링 처리로서 실시되는 것을 특징으로 하는, 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 충격 어닐링 처리가 6,8 분 미만의 유지 시간으로, 바람직하게는 적어도 1,7 분 내지 경우에 따라서는 최대 5 분의 시간격으로 실시되는 것을 특징으로 하는, 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 충격 어닐링 처리에 후속하는 대상물의 경화 공정이 열경화 공정으로서, 150 ℃ 내지 200 ℃ 범위의 온도에서 1 시간 내지 14 시간의 기간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는, 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항에 있어서,
    상기 충격 어닐링 처리에 후속하는 대상물의 경화 공정이 냉각 경화 공정으로서, 실온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 대상물의 재료 연성을 개선하기 위한 열처리 방법.
  5. 바람직하게 정제 원소를 포함하는, 경우에 따라서는 마그네슘, 망간, 철 등과 같은 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 알루미늄-실리콘 합금으로 이루어지고, 상기 공융 상태의 부분이 실제로 αAl-매트릭스 및 실리콘 증착층으로 이루어진 대상물로서,
    공융 상태 부분에 있는 상기 실리콘 증착층이 구형으로 되고, 4 ㎛2 미만의 평균 단면적(ASi)을 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
    ASi = ㎛2로 나타낸 실리콘 입자의 평균 면적
    A = ㎛2로 나타낸 이미지당 실리콘 입자의 평균 면적
    n = 측정된 개수
  6. 제 5 항에 있어서,
    공융 상태 부분에 있는 상기 실리콘 증착층이 구형으로 되고, 2 ㎛2 미만의 평균 단면적을 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
  7. 바람직하게 정제 원소를 포함하는, 경우에 따라서는 마그네슘, 망간, 철 등과 같은 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 알루미늄-실리콘 합금으로 이루어지고, 상기 공융 상태의 부분이 실제로 αAl-매트릭스 및 실리콘 증착층으로 이루어진 대상물로서,
    측정 면적 내에 포함된 실리콘 입자 개수로 나누어진 측정 평방 면적의 근으로서 규정된 상기 공융 상태 부분의 실리콘 입자간 평균 자유 경로 길이(λSi)가 4 ㎛ 미만의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
    λSi = 실리콘 입자간 평균 간격
    AQuadrat = ㎛2로 나타낸 평방 기준 면적
    NSilizium = 실리콘 입자의 개수
    n = 측정된 이미지의 개수
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 평균 자유 경로 길이가 3 ㎛ 미만, 바람직하게는 2 ㎛ 미만의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
  9. 바람직하게 정제 원소를 포함하는, 경우에 따라서는 마그네슘, 망간, 철 등과 같은 추가의 합금 원소 및/또는 불순물 원소를 함유하고 공융 상태의 부분을 갖는 알루미늄-실리콘 합금으로 이루어지고, 상기 공융 상태의 부분이 실제로 αAl-매트릭스 및 실리콘 증착층으로 이루어진 대상물로서,
    100 ㎛2 당 구형으로 된 공융 실리콘 입자의 개수로서 규정된 평균 구형화 밀도(ξSi)가 10 이상의 값을 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
    ξSi = 공융 실리콘 입자의 평균 구형화 밀도
    NSilizium = 실리콘 입자의 개수
    A = ㎛2로 나타낸 기준 면적
    n = 측정된 이미지의 개수
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 평균 구형화 밀도가 20 이상의 값을 갖는 것을 특징으로 하는, 대상물.
  11. 제 1 항 내지 제 4 항의 방법에 따라 제조된 제 5 항 내지 제 10 항에 따른 대상물로서,
    상기 대상물이 틱소 캐스팅 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 대상물.
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