KR20050042910A - 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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Abstract
본 발명은 포토다이오드 영역과 필드 영역 사이의 경계면에서의 암전류를 저감시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 소자분리막에 의해 정의되는 반도체 기판의 액티브 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계;와, 상기 게이트 전극 및 소자분리막에 의해 정의되는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;와, 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 상부에 소정의 깊이를 갖는 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;와, 상기 소자분리막에 인접하는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 소정의 폭과 깊이를 갖는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토다이오드 영역과 필드 영역 사이의 경계면에서의 암전류를 저감시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary MOS) 이미지 센서로 구분된다. 상기 전하결합소자(CCD)는 각각의 MOS 캐패시터가 서로 매우 근접한 상태에서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장 및 이송되는 소자이며, CMOS 이미지 센서는 제어 회로 및 신호 처리 회로를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
상기 전하결합소자(CCD)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많기 때문에 신호 처리 회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없는 등의 단점이 있는바, 최근 이러한 단점을 극복하기 위하여 서브 마이크론 CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발이 많이 연구되고 있다.
상기 CMOS 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스(MOS) 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, 상술한 바와 같이 CMOS 제조 기술을 이용하므로 전력 소모가 작으며 마스크의 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하다. 이에 따라, 신호 처리 회로를 단일 칩 내에 집적할 수 있어 제품의 소형화를 통해 다양한 응용이 가능하다.
CMOS 이미지 센서의 구성을 설명하면 다음과 같다. 도 1 및 도 2는 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위화소 구조를 개략적으로 나타낸 회로도 및 레이아웃이다. 참고로, CMOS 이미지 센서를 구성하는 트랜지스터의 개수는 3개 이상의 다양한 형태이나 설명의 편의상 4개의 트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지 센서를 중심으로 기술하기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, CMOS 이미지 센서의 단위 화소(100)는 광감지 수단인 포토다이오드(PD)(110)와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 4개의 트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(120)는 포토다이오드에서 생성된 광전하를 플로팅 확산 영역으로 운송하는 역할을 하고, 리셋 트랜지스터(Rx)(130)는 신호 검출을 위해 상기 플로팅 확산 영역에 저장되어 있는 전하를 배출하는 역할을 하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)(140)는 소스 팔로워(source follower)의 역할을 수행하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)(150)는 스위칭 및 어드레싱(addressing)을 위한 것이다. 도면에서, Cf는 플로팅 확산 영역이 갖는 캐패시턴스를, Cp는 포토다이오드가 갖는 캐패시턴스를 각각 나타낸다. 도 2에서 굵은 실선은 액티브 영역을 정의한다.
이와 구성되는 CMOS 이미지 센서 단위 화소의 제조 공정을 살펴보면 다음과 같다. 도 3a 내지 3c는 도 2의 A-A`선에 따른 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 샐로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation, STI) 공정 등을 이용하여 소자분리막(121) 형성이 완료된 p형 반도체 기판(p++-sub)(101) 상에 게이트 절연막(122) 및 게이트 전극(123)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 상기 p형 기판 내에 p형 에피층(p--epi)이 미리 형성될 수 있다. 이어, 상기 기판 전면 상에 감광막을 도포한 다음, 포토리소그래피 공정을 이용하여 게이트 전극(123) 일측의 드레인 영역에 LDD 구조를 위한 저농도 불순물 영역을 정의하는 감광막 패턴(124)을 형성한다. 이 때, 상기 감광막 패턴(124)은 상기 게이트 전극을 노출시키지 않는다.
이와 같은 상태에서, 기판 전면 상에 저농도의 불순물 이온 예를 들어, n형의 불순물 이온을 주입하여 상기 기판 내부에 LDD 구조를 위한 저농도 불순물 영역(LDD n-)을 형성한다.
이어, 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 저농도 불순물 영역(LDD n-)을 노출시키지 않는 또 다른 감광막 패턴(125)을 형성하고 이를 이온주입 마스크로 이용하여 포토다이오드를 위한 저농도의 불순물 영역(n-)을 형성한다.
그런 다음, 도 3c에 도시한 바와 같이 상기 게이트 전극(123)의 측벽에 스페이서(126)를 형성하고, 상기 n형 불순물 영역(n-) 상에 p형 불순물 영역(po)을 형성하여 포토다이오드 형성 공정을 완료한다. 상기 (po) 영역은 포토다이오드 영역의 표면 근처에서 발생하는 암전류를 저감시키는 역할을 수행한다. 상기 포토다이오드가 완성된 상태에서, 고농도의 불순물 이온을 선택적으로 주입하여 상기 게이트 전극(123)의 드레인 영역에 고농도의 불순물 영역(n+)을 형성하면 상기 도 2의 A-A`선에 따른 공정은 완료된다.
종래의 CMOS 이미지 센서 제조방법에 있어서, 도 2의 A-A`선에 따른 공정을 참고하여 볼 때, 상기 포토다이오드의 (n-) 영역을 형성하기 위해 저농도의 n형 불순물 이온을 주입하게 되는데 이 때, 포토다이오드가 형성되는 액티브 영역은 물론 소자분리막(121) 즉, 필드 영역을 어느 정도 겹치도록 주입되기 때문에 상기 액티브 영역과 필드 영역의 경계면에 있어서 이온 주입에 의한 결함 등이 발생하게 된다(도 3b의 점선 부분).
이러한 이온 주입에 의한 결함은 전하 또는 정공 캐리어의 발생을 야기하고 상기 전하 및 정공의 재결합 장소를 제공하게 되며 포토다이오드의 누설 전류를 증가시키게 된다. 즉, 빛이 전혀 없는 상태에서 포토다이오드에서 플로팅 확산 영역으로 전자가 이동되는 현상인 암전류가 발생하게 된다. 상기 암전류는 주로 실리콘 표면 근저, 소자분리막과 po 의 경계, 소자분리막과 n- 의 경계 또는 po와 n-의 경계 및 p 영역, n- 영역에 분포하는 각종 결함들이나 댕글링 본드에서 비롯되며 CMOS 이미지 센서의 저조도(low illumination) 특성을 악화시킨다.
한편, 한국 공개특허번호 2001-61349호, 한국 공개특허번호 2001-61353호, 한국 공개특허번호 2003-52639호는 시모스 이미지 센서의 암전류를 저감시키기 위한 방법들을 개시하고 있지만, 소자분리막과 포토다이오드를 위한 액티브 영역 사이의 경계면에 불순물이 이온주입되는 것을 방지함으로써 암전류의 증가를 억제할 수 잇는 해결책을 제시하지 못하고 있다.
또한, "ACTIVE PIXEL HAVING REDUCED DARK CURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR"라는 발명의 명칭으로 개시된 미국 특허 6,462,365호는 포토다이오드의 표면 상에 소자분리막과 트랜스퍼 게이트를 보호막으로서 형성시킴으로써 포토다이오드의 표면에서의 댕글링 본드에 의한 암전류의 증가를 억제시키는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 이 방법도 소자분리막과 포토다이오드를 위한 액티브 영역 사이의 경계면에 불순물이 이온주입되는 것을 방지함으로써 암전류의 증가를 억제할 수 있는 해결책을 제시하지 못하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 이미지 센서의 포토다이오드 영역과 필드 영역 사이의 경계면에서의 암전류를 저감시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 소자분리막에 의해 정의되는 액티브 영역을 구비하는 반도체 기판;과, 상기 액티브 영역의 기판 상에 순차적으로 형성되어 있는 게이트 절연막 및 게이트 전극;과, 상기 게이트 전극과 소자분리막에 의해 정의되는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 형성되어 있는 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역;과, 상기 소자분리막에 인접하는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 소정의 폭과 깊이를 갖는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 상부에 소정의 깊이를 갖는 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 폭은 상기 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응할 수 있다.
바람직하게는, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이는 상기 소자분리막의 깊이 또는 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응할 수 있다.
바람직하게는, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역은 상기 소자분리막에 인접하는 포토다이오드 영역의 둘레를 따라 동일한 폭으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 소자분리막에 의해 정의되는 반도체 기판의 액티브 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계;와, 상기 게이트 전극 및 소자분리막에 의해 정의되는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;와, 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 상부에 소정의 깊이를 갖는 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;와, 상기 소자분리막에 인접하는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 소정의 폭과 깊이를 갖는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따르면, 포토다이오드 영역과 소자분리막 사이의 경계면에 포토다이오드의 (n-)영역과 반대되는 도전형의 (po) 영역을 형성함으로써 상기 (n-) 영역 형성에 의해 상기 경계면에서 발생된 결함으로부터 유발되는 암전류를 최소화할 수 있게 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도로서, 도 5의 B-B`선의 단면이다. 도 5는 본 발명의 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 의해 완성된 CMOS 이미지 센서의 레이 아웃이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 반도체 기판(401), 예를 들어 p형 단결정 실리콘 기판(p++-sub.)의 액티브 영역 간의 전기적 절연을 위해 반도체 기판의 필드 영역에 소자분리막(402)을 예를 들어, 샐로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation, STI) 공정에 의해 형성한다. 여기서, 상기 소자분리막(402)은 샐로우 트렌치 아이솔레이션 공정 이외의 통상적인 아이솔레이션 공정, 예를 들어 로코스(LOCOS, Local Oxidation of Silicon) 공정에 의해 형성하는 것도 가능하다. 한편, 상기 기판 내에 p형 에피층(p-epi.)이 미리 형성될 수 있다. 상기 p형 에피층(p-epi.)은 포토다이오드에서의 공핍 영역(depletion region)을 크고 깊게 형성시킴으로써 광전하를 모으기 위한 저전압 포토다이오드의 능력을 증가시키고 나아가 광감도를 개선시키는 역할을 수행한다.
상기 소자분리막(402)의 형성이 완료되고 나면, 도 4b에 도시한 바와 같이 상기 반도체 기판(401)의 액티브 영역 상에 열산화 공정이나 저압 화학기상증착 공정을 이용하여 게이트 절연막 예를 들어, 산화막을 약 100Å 정도의 두께로 형성한다. 이후, 도면에 도시되지 않았지만 채널 영역의 문턱 전압을 원하는 값으로 조정하기 위해 문턱 전압 조절용 이온을 반도체 기판의 표면 근처에 이온주입한다.
이어서, 상기 산화막 상에 저압 화학기상증착 공정을 이용하여 게이트 전극을 위한 도전층을 적층한다. 상기 도전층으로는 고농도의 다결정실리콘층만으로 구성되거나 그 위의 실리사이드층과 함께 구성될 수 있다. 이와 같은 상태에서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 이용하여 상기 도전층 및 산화막을 선택적으로 패터닝하여 게이트 전극(404) 및 게이트 절연막(403)을 형성한다. 상기 도 4b에 도시된 게이트 전극(404)은 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극이다.
게이트 전극이 형성된 상태에서, 도 4c에 도시한 바와 같이 상기 게이트 전극(404)을 포함한 기판 전면 상에 감광막을 도포한 다음, 상기 감광막을 선택적으로 패터닝하여 포토다이오드 영역에 상응하는 액티브 영역의 기판을 노출시키는 이온주입마스크 즉, 제 1 감광막 패턴(405)을 형성한다. 그런 다음, 기판 전면 상에 저농도의 제 1 도전형 예를 들어, n형의 불순물 이온을 주입한다. n형의 불순물 이온이 주입됨에 따라 기판의 p형 에피층(p-epi.)과 더불어 pn 접합을 이루게 되어 포토다이오드를 형성한다. 여기서, 상기 저농도의 n형 불순물 이온이 주입되어 형성되는 저농도 제 1 도전형의 불순물 영역(n-)의 기판으로부터의 깊이는 상기 게이트 전극(404)의 높이보다는 크도록 한다. 상기 (n-)영역의 깊이가 게이트 전극(404)의 높이보다 크도록 설정하는 것은 전술한 바와 같이 이미지 센서의 감도를 높이기 위함이다.
포토다이오드의 형성이 완료되면, 도 4d에 도시한 바와 같이 상기 제 1 감광막 패턴(405)을 제거하고, 재차 포토리소그래피 공정을 이용하여 게이트 전극(404) 일측의 드레인 영역을 노출시키는 제 2 감광막 패턴(406)을 형성한 다음, 기판 전면에 대하여 저농도의 제 1 도전형 예를 들어, n형의 불순물 이온을 주입한다. 이에 따라, 상기 게이트 전극(404) 일측의 드레인 영역에 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 위한 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역(LDD n-)이 형성된다.
이와 같은 상태에서, 도 4e에 도시한 바와 같이 상기 게이트 전극(404)을 포함한 기판 전면 상에 절연막 예를 들어, 질화막을 적층한다. 여기서, 상기 절연막은 상기 질화막의 단일층 구조 이외에 산화막과 질화막의 이중층으로 구성할 수도 있다. 그런 다음, 이방성 식각 특성을 갖는 건식 식각 공정, 예를 들어 반응성 이온 식각(Reactive ion etching: RIE) 공정을 이용하여 게이트 전극(404) 상 및 액티브 영역 상의 절연막을 식각시킨다. 이에 따라, 상기 게이트 전극(404)의 측벽에 스페이서(407)가 형성된다.
상기 스페이서(407)가 형성된 상태에서, 상기 포토다이오드 영역을 노출시키는 소정의 감광막 패턴(408)을 형성한 다음, 기판 전면 상에 중농도의 제 2 도전형 예를 들어, p형의 불순물 이온을 주입한다. 이에 따라, 소자분리막(402)과 스페이서(407)에 의해 정의되는 액티브 영역의 기판 내부에는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역(po)이 형성된다. 상기 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역은 상기 포토다이오드의 (n-) 영역 상부에 위치한다. 여기서, 상기 스페이서는 중농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하기 위한 이온 주입 마스크로 이용되는데, 상기 스페이서(407)를 형성하지 않고 상기 스페이서에 의해 가려지는 기판의 폭만큼을 감당할 수 있는 감광막 패턴을 형성하여 이를 이온 주입 마스크로 사용할 수도 있다.
한편, 상기 (po) 영역은 상기 포토다이오드 영역의 기판 표면에서 발생하는 암전류를 저감시키는 역할을 수행한다. 보다 구체적으로 살펴보면, 상기 포토다이오드를 형성하기 위해 주입된 제 1 도전형의 불순물 이온들에 의해 포토다이오드 영역의 기판 표면에 결함이 발생하게 되는데, 이들 결함에 의해 전하 캐리어가 발생하게 되고, 발생된 전하 캐리어가 플로팅 확산 영역으로 이동하여 암전류를 유발하게 된다. 상기 (po) 영역은 상기 전하 캐리어를 포집하여 암전류 발생을 미연에 방지하는 역할을 수행한다.
상기 (po) 영역이 형성된 상태에서, 도 4f에 도시한 바와 같이 상기 게이트 전극(404)을 포함한 기판 전면 상에 감광막을 도포한 다음, 상기 감광막을 선택적으로 패터닝하여 포토다이오드 영역의 소정 부위 정확히는 소자분리막과 포토다이오드 영역 사이의 소정 부위를 노출시키는 제 3 감광막 패턴(409)을 형성한다. 이 때, 상기 제 3 감광막 패턴(409)에 의해 노출되는 포토다이오드 영역의 폭(d2)은 상기 (po) 영역의 깊이(d1)에 상응한다.
그런 다음, 상기 기판 전면 상에 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입한다. 이에 따라, 상기 포토다이오드 영역과 소자분리막 사이에는 소정의 폭을 갖는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역(p+)이 형성된다. 상기 (p+) 영역은 상기 포토다이오드의 (n-) 영역 상부에 형성되는 (po) 영역과 마찬가지로, 암전류 발생을 최소화하는 역할을 수행한다. 즉, 포토다이오드 영역과 소자분리막 사이에 상기 포토다이오드의 (n-) 영역에 반대되는 도전형의 (p+) 영역을 형성됨으로써 전하, 정공이 쌍(Electron hole pair, EHP)을 이루어 포토다이오드 영역과 소자분리막 사이의 경계면에서 발생하는 암전류를 미연에 방지할 수 있게 된다. 한편, (p+) 영역은 그 깊이(d3)가 상기 포토다이오드의 (n-) 영역의 깊이에 상응하도록 형성하거나, 소자분리막의 깊이에 상응하도록 형성한다.
상기 (p+) 영역의 형성이 완료되면, 이후 도면에 도시하지 않았지만 상기 제 3 감광막 패턴을 제거하고 통상의 CMOS 이미지 센서 제조 단위 공정 즉, 소스/드레인 형성을 위한 고농도 불순물 이온 주입 등과 같은 후속 공정을 적용하면 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서 제조방법은 완료된다.
한편, 이상 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예는 도 2의 A-A`선에 따른 단면을 중심으로 설명하였으나, 포토다이오드 영역과 소자분리막(402)이 접하는 모든 영역에 대해서도 동일하게 적용 가능하다. 이를 도면으로 나타내면 도 5와 같다.
도 5는 본 발명의 실시예를 적용하여 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온이 주입되는 전체 영역을 4T(Transistor)형 CMOS 이미지 센서를 기준으로 나타낸 것이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 소자분리막에 의해 포토다이오드 영역이 정의되고 상기 포토다이오드 영역에 소정의 이온 주입에 의해 포토다이오드가 형성된 상태에서, 상기 포토다이오드와 소자분리막 사이의 경계면에서 발생하는 암전류를 미연에 방지하기 위해 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온이 주입된다. 이 때, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온이 주입되는 영역은 상기 포토다이오드의 둘레를 따라 상기 소자분리막과 포토다이오드를 일정 폭으로 겹치도록 한다. 물론, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온이 주입되는 영역은 소정의 감광막 패턴에 의해 정의된다.
한편, 본 발명의 실시예는 상기의 4T(Transistor)형 CMOS 이미지 센서는 물론 3T형 이상의 모든 CMOS 이미지 센서에 동일하게 적용할 수 있음은 물론이다. 도 6은 3T형 CMOS 이미지 센서를 기준으로 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온이 주입되는 전체 영역을 도시한 레이아웃이다.
덧붙여, 본 발명의 실시예는 기판이 p형일 경우를 중심으로 기술하였으나, 반대 도전형 즉, n형 기판에 대해서도 본 발명의 실시예를 동일하게 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
포토다이오드 영역과 소자분리막 사이의 경계면에 포토다이오드의 (n-)영역과 반대되는 도전형의 (po) 영역을 형성함으로써, 상기 (n-) 영역 형성에 의해 상기 경계면에서 발생된 결함으로부터 유발되는 암전류를 최소화할 수 있게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위화소 구조를 개략적으로 나타낸 회로도.
도 2는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃.
도 3a 내지 3c는 도 2의 A-A`선에 따른 공정 단면도.
도 4a 내지 4f는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.
도 5는 본 발명에 따른 4T형 CMOS 이미지 센서의 레이아웃.
도 6은 본 발명에 따른 3T형 CMOS 이미지 센서의 레이아웃.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
401 : 반도체 기판 402 : 소자분리막
403 : 게이트 절연막 404 : 게이트 전극
409 : 제 3 감광막
Claims (7)
- 소자분리막에 의해 정의되는 반도체 기판의 액티브 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 소자분리막에 의해 정의되는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 상부에 소정의 깊이를 갖는 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 소자분리막에 인접하는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 소정의 폭과 깊이를 갖는 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 폭은 상기 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이는 상기 소자분리막의 깊이 또는 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 소자분리막에 의해 정의되는 액티브 영역을 구비하는 반도체 기판;상기 액티브 영역의 기판 상에 순차적으로 형성되어 있는 게이트 절연막 및 게이트 전극;상기 게이트 전극과 소자분리막에 의해 정의되는 포토다이오드 영역의 기판 내부에 형성되어 있는 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역;상기 소자분리막과 포토다이오드 영역의 경계면의 상기 기판 내부에 소정의 폭과 깊이를 갖도록 형성된 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서, 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 상부에 소정의 깊이를 갖는 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 폭은 상기 중농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 영역의 깊이는 상기 소자분리막의 깊이 또는 상기 저농도의 제 1 도전형 불순물 영역의 깊이에 상응하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0077567A KR100535911B1 (ko) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US10/982,643 US7354789B2 (en) | 2003-11-04 | 2004-11-04 | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US12/012,937 US7675100B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-02-05 | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0077567A KR100535911B1 (ko) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050042910A true KR20050042910A (ko) | 2005-05-11 |
| KR100535911B1 KR100535911B1 (ko) | 2005-12-09 |
Family
ID=37243738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0077567A KR100535911B1 (ko) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100535911B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100699844B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100720503B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100884976B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR20140009801A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
-
2003
- 2003-11-04 KR KR10-2003-0077567A patent/KR100535911B1/ko active IP Right Grant
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| US7413921B2 (en) | 2005-06-10 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing image sensor |
| KR100884976B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
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|---|---|
| KR100535911B1 (ko) | 2005-12-09 |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181102 Year of fee payment: 14 |