KR20050042556A - Led package and method for manufacturing led package - Google Patents

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KR20050042556A KR20030077266A KR20030077266A KR20050042556A KR 20050042556 A KR20050042556 A KR 20050042556A KR 20030077266 A KR20030077266 A KR 20030077266A KR 20030077266 A KR20030077266 A KR 20030077266A KR 20050042556 A KR20050042556 A KR 20050042556A
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임 발광 영역을 증대시켜 광도를 향상시키고, 리드 프레임의 몰드 영역 손상을 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 발광 다이오드를 실장할 발광 영역 보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부를 제공하는 단계; 상기 리드 프레임 사출부의 발광 영역 상에 발광 다이오드 칩을 다이본딩하는 단계; 상기 다이본딩된 발광 다이오드 칩 상에 몰딩 작업을 진행하는 단계; 및 상기 리드 프레임의 상기 연장된 영역에 리드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a light emitting diode package capable of increasing the lead frame light emitting region of the light emitting diode package to improve brightness and preventing damage to the mold region of the lead frame, and a method of manufacturing the same. The disclosed invention provides a method of providing a lead frame having an area extending from a light emitting area in which a light emitting diode is to be mounted; Die bonding a light emitting diode chip to a light emitting region of the lead frame ejecting unit; Performing a molding operation on the die-bonded LED chip; And forming a lead part in the extended area of the lead frame.

여기서, 상기 리드부는 상기 리드 프레임 사출부 외측에 절곡된 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the lead portion is characterized in that it is formed in a form bent outside the lead frame injection portion.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법{LED PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING LED PACKAGE}Light emitting diode package and manufacturing method thereof {LED PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING LED PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임의 발광 영역을 증대시켜 광도를 향상시키고, 리드 프레임의 몰드 영역 손상을 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. More specifically, the light emitting diode package which can improve the light intensity by increasing the light emitting region of the lead frame of the light emitting diode package, and can prevent damage to the mold region of the lead frame; It relates to a manufacturing method.

일반적으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode: 이하 LED라고 함)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는데, 사용되는 반도체의 일종으로 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용된다.In general, a light emitting diode (LED) is used to transmit and receive signals by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of compound semiconductors, which are used in home appliances, remote controls, electronic displays, It is used for an indicator, various automation devices, and the like.

상기 LED의 동작원리는 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극(Positive-negative)의 접합(junction) 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데, 전자와 정공의 결합에 의하여 에너지 준위가 떨어지게 되는데 이 에너지 준위가 빛으로 방출되는 것이다.The operation principle of the LED is that when a forward voltage is applied to a semiconductor of a specific element, electrons and holes move and recombine with each other through a junction portion of a positive-negative and a positive-negative, and energy levels are caused by the combination of electrons and holes. Will fall and this energy level is emitted as light.

또한, LED는 보편적으로 작은 크기로 제작되며, 엑폭시 몰드와 리드 프레임 및 PCB에 실장된 구조를 하고 있다. 현재 가장 보편적으로 사용하는 LED는 5㎜(T 1 3/4) 플라스틱 패키지(Package)나 특정 응용 분야에 따라 새로운 형태의 패키지를 개발하고 있다. LED에서 방출하는 빛의 색깔은 반도체 칩 구성원소의 배합에 따라 파장을 만들며 이러한 파장이 빛의 색깔을 결정짓는다.In addition, LEDs are generally manufactured in small sizes and have structures mounted on epoxy molds, lead frames, and PCBs. Currently, the most commonly used LEDs are 5mm (T 1 3/4) plastic packages or new types of packages depending on the specific application. The color of the light emitted by the LEDs creates wavelengths depending on the composition of the semiconductor chip components, and these wavelengths determine the color of the light.

특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며 PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있다.In particular, LEDs are becoming smaller and smaller, such as resistors, capacitors, and noise filters, due to the trend toward miniaturization and slimming of information and communication devices, and directly mounting them on a PCB (Printed Circuit Board) board. In order to make the surface mount device (Surface Mount Device) type.

이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.Accordingly, LED lamps, which are used as display elements, are also being developed in SMD type. Such SMD can replace the existing simple lighting lamp, which is used for lighting indicators of various colors, character display and image display.

그리고 최근 액정표시장치의 두께가 박형화되어 감에 따라 액정 모듈에 들어가는 도광판 및 광원인 발광 다이오드의 박형화를 요구하고 있다.Recently, as the thickness of liquid crystal displays becomes thinner, there has been a demand for thinning of light emitting diodes, which are light guide plates and light sources, that enter a liquid crystal module.

현재 백라이트용 도광판의 박형화를 위해서는 도광판의 광원으로 적용되는 백색 측면 발광 다이오드 패키지 자체의 두께가 낮아져야 한다.In order to reduce the thickness of the light guide plate for the backlight, the thickness of the white side light emitting diode package itself applied as a light source of the light guide plate should be reduced.

소형 액정표시장치용 도광판에 들어가는 백색 측면 발광 다이오드 소자의 두께는 1㎜에서 0.8㎜가 상용화되고 있으나, 향후 0.6㎜까지 박형화된 발광 다이오드 패키지가 요구되고 있다.Although the thickness of the white side light emitting diode element in the light guide plate for the small liquid crystal display device is commercially available from 1 mm to 0.8 mm, a thin light emitting diode package to 0.6 mm is required in the future.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 리드 프레임 패키지 제조 공정을 도시한 도면이다.1A and 1B illustrate a process of manufacturing a light emitting diode lead frame package according to the prior art.

도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위해서는 발광 다이오드 칩을 리드 프레임 패키지에 실장한 다음, 상기 리드 프레임 패키지에 존재하는 금속 리드부(100)에 의하여 외부 PCB 또는 컨트롤 회로들과 전기적으로 연결된다.As shown in FIGS. 1A and 1B, in order to manufacture a light emitting diode package, a light emitting diode chip is mounted on a lead frame package, and then an external PCB or control circuit is formed by the metal lead part 100 present in the lead frame package. Electrical connection with the field.

상기 리드 프레임 패키지는 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 발광 부(120)와 상기 발광부(120) 둘레를 따라 배치되어 있는, 리드 프레임 사출부(110)와 상기 리드 프레임 사출부(110) 하단 양측에 배치되어 있는 상기 금속 리드부(100)로 구성되어 있다.The lead frame package is disposed on both sides of the lower end of the lead frame injection unit 110 and the lead frame injection unit 110, which are disposed along the circumference of the light emitting unit 120 and the light emitting unit 120 on which the LED chip is mounted. It consists of the said metal lead part 100 arrange | positioned.

상기 발광 다이오드 칩은 상기 리드 프레임의 발광부(120)에 다이본딩되고, 에폭시 수지를 이용하여 몰딩 작업을 한다.The LED chip is die-bonded to the light emitting unit 120 of the lead frame and is molded using an epoxy resin.

상기 발광 부(120) 둘레를 따라 상기 리드 프레임 사출부(110)가 존재하는데, 상기 리드 프레임 사출부(110)는 상기 발광 다이오드 칩이 다이본딩될 때, 이를 외부로부터 보호하는 역할을 한다.The lead frame ejection unit 110 exists along the circumference of the light emitting unit 120. The lead frame ejection unit 110 serves to protect the light emitting diode chip from the outside when the die is bonded.

상기 리드 프레임 사출부(110)의 구조는 중앙 발광 부(120) 영역에 개방된 구조를 하고 있고, 하측에는 상기 금속 리드부(100)를 포밍(FORMING)하기 위하여 일정 한 크기로 홈이 형성되어 있다.The lead frame injection unit 110 has an open structure in the central light emitting unit 120, and a groove is formed at a predetermined size on the lower side to form the metal lead unit 100. have.

상기 금속 리드부(100)는 도면에 도시된 바와 같이, 상기 리드 프레임 사출부(110) 하단에 형성되어 있는 홈 방향으로 1차적인 펀칭력(punching force)이 가해지고, 양측 가장자리로 상기 금속 리드를 절곡하기 위하여 2차적인 펀칭력(punching force)을 인가하여 상기 리드 프레임의 금속 리드부(100)를 형성한다.As shown in the drawing, the metal lead part 100 is subjected to a primary punching force in a groove direction formed at a lower end of the lead frame injection part 110, and to the metal lead at both edges thereof. In order to bend the secondary punching force (punching force) is applied to form the metal lead portion 100 of the lead frame.

이와 같이 발광 다이오드 칩이 발광부(120)에 실장되고, 상기 리드 프레임 사출부(110)에 금속 리드부(100)가 형성되면 발광 다이오드 패키지가 완성된다.As such, when the LED chip is mounted on the light emitting part 120 and the metal lead part 100 is formed on the lead frame injection part 110, the LED package is completed.

그러나, 상기에서도 설명한 바와 같이 액정표시장치의 백라이트 램프로 사용하기 위해서는 슬림화된 패널 크기에 맞추어 리드 프레임의 높이가 낮아져야 한다.However, as described above, in order to use the backlight lamp of the liquid crystal display device, the height of the lead frame must be lowered according to the slim panel size.

도 2는 종래 기술에 따라 제조된 리드 프레임 패키지의 문제점을 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 리드 프레임의 높이를 줄이기 위해서 폭을 줄일 경우 금속 리드부(100)를 형성하기 위하여 상기 리드 프레임 사출부(110) 하측에 형성한 홈에 의하여 발광부(120) 영역이 줄어드는 문제가 있다. 2 is a view for explaining the problem of the lead frame package manufactured according to the prior art, as shown in the lead frame to form a metal lead portion 100 when the width is reduced in order to reduce the height of the lead frame There is a problem that the area of the light emitting part 120 is reduced by the groove formed under the injection part 110.

또한, 에폭시 주입 공정 및 본딩 공정시 발광 다이오드 칩을 적절하게 실장하기 어렵고, 금속 리드부 형성시 얇은 두께를 갖는 사출부에 의하여 기계적 손상이 발생할 문제가 있다.In addition, it is difficult to properly mount the light emitting diode chip during the epoxy injection process and the bonding process, and there is a problem that mechanical damage occurs due to the injection portion having a thin thickness when forming the metal lead portion.

아울러, 상기와 같은 기계적 손상은 패키지 자체의 형태에 변형을 줄 뿐만 아니라 몰드(에폭시, 실리콘)와 리드 프레임 사출물의 이격(delamination)을 유발할 수 있어, 패키지 기밀성에 악영향을 끼칠 수 있다.In addition, such mechanical damage may not only deform the shape of the package itself, but also cause delamination of the mold (epoxy, silicon) and the lead frame injection, which may adversely affect the package tightness.

특히, 종래 발광 다이오드 패키지로부터 0.6㎜ 측면 발광 다이오드 패키지를 제작하기 위해서 종래 리드 프레임 사출 장치를 그대로 적용하여 사용할 수 없게 되는 문제가 있다.In particular, in order to fabricate a 0.6 mm side light emitting diode package from a conventional light emitting diode package, there is a problem in that the conventional lead frame injection apparatus cannot be used as it is.

그리고 새로운 사출 장치를 사용하여 리드 프레임 사출부를 제작할 경우에는 사출물의 두께가 얇아, 이에 대응하는 리드 프레임 금형 제작이 어렵게 된다.When the lead frame injection unit is manufactured by using a new injection device, the thickness of the injection molded product is thin, which makes it difficult to manufacture a lead frame mold corresponding thereto.

본 발명은, 발광 다이오드 칩을 실장하는 리드 프레임의 발광부 영역을 확장시키고, 상기 리드 프레임 사출부 외측에 금속 리드를 체용할 수 있도록 함으로써, 광효율을 향상시키면서 견고한 몰드를 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides a light emitting diode package that can extend a light emitting region of a lead frame mounting a light emitting diode chip and allow a metal lead to be worn outside the lead frame ejecting portion, thereby improving a light efficiency and realizing a rigid mold. The purpose is to provide a method of manufacturing the same.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법은,In order to achieve the above object, a light emitting diode package manufacturing method according to the present invention,

발광 다이오드를 실장할 발광 영역 보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부를 제공하는 단계;Providing a lead frame ejecting portion having an area extending from a light emitting area in which the light emitting diode is to be mounted;

상기 리드 프레임 사출부의 발광 영역 상에 발광 다이오드 칩을 다이본딩하는 단계;Die bonding a light emitting diode chip to a light emitting region of the lead frame ejecting unit;

상기 다이본딩된 발광 다이오드 칩 상에 몰딩 작업을 진행하는 단계; 및Performing a molding operation on the die-bonded LED chip; And

상기 리드 프레임의 상기 연장된 영역에 리드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And forming a lead portion in the extended area of the lead frame.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지 제조방법은,In addition, the light emitting diode package manufacturing method according to another embodiment of the present invention,

발광 다이오드를 실장한 리드 프레임 사출부를 제공하는 단계;Providing a lead frame injection part mounted with a light emitting diode;

상기 리드 프레임 사출부의 발광 영역 상에 발광 다이오드 칩을 다이본딩하는 단계;Die bonding a light emitting diode chip to a light emitting region of the lead frame ejecting unit;

상기 다이본딩된 발광 다이오드 칩 상에 몰딩 작업을 진행하는 단계; 및Performing a molding operation on the die-bonded LED chip; And

상기 리드 프레임 사출부 외측에 리드 포밍에 의한 리드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And forming a lead part by lead forming outside the lead frame injection part.

여기서, 상기 리드부는 상기 리드 프레임 사출부 외측에 절곡된 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the lead portion is characterized in that it is formed in a form bent outside the lead frame injection portion.

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는,The light emitting diode package according to the present invention,

발광 다이오드가 발광하는 영역보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부;A lead frame injection part having an area extending from an area in which the light emitting diode emits light;

상기 리드 프레임 사출부에 실장된 발광 다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the lead frame injection part;

상기 발광 다이오드 칩이 실장된 상기 리드 프레임 사출부 영역에 형성된 몰딩부; 및A molding part formed in an area of the lead frame injection part in which the light emitting diode chip is mounted; And

상기 리드 프레임 사출부 양측에 일측 부분이 전방으로 절곡된 형상으로 배치되어 있는 리드부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a lead part disposed at a shape in which one side portion is bent forward on both sides of the lead frame injection part.

또한, 본 발명에 따른 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는,In addition, a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention,

발광 다이오드가 발광하는 영역보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부;A lead frame injection part having an area extending from an area in which the light emitting diode emits light;

상기 리드 프레임 사출부에 실장된 발광 다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the lead frame injection part;

상기 발광 다이오드 칩이 실장된 상기 리드 프레임 사출부 영역에 형성된 몰딩부; 및A molding part formed in an area of the lead frame injection part in which the light emitting diode chip is mounted; And

상기 리드 프레임 사출부 양측에 일측 부분이 후방으로 절곡된 형상으로 배치되어 있는 리드부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a lead part disposed at a shape in which one side portion is bent backward at both sides of the lead frame injection part.

여기서, 상기 리드부는 중심이 상기 리드 프레임 사출부 중심 영역에 고정된 상태에서 'ㄴ'자 형상으로 절곡된 구조인 것을 특징으로 한다.Here, the lead portion is characterized in that the structure is bent in the 'b' shape in the state that the center is fixed to the center region of the lead frame injection portion.

본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩을 실장하는 리드 프레임의 발광부 영역을 확장시키고, 상기 리드 프레임 사출부 외측에 금속 리드를 체용할 수 있도록 함으로써, 광효율을 향상시키면서 견고한 몰드를 구현할 수 있다.According to the present invention, by extending the light emitting region of the lead frame mounting the light emitting diode chip, and allowing the metal lead to be placed outside the lead frame ejection portion, it is possible to implement a rigid mold while improving the light efficiency.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 리드 프레임 패키지를 도시한 도면이다. 3 is a view showing a light emitting diode lead frame package according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 액정표시장치의 도광판에 체결되어 백라이트 역할을 할 수 있는 백라이트용 발광 다이오드 리드 프레임 패키지에 관한 것이다.As shown in FIG. 3, the present invention relates to a LED lead frame package for a backlight which may be coupled to a light guide plate of a liquid crystal display to serve as a backlight.

액정 패널의 측면 발광을 위한 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임 사출부(210)의 구조는 종래 기술과 달리 발광 다이오드 칩이 실장되는 발광부(220) 영역이 넓게 형성되어 있고, 상기 발광 다이오드 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 금속 리드부(200)가 용이하게 절곡될 수 있도록 양측 하부의 구조에 단차를 형성하였다.The structure of the lead frame injection unit 210 of the LED package for side emission of the liquid crystal panel has a wide area of the light emitting unit 220 on which the LED chip is mounted, unlike the prior art, and has an electrode of the LED chip. Steps were formed in the lower structure of both sides so that the metal lead part 200 to be electrically connected can be easily bent.

본 발명은 상기와 같은 구조를 갖는 리드 프레임 사출부(210)가 형성되면, 상기 발광 다이오드 칩을 상기 리드 프레임의 발광 부(220) 영역에 다이이본딩으로 실장하고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되어 있는 칩 마운트와 상기 리드 프레임의 금속 리드부(200)를 와이어 본딩에 의하여 전기적으로 연결시킨다.According to the present invention, when the lead frame injection unit 210 having the structure described above is formed, the LED chip is mounted by die bonding in a region of the light emitting unit 220 of the lead frame. The chip mount on which the diode chip is mounted and the metal lead part 200 of the lead frame are electrically connected by wire bonding.

그런 다음, 상기 리드 프레임의 발광부(220) 영역에 디스펜서를 이용하여 토출 공정을 진행하고, 상기 발광 다이오드 칩이 다이본딩되어 있는 영역에 실리콘계 수지를 주입하는 몰딩 작업을 진행한다.Thereafter, a discharging process is performed using a dispenser in a region of the light emitting unit 220 of the lead frame, and a molding operation of injecting a silicone resin into a region where the LED chip is die-bonded is performed.

상기 실리콘 수지는 상기 발광 다이오드 상에 몰딩되는 경우 칩 표면을 보호해주는 역할도 하기 때문이다.This is because the silicone resin also serves to protect the chip surface when molded on the light emitting diode.

하지만, 상기 발광 다이오드 칩 상에 주입되는 몰딩액은 상기 실리콘계 수지 뿐만 아니라, 에폭시 수지, 폴리이미드계 수지 등을 사용 목적, 사용 환경, 제품의 특성에 따라 선택적으로 사용할 수 있다.However, the molding liquid injected onto the light emitting diode chip may be selectively used according to the purpose of use, environment of use, and product characteristics as well as the silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, and the like.

또한, 상기의 몰드액에 따라 고광도, 고투과성, 고내후성의 특성을 낼 수 있도록 하기 위할 뿐 아니라, 몰드재의 첨가에 따라 지향성 및 시야각을 조절할 수 있다.In addition, in addition to the high brightness, high permeability, high weather resistance characteristics according to the mold liquid, the orientation and viewing angle can be adjusted according to the addition of the mold material.

본 발명에서와 같이 리드 프레임의 높이가 낮아짐에 따라 상기 리드 프레임의 사출부 영역이 좁아지지 않고 넓어지기 때문에, 종래 기술에 따라 리드 프레임의 높이를 낮추기 위하여 발광부의 축소에 따른 정교한 다이본딩, 와이어 배선 공정등의 어려움, 에폭시 토출액의 조절 및 리드 프레임의 플라스틱 사출물의 두께가 얇아지며 이에 따른 리드 프레임 금형 제작의 어려움의 문제가 발생하지 않는다.As the height of the lead frame is lowered as in the present invention, the area of the ejection part of the lead frame is not narrowed, but is widened. Therefore, in order to lower the height of the lead frame according to the prior art, precise die bonding and wire wiring according to the shrinkage of the light emitting part is reduced. Difficulties in the process, control of the epoxy discharge liquid and the thickness of the plastic injection molding of the lead frame is not thin, thereby causing a problem of difficulty in manufacturing the lead frame mold.

특히, 본 발명의 리드 프레임의 형상은 리드 프레임 사출부(210) 양측 하단에 단차를 형성하여 금속 리드부(200)가 포밍(forming) 되었을 때, 패키지 발광부(220)에 기계적인 손상 및 배광 영역의 감소를 주지 않게 하기 위해서 상기 리드 프레임의 발광부(220) 측면의 리드 프레임 사출부(220)의 면적을 넓게 형성하였다.In particular, the shape of the lead frame according to the present invention may form mechanical steps and light distribution on the package light emitting unit 220 when the metal lead unit 200 is formed by forming a step at both lower ends of the lead frame injection unit 210. In order not to reduce the area, an area of the lead frame ejection unit 220 on the side of the light emitting unit 220 of the lead frame is wide.

따라서, 상기 리드 프레임의 사출부(220) 면적이 확장됨에 따라 표면 실장을 위해서 상기 금속 리드부(200)가 측면에 연장된 상기 리드 프레임 사출부(220)에 형성되어 종래 기술에서 제조된 리드 프레임보다 훨씬 박형화로 제작할 수 있게된다.Therefore, as the area of the injection part 220 of the lead frame is expanded, the metal lead part 200 is formed on the lead frame injection part 220 extending to the side for surface mounting, and thus the lead frame manufactured in the prior art. It can be made much thinner.

본 발명에서 제조되는 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩의 크기(가로 0.35㎜, 세로 0.3~0.33㎜)는 종래와 동일한 크기를 유지하면서, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 리드 프레임의 발광부(220)의 넓이가 넓어져 광효율이 향상되었고, 아울러 상기 리드 프레임 사출부(210)의 높이가 감속하여 보다 박형화를 구현할 수 있게 되었다.In the LED package manufactured in the present invention, the size of the LED chip (width 0.35 mm, length 0.3 to 0.33 mm) of the light emitting unit 220 of the lead frame on which the LED chip is mounted is maintained while maintaining the same size as the conventional one. The width was widened to improve the light efficiency, and the height of the lead frame injection part 210 was reduced to realize a thinner thickness.

도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 발광 다이오드 리드 프레임 패키지를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 상기 도 3에서 형성한 리드 프레임 사출부처럼 리드 프레임 사출부(310) 양측 하단에 단차를 형성하지 않고, 상기 리드 프레임 사출부(310)의 양측면에서 금속 리드부(300, 400)를 포밍할 수 있도록 한 구조이다.4 and 5 are diagrams illustrating a light emitting diode lead frame package according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, as shown in FIG. 3, on both sides of the lead frame ejection part 310. Without forming a step at the bottom, it is a structure that can form the metal lead parts (300, 400) on both sides of the lead frame injection part (310).

상기 금속 리드부(300, 400)를 포밍하기 위하여 상기 리드 프레임 사출부(310)의 양측에 추가적인 사출 영역을 형성하지 않고, 상기 금속 리드부(300, 400)를 상기 리드 프레임 사출부(310)의 양쪽 외측에 형성함으로써 리드 프레임의 박형화를 유지하였다.In order to form the metal lead parts 300 and 400, the metal lead parts 300 and 400 are connected to the lead frame injection part 310 without forming additional injection areas on both sides of the lead frame injection part 310. The thickness of the lead frame was maintained by forming on both outer sides of.

그리고 상기 금속 리드부(300)를 상기 리드 프레임 사출부(310)의 외측에 형성한 다음, 상기 도 4에서와 같이, 상기 금속 리드부(300)를 수평 방향을 기준으로 전방으로 절곡하거나, 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 금속 리드부(400)를 수평 방향을 기준으로 상기 도 4와 반대 방향인, 후방으로 절곡하였다.Then, the metal lead part 300 is formed outside the lead frame injection part 310, and as shown in FIG. 4, the metal lead part 300 is bent forward based on a horizontal direction, or the As shown in FIG. 5, the metal lead part 400 is bent backward, which is the direction opposite to that of FIG. 4, based on a horizontal direction.

상기 금속 리드부(300, 400)은 부품의 실장 위치, 다른 부품과의 전속에 따라 절곡 방향을 바꾸어 형성할 수 있다.The metal leads 300 and 400 may be formed by changing a bending direction according to a mounting position of a part and a full speed with another part.

그러므로 상기 금속 리드부(300, 400)는 상기 리드 프레임 사출부(310) 하측으로 수직하게 배치된 상태에서 상기 리드 프레임 사출부(310) 하부에 있는 상기 금속 리드부(300, 400)를 전후방으로 절곡하여 'ㄴ'자 형상하고 있다.Therefore, the metal lead parts 300 and 400 are disposed vertically under the lead frame injection part 310, and the metal lead parts 300 and 400 under the lead frame injection part 310 are moved forward and backward. It is bent and 'b' shaped.

따라서, 상기 도 3에서 설명한 것과 같이 리드 프레임의 발광 부(320) 영역은 확대되었고, 리드 프레임 사출부(310)의 면적은 증가하여 리드 프레임의 높이를 감속 시켰다.Therefore, as described above with reference to FIG. 3, the area of the light emitting part 320 of the lead frame is enlarged and the area of the lead frame ejecting part 310 is increased to reduce the height of the lead frame.

그러므로, 상기 도 4와 도 5에 도시된 리드 프레임 패키지의 발광부(320) 영역은 상기 도 3에서 형성한 리드 프레임 패키지의 발광 부 영역의 면적과 동일하여, 종래 실장하던 발광 다이오드 칩을 그대로 사용할 수 있어 도 3에서 처럼 광효율을 증대시킬 수 있다.Therefore, the light emitting part 320 area of the lead frame package shown in FIGS. 4 and 5 is the same as the area of the light emitting part area of the lead frame package shown in FIG. It is possible to increase the light efficiency as shown in FIG.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 발광 다이오드 칩을 실장하는 리드 프레임의 발광부 영역을 확장시키고, 상기 리드 프레임 사출부 외측에 금속 리드를 체용할 수 있도록 함으로써, 광효율을 향상시키고 견고한 몰드를 구현할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention extends the light emitting area of the lead frame mounting the LED chip, and allows the metal lead to stay outside the lead frame ejection part, thereby improving light efficiency and providing a rigid mold. There is an effect that can be implemented.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 리드 프레임 패키지 제조 공정을 도시한 도면.1A and 1B illustrate a process of manufacturing a light emitting diode lead frame package according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따라 제조된 리드 프레임 패키지의 문제점을 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining the problem of the lead frame package manufactured according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 리드 프레임 패키지를 도시한 도면.3 illustrates a light emitting diode lead frame package according to the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 발광 다이오드 리드 프레임 패키지를 도시한 도면.4 and 5 illustrate a light emitting diode lead frame package according to another embodiment according to the present invention;

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

200, 300, 400: 금속 리드부 210, 310: 리드 프레임 사출부200, 300, 400: metal lead portion 210, 310: lead frame injection portion

220, 320: 발광부220, 320: light emitting unit

Claims (6)

발광 다이오드를 실장할 발광 영역 보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부를 제공하는 단계;Providing a lead frame ejecting portion having an area extending from a light emitting area in which the light emitting diode is to be mounted; 상기 리드 프레임 사출부의 발광 영역 상에 발광 다이오드 칩을 다이본딩하는 단계;Die bonding a light emitting diode chip to a light emitting region of the lead frame ejecting unit; 상기 다이본딩된 발광 다이오드 칩 상에 몰딩 작업을 진행하는 단계; 및Performing a molding operation on the die-bonded LED chip; And 상기 리드 프레임의 상기 연장된 영역에 리드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.And forming a lead in the extended region of the lead frame. 발광 다이오드를 실장한 리드 프레임 사출부를 제공하는 단계;Providing a lead frame injection part mounted with a light emitting diode; 상기 리드 프레임 사출부의 발광 영역 상에 발광 다이오드 칩을 다이본딩하는 단계;Die bonding a light emitting diode chip to a light emitting region of the lead frame ejecting unit; 상기 다이본딩된 발광 다이오드 칩 상에 몰딩 작업을 진행하는 단계; 및Performing a molding operation on the die-bonded LED chip; And 상기 리드 프레임 사출부 외측에 리드 포밍에 의한 리드부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.And forming a lead part by lead forming on an outer side of the lead frame injection part. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 리드부는 상기 리드 프레임 사출부 외측에 절곡된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.The lead portion is a light emitting diode package manufacturing method, characterized in that formed in the form bent outside the lead frame injection portion. 발광 다이오드가 발광하는 영역보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부;A lead frame injection part having an area extending from an area in which the light emitting diode emits light; 상기 리드 프레임 사출부에 실장된 발광 다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the lead frame injection part; 상기 발광 다이오드 칩이 실장된 상기 리드 프레임 사출부 영역에 형성된 몰딩부; 및A molding part formed in an area of the lead frame injection part in which the light emitting diode chip is mounted; And 상기 리드 프레임 사출부 양측에 일측 부분이 전방으로 절곡된 형상으로 배치되어 있는 리드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And a lead part disposed on both sides of the lead frame ejection part in a shape in which one side portion is bent forward. 발광 다이오드가 발광하는 영역보다 연장된 영역을 갖는 리드 프레임 사출부;A lead frame injection part having an area extending from an area in which the light emitting diode emits light; 상기 리드 프레임 사출부에 실장된 발광 다이오드 칩;A light emitting diode chip mounted on the lead frame injection part; 상기 발광 다이오드 칩이 실장된 상기 리드 프레임 사출부 영역에 형성된 몰딩부; 및A molding part formed in an area of the lead frame injection part in which the light emitting diode chip is mounted; And 상기 리드 프레임 사출부 양측에 일측 부분이 후방으로 절곡된 형상으로 배치되어 있는 리드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And a lead part disposed at both sides of the lead frame injection part in a shape in which one side part is bent backward. 제 4 또는 제 5 항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 리드부는 중심이 상기 리드 프레임 사출부 중심 영역에 고정된 상태에서 'ㄴ'자 형상으로 절곡된 구조인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The lead unit is a light emitting diode package, characterized in that the center of the structure is bent in the 'b' shape in a state fixed to the lead frame center portion.
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JP2003152228A (en) 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led case and led light emitting body

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100969144B1 (en) * 2008-01-28 2010-07-08 알티전자 주식회사 Light emitting diode package

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