KR20050037913A

KR20050037913A - Electro luminescence display

Info

Publication number: KR20050037913A
Application number: KR1020030073197A
Authority: KR
Inventors: 김창수; 박상일
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2003-10-20
Filing date: 2003-10-20
Publication date: 2005-04-25
Also published as: KR100659528B1

Abstract

본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로써, 상세하게는 유기전계발광표시장치의 봉지기판에 투명도전물질을 증착하여 이의 투과도를 변형시켜 반사율 감소 및 외부광을 차단함으로써 콘트라스트를 개선시킨 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and in particular, an organic light emitting display having improved contrast by depositing a transparent conductive material on an encapsulation substrate of an organic light emitting display and modifying its transmittance to reduce reflectance and block external light. Relates to a device.

이를 위한 본 발명의 구성은 입력되는 신호에 따라서 광을 발광하는 화소부와; 전면에 상기 화소부가 형성되는 기판과; 상기 화소부를 봉지하는 봉지기판과; 상기 봉지기판의 전면과 배면중 어느하나에 형성되고, 투명도전물질에 고에너지원이 주입되므로써 투과도가 변형되어 외부광을 차단하는 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 광차단막을 위한 투명도전물질로써, ITO, IZO, ZnO중 어느 하나인것을 특징으로 한다. 또한, 상기 고에너지원은 이온도핑으로써, 가속전압의 조절에 의해 상기 투명도전물질의 투과도 변형을 제어하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 광차단막은 상기 화소부의 발광영역에 대응하는 부분은 투과도가 변형되지 않은 투명도전물질이 존재하거나 또는 화소부의 비발광영역에 대응하는 부분에만 형성된다. The configuration of the present invention for this purpose and the pixel portion for emitting light in accordance with the input signal; A substrate on which the pixel portion is formed; An encapsulation substrate encapsulating the pixel portion; It is formed on any one of the front and rear surfaces of the encapsulation substrate, characterized in that it comprises a light shielding film to block external light by changing the transmittance by high energy source is injected into the transparent conductive material. Here, the transparent conductive material for the light blocking film, characterized in that any one of ITO, IZO, ZnO. In addition, the high energy source is ion-doped, characterized in that to control the permeability deformation of the transparent conductive material by controlling the acceleration voltage. In addition, the light blocking layer may be formed only in a portion corresponding to the light emitting region of the pixel portion or in a portion corresponding to a non-light emitting region of the pixel portion or having a transparent conductive material of which transmittance is not deformed.

Description

Organic electroluminescence display {Electro luminescence display}

도 1 은 통상적인 액티브 매트릭스 유기전계발광표시장치의 평면구조를 도시한 것으로써, R, G, B 단위화소로 구성된 하나의 화소에 한정하여 도시한 것이다.FIG. 1 illustrates a planar structure of a conventional active matrix organic light emitting display device, and is limited to one pixel composed of R, G, and B unit pixels.

도 1 을 참조하면, 종래의 AMOLED는 서로 절연되어 일방향으로 배열된 다수의 게이트라인(110)과 서로 절연되어 상기 게이트라인(110)과 교차하는 방향으로 배열된 다수의 데이타라인(120)과, 서로 절연되어 상기 게이트라인(110)과 교차하고 상기 데이타 라인(120)에 평행하게 배열된 공통전원라인(130)과 상기 게이트라인(110) 및 데이터라인(120)과 공통전원라인(130)에 의해 형성되는 복수개의 화소영역(140)과, 각각 화소영역(140)마다 배열되어 광로(155)를 구비한 복수개의 화소전극(150)을 구비한다. Referring to FIG. 1, a conventional AMOLED includes a plurality of data lines 120 insulated from each other and arranged in one direction, and are insulated from each other and arranged in a direction crossing the gate lines 110. The common power line 130 and the gate line 110, the data line 120, and the common power line 130 which are insulated from each other and cross the gate line 110 and are arranged in parallel to the data line 120. A plurality of pixel regions 140 formed by the plurality of pixel regions 140 and a plurality of pixel electrodes 150 arranged for each pixel region 140 and having an optical path 155.

도면상에는 도시되지 않았으나, 각 화소영역에는 R, G, B 단위화소가 배열되며, 각 단위화소는 박막트랜지스터, 캐패시터 및 상기 화소전극을 구비한 EL소자를 구비한다. 이때, 도면부호중160은 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극중 하나와 화소전극을 연결하기 위한 비어홀(160)을 나타낸다.Although not shown in the drawing, R, G, and B unit pixels are arranged in each pixel region, and each unit pixel includes a thin film transistor, a capacitor, and an EL element having the pixel electrode. In this case, reference numeral 160 denotes a via hole 160 for connecting the pixel electrode with one of the source / drain electrodes of the thin film transistor.

상기한 바와 같은 평면구조를 갖는 종래의 유기전계 발광표시장치는 박막트랜지스터의 게이트전극 및 소스/드레인전극, 캐패시터전극 및 배선등의 금속물질에 의해 외부광이 반사되어 EL소자가 발광할 때 콘트라스트를 저하시키는 문제점이 있었다. 특히, 외부광에 대해 노출이 심한 모바일용 표시장치의 경우에는 외부광의 높은 반사율에 의한 콘트라스트 저하가 심각한 문제로 대두되고 있다. In the conventional organic light emitting display device having the planar structure as described above, external light is reflected by metal materials such as the gate electrode, the source / drain electrode, the capacitor electrode, and the wiring of the thin film transistor so that the EL device emits contrast. There was a problem of deterioration. In particular, in the case of a mobile display device in which exposure to external light is severe, a decrease in contrast due to high reflectance of external light is a serious problem.

이러한 외부광의 반사에 의한 콘트라스트 저하를 방지하기위하여, 종래에는 표시장치이 전면에 고가의 편광판을 부착하였으나, 이는 고가의 편광판 사용에 따른 제조원가의 상승을 초래할 뿐만 아니라 편광판 자체가 유기 전계발광층으로부터 방출되는 빛도 차단하기 때문에 투과도를 저하시켜 휘도를 저하시키는 문제점이 있었다.In order to prevent the lowering of the contrast caused by the reflection of external light, the display device attaches an expensive polarizing plate to the front surface of the display device, but this causes not only an increase in manufacturing cost due to the use of an expensive polarizing plate but also the light emitted from the organic electroluminescent layer. Since it also blocks, there is a problem in that the transmittance is lowered to lower the luminance.

또한, Cr/CrOx. 또는 유기막 등으로 된 블랙매트릭스를 TFT와 캐패시터가 형성되는 영역에 별도로 형성하는 방법이 있었는데, 이러한 방법은 블랙매트릭스를 형성하기 위해 별도의 마스크공정이 요구되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.In addition, Cr / CrOx. Alternatively, there was a method of separately forming a black matrix made of an organic film in a region in which a TFT and a capacitor are formed. This method requires a separate mask process to form a black matrix, which causes a complicated process.

한편, 외부광에 의한 반사율을 감소시켜 콘트라스트를 개선시킬 때, 흰색보다는 검은색을 잘 구현하는 것이 중요하다. 이를 위하여 배면발광구조의 AMOLED에서 농도구배층(MIHL, Metal insulator hybrid layer)을 이용하여 블랙매트릭스를 형성하는 기술이 국내특허출원 제 2001-0085187호에 개시되었다. 그러나, 상기 기술은 블랙매트릭스를 형성하기 위한 별도의 공정이 요구되는 문제점이 있었다.On the other hand, when improving the contrast by reducing the reflectance due to external light, it is important to implement a black color better than white. To this end, a technique for forming a black matrix using a concentration gradient layer (MIHL, metal insulator hybrid layer) in AMOLED having a back light emitting structure has been disclosed in Korean Patent Application No. 2001-0085187. However, the above technique has a problem that a separate process for forming a black matrix is required.

따라서 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 본 발명은 투명도전물질에 고에너지원을 주입하여 투과도를 변형시켜 외부광의 반사율을 최소화시킬수 있어 콘트라스트를 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, the present invention, which is intended to solve the above-mentioned problems, injects a high energy source into the transparent conductive material to modify the transmittance to minimize the reflectance of external light, thereby providing an organic light emitting display device that can improve contrast. For the purpose of

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 입력되는 신호에 따라서 광을 발광하는 화소부와; 전면에 상기 화소부가 형성되는 기판과; 상기 화소부를 봉지하는 봉지기판과; 상기 봉지기판의 전면과 배면중 어느하나에 형성되고, 투명도전물질에 고에너지원이 주입되므로써 투과도가 변형되어 외부광을 차단하는 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 한다. The configuration of the present invention for achieving the above object is a pixel portion for emitting light in accordance with the input signal; A substrate on which the pixel portion is formed; An encapsulation substrate encapsulating the pixel portion; It is formed on any one of the front and rear surfaces of the encapsulation substrate, characterized in that it comprises a light shielding film to block external light by changing the transmittance by high energy source is injected into the transparent conductive material.

여기서, 상기 광차단막을 위한 투명도전물질로써, ITO, IZO, ZnO중 어느 하나인것을 특징으로 한다. Here, the transparent conductive material for the light blocking film, characterized in that any one of ITO, IZO, ZnO.

또한, 상기 고에너지원은 이온도핑으로써, 가속전압의 조절에 의해 상기 투명도전물질의 투과도 변형을 제어하는 것을 특징으로 한다. In addition, the high energy source is ion-doped, characterized in that to control the permeability deformation of the transparent conductive material by controlling the acceleration voltage.

또한, 상기 광차단막은 상기 화소부의 발광영역에 대응하는 부분은 투과도가 변형되지 않은 투명도전물질이 존재하거나 또는 화소부의 비발광영역에 대응하는 부분에만 형성된다. In addition, the light blocking layer may be formed only in a portion corresponding to the light emitting region of the pixel portion or in a portion corresponding to a non-light emitting region of the pixel portion or having a transparent conductive material of which transmittance is not deformed.

또는, 입력되는 신호에 따라서 광을 발광하는 화소부와; 전면에 상기 화소부가 형성되는 기판과; 상기 화소부를 봉지하는 봉지기판과; 상기 기판의 배면에 형성되어 투명도전물질에 주입되는 고에너지원에 의해 투과도가 변형되어 외부광을 차단하는 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 한다. Or a pixel portion for emitting light in accordance with an input signal; A substrate on which the pixel portion is formed; An encapsulation substrate encapsulating the pixel portion; It is characterized in that it comprises a light blocking film formed on the back of the substrate and the transmittance is modified by a high energy source injected into the transparent conductive material to block external light.

그리고, 상기 고에너지원은 이온도핑으로, 가속전압의 조절에 의해 상기 투명도전물질의 투과도의 변형을 제어하는 것을 특징으로 한다. In addition, the high energy source is ion doping, characterized in that to control the deformation of the transmittance of the transparent conductive material by controlling the acceleration voltage.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예의 단계적 공정을 나타낸 단면도로써 배면발광구조를 갖는 유기전계발광표시장치를 일예로써 설명한다. 2 is a cross-sectional view illustrating a step-by-step process of a first embodiment of the present invention and an organic light emitting display device having a bottom light emitting structure will be described as an example.

도면부호 100은 화소부, 170은 기판, 180은 투명도전막, 181은 광차단막, 183은 광로, 190은 봉지기판이다.Reference numeral 100 is a pixel portion, 170 is a substrate, 180 is a transparent conductive film, 181 is a light blocking film, 183 is an optical path, and 190 is an encapsulation substrate.

기판(170) 위에 화소부(100)가 형성되고, 상기 기판(170)에 봉지기판(190)을 실런트(Sealant)(191)에 의해 봉지시키며 이는 도 2a와 같다. 여기서 상기 화소부(100)는 다수개의 게이트라인과 데이타라인이 서로 절연되어 교차하고, 상기 데이타라인과 평행하게 배열된 공통전원라인과, 상기 게이트라인과 데이타라인과 공통전원라인에 의해 형성되는 복수개이상의 화소영역이 포함된다. The pixel portion 100 is formed on the substrate 170, and the encapsulation substrate 190 is encapsulated in the substrate 170 by a sealant 191, which is illustrated in FIG. 2A. Here, the pixel unit 100 includes a plurality of common power lines formed by crossing a plurality of gate lines and data lines, insulated from each other, arranged in parallel with the data lines, and a plurality of gate lines, data lines, and common power lines. The above pixel area is included.

기판(170)이 봉지기판과 실런트(190)(191)에 의해 봉지된 이후, 기판(170)의 배면에 투명도전막(180)을 증착하며 이는 도 2b에 도시된 바와 같다. 여기서 투명도전막(180)은 ITO, IZO, ZnO중 어느 하나인것이 바람직하다. 상기 단계에서 기판(170)의 배면에 증착되는 투명도전막(180)은 기판 배면전체에 증착된다. 이후 증착이 완료되면 도 2c와 같이 상기 투명도전막(180)으로 고에너지원, 예를들면, ITO에 이온도핑을 통하여 가속화된 전자를 주입하여 상기 ITO의 투과도를 변형시켜 광차단막(181)을 형성한다. . After the substrate 170 is sealed by the encapsulation substrate and the sealant 190 and 191, the transparent conductive film 180 is deposited on the back surface of the substrate 170, as shown in FIG. 2B. The transparent conductive film 180 is preferably any one of ITO, IZO, ZnO. In this step, the transparent conductive film 180 deposited on the back surface of the substrate 170 is deposited on the entire back surface of the substrate. After the deposition is completed, as shown in FIG. 2C, a high energy source, for example, electrons accelerated through ion doping into the ITO is injected into the ITO to modify the transmittance of the ITO to form the light blocking layer 181. do. .

여기서 이온도핑의 농도는 전자의 가속전압에 의해 결정되며, 이로 인하여 상기 ITO의 투과도가 결정된다. 즉, 주입되는 전자는 가속전압에 의해 가속되어, 예를들면, ITO의 인듐-옥사이드성분에서 산소(Oxygen)를 분리시키므로써 상기 ITO의 굴절율을 연속적으로 변화시킨다. 따라서 이를 응용하면 상기 전자의 가속전압을 조절함에 따라 투명도전막(180)의 투과도를 조절할 수 있다. 그러므로 상기 투명도전막(180)은 주입되는 이온의 농도에 따라서 굴절율이 연속적으로 변화되어 스캐터링에 의해 입사되는 빛을 흡수하고 반사시키지 않는 광학밀도가 4 이상의 블랙매트릭스(181)로 형성된다. Here, the concentration of ion doping is determined by the acceleration voltage of the electron, thereby determining the permeability of the ITO. That is, the injected electrons are accelerated by the accelerating voltage, for example, to continuously change the refractive index of the ITO by separating oxygen (Oxygen) from the indium oxide component of the ITO. Therefore, by applying this, the transmittance of the transparent conductive film 180 can be adjusted by adjusting the acceleration voltage of the electron. Therefore, the transparent conductive layer 180 is formed of a black matrix 181 having an optical density of 4 or more, in which the refractive index is continuously changed according to the concentration of implanted ions, thereby absorbing and not reflecting light incident by scattering.

상기와 같이 기판(170)의 배면에 광차단막(181)을 형성한 다음, 상기 화소부(100)의 발광영역(도시되지 않음)에 광로(183)를 형성하기 위하여 상기 광차단막(181)을 패턴닝한다. As described above, the light blocking film 181 is formed on the rear surface of the substrate 170, and then the light blocking film 181 is formed to form the optical path 183 in the light emitting region (not shown) of the pixel unit 100. Pattern.

즉, 상기 화소부(100)의 발광영역에 대응하는 부분을 제외한 광차단막(181)상에 포토레지스트막(182)을 형성한 다음, 도 2d에 도시된 바와 같이 화소부(100)에서 발광된 광이 통과될 수 있도록 상기 화소부(100)에 대응하는 부분의 광차단막(181)을 식각하면, 광로(183)가 형성된다. 따라서 화소부(100)의 발광영역에서는 발광된 광이 광로(183)를 통해 방출되고, 그외의 영역에서는 블랙매트릭스(181)가 형성되어 광을 차단한다. That is, the photoresist film 182 is formed on the light blocking film 181 except for the portion corresponding to the light emitting region of the pixel portion 100, and then the light is emitted from the pixel portion 100 as illustrated in FIG. 2D. When the light blocking layer 181 of the portion corresponding to the pixel portion 100 is etched to allow light to pass through, an optical path 183 is formed. Therefore, the emitted light is emitted through the optical path 183 in the light emitting area of the pixel unit 100, and the black matrix 181 is formed in other areas to block the light.

상기 제 1 실시예에서는 이온도핑 후에 패턴닝 또는 마스킹을 실시하였으나, 또 다른 실시예로서 상기 투명도전막(180)이 기판(170)의 배면에 증착되고, 패턴닝 또는 마스킹을 통해 광로(183)가 형성된 이후에 이온도핑을 실시하여 상기 투명도전막(180)의 투과도를 변형시킴도 본 발명의 요지에 해당된다.In the first embodiment, patterning or masking is performed after ion doping. In another embodiment, the transparent conductive film 180 is deposited on the back surface of the substrate 170, and the optical path 183 is patterned or masked. After the formation, ion doping is also performed to modify the transmittance of the transparent conductive film 180, which corresponds to the gist of the present invention.

또한, 투명도전막(180)을 증착한 다음 상기 화소부(100)의 발광영역에 대응하는 부분을 마스킹한 상태에서 이온주입공정을 실시하면, 상기 화소부(100)의 발광영역에 대응하는 부분은 투명도전막(180)의 투과도가 변형되지 않으므로 화소부(100)의 발광영역에서 발광된 광의 경로(183)가 형성되며 그외의 영역은 투과도가 변형되어 블랙매트릭스(181)가 구성되므로 광을 차단한다. In addition, when the ion implantation process is performed while depositing the transparent conductive film 180 and masking a portion corresponding to the emission region of the pixel portion 100, the portion corresponding to the emission region of the pixel portion 100 is Since the transmittance of the transparent conductive layer 180 is not deformed, a path 183 of light emitted from the light emitting region of the pixel portion 100 is formed, and the other region is deformed so that the black matrix 181 is formed to block light. .

도 3은 본 발명의 제 2 실시예의 공정단계를 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing the process steps of the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예는 전면발광구조의 유기전계발광표시장치에서 봉지기판(190)에 투명도전막(180)을 증착시켜 블랙매트릭스를 구현함을 요지로 한다. 이를 상세히 설명하자면 도 3b에 도시된 바와 같이 실런트(191)와 봉지기판(190)을 이용하여 기판(170)을 봉지한 이후, 상기 봉지기판(190)의 전면에 투명도전막(180)을 증착하고, 증착된 투명도전막(180)에 이온도핑을 실시하여 상기 투명도전막(180)의 투과도를 변형시켜 광차단막(181)을 형성한다. 이후, 상기 광차단막(181))에 상기 화소부(100)의 발광영역에 대응하는 부분을 제외한 광차단막(181)상에 포토레지스트막(182)을 형성한 다음 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 화소부(100)에서 발광된 광이 투과될 수 있도록 상기 화소부(100)에 대응하는 부분의 광차단막(181)을 식각하여 광로(183)를 형성한다. 따라서 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 화소부(100)에서 발광된 광은 상기 광로(183)를 통해 투과되며, 상기 광로(183) 이외에 영역에서는 블랙매트릭스(181)가 형성되어 광을 차단한다. According to a second embodiment of the present invention, a black matrix is realized by depositing a transparent conductive film 180 on an encapsulation substrate 190 in an organic light emitting display device having a top light emitting structure. In detail, as shown in FIG. 3B, after encapsulating the substrate 170 using the sealant 191 and the encapsulation substrate 190, the transparent conductive film 180 is deposited on the entire surface of the encapsulation substrate 190. In addition, ion doping is performed on the deposited transparent conductive layer 180 to modify the transmittance of the transparent conductive layer 180 to form the light blocking layer 181. Subsequently, a photoresist film 182 is formed on the light blocking film 181 on the light blocking film 181 except for a portion corresponding to the light emitting region of the pixel portion 100, and then, as shown in FIG. 3C. An optical path 183 is formed by etching the light blocking film 181 of the portion corresponding to the pixel portion 100 so that the light emitted from the pixel portion 100 may be transmitted. Accordingly, as shown in FIG. 3D, the light emitted from the pixel unit 100 is transmitted through the optical path 183, and a black matrix 181 is formed in a region other than the optical path 183 to block the light.

또는 상술한 바와 같이 봉지된 이후에 마스킹을 통한 광로(183) 형성대신에, 봉지되기 이전에 상기 봉지기판(190)의 전면에 패턴닝 또는 마스킹을 통해 광로(183)를 형성한 후, 기판(170)에 실런트(191)를 이용하여 봉지기판(190)을 봉지시킨다.Alternatively, instead of forming the optical path 183 through masking after sealing as described above, the optical path 183 is formed on the front surface of the encapsulation substrate 190 through patterning or masking before encapsulation, and then the substrate ( The sealing substrate 190 is encapsulated using the sealant 191 at 170.

도 4는 본 발명의 제 3 실시예의 공정단계를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the process steps of the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예는 전면발광구조의 유기전계발광표시장치에서 봉지기판(190)에 투명도전막(180)을 증착시켜 블랙매트릭스를 구현함을 요지로 한다. 이를 상세히 설명하자면 먼저, 도 4b에 도시된 바와 같이 봉지기판(190)의 배면에 투명도전막(180a)을 증착시키고, 증착된 투명도전막(180a)에 이온도핑을 실시함으로 투과도를 변형시켜 광차단막(181a)을 형성한다. 그리고, 상술한 제 1 및 제 2 실시예와 같이 상기 광차단막(181a)에 포토레지스터막을 형성한 다음, 화소부(100)에서 발광된 광이 통과될 수 있도록 상기 화소부(100)에 대응하는 부분의 광차단막(181a)을 식각하여 광로(184)를 형성한다. According to a third embodiment of the present invention, a black matrix is implemented by depositing a transparent conductive film 180 on an encapsulation substrate 190 in an organic light emitting display device having a top light emitting structure. In detail, first, as illustrated in FIG. 4B, the transparent conductive film 180a is deposited on the rear surface of the encapsulation substrate 190, and the light transmission film is modified by performing ion doping on the deposited transparent conductive film 180a. 181a). Then, as in the first and second embodiments described above, a photoresist film is formed on the light blocking film 181a and then corresponds to the pixel portion 100 so that light emitted from the pixel portion 100 can pass therethrough. The light blocking film 181a of the portion is etched to form an optical path 184.

이후, 상기와 같은 상기 봉지기판(190) 배면의 광차단막(181a)이 완료되면, 전면에 투명도전막(도 3 참조)을 증착하고 이온도핑을 실시하여 상기 투명도전막(도 3참조)의 투과도를 변형시켜 광차단막(181b)을 형성한다. 그리고 상술한 바와 같이 포토레지스터막과 식각공정을 통해 광로(185)를 형성한다. 그리고 실런트(191)를 이용하여 상기 봉지기판(190)을 봉지하며, 이는 도 4d 및 도 4e에 도시된 바와 같다. Subsequently, when the light blocking film 181a on the rear surface of the encapsulation substrate 190 is completed, a transparent conductive film (see FIG. 3) is deposited on the front surface and ion doping is performed to determine the transmittance of the transparent conductive film (see FIG. 3). The light blocking film 181b is formed by deforming. As described above, the optical path 185 is formed through the photoresist layer and the etching process. Then, the encapsulation substrate 190 is encapsulated using the sealant 191, as shown in FIGS. 4D and 4E.

따라서, 상기 봉지기판(190)의 전면과 배면에서 광로(184)(185)를 제외한 영역에 블랙매트릭스(181a)(181b)가 각각 형성됨에 따라 상기 화소부(100)에서 발광된 광은 광로(184)(185)를 제외한 영역에서 차단된다. Accordingly, as the black matrices 181a and 181b are formed on the front and rear surfaces of the encapsulation substrate 190 except for the optical paths 184 and 185, the light emitted from the pixel unit 100 is emitted into the optical path ( 184) (185) is blocked in the area except.

상기 발명의 상세한 설명은 본 발명의 특정 실시예를 예로 들어서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 개념을 이탈하지 않는 범위 내에서 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 형태로 변형 또는 변경 실시하는 것 또한 본 발명의 개념에 포함되는 것은 물론이다.The detailed description of the invention has been described with reference to specific embodiments of the invention as examples, but the invention is not limited thereto, and one having ordinary skill in the art to which the invention pertains without departing from the concept of the invention. Modification or modification of the invention in various forms by the ruler is of course included in the concept of the present invention.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 투명도전물질에 고에너지원을 주입하여 투과도를 변형시켜 외부광의 반사율을 최소화시킬수 있어 간단한 공정으로 콘트라스트를 개선할 수 있는 효과가 있다. The organic light emitting display device according to the present invention as described above can minimize the reflectance of the external light by injecting a high energy source into the transparent conductive material to modify the transmittance, thereby improving the contrast in a simple process.

도 1은 일반적인 유기전계발광표시장치를 나타낸 평면도,1 is a plan view illustrating a general organic light emitting display device;

도 2는 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 제 2 실시예를 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제 3 실시예를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the present invention.

* 도면부호에 대한 간단한 설명 ** Brief Description of Drawings *

100 : 화소부 170 : 기판100: pixel portion 170: substrate

180 : 투명도전막 181 : 광차단막180: transparent conductive film 181: light blocking film

183, 184, 185 : 광로 190 : 봉지기판183, 184, 185: Optical path 190: Seal board

Claims

A pixel portion which emits light in accordance with an input signal;

A substrate on which the pixel portion is formed;

An encapsulation substrate encapsulating the pixel portion;

And a light blocking layer formed on any one of the front and rear surfaces of the encapsulation substrate and blocking the external light by changing the transmittance by injecting a high energy source into the transparent conductive material.

The method of claim 1, wherein the light blocking film for

An organic electroluminescent display device, wherein the transparent conductive material is one of ITO, IZO, and ZnO.

The method of claim 1, wherein the high energy source

And an ion doping to control the deformation of the transparency of the transparent conductive material by controlling the acceleration voltage.

The method of claim 1, wherein the light blocking film is

And a portion of the pixel portion corresponding to the light emitting region is formed only in a portion of the pixel portion in which the transparent conductive material is not deformed or corresponds to the non-light emitting region of the pixel portion.

A pixel portion which emits light in accordance with an input signal;

A substrate on which the pixel portion is formed;

An encapsulation substrate encapsulating the pixel portion;

And a light blocking layer formed on a rear surface of the substrate to block external light by changing its transmittance by a high energy source injected into a transparent conductive material.

The method of claim 5, wherein the light blocking film for

The method of claim 5, wherein the high energy source

And an ion doping to control deformation of the transparency of the transparent conductive material by adjusting an acceleration voltage.

The method of claim 5, wherein the light blocking film is