KR20050034143A - Ｐｃｂ 기판을 이용한 ｓａｗ 듀플렉서 - Google Patents

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KR20050034143A
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Abstract

본 발명은 SAW 듀플렉서에 관한 것으로, 본 발명은 SAW 필터와, 상기 SAW 필터를 상면에 탑재하고, 배면에 상기 SAW 필터와 전기적으로 연결된 제1 전극이 형성된 SAW 필터 탑재부 및 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극, 그라운드 패턴, 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴 및 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 각각 형성된 복수개의 PCB 기판이 적층된 매칭회로부를 포함하는 SAW 듀플렉서를 제공한다. 본 발명에 따르면, SAW 듀플렉서의 원가를 절감하고 품질 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

ＰＣＢ 기판을 이용한 ＳＡＷ 듀플렉서{SAW DUPLEXER USING PCB SUBSTRATE}
본 발명은 SAW 듀플렉서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 HTCC 공정을 이용하여 소자 탑재용 기판을 제작하여 SAW 필터를 탑재하고, 상면에 그라운드 및 매칭용 회로가 인쇄된 PCB 기판을 복수개 적층한 매칭용 기판과 접합하여 상기 SAW 필터와 상기 매칭용 회로를 전기적으로 접촉시킴으로써 제작 원가를 절감하고 삽입손실 특성이 우수한 SAW 듀플렉서에 관한 것이다.
일반적으로, 듀플렉서(duplexer)는 이동통신 기기의 프론트 엔드단에 사용되는 부품으로서, 이동 통신 기기의 여러 전파 신호들 가운데 송신 주파수와 수신 주파수를 분리하여 전달하며, 잡음이 섞여 있는 많은 전파 신호들 중에서 필요한 주파수만을 선택하는 기능을 수행하는 부품이다. 듀플렉서는 대체로 안테나 하단에 연결되어 송신 및 수신 주파수를 분리하며, 송수신시 필요한 신호만 통과시키고, 불필요한 신호를 제거하는 부품으로 현재까지는 유전체 필터로 모노 블록 형태가 일반화되어 있으나, 이동 통신 기기의 소형화 및 경량화 추세에 따라 점차 SAW(Surface Acoustic Wave) 듀플렉서로 대체되고 있는 실정이다. 이러한 SAW 듀플렉서는 부품의 소량화, 경량화를 위해 스트립라인으로 구현된 매칭회로를 포함하는 형태로 제작된다. 도 1은 종래의 SAW 듀플렉서의 단면을 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 SAW 듀플렉서는, 상면에 매칭 회로가 패턴 형성되고 배면에는 외부와의 연결을 위한 전극이 형성된 제1 세라믹 기판(111)과, 상면에 내부 그라운드 패턴이 형성된 제2 세라믹 기판(112)과, 상면에 SAW 필터가 탑재되는 제3 세라믹 기판(113)과, 중심부의 소정 영역에 제1 캐비티가 형성되고 상면에 SAW 필터와 전기적으로 연결되는 내부전극이 형성된 제4 세라믹 기판(114)과, 상기 제1 캐비티의 영역을 포함하여 연결되도록 제1 캐비티보다 넓은 면적의 제2 캐비티가 중심부에 형성된 제5 세라믹 기판(115)과, 상기 캐비티 내의 상기 제3 세라믹 기판(113) 상면에 탑재되고 상기 내부전극과 와이어 본딩 방식으로 전기적 연결되는 SAW 필터(100)와, 상기 SAW 필터를 보호하기 위해 상기 캐비티 영역을 밀봉하도록 상기 제5 세라믹 기판(115)의 상면에 형성되는 금속성 리드(lid)(116)를 구비한다.
이러한, 종래의 SAW 듀플렉서는 전기전도도가 우수한 Ag, Ag/Pd의 금속을 패턴으로 사용할 수 있는 저온 동시 소성 세라믹(low temperature co-fired ceramic : LTCC) 공법으로 기판들을 제조한다. 상기 LTCC 공법은 800∼1000℃ 정도의 저온에서 세라믹과 금속의 동시 소성 방법을 이용하여 기판을 형성하는 기술로써 녹는점이 낮은 글라스와 세라믹이 혼합되어 적당한 유전율을 갖는 그린 시트를 형성시키고 그 위에 은이나 동을 주원료로 한 도전성 페이스트를 인쇄하여 적층한 후 기판을 형성하는 방법이다.
한편, 상기 LTCC 공법과 대비되는 공법으로 고온 동시 소성 세라믹(high temperature co-fired ceramic : HTCC) 공법이 있다. 상기 HTCC 공법은 1300℃ 이상의 온도에서 세라믹과 금속의 동시 소성 방법을 이용하여 기판을 형성하는 기술이다. 이 HTCC 공법은 고온에서 소성시키는 공정을 사용하므로 Ag, Ag/Pd 등 전기전도도는 우수하나 용융점이 낮은 금속을 패턴으로 사용할 수 없다. 따라서 내부 패턴을 형성하기 위한 금속으로 W, Mo 등을 사용하게 되므로 전기전도도가 나빠서 RF 분야에서 사용하기 어렵다.
따라서, CDMA 이동통신 기기 등에 사용되는 SAW 듀플렉서는 LTCC 공법을 이용하여 기판을 제조하게 된다. 그러나, 상기 LTCC 공법은 제조에 사용되는 재료가 고가이기 때문에 제품의 단가를 상승시켜 제품의 가격 경쟁력을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 상기 LTCC 공법은 소성공정이 까다롭고, 패턴 형성이 용이하지 않으며, 계면을 통한 누출손실 등의 불량이 발생하여 수율이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 종래의 SAW 듀플렉서는 LTCC 공법을 통해 모든 기판 및 매칭회로 등이 제조되기 때문에 SAW 필터 칩 또는 매칭회로부 각각의 불량 여부를 확인할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 당 기술분야에서는 제품 단가를 감소시키고, 수율을 향상시킬 수 있으며, 동시에 SAW 필터 칩 및 매칭회로부 각각의 불량여부를 용이하게 확인할 수 있는 SAW 듀플렉서가 요구되어 왔다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 SAW 필터를 상면에 탑재하는 SAW 필터 탑재부와, 매칭회로가 패턴으로 형성된 PCB 기판을 적층한 매칭회로부를 각각 따로 제작한 후, 상기 SAW 필터 탑재부와 매칭회로부를 전기적으로 접합시킴으로써, 제품 단가를 감소시키고, 수율을 향상시킬 수 있으며, 동시에 SAW 필터 칩 및 매칭회로부 각각의 불량여부를 용이하게 확인할 수 있는 SAW 듀플렉서를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은,
SAW 필터와, 상기 SAW 필터를 상면에 탑재하고, 배면에 상기 SAW 필터와 전기적으로 연결된 제1 전극이 형성된 SAW 필터 탑재부 및 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극, 그라운드 패턴, 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴 및 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 각각 형성된 복수개의 PCB 기판이 적층된 매칭회로부를 포함하는 SAW 듀플렉서를 제공한다.
상기 SAW 필터 탑재부와 상기 매칭회로부는 솔더 접합 방식으로 접합되며, 상기 SAW 필터 탑재부는 고온 동시 소성 세라믹(HTCC)로 이루어짐이 바람직하다. 또한, 상기 매칭회로부는, 배면에 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 형성되고, 상면에 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴이 형성된 제1 PCB 기판과, 상기 제1 PCB 기판 상면에 적층되고, 상면에 내부 그라운드 패턴이 형성된 제2 PCB 기판 및 상기 제2 PCB 기판 상면에 적층되고, 상면에 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극이 형성된 제3 PCB 기판을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서 상기 매칭회로는 나선형(spiral) 패턴으로 구현된 인덕터일 수 있다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 SAW 필터 탑재부는, 배면에 상기 제1 전극이 형성된 제1 HTCC 기판과, 상기 제1 HTCC 기판 상면에 적층되고, 중심부에 제1 캐비티가 형성되며, 상기 제1 캐비티가 형성되지 않은 상면에 상기 SAW 필터와 전기적 연결을 위한 내부전극이 마련되는 제2 HTCC 기판과, 상기 제2 HTCC 기판 상면에 적층되고, 상기 제1 캐비티의 면적보다 넓은 제2 캐비티가 중심부에 형성된 제3 HTCC 기판 및 상기 제3 HTCC 기판 상면에 형성되고, 상기 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 밀봉하는 리드를 포함하며, 상기 SAW 필터는 상기 제1 HTCC 기판 상면에 상기 제1 캐비티가 형성된 위치에 탑재되고, 상기 SAW 필터는 상기 내부전극과 와이어 본딩 방식으로 연결되고, 상기 내부전극은 상기 제1 전극과 비아홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
이 때, 상기 제1 HTCC 기판 및 제2 HTCC 기판의 두께의 합은 0.4mm 내지 0.5mm임이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 SAW 필터 탑재부는, 상면에 플립 칩 본딩방식으로 상기 SAW 필터를 탑재하기 위한 내부전극이 형성되고, 배면에 상기 매칭회로부와 접촉하는 상기 제1 전극이 형성된 제4 HTCC 기판을 포함할 수 있으며, 이 때, 상기 제4 HTCC 기판의 두께는 0.2mm 내지 0.35mm임이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 SAW 듀플렉서의 다양한 실시형태를 보다 상세하게 설명한다.
도 2에 도시된 본 발명의 실시형태는 SAW 필터가 와이어 본딩 방식으로 패키지에 연결되는 형태로서, 도 2a는 본 발명의 일실시형태에 따른 SAW 듀플렉서의 SAW 필터 탑재부의 단면을 도시한 것이고, 도 2b는 매칭회로부를 도시한 것이며, 도 2c는 상기 SAW 필터 탑재부와 매칭회로부를 접합시켜 완성된 SAW 듀플렉서의 단면을 도시한 것이다. 본 발명에 따른 SAW 듀플렉서는 도 2a에 도시된 SAW 필터 탑재부와, 도 2b에 도시된 매칭회로부를 각각 따로 제작한 후 이를 접합시켜 완성된다.
먼저 도 2a를 참조하면, 상기 SAW 필터 탑재부는, 배면에 제1 전극이 형성된 제1 세라믹 기판(211)과, 상기 제1 세라믹 기판(211) 상면에 적층되고, 중심부에 제1 캐비티가 형성되며, 상기 제1 캐비티가 형성되지 않은 상면에 상기 SAW 필터와 전기적 연결을 위한 내부전극이 마련되는 제2 세라믹 기판(212)과, 상기 제2 세라믹 기판(212) 상면에 적층되고, 상기 제1 캐비티의 면적보다 넓은 제2 캐비티가 중심부에 형성된 제3 세라믹 기판(213) 및 상기 제3 세라믹 기판(213) 상면에 형성되고, 상기 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 밀봉하는 리드(116)를 포함한다. SAW 필터(200)는 상기 제1 세라믹 기판(211) 상면에 상기 제1 캐비티가 형성된 위치에 탑재되고, 상기 SAW 필터(200)는 상기 내부전극과 와이어 본딩 방식으로 연결되고, 상기 내부전극은 상기 제1 전극과 비아홀을 통해 전기적으로 연결된다.
상기 세라믹 기판들(211~213)은 제조 비용이 저렴한 HTCC 공정을 이용하여 제작되는 것이 바람직하다. 상기 세라믹 기판의 내부에 매칭회로 등 전기적 특성이 중요한 패턴이 형성되지 않으므로, 전기적 특성은 좋으나 고가의 금속 패턴을 형성하여야 하는 LTCC 공정을 이용한 기판을 사용할 필요가 없다.
또한, SAW 듀플렉서의 소형화를 위해 상기 제1 세라믹 기판(111) 및 제2 세라믹 기판(115)의 두께의 합은 0.4mm 내지 0.5mm인 것이 바람직하다.
상기 제1 전극은 이후 하부에 형성되는 매칭회로부와 전기적으로 연결하기 위한 것으로 상기 매칭회로부의 상면에 형성된 대응하는 전극과 접촉하게 된다.
SAW 필터가 상기 제1 세라믹 기판(211) 상면의 제1 캐비티가 형성된 부분에 탑재되고 와이어 본딩에 의해 상기 제2 세라믹 기판(212)의 상면에 형성된 내부전극과 연결된다. 또한, 상기 내부전극은 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 내부 전극과 제1 전극과의 전기적 연결은 그 연결거리를 최소화할 수 있도록 상기 제1 및 제2 세라믹 기판(211, 212)에 비아홀을 형성하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 리드(214)는 금속성 물질로 제3 세라믹 기판(213)의 상면에 설치되어 상기 제1 및 제2 캐비티를 밀봉한다. 이는 외란으로부터 상기 SAW 필터를 보호하는 역할을 한다.
다음으로, 도 2b를 참조하면, 상기 도 2a를 통해 설명된 SAW 필터 탑재부와는 별도로 PCB 기판을 복수개 적층하여 매칭회로부를 제작한다. 상기 매칭회로부는, 배면에 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 형성되고, 상면에 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴이 형성된 제1 PCB 기판(221)과, 상기 제1 PCB 기판(221) 상면에 적층되고, 상면에 내부 그라운드 패턴이 형성된 제2 PCB 기판(222) 및 상기 제2 PCB 기판(222) 상면에 적층되고, 상면에 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극이 형성된 제3 PCB 기판(223)을 포함하여 구성된다.
상기 제1 PCB 기판(221) 상면에 형성되는 매칭회로 패턴은 LTCC 공정에 의해 세라믹 기판 상에 형성되는 패턴보다 도금상태가 우수하므로 삽입손실 특성을 개선하여 고주파 신호의 손실을 줄일 수 있다. 또한 PBC 기판을 사용함으로써 추후 전력 증폭기 모듈, SAW 필터, RF 스위치 등 다른 RF 부품과 복합화하는데 용이한 잇점이 있다.
상기 도 2a 및 도 2b와 같이 제작된 SAW 필터 탑재부 및 매칭회로부는 일반적인 솔더 접합 방식으로 상기 제1 전극과 제2 전극이 접촉하도록 접합시키는 것이 바람직하다. 도 2c는 상기 SAW 필터 탑재부와 매칭회로부를 접합시켜 완성된 SAW 듀플렉서를 도시한 것이다.
이와 같이, 종래에는 전기적 특성이 좋은 금속을 패턴으로 사용하기 위해 LTCC 공정을 이용하여 제조된 세라믹 기판을 사용하였다. 종래에는 LTCC 공정을 사용하여 전기적 특성이 좋은 금속 패턴을 이용하여 매칭회로를 구성함으로써 SAW 듀플렉서의 특성이 개선되는 효과는 있으나, 복잡한 LTCC 공정 및 고가의 재료로 인해 제조 단가가 상승하는 문제가 있었다. 그러나 본 발명에서는 세라믹 기판이 사용되는 SAW 필터 탑재부에 단지 일부의 전극만 형성되고, 전기적인 특성이 중요한 매칭회로는 PCB 기판을 사용하여 구현되므로, 비용이 많이 소모되는 LTCC 공정을 이용할 필요가 없다. 따라서, 상기 SAW 필터 탑재부에 사용되는 세라믹 기판은 비용이 적게 소모되는 HTCC 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 이는 제품 원가를 절감하는 효과를 가져온다.
도 3은 앞서 설명한 와이어 본딩 방식으로 SAW 필터를 탑재하는 SAW 필터 탑재부와 연결되는 매칭회로부를 구성하고 있는 각 PCB 기판 패턴의 일례를 도시한 것이다. 도 3a는 상기 제3 PCB 기판의 상면에 형성된 패턴을 도시한 것으로, 이 패턴들은 상부에 접촉되는 상기 SAW 필터 탑재부 배면의 제1 전극과 접촉하게 된다. 도 3b는 상기 제2 PCB 기판의 상면에 형성된 내부 그라운드 패턴을 도시한 것이다. 도 3c는 상기 제1 PCB 기판의 상면에 형성된 매칭회로 패턴으로 미앤더(meander) 형상으로 형성된 일례를 도시하고 있다. 이와 같은 미앤더 형상 대신 도 5c에 도시된 나선형(spiral) 형상을 갖는 매칭회로 패턴을 사용할 수도 있다. 상기 나선형 형상의 매칭회로 패턴은 미앤더 형상이 매칭회로 패턴보다 패턴의 길이를 감소시켜 삽입손실을 감소시킬 수 있으므로, 상기 나선형 형상의 매칭회로 패턴을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 도 3d는 상기 제1 PCB 기판의 배면에 형성된 제3 전극의 패턴을 도시한 것으로 외부로부터 신호를 입력받고 SAW 듀플렉서를 통과한 신호를 출력하는 역할의 단자가 형성된다. 즉, 안테나로부터 수신된 고주파 신호는 안테나와 연결된 Antenna 단자로 입력되어 SAW 듀플렉서를 통과한 후 LNA와 연결된 RX 단자로 출력되며, 송신되는 고주파 신호는 PAM과 연결된 TX 단자로 입력되어 SAW 듀플렉서를 통과한 후 Antenna 단자로 출력된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태를 도시한 것으로, 앞서 도 2를 통해 설명된 실시형태는 SAW 필터 탑재부가 와이어 본딩 방식을 사용한 것인데 반해, 도 4에 도시된 실시형태는 플립 칩(flip chip) 본딩 방식을 사용한 것이다. 먼저, 도 4a는 본 발명의 다른 실시형태의 SAW 필터 탑재부를 도시한 것으로, 상기 SAW 필터 탑재부는, 상면에 플립 칩 본딩방식으로 상기 SAW 필터를 탑재하기 위한 내부전극이 형성되고, 배면에 상기 매칭회로부와 접촉하는 제1 전극이 형성된 제4 세라믹 기판(311)을 포함하여 구성된다.
상기 제4 세라믹 기판(311)은 HTCC 공정을 통해 제조된 세라믹 기판임이 바람직하다. SAW 필터(300)는 플립 칩 본딩 방식으로 상기 내부전극과 범프를 통해 전기적 연결되도록 상기 제4 세라믹 기판(311) 상면에 탑재된다. 상기 내부전극은 상기 제4 세라믹 기판(311)에 형성되는 비아홀을 통해 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 SAW 필터가 플립 칩 본딩 방식으로 제4 세라믹 기판(311)에 탑재된 후 상기 SAW 필터의 상면과 측면 및 상기 제4 세라믹 기판의 상면에 금속 재질의 보호막(312)이 형성된다. 상기 보호막(312)은 금(Au)인 것이 가장 바람직하며, 이 보호막(312)은 하부에 형성되는 매칭회로부 내의 내부 그라운드 패턴과 연결되어 전기적으로 그라운드의 역할을 함으로써 외부의 전기장 또는 자기장 등으로부터 상기 SAW 필터를 보호하는 역할을 한다.
다음으로, 도 4b를 참조하면, 앞서 설명된 도 2b와 마찬가지로, 상기 도 4a를 통해 설명된 SAW 필터 탑재부와는 별도로 PCB 기판을 복수개 적층하여 매칭회로부를 제작한다. 상기 매칭회로부는, 배면에 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 형성되고, 상면에 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴이 형성된 제1 PCB 기판(321)과, 상기 제1 PCB 기판(321) 상면에 적층되고, 상면에 내부 그라운드 패턴이 형성된 제2 PCB 기판(322) 및 상기 제2 PCB 기판(322) 상면에 적층되고, 상면에 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극이 형성된 제3 PCB 기판(323)을 포함하여 구성된다.
상기 제1 PCB 기판(321) 상면에 형성되는 매칭회로 패턴은 LTCC 공정에 의해 세라믹 기판 상에 형성되는 패턴보다 도금상태가 우수하므로 삽입손실 특성을 개선하여 고주파 신호의 손실을 줄일 수 있다. 또한 PBC 기판을 사용함으로써 추후 전력 증폭기 모듈, SAW 필터, RF 스위치 등 다른 RF 부품과 복합화 하는데 용이한 잇점이 있다.
상기 도 4a 및 도 4b와 같이 제작된 SAW 필터 탑재부 및 매칭회로부는 일반적인 솔더 접합 방식으로 상기 제1 전극과 제2 전극이 접촉하도록 접합시키는 것이 바람직하다. 도 4c는 상기 SAW 필터 탑재부와 매칭회로부를 접합시켜 완성된 SAW 듀플렉서를 도시한 것이다.
도 5는 앞서 설명한 플립 칩 본딩 방식으로 SAW 필터를 탑재하는 SAW 필터 탑재부와 연결되는 매칭회로부를 구성하고 있는 각 PCB 기판 패턴의 일례를 도시한 것이다. 도 5a는 상기 제3 PCB 기판의 상면에 형성된 패턴을 도시한 것으로, 이 패턴들은 상부에 접촉되는 상기 SAW 필터 탑재부 배면의 제1 전극과 접촉하게 된다. 도 5b는 상기 제2 PCB 기판의 상면에 형성된 내부 그라운드 패턴을 도시한 것이다. 도 5c는 상기 제1 PCB 기판의 상면에 형성된 매칭회로 패턴으로 나선형(spiral) 형상으로 형성된 패턴의 일례를 도시하고 있다. 이와 같은 나선형 형상 대신 도 3c에 도시된 미앤더(meander) 형상을 갖는 매칭회로 패턴을 사용할 수도 있으나, 상기 나선형 형상의 매칭회로 패턴은 미앤더 형상이 매칭회로 패턴보다 패턴의 길이를 감소시켜 삽입손실을 감소시킬 수 있으므로, 상기 나선형 형상의 매칭회로 패턴을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 도 5d는 상기 제1 PCB 기판의 배면에 형성된 제3 전극의 패턴을 도시한 것으로 외부로부터 신호를 입력받고 SAW 듀플렉서를 통과한 신호를 출력하는 역할의 단자가 형성된다. 즉, 안테나로부터 수신된 고주파 신호는 안테나와 연결된 Antenna 단자로 입력되어 SAW 듀플렉서를 통과한 후 LNA와 연결된 RX 단자로 출력되며, 송신되는 고주파 신호는 PAM과 연결된 TX 단자로 입력되어 SAW 듀플렉서를 통과한 후 Antenna 단자로 출력된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 SAW 듀플렉서는 매칭회로를 세라믹 기판에 형성하지 않음으로써, 전기적 특성은 좋으나 비용이 많이 소모되는 LTCC 공정을 사용하지 않기 때문에 제품의 원가를 절감할 수 있다. 또한, 매칭회로를 도금 상태가 좋은 PCB 기판을 사용하여 구현하기 때문에 삽입손실이 감소됨으로써 제품의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, SAW 필터가 탑재되는 탑재부와, 매칭회로가 형성되는 매칭회로부를 각각 따로 제조함으로써 각각의 불량여부를 미리 파악할 수 있어, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
상술한 본 발명에 따르면, 매칭회로를 세라믹 기판에 형성하지 않음으로써, 전기적 특성은 좋으나 비용이 많이 소모되는 LTCC 공정을 사용하지 않기 때문에 제품의 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한 본 발명에 따르면, SAW 듀플렉서에 사용되는 매칭회로를 도금 상태가 좋은 PCB 기판을 사용하여 구현하기 때문에 삽입손실이 감소됨으로써 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 나아가, SAW 듀플렉서에서 SAW 필터가 탑재되는 탑재부와, 매칭회로가 형성되는 매칭회로부를 각각 따로 제조함으로써 각각의 불량여부를 미리 파악할 수 있어, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 LTCC 공정을 이용하여 제조된 SAW 듀플렉서의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시형태에 따른 SAW 듀플렉서의 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 PCB 기판의 패턴을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 SAW 듀플렉서의 구조를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 PCB 기판의 패턴을 도시한 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100, 200, 300 : SAW 필터 211 : 제1 HTCC 기판
212 : 제2 HTCC 기판 213 : 제3 HTCC 기판
311 : 제4 HTCC 기판 221, 321 : 제1 PCB 기판
222, 322 : 제2 PCB 기판 223, 323 : 제3 PCB 기판

Claims (9)

  1. SAW 필터;
    상기 SAW 필터를 상면에 탑재하고, 배면에 상기 SAW 필터와 전기적으로 연결된 제1 전극이 형성된 SAW 필터 탑재부; 및
    상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극, 그라운드 패턴, 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴 및 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 각각 형성된 복수개의 PCB 기판이 적층된 매칭회로부를 포함하는 SAW 듀플렉서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 SAW 필터 탑재부와 상기 매칭회로부는 솔더 접합 방식으로 접합됨을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 SAW 필터 탑재부는,
    고온 동시 소성 세라믹(HTCC)로 이루어짐을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 SAW 필터 탑재부는,
    배면에 상기 제1 전극이 형성된 제1 HTCC 기판;
    상기 제1 HTCC 기판 상면에 적층되고, 중심부에 제1 캐비티가 형성되며, 상기 제1 캐비티가 형성되지 않은 상면에 상기 SAW 필터와 전기적 연결을 위한 내부전극이 마련되는 제2 HTCC 기판;
    상기 제2 HTCC 기판 상면에 적층되고, 상기 제1 캐비티의 면적보다 넓은 제2 캐비티가 중심부에 형성된 제3 HTCC 기판; 및
    상기 제3 HTCC 기판 상면에 형성되고, 상기 제1 캐비티 및 제2 캐비티를 밀봉하는 리드를 포함하며, 상기 SAW 필터는 상기 제1 HTCC 기판 상면에 상기 제1 캐비티가 형성된 위치에 탑재되고, 상기 SAW 필터는 상기 내부전극과 와이어 본딩 방식으로 연결되고, 상기 내부전극은 상기 제1 전극과 비아홀을 통해 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 HTCC 기판 및 제2 HTCC 기판의 두께의 합은 0.4mm 내지 0.5mm임을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 SAW 필터 탑재부는,
    상면에 플립 칩 본딩방식으로 상기 SAW 필터를 탑재하기 위한 내부전극이 형성되고, 배면에 상기 매칭회로부와 접촉하는 상기 제1 전극이 형성된 제4 HTCC 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제4 HTCC 기판의 두께는,
    0.2mm 내지 0.35mm임을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 매칭회로부는,
    배면에 외부와의 전기적 연결을 위한 제3 전극이 형성되고, 상면에 상기 SAW 필터에 대한 매칭회로 패턴이 형성된 제1 PCB 기판;
    상기 제1 PCB 기판 상면에 적층되고, 상면에 내부 그라운드 패턴이 형성된 제2 PCB 기판; 및
    상기 제2 PCB 기판 상면에 적층되고, 상면에 상기 제1 전극과 접촉하는 제2 전극이 형성된 제3 PCB 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 매칭회로는 나선형(spiral) 패턴으로 구현된 인덕터임을 특징으로 하는 SAW 듀플렉서.
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