KR20050029826A - Fpd and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 화소전극과 광차단막을 형성하여 공정을 단순화하고, 콘트라스트를 개선시킨 전면발광형 유기전계 발광표시장치 및 그의 형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to form a pixel electrode and a light blocking film using a method of modifying a transparency of a transparent conductive film, thereby simplifying a process and improving contrast, and a light emitting organic light emitting display device having improved contrast. It relates to a formation method.
도 1a는 통상적인 액티브 매트릭스 유기전계 발광표시장치(AMOLED)의 평면구조를 도시한 것으로서, R, G, B 단위화소로 구성된 하나의 화소에 한정하여 도시한 것이다. FIG. 1A illustrates a planar structure of a conventional active matrix organic light emitting display device (AMOLED), which is limited to one pixel composed of R, G, and B unit pixels.
도 1을 참조하면, 종래의 AMOLED는 서로 절연되어 일방향으로 배열된 다수의 게이트라인(110)과, 서로 절연되어 상기 게이트라인(110)과 교차하는 방향으로 배열된 다수의 데이터라인(120)과, 서로 절연되어 상기 게이트라인(110)과 교차하고 상기 데이터 라인에 평행하게 배열된 공통전원라인(130)과, 상기 게이트라인(110) 및 데이터라인(120)과 공통전원라인(130)에 의해 형성되는 복수개의 화소영역(140)과, 각각 화소영역(140)마다 배열되어 개구부(155)를 구비한 복수개의 화소전극(150)을 구비한다. Referring to FIG. 1, a conventional AMOLED includes a plurality of gate lines 110 insulated from each other and arranged in one direction, and a plurality of data lines 120 insulated from each other and arranged in a direction crossing the gate lines 110. By the common power line 130 insulated from each other and intersecting the gate line 110 and arranged in parallel to the data line, the gate line 110 and the data line 120 and the common power line 130 by A plurality of pixel regions 140 are formed, and a plurality of pixel electrodes 150 arranged in each pixel region 140 and having an opening 155 are provided.
도면상에는 도시되지 않았으나, 각 화소영역(140)에는 R, G, B 단위화소가 배열되며, 각 단위화소는 트랜지스터, 캐패시터 및 상기 화소전극(150)을 구비한 EL소자를 구비한다. Although not shown in the drawing, each pixel region 140 includes R, G, and B unit pixels, and each unit pixel includes an EL element including a transistor, a capacitor, and the pixel electrode 150.
도 1b는 도 1의 유기전계 발광표시장치의 단면구조로서, 하나의 화소를 구성하는 박막 트랜지스터와 EL소자에 한정하여 도시한 것이다.FIG. 1B is a cross-sectional structure of the organic light emitting display device of FIG. 1 and is limited to a thin film transistor and an EL element constituting one pixel.
도 1b를 참조하면, 절연기판(100)상에 버퍼층(101)이 형성되고, 상기 버퍼층(101)상에 소오스/드레인영역(103), (105)을 구비하는 반도체층(107)이 형성되며, 게이트절연막(111)상에는 게이트(115)가 형성된다. 층간 절연막(117)상에는 상기 소오스/드레인 영역(103), (105)과 연결되는 소오스/드레인전극(121), (125)이 형성되고, 보호막(130)상에는 비어홀(160)을 통해 상기 소오스/드레인전극(121), (125)중 하나, 예를 들어 드레인전극(125)에 연결되는 화소전극인 애노드전극(150)이 형성된다.Referring to FIG. 1B, a buffer layer 101 is formed on an insulating substrate 100, and a semiconductor layer 107 including source / drain regions 103 and 105 is formed on the buffer layer 101. The gate 115 is formed on the gate insulating film 111. Source / drain electrodes 121 and 125 connected to the source / drain regions 103 and 105 are formed on the interlayer insulating layer 117, and the source / drain electrodes 160 and 125 are formed on the passivation layer 130 through the via hole 160. One of the drain electrodes 121 and 125, for example, an anode electrode 150, which is a pixel electrode connected to the drain electrode 125, is formed.
상기 애노드전극(150)은 반사막(151)과 투명도전막(153)의 다층구조로 이루어지고, 상기 애노드전극(150)의 일부분을 노출시키는 개구부(155)를 구비하는 화소정의막(131)이 형성되며, 상기 개구부(155)내의 애노드전극(150)상에 유기박막층(133)이 형성되고, 기판전면에 캐소드전극(135)이 형성된다.The anode electrode 150 has a multilayer structure of a reflective film 151 and a transparent conductive film 153, and a pixel definition film 131 having an opening 155 exposing a portion of the anode electrode 150 is formed. The organic thin film layer 133 is formed on the anode electrode 150 in the opening 155, and the cathode electrode 135 is formed on the entire surface of the substrate.
상기한 바와같은 구조를 갖는 종래의 유기전계 발광표시장치는 폴리실리콘막 TFT를 채용하고 있으며, 트랜지스터, 캐패시터 및 배선 등의 금속물질에 의해 외부광이 반사되어 EL 소자가 발광할 때 콘트라스트를 저하시키는 문제점이 있었다. 특히, 외부광에 대해 노출이 심한 모바일용 표시장치의 경우에는 외부광의 높은 반사율에 의한 콘트라스트 저하가 심각한 문제로 대두되고 있다. The conventional organic light emitting display device having the structure as described above employs a polysilicon film TFT, and reflects external light by metal materials such as transistors, capacitors, and wirings to reduce contrast when the EL element emits light. There was a problem. In particular, in the case of a mobile display device in which exposure to external light is severe, a decrease in contrast due to high reflectance of external light is a serious problem.
이러한 외부광의 반사에 의한 콘트라스트 저하를 방지하기 위하여, 종래에는 표시장치의 전면에 고가의 편광판을 부착하였으나, 이는 고가의 편광판 사용에 따른 제조 원가의 상승을 초래할 뿐만 아니라 편광판 자체가 유기 전계발광층으로부터 방출되는 빛도 차단하기 때문에 투과도를 저하시켜 휘도를 저하시키는 문제점이 있었다. In order to prevent the lowering of the contrast caused by the reflection of external light, an expensive polarizer is conventionally attached to the front of the display device, but this not only increases the manufacturing cost due to the use of the expensive polarizer but also the polarizer itself emits from the organic electroluminescent layer. Since the light is also blocked, there is a problem of lowering the transmittance and lowering the luminance.
또한, Cr/CrOx, 또는 유기막 등으로 된 블랙매트릭스를 TFT와 캐패시터가 형성되는 영역에 별도로 형성하는 방법이 있었는데, 이러한 방법은 블랙매트릭스를 형성하기 위해 별도의 마스크공정이 요구되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.In addition, there was a method of separately forming a black matrix made of Cr / CrOx or an organic film in a region in which TFTs and capacitors are formed. This method requires a separate mask process to form a black matrix, which makes the process complicated. There was a problem.
한편, AMOLED에서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 블랙매트릭스를 형성하는 방법이 국내특허 제2000-0005436호와 제2001-0075075호에 개시되었다. On the other hand, in AMOLED, a method of forming a black matrix using a method of modifying the transparency of a transparent conductive film has been disclosed in Korean Patent Nos. 2000-0005436 and 2001-0075075.
따라서, 본 발명은 상기한 바와같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 외부광의 반사율을 최소화하여 콘트라스트를 개선할 수 있는 전면발광형 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and to provide a top emission type organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can improve contrast by minimizing reflectance of external light. have.
본 발명의 다른 목적은 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 추가공정없이 광차단막을 형성하여 외부광의 반사를 차단시켜 줄 수 있는 전면발광형 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a top emission type organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can block reflection of external light by forming a light shielding film without further processing by using a method of modifying the transparency of a transparent conductive film.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화소영역 및 배선층이 형성된 비화소영역을 구비하는 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성된 제1절연막과; 상기 화소영역 및 비화소영역에 대응하는 상기 절연막상에 각각 형성된 화소전극 및 광차단막을 포함하며, 상기 광차단막은 상기 화소전극과 전기적으로 분리되어 기판전면에 형성되는 유기전계 발광표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an insulating substrate including a pixel region and a non-pixel region in which wiring layers are formed; A first insulating film formed on the insulating substrate; A pixel electrode and a light blocking film are formed on the insulating layer corresponding to the pixel area and the non-pixel area, respectively, and the light blocking film is electrically separated from the pixel electrode and is formed on the entire surface of the substrate. It is characterized by.
상기 광차단막은 상기 비화소영역에 형성된 반사막과 상기 반사막상에 형성된 투명도전막에 불순물이 도핑되어 투과도가 변형된 도전막의 적층막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 상기 화소영역에 형성된 반사막과 상기 반사막상에 형성된 투명도전막의 적층막으로 구성된다.The light blocking film is formed of a laminated film of a reflective film formed in the non-pixel region and a conductive film of which a transmittance is modified by doping impurities into a transparent conductive film formed on the reflective film, and the pixel electrode is formed on the reflective film and the reflective film formed in the pixel region. It consists of a laminated film of the transparent conductive film formed in the.
상기 광차단막은 투명도전막에 불순물이 도핑되어 투과도가 변형된 도전막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어지며, 상기 유기전계 발광표시장치는 상기 절연기판의 비화소영역에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 제1절연막상에 형성된 제2절연막과; 상기 제1절연막과 제2절연막에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 상기 화소전극과 연결시켜 주기위한 비어홀과; 상기 제1 및 제2절연막사이에 상기 비어홀과 분리되도록 형성된 반사전극을 더 포함한다. The light blocking layer is formed of a conductive film that is doped with impurities in a transparent conductive film, and the pixel electrode is formed of a transparent conductive film. The organic light emitting display device includes a thin film transistor formed in a non-pixel region of the insulating substrate. ; A second insulating film formed on the first insulating film; A via hole formed in the first insulating layer and the second insulating layer to connect the thin film transistor and the pixel electrode; The semiconductor device may further include a reflective electrode formed to be separated from the via hole between the first and second insulating layers.
상기 제1 및 제2절연막은 보호막이고, 상기 반사전극은 상기 비어홀보다 콘 폭을 갖는, 상기 비어홀과의 분리를 위한 분리패턴을 더 구비한다. 상기 배선층은 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극, 캐패시터전극 및 신호라인을 포함하며, 상기 배선층은 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극물질과 반사율이 우수한 도전막으로 이루어진다.The first and second insulating layers may be passivation layers, and the reflective electrode may further include a separation pattern for separation from the via hole, which has a cone width than that of the via hole. The wiring layer includes a source / drain electrode, a capacitor electrode, and a signal line of the thin film transistor, and the wiring layer includes a source / drain electrode material of the thin film transistor and a conductive film having excellent reflectance.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 비화소영역과 화소영역을 구비한 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성된 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성된 광차단막과; 상기 광차단막상에 형성된 제2절연막과; 제2절연막의 화소영역상에 형성된 화소전극을 포함하며, 상기 화소전극은 상기 제1 및 제2절연막에 형성된 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되고, 상기 광차단막은 상기 화소전극과 전기적으로 분리시켜 주기위한 분리패턴을 구비하여 기판전면에 형성되는 유기전계 발광표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate including a non-pixel region and a pixel region including a thin film transistor; A first insulating film formed on the insulating substrate; A light blocking film formed on the first insulating film; A second insulating film formed on the light blocking film; A pixel electrode formed on the pixel region of the second insulating layer, wherein the pixel electrode is connected to the thin film transistor through via holes formed in the first and second insulating layers, and the light blocking layer is electrically separated from the pixel electrode. An organic light emitting display device is provided on a front surface of a substrate by providing a separation pattern for giving.
상기 광차단막은 반사막과 상기 반사막상에 형성된 투명도전막에 불순물이 도핑되어 투과도가 변형된 도전막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어진다.The light blocking film is formed of a reflective film and a conductive film of which a transmittance is modified by doping impurities into a transparent conductive film formed on the reflective film, and the pixel electrode is formed of a transparent conductive film.
또한, 본 발명은 비화소영역과 화소영역을 구비하는 절연기판과; 상기 절연기판의 비화소영역상에 형성된 배선층과; 상기 절연기판의 화소영역상에 상기 배선층과 분리되어 형성된 광차단층과; 상기 절연막의 화소영역상에 형성된 화소전극을 포함하며, 상기 화소전극은 상기 절연막에 형성된 비어홀을 통해 상기 배선층에 연결되고, 상기 광차단막은 상기 배선층과 동일물질로 형성되는 유기전계 발광표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate comprising a non-pixel region and a pixel region; A wiring layer formed on the non-pixel region of the insulating substrate; A light blocking layer formed separately from the wiring layer on the pixel region of the insulating substrate; And a pixel electrode formed on the pixel region of the insulating layer, wherein the pixel electrode is connected to the wiring layer through a via hole formed in the insulating layer, and the light blocking layer is formed of the same material as the wiring layer. Characterized in that.
상기 배선층은 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극, 캐패시터전극 및 신호라인을 포함하고, 상기 광차단층과 배선층은 반사막과 상기 반사막상에 형성된 투명도전막에 불순물이 도핑되어 투과도가 변형된 도전막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어진다.The wiring layer includes a source / drain electrode, a capacitor electrode, and a signal line of the thin film transistor, wherein the light blocking layer and the wiring layer are made of a conductive film that is doped with impurities by doping impurities into a reflective film and a transparent conductive film formed on the reflective film, The pixel electrode is made of a transparent conductive film.
또한, 본 발명은 화소영역 및 비화소영역을 구비하는 절연기판을 제공하는 단계와; 상기 반사막과 투명도전막을 순차 형성하는 단계와; 상기 투명도전막과 반사막을 식각하여 화소영역에 화소전극을 형성하고, 비화소영역에 투명도전막패턴을 남겨두는 단계와; 불순물 이온주입에 의해 상기 투명두전막패턴의 투과도를 변형시켜 광차단막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광차단막은 상기 화소전극과 전기적으로 분리되어 기판전면에 형성되는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate having a pixel region and a non-pixel region; Sequentially forming the reflective film and the transparent conductive film; Etching the transparent conductive film and the reflective film to form a pixel electrode in a pixel area, and leaving a transparent conductive film pattern in a non-pixel area; A method of manufacturing an organic light emitting display device includes forming a light blocking film by modifying the transmittance of the transparent conductive film pattern by implanting impurity ions, wherein the light blocking film is electrically separated from the pixel electrode. It characterized in that to provide.
또한, 본 발명은 화소영역과 박막 트랜지스터를 구비하는 비화소영역을 구비한 절연기판을 제공하는 단계와; 상기 절연기판상에 분리패턴을 구비한 반사막을 전면 형성하는 단계와; 상기 반사막의 분리패턴내에 비어홀을 구비하는 절연막을 형성하는 단계와; 투명도전막을 상기 절연막상에 형성하는 단계와; 상기 투명도전막을 패터닝하여, 상기 절연막중 화소영역에 상기 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극을 형성하고, 비화소영역에 투명도전막패턴을 남겨두는 단계와; 불순물이온주입에 의해 상기 투명도전막패턴의 투과도를 변형시켜 광차단막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소전극은 상기 광차단막과 전기적으로 분리되어 형성되고, 상기 반사막과 분리패턴에 의해 전기적으로 서로 분리되는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate having a pixel region and a non-pixel region including a thin film transistor; Forming a reflective film on the insulating substrate in front of the reflective film; Forming an insulating film having a via hole in the isolation pattern of the reflective film; Forming a transparent conductive film on the insulating film; Patterning the transparent conductive film to form a pixel electrode connected to the thin film transistor through the via hole in a pixel area of the insulating film, and leaving a transparent conductive film pattern in a non-pixel area; Forming a light blocking film by modifying the transmittance of the transparent conductive film pattern by implanting impurity ions, wherein the pixel electrode is formed to be electrically separated from the light blocking film, and electrically separated from each other by the reflective film and the separation pattern. A method of manufacturing an organic light emitting display device is provided.
상기 화소전극의 패터닝공정과 광차단막을 위한 불순물이온주입공정은 하프톤 마스크를 이용하여 한번의 마스크공정을 통해 수행된다.The pixel electrode patterning process and the impurity ion implantation process for the light blocking film are performed through one mask process using a halftone mask.
또한, 본 발명은 화소영역과 박막 트랜지스터를 구비하는 비화소영역을 구비한 절연기판을 제공하는 단계와; 상기 절연기판상에 분리패턴을 구비한 광차단막을 전면 형성하는 단계와; 상기 광차단막의 분리패턴내에 비어홀을 구비하는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막중 화소영역에 상기 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소전극은 상기 광차단막과 분리패턴에 의해 전기적으로 서로 분리되고, 상기 광차단막은 반사막과 투명도전막에 불순물이 이온주입되어 투과도가 변화된 도전막으로 이루어지는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate having a pixel region and a non-pixel region including a thin film transistor; Forming a light blocking film having a separation pattern on the insulating substrate; Forming an insulating film having a via hole in the isolation pattern of the light blocking film; Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor through the via hole in the pixel region of the insulating layer, wherein the pixel electrode is electrically separated from each other by the light blocking film and the separation pattern, and the light blocking film is formed by a reflective film. A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a conductive film in which impurities are ion-implanted into a transparent conductive film to change its transmittance is provided.
또한, 본 발명은 화소영역과 비화소영역을 구비한 절연기판을 제공하는 단계와; 상기 절연기판상에 반사막 및 투명도전막을 순차 증착하는 단계와; 상기 투명도전막으로 불순물을 이온주입하여 투과도가 변형된 도전막을 형성하는 단계와; 상기 반사막 및 도전막을 식각하여 비화소영역에 광차단기능을 하는 배선층를 형성함과 동시에 화소영역에 반사막패턴을 구비한 광차단패턴을 형성하는 단계와; 기판전면에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막중 화소영역에, 상기 배선층에 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate having a pixel region and a non-pixel region; Sequentially depositing a reflective film and a transparent conductive film on the insulating substrate; Implanting impurities into the transparent conductive film to form a conductive film having a modified permeability; Etching the reflective film and the conductive film to form a wiring layer having a light blocking function in a non-pixel region, and simultaneously forming a light blocking pattern having a reflective film pattern in a pixel region; Forming an insulating film on the front surface of the substrate; A method of manufacturing an organic light emitting display device, the method comprising forming a pixel electrode connected to the wiring layer in a pixel region of the insulating layer.
상기 배선층은 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극, 캐패시터전극 및 신호라인을 포함하며, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어지고, 상기 배선층과 광차단패턴은 반사막패턴하부에 형성된 전극물질패턴을 더 포함한다.The wiring layer includes a source / drain electrode, a capacitor electrode, and a signal line of the thin film transistor, the pixel electrode is formed of a transparent conductive film, and the wiring layer and the light blocking pattern further include an electrode material pattern formed under the reflective film pattern.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적 평면구조를 도시한 것으로서, R, G, B 단위화소에 국한시켜 도시한 것이다. 도 2b는 도 2a 의 R, G, B 단위화소중 하나에 단위화소에 대한 평면구조를 도시한 것이다.FIG. 2A illustrates a schematic planar structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and is limited to R, G, and B pixel units. FIG. 2B illustrates a planar structure of unit pixels in one of the R, G, and B unit pixels of FIG. 2A.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 AMOLED는 서로 절연되어 일방향으로 배열된 다수의 게이트라인(210)과, 서로 절연되어 상기 게이트라인(210)과 교차하는 방향으로 배열된 다수의 데이터라인(220)과, 서로 절연되어 상기 게이트 라인(210)과 교차하고 상기 데이터라인(220)과 평행하게 배열되는 공통전원라인(230)과, 복수개의 화소영역(240)을 구비한다. Referring to FIG. 2A, a plurality of AMOLEDs according to an embodiment of the present invention are insulated from each other and arranged in one direction, and a plurality of AMOLEDs are arranged in a direction intersecting the gate lines 210 with each other. And a data line 220, a common power line 230 insulated from each other, intersecting with the gate line 210, and arranged in parallel with the data line 220, and a plurality of pixel regions 240.
여기서, 화소영역(240)이라 함은 상기 게이트라인(210) 및 데이터라인(220)과 공통전원라인(230)에 의해 형성되는 영역중 화소전극이 형성될 영역에 한정된다. 그러므로, 상기 게이트라인(210) 및 데이터라인(220)과 공통전원라인(230)에 의해 형성되는 영역중 화소영역이 형성될 부분을 제외한 전영역을 비화소영역이라 한정한다. 즉, 비화소영역은 박막 트랜지스터 및 캐패시터가 형성될 부분과 상기 게이트라인(210) 및 데이터라인(220)과 공통전원라인(230)이 형성될 영역을 모두 포함한다.The pixel region 240 is limited to a region in which the pixel electrode is to be formed among the regions formed by the gate line 210, the data line 220, and the common power supply line 230. Therefore, the entire region except the portion where the pixel region is to be formed among the regions formed by the gate line 210, the data line 220, and the common power supply line 230 is defined as a non-pixel region. That is, the non-pixel region includes both the portion where the thin film transistor and the capacitor are to be formed and the region where the gate line 210 and the data line 220 and the common power supply line 230 are to be formed.
또한, 유기전계 발광표시장치는 각각 화소영역(240)마다 형성되어 개구부(255)를 구비한 복수개의 화소전극(250)과, 상기 화소전극(250)이 형성된 부분 즉, 화소영역(240)에 대응하는 부분을 제외한 기판전면에 형성된 광차단막(290)이 형성된다. 즉, 상기 광차단막(290)은 비화소영역에 형성되어 상기 화소영역에 형성된 상기 화소전극(250)과 전기적으로 서로 분리되어진다. 상기 광차단막(290)으로는 불순물이 도핑된 투명도전막이 사용되며, 투명도전막으로 ITO, IO, TO, IZO, 또는 ZnO 등이 사용되며, 상기 투명도전막에 도핑되는 불순물로는 H, P, B, As, Ar 등이 사용된다.In addition, the organic light emitting display device is formed in each pixel region 240 and includes a plurality of pixel electrodes 250 having an opening 255 and a portion in which the pixel electrodes 250 are formed, that is, in the pixel region 240. The light blocking film 290 formed on the front surface of the substrate except for the corresponding portion is formed. That is, the light blocking layer 290 is formed in the non-pixel region and is electrically separated from the pixel electrode 250 formed in the pixel region. A transparent conductive film doped with an impurity is used as the light blocking layer 290, and ITO, IO, TO, IZO, or ZnO is used as the transparent conductive film, and H, P, and B are used as the impurity doped in the transparent conductive film. , As, Ar and the like are used.
각 화소영역(240)에 배열된 화소는 도 2b에 도시된 바와같이, 반도체층(161), 게이트(263) 및 소오스/드레인전극(265), (267)을 구비하는 제1박막 트랜지스터(260)와, 상, 하부전극(273), (271)을 구비하는 캐패시터(270)와, 반도체층(281), 게이트전극(283) 및 소오스/드레인전극(285), (287)을 구비하는 제2박막 트랜지스터(280) 및 화소전극(250)을 구비하는 EL 소자를 포함한다. As illustrated in FIG. 2B, the pixel arranged in each pixel region 240 includes a first thin film transistor 260 including a semiconductor layer 161, a gate 263, and source / drain electrodes 265 and 267. ), A capacitor 270 having upper and lower electrodes 273, 271, a semiconductor layer 281, a gate electrode 283, and a source / drain electrode 285, 287. An EL element including the two thin film transistors 280 and the pixel electrode 250 is included.
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 도 2b의 제2박막 트랜지스터와 EL 소자에 한정하여 도시한 화소의 단면구조를 도시한 것이다.FIG. 2C illustrates a cross-sectional structure of the pixel shown in the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention limited to the second thin film transistor and the EL element of FIG. 2B.
도 2c를 참조하면, 절연기판(200)의 버퍼층(201)상에 소오스/드레인 영역(282), (284)를 구비하는 반도체층(281)이 형성되고, 게이트 절연막(286)상에 게이트(283)가 형성되며, 층간 절연막(288)상에 상기 소오스/드레인 영역(282), (284)과 연결되는 소오스/드레인전극(285), (287)이 형성된다.Referring to FIG. 2C, a semiconductor layer 281 including source / drain regions 282 and 284 is formed on the buffer layer 201 of the insulating substrate 200, and a gate (or gate) is formed on the gate insulating layer 286. 283 is formed, and source / drain electrodes 285 and 287 connected to the source / drain regions 282 and 284 are formed on the interlayer insulating layer 288.
보호막(289)상에 상기 소오스/드레인 전극(285), (287)중 드레인전극(287)에 비어홀(257)을 통해 연결되는 화소전극(250)과, 상기 화소전극(250)과 분리된 광차단막(290)이 형성된다. 상기 화소전극(250)의 일부분을 노출시키는 개구부(255)를 구비하는 화소정의막(259)이 형성되고, 개구부(255)내의 화소전극(250)상에 유기발광층(295)이 형성되며, 기판전면에 캐소드전극(297)이 형성된 구조를 갖는다.The pixel electrode 250 connected to the drain electrode 287 of the source / drain electrodes 285 and 287 on the passivation layer 289 through the via hole 257, and the light separated from the pixel electrode 250. The blocking film 290 is formed. A pixel definition layer 259 having an opening 255 exposing a portion of the pixel electrode 250 is formed, and an organic light emitting layer 295 is formed on the pixel electrode 250 in the opening 255. The cathode electrode 297 is formed on the front surface.
상기 화소전극(250)과 광차단막(290)은 동일층상에 형성되는데, 즉, 상기 화소전극(250)은 화소영역의 보호막(289)상에 형성되어 반사막(251)과 투명도전막(253)으로 이루어지고, 광차단막(290)은 비화소영역의 보호막(289)상에 형성되어 반사막(251)과 투명도전막에 불순물이 도핑되어 투과도가 변형된 도전막(254)의 적층구조를 갖는다.The pixel electrode 250 and the light blocking film 290 are formed on the same layer, that is, the pixel electrode 250 is formed on the passivation film 289 of the pixel region to form the reflective film 251 and the transparent conductive film 253. The light blocking film 290 is formed on the passivation film 289 in the non-pixel region, and has a lamination structure of a conductive film 254 in which transmittance is modified by doping impurities into the reflective film 251 and the transparent conductive film.
도 3a 내지 도 3c는 도 2c에 도시된 전면발광형 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 화소전극과 광차단막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 박막 트랜지스터 형성공정까지는 통상적인 방법과 동일하게 진행되므로, 여기서는 비어홀이 형성된 보호막상에 화소전극과 광차단막을 형성하는 공정에 국한시켜 설명한다.3A to 3C are diagrams for describing a method of forming a pixel electrode and a light blocking film by using a method of modifying transmittance of a transparent conductive film in the top emission type organic light emitting display device illustrated in FIG. 2C. Since the thin film transistor forming process proceeds in the same manner as in the conventional method, the description will be limited to the process of forming the pixel electrode and the light blocking film on the protective film having the via hole.
도 3a를 참조하면, 절연기판(300)상에 통상적인 공정을 진행하여 하부막(도면상에는 도시되지 않음)을 형성한 다음, 기판전면에 보호막(310)을 형성한다. 보호막(310)상에 적층구조의 애노드전극물질층(320), (330)을 순차 형성한다. 상기 하부 애노드전극 물질층(320)은 반사율이 우수한 도전물질, 예를 들어 Al, Al합금, Ag, Ag 합금 등을 사용한다. 상부 애노드전극물질층(330)은 투명도전막, 예를 들어 ITO, IO, TO, IZO, 또는 ZnO 등을 사용한다.Referring to FIG. 3A, a conventional process is performed on the insulating substrate 300 to form a lower layer (not shown), and then a protective layer 310 is formed on the entire surface of the substrate. The anode electrode material layers 320 and 330 having a stacked structure are sequentially formed on the passivation layer 310. The lower anode electrode material layer 320 uses a conductive material having excellent reflectance, for example, Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, or the like. The upper anode electrode material layer 330 uses a transparent conductive film, for example, ITO, IO, TO, IZO, or ZnO.
상부 애노드전극물질층(330)상에 감광막을 도포한다. 상기 화소영역(301)에 대응하는 광차단패턴(371)과, 비화소영역(303)에 대응하는 반투과패턴(373)과, 상기 광차단패턴(371)과 반투과패턴(373)사이에 투과패턴(375)을 구비하는 하프톤 마스크(370)를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하면, 화소영역(301)에 형성된 감광막패턴(361)과, 상기 비화소영역(303)에 상기 감광막패턴(361)과 떨어져 형성되고 상기 감광막패턴(361)보다 두께가 얇은 감광막패턴(363)을 형성한다.A photosensitive film is coated on the upper anode electrode material layer 330. Between the light blocking pattern 371 corresponding to the pixel region 301, the transflective pattern 373 corresponding to the non-pixel region 303, and the light blocking pattern 371 and the transflective pattern 373. When the photoresist is patterned using a halftone mask 370 having a transmission pattern 375, the photoresist pattern 361 formed in the pixel region 301 and the photoresist pattern 361 may be formed in the non-pixel region 303. And a photoresist pattern 363 thinner than the photoresist pattern 361 is formed.
도 3b를 참조하면, 상기 감광막패턴(361), (363)을 이용하여 상기 애노드전극물질층(320), (330)을 패터닝하여 화소영역(301)에 반사막(321)과 투명도전막(331)의 적층막으로 이루어진 화소전극, 즉 애노드전극(340)을 형성한다. 이때, 화소영역(301)에는 감광막 패턴(361)이 남아있게 되고, 비화소영역(303)에는 감광막 패턴(363)은 제거되어 반사막(323)과 투명도전막(333)이 남아있게 된다.Referring to FIG. 3B, the anode electrode material layers 320 and 330 are patterned using the photoresist patterns 361 and 363 to reflect the reflective film 321 and the transparent conductive film 331 in the pixel region 301. A pixel electrode, that is, an anode electrode 340, formed of a stacked film of is formed. At this time, the photoresist pattern 361 remains in the pixel region 301, and the photoresist pattern 363 is removed in the non-pixel region 303 so that the reflective film 323 and the transparent conductive film 333 remain.
이어서, 상기 감광막패턴(361)을 이온주입용 마스크로 이용하여 상기 비화소영역(303)의 투명도전막(333)으로 H, P, B, As, Ar 등과 같은 불순물을 이온주입한다. Subsequently, impurities such as H, P, B, As, Ar, and the like are implanted into the transparent conductive film 333 of the non-pixel region 303 using the photosensitive film pattern 361 as an ion implantation mask.
불순물 이온주입공정후 남아있는 감광막패턴(361)을 제거하면, 도 3c와 같이 비화소영역(303)에 투과도가 변형된 도전막(350)이 형성된다. 따라서, 비화소영역(303)에 형성된 투과도가 변형된 도전막은 광차단막으로 작용한다. 상기 광차단막(350)은 도전물질로서, 애노드전극(340)이 형성되는 화소영역(301)을 제외한 기판전면에 형성되어 화소전극(340)과 전기적으로 분리된다.When the photoresist layer pattern 361 remaining after the impurity ion implantation process is removed, a conductive film 350 having a modified transmittance is formed in the non-pixel region 303 as shown in FIG. 3C. Therefore, the conductive film whose transmittance is deformed in the non-pixel region 303 acts as a light blocking film. The light blocking film 350 is a conductive material and is formed on the entire surface of the substrate except for the pixel region 301 where the anode electrode 340 is formed, and is electrically separated from the pixel electrode 340.
상기한 바와같은 방법에 의하면, 화소전극(340)과 광차단막(350)을 투과도 변형방법을 이용하여 한번의 마스크공정을 통하여 동시에 형성하여 줌으로써, 마스크공정추가없이 광차단막을 형성하여 콘트라스트를 개선할 수 있다.According to the method described above, the pixel electrode 340 and the light blocking film 350 are simultaneously formed through one mask process using a method of modifying the transmittance, thereby forming a light blocking film without adding a mask process to improve contrast. Can be.
도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 도 2b의 제2박막 트랜지스터와 EL 소자에 한정하여 도시한 화소의 또 다른 단면구조를 도시한 것이다.FIG. 2D illustrates another cross-sectional structure of the pixel shown in the organic light emitting display according to the exemplary embodiment of the present invention limited to the second thin film transistor and the EL element of FIG. 2B.
도 2d에 도시된 유기전계 발광표시장치는 도 2c의 유기전계 발광표시장치와 거의 유사하며, 다만 화소전극(250)과 광차단막(290)이 단일층으로 구성되고, 반사전극패턴(252)상에 직접 광차단막과 화소전극이 형성되는 것이 아니라 상기 광차단막(290)과 화소전극(250)하부에 보호막(289a), (289b)사이에 반사전극(252)이 형성되는 것만이 다르다.The organic light emitting display device shown in FIG. 2D is almost similar to the organic light emitting display device of FIG. 2C, except that the pixel electrode 250 and the light blocking layer 290 are formed in a single layer, and the reflective electrode pattern 252 is disposed on the organic light emitting display device. The light blocking film and the pixel electrode are not directly formed on the substrate, but only the reflective electrode 252 is formed between the passivation layers 289a and 289b under the light blocking film 290 and the pixel electrode 250.
이때, 상기 광차단막(290)은 투명도전막에 불순물이 이온주입되어 투과도가 변형된 도전막으로 이루어지고, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어진다. 상기 반사전극(252)은 박막 트랜지스터의 드레인전극(287)과 화소전극(250)을 연결하기 위한 비어홀(257)의 폭보다 큰 폭을 갖는 분리패턴(252a)을 구비하여 기판전면에 형성된다. 상기 분리패턴(252a)은 콘택홀등과 같은 다양한 형태의 음각패턴으로 형성된다.In this case, the light blocking layer 290 is made of a conductive film in which impurities are ion-implanted into the transparent conductive film and the transmittance thereof is modified, and the pixel electrode is made of a transparent conductive film. The reflective electrode 252 has a separation pattern 252a having a width larger than that of the via hole 257 for connecting the drain electrode 287 and the pixel electrode 250 of the thin film transistor to be formed on the front surface of the substrate. The separation pattern 252a is formed of various intaglio patterns such as contact holes.
도 4a 내지 도 4c는 도 2d에 도시된 전면발광형 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 화소전극과 광차단막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 박막 트랜지스터 형성공정까지는 통상적인 방법과 동일하게 진행되므로, 여기서는 보호막상에 화소전극과 광차단막을 형성하는 공정에 국한시켜 설명한다.4A to 4C are diagrams for describing a method of forming a pixel electrode and a light blocking layer by using a method of modifying transmittance of a transparent conductive film in the top emission type organic light emitting display device illustrated in FIG. 2D. Since the thin film transistor forming process proceeds in the same manner as in the conventional method, the description will be limited to the process of forming the pixel electrode and the light blocking film on the protective film.
도 4a를 참조하면, 절연기판(400)상에 통상적인 공정을 진행하여 하부막(도면상에는 도시되지 않음)을 형성한 다음, 기판전면에 보호막(410)을 형성한다. 상기 보호막(410)상에 반사전극물질층을 전면증착한 다음 패터닝하여, 후속공정에서 형성될 비어홀과의 분리를 위한 분리패턴(420a)을 형성한다. 이때, 반사전극물질층은 반사율이 우수한 도전물질, 예를 들어 Al, Al합금, Ag, Ag 합금 등을 사용한다. Referring to FIG. 4A, a normal process is performed on the insulating substrate 400 to form a lower layer (not shown), and then a protective layer 410 is formed on the entire surface of the substrate. The reflective electrode material layer is entirely deposited on the passivation layer 410 and then patterned to form a separation pattern 420a for separation from the via hole to be formed in a subsequent process. In this case, as the reflective electrode material layer, a conductive material having excellent reflectance, for example, Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, or the like is used.
이어서, 보호막(430)을 다시 증착하고, 도 2d에 도시된 바와같이 보호막(410), (430)을 식각하여 상기 분리패턴(420a)보다 작은 폭을 갖는 비어홀을 형성한다. 비어홀 형성후 상기 보호막(430)상에 애노드전극물질층(440)을 형성한다. 이때, 애노드전극물질층(440)은 투명도전막, 예를 들어 ITO, IO, TO, IZO, 또는 ZnO 등을 사용한다.Subsequently, the passivation layer 430 is deposited again, and as shown in FIG. 2D, the passivation layers 410 and 430 are etched to form via holes having a width smaller than that of the separation pattern 420a. After forming the via hole, an anode electrode material layer 440 is formed on the passivation layer 430. In this case, the anode electrode material layer 440 uses a transparent conductive film, for example, ITO, IO, TO, IZO, or ZnO.
상기 애노드전극물질층(440)상에 감광막을 도포한다. 상기 화소영역(401)에 대응하는 광차단패턴(471)과, 비화소영역(403)에 대응하는 반투과패턴(473)과, 상기 광차단패턴(471)과 반투과패턴(473)사이에 투과패턴(475)을 구비하는 하프톤 마스크(470)를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하면, 화소영역(401)에 형성된 감광막패턴(461)과, 상기 비화소영역(403)에 상기 감광막패턴(461)과 떨어져 형성되고 상기 감광막패턴(461)보다 두께가 얇은 감광막패턴(463)을 형성한다.A photosensitive film is coated on the anode electrode material layer 440. Between the light blocking pattern 471 corresponding to the pixel region 401, the transflective pattern 473 corresponding to the non-pixel region 403, and the light blocking pattern 471 and the transflective pattern 473. When the photoresist is patterned using a halftone mask 470 having a transmission pattern 475, the photoresist pattern 461 formed in the pixel region 401 and the photoresist pattern 461 may be formed in the non-pixel region 403. And a photoresist pattern 463 having a thickness thinner than that of the photoresist pattern 461.
도 4b를 참조하면, 상기 감광막패턴(461), (463)을 이용하여 상기 애노드전극물질층(440)을 패터닝하여 화소영역(401)에 투명도전막으로 이루어진 화소전극, 즉 애노드전극(440)을 형성한다. 이때, 화소영역(401)에는 감광막 패턴(461)이 남아있게 되고, 비화소영역(403)에는 감광막 패턴(463)은 제거되어 투명도전막(443)이 남아있게 된다.Referring to FIG. 4B, the anode electrode material layer 440 is patterned using the photoresist patterns 461 and 463 to form a pixel electrode, that is, an anode electrode 440, in the pixel region 401. Form. At this time, the photoresist pattern 461 remains in the pixel region 401, and the photoresist pattern 463 is removed in the non-pixel region 403, so that the transparent conductive film 443 remains.
이어서, 상기 감광막패턴(461)을 이온주입용 마스크로 이용하여 상기 비화소영역(403)의 투명도전막(433)으로 H, P, B, As, Ar 등과 같은 불순물을 이온주입한하면, 상기 비화소영역(403)의 투명도전막(443)으로 소정의 불순물을 이온주입되어 도 4c와 같이 투과도가 변형된 도전막(460)을 형성한다. 따라서, 비화소영역(403)에 형성된 투과두가 변형된 도전막(460)은 광차단막으로 작용한다. 상기 광차단막(460)은 도전물질로서, 애노드전극(450)이 형성되는 화소영역(401)을 제외한 기판전면에 형성되므로, 화소분리영역(405)에 의해 화소전극(450)과 분리시켜 준다. Subsequently, when an impurity such as H, P, B, As, Ar, or the like is implanted into the transparent conductive film 433 of the non-pixel region 403 using the photosensitive film pattern 461 as an ion implantation mask, the ratio Predetermined impurities are implanted into the transparent conductive film 443 in the pixel region 403 to form a conductive film 460 whose transmittance is modified as shown in FIG. 4C. Therefore, the conductive film 460 with the deformed transmission head formed in the non-pixel region 403 serves as a light blocking film. Since the light blocking layer 460 is a conductive material and is formed on the entire surface of the substrate except for the pixel region 401 where the anode electrode 450 is formed, the light blocking layer 460 is separated from the pixel electrode 450 by the pixel isolation region 405.
상기 실시예에서, 반사전극물질층을 보호막(410), (430)사이에 형성하는 대신, 층간 절연막상에 반사전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 소오스/드레인 전극 및 화소전극하부에 반사전극패턴을 동시에 형성하거나, 또는 소오스/드레인전극물질과 반사전극물질을 순차 적층한 다음 패터닝하여 소오스/드레인 전극물질과 반사전극물질의 적층구조를 갖는 소오스/드레인 전극과 반사전극패턴을 동시에 형성할 수도 있다. 소오스/드레인 전극형성시 데이터라인, 전원라인 및 캐패시터 전극 등도 상기한 바와같은 단일구조 또는 적층구조로 형성할 수 있다.In the above embodiment, instead of forming the reflective electrode material layer between the protective films 410 and 430, the reflective electrode material is deposited on the interlayer insulating film and then patterned to form a reflective electrode pattern under the source / drain electrode and the pixel electrode. Alternatively, the source / drain electrode material and the reflective electrode material may be sequentially stacked and then patterned to form the source / drain electrode and the reflective electrode pattern having the stacked structure of the source / drain electrode material and the reflective electrode material. In forming the source / drain electrodes, data lines, power lines, capacitor electrodes, and the like may also be formed in a single structure or a stacked structure as described above.
상기한 바와같은 방법에 의하면, 화소전극(450)과 광차단막(460)을 투과도 변형방법을 이용하여 한번의 마스크공정을 통하여 형성하여 줌으로써, 마스크공정추가없이 광차단막을 형성하여 콘트라스트를 개선할 수 있다.According to the method described above, the pixel electrode 450 and the light blocking film 460 are formed through a single mask process using a method of modifying transmittance, thereby forming a light blocking film without adding a mask process, thereby improving contrast. have.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적 평면구조를 도시한 것으로서, R, G, B 단위화소에 국한시켜 도시한 것이다. FIG. 5A illustrates a schematic planar structure of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and is limited to R, G, and B pixel units.
도 5a를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 도 2a에 도시된 일실시예와 유사하며, 다만 광차단막(590)이 비어홀(557)과 분리되어 기판전면에 형성되는 것만이 다르다. Referring to FIG. 5A, an organic light emitting display device according to another embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 2A, except that the light blocking layer 590 is separated from the via hole 557 and formed on the front surface of the substrate. different.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 도 5a의 제2박막 트랜지스터와 EL 소자에 한정하여 도시한 화소의 단면구조를 도시한 것이다. 박막 트랜지스터 형성공정까지는 통상적인 방법과 동일하게 진행되므로, 여기서는 보호막상에 화소전극과 광차단막을 형성하는 공정에 국한시켜 설명한다.FIG. 5B illustrates a cross-sectional structure of the pixel shown in the organic light emitting display according to another embodiment of the present invention limited to the second thin film transistor and the EL element of FIG. 5A. Since the thin film transistor forming process proceeds in the same manner as in the conventional method, the description will be limited to the process of forming the pixel electrode and the light blocking film on the protective film.
도 5b에 도시된 유기전계 발광표시장치는 도 2d의 유기전계 발광표시장치와 거의 유사하며, 다만 광차단막(590)이 화소전극(550)하부에 보호막(589a), (589b)을 개재하여 비어홀(557)과 분리되어 형성되는 것만이 다르다. 즉, 상기 보호막(589a), (589b)사이에 형성된 상기 광차단막(290)은 반사막(591)과 투명도전막에 불순물이 이온주입되어 투과도가 변형된 도전막(593)으로 이루어지고, 상기 화소전극은 투명도전막으로 이루어진다. 상기 광차단막(290)은 박막 트랜지스터의 드레인전극(287)과 화소전극(250)을 연결하기 위한 비어홀(557)의 폭보다 큰 폭을 갖는 분리패턴(590a)을 구비하여 기판전면에 형성된다. 상기 분리패턴(590a)은 도 2d의 반사전극(252)에 형성된 분리패턴(252a)과 마찬가지로, 콘택홀등과 같은 다양한 형태의 음각패턴으로 형성된다.The organic light emitting display device shown in FIG. 5B is almost similar to the organic light emitting display device of FIG. 2D, except that the light blocking film 590 is formed through the protective films 589a and 589b under the pixel electrode 550. Only formed separately from 557 is different. That is, the light blocking film 290 formed between the protective films 589a and 589b is formed of a conductive film 593 in which impurities are ion-implanted into the reflective film 591 and the transparent conductive film to modify its transmittance. Is made of a transparent conductive film. The light blocking layer 290 is formed on the front surface of the substrate by a separation pattern 590a having a width larger than that of the via hole 557 for connecting the drain electrode 287 and the pixel electrode 250 of the thin film transistor. Like the separation pattern 252a formed on the reflective electrode 252 of FIG. 2D, the separation pattern 590a is formed of various intaglio patterns such as a contact hole.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전면발광형 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용하여 광차단막과 화소전극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 6A to 6C illustrate a method of forming a light blocking layer and a pixel electrode in a top emission type organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention using a method of modifying a transparency of a transparent conductive film.
도 6a를 참조하면, 절연기판(600)상에 통상적인 공정을 진행하여 하부막(도면상에는 도시되지 않음)을 형성한 다음, 기판전면에 보호막(610)을 형성한다. 상기 보호막(610)상에 반사전극물질층(620)과 투명도전막(630)을 순차 형성한다. Referring to FIG. 6A, a conventional process is performed on the insulating substrate 600 to form a lower layer (not shown), and then a protective layer 610 is formed on the entire surface of the substrate. The reflective electrode material layer 620 and the transparent conductive film 630 are sequentially formed on the passivation layer 610.
도 6b를 참조하면, 상기 투명도전막(630)으로 소정의 불순물을 이온주입하여 투과도가 변형된 도전막(635)을 형성한다. 따라서, 반사전극물질층(620)과 투과도가 변형된 도전막(635)으로 된 광차단막(690)이 형성된다. 도 6b에는 도시되지 않았으나, 광차단막(690)은 도 5b에 도시된 바와같이 후속공정에서 형성되는 애노드전극과의 전기적으로 분리되도록 비어홀과의 분리를 위한 분리패턴(590a)이 식각공정을 통해 형성된다. 상기 광차단막은 VDD 라인으로 이용할 수도 있다.Referring to FIG. 6B, a predetermined impurity is implanted into the transparent conductive film 630 to form a conductive film 635 having a modified transmittance. Accordingly, the light blocking film 690 is formed of the reflective electrode material layer 620 and the conductive film 635 having the modified transmittance. Although not shown in FIG. 6B, as shown in FIG. 5B, the light blocking layer 690 is formed through an etching process to form a separation pattern 590a for separation from the via hole so as to be electrically separated from the anode electrode formed in a subsequent process. do. The light blocking film may be used as a VDD line.
도 6c를 참조하면, 광차단막(690)상에 보호막(640)을 다시 형성한 다음 그위에 투명도전막으로 된 애노드전극물질층을 순차 형성하고, 애노드전극형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 애노드전극물질층을 패터닝하여 화소영역(601)에 애노드전극(650)을 형성한다. Referring to FIG. 6C, the protective film 640 is formed again on the light blocking film 690, and then an anode electrode material layer of a transparent conductive film is sequentially formed thereon, and an anode electrode forming mask (not shown) is formed. The anode electrode material layer is patterned to form an anode electrode 650 in the pixel region 601.
도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 도 2b의 제2박막 트랜지스터와 EL 소자에 한정하여 도시한 화소의 또 다른 단면구조를 도시한 것이다.FIG. 5C illustrates another cross-sectional structure of the pixel shown in the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention limited to the second thin film transistor and the EL element of FIG. 2B.
도 5c에 도시된 유기전계 발광표시장치는 소오스/드레인 전극을 형성할 때 광차단패턴을 동시에 형성하는 것이다. 즉, 도 6a에서와 같이 절연기판(600)상에 통상적인 공정을 진행하여 하부막(도면상에는 도시되지 않음)을 형성한 다음, 기판전면에 층간 절연막(610)을 형성한다. 상기 층간 절연막(610)상에 반사전극물질층(620)과 투명도전막(630)을 순차 형성한다. In the organic light emitting display device illustrated in FIG. 5C, a light blocking pattern is simultaneously formed when the source / drain electrodes are formed. That is, as shown in FIG. 6A, a normal process is performed on the insulating substrate 600 to form a lower layer (not shown), and then an interlayer insulating layer 610 is formed on the entire surface of the substrate. The reflective electrode material layer 620 and the transparent conductive layer 630 are sequentially formed on the interlayer insulating layer 610.
이어서, 도 6b와 같이, 상기 투명도전막(630)으로 소정의 불순물을 이온주입하여 투과도가 변형된 도전막(635)을 형성한 다음, 소오스/드레인전극 형성용 마스크를 이용하여 상기 애노드전극 물질층(620)과 도전막(635)을 식각하여 도 5c에 도시된 바와같이 소오스/드레인전극(585, 587)과 광차단막(590)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a conductive film 635 having a modified permeability is formed by ion implanting predetermined impurities into the transparent conductive film 630, and then using the source / drain electrode forming mask to form the anode electrode material layer. The 620 and the conductive film 635 are etched to form source / drain electrodes 585 and 587 and a light blocking film 590 as shown in FIG. 5C.
다음, 도 6c와 같이 광차단막(590)상에 보호막(640)을 형성하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 비어홀을 형성한 다음 상부 애노드전극물질층을 순차 형성하고, 애노드전극형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 애노드전극물질층을 패터닝하여 화소영역(601)에 애노드전극(650)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 6C, a passivation layer 640 is formed on the light blocking layer 590, a via hole exposing the drain electrode of the thin film transistor is formed, and then an upper anode electrode material layer is sequentially formed, and an anode electrode forming mask is formed. The anode electrode material layer is patterned using (not shown in the drawing) to form an anode electrode 650 in the pixel region 601.
상기한 바와같은 방법에 의하면, 소오스/드레인 전극과 광차단막을 투과도 변형방법을 이용하여 한번의 마스크공정을 통하여 형성하여 줌으로써, 마스크공정추가없이 광차단막을 형성하여 콘트라스트를 개선할 수 있다.According to the above-described method, the source / drain electrodes and the light blocking film are formed through a single mask process using a transmittance modification method, thereby forming a light blocking film without adding a mask process, thereby improving contrast.
본 발명의 실시예에서는 층간 절연막을 형성하는 공정부터 설명하였는데, 층간 절연막을 형성하기 이전의 박막 트랜지스터 등을 형성하는 방법 및 화소의 구조 등은 다양하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 화소구조는 도 2b에 도시된 화소구조에 국한되는 것이 아니라, 다양한 구조에 모두 적용가능하다. 그리고, 애노드전극이 2층구조를 갖는 경우를 예시하여 설명하였으나, 2층구조이상의 적층구조를 갖는 구조에는 모두 적용가능하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the process of forming the interlayer insulating film has been described, but the method of forming the thin film transistor and the like before forming the interlayer insulating film and the structure of the pixel may be variously applied. In addition, in the embodiment of the present invention, the pixel structure is not limited to the pixel structure shown in FIG. 2B, but may be applicable to all of the various structures. In addition, although the case where the anode electrode has a two-layer structure has been described by way of example, it is applicable to any structure having a multilayer structure of two or more layers.
또한, 본 발명의 실시예에서는 소오스/드레인전극 형성시 데이터라인 및 캐패시터전극 그리고 전원라인이 동시에 형성되며, 게이트전극형성시 게이트라인 및 캐패시터전극 그리고 전원라인이 동시에 형성될 수도 있다. In addition, in the embodiment of the present invention, the data line, the capacitor electrode, and the power line are simultaneously formed when the source / drain electrodes are formed, and the gate line, the capacitor electrode, and the power line may be simultaneously formed when the gate electrode is formed.
상기한 바와같은 본 발명에 따르면, 투명도전막에 고에너지원으로 불순물을 이온주입하여 그의 투과도를 변형시켜 주는 방법을 이용하여 화소전극과 광차단막을 형성하여 줌으로써, 배선부에 의한 외부광의 반사를 감소시켜 콘트라스트를 향상시켜 줄 수 있다. 또한, 추가의 공정없이 광차단막을 형성하여 줌으로써, 공정을 단순화시켜 줄 수 있는 이점이 있다.According to the present invention as described above, by forming a pixel electrode and a light blocking film using a method of ion implanting impurities into a transparent conductive film with a high energy source to modify its transmittance, the reflection of external light by the wiring portion is reduced. The contrast can be improved. In addition, there is an advantage that the process can be simplified by forming the light blocking film without an additional process.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
도 1a은 종래의 유기전계 발광표시장치의 레이아웃도,1A is a layout diagram of a conventional organic light emitting display device;
도 1b는 종래의 유기전계 발광표시장치의 레이아웃도,1B is a layout diagram of a conventional organic light emitting display device;
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 레이아웃도,2A is a layout diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 단위화소에 대한 레이아웃도,2B is a layout diagram of one unit pixel in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조도,2C is a cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 또 다른 단면구조도,2D is another cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용한 화소전극과 광차단막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정단면도,3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of forming a pixel electrode and a light blocking layer using a method of modifying transmittance of a transparent conductive film in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용한 화소전극과 광차단막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정단면도,4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method of forming a pixel electrode and a light blocking film using a method of modifying a transparency of a transparent conductive film in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 레이아웃도,5A is a layout diagram of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조도,5B is a cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 또 다른 단면구조도,5C is another cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 투명도전막의 투과도 변형방법을 이용한 화소전극과 광차단막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정단면도,6A through 6C are cross-sectional views illustrating a method of forming a pixel electrode and a light blocking film using a method of modifying a transparency of a transparent conductive film in an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
200, 300, 400, 500 : 절연기판 210, 510 : 게이트라인200, 300, 400, 500: Insulation substrate 210, 510: Gate line
220, 520 : 데이터라인 230, 530 : 전원라인220, 520: data line 230, 530: power line
240, 540 : 화소영역 250, 340, 450, 550, 650 : 화소전극240, 540: pixel area 250, 340, 450, 550, 650: pixel electrode
610, 288, 588 : 층간 절연막 290, 350, 460, 590 : 광차단막 610, 288, 588: interlayer insulating film 290, 350, 460, 590: light blocking film
289, 289a, 289b, 310, 410, 430, 589, 640 : 보호막289, 289a, 289b, 310, 410, 430, 589, 640: protective film
251, 252, 320, 321, 323, 420, 591 : 반사막251, 252, 320, 321, 323, 420, 591: reflective film
253, 330, 331, 333, 440, 443, 593, 630 : 투명도전막253, 330, 331, 333, 440, 443, 593, 630: transparent conductive film
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100560792B1 (en) * | 2004-03-23 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Top-emission type organic electroluminescence display device and method for fabricating of the same |
| KR100685423B1 (en) * | 2004-11-24 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro luminescence display and methode for manufacturing the same |
| KR100752388B1 (en) * | 2006-11-01 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display and fabricating method of the same |
| KR100770127B1 (en) * | 2006-11-10 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor |
| US8008859B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-08-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US8148719B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method thereof |
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8916852B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a substrate support structure and fabricating method thereof |
| KR20190104090A (en) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method for manufacturing substratefor display apparatus and method for manufacturing display apparatus |
-
2003
- 2003-09-23 KR KR1020030066040A patent/KR20050029826A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100560792B1 (en) * | 2004-03-23 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Top-emission type organic electroluminescence display device and method for fabricating of the same |
| KR100685423B1 (en) * | 2004-11-24 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro luminescence display and methode for manufacturing the same |
| KR100752388B1 (en) * | 2006-11-01 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display and fabricating method of the same |
| KR100770127B1 (en) * | 2006-11-10 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof and moving device therefor |
| US7601982B2 (en) | 2006-11-10 | 2009-10-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method thereof |
| US8536567B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8598780B2 (en) | 2006-11-10 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabrication method thereof |
| US8148719B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-04-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method thereof |
| US8580588B2 (en) | 2006-11-30 | 2013-11-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and fabricating method thereof |
| US8916852B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-12-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a substrate support structure and fabricating method thereof |
| US8008859B2 (en) | 2008-06-03 | 2011-08-30 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR20190104090A (en) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method for manufacturing substratefor display apparatus and method for manufacturing display apparatus |
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