KR20190104090A - Method for manufacturing substratefor display apparatus and method for manufacturing display apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a substrate for display device capable of easily implementing shapes of various substrates and a method for manufacturing a display device. The method for manufacturing a substrate for display device comprises the steps of: preparing a support substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; patterning a shielding film on the first surface of the support substrate; forming a substrate layer on the support substrate to cover the shielding film; separating the shielding film and substrate layer by a predetermined interval by removing at least part of the substrate layer; and separating the substrate layer from the support substrate.

Description

디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법{Method for manufacturing substratefor display apparatus and method for manufacturing display apparatus}Method for manufacturing substrate and method for manufacturing display device {Method for manufacturing substrate for display apparatus and method for manufacturing display apparatus}

본 발명은 디스플레이 장치용 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 다양한 기판의 형상을 용이하게 구현할 수 있는 디스플레이 장치 용 기판 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a substrate for a display device and a method for manufacturing a display device, and more particularly, to a method for manufacturing a substrate for a display device and a method for manufacturing the display device, which can easily realize various substrate shapes.

디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.Among the display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.In general, an organic light emitting display device forms a thin film transistor and organic light emitting elements on a substrate, and the organic light emitting elements emit light by themselves. Such an organic light emitting display device may be used as a display unit of a small product such as a mobile phone, or may be used as a display unit of a large product such as a television.

유기발광 디스플레이 장치 중에서도, 최근 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 관심이 높아짐에 따라 이에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 종래의 글라스재 기판이 아닌 합성 수지 등과 같은 재질의 플렉서블 기판을 이용한다. 이러한 플렉서블 기판은 플렉서블 특성을 갖기에, 제조공정 등에서 핸들링이 용이하지 않다는 문제점을 갖는다. 따라서 이러한 문제점을 해결하기 위해 충분한 강성(rigidity)을 갖는 지지기판 상에 플렉서블 기판을 형성하여 여러 공정을 거친 후, 플렉서블 기판을 지지기판으로부터 분리하는 과정을 거친다.Among the organic light emitting display devices, as the interest in the flexible display device has recently increased, studies on this have been actively conducted. In order to implement such a flexible display device, a flexible substrate made of a material such as a synthetic resin is used instead of a conventional glass substrate. Since the flexible substrate has flexible characteristics, handling of the flexible substrate is not easy in a manufacturing process. Therefore, in order to solve this problem, after forming a flexible substrate on a support substrate having sufficient rigidity (rigidity) through a number of processes, the process of separating the flexible substrate from the support substrate.

그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치 용 기판 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기존 직사각형 형상에서 벗어나 다양한 형상을 갖는 디스플레이 장치를 구현함에 있어서 기판 제조에 한계가 존재하고 추가 공정이 필요하여 제조 공정이 복잡해진다는 문제점이 있었다. However, such a conventional method for manufacturing a substrate for a display device and a method for manufacturing the display device have limitations in manufacturing a substrate and additional processes are required to implement a display device having various shapes instead of the existing rectangular shape, which makes the manufacturing process complicated. Had a problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 다양한 기판의 형상을 용이하게 구현할 수 있는 디스플레이 장치 용 기판 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention has been made to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate for a display device and a method for manufacturing the display device, which can easily implement various shapes of substrates. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 관점에 따르면, 제1 면 및 제1 면의 반대측에 제2 면을 갖는 지지기판을 준비하는 단계; 상기 지지기판의 제1면 상에 차단막을 패터닝하는 단계; 상기 차단막을 덮도록 상기 지지기판 상에 기판층을 형성하는 단계; 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하여 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계; 및 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계를 구비하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법이 제공된다.According to an aspect of the invention, preparing a support substrate having a first surface and a second surface on the opposite side of the first surface; Patterning a blocking film on the first surface of the support substrate; Forming a substrate layer on the support substrate to cover the blocking film; Removing at least a portion of the substrate layer to separate the blocking layer from the substrate layer by a predetermined interval; And separating the substrate layer from the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 형성하는 단계에서 상기 기판층의 적어도 일부는 상기 차단막에 접촉하고, 나머지 일부는 상기 지지기판에 접촉할 수 있다.In the present exemplary embodiment, at least a portion of the substrate layer may contact the blocking layer, and a portion of the substrate layer may contact the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막은 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the blocking film may include at least one of amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계는, 상기 기판층의 적어도 일부를 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the step of separating the blocking layer and the substrate layer by a predetermined interval may include etching at least a portion of the substrate layer.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막은 300nm 파장의 레이저에 대하여 90%이상의 흡수율을 갖는 물질을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the blocking film may include a material having an absorption of 90% or more with respect to a laser having a wavelength of 300 nm.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에 있어서, 상기 차단막은 상면 및 상면과 연결된 측면을 가지며, 상기 차단막의 측면과 접촉하는 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하는 단계일 수 있다.In the present embodiment, in the step of separating the barrier layer and the substrate layer by a predetermined interval, the barrier layer has an upper surface and a side surface connected to the upper surface, removing at least a portion of the substrate layer in contact with the side surface of the barrier film Can be.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 분리하는 단계는, 상기 지지기판의 제2 면에 레이저를 조사하여 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계일 수 있다.In the present embodiment, the separating of the substrate layer may include separating the substrate layer from the supporting substrate by irradiating a laser to the second surface of the supporting substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 분리하는 단계에서, 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리할 때 상기 차단막은 상기 지지기판으로부터 분리되지 않을 수 있다.In the present embodiment, in the step of separating the substrate layer, the barrier layer may not be separated from the support substrate when the substrate layer is separated from the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층은 플렉서블 기판일 수 있다.In the present embodiment, the substrate layer may be a flexible substrate.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 제1 면 및 제1 면의 반대측에 제2 면을 갖는 지지기판을 준비하는 단계; 상기 지지기판의 제1면 상에 차단막을 패터닝하는 단계; 상기 차단막을 덮도록 상기 지지기판 상에 기판층을 형성하는 단계; 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하여 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계; 상기 기판층 상에 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 화소를 포함하는 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계를 구비하는, 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, preparing a support substrate having a first surface and a second surface on the opposite side of the first surface; Patterning a blocking film on the first surface of the support substrate; Forming a substrate layer on the support substrate to cover the blocking film; Removing at least a portion of the substrate layer to separate the blocking layer from the substrate layer by a predetermined interval; Forming a display unit including a pixel circuit and a pixel electrically connected to the pixel circuit on the substrate layer; And separating the substrate layer from the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 디스플레이부 상에 상기 디스플레이부를 외부로부터 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the method may further include forming an encapsulation part sealing the display part from the outside on the display part.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 형성하는 단계에서 상기 기판층의 적어도 일부는 상기 차단막에 접촉하고, 나머지 일부는 상기 지지기판에 접촉할 수 있다.In the present exemplary embodiment, at least a portion of the substrate layer may contact the blocking layer, and a portion of the substrate layer may contact the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막은 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the blocking film may include at least one of amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막은 300nm 파장의 레이저에 대하여 90%이상의 흡수율을 갖는 물질을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the blocking film may include a material having an absorption of 90% or more with respect to a laser having a wavelength of 300 nm.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계는, 상기 기판층의 적어도 일부를 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the step of separating the blocking layer and the substrate layer by a predetermined interval may include etching at least a portion of the substrate layer.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에 있어서, 상기 차단막은 상면 및 상면과 연결된 측면을 가지며, 상기 차단막의 측면과 접촉하는 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하는 단계일 수 있다.In the present embodiment, in the step of separating the barrier layer and the substrate layer by a predetermined interval, the barrier layer has an upper surface and a side surface connected to the upper surface, removing at least a portion of the substrate layer in contact with the side surface of the barrier film Can be.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 분리하는 단계는, 상기 지지기판의 제2 면에 레이저를 조사하여 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계일 수 있다.In the present embodiment, the separating of the substrate layer may include separating the substrate layer from the supporting substrate by irradiating a laser to the second surface of the supporting substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 분리하는 단계에서, 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리할 때 상기 차단막은 상기 지지기판으로부터 분리되지 않을 수 있다.In the present embodiment, in the step of separating the substrate layer, the barrier layer may not be separated from the support substrate when the substrate layer is separated from the support substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층은 플렉서블 기판일 수 있다.In the present embodiment, the substrate layer may be a flexible substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에서, 상기 소정 간격을 통해 상기 기판층의 적어도 일부가 노출되는 이격 영역이 형성되고, 상기 디스플레이부를 형성하는 단계는, 상기 기판층 상에 무기층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 무기층의 적어도 일부는 상기 기판층의 이격 영역과 접촉할 수 있다.In the present embodiment, in the step of separating the blocking layer and the substrate layer at a predetermined interval, a spaced area where at least a portion of the substrate layer is exposed through the predetermined interval is formed, and the forming of the display unit may include: Forming an inorganic layer on the layer, at least a portion of the inorganic layer being in contact with the spaced region of the substrate layer.

본 실시예에 있어서, 상기 기판층을 분리하는 단계 전에, 상기 기판층의 이격 영역 상부에 형성된 상기 무기층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the method may further include removing the inorganic layer formed on the separation region of the substrate layer before separating the substrate layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following detailed description, claims, and drawings.

이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.These general and specific aspects may be practiced using systems, methods, computer programs, or any combination of systems, methods, computer programs.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 다양한 기판의 형상을 용이하게 구현할 수 있는 디스플레이 장치 용 기판 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement a method for manufacturing a display device substrate and a method for manufacturing a display device that can easily implement the shape of a variety of substrates. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 도 8의 A1부분을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 도 10의 A2부분을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to an embodiment of the present invention.
3A, 3B, and 3C are plan views and cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
9 is an enlarged cross-sectional view of a portion A1 of FIG. 8.
10 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of part A2 of FIG. 10.
12 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
13 is a sectional views schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.
14 is a sectional views schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. Effects and features of the present invention, and methods of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below but may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following embodiments, the terms first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from other components rather than a restrictive meaning. Also, the singular forms “a”, “an” and “the” include plural forms unless the context clearly indicates otherwise.

한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. On the other hand, the terms including or have, etc. means that there is a feature or component described in the specification, and does not exclude in advance the possibility that one or more other features or components will be added. In addition, when a part of a film, an area, a component, or the like is said to be "on" or "on" another part, as well as being "on" or "on" another part, other films in the middle, It also includes the case where an area | region, a component, etc. are interposed.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and thus the present invention is not necessarily limited to the illustrated.

x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.The x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to three axes on the Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including the same. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.In the case where an embodiment may be implemented differently, a specific process order may be performed differently from the described order. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously or in the reverse order of the described order.

도 1a, 도 1b 내지 도 4a, 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 및 단면도들이다. 도 1b는 도 1a의 I-I선을 따라 취한 단면을 도시하고, 도2b는 도 2a의 II-II선을 따라 취한 단면을 도시하며, 도 3b는 도 3a의 III-III선을 따라 취한 단면을 도시하고, 도 4b는 도 4a의 IV-IV선을 따라 취한 단면을 도시한다.1A, 1B to 4A, 4B are plan views and cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B shows a cross section taken along line II of FIG. 1A, FIG. 2B shows a cross section taken along line II-II of FIG. 2A, and FIG. 3B shows a cross section taken along line III-III of FIG. 3A. 4B shows a cross section taken along line IV-IV of FIG. 4A.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 디스플레이 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 디스플레이 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 디스플레이 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 디스플레이 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display), 음극선관 디스플레이 장치(Cathode Ray Display) 등 일 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention is a device for displaying an image, and includes a liquid crystal display, an electrophoretic display, an organic light emitting display, and an inorganic EL display. Inorganic Light Emitting Display, Field Emission Display, Surface-conduction Electron-emitter Display, Plasma Display, Cathode Ray Display ) And so on.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식의 표시 장치일 수 있다.Hereinafter, although an organic light emitting display device is described as an example of a display device according to an embodiment of the present invention, the display device of the present invention is not limited thereto and may be a display device of various methods.

먼저 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 먼저 지지기판(100) 상에 차단막(110)을 형성한다. 지지기판(100)은 서로 반대되는 제1 면(100a) 및 제2 면(100b)을 가질 수 있으며, 도 1a 및 도 1b에서 제1 면(100a)은 지지기판(100)의 상면을, 제2 면(100b)은 지지기판(100)의 하면을 지칭할 수 있다. 차단막(110)은 지지기판(100)의 제1 면(100a) 상에 형성될 수 있다. 지지기판(100)은 후술할 기판층(120, 도 2b 참조) 및 기판층(120) 상에 형성되는 디스플레이부(200)를 지지할 수 있을 정도의 경도와 강성을 갖는 물질로, 예컨대 글라스재로 형성될 수 있다.First, referring to FIGS. 1A and 1B, a blocking film 110 is first formed on a support substrate 100. The support substrate 100 may have a first surface 100a and a second surface 100b opposite to each other, and in FIGS. 1A and 1B, the first surface 100a may be a top surface of the support substrate 100. The second surface 100b may refer to the lower surface of the support substrate 100. The blocking film 110 may be formed on the first surface 100a of the support substrate 100. The support substrate 100 is a material having a hardness and rigidity sufficient to support the substrate layer 120 (see FIG. 2B) to be described later and the display unit 200 formed on the substrate layer 120. It can be formed as.

지지기판(100) 상에 형성되는 차단막(110)은 도 1a에 도시된 것과 같이 특정 형상을 갖도록 패터닝될 수 있다. 차단막(110)이 형성된 부분에는 후술할 기판층(120)이 형성되지 않을 수 있다. 이는 차단막(110)이 형성된 부분에는 기판층(120)이 형성되지 않도록 함으로써 별도의 패터닝 공정 없이도 기판층(120)을 패터닝한 것과 같은 효과를 도출할 수 있다. 이와 같이 차단막(110)을 형성함에 따라 기판층(120)의 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.The blocking film 110 formed on the support substrate 100 may be patterned to have a specific shape as shown in FIG. 1A. The substrate layer 120, which will be described later, may not be formed on a portion where the blocking layer 110 is formed. This may lead to the same effect as patterning the substrate layer 120 without a separate patterning process by preventing the substrate layer 120 from being formed in the portion where the blocking layer 110 is formed. As such, the degree of freedom of the shape of the substrate layer 120 may be improved by forming the blocking layer 110. This will be described later.

차단막(110)은 후술할 기판층(120) 탈착 단계에서 사용되는 레이저를 블락킹할 수 있는 물질로 형성된다. 일 실시예로 300nm 파장대의 레이저를 사용하는 경우 300nm 파장대 근방에서 90% 이상의 흡수율(또는 10% 이하의 투과율)을 보이는 재로라면 무방하다. 차단막(110)은 예컨대, 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 등 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 일 실시예로, 파장이 308nm인 엑시머 레이저를 사용하는 경우 308nm 파장에서는 비정질실리콘(a-Si)을 사용하는 것이 바람직하다.The blocking film 110 is formed of a material capable of blocking the laser used in the desorption step of the substrate layer 120 to be described later. As an example, when using a laser in the 300 nm wavelength band, a material exhibiting an absorption of 90% or more (or a transmittance of 10% or less) in the vicinity of the 300 nm wavelength band may be used. The blocking layer 110 may include at least one of, for example, amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO, or the like. In one embodiment, when using an excimer laser having a wavelength of 308 nm, it is preferable to use amorphous silicon (a-Si) at the wavelength of 308 nm.

차단막(110)은 먼저 차단막(110)을 형성하는 물질을 지지기판(100)의 상의 전면(全面)에 도포한 후, 포토레지스트(PR, Photoresist) 등을 이용하여 노광 및 현상을 통해 패터닝한다. 도 1a에 도시된 차단막(110)은 대략 삼각형의 형상을 가지나, 이는 차단막(110)의 패턴 형상을 예시일 뿐, 패터닝하고자 하는 기판층(120)의 형상에 따라 차단막(110)의 형상은 자유롭게 변형이 가능하다. The blocking film 110 is first coated with a material forming the blocking film 110 on the entire surface of the support substrate 100, and then patterned through exposure and development using a photoresist (PR, Photoresist) or the like. The blocking film 110 shown in FIG. 1A has a substantially triangular shape, but this is only an example of a pattern of the blocking film 110. The blocking film 110 may be freely formed according to the shape of the substrate layer 120 to be patterned. Modifications are possible.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법에서는, 지지기판(100) 상에 기판층(120)을 형성하기 이전에 지지기판(100) 상의 적어도 일부에 차단막(110)을 형성한다. 차단막(110)이 형성된 영역은 최종 공정 이후 디스플레이 장치에 있어서 제거되는 부분일 수 있다. 다시 말해 차단막(110)이 형성된 부분은 디스플레이 장치의 플렉서블 기판이 되는 기판층(120)이 형성되지 않은 부분으로 이해될 수 있다. 일 예로서, 도 1a, 도 1b 내지 도 4a, 도 4b를 참조하면, 단순히 사각 형태가 아닌 특정 형상을 갖는 디스플레이 장치를 제조하는 경우, 기판층(120)이 형성될 필요가 없는 부분에 차단막(110)을 형성할 수 있다.That is, in the method of manufacturing the display device according to the exemplary embodiment of the present invention, the blocking film 110 is formed on at least a portion of the support substrate 100 before the substrate layer 120 is formed on the support substrate 100. . The region where the blocking layer 110 is formed may be a portion removed from the display device after the final process. In other words, the portion in which the blocking layer 110 is formed may be understood as the portion in which the substrate layer 120, which becomes the flexible substrate of the display device, is not formed. For example, referring to FIGS. 1A, 1B, 4A, and 4B, when manufacturing a display device having a specific shape instead of a rectangular shape, a blocking film (or a film) may be formed on a portion where the substrate layer 120 does not need to be formed. 110 may be formed.

그 후 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 차단막(110) 상에 기판층(120)을 형성하는 단계를 거친다. 기판층(120)은 디스플레이 장치의 플렉서블 기판이 되는 부분으로, 플레서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 기판층(120)은 예컨대, 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide,PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.2A and 2B, the substrate layer 120 is formed on the blocking layer 110. The substrate layer 120 is a flexible substrate of the display device, and may include various materials having flexible or wandable characteristics. The substrate layer 120 may include, for example, polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET) polyethyeleneterepthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide (PI), polycarbonate (PC) or cellulose acetate propionate (CAP) It may include a polymer resin such as).

기판층(120)은 차단막(110)의 일부 또는 전부를 덮도록 차단막(110) 상에 형성될 수 있다. 도 2b와 같이 기판층(120)은 차단막(110)의 일부 또는 전부를 덮으며 차단막(110)이 형성되지 않은 지지기판(100)의 제1 면(100a)의 적어도 일부와 직접 컨택할 수 있다. 기판층(120)은 기본적으로 지지기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 형성될 수 있다.The substrate layer 120 may be formed on the blocking layer 110 to cover a portion or the entirety of the blocking layer 110. As illustrated in FIG. 2B, the substrate layer 120 may directly contact at least a portion of the first surface 100a of the supporting substrate 100 which covers part or all of the blocking layer 110 and on which the blocking layer 110 is not formed. . The substrate layer 120 may basically be formed over the entire surface of the support substrate 100.

도 2b에서 차단막(110)은 상면(110a) 및 상면(110a)과 연결된 측면(110b)을 가지며, 이때 측면(110b)은 차단막(110)의 단부(110e)로 이해될 수 있다. 기판층(120)은 차단막(110)의 상면(110a) 및 측면(110b) 전부를 덮도록 차단막(110) 상에 형성될 수 있다.In FIG. 2B, the blocking film 110 has an upper surface 110a and a side surface 110b connected to the upper surface 110a, where the side surface 110b may be understood as an end portion 110e of the blocking film 110. The substrate layer 120 may be formed on the blocking layer 110 to cover all of the upper surface 110a and the side surface 110b of the blocking layer 110.

그 후 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 단계를 거친다. 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 과정은 즉, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 과정으로 이해될 수 있다. 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 과정은 예컨대, 에칭법을 이용할 수 있으며, 이 경우 습식 에칭 또는 드라이 에칭을 이용할 수 있다. 본 단계는 이에 한정되지 않으나, 기판층(120)을 이루는 물질의 특성에 따라 이의 일부를 제거할 수 있는 공정이면 어느 것을 사용해도 무방하다.3A and 3B, at least a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100 is removed to separate the blocking layer 110 from the substrate layer 120 by a predetermined distance d. Rough The process of separating the blocking layer 110 from the substrate layer 120 by a predetermined distance d may be understood as removing a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100. A process of removing at least a portion of the substrate layer 120 may use, for example, an etching method, and in this case, wet etching or dry etching may be used. Although the present step is not limited thereto, any process may be used as long as a part thereof may be removed according to the characteristics of the material of the substrate layer 120.

앞서 기판층(120)을 형성하는 단계에서, 기판층(120)의 적어도 일부는 차단막(110)에 접촉하고, 나머지 일부는 지지기판(100)에 접촉할 수 있다. 이와 같은 차단막(110) 상에 기판층(120)을 형성하는 과정에서 차단막(110)의 단부(110e)는 기판층(120)과 접촉할 수 있다. 비교예로서, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하지 않은 상태에서 기판층(120)을 지지기판(100)으로부터 분리하면, 기판층(120)이 차단막(110)과 접하는 부분에서 기판층(120)의 단면에 손상이 가해질 수 있다. 즉, 기판층(120)이 지지기판(100) 상에 직접 접하는 부분에서 기판층(120)이 찢어지듯이 분리될 수 있기 때문에, 기판층(120)이 형성하는 플렉서블 기판의 단부가 매끄럽지 않게 형성되는 문제가 발생한다.In the forming of the substrate layer 120, at least a part of the substrate layer 120 may contact the blocking layer 110, and the other part may contact the support substrate 100. In the process of forming the substrate layer 120 on the blocking layer 110, the end portion 110e of the blocking layer 110 may contact the substrate layer 120. As a comparative example, when the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100 without removing at least a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100, the substrate layer 120 is blocked. ) May damage the end surface of the substrate layer 120. That is, since the substrate layer 120 may be separated from the portion where the substrate layer 120 is in direct contact with the support substrate 100 as if torn, the end of the flexible substrate formed by the substrate layer 120 is not smoothly formed. A problem arises.

이에 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치의 제조방법에서는 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시킬 수 있다. 이와 같은 제거 과정을 통해, 차단막(110)의 단부(110e)와 기판층(120)의 단부(120e)가 서로 소정 간격(d)으로 이격될 수 있다.Accordingly, in the method of manufacturing the display device according to the exemplary embodiment, at least a part of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100 is removed to separate the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d. Can be spaced apart. Through such a removal process, the end portion 110e of the blocking layer 110 and the end portion 120e of the substrate layer 120 may be spaced apart from each other by a predetermined distance d.

한편, 전술한 도 2a 및 도 2b의 단계에서 기판층(120)은 차단막(110)을 덮도록 지지기판(100) 상에 형성된다. 따라서 기판층(120)의 적어도 일부는 차단막(110) 상에 위치하고, 다른 일부는 지지기판(100) 상에 위치하게 된다. 도 3b를 참조하면, 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서, 차단막(110) 상에 형성된 기판층(120)을 함께 제거할 수도 있다. 이 경우 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 단계를 거친 이후 기판층(120)은 지지기판(100)의 제1 면(100a) 상에만 위치할 수 있다.Meanwhile, in the above-described steps of FIGS. 2A and 2B, the substrate layer 120 is formed on the support substrate 100 to cover the blocking film 110. Therefore, at least a part of the substrate layer 120 is positioned on the blocking layer 110, and the other part is positioned on the support substrate 100. Referring to FIG. 3B, in the removing of at least a portion of the substrate layer 120, the substrate layer 120 formed on the blocking layer 110 may be removed together. In this case, the substrate layer 120 may be located only on the first surface 100a of the support substrate 100 after the step of separating the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d.

다른 실시예로 도 3c를 참조하면, 도 3b의 실시예와는 달리, 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서 차단막(110) 상에 형성된 기판층(120)을 제거하지 않을 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 차단막(110)의 단부(110e)와 접하는 부분에서 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120) 사이가 소정 간격(d) 이격되도록 형성하며, 차단막(110) 상에는 기판층(120)의 일부(120a)가 잔존할 수 있다. 차단막(110) 상에 잔존된 기판층(120)의 일부(120a)는 디스플레이 장치 및 이를 형성하는 플렉서블 기판과는 관계 없는 더미 부분으로 이해될 수 있으며, 디스플레이 장치의 제조과정이 종료된 이후에도 지지기판(100) 상에 잔존할 수 있다.Referring to FIG. 3C as another embodiment, unlike the embodiment of FIG. 3B, the substrate layer 120 formed on the blocking layer 110 may not be removed in the step of removing at least a portion of the substrate layer 120. . That is, in the present exemplary embodiment, at least a portion of the substrate layer 120 is removed from the portion in contact with the end portion 110e of the blocking layer 110 so as to be spaced apart from the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d. The portion 120a of the substrate layer 120 may remain on the blocking layer 110. The portion 120a of the substrate layer 120 remaining on the blocking layer 110 may be understood as a dummy portion irrelevant to the display device and the flexible substrate forming the same, and may be supported even after the manufacturing process of the display device is completed. May remain on (100).

다시 도 2b를 참조하면, 도 2b에서 차단막(110)은 상면(110a) 및 상면(110a)과 연결된 측면(110b)을 가지며, 이때 측면(110b)은 차단막(110)의 단부(110e)로 이해될 수 있다. 기판층(120)은 차단막(110)의 상면(110a) 및 측면(110b) 전부를 덮도록 차단막(110) 상에 형성될 수 있다. 이어 도 3b 또는 도 3c를 참조하면, 차단막(110)의 측면(110b)과 접하는 기판층(120)의 부분은 제거되며, 차단막(110)의 상면(110a)과 접하는 기판층(120)의 부분은 필요에 따라 제거되지 않거나, 일부만 제거되거나, 전부 제거될 수 있다.Referring again to FIG. 2B, in FIG. 2B, the blocking film 110 has an upper surface 110a and a side surface 110b connected to the upper surface 110a, where the side surface 110b is understood as an end portion 110e of the blocking film 110. Can be. The substrate layer 120 may be formed on the blocking layer 110 to cover all of the upper surface 110a and the side surface 110b of the blocking layer 110. 3B or 3C, the portion of the substrate layer 120 in contact with the side surface 110b of the blocking layer 110 is removed, and the portion of the substrate layer 120 in contact with the upper surface 110a of the blocking layer 110 is removed. May not be removed, partially removed, or eliminated as needed.

그 후 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판층(120) 상에 디스플레이부(200)를 형성하는 단계를 거친다. 디스플레이부(200)는 화소(P), 화소(P)와 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터(미도시), 커패시터(미도시) 및 각종 배선들(PL)을 포함하며, 이들을 형성하기 위한 다양한 유기막, 무기막, 금속막 등을 포함할 수 있다. 디스플레이부(200)는 기판층(120) 상에 형성될 수 있다. 4A and 4B, the display unit 200 is formed on the substrate layer 120. The display unit 200 includes a pixel P, a thin film transistor (not shown) electrically connected to the pixel P, a capacitor (not shown), and various wirings PL, and various organic layers for forming them. , Inorganic films, metal films, and the like. The display unit 200 may be formed on the substrate layer 120.

도 4a와 같이, 패터닝된 기판층(120)의 중앙부(120c)에 복수개의 화소(P)들이 배치될 수 있다. 화소(P) 내에는 복수개의 부화소(SP)들이 포함될 수 있으며, 각각의 부화소(SP)는 R, G, B 중 하나 일 수 있다. 다른 실시예로 부화소(SP) 중 W가 포함될 수도 있다. 도 4a에서는 4개의 부화소(SP)가 배치된 것으로 도시되어 있으나, 부화소(SP)의 위치 및 개수는 다양한 실시예로서 변형이 가능함은 물론이다.As illustrated in FIG. 4A, a plurality of pixels P may be disposed in the central portion 120c of the patterned substrate layer 120. A plurality of subpixels SP may be included in the pixel P, and each subpixel SP may be one of R, G, and B. In another embodiment, the W of the subpixel SP may be included. In FIG. 4A, four subpixels SP are arranged, but the position and number of the subpixels SP may be modified in various embodiments.

한편, 도 4a에서는 하나의 화소(P)만을 도시하였으나, 이와 같은 구조가 반복됨에 따라 플렉서블 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블 디스플레이 장치의 구현이 가능하다. 즉, 도 4a의 화소(P) 구조가 반복적으로 구비되는 디스플레이 장치의 경우 차단막(110)이 형성되었던 부분은 기판층(120)을 관통하는 홀(H)이 될 수 있다. 이러한 구조를 통해 플렉서블 디스플레이 장치 또는 스트레쳐블 디스플레이 장치를 용이하게 제조할 수 있다.Meanwhile, although only one pixel P is illustrated in FIG. 4A, as such a structure is repeated, a flexible display device or a stretchable display device may be implemented. That is, in the case of the display device in which the pixel P structure of FIG. 4A is repeatedly provided, a portion where the blocking layer 110 is formed may be a hole H penetrating the substrate layer 120. Through this structure, a flexible display device or a stretchable display device can be easily manufactured.

한편 본 실시예에서는 디스플레이부(200)가 기판층(120) 상에만 형성된 것으로 도시하였으나, 다른 실시예로 디스플레이부(200)가 형성되는 과정에서 일부 소자 또는 막들이 차단막(110) 상 또는 차단막(110)과 기판층(120)이 이격된 영역(E) 상에 일부 형성될 수 있다. 이 경우 차단막(110)과 기판층(120)이 이격된 영역(E) 상에 형성된 일부 소자 또는 막들은 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 단계를 거치기 전에 제거될 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the display unit 200 is illustrated as being formed only on the substrate layer 120. However, in another embodiment, some elements or layers may be formed on the blocking layer 110 or the blocking layer ( A portion of the substrate layer 120 and the substrate layer 120 may be partially formed. In this case, some elements or films formed on the region E in which the blocking layer 110 and the substrate layer 120 are spaced apart may be removed before the separation of the substrate layer 120 from the support substrate 100.

그 후 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 단계를 거친다. 도 4b는 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 것이며, 도 4a는 지지기판(100)으로부터 분리된 기판층(120), 즉 디스플레이 장치에 있어서 플렉서블 기판(FS)을 도시한다. 또한, 도 4a 및 도 4b에는 설명의 편의상 지지기판(100) 상에 기판층(120)만 형성된 것으로 도시되어 있으나, 기판층(120) 상에 디스플레이 장치를 구현하기 위한 발광소자, 발광소자에 전기적으로 연결된 트랜지스터, 커패시터 및 각종 배선들이 더 형성될 수 있음은 물론이다.Thereafter, the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100. 4B schematically illustrates a process of separating the substrate layer 120 from the support substrate 100, and FIG. 4A illustrates a substrate layer 120 separated from the support substrate 100, that is, a flexible substrate (eg, a display device). FS) is shown. 4A and 4B, for convenience of description, only the substrate layer 120 is formed on the support substrate 100, but the light emitting device and the light emitting device for implementing the display device on the substrate layer 120 are electrically connected. Of course, the transistors, capacitors and various wirings connected to each other may be further formed.

도 4b를 참조하면, 기판층(120)에 레이저(L)를 조사하는 레이저 탈착방식(Laser Release)에 따라 기판층(120)과 지지기판(100)을 분리시킬 수 있다. 레이저(L)는 지지기판(100)의 제2 면(100b)측에서 지지기판(100)의 제1 면(100a)과 기판층(120)이 접촉하는 면을 향해 조사할 수 있다. 레이저(L)는 예컨대, 파장이 308nm인 엑시머 레이저, 파장이 343nm 또는 355nm인 고체 UV 레이저 등을 사용할 수 있다. 레이저(L)의 조사에는 선형 레이저 장치를 사용하는 것이 바람직하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 4B, the substrate layer 120 and the support substrate 100 may be separated by a laser release method for irradiating a laser L on the substrate layer 120. The laser L may be irradiated toward the surface where the first surface 100a of the supporting substrate 100 and the substrate layer 120 contact from the second surface 100b of the supporting substrate 100. As the laser L, for example, an excimer laser having a wavelength of 308 nm, a solid UV laser having a wavelength of 343 nm or 355 nm, or the like can be used. It is preferable to use a linear laser device for irradiation of the laser L, but the present invention is not limited thereto.

지지기판(100)에서 분리된 기판층(120)은 도 4a와 같이 필요에 따라 다양한 형상으로 구현할 수 있다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치용 기판의 제조방법에서는, 지지기판(100) 상에 차단막(110)을 먼저 형성한 후, 차단막(110)을 덮도록 기판층(120)을 형성하는 방법을 통해 다양한 형상의 기판층(120), 즉 플렉서블 기판을 자유롭게 구현할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 과정에서 기판층(120)과 차단막(110)이 접하는 부분에서 기판층(120)이 손상되는 문제를 개선하기 위하여, 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하기 전에 기판층(120)과 차단막(110)이 접하는 부분의 소정 영역을 제거하는 단계를 거침으로써, 기판층(120)을 지지기판(100)으로부터 손상 없이 용이하게 분리할 수 있다.The substrate layer 120 separated from the support substrate 100 may be implemented in various shapes as needed as shown in FIG. 4A. In the method for manufacturing a substrate for a display device according to the present embodiment, the blocking film 110 is first formed on the support substrate 100 and then the substrate layer 120 is formed to cover the blocking film 110. The substrate layer 120 having a shape, that is, the flexible substrate may be freely implemented. In addition, in the present embodiment, in order to improve the problem that the substrate layer 120 is damaged at the contact portion of the substrate layer 120 and the blocking film 110 in the process of separating the substrate layer 120 from the support substrate 100, Before the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100, the substrate layer 120 is removed by removing a predetermined region of a portion where the substrate layer 120 and the blocking layer 110 contact each other. It can be easily separated from without damage.

지금까지는 디스플레이 장치용 기판의 제조방법에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 제조방법을 통해 형성된 기판을 이용한 디스플레이 장치 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.Until now, only the manufacturing method of the substrate for a display device was mainly described, but the present invention is not limited thereto. For example, a display device manufacturing method using a substrate formed through such a manufacturing method will also be said to belong to the scope of the present invention.

도 5a, 도 5b 내지 도 14는 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정을 개략적으로 도시하는 평면도들 및 단면도들이다. 도 5b는 도 5a의 V-V선을 따라 취한 단면을 도시하고, 도6b는 도 6a의 VI-VI선을 따라 취한 단면을 도시하며, 도 7b는 도 7a의 VII-VII선을 따라 취한 단면을 도시한다.5A, 5B, and 14 are plan views and cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a substrate for a display device according to another embodiment of the present invention. FIG. 5B shows a cross section taken along line VV of FIG. 5A, FIG. 6B shows a cross section taken along line VI-VI of FIG. 6A, and FIG. 7B shows a cross section taken along line VII-VII of FIG. 7A. do.

도 5a, 도 5b 내지 도 7a, 도 7b은 전술한 실시예와 동일하게, 기판층(120)을 형성하기 이전에 차단막(110)을 지지기판(100) 상에 형성하여 원하는 기판층(120)의 형상을 제조할 수 있다. 본 실시예에서는 전술한 실시예와 동일한 제조과정을 이용하여 실질적으로 플렉서블 특성을 갖는 디스플레이 장치를 제조하는 과정을 도시한다. 본 실시예에서는 메인영역(MA)과 4면의 측면영역(EA1, EA2, EA3, EA4)을 갖는 플렉서블 디스플레이 장치를 일 예로 설명한다.5A, 5B to 7A, and 7B are similar to the above-described embodiment, the barrier layer 110 is formed on the support substrate 100 before the substrate layer 120 is formed to form the desired substrate layer 120. The shape of can be manufactured. In this embodiment, a process of manufacturing a display device having a substantially flexible characteristic is shown by using the same manufacturing process as the above-described embodiment. In the present embodiment, a flexible display device having a main area MA and four side areas EA1, EA2, EA3, and EA4 will be described as an example.

먼저 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 먼저 지지기판(100) 상에 차단막(110)을 형성한다. 지지기판(100)은 서로 반대되는 제1 면(100a) 및 제2 면(100b)을 가질 수 있으며, 도 5a 및 도 5b에서 제1 면(100a)은 지지기판(100)의 상면을, 제2 면(100b)은 지지기판(100)의 하면을 지칭할 수 있다. 차단막(110)은 지지기판(100)의 제1 면(100a) 상에 형성될 수 있다. 지지기판(100)은 차단막(110) 및 후술할 기판층(120)을 지지할 수 있을 정도의 경도와 강성을 갖는 물질로, 예컨대 글라스재로 형성될 수 있다.First, referring to FIGS. 5A and 5B, a blocking film 110 is first formed on a support substrate 100. The support substrate 100 may have a first surface 100a and a second surface 100b that are opposite to each other. In FIGS. 5A and 5B, the first surface 100a is an upper surface of the support substrate 100. The second surface 100b may refer to the lower surface of the support substrate 100. The blocking film 110 may be formed on the first surface 100a of the support substrate 100. The support substrate 100 may be formed of a material having a hardness and rigidity sufficient to support the blocking film 110 and the substrate layer 120 to be described later, for example, a glass material.

지지기판(100) 상에 형성되는 차단막(110)은 도 5a에 도시된 것과 같이 특정 형상을 갖도록 패터닝될 수 있다. 차단막(110)이 형성된 부분에는 후술할 기판층(120)이 형성되지 않을 수 있다. 이는 차단막(110)이 형성된 부분에는 기판층(120)이 형성되지 않도록 함으로써 별도의 패터닝 공정 없이도 기판층(120)을 패터닝한 것과 같은 효과를 도출할 수 있다. 이와 같이 차단막(110)을 형성함에 따라 기판층(120)의 형상의 자유도를 향상시킬 수 있다.The blocking film 110 formed on the support substrate 100 may be patterned to have a specific shape as shown in FIG. 5A. The substrate layer 120, which will be described later, may not be formed on a portion where the blocking layer 110 is formed. This may lead to the same effect as patterning the substrate layer 120 without a separate patterning process by preventing the substrate layer 120 from being formed in the portion where the blocking layer 110 is formed. As such, the degree of freedom of the shape of the substrate layer 120 may be improved by forming the blocking layer 110.

본 실시예에서는 상술한 것과 같이 측면 디스플레이 장치를 구현하는데 있어서 각 모서리 부분에 불필요한 영역, 즉 플렉서블 기판이 형성될 필요가 없는 영역에 차단막(110)을 형성할 수 있다. 즉, 차단막(110)이 형성된 부분은 최종 공정 이후 디스플레이 장치에 있어서 제거되는 부분 또는 제거가 필요한 부분일 수 있다. 본 실시예와 같이, 단순히 사각 형태가 아닌 특정 형상을 갖는 디스플레이 장치를 제조하는 경우, 기판층(120)이 형성될 필요가 없는 부분, 예컨대 플렉서블 기판 자체를 관통하는 홀을 형성해야 하거나, 모서리 등을 컷팅하는 형상을 갖는 경우에 해당 위치에 차단막(110)을 형성할 수 있다.In the present exemplary embodiment, as described above, the barrier layer 110 may be formed in an unnecessary area at each corner, that is, in a region where the flexible substrate does not need to be formed. That is, the portion where the blocking layer 110 is formed may be a portion to be removed or a portion to be removed in the display device after the final process. As in this embodiment, when manufacturing a display device having a specific shape, not simply a rectangular shape, it is necessary to form a portion through which the substrate layer 120 does not need to be formed, for example, a hole penetrating the flexible substrate itself, an edge, or the like. In the case of having the shape of cutting the blocking film 110 may be formed at the corresponding position.

차단막(110)은 기판층(120) 탈착 단계에서 사용되는 레이저(L)를 블락킹할 수 있는 물질로 형성된다. 일 실시예로 300nm 파장대의 레이저(L)를 사용하는 경우 300nm 파장대 근방에서 90% 이상의 흡수율(또는 10% 이하의 투과율)을 보이는 재로라면 무방하다. 차단막(110)은 예컨대, 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 등 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 일 실시예로, 파장이 308nm인 엑시머 레이저를 사용하는 경우 308nm 파장에서는 비정질실리콘(a-Si)을 사용하는 것이 바람직하다.The blocking layer 110 is formed of a material capable of blocking the laser L used in the desorption step of the substrate layer 120. In one embodiment, when the laser L in the 300 nm wavelength band is used, the material exhibiting an absorption rate of 90% or more (or a transmittance of 10% or less) in the vicinity of the 300 nm wavelength band may be used. The blocking layer 110 may include at least one of, for example, amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO, or the like. In one embodiment, when using an excimer laser having a wavelength of 308 nm, it is preferable to use amorphous silicon (a-Si) at the wavelength of 308 nm.

그 후 도 6a 및 도 6b을 참조하면, 차단막(110) 상에 기판층(120)을 형성하는 단계를 거친다. 기판층(120)은 디스플레이 장치에 있어서 플렉서블 기판으로 이해될 수 있다. 기판층(120)은 차단막(110)의 일부 또는 전부를 덮도록 차단막(110) 상에 형성될 수 있다. 도 6b와 같이 차단막(110)은 상면(110a) 및 측면(110b)을 가질 수 있으며, 측면(110b)을 포함하여 차단막(110)의 단부(110e)로 이해될 수 있다. 기판층(120)은 차단막(110)의 측면의 적어도 일부와 컨택하도록 형성될 수 있으며, 차단막(110)의 상면(110a)의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다.6A and 6B, the substrate layer 120 is formed on the blocking layer 110. The substrate layer 120 may be understood as a flexible substrate in the display device. The substrate layer 120 may be formed on the blocking layer 110 to cover a portion or the entirety of the blocking layer 110. As shown in FIG. 6B, the blocking film 110 may have an upper surface 110a and a side surface 110b, and may be understood as an end portion 110e of the blocking film 110 including the side surface 110b. The substrate layer 120 may be formed to contact at least a portion of the side surface of the blocking layer 110, and may be formed to cover at least a portion of the upper surface 110a of the blocking layer 110.

도 6b과 같이 기판층(120)은 차단막(110)을 덮으며 차단막(110)이 형성되지 않은 지지기판(100)의 제1 면(100a)의 적어도 일부와 직접 컨택하도록 형성될 수 있다. 기판층(120)은 기본적으로 지지기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 형성될 수 있으나, 도 6a와 같이 기판층(120)이 지지기판(100)의 최외곽부를 제외하고 형성될 수도 있다. 도 6a에서는 설명의 편의상 기판층(120)이 지지기판(100)의 최외곽부를 제외하고 형성된 것으로 도시하고 있다.As illustrated in FIG. 6B, the substrate layer 120 may be formed to directly contact at least a portion of the first surface 100a of the supporting substrate 100 on which the blocking layer 110 is not formed. The substrate layer 120 may basically be formed over the entire surface of the support substrate 100, but the substrate layer 120 may be formed except for the outermost portion of the support substrate 100 as shown in FIG. 6A. . In FIG. 6A, for convenience of description, the substrate layer 120 is formed except the outermost part of the support substrate 100.

기판층(120)은 지지기판(100)의 전면(全面)에 형성되며, 일부는 차단막(110)과 중첩되어 배치된다. 상술한 것과 같이, 차단막(110)과 중첩된 부분은 후에 디스플레이 장치를 구성하는 디스플레이 패널로 형성되지 않는 부분인 더미 부분 (DM)으로 이해될 수 있다. 따라서, 차단막(110)과 중첩되는 부분을 제외한 부분만이 플렉서블 기판으로 형성된다. 본 실시예에서 플렉서블 기판이 되는 기판층(120)은 메인영역(MA), 메인영역(MA)에서 연장된 제1 측면영역(EA1), 제2 측면영역(EA2), 제3 측면영역(EA3) 및 제4 측면영역(EA4)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 측면영역(EA1, EA2, EA3, EA4)은 메인영역(MA)의 측면에 배치되는 영역으로, 메인영역(MA)와 맞닿은 벤딩라인(BL)을 중심으로 벤딩되거나 절곡될 수 있다.The substrate layer 120 is formed on the entire surface of the support substrate 100, and part of the substrate layer 120 overlaps the blocking layer 110. As described above, the portion overlapping the blocking layer 110 may be understood as a dummy portion DM, which is a portion which is not formed as a display panel constituting the display device. Therefore, only portions except the portion overlapping with the blocking layer 110 are formed of the flexible substrate. In the present exemplary embodiment, the substrate layer 120 serving as the flexible substrate includes the main region MA, the first side region EA1, the second side region EA2, and the third side region EA3 extending from the main region MA. ) And a fourth side region EA4. The first to fourth side areas EA1, EA2, EA3, and EA4 are areas disposed on the side of the main area MA, and may be bent or bent around the bending line BL that is in contact with the main area MA. have.

그 후 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 단계를 거친다. 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 단계는 즉, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 과정으로 이해될 수 있다. 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 과정은 예컨대, 에칭법을 이용할 수 있으며, 이 경우 습식 에칭 또는 드라이 에칭을 이용할 수 있다. 본 단계는 이에 한정되지 않으나, 기판층(120)을 이루는 물질의 특성에 따라 이의 일부를 제거할 수 있는 공정이면 어느 것을 사용해도 무방하다.7A and 7B, at least a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100 is removed to separate the blocking layer 110 from the substrate layer 120 by a predetermined distance d. Rough The step of separating the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d may be understood as a process of removing at least a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100. A process of removing at least a portion of the substrate layer 120 may use, for example, an etching method, and in this case, wet etching or dry etching may be used. Although the present step is not limited thereto, any process may be used as long as a part thereof may be removed according to the characteristics of the material of the substrate layer 120.

앞서 기판층(120)을 형성하는 단계에서, 기판층(120)의 적어도 일부는 차단막(110)에 접촉하고, 나머지 일부는 지지기판(100)에 접촉할 수 있다. 이와 같은 차단막(110) 상에 기판층(120)을 형성하는 과정에서 차단막(110)의 단부(110e)는 기판층(120)과 접촉할 수 있다. 비교예로서, 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하지 않은 상태에서 기판층(120)을 지지기판(100)으로부터 분리하면, 기판층(120)이 차단막(110)과 접하는 부분에서 기판층(120)의 단면에 손상이 가해질 수 있다. 즉, 기판층(120)이 지지기판(100) 상에 직접 접하는 부분에서 기판층(120)이 찢어지듯이 분리될 수 있기 때문에, 기판층(120)이 형성하는 플렉서블 기판의 단부가 매끄럽지 않게 형성되는 문제가 발생한다.In the forming of the substrate layer 120, at least a part of the substrate layer 120 may contact the blocking layer 110, and the other part may contact the support substrate 100. In the process of forming the substrate layer 120 on the blocking layer 110, the end portion 110e of the blocking layer 110 may contact the substrate layer 120. As a comparative example, when the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100 without removing at least a portion of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100, the substrate layer 120 is blocked. ) May damage the end surface of the substrate layer 120. That is, since the substrate layer 120 may be separated from the portion where the substrate layer 120 is in direct contact with the support substrate 100 as if torn, the end of the flexible substrate formed by the substrate layer 120 is not smoothly formed. A problem arises.

이에 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치의 제조방법에서는 지지기판(100) 상에 형성된 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시킬 수 있다. 이와 같은 제거 과정을 통해, 차단막(110)의 단부(110e)와 기판층(120)의 단부(120e)가 서로 소정 간격(d)으로 이격될 수 있다.Accordingly, in the method of manufacturing the display device according to the exemplary embodiment, at least a part of the substrate layer 120 formed on the support substrate 100 is removed to separate the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d. Can be spaced apart. Through such a removal process, the end portion 110e of the blocking layer 110 and the end portion 120e of the substrate layer 120 may be spaced apart from each other by a predetermined distance d.

한편, 전술한 단계에서 기판층(120)은 차단막(110)을 덮도록 지지기판(100) 상에 형성된다. 따라서 기판층(120)의 적어도 일부는 차단막(110) 상에 위치하고, 다른 일부는 지지기판(100) 상에 위치하게 된다. 다른 실시예로, 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서, 차단막(110) 상에 형성된 기판층(120)을 함께 제거할 수도 있다. 이 경우 차단막(110)과 기판층(120)을 소정 간격(d) 이격시키는 단계를 거친 이후 기판층(120)은 지지기판(100)의 제1 면(100a) 상에만 위치할 수 있다.Meanwhile, in the above-described step, the substrate layer 120 is formed on the supporting substrate 100 to cover the blocking film 110. Therefore, at least a part of the substrate layer 120 is positioned on the blocking layer 110, and the other part is positioned on the support substrate 100. In another embodiment, in the step of removing at least a portion of the substrate layer 120, the substrate layer 120 formed on the blocking layer 110 may be removed together. In this case, the substrate layer 120 may be located only on the first surface 100a of the support substrate 100 after the step of separating the blocking layer 110 and the substrate layer 120 by a predetermined distance d.

다른 실시예로, 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하는 단계에서 차단막(110) 상에 형성된 기판층(120)을 제거하지 않을 수 있다. 즉, 차단막(110)의 단부와 접하는 부분에서 기판층(120)의 적어도 일부를 제거하여 차단막(110)과 기판층(120) 사이가 소정 간격(d) 이격되도록 형성하며, 차단막(110) 상에는 기판층(120)의 일부가 잔존할 수 있다. 차단막(110) 상에 잔존된 기판층(120)의 일부는 디스플레이 장치 및 이를 형성하는 플렉서블 기판과는 관계 없는 더미 부분으로 이해될 수 있으며, 디스플레이 장치의 제조과정이 종료된 이후에도 지지기판(100) 상에 잔존할 수 있다.In another embodiment, the removing of at least a portion of the substrate layer 120 may not remove the substrate layer 120 formed on the blocking layer 110. That is, at least a portion of the substrate layer 120 is removed from the portion in contact with the end of the blocking film 110 to form a spaced distance between the blocking film 110 and the substrate layer 120, and on the blocking film 110. A portion of the substrate layer 120 may remain. A part of the substrate layer 120 remaining on the blocking film 110 may be understood as a dummy part irrelevant to the display device and the flexible substrate forming the same, and the support substrate 100 may be maintained even after the manufacturing process of the display device is completed. May remain in the phase.

다시 도 6b를 참조하면, 도 6b에서 차단막(110)은 상면(110a) 및 상면(110a)과 연결된 측면(110b)을 가지며, 이때 측면(110b)은 차단막(110)의 단부(110e)로 이해될 수 있다. 기판층(120)은 차단막(110)의 상면(110a) 및 측면(110b) 전부를 덮도록 차단막(110) 상에 형성될 수 있다. 이어 도 7b를 참조하면, 차단막(110)의 측면(110b)과 접하는 기판층(120)의 부분은 제거되며, 차단막(110)의 상면(110a)과 접하는 기판층(120)의 부분은 필요에 따라 제거되지 않거나, 일부만 제거되거나, 전부 제거될 수 있다.Referring back to FIG. 6B, in FIG. 6B, the blocking film 110 has an upper surface 110a and a side surface 110b connected to the upper surface 110a, where the side surface 110b is understood as an end portion 110e of the blocking film 110. Can be. The substrate layer 120 may be formed on the blocking layer 110 to cover all of the upper surface 110a and the side surface 110b of the blocking layer 110. 7B, the portion of the substrate layer 120 in contact with the side surface 110b of the blocking film 110 is removed, and the portion of the substrate layer 120 in contact with the top surface 110a of the blocking film 110 is removed. It can therefore be removed, only partially removed, or entirely removed.

이어서 도 8 내지 도 14를 참조하여 설명한다. 도 9는 도 8의 A1부분을 확대하여 도시하고, 도 11은 도 10의 A2부분을 확대하여 도시하며, 도 12는 도 8의 B부분으 확대하여 도시한다.Next, a description will be given with reference to FIGS. 8 to 14. FIG. 9 is an enlarged view of portion A1 of FIG. 8, FIG. 11 is an enlarged view of portion A2 of FIG. 10, and FIG. 12 is an enlarged view of portion B of FIG. 8.

그 후 도 8 및 도 9를 참조하면, 기판층(120) 상에 디스플레이부(200)를 형성하는 단계를 거친다. 디스플레이부(200)는 화소회로(PC, 도 12 참조)를 포함하는 화소회로부(210) 및 회소회로(PC)와 전기적으로 연결된 발광소자(230)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC) 및 발광소자(230)에 대해서는 도 12에서 자세히 설명한다.8 and 9, a process of forming the display unit 200 on the substrate layer 120 is performed. The display unit 200 may include a pixel circuit unit 210 including a pixel circuit PC (refer to FIG. 12) and a light emitting element 230 electrically connected to the recovery circuit PC. The pixel circuit PC and the light emitting device 230 will be described in detail with reference to FIG. 12.

계속해서 도 8을 참조하면, 화소회로부(210)는 도시되어 있지는 않으나 복수의 층들이 적층되어 형성된 다층 구조를 가질 수 있다. 복수의 층들을 순차적으로 적층하고, 필요에 따라 패터닝하여 화소회로(PC)를 형성한다. 화소회로부(210)에는 무기막, 유기막, 금속막 등 다양한 물질을 포함하는 막들이 포함될 수 있다.8, the pixel circuit unit 210 may have a multilayer structure formed by stacking a plurality of layers, although not shown. A plurality of layers are sequentially stacked and patterned as necessary to form a pixel circuit PC. The pixel circuit unit 210 may include films including various materials such as an inorganic film, an organic film, and a metal film.

이 경우 기판층(120)의 일부를 제거하여 노출된 지지기판(100)의 이격 영역(C) 상에도 화소회로부(210)를 구성하는 막들 중 일부가 함께 형성될 수 있다. 화소회로부(210)를 구성하는 막들 중 일부는 지지기판(100) 상에 전면(全面)에 형성될 수 있다.In this case, some of the films constituting the pixel circuit unit 210 may be formed together on the spaced area C of the supporting substrate 100 exposed by removing a portion of the substrate layer 120. Some of the layers constituting the pixel circuit unit 210 may be formed on the entire surface of the support substrate 100.

도 8의 A1부분을 확대한 도 9를 참조하면, 기판층(120)과 차단막(110) 사이의 이격 영역(C) 상에 무기막들(211, 212, 213)이 배치될 수 있다. 무기막들(211, 212, 213)은 예컨대, 도 12에서 후술할 버퍼층(211), 게이트절연막(212), 층간절연막(213) 등일 수 있다. 무기막들(211, 212, 213)은 기판층(120) 상에 형성되나, 이격 영역(C)과 차단막(110)까지 연장되어 형성될 수 있다. 물론 이는 제조과정 중에 형성되는 것으로, 이격 영역(C)과 차단막(110) 상에 형성된 부분은 최종 단계에서는 제거되는 부분이다. 이와 같이 무기막들(211, 212, 213)은 별도의 제거 과정 없이 지지기판(100)의 전면에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9, in which the portion A1 of FIG. 8 is enlarged, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be disposed on the separation area C between the substrate layer 120 and the blocking layer 110. The inorganic layers 211, 212, and 213 may be, for example, a buffer layer 211, a gate insulating layer 212, an interlayer insulating layer 213, and the like, which will be described later with reference to FIG. 12. The inorganic layers 211, 212, and 213 may be formed on the substrate layer 120, but may extend to the separation region C and the blocking layer 110. Of course, this is formed during the manufacturing process, the portion formed on the separation region (C) and the blocking film 110 is a portion removed in the final step. As such, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be formed on the front surface of the support substrate 100 without a separate removal process.

한편, 무기막들(211, 212, 213) 상에는 유기막들(214, 215)이 형성될 수도 있는데, 유기막들(214, 215)은 무기막들(211, 212, 213)과는 달리 이격 영역(C) 상에 형성되지 않을 수 있다.Meanwhile, organic layers 214 and 215 may be formed on the inorganic layers 211, 212 and 213, and the organic layers 214 and 215 may be spaced apart from the inorganic layers 211, 212 and 213. It may not be formed on the region (C).

그 후 도 10 및 도 10의 A2 부분을 확대한 도 11을 참조하면, 이격 영역(C) 상에 형성된 무기막들(211, 212, 213)을 제거하는 단계를 거칠 수 있다. 이격 영역(C) 상에 형성된 무기막들(211, 212, 213)을 제거하지 않고 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 경우, 이격 영역(C) 상에서 형성된 무기막들(211, 212, 213)에 크랙이 발생하면서 디스플레이부(200)까지 전파되어 디스플레이부(200)를 손상시키는 문제점이 발생할 수 있다. 이와 같은 문제를 방지하기 위하여, 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하기 전에 이격 영역(C) 상에 형성된 무기막들(211, 212, 213)을 제거하는 공정을 거칠 수 있다. Thereafter, referring to FIG. 11, in which the portion A2 of FIG. 10 and FIG. 10 are enlarged, the inorganic layers 211, 212, and 213 formed on the separation region C may be removed. When the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100 without removing the inorganic layers 211, 212, and 213 formed on the separation region C, the inorganic layers 211 formed on the separation region C. , 212, 213 may cause cracks to propagate to the display unit 200 to damage the display unit 200. In order to prevent such a problem, the inorganic layers 211, 212, and 213 formed on the separation region C may be removed before the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100.

무기막들(211, 212, 213)의 적어도 일부를 제거하는 과정은 예컨대, 에칭법을 이용할 수 있으며, 이 경우 습식 에칭 또는 드라이 에칭을 이용할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 일 실시예로, 무기막들(211, 212, 213)은 동시에 제거될 수 있다. 즉, 무기막들(211, 212, 213)은 일괄 에칭으로 제거될 수 있다. 다른 실시예로, 무기막들(211, 212, 213)은 개별적으로 제거될 수도 있다. 이와 같이 무기막들(211, 212, 213)은 개별 공정으로 제거될 수도 있고, 화소회로부(210)를 형성하는 과정에서 컨택홀 등을 형성하는 과정에서 동시에 제거될 수도 있다. 공정의 추가 없이 무기막들(211, 212, 213)을 제거하기 위해서는 화소회로부(210)를 형성하는 과정에서 동시에 제거하는 것이 바람직하다.For example, an etching method may be used to remove at least a portion of the inorganic layers 211, 212, and 213. In this case, wet etching or dry etching may be used, but the present invention is not limited thereto. Also, in one embodiment, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be removed at the same time. In other words, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be removed by batch etching. In another embodiment, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be individually removed. As described above, the inorganic layers 211, 212, and 213 may be removed in a separate process, or may be simultaneously removed in the process of forming contact holes in the process of forming the pixel circuit unit 210. In order to remove the inorganic layers 211, 212, and 213 without the addition of a process, it is preferable to simultaneously remove the same in the process of forming the pixel circuit unit 210.

한편, 도 12는 도 8의 B부분을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 12에서는 기판층(120) 상에 형성된 디스플레이부(200)의 구조를 도시한다.12 is an enlarged cross-sectional view of part B of FIG. 8. 12 illustrates the structure of the display unit 200 formed on the substrate layer 120.

본 실시예에 따른 디스플레이부(200)는 기판층(120) 상에 형성되는 화소회로부(210) 및 화소회로부(210)와 전기적으로 연결된 발광소자(230)를 포함할 수 있다. 화소회로부(210)는 박막트랜지스터(TFT), 커패시터(미도시) 및 배선들을 포함할 수 있다. 도 12에서는 발광소자(230)로서 유기발광소자를 예로 도시하나, 본 발명에 따른 발광소자(230)가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광소자(230)는 무기발광소자 또는 액정소자일 수도 있다.The display unit 200 according to the present exemplary embodiment may include a pixel circuit unit 210 formed on the substrate layer 120 and a light emitting element 230 electrically connected to the pixel circuit unit 210. The pixel circuit unit 210 may include a thin film transistor (TFT), a capacitor (not shown), and wires. In FIG. 12, the organic light emitting device is illustrated as the light emitting device 230, but the light emitting device 230 according to the present invention is not necessarily limited thereto. The light emitting device 230 may be an inorganic light emitting device or a liquid crystal device.

기판층(120)은 본 발명의 일 실시예에 있어서 플렉서블 기판(FS)일 수 있다. 기판층(120)은 플렉서블 특성을 갖는 것으로서, 내열성 및 내구성이 우수한 금속재 또는 플라스틱재로 형성된 것일 수 있다. 플라스틱재는 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(PA, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리페닐렌설파이드(PPS, polyphenylene sulfide),폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulosetriacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate), 폴리아릴렌에테르술폰(polyaryleneether sulfone)등과 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다.The substrate layer 120 may be a flexible substrate FS in an embodiment of the present invention. The substrate layer 120 has flexible characteristics, and may be formed of a metal or plastic material having excellent heat resistance and durability. Plastic materials include, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyimide (PI, polyimide), polyethersulfone (PES, polyethersulfone), polyacrylate (PA, polyacrylate), Polyether imide (PEI, polyetherimide), polyphenylene sulfide (PPS, polyphenylene sulfide), polyarylate (PAR, polyarylate), polycarbonate (PC, polycarbonate), cellulose triacetate, cellulose acetate propionate (CAP, cellulose acetate propionate), polyaryleneether sulfone (polyaryleneether sulfone) and the like can be formed from a variety of materials.

기판층(120) 상에는 기판층(120)의 면을 평탄화하기 위해 또는 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(222)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(211)이 배치되고, 이 버퍼층(211) 상에 반도체층(222)이 위치하도록 할 수 있다.A buffer layer formed of silicon oxide or silicon nitride or the like on the substrate layer 120 to planarize the surface of the substrate layer 120 or to prevent impurities or the like from penetrating into the semiconductor layer 222 of the TFT. 211 may be disposed, and the semiconductor layer 222 may be positioned on the buffer layer 211.

반도체층(222)의 상부에는 게이트전극(224)이 배치되는데, 이 게이트전극(224)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(226s) 및 드레인전극(226d)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(224)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 224 is disposed on the semiconductor layer 222, and the source electrode 226s and the drain electrode 226d are electrically communicated with each other by a signal applied to the gate electrode 224. The gate electrode 224 is made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layers, and workability. , Gold (Au), Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W) It may be formed of a single layer or multiple layers of one or more materials of copper (Cu).

이때 반도체층(222)과 게이트전극(224)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 무기 절연막인 게이트절연막(212)이 반도체층(222)과 게이트전극(224) 사이에 개재될 수 있다. 이 경우 게이트절연막(212)은 게이트 절연막으로 이해될 수 있다.In this case, in order to ensure insulation between the semiconductor layer 222 and the gate electrode 224, the gate insulating film 212, which is an inorganic insulating film formed of silicon oxide and / or silicon nitride, is formed of the semiconductor layer 222 and the gate electrode ( 224). In this case, the gate insulating film 212 may be understood as a gate insulating film.

게이트전극(224)의 상부에는 층간절연막(223)이 배치될 수 있는데, 이러한 층간절연막(223)은 무기 절연막으로 형성될 수 있으며, 예컨대 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이 경우 층간절연막(223)은 층간 절연막으로 이해될 수 있다.An interlayer insulating layer 223 may be disposed on the gate electrode 224. The interlayer insulating layer 223 may be formed of an inorganic insulating layer, for example, formed of a single layer of a material such as silicon oxide, silicon nitride, or the like. It can be formed in multiple layers. In this case, the interlayer insulating film 223 may be understood as an interlayer insulating film.

층간절연막(223)의 상부에는 소스전극(226s) 및 드레인전극(226d)이 배치된다. 소스전극(226s) 및 드레인전극(226d)은 층간절연막(223)과 게이트절연막(212)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(222)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(226s) 및 드레인전극(226d)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The source electrode 226s and the drain electrode 226d are disposed on the interlayer insulating film 223. The source electrode 226s and the drain electrode 226d are electrically connected to the semiconductor layer 222 through contact holes formed in the interlayer insulating film 223 and the gate insulating film 212, respectively. The source electrode 226s and the drain electrode 226d are made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel ( At least one of Ni, neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) It can be formed of a single layer or multiple layers of material.

한편 도면에는 도시되지 않았으나, 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.Although not shown in the drawings, a protective film (not shown) covering the thin film transistor TFT may be disposed to protect the thin film transistor TFT having such a structure. The protective film may be formed of, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride.

한편, 박막트랜지스터(TFT) 상에 비아층(214)이 배치될 수 있다. 이 경우 비아층(214)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 이러한 비아층(214)은 박막트랜지스터(TFT) 상부에 발광소자(230)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT) 의 상면을 대체로 평탄화하게 하고, 박막트랜지스터(TFT) 및 각종 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이러한 비아층(214) 은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the via layer 214 may be disposed on the thin film transistor TFT. In this case, the via layer 214 may be a planarization film or a protective film. When the light emitting device 230 is disposed on the TFT, the via layer 214 substantially flattens the top surface of the TFT and protects the TFT and various devices. . The via layer 214 may be formed of, for example, acrylic organic material or benzocyclobutene (BCB).

이때 도 12에 도시된 것과 같이, 버퍼층(211), 게이트절연막(212), 층간절연막(223) 및 비아층(214)은 기판층(120)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 12, the buffer layer 211, the gate insulating film 212, the interlayer insulating film 223, and the via layer 214 may be formed on the entire surface of the substrate layer 120.

한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(215)이 배치될 수 있다. 화소정의막(215)은 상술한 비아층(214) 상에 위치할 수 있으며, 화소 영역을 정의하는 개구를 가질 수 있다. 이러한 화소정의막(215)은 후술할 화소전극(232)의 중앙부를 노출시키며 가장자리를 덮도록 배치될 수 있다.The pixel defining layer 215 may be disposed on the thin film transistor TFT. The pixel definition layer 215 may be positioned on the above-described via layer 214 and may have an opening defining a pixel area. The pixel defining layer 215 may be disposed to cover an edge of the pixel electrode 232 to be described later.

이러한 화소정의막(215)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.The pixel definition layer 215 may be formed of, for example, an organic insulating layer. Such organic insulating films include acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polymer derivatives having phenol groups, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorinated polymers and p-xylene It may include a polymer, a vinyl alcohol polymer and mixtures thereof.

한편, 화소정의막(215) 상에는 발광소자(230)가 배치될 수 있다. 발광소자(230)는 화소전극(232), 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하는 중간층(234) 및 대향전극(236)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device 230 may be disposed on the pixel definition layer 215. The light emitting device 230 may include a pixel electrode 232, an intermediate layer 234 including an emission layer (EML), and an opposite electrode 236.

화소전극(232)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au,Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The pixel electrode 232 may be formed as a (semi) transparent electrode or a reflective electrode. When formed as a (semi) transparent electrode, it may be formed of, for example, ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3, IGO or AZO. When formed as a reflective electrode, a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and a layer formed of ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO, or AZO May have Of course, the present invention is not limited thereto, and may be formed of various materials, and various modifications may be made, such as the structure may be a single layer or a multilayer.

화소정의막(215)에 의해 정의된 화소영역에는 중간층(234)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 중간층(234)은 전기적 신호에 의해 빛을 발광하는 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층(EML)을 이외에도 발광층(EML)과 화소전극(232) 사이에 배치되는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및 발광층(EML)과 대향전극(236) 사이에 배치되는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(234)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.The intermediate layer 234 may be disposed in the pixel area defined by the pixel defining layer 215. The intermediate layer 234 includes an emission layer (EML) that emits light by an electrical signal, and in addition to the emission layer EML, a hole injection layer HIL disposed between the emission layer EML and the pixel electrode 232. : Hole Injection Layer (HTL), Hole Transport Layer (HTL), Electron Transport Layer (ETL), Electron Injection Layer (EIL) disposed between EML and Counter Electrode 236 Etc. may be formed by being stacked in a single or complex structure. Of course, the intermediate layer 234 is not necessarily limited thereto, and may have various structures.

발광층(EML)을 포함하는 중간층(234)을 덮으며 화소전극(232)에 대향하는 대향전극(236)이 기판층(120) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(236)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.An opposite electrode 236 covering the intermediate layer 234 including the emission layer EML and facing the pixel electrode 232 may be disposed over the entire surface of the substrate layer 120. The counter electrode 236 may be formed as a (semi) transparent electrode or a reflective electrode.

대향전극(236)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(236)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(236)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.When the counter electrode 236 is formed as a (semi) transparent electrode, a layer formed of a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and a compound thereof, and ITO, IZO It may have a (semi) transparent conductive layer, such as ZnO or In2O3. When the counter electrode 236 is formed as a reflective electrode, the counter electrode 236 may have a layer formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and a compound thereof. Of course, the configuration and material of the counter electrode 236 is not limited thereto, and various modifications are possible.

도 13 및 도 14를 참조하면, 먼저 도 13과 같이 발광소자를 덮도록 기판층(120) 상부에 봉지부(240)를 형성할 수 있다. 봉지부(240)는 도시되어 있지는 않으나, 무기막과 유기막이 복합막일 수 있다. 봉지부(240)는 외기 및 불순물로부터 디스플레이부(200)를 보호하는 역할을 한다. 13 and 14, an encapsulation part 240 may be formed on the substrate layer 120 to cover the light emitting device as shown in FIG. 13. The encapsulation part 240 is not shown, but the inorganic film and the organic film may be a composite film. The encapsulation unit 240 serves to protect the display unit 200 from outside air and impurities.

그 후 도 14와 같이 지지기판(100)으로부터 기판층(120)을 분리하는 단계를 거친다. 일 실시예로, 기판층(120)에 레이저(L)를 조사하는 레이저 탈착방식(Laser Release)에 따라 기판층(120)과 지지기판(100)을 분리시킬 수 있다. 레이저(L)는 지지기판(100)의 제2 면(100b) 측에서 지지기판(100)의 제1 면(100a)과 기판층(120)이 접촉하는 면을 향해 조사할 수 있다. 레이저(L)는 예컨대, 파장이 308nm인 엑시머 레이저, 파장이 343nm 또는 355nm인 고체 UV 레이저 등을 사용할 수 있다. 레이저광의 조사에는 선형 레이저 장치를 사용하는 것이 바람직하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Thereafter, as shown in FIG. 14, the substrate layer 120 is separated from the support substrate 100. In one embodiment, the substrate layer 120 and the support substrate 100 may be separated by a laser release method for irradiating the laser L to the substrate layer 120. The laser L may be irradiated toward a surface where the first surface 100a of the support substrate 100 and the substrate layer 120 contact each other on the second surface 100b side of the support substrate 100. As the laser L, for example, an excimer laser having a wavelength of 308 nm, a solid UV laser having a wavelength of 343 nm or 355 nm, or the like can be used. It is preferable to use a linear laser device for irradiation of the laser light, but the present invention is not limited thereto.

스트레쳐블 디스플레이, 엣지 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이의 구현을 위해서는 패널 전체적인 형상뿐만 아니라 내부 구조에서도 기존의 디스플레이 장치와는 다른 설계가 요구된다. 이를 위해 디스플레이 패널의 기계적 변형 및 형상의 자유도를 증가시키는 기술이 핵심으로 작용한다. 그러나 이와 같은 설계의 변형은 기존의 기판의 제조방법으로는 한계가 존재한다. 특히, 측면에도 디스플레이 영역을 갖는 플렉서블 디스플레이 장치의 경우, 디스플레이 패널의 전체적인 형상 성형을 위하여 기존 공정에 더해 필름 컷팅 등의 추가 공정이 요구된다. 또한, 스트레쳐블 디스플레이 장치에서는 연신 픽셀 구조 형성 결과 기능적으로 동작하지 않는 더미 영역이 형성되는데, 기존의 제조공정으로는 더미 영역의 선택적 제거가 불가능하다.In order to implement next-generation displays such as stretchable displays and edge displays, a design different from existing display devices is required not only for the overall shape of the panel but also for its internal structure. To this end, the technology of increasing the degree of freedom of mechanical deformation and shape of the display panel serves as a key. However, such a modification of the design is limited to the existing manufacturing method of the substrate. In particular, in the case of the flexible display device having the display area on the side, an additional process such as film cutting is required in addition to the existing process for forming the overall shape of the display panel. In addition, in the stretchable display apparatus, a dummy region which is not functionally formed is formed as a result of the formation of the stretched pixel structure, and it is impossible to selectively remove the dummy region by a conventional manufacturing process.

이에 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조방법에서는 기판층, 즉 플렉서블 기판의 탈착 과정에서 원하는 영역만 탈착이 가능하도록 구현하여 추가 공정 없이 상기와 같은 문제점들을 획기적으로 해결할 수 있다.Accordingly, in the method of manufacturing the display substrate and the method of manufacturing the display apparatus according to an embodiment of the present invention, the above-described problems without the additional process are realized by implementing the detachable process of only the desired area in the process of detaching the substrate layer, that is, the flexible substrate. You can solve it.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

100: 지지기판
110: 차단막
120: 기판층
200: 디스플레이부
210: 화소회로부
211: 버퍼층
212: 게이트절연막
213: 층간절연막
214: 비아층
215: 화소정의막
230: 발광소자
240: 봉지부
EA1, EA2, EA3, EA4: 측면영역
P: 화소100: support substrate
110: barrier
120: substrate layer
200: display unit
210: pixel circuit portion
211: buffer layer
212: gate insulating film
213: interlayer insulating film
214: Via layer
215: pixel defining layer
230: light emitting element
240: encapsulation
EA1, EA2, EA3, EA4: Side Areas
P: pixel

Claims (21)

제1 면 및 제1 면의 반대측에 제2 면을 갖는 지지기판을 준비하는 단계;
상기 지지기판의 제1면 상에 차단막을 패터닝하는 단계;
상기 차단막을 덮도록 상기 지지기판 상에 기판층을 형성하는 단계;
상기 기판층의 적어도 일부를 제거하여 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계; 및
상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계;
를 구비하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.Preparing a support substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
Patterning a blocking film on the first surface of the support substrate;
Forming a substrate layer on the support substrate to cover the blocking film;
Removing at least a portion of the substrate layer to separate the blocking layer from the substrate layer by a predetermined interval; And
Separating the substrate layer from the support substrate;
The manufacturing method of the board | substrate for display apparatuses provided with. 제1항에 있어서,
상기 기판층을 형성하는 단계에서 상기 기판층의 적어도 일부는 상기 차단막에 접촉하고, 나머지 일부는 상기 지지기판에 접촉하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
And forming at least a portion of the substrate layer in contact with the blocking layer and a portion of the substrate layer in contact with the support substrate in the forming of the substrate layer. 제1항에 있어서,
상기 차단막은 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 중 적어도하나를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
The blocking film includes at least one of amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO. 제1항에 있어서,
상기 차단막은 300nm 파장의 레이저에 대하여 90%이상의 흡수율을 갖는 물질을 포함하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
The blocking film is a manufacturing method of a substrate for a display device comprising a material having an absorption of more than 90% for a laser of 300nm wavelength. 제1항에 있어서,
상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계는, 상기 기판층의 적어도 일부를 에칭하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
The method of manufacturing a substrate for a display device according to claim 1, wherein the separating of the barrier layer from the substrate layer by a predetermined interval comprises etching at least a portion of the substrate layer. 제1항에 있어서,
상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에 있어서,
상기 차단막은 상면 및 상면과 연결된 측면을 가지며, 상기 차단막의 측면과 접촉하는 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하는 단계인, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
In the step of separating the blocking film and the substrate layer by a predetermined interval,
The blocking film has an upper surface and a side surface connected to the upper surface, and removing at least a portion of the substrate layer in contact with the side surface of the blocking film, a method for manufacturing a substrate for a display device. 제1항에 있어서,
상기 기판층을 분리하는 단계는, 상기 지지기판의 제2 면에 레이저를 조사하여 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계인, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
The separating of the substrate layer may include separating the substrate layer from the supporting substrate by irradiating a laser to a second surface of the supporting substrate. 제7항에 있어서,
상기 기판층을 분리하는 단계에서, 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리할 때 상기 차단막은 상기 지지기판으로부터 분리되지 않는, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 7, wherein
And in the step of separating the substrate layer, the blocking film is not separated from the support substrate when the substrate layer is separated from the support substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판층은 플렉서블 기판인, 디스플레이 장치용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
And the substrate layer is a flexible substrate. 제1 면 및 제1 면의 반대측에 제2 면을 갖는 지지기판을 준비하는 단계;
상기 지지기판의 제1면 상에 차단막을 패터닝하는 단계;
상기 차단막을 덮도록 상기 지지기판 상에 기판층을 형성하는 단계;
상기 기판층의 적어도 일부를 제거하여 상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계;
상기 기판층 상에 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 화소를 포함하는 디스플레이부를 형성하는 단계; 및
상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계;
를 구비하는, 디스플레이 장치의 제조방법.Preparing a support substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
Patterning a blocking film on the first surface of the support substrate;
Forming a substrate layer on the support substrate to cover the blocking film;
Removing at least a portion of the substrate layer to separate the blocking layer from the substrate layer by a predetermined interval;
Forming a display unit including a pixel circuit and a pixel electrically connected to the pixel circuit on the substrate layer; And
Separating the substrate layer from the support substrate;
Method of manufacturing a display device, comprising a. 제10항에 있어서,
상기 디스플레이부 상에 상기 디스플레이부를 외부로부터 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 10,
And forming an encapsulation part encapsulating the display part from the outside on the display part. 제10항에 있어서,
상기 기판층을 형성하는 단계에서 상기 기판층의 적어도 일부는 상기 차단막에 접촉하고, 나머지 일부는 상기 지지기판에 접촉하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 10,
And forming at least a portion of the substrate layer in contact with the blocking layer and a portion of the substrate layer in contact with the support substrate in the forming of the substrate layer. 제10항에 있어서,
상기 차단막은 비정질실리콘(a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO 중 적어도 하나를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 10,
The blocking film includes at least one of amorphous silicon (a-Si), Poly-Si, Crystalline-Si, ZnO, IZO. 제10에 있어서,
상기 차단막은 300nm 파장의 레이저에 대하여 90%이상의 흡수율을 갖는 물질을 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 10,
The blocking film is a manufacturing method of a display device comprising a material having an absorption of more than 90% for a laser of 300nm wavelength. 제10에 있어서,
상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계는, 상기 기판층의 적어도 일부를 에칭하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 10,
The spaced apart separation of the barrier layer and the substrate layer may include etching at least a portion of the substrate layer. 제10에 있어서,
상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에 있어서,
상기 차단막은 상면 및 상면과 연결된 측면을 가지며, 상기 차단막의 측면과 접촉하는 상기 기판층의 적어도 일부를 제거하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 10,
In the step of separating the blocking film and the substrate layer by a predetermined interval,
The blocking film has an upper surface and a side surface connected to the upper surface, and removing at least a portion of the substrate layer in contact with the side surface of the blocking film, manufacturing method of a display device. 제10에 있어서,
상기 기판층을 분리하는 단계는, 상기 지지기판의 제2 면에 레이저를 조사하여 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법.The method according to claim 10,
The separating of the substrate layer may include separating the substrate layer from the supporting substrate by irradiating a laser to the second surface of the supporting substrate. 제17항에 있어서,
상기 기판층을 분리하는 단계에서, 상기 지지기판으로부터 상기 기판층을 분리할 때 상기 차단막은 상기 지지기판으로부터 분리되지 않는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 17,
And in the step of separating the substrate layer, the blocking layer is not separated from the support substrate when the substrate layer is separated from the support substrate. 제10항에 있어서,
상기 기판층은 플렉서블 기판인, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 10,
And the substrate layer is a flexible substrate. 제10항에 있어서,
상기 차단막과 상기 기판층을 소정 간격 이격시키는 단계에서, 상기 소정 간격을 통해 상기 기판층의 적어도 일부가 노출되는 이격 영역이 형성되고,
상기 디스플레이부를 형성하는 단계는, 상기 기판층 상에 무기층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 무기층의 적어도 일부는 상기 기판층의 이격 영역과 접촉하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 10,
In the separating of the barrier layer and the substrate layer by a predetermined interval, a spaced area where at least a portion of the substrate layer is exposed through the predetermined interval is formed,
The forming of the display unit includes forming an inorganic layer on the substrate layer,
At least a portion of the inorganic layer is in contact with a spaced area of the substrate layer. 제21항에 있어서,
상기 기판층을 분리하는 단계 전에, 상기 기판층의 이격 영역 상부에 형성된 상기 무기층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.The method of claim 21,
Before removing the substrate layer, removing the inorganic layer formed on the separation region of the substrate layer.
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