KR20050028740A - Method for testing semiconductor chip - Google Patents

Method for testing semiconductor chip Download PDF

Info

Publication number
KR20050028740A
KR20050028740A KR1020030065262A KR20030065262A KR20050028740A KR 20050028740 A KR20050028740 A KR 20050028740A KR 1020030065262 A KR1020030065262 A KR 1020030065262A KR 20030065262 A KR20030065262 A KR 20030065262A KR 20050028740 A KR20050028740 A KR 20050028740A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
test
semiconductor chips
semiconductor
integrated circuit
Prior art date
Application number
KR1020030065262A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김홍범
박호진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030065262A priority Critical patent/KR20050028740A/en
Publication of KR20050028740A publication Critical patent/KR20050028740A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line

Abstract

A method for testing a semiconductor chip is provided to efficiently use the area of a semiconductor chip by using a scribe line formed between adjacent semiconductor chips, thereby singulating a plurality of semiconductor chips. A plurality of semiconductor chips(203,204) including circuit devices are formed in a semiconductor substrate. A scribe line is formed between adjacent chips to singulate the plurality of semiconductor chips. A test circuit(211) is formed in the scribe line. The plurality of semiconductor chips are tested by using the test circuit. The output signal of the test circuit is applied to a probe card(202) for transferring a power supply voltage or a function signal to the plurality of semiconductor chip so as to test the plurality of semiconductor chips.

Description

반도체 칩 테스트 방법{METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR CHIP}Semiconductor chip test method {METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR CHIP}

본 발명은 반도체 칩 테스트 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스크라이브 라인(Scribe Line)을 이용하여 반도체 칩을 테스트하는 반도체 칩 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor chip test method, and more particularly, to a semiconductor chip test method for testing a semiconductor chip using a scribe line.

반도체 칩의 제조 공정(Fabrication Process)들이 모두 완료되면 패키지(Package) 공정을 위한 절삭(Sawing) 단계로 들어가지 전에 반도체 기판 상에 형성된 각각의 반도체 칩들의 여러가지 특성들을 측정하는 반도체 칩 테스트를 거치게 된다.Once the fabrication process of the semiconductor chip has been completed, the semiconductor chip test is performed to measure various characteristics of each semiconductor chip formed on the semiconductor substrate before entering the cutting step for the package process. .

상기 반도체 칩 테스트는 반도체 기판의 제조 공정이나 어셈블리 공정 등의 과정에서의 결함을 발견해 내어 불량품을 제거해서 양품만을 골라내기 위한 과정이다.The semiconductor chip test is a process for finding defects in a process such as a semiconductor substrate manufacturing process or an assembly process to remove defective products and to select only good products.

상기 반도체 칩 테스트를 통해서 제조상의 결함이나 설계와 기능상의 불일치가 발견되면 그 정확한 원인을 조사하기 위하여 불량 분석(Failure Analysis)을 수행하며, 그럼으로써 반도체 칩의 생산성(Through-put)을 높일 수 있다.If a manufacturing defect or a design and function inconsistency is found through the semiconductor chip test, a failure analysis is performed to investigate the exact cause thereof, thereby increasing the productivity of the semiconductor chip. .

상기 반도체 칩 테스트에서는 테스터 장비를 이용하여 반도체 칩의 DC 특성, AC 특성을 측정한다. 상기 반도체 칩 테스트의 DC 특성을 측정하는 경우에는 반도체 칩의 각 전극마다에 전압을 인가하고 전류를 측정하거나 전류를 인가하여 전압을 측정하여 반도체 칩 내부에 전원 배선의 안정성, 소모 전류 및 누설(Leakage) 전류 등을 측정한다.In the semiconductor chip test, the DC characteristics and the AC characteristics of the semiconductor chip are measured by using tester equipment. In the case of measuring the DC characteristics of the semiconductor chip test, voltage is applied to each electrode of the semiconductor chip, and a current is measured or a current is measured to measure the voltage so that the stability, power consumption, and leakage of power wiring inside the semiconductor chip are measured. ) Measure current, etc.

상기 반도체 칩 테스트의 AC 특성을 측정하는 경우에는 반도체 칩의 입력 단자에 펄스 신호를 인가하여 출력 신호의 전이 시간(Rising time, Falling time), 하이 상태 또는 로우 상태를 인식하는 전압 레벨, 입출력 전달 지연 시간, 액세스 시간(Access time;tRAC, tCAC, tCAA) 등의 동적 특성을 측정한다.In the case of measuring the AC characteristic of the semiconductor chip test, a pulse signal is applied to an input terminal of the semiconductor chip so that a transition time (rising time, falling time) of an output signal, a voltage level recognizing a high state or a low state, an input / output propagation delay Dynamic characteristics such as time and access time (tRAC, tCAC, tCAA) are measured.

종래에는 반도체 칩 테스트를 수행하기 위해서는 반도체 칩 내에 별도의 테스트 회로를 형성시켜야만 했으므로 반도체 칩의 면적이 증가되고 상기 테스트 회로가 상기 반도체 칩의 동작에 영향을 줄 수 있는 문제점이 있었다.In the related art, in order to perform a semiconductor chip test, a separate test circuit must be formed in the semiconductor chip, so that an area of the semiconductor chip is increased and the test circuit may affect the operation of the semiconductor chip.

따라서 본 발명은 다수의 반도체 칩들이 개별화되기 위하여 인접하는 반도체 칩들 사이에 형성되어 있는 스크라이브 라인(Scribe Line)을 이용하여 반도체 칩을 테스트하는 반도체 칩 테스트 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor chip test method for testing a semiconductor chip using a scribe line formed between adjacent semiconductor chips so that a plurality of semiconductor chips are individualized.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 칩 테스트 방법은 회로 소자들을 포함하는 다수의 반도체 칩들이 형성되어 있고, 상기 다수의 반도체 칩들이 개별화되기 위하여 인접하는 반도체 칩들 사이에 스크라이브 라인이 형성되어 있는 반도체 기판에서 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 반도체 칩 테스트에 있어서, 상기 스크라이브 라인에 테스트 회로가 형성되고 상기 테스트 회로를 이용하여 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the semiconductor chip test method according to an embodiment of the present invention, a plurality of semiconductor chips including circuit elements are formed, and the plurality of semiconductor chips are disposed between adjacent semiconductor chips to be individualized. A semiconductor chip test for testing the plurality of semiconductor chips in a semiconductor substrate having a scribe line, wherein the test circuit is formed on the scribe line and the plurality of semiconductor chips are tested using the test circuit. .

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 칩 테스트 방법은 상기 다수의 반도체 칩들에게 전원 전압이나 펑션 신호를 전달하는 프로브 카드에 상기 테스트 회로의 출력 신호를 인가하여 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor chip test method according to another embodiment of the present invention is characterized by testing the plurality of semiconductor chips by applying an output signal of the test circuit to a probe card that delivers a power voltage or a function signal to the plurality of semiconductor chips. do.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 칩 테스트 방법은 상기 테스트 회로가 주파수 체배기인 것을 특징으로 한다.The semiconductor chip test method according to another embodiment of the present invention is characterized in that the test circuit is a frequency multiplier.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 칩 테스트 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor chip test method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 반도체 기판 상에 형성된 반도체 칩 및 스크라이브 라인의 평면도이다.1 is a plan view of a semiconductor chip and a scribe line formed on a semiconductor substrate.

반도체 기판(Substrate; 도시하지 않음) 상에 여러가지의 반도체 칩 제조 공정들을 수행함으로써 다양한 회로 소자들(모스 트랜지스터, 캐패시터, 저항 등)을 포함하는 다수의 집적 회로(Integrated Circuit; IC) 반도체 칩들(101 내지 104)이 형성된다.A plurality of integrated circuit (IC) semiconductor chips 101 including various circuit elements (MOS transistors, capacitors, resistors, etc.) by performing various semiconductor chip manufacturing processes on a semiconductor substrate (not shown). To 104).

제조 공정이 완료된 후에는 다수의 집적 회로 반도체 칩들(101 내지 104)을 개별화하기 위해서 반도체 기판이 절삭(Sawing)된다. 상기 절삭으로부터 상기 다수의 집적 회로 반도체 칩들(101 내지 104)을 보호하기 위하여 인접하는 집적 회로 반도체 칩들 사이에는 상기 절삭에 필요한 빈 공간이 형성되며, 이러한 빈 공간은 스크라이브 라인(Scribe Line; 111 내지 116)이라고 불린다. 상기 스크라이브 라인(111 내지 116)에는 상기 집적 회로 반도체 칩을 구성하는 회로 소자들은 형성되지 않는다.After the manufacturing process is completed, the semiconductor substrate is cut to individualize the plurality of integrated circuit semiconductor chips 101 to 104. In order to protect the plurality of integrated circuit semiconductor chips 101 to 104 from the cutting, an empty space necessary for the cutting is formed between adjacent integrated circuit semiconductor chips, and the empty space is a scribe line (111 to 116). It is called). Circuit elements constituting the integrated circuit semiconductor chip are not formed in the scribe lines 111 to 116.

상기 스크라이브 라인(111 내지 116)에 테스트 회로를 형성시킴으로써, 상기 테스트 회로를 상기 집적 회로 반도체 칩 내에 형성시킬 필요가 없으므로 상기 집적 회로 반도체 칩의 면적이 증가되지 않는다.By forming a test circuit in the scribe lines 111 to 116, the area of the integrated circuit semiconductor chip is not increased since the test circuit does not need to be formed in the integrated circuit semiconductor chip.

종래에도 상기 집적 회로 반도체 칩을 구성하는 다양한 소자들의 전기적인 특성을 알아보기 위하여, 테스트 소자 그룹(Test Element Group; TEG)이 상기 스크라이브 라인에 형성된다. 그리고 상기 테스트 소자 그룹이 반도체 기판 상에 형성된 상기 다수의 집적 회로 반도체 칩들 내의 소자들이 적절하게 형성되어 있는지를 판단하기 위하여 전기적으로 테스트된다.Conventionally, a test element group (TEG) is formed in the scribe line in order to examine electrical characteristics of various elements constituting the integrated circuit semiconductor chip. The test device group is then electrically tested to determine whether devices in the plurality of integrated circuit semiconductor chips formed on a semiconductor substrate are properly formed.

상기 테스트 소자 그룹은 상기 다수의 집적 회로 반도체 칩들 내에 소자들을 형성하기 위하여 사용되는 공정과 동일한 공정을 이용하여 형성되기 때문에 상기 테스트 소자 그룹의 전기적인 특성을 측정하는 것이 상기 다수의 집적 회로 반도체 칩들 내에 형성되어 있는 소자들의 전기적인 특성을 측정하는 것과 같다고 할 수 있다.Since the test device group is formed using the same process as the process used to form devices in the plurality of integrated circuit semiconductor chips, measuring the electrical characteristics of the test device group in the plurality of integrated circuit semiconductor chips It is like measuring the electrical characteristics of the devices formed.

또한 제조 공정(Fabrication Process) 중에 상기 다수의 집적 회로 반도체 칩들의 위치를 정렬시키기 위한 얼라인 키(Align Key)도 상기 스크라이브 라인에 형성된다.In addition, an alignment key for aligning positions of the plurality of integrated circuit semiconductor chips is also formed in the scribe line during a fabrication process.

그러나 현재는 상기 집적 회로 반도체 칩의 밀도가 증가되는 추세에 있어서 상기 집적 회로 반도체 칩의 면적이 감소함에 따라 상기 스크라이브 라인의 면적은 증가되고 있다. 따라서 상기 테스트 소자 그룹이나 상기 얼라인 키가 형성되지 않는 스크라이브 라인의 면적도 증가되고 있다.However, in the current trend of increasing the density of the integrated circuit semiconductor chip, the area of the scribe line is increasing as the area of the integrated circuit semiconductor chip is reduced. Therefore, the area of the scribe line in which the test device group or the alignment key is not formed is also increased.

집적 회로 반도체 칩 테시트 시에 테스트 타이밍은 집적 회로 반도체 칩의 동작 주파수에 의해서 결정되기 보다는 테스터 장비가 제공하는 펄스 신호의 주파수에 의해서 결정된다.In the integrated circuit semiconductor chip test sheet, the test timing is determined not by the operating frequency of the integrated circuit semiconductor chip but by the frequency of the pulse signal provided by the tester equipment.

예를 들면 집적 회로 반도체 칩은 400 MHz로 동작이 가능하나 테스터 장비는 50 MHz로 동작되는 경우에는 집적 회로 반도체 칩은 50 MHz로 테스트될 수 밖에 없다.For example, if an integrated circuit semiconductor chip can operate at 400 MHz, but the tester equipment is operated at 50 MHz, the integrated circuit semiconductor chip will have to be tested at 50 MHz.

상술한 문제점을 해결하기 위하여 근래에는 MRS(Mode Register Set)를 이용하여, 테스터 장비가 제공하는 펄스 신호의 주파수보다 더 높은 주파수로 집적 회로 반도체 칩을 테스트하고 있다.In order to solve the above-mentioned problem, recently, an MRS (Mode Register Set) is used to test an integrated circuit semiconductor chip at a frequency higher than that of a pulse signal provided by tester equipment.

그러나 이러한 테스트 방식을 사용하는 경우에는 집적 회로 반도체 칩 내에 상기 MRS를 이용하여 테스트를 할 수 있는 별도의 테스트 회로를 형성시켜야만 되므로 집적 회로 반도체 칩의 면적이 증가되는 문제점이 발생한다.However, when using such a test method, a separate test circuit for testing using the MRS must be formed in the integrated circuit semiconductor chip, thereby increasing the area of the integrated circuit semiconductor chip.

따라서 상기 MRS를 이용하여 테스트를 할 수 있는 별도의 테스트 회로를 집적 회로 반도체 칩 내에 형성시키지 않고, 도 2에 도시된 것처럼, 상기 스크라이브 라인(211) 내에 형성시키면 집적 회로 반도체 칩(203, 204)의 면적이 증가되지 않는다.Therefore, without forming a separate test circuit in the integrated circuit semiconductor chip that can be tested using the MRS, as shown in Figure 2, if formed in the scribe line 211 integrated circuit semiconductor chip (203, 204) The area of is not increased.

그리고 상기 테스트 회로(211)의 출력 신호를 집적 회로 반도체 칩의 입력 신호로 이용하여 집적 회로 반도체 칩을 테스트할 수 있다. 반도체 기판 테스트시에 집적 회로 반도체 칩에 전원 전압이나 평션 신호를 전달하는 프로브 카드(202)를 이용하여 상기 테스트 회로(211)의 출력 신호를 집적 회로 반도체 칩의 입력 신호로 사용할 수 있다.The integrated circuit semiconductor chip may be tested using the output signal of the test circuit 211 as an input signal of the integrated circuit semiconductor chip. When the semiconductor substrate is tested, the output signal of the test circuit 211 may be used as an input signal of the integrated circuit semiconductor chip by using a probe card 202 that transmits a power supply voltage or a motion signal to the integrated circuit semiconductor chip.

상기 프로브 카드(202)는 집적 회로 반도체 칩 뿐만 아니라 상기 테스트 회로(211)에도 전원 전압이나 평션 신호를 전달할 수 있도록 전극을 배열한다.The probe card 202 arranges electrodes to transmit power voltages or function signals to the test circuit 211 as well as an integrated circuit semiconductor chip.

상기 스크라이브 라인에 상기 테스트 회로(211)로서 주파수를 2 배 혹은 4 배로 증가시키는 주파수 체배 회로를 형성시키는 경우에는 상기 테스트 회로(211)는 테스트시에 테스터 장비에서 제공되는 펄스 신호를 입력받아 테스터 장비의 펄스 신호보다 높은 주파수의 펄스 신호를 상기 프로브 카드(202)에 공급하고, 상기 프로브 카드(202)는 상기 테스트 회로(211)가 공급하는 높은 주파수의 펄스 신호를 집적 회로 반도체 칩에 전달한다. 그럼으로써 테스터 장비가 제공하는 펄스 신호보다 더 높은 주파수의 펄스 신호로 집적 회로 반도체 칩을 테스트할 수 있다.In the case of forming a frequency multiplying circuit that increases or doubles the frequency as the test circuit 211 in the scribe line, the test circuit 211 receives a pulse signal provided from the tester equipment at the time of testing. The pulse signal having a frequency higher than that of the pulse signal is supplied to the probe card 202, and the probe card 202 transfers the pulse signal of the high frequency supplied by the test circuit 211 to the integrated circuit semiconductor chip. This allows the testing of integrated circuit semiconductor chips with pulse signals at higher frequencies than that provided by the tester equipment.

상기 주파수 체배 회로는 도 3에 도시된 것처럼, 상기 테스터 장비로부터 제공되는 다른 두 펄스 신호의 익스클루시브 오아(Exclusive or) 논리 연산 게이트(301)를 이용하여 간단하게 구현될 수 있다.The frequency multiplying circuit can be simply implemented using an Exclusive or Logic Operation Gate 301 of the other two pulse signals provided from the tester equipment, as shown in FIG.

상기 테스터 장비로부터 제공되는 두 펄스 신호(In1, In2)는 주파수는 같지만, 신호의 시작 시점을 달리하도록 구성하는 경우에 상기 두 펄스 신호(In1, In2)가 익스클루시브 오아 논리 연산되면 상기 두 펄스 신호의 상태가 다른 때에만 하이 상태가 되므로 출력 펄스 신호(out)의 주파수는 입력 펄스 신호의 주파수의 2 배가 된다.When the two pulse signals In1 and In2 provided from the tester equipment have the same frequency but different start points of the signals, when the two pulse signals In1 and In2 are logically ORed, the two pulses The frequency of the output pulse signal out becomes twice the frequency of the input pulse signal because the signal becomes high only when the state of the signal is different.

집적 회로 반도체 칩의 밀도가 증가될수록 집적 회로 반도체 칩 테스트 시간은 비례하여 증가되므로 이를 해결하기 위하여 집적 회로 반도체 칩 내에 형성되는 내장형 셀프 테스트(Built-In Self Test; BIST) 회로도 상기 스크라이브 라인에 형성될 수 있다.Since the integrated circuit semiconductor chip test time increases proportionally as the density of the integrated circuit semiconductor chip increases, a built-in self test (BIST) circuit formed in the integrated circuit semiconductor chip may also be formed in the scribe line. Can be.

그리고 반도체 기판에서의 테스트 뿐만 아니라 다수의 집적 회로 반도체 칩이 동시에 조립되는 모듈에서도 상술한 것과 같은 방법으로 테스트할 수 있다.In addition to the test on the semiconductor substrate, it can be tested in the same manner as described above in a module in which multiple integrated circuit semiconductor chips are assembled at the same time.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자(통상의 지식을 가진 자)는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains (ie, those skilled in the art) should know that the present invention may be embodied in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced.

그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허 청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허 청구의 범위 및 그 균등 개념(Equivalents)으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is intended that the scope of the invention be indicated by the following claims rather than the foregoing description, and that all changes or modifications derived from the claims and their equivalents shall be included within the scope of the invention. Should be.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 다수의 반도체 칩들이 개별화되기 위하여 인접하는 반도체 칩들 사이에 형성되어 있는 스크라이브 라인(Scribe Line)을 이용하여 반도체 칩을 테스트함으로써, 반도체 칩의 면적을 효율적으로 이용할 수 있다.According to the present invention made as described above, by using a scribe line (Scribe Line) formed between adjacent semiconductor chips in order to individualize the plurality of semiconductor chips, by using the area of the semiconductor chip efficiently Can be.

도 1은 반도체 기판 상에 형성된 반도체 칩 및 스크라이브 라인의 평면도이다.1 is a plan view of a semiconductor chip and a scribe line formed on a semiconductor substrate.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 칩 테스트 방법을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor chip test method according to the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 칩 테스트 방법을 위한 주파수 2 배 회로를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a frequency double circuit for a semiconductor chip test method according to an exemplary embodiment of the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

101 내지 104: 반도체 칩101 to 104: semiconductor chip

111 내지 116: 스크라이브 라인111 to 116 scribe lines

201: 테스터 장비201: tester equipment

202: 프로브 카드202: probe card

203: 테스트 회로203: test circuit

301: 주파수 2 배 회로301: frequency double circuit

Claims (3)

회로 소자들을 포함하는 다수의 반도체 칩들이 형성되어 있고, 상기 다수의 반도체 칩들이 개별화되기 위하여 인접하는 반도체 칩들 사이에 스크라이브 라인이 형성되어 있는 반도체 기판에서 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 반도체 칩 테스트에 있어서,In the semiconductor chip test, a plurality of semiconductor chips including circuit elements are formed, and the plurality of semiconductor chips are tested in a semiconductor substrate in which a scribe line is formed between adjacent semiconductor chips so that the plurality of semiconductor chips are individualized. In 상기 스크라이브 라인에 테스트 회로가 형성되고 상기 테스트 회로를 이용하여 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 테스트 방법.A test circuit is formed on the scribe line, and the plurality of semiconductor chips are tested using the test circuit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 반도체 칩들에게 전원 전압이나 펑션 신호를 전달하는 프로브 카드에 상기 테스트 회로의 출력 신호를 인가하여 상기 다수의 반도체 칩들을 테스트하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 테스트 방법.And testing the plurality of semiconductor chips by applying an output signal of the test circuit to a probe card that delivers a power voltage or a function signal to the plurality of semiconductor chips. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 테스트 회로는 주파수 체배기인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 테스트 방법.The test circuit is a semiconductor chip test method, characterized in that the frequency multiplier.
KR1020030065262A 2003-09-19 2003-09-19 Method for testing semiconductor chip KR20050028740A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030065262A KR20050028740A (en) 2003-09-19 2003-09-19 Method for testing semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030065262A KR20050028740A (en) 2003-09-19 2003-09-19 Method for testing semiconductor chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050028740A true KR20050028740A (en) 2005-03-23

Family

ID=37385632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030065262A KR20050028740A (en) 2003-09-19 2003-09-19 Method for testing semiconductor chip

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050028740A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829933B2 (en) 2009-12-28 2014-09-09 SK Hynix Inc. Semiconductor apparatus and probe test method thereof
US11568949B2 (en) * 2020-02-24 2023-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package test method, semiconductor package test device and semiconductor package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829933B2 (en) 2009-12-28 2014-09-09 SK Hynix Inc. Semiconductor apparatus and probe test method thereof
US11568949B2 (en) * 2020-02-24 2023-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package test method, semiconductor package test device and semiconductor package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100466984B1 (en) Integrated circuit chip having test element group circuit and method of test the same
US7948249B2 (en) Semiconductor chip having a crack test circuit and method of testing a crack of a semiconductor chip using the same
US20040085084A1 (en) Method and apparatus for stress testing integrated circuits using an adjustable AC hot carrier injection source
US20140266291A1 (en) Method, device and system for automatic detection of defects in tsv vias
JP3726711B2 (en) Semiconductor device
JP2008277417A (en) Semiconductor device and testing method of the same
US6144214A (en) Method and apparatus for use in IDDQ integrated circuit testing
US7679394B2 (en) Power supply noise resistance testing circuit and power supply noise resistance testing method
US9575114B2 (en) Test system and device
KR20050028740A (en) Method for testing semiconductor chip
KR100576492B1 (en) Apparatus for measuring internal DC bias of semiconductor device in PKG level
US5412337A (en) Semiconductor device providing reliable conduction test of all terminals
JP2013213753A (en) Method of testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing semiconductor device
JPH0689932A (en) Burn-in device for power mosfet
JP2954076B2 (en) Semiconductor integrated circuit wafer and test method therefor
JP3865185B2 (en) Semiconductor device, test apparatus and test method thereof
JPH1078474A (en) Semiconductor device and production method thereof
KR100641471B1 (en) Common input ic
KR100562304B1 (en) Test pattern of semiconductor chip
KR100608146B1 (en) Probe card for semiconductor device test
JPH04213849A (en) Semiconductor device and method of detecting initial failure thereof
KR20090021632A (en) Test method of semiconductor device
KR20080088676A (en) Test device of semiconductor device
US20030210068A1 (en) Apparatus of testing semiconductor
JP2002033436A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination