KR20050005427A - 접지된 안테나를 이용하는 정류기 - Google Patents

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Abstract

정류기[다이오드(30, 32)]는 정류된 출력과 직류 전원 출력(22)을 생성한다. 이 정류기는 안테나 소자(24), 동조 캐패시터(26), 결합 캐패시터(28), 제1 및 제2 정류 다이오드(30, 32), 및 저장 캐패시터(34)를 포함한다. 이들 안테나 소자(24)와 동조 캐패시터(26)는 병렬로 결합되고, 하나의 단자에서 접지된다. 제1 정류 다이오드(30)는 자신의 애노드 단자에서 접지되고, 저장 캐패시터(34)는 하나의 단자에서 접지된다. 결합 캐패시터(30)는 안테나 소자(24)의 접지되지 않은 단자와 제1 정류 다이오드(30)의 캐소드 단자 사이에서 결합된다. 제2 정류 다이오드(32)의 애노드 단자는 제1 정류 다이오드(30)의 캐소드 단자에 결합된다. 제2 정류 다이오드(32)의 캐소드 단자는 저장 캐패시터(34)의 접지되지 않은 단자에 결합된다. 정류된 출력은 이들 정류 다이오드[노드(20)] 사이에서 생성된다. 직류 전원 출력은 제2 정류 다이오드(32)와 저장 캐패시터[노드(22)] 사이에서 생성된다.

Description

접지된 안테나를 이용하는 정류기{RECTIFIER UTILIZING A GROUNDED ANTENNA}
무선통신 주파수 식별 트랜스폰더들(태그들)은 대체로 무선통신 주파수 식별베이스 스테이션과 결합하여 사용되며, 통상적으로는 재고 목록 제어, 보안, 접속카드 및 개인 식별과 같은 용도에 사용된다. 이 베이스 스테이션은 무선통신 주파수 식별 태그가 베이스 스테이션의 읽기 범위 내로 들어왔을 때 무선통신 주파수 식별 태그 내에 있는 회로에 동력을 공급하는 반송파를 전송한다. 태그와 스테이션 사이의 데이터 통신은 2진 데이터 패턴, 대개의 경우 진폭 편이 방식(amplitude shift keying)을 이용하여 반송파의 진폭을 변조함으로써 달성된다. 이러한 목적을 위해, 무선통신 주파수 식별 태그들은 통상적으로 기타 구성요소들 중에서 방사된 필드를 결합시키는 안테나 요소와, 교류 반송파를 직류 전원으로 변환하는 정류기와, 반송파의 봉지(envelope)로부터 데이터 패턴을 추출하는 복조기를 포함하는 집적 회로들이다.
충분하게 저렴한 비용으로 제조되는 경우, 무선통신 주파수 식별 태그들도 역시 제품 가격 책정, 수화물 추적, 꾸러미 추적, 자산 확인, 지폐의 인증, 및 동물 식별과 같이 비용에 민감한 용도에도 유용하며, 이들 용도는 단지 일부를 언급한 것이다. 무선통신 주파수 식별 태그들은 바코드 식별 시스템과 같이 전술한 용도를 위해 종래부터 사용되었던 시스템에 비해 뚜렷한 장점을 제공할 수 있다. 예컨대, 무선통신 주파수 식별 태그들로 마킹되어 있는 많은 항목은 각각 처리될 필요없이 신속하게 읽힐 수 있는 반면에, 이들 항목은 바코드 시스템을 사용하는 경우에 개별적으로 처리되어야 한다. 바코드들과는 달리, 무선통신 주파수 식별 태그들은 자신에 대한 정보를 업데이트할 증력을 제공한다. 그러나 오늘날의 무선통신 주파수 식별 기술은 전술한 용도에 주로 사용하기에는 너무 비싸다. 무선통신 주파수 식별 태그들의 비용을 상승시키는 몇가지 요인이 있는데, 이들 중에서 가장 중요한 요인은 태그를 구성하는 실리콘 집적 회로의 사이즈이다.
도 1은 다이오드 브리지(2)를 사용하는 종래의 정류기를 보여주고 있다. 안테나 요소(4)는 다이오드 브리지(2)의 맞은 편에 2개의 접속부(6, 8)를 필요로 한다. 정류된 신호는 노드(10)에서 출력된다.
도 2는 모스펫(MOSFET) 브리지(12)를 사용하는 또 다른 종래의 정류기를 보여주고 있다. 안테나 소자(4)는 MOSFET 브리지(12)의 맞은 편에 2개의 접속부(6, 8)를 필요로 한다. 이들 접속부(6, 8)를 수용하기 위해, 종류의 무선통신 주파수 식별 태그들은 외부 안테나 코일(4)을 부착하기 위한 와이어를 본딩하기에 충분한 적어도 2개의 패드를 필요로 한다. 무선통신 주파수 식별 태그들은 일반적으로 상대적으로 소형이기 때문에, 이들 패드는 종래의 무선통신 주파수 식별 태그의 집적회로 면적의 상당부분을 차지한다.
종래의 무선통신 주파수 식별 태그들에 대한 다른 관심사는 베이스 스테이션으로부터의 최대 동작 읽기 거리이다. 도 1 및 도 2에 도시된 종래 기술의 2가지 예에서, 노드(10)에서 정류된 출력 신호들은 대응하는 공진 노드(6)의 피크 대 피크 전압의 절반뿐이다. 출력 노드(10)에서 신호의 진폭은 무선통신 주파수 식별 태그와 베이스 스테이션 사이의 최대 동작 거리와 관련되어 있다.
본 발명은 일반적으로는 신호 정류에 관한 것이며, 더 구체적으로는 접지된 안테나를 이용하는 정류기 회로에 관한 것이다.
도 1은 다이오드들을 이용한 종래의 정류기의 종래 기술 구조를 나타내는 개략적인 회로도.
도 2는 모스펫들을 이용한 종래의 정류기의 종래 기술 구조를 나타내는 개략적인 회로도.
도 3은 본 발명의 일 실시예를 도시하는 개요도.
도 4는 본 발명의 대안의 실시예의 개략적인 회로도.
도 5는 도 3 및 4에 제시된 개략적인 회로도 있어 선택된 노드들의 타이밍도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예의 회로도.
도 7은 본 발명의 집적회로 칩과 외부 안테나 소자의 일 실시예를 나타내는 도면.
본 발명의 원리에 따르면, 정류된 출력과 직류 전원 출력을 생성한다. 이 정류기는 안테나 소자, 동조 캐패시터, 결합 캐패시터, 제1 및 제2 정류 다이오드, 및 저장 캐패시터를 포함한다. 안테나 소자와 동조 캐패시터는 병렬로 결합되고, 하나의 단자에서 접지된다. 제1 정류 다이오드는 자신의 애노드 단자에서 접지되고, 저장 캐패시터는 하나의 단자에서 접지된다. 결합 캐패시터는 안테나 소자의 접지되지 않은 단자와 제1 정류 다이오드의 캐소드 단자 사이에서 결합된다. 제2 정류 다이오드의 애노드 단자는 제1 정류 다이오드의 캐소드 단자에 결합된다. 제2 정류 다이오드의 캐소드 단자는 저장 캐패시터의 접지되지 않은 단자에 결합된다. 정류된 출력은 이들 정류 다이오드 사이에서 생성된다. 직류 전원 출력은 제2 정류 다이오드와 저장 캐패시터 사이에서 생성된다.
본 발명의 다른 원리에 따르면, 다이오드 스택이 결합 캐패시터의 제2 단자와 접지 사이에서 결합된다. 이 다이오드 스택은 전압 정류 신호를 자신의 항복 전압(breakdown voltage)으로 제한한다.
도 3에는 베이스 스테이션(16)과 정류기(18)가 도시되어 있다. 베이스 스테이션(16)은 일례로서 포함되어 있지만, 본 발명의 필수 사항은 아니다.
일 실시예에 있어서, 정류기 회로(18)는 적어도 집적회로 칩에 부분적으로 구현된다. 또한, 부가회로(미도시)가 정류기 회로(18)과 함께 상기 집적회로 칩에 구현될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 정류기 회로(18) 무선통신 주파수 식별(RFID) 트랜스폰더(tag)용 정류기로서 포함된다. 정류기 회로(18)는 다른 용도로 사용하는 것이 가능하다.
정류기 회로(18)의 입력은 베이스 스테이션(16)으로부터 방사된 반송파 주파수이고, 상기 반송파의 크기는 데이터 패턴에 의해 봉지(enveloped)된다. 데이터 패턴에 의해 봉지된 반송파 진폭의 일예는 진폭 편이 방식이다. 정류기 회로(18)의 출력은 정류된 출력(20)이고, 이는 복조기(미도시)에 입력되어 포락선 신호를 추출하도록 할 수 있다. 정류기 회로(18)의 다른 출력은 전원 출력(22)이고, 이는 직류 전원으로서 사용될 수 있다. 정류기 회로(18)는 안테나 소자(24), 동조 캐패시터(26), 결합 캐패시터(28), 제1 정류 다이오드(30), 제2 정류 다이오드(32) 및 저장 캐패시터(34)를 포함한다.
일 실시예에서 안테나 소자(24)는 제1 및 제2 단자를 갖는다. 안테나 소자(24)의 제1 단자는 공진 노드(36)에 결합된다. 안테나 소자(24)의 제2 단자는 접지(38)에 연결된다.
일 실시예에 있어서, 안테나 소자(24)는 종이 또는 다른 매체 상에 전도성의 잉크로 인쇄된다. 다른 실시예에 있어서, 안테나 소자(24)는 어떤 다른 형태의 유도성 소자이다.
동조 커패시터(26)는 공진노드(36)와 접지(38) 사이에서 안테나(24)와 병렬로 연결된다. 일 실시예에 있어서, 동조 커패시터(26)는 제1 및 제2 단자를 갖는다. 상기 동조 커패시터(26)의 제1 단자는 안테나(24)의 제1 단자에 연결되고, 상기 동조 커패시터(26)의 제2 단자는 안테나(24)의 제2 단자에 연결된다. 정류기 회로(18)이 적절한 반송파 주파수를 방사하는 베이스 스테이션(16)의 수신범위 내에 들어왔을 때, 노드(36)의 전압은 공진할 것이다. 일 실시예서 캐패시터(26)는 집적 회로의 내부에 존재하지만, 집적회로의 외부에도 또한 존재할 수 있다.
일 실시예에서, 동조 캐패시터(26)는 종이 또는 다른 매체 상에 전도성의 잉크로 인쇄된다. 다른 실시예에 있어서, 동조 캐패시터(26)은 어떤 다른 형태의 용량성 소자이다.
결합 캐패시터(28)는 공진노드(36)에 연결되고, 그 전압을 노드(20)에 결합시킨다. 일 실시예에 있어서, 결합 캐패시터(28)는 제1 및 제2 단자를 갖는다. 상기 결합 캐패시터(28)의 제1 단자는 안테나(24)의 제1 단자에 연결되고, 상기 결합 커패시터(28)의 제2 단자는 제1 정류 다이오드(30)과 제2 정류 다이오드(32)에 연결된다.
일 실시예에 있어서, 결합 캐패시터(28)는 종이 또는 다른 매체 상에 전도성의 잉크로 인쇄된다. 다른 실시예에 있어서, 결합 캐패시터 소자(28)는 어떤 다른 형태의 용량성 소자이다.
제1 정류 다이오드는 결합 커패시터의 제2 단자와 접지(38) 사이에 결합된다. 일 실시예에 있어서, 제1 정류 다이오드는 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖는다. 상기 애노드 단자는 접지에 연결되고, 상기 캐소드 단자는 상기 결합 캐패시터 의 제2 단자에 연결된다.
제1 정류 다이오드(30)는 음의 전압이 노드(20)에 결합될 때 순방향으로 바이어스됨으로써, 노드(20)에서의 전압을 접지(38)이하의 하나의 다이오드 강하보다 낮지 않게 유지할 것이다. 노드(20)에서의 전압은 종래의 정류기의 정류된 출력에 대해 피크 대 피크 크기의 두배인 공진노드와 동일한 피크 대 피크 크기를 이룰 수 있다. 당해 기술 분야에 숙련된 자라면 노드 20에서 정류된 출력을 복조기에 입력하여 상기 반송파 신호를 봉지(enveloped)하는 상기 이진 데이터 패턴을 추출할 수 있다.
제2 정류 다이오드(32)는 상기 정류된 출력노드(20)과 노드(22)에서의 전원 출력사이에 연결된다. 일 실시예에 있어서, 제2 정류 다이오드(32)는 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖는다. 상기 애노드는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 연결되고, 상기 캐소드 단자는 저장 캐패시터에 연결된다.
저장 캐패시터(34)는 전원 출력 노드(22)와 접지 사이에 결합된다. 일 실시예에 있어서, 저장 캐패시터(34)는 제1 및 제2 단자를 갖는다. 상기 제1 단자는 상기 제2 정류 다이오드의 캐소드 단자에 연결되고, 상기 제2 단자는 접지에 연결된다.
노드(20)의 전압이 전원 출력 노드(22)에서의 전압보다 더 양의 전압일 때, 제2 정류 다이오드는 순방향 바이어스됨으로써, 캐패시터(34)를 하나의 다이오드 강하보다 적은 노드(20)의 피크전압으로 충전할 것이다. 커패시터(34)에서의 충전은 다른 회로용의 전원으로 상용될 수 있으며, 상기 반송파 주파수에서 재생된다.
상기 반송파 신호의 진폭, 베이스 스테이션(16)까지의 정류회로의 근접 및 방사된 전계의 결합효율에 따라 공진노드(36)과 정류된 출력노드(20)의 전압이 충분히 커지게 되면 집적회로 구성요소가 영구적인 손상을 받을 수 있다. 따라서, 도 4는 정류된 출력노드(20)과 접지(38)사이에 연결된 다이오드 스택(40)을 포함하는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 다이오드 스택(20)은 최대 정류 전압을 제한한다. 일 실시예에 있어서, 다이오드 스택(40)은 다이오드들(46, 48, 50)과 드레인에연결된 게이트를 갖는 모스펫(MOSFET)(52)을 포함한다.
도 3 및 4는 도 5를 보조로 하여 더 설명되며, 정류회로(18)의 일부 노드들의 해당 전압을 나타낸다. 정류회로(18)가 상기 적절한 반송파 신호, 전형적으로 13.56㎒를 방사하는 무선통신 주파수 식별 스테이션(16)의 수신거리에 들어올 때, 정류기(18)은 노드(22)에 직류 전원을 발생할 것이다. 또한, 다른 반송파 주파수들도 사용될 수 있다. 상기 반송파 신호의 진폭은 일반적으로 105.9㎑에서 ASK 또는 진폭 편이 방식과 같은 이진 비트 데이터 패턴에 의해 변조된다. 또한, 상기 반송파 신호도 다른 데이터 주파수로 변조될 수 있다. 노드(36)은 상기 반송파 주파수의 주파수와 함께 발진하고, 음과 양 양쪽으로 진동할 것이다. 도 5에서 파형(42)는 노드(36)에서의 신호를 나타낸다.
도 3 및 4를 참조하면, 결합 캐패시터(28)는 이 전압을 노드(20)에 결합시킬 것이다. 결합 커패시터(28)은 이 실시예에서 칩의 내부에 존재하지만, 또한 외부에 존재하도록 디자인될 수 있다. 그러나, 노드(20)의 신호는 분기(정류) 다이오드(30) 때문에 접지(38) 아래의 하나의 다이오드 강하보다 더 네거티브로 갈수 없다. 따라서, 노드(36)이 처음에 음으로 진동할 때, 도 5에서 파형(44)에 도시된 바와 같이, 노드(20)은 접지(38) 아래의 하나의 다이오드 강하를 유지할 것이다. 노드(36)의 상기 반송파 신호가 다시 위쪽으로 진동할 때, 전체의 피크 대 피크 전압이 노드(20)에 결합된다. 이 스윙의 크기는 베이스 스테이션(10)으로부터 방사하는 변조된 케리어 소스까지 상기 정류기(18)의 근접에 의존한다. 어떤 근접 범위에서, 그 생성된 전압들은 회로 부품들을 손상시킬 만큼 클 수 있다. 이를 위해 상기 전압은 다이오드 스택(40)을 통해 제한된다. 충분한 전압이 노드(20)에서 발생될 때, 다이오드 스택(40)은 전도함으로써 상기 전압을 스택(40)의 브레이크다운에 의해 결정되는 레벨로 클램핑할 것이다.
노드(20)의 전압이 노드(22)의 전압보다 더 양의 전압일 때, 다이오드(32)는 순방향 바이어스되어 노드(22)를 노드(20)과 동일한 전압으로 가져간다. 상기 노드(20)의 전압이 상기 노드(22)의 전압보다 덜 양의 전압일 때, 다이오드(32)는 역방향 바이어스되기 때문에 노드(22)가 상기 노드(20)의 피크전압에서 플로팅된다. 이전하는 저장 캐패시터(34)에 저장된다. 상기 노드(22)의 전하는 Vdd 전원을 공급하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 Vdd 전원은 전체의 칩에 공급될 수 있다. 파형(45)는 상기 노드(22)에서의 신호를 나타낸다.
전원이 노드(22)로부터 공급됨에 따라, 상기 노드(22)의 전하는 고갈되기 때문에 상기 노드(22)의 전압이 강하한다. 다음의 상승엣지(42)에서, 상기 노드(20)의 전압이 상기 노드(22)의 전압보다 더 양의 전압일 때, 다이오드(38)은 다시 순방향으로 바이어스될 것이다. 이 작용을 통해, 상기 노드(22)의 전압은 노드(20)의 각 상승엣지에서 충만한 전압으로 재생된다. 따라서, 캐패시터(34)는 노드(22)에서 충분한 전압 강하를 일으킴이 없이 Vcc 전류를 반송파 펄스들간에 공급할 수 있도록 충분히 커야한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예의 개요도이고, 반도체 공정에서 본 발명을 구현할 때 유용한다. 여기에서, 후면은 접지에 결합되지 않고 오히려 Vdd에 결합된다. 상기 후면을 상기 안테나의 접점으로서 사용하는 장점을 얻기 인해 상기 안테나의 일단이 상기 직류 전원출력에 연결되는 일 실시예가 요구된다.
공진노드(36)이 음으로 갈 때, 노드(20)은 정류 다이오드(32)에 의해 칩 접지(38) 이상의 하나의 다이오드 강하보다 더 양으로 유지된다. 상기 공진노드(36)이 양으로 갈 때, 결합 커패시터(38)가 노드(20을 하이 상태로 결합하면, 정류 다이오드(30)은 턴온되고, 노드(22)에 상기 노드(20)의 피크전압 아래의 하나의 다이오드 전압강하를 초래한다. 노드(20)이 공진노드(36)에 의해 다시 로우 상태로 결합될 때, 정류 다이오드(30)은 턴오프됨으로써, 노드(22)에 전하를 트랩한다. 노드(22)는 이 회로의 직류 전원출력을 나타낸다. 노드(20)는 정류된 출력을 나타낸다.
본 명세서에 설명된 정류기 구조가 종래의 구조들과 비교할 때 가지는 현저한 장점은 본 발명이 안테나(24)를 이용하여 동작하며, 이에 의해 안테나의 두 단자들 중의 하나는 도 7에 도시된 바와 같이 칩 접지(38)에 접속된다. 이것은 뚜렷한 장점인데, 왜냐하면 외부의 안테나 소자(24)의 접속이 이제 이들 단자들 중의 하나를 실리콘제의 후면(38)에 접속함으로써 이루어지지 때문이다. 다른 접속은 실리콘제의 전면(前面)에서 본딩 패드(54)에 이루어진다. 결국, 단지 하나의 패드(54)만이 외부 안테나(24)의 접속을 위해 요구되는데, 종래 구조에서는 2개의 패드가 요구되었다. 패드의 사이즈가 무선통신 주파수 식별 회로에 비해 상대적으로 크기 때문에, 이러한 패드의 절약은 실리콘 면적을 현저하게 줄이는 것이고, 이것은 제조 비용의 현저한 감소로 이어진다.
그럼에도 불구하고 안테나 소자(24)를 실리콘 표면 상의 2개의 패드에 접속하는 것도 가능하며, 이는 종래의 정류된 구조를 이용하는 경우에 안테나(24)를 접속하는 것과 마찬가지이다.
실리콘제의 상면에 단지 하나의 접속만을 이루어야만 하는 다른 장점은 외부 안테나 소자(24)에 대해 접속을 행하는 과정이 현저하게 단순화된다. 예컨대, 접속은 집적 회로 상에 금속제의 제2 층을 이용하여 이루어질 수 있으며, 이에 의해 실리콘 면적을 증가시키는 일없이 대형의 접속 표면을 제공한다. 이러한 대형의 접속 표면은 플립 칩과 전도성 에폭시와 같은 와이어 본딩보다 더 저렴한 접속 기술을 사용할 수 있도록 해준다. 이러한 본딩 기술은 바코드 교환 용도에서 특히 중요한데, 이 기술에서는 안테나가 종이 위에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된다.
본 발명의 다른 장점은 정류된 신호가 공진 노드 전압의 충분한 피크 대 피크 전압에서 진동한다는 점에 있다. 종래의 구조에서의 정류된 신호는 이 진폭의 절반만 진동한다. 결국, 본 발명에서 설명된 구조는 무선통신 주파수 식별 태그와 베이스 스테이션 사이의 최대 읽기 거리를 증가시키지만, 생산 비용을 감소시킨다.
전술한 설명은 단지 본 발명을 예시한 것일 뿐이다. 다양한 선택예와 변형예가 본 발명으로부터 이탈하지 않고 당업자에 의해 생각될 수 있가. 특히, 어떤 소자가 다른 소자에 접속 또는 결합될 때마다 추가의 소자들이 2개의 접속된 소자들 사이에 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부한 청구범위의 범위 내에 속하는 그러한 선택예, 변형예 및 변화예 전부를 포함한다.

Claims (44)

  1. 정류된 출력과 직류 전원 출력을 생성하는 정류기로서,
    (a) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제2 단자는 접지에 접속되는 안테나 소자와,
    (b) 상기 안테나 소자의 제1 단자와 접지 사이에 결합된 동조 캐패시터와,
    (c) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 접지에 접속되고, 상기 정류된 출력은 상기 캐소드 단자에서 생성되는 제1 정류 다이오드와,
    (d) 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 제1 정류 다이오드의 캐소드 단자 사이에 결합되는 결합 캐패시터와,
    (e) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 상기 제1 정류 다이오드의 캐소드 단자에 결합되고, 상기 직류 전원 출력은 이 캐소드 단자에서 생성되는 제2 정류 다이오드와,
    (f) 상기 제2 정류 다이오드의 캐소드 단자와 접지 사이에 결합되는 저장 캐패시터
    를 구비하는 정류기.
  2. 청구항 1에서, 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 접지에 접속되고, 이 애노드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 결합되는 다이오드 스택을 더 구비하는 것인 정류기.
  3. 청구항 1에서,
    (a) 상기 제1 정류 다이오드, 상기 제2 정류 다이오드 및 상기 저장 캐패시터는 본딩 패드와 칩 접지를 구비한 집적 회로 상에 구현되며,
    (b) 접지는 상기 칩 접지를 포함하는 것인 정류기.
  4. 청구항 3에서, 상기 칩 접지는 상기 집적된 칩의 후면을 포함하는 것인 정류기.
  5. 청구항 3에서,
    (a) 상기 동조 캐패시터와 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  6. 청구항 3에서,
    (a) 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  7. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 본딩 패드와 상기 안테나 소자의 제2 단자 사이에 결합된 상기 결합 캐패시터는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  8. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크를 이용하는 안테나인 것인 정류기.
  9. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  10. 청구항 3에서, 상기 안테나 캐패시터, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  11. 청구항 3에서, 상기 집적 회로는 고투자율 층을 구비하여 상기 안테나 소자의 인덕턴스를 상승시키는 것인 정류기.
  12. 정류된 출력과 직류 전원 출력을 생성하는 정류기로서,
    (a) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제2 단자는 접지에 접속되는 안테나 소자와,
    (b) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제1 단자는 상기 안테나 소자의 제1 단자에 접속되고, 이 제2 단자는 접지에 접속되는 동조 캐패시터와,
    (c) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제1 단자는 상기 안테나 소자의 제1 단자에 접속되고, 상기 정류된 출력은 이 제2 단자에서 생성되는 결합 캐패시터와,
    (d) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되고, 이 애노드 단자는 접지에 접속되는 제1 정류 다이오드와,
    (e) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되고, 상기 직류 전원 출력은 이 캐소드 단자에서 생성되는 제2 정류 다이오드와,
    (f) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제1 단자는 상기 제2 정류 다이오드의 캐소드 단자에 접속되고, 이 제2 단자는 접지에 접속되는 저장 캐패시터
    를 구비하는 정류기.
  13. 청구항 1에서, 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 접지에 접속되고, 이 애노드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되는 다이오드 스택을 더 구비하는 것인 정류기.
  14. 청구항 1에서,
    (a) 상기 제1 정류 다이오드, 상기 제2 정류 다이오드 및 상기 저장 캐패시터는 본딩 패드와 칩 접지를 구비한 집적 회로 상에 구현되며,
    (b) 접지는 상기 칩 접지를 포함하는 것인 정류기.
  15. 청구항 3에서, 상기 칩 접지는 상기 집적된 칩의 후면을 포함하는 것인 정류기.
  16. 청구항 3에서,
    (a) 상기 동조 캐패시터와 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  17. 청구항 3에서,
    (a) 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 동조 캐패시터는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자와 상기 동조 캐패시터는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  18. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 동조 캐패시터의 제2 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 접지에 접속되는 것인 정류기.
  19. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크를 이용하는 안테나인 것인 정류기.
  20. 청구항 3에서, 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  21. 청구항 3에서, 상기 안테나 캐패시터, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  22. 청구항 3에서, 상기 집적 회로는 고투자율 층을 구비하여 상기 안테나 소자의 인덕턴스를 상승시키는 것인 정류기.
  23. 정류된 출력과 직류 전원 출력을 생성하는 정류기로서,
    (a) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제2 단자는 상기 전원 출력에 접속되는 안테나 소자와,
    (b) 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 전원 출력 사이에 결합되는 동조 캐패시터와,
    (c) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 상기 전원 출력에 접속되고, 상기 정류된 출력은 이 애노드 단자에서 생성되는 제1 정류 다이오드와,
    (d) 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 제1 정류 다이오드의 애노드 단자 사이에 결합되는 결합 캐패시터와,
    (e) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 상기 제1 정류 다이오드의 애노드 단자와 접지에 결합되는 제2 정류 다이오드와,
    (f) 상기 전원 출력과 접지 사이에 결합되는 저장 캐패시터
    를 구비하는 정류기.
  24. 청구항 23에서, 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 상기 전원 출력에 접속되고, 이 캐소드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 결합되는 다이오드 스택을 더 구비하는 것인 정류기.
  25. 청구항 23에서,
    (a) 상기 제1 정류 다이오드, 상기 제2 정류 다이오드 및 상기 저장 캐패시터는 본딩 패드와 전원 출력을 구비한 집적 회로 상에 구현되며,
    (b) 전원은 상기 칩 전원 출력을 포함하는 것인 정류기.
  26. 청구항 25에서, 상기 칩 전원 출력은 상기 집적된 칩의 후면을 포함하는 것인 정류기.
  27. 청구항 25에서,
    (a) 상기 동조 캐패시터와 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  28. 청구항 25에서,
    (a) 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  29. 청구항 25에서, 상기 안테나 소자, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 결합 캐패시터는 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 본딩 패드 사이에 결합되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  30. 청구항 25에서, 상기 안테나 소자는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크를 이용하는 안테나인 것인 정류기.
  31. 청구항 25에서, 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  32. 청구항 25에서, 상기 안테나 캐패시터, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  33. 청구항 25에서, 상기 집적 회로는 고투자율 층을 구비하여 상기 안테나 소자의 인덕턴스를 상승시키는 것인 정류기.
  34. 정류된 출력과 직류 전원 출력을 생성하는 정류기로서,
    (a) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제2 단자는 상기 전원 출력에 접속되는 안테나 소자와,
    (b) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제1 단자는 상기 안테나 소자의 제1 단자에 접속되고, 이 제2 단자는 상기 전원 출력에 접속되는 동조 캐패시터와,
    (c) 제1 및 제2 단자를 구비하고, 이 제1 단자는 상기 안테나 소자의 제1 단자에 접속되고, 상기 정류된 출력은 이 제2 단자에서 생성되는 결합 캐패시터와,
    (d) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되고, 이 캐소드 단자는 전원 출력에 접속되는 제1 정류 다이오드와,
    (e) 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 캐소드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되고, 이 애노드 단자는 접지에 접속되는 제2 정류 다이오드와,
    (f) 상기 전원 출력과 접지 사이에 결합되는 저장 캐패시터
    를 구비하는 정류기.
  35. 청구항 34에서, 캐소드 단자와 애노드 단자를 구비하고, 이 애노드 단자는 상기 전원 출력에 접속되고, 이 캐소드 단자는 상기 결합 캐패시터의 제2 단자에 접속되는 다이오드 스택을 더 구비하는 것인 정류기.
  36. 청구항 34에서,
    (a) 상기 제1 정류 다이오드, 상기 제2 정류 다이오드 및 상기 저장 캐패시터는 본딩 패드와 전원 출력을 구비한 집적 회로 상에 구현되며,
    (b) 전원은 상기 칩 전원 출력을 포함하는 것인 정류기.
  37. 청구항 36에서, 상기 칩 전원 출력은 상기 집적된 칩의 후면을 포함하는 것인 정류기.
  38. 청구항 36에서,
    (a) 상기 동조 캐패시터와 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  39. 청구항 36에서,
    (a) 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로 칩 상에 추가로 구현되며,
    (b) 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 안테나 소자의 제1 단자는 상기 본딩 패드에 접속되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  40. 청구항 36에서, 상기 안테나 소자, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 상기 집적 회로에 대해 외측에 위치하고, 상기 결합 캐패시터는 상기 안테나 소자의 제1 단자와 상기 본딩 패드 사이에 결합되고, 상기 안테나 소자의 제2 단자는 상기 칩 전원 출력에 접속되는 것인 정류기.
  41. 청구항 36에서, 상기 안테나 소자는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크를 이용하는 안테나인 것인 정류기.
  42. 청구항 36에서, 상기 안테나 소자와 상기 동조 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  43. 청구항 36에서, 상기 안테나 캐패시터, 상기 동조 캐패시터, 및 상기 결합 캐패시터는 종이 상에 인쇄된 전도성 잉크로 구성된 구성요소를 포함하는 것인 정류기.
  44. 청구항 36에서, 상기 집적 회로는 고투자율 층을 구비하여 상기 안테나 소자의 인덕턴스를 상승시키는 것인 정류기.
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