KR200455957Y1 - Apparatus For Supplying Gas - Google Patents

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KR200455957Y1 KR2020090011251U KR20090011251U KR200455957Y1 KR 200455957 Y1 KR200455957 Y1 KR 200455957Y1 KR 2020090011251 U KR2020090011251 U KR 2020090011251U KR 20090011251 U KR20090011251 U KR 20090011251U KR 200455957 Y1 KR200455957 Y1 KR 200455957Y1
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes

Abstract

증착 또는 열처리 공정 수행을 위해 공급되는 가스의 공급 방향을 임의로 조절하여 대면적 기판처리 시스템에 로딩된 복수개의 기판에 온도 편차가 발생되지 않도록 하는 가스 공급 장치가 개시된다. 본 고안에 따른 대면적 기판처리 시스템 내에 설치된 매니폴드를 통해 기판에 대하여 가스를 공급하는 가스 공급 장치로서, 매니폴드(220)의 일측에 복수개가 설치되는 가스 공급관(500); 및 매니폴드(220)의 일측에 가스 공급관(500)과 대향하여 복수개가 설치되는 가스 회수관(600)을 포함하며, 가스 공급관(500)에는 복수개의 가스 공급 홀(510)이 형성되고, 가스 회수관(600)에는 복수개의 가스 회수 홀(610)이 형성되며, 가스 공급 홀(510)은 임의의 방향을 향하도록 조절 가능한 것을 특징으로 한다.Disclosed is a gas supply apparatus that arbitrarily adjusts a supply direction of a gas supplied for performing a deposition or heat treatment process so that temperature variations do not occur in a plurality of substrates loaded in a large area substrate processing system. A gas supply device for supplying gas to a substrate through a manifold installed in a large-area substrate processing system according to the present invention, a plurality of gas supply pipe 500 is provided on one side of the manifold 220; And a gas recovery pipe 600, in which a plurality of gas recovery pipes 500 are installed at one side of the manifold 220, and a plurality of gas supply holes 510 are formed in the gas supply pipe 500. A plurality of gas recovery holes 610 are formed in the recovery pipe 600, and the gas supply holes 510 may be adjusted to face an arbitrary direction.

기판 처리, 대면적 기판, 가스 공급관, 가스 공급 홀 Substrate processing, large area substrate, gas supply line, gas supply hole

Description

가스 공급 장치{Apparatus For Supplying Gas}Apparatus For Supplying Gas

본 고안은 가스 공급 장치에 관한 것이다. 특히, 증착 또는 열처리 공정 수행을 위해 공급되는 가스의 공급 방향을 임의로 조절하여 대면적 기판처리 시스템에 로딩된 복수개의 기판에 온도 편차가 발생되지 않도록 하는 가스 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply device. In particular, the present invention relates to a gas supply apparatus for arbitrarily adjusting a supply direction of a gas supplied for performing a deposition or heat treatment process so that temperature variations do not occur in a plurality of substrates loaded in a large area substrate processing system.

최근 평판 디스플레이에 대한 수요가 폭발적으로 증가할 뿐만 아니라 점점 대화면 디스플레이를 선호하는 경향이 두드러지기 때문에, 평판 디스플레이 제조용 대면적 기판처리 시스템에 대한 관심이 고조되고 있다.Recently, as the demand for flat panel displays has exploded and the trend toward larger screen displays has become more prominent, there is a growing interest in large area substrate processing systems for flat panel display manufacturing.

평판 디스플레이 제조시 사용되는 대면적 기판처리 시스템은 크게 증착 장치와 열처리 장치로 구분될 수 있다.Large-area substrate processing systems used in the manufacture of flat panel displays can be broadly classified into deposition apparatuses and heat treatment apparatuses.

증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치이다. 또한, 열처리 장치는 증착 공정 후에 수반되는 어닐링 단계를 담당하는 장치이다.The deposition apparatus is a device that is responsible for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer, which constitute a core component of a flat panel display. In addition, the heat treatment apparatus is a device that is responsible for the annealing step that follows the deposition process.

이와 같은 증착 장치 또는 열처리 장치에는 가스 공급 장치가 필요하다. 즉, 증착 장치에는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층의 형성에 필요한 소스 가스(예를 들어, 비정질 실리콘 형성 시에 필요한 SiH4, PH3, B2H6 가스 등)를, 열처리 장치에는 상황에 맞는 열처리 분위기 조성을 위한 분위기 가스(예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화 시에 필요한 Ar, N2, H2 가스 등)를 공급하는 장치의 설치가 필수적이다.Such a vapor deposition apparatus or heat treatment apparatus requires a gas supply apparatus. That is, the vapor deposition apparatus includes a source gas (for example, SiH 4 , PH 3 , B 2 H 6 gas, etc. required for forming amorphous silicon) for the formation of a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer. It is essential to install an apparatus for supplying an atmosphere gas (for example, Ar, N 2 , H 2 gas, etc. required for crystallization of amorphous silicon) for the heat treatment atmosphere composition appropriate to the situation.

한편 최근 평판 디스플레이의 대면적화 및 생산성 제고 측면에서 상술한 기판처리 시스템 또한 복수개의 평판 디스플레이용 대면적 기판(예를 들어, 유리 또는 석영 기판)을 수용할 수 있을 정도로 대면적화되고 있고, 복수개의 기판을 동시에 로딩한 후 기판 처리를 수행함으로써 대량 생산에 적합한 배치식이 각광을 받고 있다.On the other hand, in recent years, the above-described substrate processing system has also become large enough to accommodate a plurality of large-area substrates (eg, glass or quartz substrates) for flat panel displays. By simultaneously loading the substrates and carrying out the substrate treatment, a batch type suitable for mass production is in the spotlight.

이와 같은 기판처리 시스템의 대면적화에 따라 시스템 내에 기판 처리시 필요한 반응 가스 및 분위기 가스를 공급하는 장치의 역할이 중요해진다. 즉, 반응 가스 및 분위기 가스가 가스 공급 장치에 의해 대면적 기판처리 시스템 내에 원활하고 균일하게 공급될 때에만 복수개의 대면적 기판 전체에 걸쳐 증착되고 열처리되는 막의 조성, 두께, 막질 등의 특성이 일정하게 유지될 수 있다.With such a large area of the substrate processing system, the role of the device for supplying the reaction gas and the atmosphere gas required for substrate processing in the system becomes important. That is, when the reaction gas and the atmosphere gas are smoothly and uniformly supplied into the large-area substrate processing system by the gas supply device, characteristics of the composition, thickness, film quality, etc. of the film deposited and heat-treated over the plurality of large-area substrates are constant. Can be maintained.

이에 본 고안은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 기판 처리시 가스 공급 홀을 임의의 방향으로 조절할 수 있도록 하는 가스 공급 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a gas supply device that can adjust the gas supply hole in any direction during substrate processing.

또한, 기판 처리시 가스 공급 홀의 방향을 임의로 조절하여 기판의 온도 편차를 방지할 수 있는 가스 공급 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a gas supply apparatus capable of arbitrarily adjusting the direction of a gas supply hole during substrate processing to prevent temperature variation of the substrate.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안에 의한 가스 공급 장치는, 대면적 기판처리 시스템 내에 설치된 매니폴드를 통해 기판에 대하여 가스를 공급하는 가스 공급 장치로서, 상기 매니폴드의 일측에 복수개가 설치되는 가스 공급관; 및 상기 매니폴드의 일측에 상기 가스 공급관과 대향하여 복수개가 설치되는 가스 회수관을 포함하며, 상기 가스 공급관에는 복수개의 가스 공급 홀이 형성되고, 상기 가스 회수관에는 복수개의 가스 회수 홀이 형성되며, 상기 가스 공급 홀은 임의의 방향을 향하도록 조절 가능한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a gas supply device according to the present invention is a gas supply device for supplying gas to a substrate through a manifold installed in a large-area substrate processing system, and a plurality of gases are provided on one side of the manifold. Supply pipe; And a gas recovery pipe, in which a plurality of gas recovery pipes are installed at one side of the manifold so as to face the gas supply pipe, wherein the plurality of gas supply holes are formed in the gas supply pipe, and a plurality of gas recovery holes are formed in the gas recovery pipe. The gas supply hole may be adjustable to face an arbitrary direction.

상기 가스 회수 홀은 임의의 방향을 향하도록 조절 가능할 수 있다.The gas recovery hole may be adjustable to face in any direction.

상기 가스 공급관은 복수개의 단위 가스 공급관을 포함할 수 있다.The gas supply pipe may include a plurality of unit gas supply pipes.

상기 가스 회수관은 복수개의 단위 가스 회수관을 포함할 수 있다.The gas recovery pipe may include a plurality of unit gas recovery pipes.

상기 단위 가스 공급관은 상기 가스 공급 홀이 형성되는 본체; 상기 본체의 일단부에 형성되는 삽입단; 상기 삽입단의 일측으로 형성되는 돌기; 및 상기 본체 의 타단부에 형성되는 삽입홈을 포함할 수 있다.The unit gas supply pipe may include a main body in which the gas supply holes are formed; An insertion end formed at one end of the main body; A protrusion formed on one side of the insertion end; And it may include an insertion groove formed on the other end of the main body.

상기 단위 가스 공급관의 삽입홈에는 상기 단위 가스 공급관과 연결되는 다른 단위 가스 공급관의 돌기가 삽입되고, 상기 단위 가스 공급관의 돌기는 상기 단위 가스 공급관과 연결되는 다른 단위 가스 공급관의 삽입홈에 삽입되어, 상기 복수개의 단위 가스 공급관끼리 연결될 수 있다.The projection of another unit gas supply pipe connected to the unit gas supply pipe is inserted into the insertion groove of the unit gas supply pipe, and the projection of the unit gas supply pipe is inserted into the insertion groove of another unit gas supply pipe connected to the unit gas supply pipe. The plurality of unit gas supply pipes may be connected to each other.

상기 단위 가스 회수관은, 상기 가스 회수 홀이 형성되는 본체; 상기 본체의 일단부에 형성되는 삽입단; 상기 삽입단의 일측으로 형성되는 돌기; 및 상기 본체의 타단부에 형성되는 삽입홈을 포함할 수 있다.The unit gas recovery pipe may include a main body in which the gas recovery holes are formed; An insertion end formed at one end of the main body; A protrusion formed on one side of the insertion end; And it may include an insertion groove formed on the other end of the body.

상기 단위 가스 회수관의 삽입홈에는 상기 단위 가스 회수관과 연결되는 다른 단위 가스 회수관의 돌기가 삽입되고, 상기 단위 가스 회수관의 돌기는 상기 단위 가스 회수관과 연결되는 다른 단위 가스 회수관의 삽입홈에 삽입되어, 상기 복수개의 단위 가스 회수관끼리 연결될 수 있다.A projection of another unit gas recovery tube connected to the unit gas recovery tube is inserted into the insertion groove of the unit gas recovery tube, and the protrusion of the unit gas recovery tube of the other unit gas recovery tube connected to the unit gas recovery tube. The plurality of unit gas recovery tubes may be connected to each other by being inserted into an insertion groove.

본 고안에 따르면, 가스 공급관에 형성되는 가스 공급 홀을 임의의 방향으로 조절할 수 있어 기판으로 균일한 가스 공급이 이루어져 기판 처리시 기판의 온도 편차가 방지되는 효과가 있다.According to the present invention, the gas supply hole formed in the gas supply pipe can be adjusted in an arbitrary direction, so that a uniform gas supply is made to the substrate, thereby preventing the temperature variation of the substrate during substrate processing.

또한, 기판 처리시 기판의 온도 편차가 방지되어 대면적 기판처리 시스템 내에서 기판 상에 증착되거나 열처리되는 막질이 균일해지는 효과가 있다.In addition, the temperature variation of the substrate is prevented during substrate processing, so that the film quality deposited or heat-treated on the substrate in the large-area substrate processing system is uniform.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치(100)의 구성을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a batch substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 배치식 기판 처리 장치(100)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(10)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 LCD나 OLED와 같은 평판 디스플레이나 박막형 실리콘 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다.First, the material of the substrate 10 loaded in the batch substrate processing apparatus 100 is not particularly limited, and the substrate 10 of various materials such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and the like may be loaded. Hereinafter, a description will be given assuming a rectangular glass substrate that is most commonly used in the field of flat panel displays such as LCDs and OLEDs or thin film silicon solar cells.

도 1을 참조하면, 배치식 기판 처리 장치(100)는 챔버(200), 메인 히터(300), 보트(400), 가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the batch substrate processing apparatus 100 may include a chamber 200, a main heater 300, a boat 400, a gas supply pipe 500, and a gas recovery pipe 600. .

챔버(200)는 복수개의 기판(10)에 대한 기판 처리 공간을 제공한다.The chamber 200 provides a substrate processing space for the plurality of substrates 10.

챔버(200)의 하단으로는 챔버(200)에 탑재되는 후술하는 보트(400)의 출입을 위해 커버(210)가 개폐 가능하게 설치될 수 있다. 또한, 챔버(200)의 외측 하부에는 커버(210)를 통한 챔버(200)로의 보트(400) 출입을 위해 보트(400)를 승강시키는 승강 수단(미도시)이 설치될 수 있다. 배치식 기판 처리 장치에서 승강 수단을 이용하여 보트를 챔버의 내부로 이송하는 기술은 본 기술분야에서 공지의 내용이므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.A cover 210 may be installed at the lower end of the chamber 200 to open and close the boat 210 for accessing the boat 400 to be described later mounted on the chamber 200. In addition, an elevating means (not shown) for elevating the boat 400 for entering and exiting the boat 400 through the cover 210 to the chamber 200 may be installed at an outer lower portion of the chamber 200. In the batch substrate processing apparatus, the technique of transferring the boat to the inside of the chamber by using the lifting means is well known in the art, and thus detailed description thereof will be omitted.

챔버(200)의 외주면으로는 챔버(200)에 로딩되는 복수개의 기판을 가열하는 메인 히터(300)가 설치된다. 메인 히터(300)는 외부에서 전원을 공급받아 열을 발생시켜, 기판(10)을 가열한다. 메인 히터(300)에 의한 가열 온도는 기판 처리에 적합한 온도인 것이 바람직하다. 메인 히터(300)의 재질은 니크롬, 칸탈(Kanthal) 등을 포함할 수 있다.As the outer circumferential surface of the chamber 200, a main heater 300 for heating a plurality of substrates loaded in the chamber 200 is installed. The main heater 300 receives heat from the outside to generate heat, thereby heating the substrate 10. It is preferable that the heating temperature by the main heater 300 is a temperature suitable for substrate processing. The material of the main heater 300 may include nichrome, Kanthal, and the like.

보트(400)는 기판(10)을 복층으로 로딩하여 지지한다. 보트(400)는 석영(Quartz)으로 이루어진다. 챔버(200)로 로딩되는 기판(10)은 보트(400)에 장착된 상태에서 로딩 및 언로딩될 수 있다.The boat 400 loads and supports the substrate 10 in multiple layers. The boat 400 is made of quartz. The substrate 10 loaded into the chamber 200 may be loaded and unloaded while mounted on the boat 400.

가스 공급관(500)은 챔버(200) 내로 가스를 공급하고, 가스 회수관(600)은 챔버(200) 내부의 폐가스를 회수하여 외부로 배출한다. 가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)은 가스의 공급과 회수를 수행하는 매니폴드(220)를 매개로 하여 설치된다. 이때, 가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)이 배치되는 위치는 복수개의 기판(10)이 로딩된 상태로 챔버(200) 내에 배치되어 있는 보트(400)와 간섭하지 않는 위치인 것이 바람직하다.The gas supply pipe 500 supplies gas into the chamber 200, and the gas recovery pipe 600 recovers waste gas inside the chamber 200 and discharges it to the outside. The gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 are installed through the manifold 220 that performs gas supply and recovery. At this time, the position where the gas supply pipe 500 and the gas recovery tube 600 are disposed is preferably a position that does not interfere with the boat 400 disposed in the chamber 200 with the plurality of substrates 10 loaded. Do.

도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치(100)의 가스 공급관(500)과 가스 회수관(600)의 설치 상태를 나타내는 분해 사시도이다.2 is an exploded perspective view illustrating an installation state of the gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 of the gas supply device 100 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 가스 공급 장치(100)는 기판 처리시 사용되는 가스를 공급 및 회수할 수 있도록 챔버(200)의 하측에 설치되는 매니폴드(220)를 포함할 수 있다.First, the gas supply device 100 may include a manifold 220 installed below the chamber 200 to supply and recover a gas used in substrate processing.

일반적으로 챔버(200) 내부에는 매니폴드(220)의 사이로 기판 가열을 위한 서셉터(230)가 설치되며, 서셉터(230)의 상부로는 복수의 기판이 로딩되는 보트(400)가 설치된다. 서셉터의 통상적인 구성에 대해서는 종래의 기술과 큰 차이가 없으므로 상세한 설명을 생략한다.In general, a susceptor 230 for heating a substrate is installed in the chamber 200 between the manifolds 220, and a boat 400 in which a plurality of substrates are loaded is installed above the susceptor 230. . Since the conventional configuration of the susceptor is not much different from the conventional art, detailed description thereof is omitted.

매니폴드(220)의 일측 상부에 형성되는 공급 매니폴드(222)에는 제1 지지 부(224)가 설치되고, 제1 지지부(224) 상부에는 가스 공급관(500)의 일단이 일정한 간격으로 삽입되어 고정된다.The first support part 224 is installed on the supply manifold 222 formed on one side of the manifold 220, and one end of the gas supply pipe 500 is inserted at a predetermined interval on the first support part 224. It is fixed.

가스 공급관(500)은 제1 지지부(224)에 착탈 가능하게 고정된다. 따라서, 복수개의 가스 공급관(500) 중에서 어느 하나만 파손된 경우에는 파손된 가스 공급관만 교체하여 수리할 수 있기 때문에 수리 비용 및 수리 시간을 줄일 수 있다. 이때, 가스 공급관(500)의 하부측 원주면 상에는 원형의 제1 걸림단(502)을 설치하여, 가스 공급관(500)을 삽입하여 고정할 때 가스 공급관(500)의 삽입 정도를 제한한다.The gas supply pipe 500 is detachably fixed to the first support part 224. Therefore, when any one of the plurality of gas supply pipes 500 is broken, only the damaged gas supply pipes can be replaced and repaired, thereby reducing the repair cost and the repair time. At this time, the circular first locking end 502 is installed on the lower circumferential surface of the gas supply pipe 500 to limit the insertion degree of the gas supply pipe 500 when the gas supply pipe 500 is inserted and fixed.

또한, 매니폴드(220)의 일측 상부에 형성되는 배기 매니폴드(226)에는 제1 지지부(224)와 대향하여 제2 지지부(228)가 설치되고, 제2 지지부(228) 상부에는 복수개의 가스 회수관(600)이 가스 공급관(500)에 대향하여 배치된다. 복수개의 가스 회수관(600)은 일단이 제2 지지부(228)에 착탈 가능하게 삽입된다. 따라서, 복수개의 가스 회수관(600) 중에서 어느 하나만 파손된 경우에는 파손된 가스 회수관만 교체하여 수리할 수 있기 때문에 수리 비용 및 수리 시간을 줄일 수 있다.In addition, a second support part 228 is provided in the exhaust manifold 226 formed on one side of the manifold 220 to face the first support part 224, and a plurality of gases is provided on the second support part 228. The recovery pipe 600 is disposed to face the gas supply pipe 500. One end of the plurality of gas recovery pipes 600 is detachably inserted into the second support part 228. Therefore, when only one of the plurality of gas recovery pipes 600 is broken, only the damaged gas recovery pipes can be replaced and repaired, thereby reducing the repair cost and the repair time.

이때, 가스 회수관(600)의 하부측 원주면 상에는 원형의 제2 걸림단(602)을 설치하여, 가스 회수관(600)을 삽입하여 고정할 때 가스 회수관(600)의 삽입 정도를 제한한다.At this time, a circular second locking end 602 is installed on the lower circumferential surface of the gas recovery tube 600 to restrict the insertion degree of the gas recovery tube 600 when the gas recovery tube 600 is inserted and fixed. do.

서로 대향하고 있는 가스 공급관(500)과 가스 회수관(600)은 기판(10)의 장변측에 배치되어 있지만, 기판(10)의 단변측에 배치될 수도 있다.The gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 which face each other are disposed on the long side of the substrate 10, but may be disposed on the short side of the substrate 10.

가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)의 배치 개수는 특별히 제한되지 않으 며 가스 공급관(500)의 개수와 가스 회수관(600)의 개수가 반드시 동일할 필요도 없다. 다만 대면적 처리 시스템의 크기에 따라 가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.The number of arrangements of the gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 is not particularly limited, and the number of the gas supply pipe 500 and the number of the gas recovery pipe 600 do not necessarily need to be the same. However, the number of the gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 may be variously changed according to the size of the large area treatment system.

가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)으로는 석영관을 사용하는 것이 바람직하다.As the gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600, it is preferable to use a quartz pipe.

가스 공급관(500) 및 가스 회수관(600)의 단면 형상은 특별히 제한되지는 않지만 제조상 용이한 원형으로 하는 것이 바람직하다.Although the cross-sectional shape of the gas supply pipe 500 and the gas recovery pipe 600 is not specifically limited, It is preferable to make circular shape which is easy for manufacture.

도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 공급관(500)의 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of the configuration of the gas supply pipe 500 of the batch type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 가스 공급관(500)의 표면에는 챔버(200)에 로딩된 기판(10)에 대하여 가스를 공급할 수 있도록 가스 공급 홀(510)이 형성된다. 가스 공급 홀(510)은 복수개의 기판에 대응하도록 복수개로 형성되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 3, a gas supply hole 510 is formed on a surface of the gas supply pipe 500 to supply gas to the substrate 10 loaded in the chamber 200. Preferably, a plurality of gas supply holes 510 are formed to correspond to the plurality of substrates.

가스 공급 홀(510)은 임의의 방향을 향하도록 조절될 수 있다. 가스 공급 홀(510)의 방향 조절에 대해서는 후술하기로 한다. 가스 공급 홀(510)을 통해 공급되는 가스는 챔버(200)의 내측에 위치되는 기판(10)에 접촉할 수 있다. 챔버 내에 장착되는 복수개의 기판마다 가스 공급 홀(510)에서 나오는 가스와 일 대 일로 대응할 수 있도록 가스 공급 홀(510)의 개수와 챔버에 장입되는 기판의 개수를 동일하게 하는 것이 바람직하다.The gas supply hole 510 may be adjusted to face in any direction. The direction control of the gas supply hole 510 will be described later. The gas supplied through the gas supply hole 510 may contact the substrate 10 positioned inside the chamber 200. The number of gas supply holes 510 and the number of substrates charged in the chamber may be the same so as to correspond to the gas from the gas supply holes 510 one to one for each of the plurality of substrates mounted in the chamber.

가스 공급 홀(510)의 형성 간격은 보트에 장착되는 기판의 간격과 동일하지만, 가스 공급 홀(510)의 중심축은 기판과 기판의 중간 위치에 위치시켜 가스 공급 홀(510)으로부터 나오는 가스가 기판의 상부를 지나가도록 할 수도 있다.The spacing of the gas supply holes 510 is the same as that of the substrate mounted on the boat, but the central axis of the gas supply holes 510 is located at an intermediate position between the substrate and the substrate so that the gas exiting from the gas supply holes 510 You can also pass the top of the.

가스 공급관(500)의 일단은 폐쇄되도록 형성하여 공급된 가스가 상단을 통하여 배출되지 않도록 하는 것이 바람직하다.One end of the gas supply pipe 500 is preferably closed so that the supplied gas is not discharged through the upper end.

가스 공급관(500)의 상단부는 평면 형태로 형성될 수도 있지만, 가스 공급관(500)의 상단부가 폐쇄될 수 있다면 다른 형상이 되어도 무방하다.The upper end of the gas supply pipe 500 may be formed in a planar shape, but may be in another shape as long as the upper end of the gas supply pipe 500 can be closed.

가스 공급관(500)은 복수개의 단위 가스 공급관(550)이 연속적으로 연결되어 형성될 수 있다.The gas supply pipe 500 may be formed by continuously connecting the plurality of unit gas supply pipes 550.

단위 가스 공급관(550)의 구성에 대해서는 후술하기로 한다.The configuration of the unit gas supply pipe 550 will be described later.

도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 회수관(600)의 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing an example of the configuration of the gas recovery tube 600 of the batch type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

가스 회수관(600)은 챔버(200) 내로 공급된 가스를 회수하여 챔버(200)의 외부로 배출한다.The gas recovery tube 600 recovers the gas supplied into the chamber 200 and discharges the gas to the outside of the chamber 200.

가스 회수관(600) 상에는 가스 회수관(600)의 중심축에 평행하게 복수개의 가스 회수 홀(610)이 형성되어 있다. 이때, 형성되는 가스 회수 홀(610)은 기판에 접촉된 가스를 회수할 수 있도록 한다. 가스 회수 홀(610)은 임의의 방향을 향하도록 조절할 수 있다. 가스 회수 홀(610)의 방향 조절에 대해서는 후술하기로 한다.On the gas recovery pipe 600, a plurality of gas recovery holes 610 are formed in parallel with the central axis of the gas recovery pipe 600. At this time, the gas recovery hole 610 is formed to recover the gas in contact with the substrate. The gas recovery hole 610 may be adjusted to face in any direction. The direction adjustment of the gas recovery hole 610 will be described later.

가스 회수를 용이하게 하기 위해 가스 회수 홀(610)의 개수는 가스 공급 홀(510)의 개수보다 적어도 1개 이상 많게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 가스 회수 홀(610)의 크기는 가스 공급 홀(510)의 크기보다 크게 하는 것이 바람직하다.In order to facilitate gas recovery, the number of gas recovery holes 610 is preferably formed at least one greater than the number of gas supply holes 510. In addition, the size of the gas recovery hole 610 may be larger than that of the gas supply hole 510.

가스 회수관(600)은 복수개의 단위 가스 회수관(650)이 연속적으로 연결되어 형성될 수 있다. 단위 가스 회수관(650)의 구성에 대해서는 후술하기로 한다.The gas recovery pipe 600 may be formed by continuously connecting a plurality of unit gas recovery pipes 650. The structure of the unit gas recovery pipe 650 will be described later.

도 5는 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 공급관(500)을 구성하는 단위 가스 공급관(550)의 구성의 일 예를 나타내는 도면이다.5 is a view showing an example of the configuration of the unit gas supply pipe 550 constituting the gas supply pipe 500 of the batch substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 단위 가스 공급관(550)은 본체(560), 삽입단(570), 돌기(572) 및 삽입홈(574)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the unit gas supply pipe 550 may include a main body 560, an insertion end 570, a protrusion 572, and an insertion groove 574.

본체(560)는 소정의 길이와 직경을 갖는 원통형의 관 형태로 형성된다. 본체(560)의 일측 표면에는 챔버 내부로 가스를 공급할 수 있는 가스 공급 홀(510)이 형성된다.The main body 560 is formed in the shape of a cylindrical tube having a predetermined length and diameter. On one surface of the main body 560 is formed a gas supply hole 510 for supplying gas into the chamber.

삽입단(570)은 본체(560)의 일단에 소정의 직경을 갖는 링 형태로 형성된다. 삽입단(570)의 외부 직경은 본체(560)의 내측으로 삽입된 후 밀착될 수 있을 정도로 형성되는 것이 바람직하다.The insertion end 570 is formed in a ring shape having a predetermined diameter at one end of the main body 560. The outer diameter of the insertion end 570 is preferably formed to be in close contact after being inserted into the inside of the main body 560.

삽입단(570)의 일측으로는 후술하는 삽입홈(574)에 삽입되는 소정 길이의 돌기(572)가 형성된다. 돌기(572)는 1개 이상으로 형성될 수 있으며, 복수개로 형성되는 경우 돌기(572)는 소정의 각거리를 갖는 것이 바람직하다.One side of the insertion end 570 is formed with a projection 572 of a predetermined length to be inserted into the insertion groove 574 to be described later. The protrusion 572 may be formed in one or more, and when formed in plural, it is preferable that the protrusion 572 has a predetermined angular distance.

삽입홈(574)은 본체(560)의 타단 내주면에 형성된다. 삽입홈(574)에는 돌기(572)가 삽입되며, 이때 삽입된 돌기(572)가 이탈하지 않도록 삽입홈(574)은 본체(560)의 일단 내주면에 본체(560)의 중심을 향하여 소정의 길이를 갖도록 형성되는 링 형태의 이탈 방지단(576) 상에 형성되는 것이 바람직하다. 삽입홈(574)의 개수는 돌기(572)의 개수와 동일하거나 그 이상이 될 수 있다.Insertion groove 574 is formed on the inner peripheral surface of the other end of the main body 560. The projection 572 is inserted into the insertion groove 574, and the insertion groove 574 has a predetermined length toward the center of the main body 560 on one inner circumferential surface of the main body 560 so that the inserted projection 572 does not escape. It is preferably formed on the ring-shaped separation prevention end 576 is formed to have. The number of insertion grooves 574 may be equal to or greater than the number of protrusions 572.

도 6은 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급관(500)의 일부를 구성하는 제1, 제2 및 제3 단위 가스 공급관(550a, 550b, 550c)의 연결 과정을 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a process of connecting the first, second and third unit gas supply pipes 550a, 550b, and 550c constituting a part of the gas supply pipe 500 according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 가스 공급관(500)은 복수개의 단위 가스 공급관을 연속적으로 연결하여 구성되며, 도 6은 도시의 편의상 제1, 제2 및 제3 단위 가스 공급관(550a, 550b, 550c)의 연결 과정을 나타낸 것이다.Referring to FIG. 6, the gas supply pipe 500 is configured by continuously connecting a plurality of unit gas supply pipes, and FIG. 6 illustrates the first, second, and third unit gas supply pipes 550a, 550b, and 550c for convenience of illustration. It shows the connection process.

보다 구체적으로 설명하면, 일 예로 제1, 제2 및 제3 단위 가스 공급관(550a, 550b, 550c)을 연속적으로 연결하여 가스 공급관(500)을 구성한다. 즉, 제1 및 제2 본체(560a, 560b) 일단에 각각 형성된 제1 및 제2 삽입단(570a, 570b)을 제2 및 제3 본체(560b, 560c)의 단부를 통해 삽입하며, 이후 제1 및 제2 돌기(572a, 572b)를 제2 및 제3 삽입홈(574b, 574c)에 삽입하면, 제1, 제2 및 제3 본체(560a, 560b, 560c)가 연속적으로 연결된다.More specifically, for example, the gas supply pipe 500 may be configured by continuously connecting the first, second and third unit gas supply pipes 550a, 550b, and 550c. That is, the first and second insertion ends 570a and 570b formed at one end of the first and second main bodies 560a and 560b are respectively inserted through the ends of the second and third main bodies 560b and 560c. When the first and second protrusions 572a and 572b are inserted into the second and third insertion grooves 574b and 574c, the first, second and third bodies 560a, 560b and 560c are continuously connected.

이때, 일 예로 제1 돌기(572a)가 제2 삽입홈(576b)에 삽입된 상태에서 제1 또는 제2 본체(560a, 560b)를 회전시키면, 제1 돌기(572a)가 제2 이탈 방지단(576b)에 걸려 이탈이 방지됨으로써 제1 및 제2 본체(560a, 560b)는 고정 상태가 된다. 이와 같은 과정은 제2 및 제3 본체(560b, 560c)의 연결 및 고정에도 동일하게 적용된다.In this case, as an example, when the first or second main bodies 560a and 560b are rotated while the first protrusion 572a is inserted into the second insertion groove 576b, the first protrusion 572a may prevent the second departure. The first and second main bodies 560a and 560b are fixed by being caught by 576b. This process is equally applied to the connection and fixing of the second and third bodies 560b and 560c.

위와 같은 과정을 통하여 제1, 제2 및 제3 단위 가스 공급관(550a, 550b, 550c)은 연속적으로 연결되어 가스 공급관(500)의 일부를 구성할 수 있다. 여기서, 가스 공급관(500)을 구성하는 단위 가스 공급관(550)의 개수는 사용자가 필요 로 하는 가스 공급관(500)의 길이에 따라 증감될 수 있다.Through the above process, the first, second and third unit gas supply pipes 550a, 550b, and 550c may be continuously connected to form part of the gas supply pipe 500. Here, the number of unit gas supply pipes 550 constituting the gas supply pipe 500 may be increased or decreased according to the length of the gas supply pipe 500 required by the user.

한편, 가스 회수관(600)을 구성하는 단위 가스 회수관(650)은 가스 공급관(500)을 이루는 단위 가스 공급관(550)과 동일한 구성요소로 구성될 수 있으며, 이들 구성요소의 연결 및 동작 등도 가스 공급관(500)과 동일하게 이루어지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.On the other hand, the unit gas recovery pipe 650 constituting the gas recovery pipe 600 may be composed of the same components as the unit gas supply pipe 550 constituting the gas supply pipe 500, the connection and operation of these components Since it is made the same as the gas supply pipe 500, a detailed description thereof will be omitted.

상기와 같이 구성된 본 고안의 동작을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the present invention configured as described above are as follows.

대면적 기판처리 시스템에 기판이 로딩된 후, 증착 또는 열처리 공정을 진행하기 위하여 가스 공급관(500)을 통해 기판 처리 가스가 공급되고, 공정에 사용된 폐가스는 가스 회수관(600)을 통해 회수된다.After the substrate is loaded into the large-area substrate processing system, the substrate processing gas is supplied through the gas supply pipe 500 to perform the deposition or heat treatment process, and the waste gas used in the process is recovered through the gas recovery pipe 600. .

이때, 로딩되어 있는 기판에 온도 편차가 발생되지 않도록 하기 위해서는 가스 공급관(500)에 형성된 가스 공급 홀(510)의 방향을 조절하는 것을 필요로 한다.In this case, in order to prevent the temperature deviation from occurring in the loaded substrate, it is necessary to adjust the direction of the gas supply hole 510 formed in the gas supply pipe 500.

가스 공급관(500)이 배치된 후, 작업자는 단위 가스 공급관(550)을 구성하는 복수개의 본체(560)를 개별적으로 회전시킨다. 본체(560)가 회전하면, 본체(560) 표면의 가스 공급 홀(510)은 임의의 방향을 향하게 된다.After the gas supply pipe 500 is disposed, the worker individually rotates the plurality of main bodies 560 constituting the unit gas supply pipe 550. When the main body 560 rotates, the gas supply hole 510 on the surface of the main body 560 is directed in an arbitrary direction.

도 7은 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급관(500)의 가스 공급홀(510)의 방향 조절의 일 예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing an example of the direction control of the gas supply hole 510 of the gas supply pipe 500 according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 상부의 가스 공급 홀(510)은 우측을 향하고 있고, 하부의 가스 공급 홀(510)은 좌측을 향하고 있으나, 이는 가스 공급 홀(510)의 방향 설정 상태의 일 예로서, 도시된 바로 한정되지 않고 각각의 가스 공급 홀(510)은 다양한 방향을 향하도록 조정될 수 있다.Referring to FIG. 7, the upper gas supply hole 510 faces the right side, and the lower gas supply hole 510 faces the left side. However, this is an example of a direction setting state of the gas supply hole 510. The gas supply holes 510 may be adjusted to face various directions without being limited to those illustrated.

이와 같이, 각각의 가스 공급 홀(510)이 필요로 하는 방향으로 조절된 상태에서 각각의 가스 공급 홀(510)을 통해 기판(10)으로 기판 처리 가스를 공급하면서 기판 처리를 수행함으로써 임의의 일 방향으로만 공급되는 기판 처리 가스에 의해 기판(10) 상에 온도 편차가 발생하는 종래의 문제점을 해결할 수 있다.As described above, the substrate processing is performed by supplying the substrate processing gas to the substrate 10 through the respective gas supply holes 510 in a state in which the respective gas supply holes 510 are adjusted in the required direction. The conventional problem that a temperature deviation occurs on the substrate 10 by the substrate processing gas supplied only in the direction can be solved.

한편, 상기 기판 처리 가스는 가스 회수관(600)의 가스 회수 홀(610)을 통하여 폐가스로 챔버 외부로 배출된다. 이때, 가스 공급 홀(510)과 동일한 방식으로 가스 회수 홀(610)의 각각의 방향을 임의로 조절할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing gas is discharged to the outside of the chamber as waste gas through the gas recovery hole 610 of the gas recovery pipe 600. In this case, each direction of the gas recovery hole 610 may be arbitrarily adjusted in the same manner as the gas supply hole 510.

상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 가스 공급 장치(100)는 가스 공급관(500)을 구성하는 단위 가스 공급관(550)을 각각 임의의 방향으로 회전시켜 가스 공급 홀(510)이 각각 임의의 방향을 향하도록 조절하여 기판에 대하여 균일하게 기판 처리 가스를 공급할 수 있고, 이로 인하여 기판(10)은 기판 처리 과정에서 온도 편차 없이 전체적으로 균일한 온도를 갖게 되어서 기판 처리의 균일성 및 재현성이 향상될 수 있다.As described above, the gas supply apparatus 100 according to the present invention rotates the unit gas supply pipes 550 constituting the gas supply pipe 500 in an arbitrary direction, so that the gas supply holes 510 each have an arbitrary direction. The substrate processing gas may be uniformly supplied to the substrate so that the substrate 10 may be uniformly supplied to the substrate, and thus, the substrate 10 may have an overall uniform temperature without temperature variation during substrate processing, thereby improving uniformity and reproducibility of substrate processing. .

본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 실용신안청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art to which the subject innovation pertains without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention and the appended utility model claims.

도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a batch substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치의 가스 공급관과 가스 회수관의 설치 상태를 나타내는 분해 사시도.Figure 2 is an exploded perspective view showing the installation state of the gas supply pipe and the gas recovery tube of the gas supply device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 공급관의 구성의 일 예를 나타내는 도면.3 is a view showing an example of the configuration of a gas supply pipe of a batch substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 회수관의 구성의 일 예를 나타내는 도면.4 is a view showing an example of the configuration of a gas recovery tube of the batch type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 고안의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치의 가스 공급관을 구성하는 단위 가스 공급관의 구성의 일 예를 나타내는 도면.5 is a view showing an example of the configuration of a unit gas supply pipe constituting the gas supply pipe of the batch-type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급관의 일부를 구성하는 제1, 제2 및 제3 단위 가스 공급관의 연결 과정을 나타내는 도면.6 is a view showing a process of connecting the first, second and third unit gas supply pipes constituting a part of the gas supply pipe according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 고안의 일 실시예에 따른 가스 공급관의 가스 공급홀의 방향 조절의 일 예를 나타내는 도면.7 is a view showing an example of adjusting the direction of the gas supply hole of the gas supply pipe according to an embodiment of the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 - -Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

10: 기판10: Substrate

100: 기판 처리 장치100: substrate processing apparatus

200: 챔버200: chamber

220: 매니폴드220: manifold

300: 메인 히터300: main heater

400: 보트 400: boat

500: 가스 공급관500: gas supply pipe

510: 가스 공급 홀510: gas supply hole

550: 단위 가스 공급관550 unit gas supply pipe

560: 본체560: main body

570: 삽입단570: insertion end

572: 돌기572: turning

574: 삽입홈574: insertion groove

600: 가스 회수관600: gas recovery tube

610: 가스 회수 홀610: gas recovery hole

650: 단위 가스 회수관650: unit gas recovery tube

Claims (8)

기판이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버의 일측에 설치된 매니폴드, 상기 매니폴드의 일측과 연통 설치되며 상기 기판으로 가스를 공급하기 위한 복수개의 가스 공급 홀이 각각 형성된 복수개의 가스 공급관, 상기 매니폴드의 타측과 연통 설치되어 상기 가스 공급관과 대향하며 상기 기판으로 공급된 가스를 회수하기 위한 복수개의 가스 회수 홀이 각각 형성된 복수개의 가스 회수관을 구비하는 가스 공급 장치로서,A plurality of gas supply pipes provided with a chamber providing a space in which a substrate is inserted and processed, a manifold provided at one side of the chamber, and a plurality of gas supply holes provided in communication with one side of the manifold, for supplying gas to the substrate; And a plurality of gas recovery pipes installed in communication with the other side of the manifold so as to face the gas supply pipes and each of which has a plurality of gas recovery holes for recovering the gas supplied to the substrate. 상기 가스 공급관은 상기 가스 공급 홀이 각각 형성되어 상호 회전가능하게 결합된 복수의 단위 가스 공급관을 포함하고,The gas supply pipe may include a plurality of unit gas supply pipes in which the gas supply holes are formed, respectively, and rotatably coupled to each other. 각각의 상기 단위 가스 공급관을 회전시켜 상기 가스 공급 홀의 방향을 조절하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas supply device, characterized in that for adjusting the direction of the gas supply hole by rotating each of the unit gas supply pipe. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 회수 홀은 임의의 방향을 향하도록 조절 가능한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And the gas recovery hole is adjustable to face an arbitrary direction. 삭제delete 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가스 회수관은 상기 가스 회수 홀이 각각 형성되어 상호 회전가능하게 결합된 복수의 단위 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The gas recovery pipe may include a plurality of unit gas supply pipes each of which is formed with the gas recovery holes and rotatably coupled to each other. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단위 가스 공급관은,The unit gas supply pipe, 상기 가스 공급 홀이 형성되는 본체;A main body in which the gas supply holes are formed; 상기 본체의 일단부에 형성되는 삽입단;An insertion end formed at one end of the main body; 상기 삽입단의 일측으로 형성되는 돌기; 및A protrusion formed on one side of the insertion end; And 상기 본체의 타단부에 형성되는 삽입홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And an insertion groove formed at the other end of the main body. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 단위 가스 공급관의 삽입홈에는 상기 단위 가스 공급관과 연결되는 다른 단위 가스 공급관의 돌기가 삽입되고, 상기 단위 가스 공급관의 돌기는 상기 단위 가스 공급관과 연결되는 다른 단위 가스 공급관의 삽입홈에 삽입되어, 상기 복수개의 단위 가스 공급관끼리 연결되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The projection of another unit gas supply pipe connected to the unit gas supply pipe is inserted into the insertion groove of the unit gas supply pipe, and the projection of the unit gas supply pipe is inserted into the insertion groove of another unit gas supply pipe connected to the unit gas supply pipe. And a plurality of unit gas supply pipes are connected to each other. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 단위 가스 회수관은,The unit gas recovery pipe, 상기 가스 회수 홀이 형성되는 본체;A main body in which the gas recovery holes are formed; 상기 본체의 일단부에 형성되는 삽입단;An insertion end formed at one end of the main body; 상기 삽입단의 일측으로 형성되는 돌기; 및A protrusion formed on one side of the insertion end; And 상기 본체의 타단부에 형성되는 삽입홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And an insertion groove formed at the other end of the main body. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 단위 가스 회수관의 삽입홈에는 상기 단위 가스 회수관과 연결되는 다른 단위 가스 회수관의 돌기가 삽입되고, 상기 단위 가스 회수관의 돌기는 상기 단위 가스 회수관과 연결되는 다른 단위 가스 회수관의 삽입홈에 삽입되어, 상기 복수개의 단위 가스 회수관끼리 연결되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.A projection of another unit gas recovery tube connected to the unit gas recovery tube is inserted into the insertion groove of the unit gas recovery tube, and the protrusion of the unit gas recovery tube of the other unit gas recovery tube connected to the unit gas recovery tube. A gas supply device inserted into an insertion groove and connected to the plurality of unit gas recovery pipes.
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