JP2010013733A - Diffuser gravity support - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for supporting a gas distribution plate in a process chamber. <P>SOLUTION: The apparatus for supporting the gas distribution plate 20 in a chamber 100 comprises: a chamber; a backing plate 28 in the chamber having a center area and at least one opening present at the center area; a gas distribution plate in the chamber having a center area; and at least one support member 15 present within the at least one opening in the backing plate and engaged with the center area of the gas distribution plate, wherein the gas distribution plate is suspended by at least one support member. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

発明の背景Background of the Invention

発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、1つ以上のガスをプラズマチャンバに供給することに関する。より詳細には、本発明は、チャンバ内においてガス分配プレートを支持することに関する。
Field of Invention
[0001] Embodiments of the present invention generally relate to supplying one or more gases to a plasma chamber. More particularly, the present invention relates to supporting a gas distribution plate within a chamber.

関連技術の説明
[0002]フラットパネルディスプレイは、絶縁体、導体、および薄膜トランジスタ(TFT)のような電子デバイスからなるアクティブマトリックスを用い、テレビモニタ、携帯情報端末(PDA)、およびコンピュータ画面のような様々なデバイスに使用されるフラットスクリーンを製造する。一般的には、これらのフラットパネルディスプレイは、ガラス、高分子材料、またはその他の適切な基板材料からなる2つの薄いパネルから作られる。液晶材料または金属接点のマトリックスからなる層、半導体アクティブ層、および誘電体層は、一連のステップによって堆積され、2つの薄いパネルの間にサンドイッチ状に挟まれ、この2つの薄いパネルは、お互いに結合され、その上に設置された少なくとも1つのフラットパネルディスプレイを有する大面積基板を形成する。パネルの少なくとも一方は、電源に結合される導電膜を含み、この電源は、液晶材料の配向を変化させ、パターン化された表示をスクリーン面上に作成する。
Explanation of related technology
[0002] Flat panel displays use an active matrix consisting of insulators, conductors, and electronic devices such as thin film transistors (TFTs) for various devices such as television monitors, personal digital assistants (PDAs), and computer screens. Produces the flat screen used. In general, these flat panel displays are made from two thin panels of glass, polymeric material, or other suitable substrate material. A layer consisting of a matrix of liquid crystal material or metal contacts, a semiconductor active layer, and a dielectric layer are deposited by a series of steps and sandwiched between two thin panels that are connected to each other. A large area substrate is formed having at least one flat panel display bonded and mounted thereon. At least one of the panels includes a conductive film coupled to a power source that changes the orientation of the liquid crystal material and creates a patterned display on the screen surface.

[0003]これらのプロセスは、典型的には、アクティブマトリックス材料を基板上に堆積する一連の複数のプロセスステップを大面積基板に施すことを必要とする。化学気相成長法(CVD)およびプラズマ化学気相成長法(PECVD)は、この堆積のための周知のプロセスの1つである。これらの既知のプロセスは、大面積基板の温度を約300℃〜約400℃かまたはそれ以上にし、かつ堆積される層の均一性を保証するために、堆積中に大面積基板をガス分配プレートまたは拡散器に対して定位置に維持することを必要とする。拡散器は、一般的には、基板の面積に等しいかまたはそれよりも大きい面積を画成する。拡散器が、堆積中に何らかの理由で撓めば、プロセスは、均一な堆積をもたらさないことがあり、その結果として、使用できないフラットパネルディスプレイとなることがある。   [0003] These processes typically require a large area substrate to be subjected to a series of multiple process steps that deposit the active matrix material onto the substrate. Chemical vapor deposition (CVD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are one of the well-known processes for this deposition. These known processes bring the large area substrate to a gas distribution plate during deposition to bring the temperature of the large area substrate to about 300 ° C. to about 400 ° C. or higher and to ensure uniformity of the deposited layer. Or it needs to be kept in place with respect to the diffuser. The diffuser generally defines an area that is equal to or greater than the area of the substrate. If the diffuser bends for any reason during deposition, the process may not result in uniform deposition, resulting in an unusable flat panel display.

[0004]フラットパネルディスプレイは、この技術が市場で受け入れられたために、寸法がここ数年で劇的に増加した。前世代の大面積基板は、約500mm×650mmの寸法を有し、そして、約1800mm×約2200mmかまたはそれ以上にまで寸法が増加した。この寸法の増加は、基板を完全に処理するのを可能にするために、拡散器の寸法の増加をもたらした。拡散器のより大きな寸法は、堆積中に高温に曝されたときのたるみを阻止する拡散器を設計するための新しい課題をもたらした。   [0004] Flat panel displays have dramatically increased in size over the last few years due to the market acceptance of this technology. Previous generation large area substrates had dimensions of about 500 mm × 650 mm and increased in size to about 1800 mm × about 2200 mm or more. This increase in size has resulted in an increase in the size of the diffuser to allow complete processing of the substrate. The larger size of the diffuser has led to new challenges for designing a diffuser that prevents sagging when exposed to high temperatures during deposition.

[0005]拡散器は、一般的には、間隔を置いて大面積基板の上方に支持されるプレートであり、1つ以上のプロセスガスを分散させるように適合された複数の開口があり、典型的には、処理されるべき基板とほぼ同じ面積を有する。拡散器は、通常、アルミニウムから作られ、CVDプロセスまたはPECVDプロセスに耐えるとともに、膨張および収縮の作用に曝され、そして、通常、縁に沿って支持され、拡散器と基板との間の間隔が、制御される。しかしながら、この縁支持方式は、中央部分をまったく支持せず、それは、時間とともに、重力のために、たるむ傾向があり、あるいはクリープする傾向があり、CVDプロセスまたはPECVDプロセス中の高いプロセス温度によって悪化する。   [0005] A diffuser is generally a plate that is supported above a large area substrate at intervals, with a plurality of apertures adapted to disperse one or more process gases, Specifically, it has approximately the same area as the substrate to be processed. Diffusers are usually made from aluminum, are resistant to CVD or PECVD processes, are exposed to the effects of expansion and contraction, and are usually supported along the edge so that the spacing between the diffuser and the substrate is Controlled. However, this edge support scheme does not support the central portion at all, which tends to sag or creep over time due to gravity and is exacerbated by high process temperatures during the CVD or PECVD process. To do.

[0006]本発明は、一般的には、プラズマチャンバ内においてガス分配プレートまたは拡散器を支持するための方法および装置に関する。一実施形態においては、拡散器は、内側または中央に設置された少なくとも1つの支持部材によって吊り下げられ、その支持部材は、ガス分配プレートおよびチャンバの壁に結合される。本発明は、プラズマ化学気相成長法中に発生する高温に耐えるとともに、拡散器に作用する重力および熱によって発生する力または圧力によって発生する力によって拡散器が変形するのを防止するのに有益である。少なくとも1つの支持部材は、チャンバ内において拡散器とバッキングプレートとの間に結合され、拡散器の平面姿勢を調節することができる。少なくとも1つの支持部材は、チャンバを排気する前に、あるいはチャンバを排気した後に、拡散器プロフィールを調節するように構成される。別の実施形態においては、少なくとも1つの支持部材は、少なくとも1つの支持部材に結合された複数のねじを調節することによって、拡散器プロフィールを調節するのを助ける。重力支持体は、拡散器を通る1種以上のガスの流れに影響を与えることなく、拡散器に取り付けられてもよい。   [0006] The present invention relates generally to a method and apparatus for supporting a gas distribution plate or diffuser in a plasma chamber. In one embodiment, the diffuser is suspended by at least one support member located inside or centrally, which support member is coupled to the gas distribution plate and the chamber wall. The present invention is resistant to the high temperatures generated during plasma enhanced chemical vapor deposition and to prevent the diffuser from being deformed by forces generated by gravity and heat acting on the diffuser or by pressure generated by the pressure. It is. At least one support member is coupled between the diffuser and the backing plate in the chamber to adjust the planar orientation of the diffuser. The at least one support member is configured to adjust the diffuser profile before or after evacuating the chamber. In another embodiment, the at least one support member helps to adjust the diffuser profile by adjusting a plurality of screws coupled to the at least one support member. The gravity support may be attached to the diffuser without affecting the flow of one or more gases through the diffuser.

[0007]一実施形態においては、少なくとも1つの支持部材は、重力支持体である。重力支持体は、ガス入口を含み、ガス入口から拡散器プレートの複数のオリフィスまで流れるガスの流れを提供し、それと同時に、拡散器を垂直方向に支持する。また、重力支持体は、噛み合い機構を介して、拡散器から分離することができる。別の実施形態においては、オリフィスリングは、重力支持体に結合するように構成され、ガスの流れを調節するという態様を拡散器に提供する。   [0007] In one embodiment, the at least one support member is a gravity support. The gravity support includes a gas inlet and provides a flow of gas that flows from the gas inlet to a plurality of orifices in the diffuser plate while simultaneously supporting the diffuser in the vertical direction. Also, the gravity support can be separated from the diffuser via an engagement mechanism. In another embodiment, the orifice ring is configured to couple to a gravity support, providing the diffuser with a mode of regulating gas flow.

[0008]別の実施形態においては、ガス分配プレートは、チャンバ内の第1のプレートによってチャンバ内に支持され、第1のプレートは、それを貫通して形成された少なくとも1つの孔を備える中央領域を有する。第1のプレートの下方には、ガス分配プレートのような第2のプレートが、存在し、その第2のプレートは、第1のプレートの少なくとも1つの孔と垂直方向に整列する少なくとも1つの噛み合い部分を有する。少なくとも1つのねじ付き支持体は、少なくとも1つの噛み合い部分と係合するように適合され、それによって、ガス分配プレートの中央領域からガス分配プレートを支持する。少なくとも1つのねじ付き支持体は、拡散器とバッキングプレートとの間に結合される。バッキングプレートは、断面が、拡散器よりも比較的に厚く、そのために、実質的に静的な支持を提供する。拡散器は、相対的な厚さおよび拡散器の穿孔のために、バッキングプレートと比較すれば、より可鍛性があり、これは、少なくとも1つのねじ付き支持体を調節することによって拡散器プロフィールを調節するのを可能にする。   [0008] In another embodiment, the gas distribution plate is supported in the chamber by a first plate in the chamber, the first plate comprising a central comprising at least one hole formed therethrough. Has a region. Below the first plate is a second plate, such as a gas distribution plate, which is in engagement with at least one mesh that is vertically aligned with at least one hole in the first plate. Has a part. The at least one threaded support is adapted to engage the at least one mating portion, thereby supporting the gas distribution plate from the central region of the gas distribution plate. At least one threaded support is coupled between the diffuser and the backing plate. The backing plate is relatively thicker in cross section than the diffuser, and therefore provides a substantially static support. The diffuser is more malleable compared to the backing plate due to the relative thickness and diffuser perforation, which can be achieved by adjusting the diffuser profile by adjusting at least one threaded support. Makes it possible to adjust.

[0009]別の実施形態においては、プラズマチャンバ内の拡散器の水平方向プロフィールを変更する方法が記載される。この方法は、拡散器の中央領域に噛み合い機構を有する拡散器を支持するステップと、支持部材を噛み合い部分に係合させるステップと、拡散器の平面性を変更するために、支持部材を調節するステップと備える。1つの態様においては、この方法は、チャンバを減圧する前に、あるいはチャンバを減圧した後に、調節するのを可能にする。一実施形態においては、調節するステップは、平面の水平方向プロフィール、凹状の水平方向プロフィール、または凸状の水平方向プロフィールの中の1つを有するように拡散器の水平方向プロフィールを変更するステップを備える。   [0009] In another embodiment, a method for changing the horizontal profile of a diffuser in a plasma chamber is described. The method includes the steps of supporting a diffuser having an engagement mechanism in a central region of the diffuser, engaging the support member with the engagement portion, and adjusting the support member to change the planarity of the diffuser. Prepare with steps. In one aspect, the method allows adjustment before or after decompressing the chamber. In one embodiment, the adjusting step comprises modifying the diffuser horizontal profile to have one of a planar horizontal profile, a concave horizontal profile, or a convex horizontal profile. Prepare.

[0010]別の実施形態においては、少なくとも1つの支持部材は、ピボット支持体である。ピボット支持体は、上側ピボット部材に取り外し可能に結合されたボールスタッドを含む。上側ピボット部材は、チャンバ内のバッキングプレートに結合され、ボールスタッドは、拡散器に取り外し可能に結合するように適合される。ボールスタッドは、上側ピボット部材を貫通して延びるねじを切られた部分を有し、ねじを切られた部分に結合される少なくとも1つのナットによって、拡散器の水平方向プロフィールを調節することを提供する。   [0010] In another embodiment, the at least one support member is a pivot support. The pivot support includes a ball stud that is removably coupled to the upper pivot member. The upper pivot member is coupled to a backing plate in the chamber and the ball stud is adapted to removably couple to the diffuser. The ball stud has a threaded portion extending through the upper pivot member and provides for adjusting the horizontal profile of the diffuser by at least one nut coupled to the threaded portion. To do.

[0011]別の実施形態においては、基板上に薄膜を堆積する方法が記載される。この方法は、プロセスチャンバ内においてガス分配プレートの下方に存在する基板支持体上に基板を置くステップであって、ガス分配プレートは、調節可能な水平方向プロフィールを有する、上記基板を配置するステップと、ガス分配プレートに配置された複数の開口を介してプロセスガスを流し込むステップと、ガス分配プレートと基板との間にプラズマを形成するステップと、基板上に薄膜を堆積するステップとを備える。この方法は、約350℃から約450℃までの温度にプロセスチャンバを加熱するステップを更に備えてもよい。一実施形態においては、ガス分配プレートの水平方向プロフィールは、凹状の形状を呈する。別の実施形態においては、薄膜は、アモルファスシリコンである。別の実施形態においては、水平方向プロフィールは、少なくとも1つの支持部材を用いて調節され、別の実施形態においては、複数の支持部材が、水平方向プロフィールを調節するのに使用される。   [0011] In another embodiment, a method for depositing a thin film on a substrate is described. The method places a substrate on a substrate support that lies below the gas distribution plate in a process chamber, the gas distribution plate placing the substrate having an adjustable horizontal profile; And flowing a process gas through a plurality of openings arranged in the gas distribution plate, forming a plasma between the gas distribution plate and the substrate, and depositing a thin film on the substrate. The method may further comprise heating the process chamber to a temperature from about 350 ° C. to about 450 ° C. In one embodiment, the horizontal profile of the gas distribution plate has a concave shape. In another embodiment, the thin film is amorphous silicon. In another embodiment, the horizontal profile is adjusted using at least one support member, and in another embodiment, a plurality of support members are used to adjust the horizontal profile.

[0012]別の実施形態においては、ガス分配プレートの水平方向プロフィールを調節する方法が記載され、平面の周辺および中央領域を有するガス分配プレートを提供するステップと、中央領域に結合された少なくとも1つの支持部材を調節するステップと、平面の周辺に比較して、平面、凹状、または凸状の少なくとも1つである中央領域における水平方向プロフィールを形成するステップとを備える。一実施形態においては、調節するステップは、真空条件下において実行される。   [0012] In another embodiment, a method for adjusting a horizontal profile of a gas distribution plate is described, comprising providing a gas distribution plate having a planar periphery and a central region, and at least one coupled to the central region Adjusting one support member and forming a horizontal profile in a central region that is at least one of planar, concave, or convex relative to the periphery of the plane. In one embodiment, the adjusting step is performed under vacuum conditions.

[0013]別の実施形態においては、ガス分配プレートの水平方向プロフィールを調節する方法が記載され、バッキングプレートと基板支持体との間にガス分配プレートを有するプロセスチャンバを提供するステップと、基板支持体とガス分配プレートとの間の距離を測定するステップと、ガス分配プレートおよびバッキングプレートに結合された少なくとも1つの支持部材を調節するステップと、基板支持体に比較して、平面、凹状、または凸状の少なくとも1つであるガス分配プレートの水平方向プロフィールを形成するステップとを備える。一実施形態においては、調節するステップは、少なくとも1つの支持部材を回転させるステップを備える。別の実施形態においては、調節は、プロセスチャンバが真空下にあるときに実行される。別の実施形態においては、少なくとも1つの支持部材は、プロセスガスをガス分配プレートに提供するように適合される。   [0013] In another embodiment, a method for adjusting a horizontal profile of a gas distribution plate is described, providing a process chamber having a gas distribution plate between a backing plate and a substrate support; Measuring a distance between the body and the gas distribution plate; adjusting at least one support member coupled to the gas distribution plate and the backing plate; and planar, concave, or compared to the substrate support Forming a horizontal profile of the gas distribution plate that is at least one convex. In one embodiment, the adjusting step comprises rotating at least one support member. In another embodiment, the adjustment is performed when the process chamber is under vacuum. In another embodiment, the at least one support member is adapted to provide process gas to the gas distribution plate.

[0014]本発明の上述した特徴を詳細に理解できるように、簡単に上述した本発明のより詳細な説明が、いくつかの実施形態を参照してなされ、それらの実施形態のいくつかが、添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態をただ単に図示するためのものであり、したがって、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではないことに注意されたい。なぜなら、本発明は、その他の同等の効果を有する実施形態を実現することができるからである。   [0014] In order that the above-described features of the invention may be understood in detail, a more detailed description of the invention briefly described above has been made by reference to certain embodiments, some of which have been It is shown in the accompanying drawings. It should be noted, however, that the attached drawings are only for purposes of illustrating exemplary embodiments of the invention and are therefore not to be considered as limiting the scope of the invention. This is because the present invention can realize an embodiment having other equivalent effects.

詳細な説明Detailed description

[0041]本発明の実施形態は、一般的には、プロセスチャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置および方法を提供する。一実施形態においては、少なくとも1つの支持部材は、ガス分配プレート支持するように構成され、重力および高いプロセス温度によって引き起こされる中央のたるみまたはそりを阻止するのを助け、それによって、ガス分配プレートにおける望ましい水平方向プロフィールを維持する。望ましい水平方向プロフィールは、平面の水平方向プロフィール、凸状の水平方向プロフィール、または凹状の水平方向プロフィールの中の少なくとも1つであってもよい。ガス分配プレートまたは拡散器の水平方向プロフィールまたは水平方向の姿勢は、ここで使用される場合、関連図面に示されるようなガス分配プレートの断面を意味する。すべての実施形態において、ガス分配プレートは、ガス分配プレートの中央領域に結合された少なくとも1つの支持部材を有し、少なくとも1つの支持部材を調節することによって、中央領域は、調節可能であり、平面、凹状、または凸状の中の少なくとも1つである水平方向プロフィールをガス分配プレートに与える。混乱を避けるために、図面において類似する構成要素を指示する共通の符号は、可能な限り、重複して使用される。   [0041] Embodiments of the present invention generally provide an apparatus and method for supporting a gas distribution plate within a process chamber. In one embodiment, the at least one support member is configured to support the gas distribution plate and assists in preventing central sagging or warpage caused by gravity and high process temperatures, and thereby in the gas distribution plate Maintain the desired horizontal profile. The desired horizontal profile may be at least one of a planar horizontal profile, a convex horizontal profile, or a concave horizontal profile. The horizontal profile or horizontal orientation of a gas distribution plate or diffuser, as used herein, means a cross section of the gas distribution plate as shown in the related drawings. In all embodiments, the gas distribution plate has at least one support member coupled to the central region of the gas distribution plate, the central region being adjustable by adjusting the at least one support member; The gas distribution plate is provided with a horizontal profile that is at least one of planar, concave, or convex. To avoid confusion, common reference numerals indicating similar components in the drawings are used as much as possible.

[0042]図1は、フラットパネルディスプレイの回路を大面積のガラス、ポリマー、またはその他の適切な基板上に加工するための化学気相成長(CVD)プロセスまたはプラズマ化学気相成長(PECVD)プロセスに適したチャンバ100の側面図である。チャンバ100は、液晶ディスプレイ(LCD)、またはフラットパネルディスプレイ、または太陽電池アレイのための光電池に使用される大面積基板上に構造体およびデバイスを形成するように構成される。構造体は、一連の複数の堆積ステップおよびマスクステップを備えてもよい複数の千鳥状に配置された反転エッチングバックチャンネル(ボトムゲート)薄膜トランジスタであってもよい。その他の構造体は、光電池のためのダイオードを形成するために、p−n接合を含むかもしれない。   [0042] FIG. 1 illustrates a chemical vapor deposition (CVD) process or a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for processing a circuit of a flat panel display on a large area glass, polymer, or other suitable substrate. It is a side view of the chamber 100 suitable for. Chamber 100 is configured to form structures and devices on a large area substrate used in a liquid crystal display (LCD), or flat panel display, or a photovoltaic cell for a solar cell array. The structure may be a plurality of staggered inverted etch back channel (bottom gate) thin film transistors that may comprise a series of multiple deposition and mask steps. Other structures may include pn junctions to form diodes for photovoltaic cells.

[0043]チャンバ100は、大面積基板上に様々な材料を堆積するように構成され、それらの材料には、導電体(例えば、lTO、ZnO、W、Al、Cu、Ag、Au、Ru、またはそれらの合金)、誘電体(例えば、Si、SiO、SiO、HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、TiO、Ta、Al、それらの誘導体、またはそれらを組み合わせたもの)、半導体(例えば、Si、Ge、SiGe、それらのドーパント、またはそれらの誘導体)、障壁材料(例えば、SiN、SiO、Ti、TiN、TiSi、Ta、TaN、TaSi、またはそれらの誘導体)、および接着/種材料(例えば、Cu、Al、W、Ti、Ta、Ag、Au、Ru、それらの合金、またはそれらを組み合わせたもの)が含まれる。チャンバ100によって堆積されてもよい金属含有化合物は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属シリサイド、またはそれらを組み合わせたものを含む。例えば、金属含有化合物は、タングステン、銅、アルミニウム、銀、金、クロム、カドミウム、テルル、モリブデン、インジウム、スズ、亜鉛、タンタル、チタン、ハフニウム、ルテニウム、それらの合金、またはそれらを組み合わせたものを含む。ゲート電極およびその他の導電層のような、チャンバ100によって大面積基板上に形成または堆積される導電性の金属含有化合物の具体的な例は、インジウムスズ酸化物、酸化亜鉛、タングステン、銅、アルミニウム、銀、それらの誘導体、またはそれらを組み合わせたものを含む。また、チャンバ100は、多結晶、アモルファス、またはエピタキシャルの状態にある誘電体および半導体を堆積するように構成される。例えば、誘電体および半導体は、シリコン、ゲルマニウム、炭素、それらの酸化物、それらの窒化物、それらのドーパント、またはそれらを組み合わせたものを含んでもよい。チャンバ100によって大面積基板上に形成または堆積される誘電体および半導体の具体的な例は、エピタキシャルシリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、それらのドーパント(例えば、B、P、またはAs)、それらの誘導体、またはそれらを組み合わせたものを含んでもよい。また、チャンバ100は、パージガスまたはキャリアガスとして使用するために、アルゴン、水素、ヘリウム、またはそれらを組み合わせたもののようなガスを収容するように構成される(例えば、Ar、H、N、He、それらの誘導体、またはそれらを組み合わせたもの)。チャンバ100を用いて大面積基板上にアモルファスシリコン薄膜を堆積する1つの例は、水素キャリアガス中における前駆ガスとしてシランを使用することによって達成されてもよい。 [0043] The chamber 100 is configured to deposit a variety of materials on a large area substrate including conductors (eg, lTO, ZnO 2 , W, Al, Cu, Ag, Au, Ru, etc.). Or alloys thereof), dielectrics (eg, Si, SiO 2 , SiO x N y , HfO 2 , HfSiO 4 , ZrO 2 , ZrSiO 4 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , derivatives thereof) , Or combinations thereof), semiconductors (eg, Si, Ge, SiGe, their dopants, or derivatives thereof), barrier materials (eg, SiN x , SiO x N y , Ti, TiN x , TiSi x N y, Ta, TaN x, TaSi x N y , or derivatives thereof), and adhesion / seed material (e.g., Cu, Al, W, Ti , Ta, Ag, Au,, u, their alloys or a combination thereof) are included. Metal-containing compounds that may be deposited by chamber 100 include metals, metal oxides, metal nitrides, metal silicides, or combinations thereof. For example, the metal-containing compound may be tungsten, copper, aluminum, silver, gold, chromium, cadmium, tellurium, molybdenum, indium, tin, zinc, tantalum, titanium, hafnium, ruthenium, an alloy thereof, or a combination thereof. Including. Specific examples of conductive metal-containing compounds formed or deposited on a large area substrate by chamber 100, such as gate electrodes and other conductive layers, include indium tin oxide, zinc oxide, tungsten, copper, aluminum , Silver, derivatives thereof, or combinations thereof. The chamber 100 is also configured to deposit dielectrics and semiconductors that are in a polycrystalline, amorphous, or epitaxial state. For example, dielectrics and semiconductors may include silicon, germanium, carbon, their oxides, their nitrides, their dopants, or combinations thereof. Specific examples of dielectrics and semiconductors formed or deposited on a large area substrate by the chamber 100 include epitaxial silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon, silicon germanium, germanium, silicon dioxide, silicon oxynitride, silicon nitride, and the like Of dopants (eg, B, P, or As), derivatives thereof, or combinations thereof. The chamber 100 is also configured to contain a gas such as argon, hydrogen, helium, or a combination thereof for use as a purge or carrier gas (eg, Ar, H 2 , N 2 , He, their derivatives, or combinations thereof. One example of depositing an amorphous silicon thin film on a large area substrate using chamber 100 may be accomplished by using silane as a precursor gas in a hydrogen carrier gas.

[0044]チャンバ100を用いて大面積基板上に薄膜を堆積する様々な装置および方法の例は、2005年7月1日に出願された発明の名称が「Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Curvature」である米国特許出願第11/173,210号(代理人整理番号第APPM9230.P2号)から知ることができ、その明細書は、本明細書と矛盾しない範囲で本明細書に組み込まれる。チャンバ100を用いて形成されてもよい様々な装置のその他の例は、2004年7月12日に出願された発明の名称が「Plasma Uniformity Control by Gas Diffuser Hole Design」である米国特許出願第10/889,683号、および2004年4月20日に出願された発明の名称が「Controlling the Properties and Uniformity of a Silicon Nitride Film by Controlling the Film Forming Precursors」である米国特許出願第10/829,016号から知ることができ、それらの明細書は、本明細書と矛盾しない範囲で本明細書に組み込まれる。   [0044] Examples of various apparatus and methods for depositing thin films on large area substrates using chamber 100 are named "Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Culture" filed on July 1, 2005. No. 11 / 173,210 (Attorney Docket No. APPM9230.P2), the specification of which is incorporated herein to the extent it does not conflict with the specification. Another example of various devices that may be formed using the chamber 100 is U.S. Patent Application No. 10 entitled “Plasma Uniformity Control by Gas Diffuser Hole Design”, filed July 12, 2004, which is entitled “Plasma Uniformity Control by Gas Diffuser Hole Design”. No. 889,683, and the title of the invention filed on April 20, 2004 is “Controlling the Properties and Uniform of Silicon Nitride Film by Controlling the Film 10th US Patent Application No. 8/29”. Which are incorporated herein by reference to the extent that they do not conflict with the present specification.

[0045]チャンバ100は、チャンバ側壁10、底部11、大面積基板14を支持するサセプタのような基板支持体12からなる。また、チャンバ100は、選択的に開閉することによって大面積基板の移送を助けるスリットバルブのようなポート6を有する。また、チャンバ100は、ガス注入マニホルドを取り囲む排気チャンネル18を有する蓋を含み、そのガス注入マニホルドは、カバープレート16、バッキングプレート28のような第1のプレート、および例えば拡散器20であるガス分配プレートのような第2のプレートからなる。拡散器20は、チャンバ100に結合されたガス供給源5からの1つ以上のプロセスガスのための複数の通路を提供するように適合された実質的に平面であるいかなる固体であってもよい。拡散器20は、基板14の上方に位置決めされ、この実施形態においては拡散器重力支持体15である少なくとも1つの支持部材によって、垂直方向に吊り下げられる。この実施形態においては、拡散器20は、また、柔軟性のあるサスペンション57によって、排気チャンネル18の上部リップ55から離れて支持される。柔軟性のあるサスペンションは、2002年11月12日に発行された発明の名称が「Flexibly Suspended Gas Distribution Manifold for A Plasma Chamber」である米国特許第6,477,980号に詳細に開示されており、その明細書は、本明細書と矛盾しない範囲で本明細書に組み込まれる。柔軟性のあるサスペンション57は、拡散器20の縁から離れて拡散器20を支持し、かつ拡散器20の膨張および収縮を可能にするように適合される。拡散器20のその他の縁サスペンションが、拡散器重力支持体15とともに使用されてもよく、また、拡散器支持体15は、縁サスペンションなしで使用されてもよい。例えば、拡散器20は、柔軟性のない支持体によって、拡散器20の周辺を支持されてもよく、あるいは縁を支持されなくてもよい。拡散器重力支持体15は、支持体15に取り付けられたガスブロック17にプロセスガスを供給するガス供給源5に結合されてもよい。ガスブロック17は、支持体15内の縦方向の内腔19を介して拡散器20に連絡しており、拡散器20内の複数のオリフィス22にプロセスガスを供給する。チャンバ100に使用されてもよい拡散器の例は、2005年7月1日に出願された発明の名称が「Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Curvature」である米国特許出願第11/173,210号(代理人整理番号第APPM9230.P2号)に記載されており、その明細書は、すでに本明細書に組み込まれている。   The chamber 100 consists of a substrate support 12 such as a susceptor that supports the chamber sidewall 10, bottom 11, and large area substrate 14. The chamber 100 also has a port 6 such as a slit valve that assists in transferring large area substrates by selectively opening and closing. The chamber 100 also includes a lid having an exhaust channel 18 surrounding the gas injection manifold, the gas injection manifold being a cover plate 16, a first plate such as a backing plate 28, and a gas distribution that is, for example, a diffuser 20. It consists of a second plate, such as a plate. The diffuser 20 may be any solid that is substantially planar and adapted to provide a plurality of passages for one or more process gases from a gas source 5 coupled to the chamber 100. . The diffuser 20 is positioned above the substrate 14 and is suspended vertically by at least one support member, which in this embodiment is a diffuser gravity support 15. In this embodiment, the diffuser 20 is also supported away from the upper lip 55 of the exhaust channel 18 by a flexible suspension 57. The flexible suspension is disclosed in detail in US Pat. No. 6,477,980, entitled “Flexible Suspended Gas Distribution Manifold for A Plasma Chamber”, issued on November 12, 2002. The specification is incorporated herein to the extent that it does not conflict with the specification. The flexible suspension 57 is adapted to support the diffuser 20 away from the edge of the diffuser 20 and to allow the diffuser 20 to expand and contract. Other edge suspensions of the diffuser 20 may be used with the diffuser gravity support 15 and the diffuser support 15 may be used without the edge suspension. For example, the diffuser 20 may be supported around the diffuser 20 by an inflexible support, or may not be supported at the edge. The diffuser gravity support 15 may be coupled to a gas source 5 that supplies process gas to a gas block 17 attached to the support 15. The gas block 17 communicates with the diffuser 20 via a longitudinal lumen 19 in the support 15 and supplies process gas to a plurality of orifices 22 in the diffuser 20. An example of a diffuser that may be used in chamber 100 is US patent application Ser. No. 11 / 173,210 filed Jul. 1, 2005, entitled “Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Curve”. (Attorney Docket No. APPM9230.P2), the specification of which is already incorporated herein.

[0046]拡散器重力支持体15は、バッキングプレート28に結合された実質的に対称な本体である。バッキングプレート28は、拡散器重力支持体15を収容するために中央領域を貫通する適切な内腔を有する実質的に平面のプレートであり、排気チャンネル18によって、その周辺を支持される。バッキングプレート28は、プレート28と排気チャンネル18とが接合する箇所において、適切なO−リング45および46によって、その周辺を密封され、それは、チャンバ100の内部を周囲環境から保護し、プロセスガスが漏れるのを防止する。拡散器重力支持体15は、バッキングプレート28からカバー16の適切な内腔を貫通して上方に延びる。この実施形態においては、拡散器20が取り付けられた重力支持体15は、大面積基板14および基板支持体12の上方において、その所定の位置に実質的に静止した状態のままであるように適合され、そして、基板支持体12は、移送位置およびプロセス位置へおよび移送位置およびプロセス位置から基板14を持ち上げおよび降ろすように適合される。   [0046] The diffuser gravity support 15 is a substantially symmetric body coupled to the backing plate 28. The backing plate 28 is a substantially planar plate having a suitable lumen through the central region to accommodate the diffuser gravity support 15 and is supported at its periphery by the exhaust channel 18. The backing plate 28 is sealed around it by suitable O-rings 45 and 46 where the plate 28 and the exhaust channel 18 join, which protects the interior of the chamber 100 from the ambient environment and allows process gases to flow. Prevent leakage. The diffuser gravity support 15 extends upward from the backing plate 28 through the appropriate lumen of the cover 16. In this embodiment, the gravity support 15 to which the diffuser 20 is attached is adapted to remain substantially stationary in its predetermined position above the large area substrate 14 and the substrate support 12. The substrate support 12 is then adapted to lift and unload the substrate 14 to and from the transfer position and process position.

[0047]動作中、プロセスガスが、ガス供給源5から流され、そして、チャンバ100は、真空ポンプ29によって、適切な圧力にまで減圧されている。1つ以上のプロセスガスは、ガスブロック17、縦方向の内腔19、傾斜した内腔19aに沿って流れ、バッキングプレート28と拡散器20との間に作成された大きなプレナム21および拡散器20内の小さなプレナム23内に配置される。そして、1つ以上のプロセスガスは、大きなプレナム21および小さなプレナム23から拡散器20内の複数のオリフィス22に沿って流れ、拡散器20の下方にある領域において、プロセス空間80を生成する。動作中、大面積基板14は、このプロセス空間80まで持ち上げられ、1つ以上のプラズマ励起ガスが、その上に配置され、構造体が、大面積基板14上に形成される。プラズマは、チャンバ100に結合されたプラズマ源24によって、プロセス空間80内に形成されてもよい。プラズマ源24は、直流電源、無線周波(RF)電源、または遠隔プラズマ源であってもよい。RF電源は、チャンバ100に誘導結合または容量結合されてもよい。また、プラズマは、熱誘導プラズマのように、その他の手段によってチャンバ100内に形成されてもよい。この実施形態における重力支持体15に結合されたプラズマ源24が示されるが、プラズマ源24は、チャンバ100のその他の部分に結合されてもよい。   In operation, process gas is flowed from the gas source 5 and the chamber 100 is depressurized to an appropriate pressure by the vacuum pump 29. One or more process gases flow along the gas block 17, the longitudinal lumen 19, the inclined lumen 19 a, and a large plenum 21 and diffuser 20 created between the backing plate 28 and the diffuser 20. It is arranged in a small plenum 23 inside. One or more process gases then flow from the large plenum 21 and the small plenum 23 along the plurality of orifices 22 in the diffuser 20 to create a process space 80 in the region below the diffuser 20. In operation, the large area substrate 14 is lifted to this process space 80 and one or more plasma excitation gases are disposed thereon and a structure is formed on the large area substrate 14. The plasma may be formed in the process space 80 by a plasma source 24 coupled to the chamber 100. The plasma source 24 may be a direct current power source, a radio frequency (RF) power source, or a remote plasma source. The RF power source may be inductively coupled or capacitively coupled to the chamber 100. The plasma may also be formed in the chamber 100 by other means, such as thermally induced plasma. Although a plasma source 24 is shown coupled to the gravity support 15 in this embodiment, the plasma source 24 may be coupled to other portions of the chamber 100.

[0048]拡散器20は、導電性材料から作られ、あるいは導電性材料によってコーティングされ、そのために、拡散器20は、チャンバ100内における電極の役割をなしてもよく、そして、基板支持体12は、グラウンド25に接続されてもよく、それによって、基板支持体12も、同様に、チャンバ100内における電極の役割をなしてもよい。拡散器20のために選択される材料は、鋼、チタン、アルミニウム、またはそれらを組み合わせたものを含んでもよく、その表面は研磨され、あるいは陽極酸化されてもよい。基板支持体は、更に、基板支持体12に結合されあるいは基板支持体12内に配置された加熱コイルまたは抵抗ヒーターのような一体化されたヒーターによって加熱されてもよい。拡散器20は、お互いに接合されかつプロセスガスを供給するように適合された1つ以上の部品から作られてもよく、また、絶縁スペーサー34、35、37、38、および41によってチャンバ排気チャンネル18および壁10から電気的に絶縁される。   [0048] The diffuser 20 is made of or coated with a conductive material, so that the diffuser 20 may serve as an electrode in the chamber 100 and the substrate support 12 May be connected to ground 25, whereby the substrate support 12 may also serve as an electrode within the chamber 100. The material selected for the diffuser 20 may include steel, titanium, aluminum, or combinations thereof, and the surface may be polished or anodized. The substrate support may further be heated by an integrated heater such as a heating coil or resistance heater coupled to or disposed within the substrate support 12. The diffuser 20 may be made from one or more parts joined to each other and adapted to supply process gas, and is also provided with a chamber exhaust channel by insulating spacers 34, 35, 37, 38, and 41. 18 and wall 10 are electrically isolated.

[0049]図2は、チャンバカバー16の平面図であり、カバー16の中央領域210に設置された拡散器重力支持体15の相対的な位置を示す。中央領域210は、本明細書では、カバー16、バッキングプレート28、および拡散器20の周辺内に存在する任意の場所として画成され、それは、拡散器20の支持点を提供してもよく、あるいは拡散器20の水平方向プロフィールを変えてもよい。更に、縦方向の内腔19が示され、その内腔19は、ガスブロック17に沿って延び、カラー53によって取り囲まれる。また、拡散器重力支持体15は、ただ単に、カバー16の中央領域210における拡散器支持体として使用されてもよく、1つ以上のガスは、チャンバ100の別の場所において、拡散器20に供給されてもよい。この図面には示されない拡散器20およびバッキングプレート28は、典型的には、カバー16の下方に設置される。拡散器20およびバッキングプレート28は、カバー16の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20およびバッキングプレート28は、対応する中央領域210を有し、その対応する中央領域210は、この図面に示されるいずれかの構成要素が拡散器20およびバッキングプレート28と噛み合うのを可能にしてもよい。更に、この図面に描かれる構成要素は、バッキングプレート28と噛み合ってもよく、またはバッキングプレート28に沿って延びてもよい。   FIG. 2 is a plan view of the chamber cover 16 and shows the relative position of the diffuser gravity support 15 installed in the central region 210 of the cover 16. The central region 210 is defined herein as any location present within the perimeter of the cover 16, backing plate 28, and diffuser 20, which may provide a support point for the diffuser 20, Alternatively, the horizontal profile of the diffuser 20 may be changed. In addition, a longitudinal lumen 19 is shown, which extends along the gas block 17 and is surrounded by a collar 53. Also, the diffuser gravity support 15 may simply be used as a diffuser support in the central region 210 of the cover 16, and one or more gases may enter the diffuser 20 at other locations in the chamber 100. It may be supplied. Diffuser 20 and backing plate 28 not shown in this figure are typically installed below cover 16. The diffuser 20 and the backing plate 28 have dimensions that are substantially equal to the dimensions of the cover 16. The diffuser 20 and the backing plate 28 have a corresponding central region 210 that allows any of the components shown in this drawing to engage the diffuser 20 and the backing plate 28. May be. Further, the components depicted in this drawing may mate with backing plate 28 or may extend along backing plate 28.

[0050]図3は、チャンバカバー16の別の実施形態の平面図であり、中央領域210内における拡散器重力支持体15の代替の場所を示す。図2の場合と同様に、拡散器20およびバッキングプレート28は、この図面には示されていないが、それらは、典型的には、カバー16の下方に設置される。拡散器20およびバッキングプレート28は、カバー16の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20およびバッキングプレート28は、対応する中央領域210を有し、その対応する中央領域210は、この図面に示されるいずれかの構成要素が拡散器20およびバッキングプレート28と噛み合うのを可能にしてもよい。更に、この図面に描かれる構成要素は、バッキングプレート28と噛み合ってもよく、あるいはバッキングプレート28に沿って延びてもよい。拡散器重力支持体15は、カバー16において、中心からずれて示されているが、それでもやはり、中央領域210内に存在する。中央領域210は、カバー16の中央に設置されたいかなる領域(およびバッキングプレートおよび拡散器における対応する場所)であってもよく、その領域は、拡散器20のための支持点として定められる。拡散器重力支持体15によって拡散器に提供されるプロセスガスの代わりに、ガス通路300が、カバー16上に示される。   [0050] FIG. 3 is a plan view of another embodiment of the chamber cover 16, showing an alternate location of the diffuser gravity support 15 within the central region 210. FIG. As in FIG. 2, the diffuser 20 and backing plate 28 are not shown in this drawing, but they are typically installed below the cover 16. The diffuser 20 and the backing plate 28 have dimensions that are substantially equal to the dimensions of the cover 16. The diffuser 20 and the backing plate 28 have a corresponding central region 210 that allows any of the components shown in this drawing to engage the diffuser 20 and the backing plate 28. May be. Further, the components depicted in this drawing may mate with the backing plate 28 or may extend along the backing plate 28. The diffuser gravity support 15 is shown off-center in the cover 16 but is still present in the central region 210. The central region 210 can be any region (and corresponding location in the backing plate and diffuser) located in the center of the cover 16 and that region is defined as a support point for the diffuser 20. Instead of the process gas provided to the diffuser by the diffuser gravity support 15, a gas passage 300 is shown on the cover 16.

[0051]図4は、拡散器支持体の詳細側面図であり、拡散器重力支持体15によって支持された拡散器20を示し、バッキングプレート28に適切に接続された対称な支持シート51によって取り囲まれた縦方向の支持ブロック50を備える。縦方向の支持ブロック50は、強度とプロセス化学品に対する耐性とを選択された材料から作られ、対称な支持シート51と噛み合い、かつ対称な支持シート51によって支持されるように適合される。縦方向の支持ブロック50に使用される材料は、鋼、チタン、アルミニウム、またはそれらを組み合わせたものを含んでもよい。   [0051] FIG. 4 is a detailed side view of the diffuser support, showing the diffuser 20 supported by the diffuser gravity support 15 and surrounded by a symmetrical support sheet 51 suitably connected to the backing plate 28. A vertical support block 50 is provided. The longitudinal support block 50 is made from a material selected for strength and resistance to process chemicals, and is adapted to engage and be supported by the symmetrical support sheet 51. The material used for the longitudinal support block 50 may include steel, titanium, aluminum, or a combination thereof.

[0052]図5は、対称な支持シート51内に配置された縦方向の支持ブロック50を有する拡散器重力支持体15の詳細分解図である。シート51は、バッキングプレート28の適切な内腔に沿って配置され、かつ溶接52または当分野において既知のその他の方法によって接続される。支持ブロック50は、支持シート51の内壁に押しつけて配置された適切なO−リング4および8によって密封される。支持ブロック50の上側部分56の外径は、上部領域表面66の内径よりも小さいかまたはそれに等しい。O−リング4および8を嵌め込むために、適切な溝が、上側部分56の外径に配置される。これらのO−リング4および8は、周囲大気がチャンバ100の内部に侵入するのを妨げるように、かつ1つ以上のプロセスガスがチャンバ100から漏れるのを防止するように構成され、それによって、チャンバ100を密封する。縦方向の支持ブロック50は、図2および図3からわかるように、カバー16の適切な内腔に沿って上方へ延びる。カバー16は、環状のカラー53を支持し、そのカラー53は、カバー16および対称な支持シート51と密封連絡した状態にある。複数のねじ1および3が、支持ブロック50を支持シート51に留め、そして、それに関しては、以下で詳細に記載する。   [0052] FIG. 5 is a detailed exploded view of the diffuser gravity support 15 having a longitudinal support block 50 disposed within a symmetrical support sheet 51. FIG. Sheet 51 is placed along the appropriate lumen of backing plate 28 and connected by weld 52 or other methods known in the art. The support block 50 is sealed by suitable O-rings 4 and 8 placed against the inner wall of the support sheet 51. The outer diameter of the upper portion 56 of the support block 50 is less than or equal to the inner diameter of the upper region surface 66. Appropriate grooves are placed on the outer diameter of the upper portion 56 to fit the O-rings 4 and 8. These O-rings 4 and 8 are configured to prevent ambient atmosphere from entering the interior of the chamber 100 and to prevent one or more process gases from leaking out of the chamber 100, thereby The chamber 100 is sealed. The longitudinal support block 50 extends upwardly along the appropriate lumen of the cover 16, as can be seen in FIGS. The cover 16 supports an annular collar 53 that is in sealing communication with the cover 16 and the symmetrical support sheet 51. A plurality of screws 1 and 3 fasten the support block 50 to the support sheet 51 and will be described in detail below.

[0053]図5および図6Aを参照すると、複数のねじ1および3が、縦方向の支持ブロック50の平面図に示され、それらのねじは、拡散器20に結合される支持ブロック50を支持しかつその支持ブロック50を支持シート51に留める役割をなす。縦方向の支持ブロック50は、支持ブロック50の中央部分58よりも大きな径を有する対称なフランジ部分57を有する。フランジ部分57は、フランジ57と支持シート51とが接触したときに垂直運動を妨げることによって、重力支持体15の停止装置または制限装置として動作する。また、フランジ部分57は、フランジ57の選択された場所に適切な雌ねじを切ることによる噛み合い接続を複数のジャッキねじ1に提供することによって、調節機構の役割をなす。フランジ57に適切な間隔を置いて配置された個々の複数の内腔は、シート51の上部領域66に配置された適切にねじを切られた孔と機械的に連絡する状態にある複数の固定ねじ3に機械的な連絡を提供する。4つのジャッキねじ1および4つの固定ねじ3が示されるが、本発明は、これらの数に限定されることはなく、望ましい調節および支持を拡散器20に提供するために、いかなる数を使用してもよい。重力支持体15は、拡散器20とバッキングプレート28との間に結合される。バッキングプレート28は、断面が、拡散器20よりも比較的に厚く、そのために、実質的に静止して動かない支持点を提供する。拡散器20は、典型的には、相対的な厚さおよび拡散器20の穿孔のために、バッキングプレート28と比較すれば、より可鍛性がある。この相対的な可鍛性は、重力支持体のフランジ部分57を調節することによって、拡散器のプロフィールを調節するのを可能にする。   [0053] Referring to FIGS. 5 and 6A, a plurality of screws 1 and 3 are shown in plan view of a longitudinal support block 50 that supports the support block 50 coupled to the diffuser 20. In addition, the support block 50 is fixed to the support sheet 51. The longitudinal support block 50 has a symmetrical flange portion 57 having a larger diameter than the central portion 58 of the support block 50. The flange portion 57 operates as a stopping device or a limiting device for the gravity support 15 by preventing vertical movement when the flange 57 and the support sheet 51 come into contact with each other. The flange portion 57 also serves as an adjustment mechanism by providing an interlocking connection to the plurality of jack screws 1 by cutting appropriate internal threads at selected locations on the flange 57. A plurality of individual lumens spaced appropriately in the flange 57 are in fixed communication with a suitably threaded hole disposed in the upper region 66 of the seat 51. Provides mechanical communication to the screw 3. Although four jack screws 1 and four fixing screws 3 are shown, the present invention is not limited to these numbers, and any number may be used to provide the diffuser 20 with the desired adjustment and support. May be. The gravity support 15 is coupled between the diffuser 20 and the backing plate 28. The backing plate 28 is relatively thicker in cross-section than the diffuser 20 and thus provides a support point that does not move substantially stationary. The diffuser 20 is typically more malleable compared to the backing plate 28 due to the relative thickness and perforations of the diffuser 20. This relative malleability makes it possible to adjust the diffuser profile by adjusting the flange portion 57 of the gravity support.

[0054]動作中、縦方向の支持ブロック50は、対称な支持シート51の中に挿入され、そして、拡散器20が、以下で詳細に説明する噛み合い接続60によって、支持ブロック50に接続される。この時点において、拡散器は、拡散器重力支持体15および柔軟性のあるサスペンション57(図1において説明した)によって吊り下げられる。そして、拡散器重力支持体15は、複数のジャッキねじ1によって垂直方向に調節され、平面、凹状、または凸状の中の少なくとも1つであってもよい望ましい水平方向プロフィールを発生させるように拡散器20を操作するのを可能にする。一実施形態においては、拡散器20の望ましい水平方向プロフィールは、基板支持体12の水平方向プロフィールとは異なる。別の実施形態においては、望ましい水平方向プロフィールは、基板支持体12の水平方向プロフィールに類似するものである。基板支持体12が、撓み、あるいは中央部分が、何らかの理由で、周辺よりも高ければ(あるいはその逆であれば)、拡散器20が、基板支持体12の水平方向プロフィールに実質的に一致するように調節され、それによって、任意の点において間隔が実質的に等しい基板14と拡散器20との間のプロセス空間80を提供してもよい。あるいは拡散器20は、基板支持体12の水平方向プロフィールとは異なるユーザまたはプロセスによって決定される水平方向プロフィールに合致するように調節されてもよく、拡散器20と基板14との間のプロセス空間80は、任意の点において、間隔が等しくなくてもよい。あるいは拡散器20の水平方向プロフィールは、基板支持体12の水平方向プロフィールに関係なく選択されてもよい。   [0054] In operation, the longitudinal support block 50 is inserted into a symmetric support sheet 51, and the diffuser 20 is connected to the support block 50 by an interlocking connection 60 described in detail below. . At this point, the diffuser is suspended by the diffuser gravity support 15 and flexible suspension 57 (described in FIG. 1). The diffuser gravity support 15 is then vertically adjusted by a plurality of jack screws 1 to diffuse to generate a desired horizontal profile that may be at least one of planar, concave, or convex. Allowing the device 20 to be operated. In one embodiment, the desired horizontal profile of the diffuser 20 is different from the horizontal profile of the substrate support 12. In another embodiment, the desired horizontal profile is similar to the horizontal profile of the substrate support 12. If the substrate support 12 is deflected or the central portion is higher than the periphery for some reason (or vice versa), the diffuser 20 substantially matches the horizontal profile of the substrate support 12. May be adjusted to provide a process space 80 between the substrate 14 and the diffuser 20 that is substantially equally spaced at any point. Alternatively, the diffuser 20 may be adjusted to match a horizontal profile determined by a user or process that is different from the horizontal profile of the substrate support 12, and the process space between the diffuser 20 and the substrate 14. 80 may not be equally spaced at any point. Alternatively, the horizontal profile of the diffuser 20 may be selected regardless of the horizontal profile of the substrate support 12.

[0055]拡散器20が、中央領域の任意の部分において、たるみ、かつ平面の水平方向プロフィールが、拡散器20のプロフィールとして望ましいのであれば、支持シート51の上部領域66と連絡するジャッキねじ1が、拡散器20の中央部分をしかるべく持ち上げるように調節され、重力または減圧によって発生する中央のたるみを拡散器20から除去してもよい。拡散器20の望ましい水平方向プロフィールが、凸状の水平方向プロフィールであれば、拡散器20は、拡散器20の中央部分を必要に応じて持ち上げるために、ジャッキねじ1によってしかるべく調節されてもよい。拡散器20の望ましい水平方向プロフィールが、凹状の水平方向プロフィールであれば、ジャッキねじ1は、適切に回転させることによって持ち上げられ、支持シート51の適切なねじ穴に配置された複数の固定ねじ3は、フランジ57に押しつけて適切に回転させられ、圧縮効果を拡散器20に伝達し、拡散器20の中央部分をより低い位置に移動させあるいは拡散器20の中央部分がより低い位置に移動するのを可能にし、それによって、凹状の水平方向プロフィールを拡散器20にもたらす。あるいは拡散器20は、垂直方向の調節を必要としないかもしれず、固定ねじ3は、その位置に拡散器を固定するように調節されてもよい。   [0055] If the diffuser 20 is slack in any part of the central region and a planar horizontal profile is desired as the profile of the diffuser 20, the jack screw 1 communicates with the upper region 66 of the support sheet 51. May be adjusted to lift the central portion of the diffuser 20 accordingly, removing central sagging caused by gravity or reduced pressure from the diffuser 20. If the desired horizontal profile of the diffuser 20 is a convex horizontal profile, the diffuser 20 may be adjusted accordingly by the jack screw 1 to lift the central portion of the diffuser 20 as needed. Good. If the desired horizontal profile of the diffuser 20 is a concave horizontal profile, the jack screw 1 is lifted by appropriate rotation and a plurality of fixing screws 3 arranged in appropriate screw holes in the support sheet 51. Is pressed against the flange 57 and rotated appropriately to transmit the compression effect to the diffuser 20 and move the central portion of the diffuser 20 to a lower position or move the central portion of the diffuser 20 to a lower position. Thereby providing the diffuser 20 with a concave horizontal profile. Alternatively, the diffuser 20 may not require vertical adjustment and the fixation screw 3 may be adjusted to secure the diffuser in its position.

[0056]拡散器20が、望ましい姿勢となるように調節され、かつ拡散器20が、望ましい水平方向プロフィールを呈すると、固定ナットまたはジャムナット2が、適切に回転させられ、ジャッキねじ1を固定し、それによって、拡散器20を並進させるかもしれないジャッキねじ1のその後の移動を防止する。そして、複数の固定ねじ3が、適切に締めつけられ、重力支持体15に関連する部品のその後の何らかの移動を防止する。上述したように、凹状の姿勢が、拡散器20において望ましいのであれば、ジャッキねじ1が、締めつけるために、適切に回転させられてもよく、そして、ジャムナット2は、重力支持体15に関連する部品のその後の移動を防止するのに使用される。言い換えれば、拡散器20の凹状の姿勢が、好ましい場合、固定ねじ3は、調節する役割をなし、ジャッキねじ1およびそれぞれのジャムナット2は、固定機構として動作する。   [0056] Once the diffuser 20 has been adjusted to the desired posture and the diffuser 20 exhibits the desired horizontal profile, the locking nut or jam nut 2 is properly rotated to secure the jack screw 1 Thereby preventing subsequent movement of the jack screw 1 which may translate the diffuser 20. The plurality of fixing screws 3 are then tightened appropriately to prevent any subsequent movement of the parts associated with the gravity support 15. As described above, if a concave attitude is desired in the diffuser 20, the jack screw 1 may be rotated appropriately to tighten and the jam nut 2 is associated with the gravity support 15. Used to prevent subsequent movement of parts to be carried out. In other words, when the concave posture of the diffuser 20 is preferable, the fixing screw 3 serves to adjust, and the jack screw 1 and each jam nut 2 operate as a fixing mechanism.

[0057]上述したプロセスは、周囲環境において記載されたが開示されるプロセスによって、拡散器20の水平方向プロフィールになされる何らかの調節は、圧力によって発生する基板支持体12、バッキングプレート28、または拡散器20の何らかの変形を補償するように拡散器20を調節するために、チャンバ100を減圧した後に行われてもよい。圧力によって発生する何らかの変化は、測定されてもよく、かつ拡散器20の望ましい水平方向プロフィールが作成されてもよい。減圧のために使用されないチャンバ100のすべての開口は、このプロセス中に密閉されてもよく、O−リング4および8は、縦方向支持ブロック50の運動を可能にするとともに適切な密封状態も提供するように適合される。周囲環境において、あるいは真空状態において、それらのいずれであろうが、調節パラメータ、および基板支持体12と拡散器20との相対的な距離は、拡散器の水平方向プロフィールを調節するときに、少なくとも1つのゲージのような測定装置を用いて、作業員によって決定されてもよい。   [0057] Although the process described above has been described in the surrounding environment, any adjustments made to the horizontal profile of the diffuser 20 by the disclosed process can be caused by pressure generated by the substrate support 12, backing plate 28, or diffusion. This may be done after depressurizing the chamber 100 to adjust the diffuser 20 to compensate for any deformation of the vessel 20. Any change caused by pressure may be measured and a desired horizontal profile of the diffuser 20 may be created. All openings in the chamber 100 that are not used for decompression may be sealed during this process, and the O-rings 4 and 8 allow movement of the longitudinal support block 50 and also provide proper sealing. Adapted to do. Regardless of whether in the ambient environment or in a vacuum, the adjustment parameters and the relative distance between the substrate support 12 and the diffuser 20 are at least when adjusting the horizontal profile of the diffuser. It may be determined by the operator using a measuring device such as a gauge.

[0058]図5および図6B〜図6Cは、噛み合い接続60の一実施形態を示し、それは、本明細書では、スロットとキーの構成として描かれる。縦方向の支持ブロック50は、バッキングプレート28の下方および近傍における位置において、噛み合い接続60によって、拡散器20に接続される。一実施形態においては、拡散器20は、複数の対称なスロットのような雌型コネクタ31を含むように製造または改造され、支持ブロック50は、複数の対称なキーのような雄型コネクタ32を含むように製造される。雌型コネクタ31は、拡散器20に含まれ、雄型コネクタ32は、支持ブロック50に含まれる。4つの雌型コネクタ31および4つの雄型コネクタ32が、これらの例としての図面に示されるが、より多いかまたはより少ない数を使用してもよいことがわかる。あるいは雄型コネクタ32は、拡散器20内の適切な雌ねじと噛み合うように適合されたねじ付き部材であり、それによって、ねじ接続によって噛み合い接続60を作成してもよい。   [0058] FIGS. 5 and 6B-6C illustrate one embodiment of an interlocking connection 60, which is depicted herein as a slot and key configuration. The longitudinal support block 50 is connected to the diffuser 20 by an interlocking connection 60 at positions below and near the backing plate 28. In one embodiment, the diffuser 20 is manufactured or modified to include a plurality of symmetric slot-like female connectors 31, and the support block 50 includes a plurality of symmetric key-like male connectors 32. Manufactured to include. The female connector 31 is included in the diffuser 20, and the male connector 32 is included in the support block 50. Although four female connectors 31 and four male connectors 32 are shown in these example drawings, it will be appreciated that a greater or lesser number may be used. Alternatively, the male connector 32 may be a threaded member adapted to mate with a suitable female thread in the diffuser 20, thereby creating the mating connection 60 by a screw connection.

[0059]図6Bは、噛み合い接続60の平面図を示し、図5の断面B−Bを図示する。縦方向の支持ブロック50の下側部分59が示され、縦方向の内腔19および傾斜した内腔19aを詳細に示し、傾斜した内腔19a間の領域に複数の雄型コネクタ32を備える。拡散器20が示され、オリフィス22、雄型コネクタ32を支持するように適合された複数の張り出し部分61、および雄型コネクタ32がそこに入り込めるように適合された複数の切り取り部分62を備える。   [0059] FIG. 6B shows a plan view of the intermeshing connection 60 and illustrates the section BB of FIG. A lower portion 59 of the longitudinal support block 50 is shown, showing the longitudinal lumen 19 and the inclined lumen 19a in detail, with a plurality of male connectors 32 in the region between the inclined lumens 19a. The diffuser 20 is shown and includes an orifice 22, a plurality of overhang portions 61 adapted to support the male connector 32, and a plurality of cutout portions 62 adapted to allow the male connector 32 to enter therein.

[0060]図5を参照すると、雄型コネクタ32は、直径に関して測定すれば、フランジ57の外径よりも小さい外径を有し、かつ支持シート51のショルダー領域65の内径に等しいかまたはそれよりも小さい外径を有する。支持シート51の上部領域表面66は、ショルダー領域65の内径よりも大きい内径を有する。支持ブロック50の下側部分59は、雄型コネクタ32の外径よりも小さい外径を有し、かつ中央部分58よりも小さい外径を有する。支持ブロック50の上側部分56は、フランジ57よりも小さい外径を有し、かつ中央部分58よりも大きい外径を有する。この直径に関するスキームは、支持ブロック50が2つの機械的な停止装置を、すなわち、その1つは、支持シート51のショルダー領域65において、およびもう1つは、フランジ57の下方に存在する領域および支持シート51の上部領域66において、提供するのを可能にする。   [0060] Referring to FIG. 5, the male connector 32 has an outer diameter that is smaller than the outer diameter of the flange 57, as measured in terms of diameter, and is equal to or equal to the inner diameter of the shoulder region 65 of the support sheet 51. Has a smaller outer diameter. The upper region surface 66 of the support sheet 51 has an inner diameter that is larger than the inner diameter of the shoulder region 65. The lower portion 59 of the support block 50 has an outer diameter that is smaller than the outer diameter of the male connector 32 and an outer diameter that is smaller than the central portion 58. The upper portion 56 of the support block 50 has a smaller outer diameter than the flange 57 and a larger outer diameter than the central portion 58. In this diameter scheme, the support block 50 has two mechanical stops, one in the shoulder region 65 of the support sheet 51 and the other in the region below the flange 57 and In the upper region 66 of the support sheet 51 it is possible to provide.

[0061]図6Bに描かれる噛み合い接続60は、傾斜した内腔19aの相対的な位置を示すために、固定されていない位置にあることがわかる。すでに詳細に説明した調節および固定する手順に先だって、支持ブロック50は、支持シート51の中に挿入され、雄型コネクタ32は、張り出し部分61の間の領域に存在する切り取り部分62の中に挿入され、それらの張り出し部分61および切り取り部分62は、拡散器20の一部分である。そして、図5Cに示されるように、支持シート51が、固定される位置へ45°だけ回転させられる。切り取り部分62は、拡散器20においてそのままであり、雄型コネクタ32は、張り出し部分61の真下に配置される。切り取り部分62は、傾斜した内腔19aと実質的に整列するチャンネル501のような間隙を作成し、その間隙は、縦方向の内腔19から大きなプレナム21および小さなプレナム23の中へ流れ込む実質的に層をなすガスの流れを提供してもよい。そして、プロセスガスは、プロセス中、拡散器20の複数のオリフィス22を通って分散する。オリフィス22は、重力支持体15によって占められる拡散器20の区域にも存在し、それによって、妥協のない1つ以上のガスの流れを拡散器20を介して提供することに注意されたい。   [0061] It can be seen that the mating connection 60 depicted in FIG. 6B is in an unsecured position to indicate the relative position of the tilted lumen 19a. Prior to the adjustment and fixing procedure already described in detail, the support block 50 is inserted into the support sheet 51 and the male connector 32 is inserted into the cut-out portion 62 present in the region between the overhang portions 61. These overhanging portions 61 and cutout portions 62 are part of the diffuser 20. Then, as shown in FIG. 5C, the support sheet 51 is rotated by 45 ° to a fixed position. The cut-out portion 62 remains as it is in the diffuser 20, and the male connector 32 is disposed directly below the overhang portion 61. The cut-out portion 62 creates a gap, such as a channel 501 that is substantially aligned with the inclined lumen 19a, which substantially flows from the longitudinal lumen 19 into the large plenum 21 and the small plenum 23. A layered gas flow may be provided. The process gas is then distributed through the plurality of orifices 22 of the diffuser 20 during the process. Note that the orifices 22 are also present in the area of the diffuser 20 occupied by the gravity support 15, thereby providing one or more gas flows through the diffuser 20 without compromise.

[0062]図7は、拡散器重力支持体15の別の実施形態の概略図である。縦方向の内腔19から延びた延長内腔19bを備える縦方向の支持ブロック50が示され、その内腔19bは、小さなプレナム23と連絡する。延長内腔19bは、より大量のプロセスガスを小さなプレナム23に提供し、それによって、縦方向の支持ブロック50の下方に存在する複数のオリフィス22を介してプロセス空間80へ流れ込むプロセスガスの量および流れを増大させるために、オプションとして追加されてもよい。   FIG. 7 is a schematic diagram of another embodiment of a diffuser gravity support 15. A longitudinal support block 50 is shown comprising an extended lumen 19b extending from the longitudinal lumen 19, which communicates with a small plenum 23. The extension lumen 19b provides a larger amount of process gas to the small plenum 23, thereby the amount of process gas flowing into the process space 80 via the plurality of orifices 22 present below the longitudinal support block 50 and It may be added as an option to increase the flow.

[0063]図8は、拡散器重力支持体15の別の実施形態である。この実施形態においては、縦方向の支持ブロック50は、複数の横方向の内腔19cと交差する縦方向の内腔19を有する。縦方向の支持ブロック50は、下側部分59に環状の間隙33を有し、その間隙33は、拡散器20内の小さなプレナム23の領域を拡大するように適合される。更に、バッキングプレート28の下側部分に外周チャンバ27を有するバッキングプレート28が示され、その外周チャンバ27は、大きなプレナム21の表面積を増加させるように適合される。   FIG. 8 is another embodiment of the diffuser gravity support 15. In this embodiment, the longitudinal support block 50 has a longitudinal lumen 19 that intersects a plurality of lateral lumens 19c. The longitudinal support block 50 has an annular gap 33 in the lower portion 59 that is adapted to enlarge the area of the small plenum 23 in the diffuser 20. In addition, a backing plate 28 is shown having a peripheral chamber 27 in the lower portion of the backing plate 28, which is adapted to increase the surface area of the large plenum 21.

[0064]図9Aは、オリフィスリング800の平面図である。この実施形態においては、オリフィスリング800は、第1の湾曲部材810および第2の湾曲部材820のような少なくとも2つの部品からなる。第1の湾曲部材は、ねじ830のシャフトを収容するように適合された少なくとも1つの空洞840を有する。ねじ830は、ねじを切られた部分を有してもよく、その部分は、第2の湾曲部材820のねじを切られた空洞850に収容されてもよい。その他の実施形態、例えば、チャンバ内に適切に接合されかつ取り付けられた1つの部品または2つよりも多い部品からなるオリフィスリング800のようなものを考えることもできる。   [0064] FIG. 9A is a plan view of the orifice ring 800. FIG. In this embodiment, the orifice ring 800 consists of at least two parts, such as a first curved member 810 and a second curved member 820. The first curved member has at least one cavity 840 adapted to receive the shaft of the screw 830. The screw 830 may have a threaded portion that may be received in the threaded cavity 850 of the second curved member 820. Other embodiments may be envisaged, such as an orifice ring 800 consisting of one part or more than two parts suitably joined and mounted in the chamber.

[0065]図9Bは、図9Aに示されるオリフィスリング800の側面図である。オリフィスリング800は、外径804、第1の内径806、および第2の内径808を有する。第1の内径806は、縦方向の支持ブロック50の下側部分59の外径を取り囲むように構成される。第2の内径808は、第1の内径806よりも大きくてもよく、それぞれの内径は、環状のベベル870によって分離されてもよい。更に、環状のベベル870の下方におけるオリフィスリング800の周辺に沿った複数のオリフィスリング孔860が示される。   [0065] FIG. 9B is a side view of the orifice ring 800 shown in FIG. 9A. Orifice ring 800 has an outer diameter 804, a first inner diameter 806, and a second inner diameter 808. The first inner diameter 806 is configured to surround the outer diameter of the lower portion 59 of the longitudinal support block 50. The second inner diameter 808 may be larger than the first inner diameter 806, and each inner diameter may be separated by an annular bevel 870. In addition, a plurality of orifice ring holes 860 are shown along the periphery of the orifice ring 800 below the annular bevel 870.

[0066]図10Aは、図8に描かれる実施形態に類似する拡散器重力支持体15の詳細図であり、オリフィスリング800を含む。オリフィスリング800は、縦方向の支持ブロック50の下側部分59を取り囲む第1の湾曲部材810および第2の湾曲部材820を有する。それぞれの湾曲部材は、外周に沿った複数のオリフィスリング孔860を有し、それらのオリフィスリング孔860は、一実施形態においては、複数の横方向の内腔19cと実質的に整列するように適合される。オリフィスリング800は、縦方向の内腔19からプロセス空間80への1つ以上のプロセスガスの流れを調整する面を提供する。孔860の径を変化させることによって、ガス流は、孔860の径に制限されてもよい。それに加えて、またはその代わりに、ガス流は、孔860と横方向の内腔19cとの整列を変化させることによって、制限されてもよい。   [0066] FIG. 10A is a detailed view of a diffuser gravity support 15 similar to the embodiment depicted in FIG. The orifice ring 800 has a first curved member 810 and a second curved member 820 that surround the lower portion 59 of the longitudinal support block 50. Each curved member has a plurality of orifice ring holes 860 along the outer periphery, and in one embodiment, the orifice ring holes 860 are substantially aligned with the plurality of lateral lumens 19c. Be adapted. The orifice ring 800 provides a surface that regulates the flow of one or more process gases from the longitudinal lumen 19 to the process space 80. By changing the diameter of the hole 860, the gas flow may be limited to the diameter of the hole 860. In addition or alternatively, gas flow may be limited by changing the alignment of the holes 860 and the lateral lumen 19c.

[0067]例えば、ガスが、拡散器重力支持体15に沿って流れるとき、ガスは、ほとんど制限されることなく、縦方向の内腔19を通って複数の横方向の内腔19cまで移動してもよい。複数のオリフィス孔860は、複数の横方向の内腔19cの径よりも小さい径であってもよい。横方向の内腔19cから流れ出るガスは、オリフィスリング孔860によって制限されてもよく、ガスの一部は、隙間空間910の中に流されてもよい。そして、隙間空間910内のガスは、下向きにチャンネル501を通って環状の間隙33の中へ移動し、それによって、オリフィス孔22に沿って流れるガス流を小さなプレナム23から補給してもよい。オリフィスリング800によって妨げられない流れは、オリフィスリング孔860を通って大きなプレナム21の中へ移動してもよい。オリフィスリング800は、オリフィスリング孔860を通って流れるガスの一部が、外周チャンバ27に衝突し、それによって、1つ以上のガスの一部が、下向きに方向転換するように位置決めされてもよい。また、本発明によって、オリフィスリング800は、隙間空間910を形成しなくてもよい、例えば、オリフィスリングは、ただ1つの内径を備えて製造されてもよいことが考えられる。その代わりに、またはそれと組み合わせて、縦方向の支持ブロック50の下側部分59は、1つ以上のガスのための流路を小さなプレナム23に提供するために、延長内腔19bを含んでもよい。上述したように、オリフィスリング800は、ユーザによって決定されるガスの流速または量に基づいて、製造され、位置決めされ、そして、調節されてもよい。   [0067] For example, when the gas flows along the diffuser gravity support 15, the gas travels through the longitudinal lumen 19 to the plurality of lateral lumens 19c with little restriction. May be. The plurality of orifice holes 860 may have a diameter smaller than the diameter of the plurality of lateral lumens 19c. Gas flowing out of the lateral lumen 19c may be restricted by the orifice ring hole 860 and a portion of the gas may flow into the gap space 910. Then, the gas in the gap space 910 may move downward through the channel 501 and into the annular gap 33, thereby replenishing the gas flow flowing along the orifice hole 22 from the small plenum 23. The flow unimpeded by the orifice ring 800 may travel through the orifice ring hole 860 and into the large plenum 21. Orifice ring 800 may be positioned such that a portion of the gas flowing through orifice ring hole 860 impinges on outer circumferential chamber 27 such that a portion of one or more gases redirects downward. Good. It is also contemplated by the present invention that the orifice ring 800 may not form the gap space 910, for example, the orifice ring may be manufactured with only one inner diameter. Alternatively or in combination, the lower portion 59 of the longitudinal support block 50 may include an extended lumen 19b to provide a flow path for one or more gases to the small plenum 23. . As described above, the orifice ring 800 may be manufactured, positioned, and adjusted based on the gas flow rate or amount determined by the user.

[0068]図10Bは、図4に描かれる実施形態に類似する拡散器重力支持体15の詳細図であり、オリフィスリング800を含む。オリフィスリング800は、縦方向の支持ブロック50の下側部分59を取り囲む第1の湾曲部材810および第2の湾曲部材820を有する。それぞれの湾曲部材は、外周に沿った複数のオリフィスリング孔860を有し、それらのオリフィスリング孔860は、一実施形態においては、複数の横方向の内腔19cと実質的に整列するように適合される。別の実施形態においては、オリフィスリング孔860は、横方向の内腔19cと完全に整列しなくてもよい。この実施形態においては、オリフィスリング800は、横方向の内腔19cから大きなプレナム21へのガス流を更に制限するために、回転させられてもよい。   [0068] FIG. 10B is a detailed view of a diffuser gravity support 15 similar to the embodiment depicted in FIG. The orifice ring 800 has a first curved member 810 and a second curved member 820 that surround the lower portion 59 of the longitudinal support block 50. Each curved member has a plurality of orifice ring holes 860 along the outer periphery, and in one embodiment, the orifice ring holes 860 are substantially aligned with the plurality of lateral lumens 19c. Be adapted. In another embodiment, the orifice ring hole 860 may not be perfectly aligned with the lateral lumen 19c. In this embodiment, the orifice ring 800 may be rotated to further restrict gas flow from the lateral lumen 19c to the large plenum 21.

[0069]図11Aは、チャンバ内においてガス分配プレートを支持するための支持部材の別の実施形態の平面図である。バッキングプレート28が示され、中央領域1010の至る所に形成された複数の内腔1063を有する。複数の内腔1063のそれぞれは、ボルトのようなねじ付き支持体1020を収容するように適合され、そのねじ付き支持体1020は、拡散器20の対応する噛み合い部分と噛み合うように構成される。この図面に示される拡散器20は、典型的には、バッキングプレート28の下方に設置される。拡散器20は、バッキングプレート28の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20は、この図面に描かれる構成要素が拡散器20と噛み合うのを可能にするように適合された対応する中央領域1010を有する。対称なパターンを有する12の内腔が、この実施形態において示されるが、複数の内腔1063は、バッキングプレート28において、いかなるパターン、数、および寸法を有してもよい。また、バッキングプレート28に存在する開口1048が示され、その開口1048は、1つ以上のプロセスガスを拡散器20に供給するためのガス供給システム1050を収容するように適合される。また、拡散器は、ガス供給システム1050を収容するために、拡散器に形成された適切な結合点を有してもよい。   [0069] FIG. 11A is a plan view of another embodiment of a support member for supporting a gas distribution plate within a chamber. A backing plate 28 is shown and has a plurality of lumens 1063 formed throughout the central region 1010. Each of the plurality of lumens 1063 is adapted to receive a threaded support 1020 such as a bolt, and the threaded support 1020 is configured to mate with a corresponding mating portion of the diffuser 20. The diffuser 20 shown in this drawing is typically installed below the backing plate 28. The diffuser 20 has a dimension that is substantially equal to the dimension of the backing plate 28. The diffuser 20 has a corresponding central region 1010 adapted to allow the components depicted in this drawing to engage the diffuser 20. Although twelve lumens having a symmetrical pattern are shown in this embodiment, the plurality of lumens 1063 may have any pattern, number, and size in the backing plate 28. Also shown is an opening 1048 present in the backing plate 28 that is adapted to accommodate a gas supply system 1050 for supplying one or more process gases to the diffuser 20. The diffuser may also have suitable connection points formed in the diffuser to accommodate the gas supply system 1050.

[0070]図11Bは、チャンバ内においてガス分配プレートを支持するための拡散器重力支持体の別の実施形態の平面図である。この実施形態は、ねじ付き支持体1020のパターンおよび中心からずれた開口1048の位置を除けば、図11Aに示される実施形態に類似している。図11Aの場合と同様に、拡散器20は、この図面には示されないが、典型的には、バッキングプレート28の下方に設置される。拡散器20は、バッキングプレート28の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20は、この図面に描かれる構成要素が拡散器20と噛み合うのを可能にすることのできる対応する中央領域1010を有する。   [0070] FIG. 11B is a plan view of another embodiment of a diffuser gravity support for supporting a gas distribution plate within a chamber. This embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 11A except for the pattern of the threaded support 1020 and the location of the off-center opening 1048. As in FIG. 11A, the diffuser 20 is not shown in this drawing, but is typically located below the backing plate 28. The diffuser 20 has a dimension that is substantially equal to the dimension of the backing plate 28. The diffuser 20 has a corresponding central region 1010 that can allow the components depicted in this drawing to engage the diffuser 20.

[0071]図12は、チャンバ100内における拡散器20の概略部分側面図である。チャンバは、ガス供給組立品1050を収容するように適合された少なくとも1つの開口1048を中央領域に備えるカバー16を有する。ガス供給組立品1050は、ガス供給源5から1つ以上のプロセスガスを受け取り、そして、そのプロセスガスを、内腔1019を介して大きなプレナム21に供給するように構成される。そして、プロセスガスは、拡散器20の複数のオリフィス22を介してプロセス空間80に移動することができる。他の実施形態の場合と同様に、拡散器20は、プロセス空間80においてプラズマを実現するために、プラズマ源24に結合するように適合される。   [0071] FIG. 12 is a schematic partial side view of the diffuser 20 within the chamber 100. FIG. The chamber has a cover 16 with at least one opening 1048 in the central region adapted to receive a gas supply assembly 1050. The gas supply assembly 1050 is configured to receive one or more process gases from the gas supply source 5 and supply the process gases to the large plenum 21 via the lumen 1019. The process gas can then move to the process space 80 via the plurality of orifices 22 of the diffuser 20. As in the other embodiments, the diffuser 20 is adapted to couple to the plasma source 24 to achieve a plasma in the process space 80.

[0072]チャンバ100は、ボルトのような複数のねじ付き支持体1020を有し、そのねじ付き支持体1020は、バッキングプレート28のような第1のプレートを貫通して拡散器20のような第2のプレートまで延びる。ガス供給組立品1050は、バッキングプレート28と一体化されたものであってもよく、またはバッキングプレート28は、バッキングプレート28の貫通孔1070に沿ってガス供給組立品1050を収容するように適合されてもよい。ねじ付き支持体1020は、ステンレス鋼、チタン、アルミニウム、またはそれらを組み合わせたもののような、高い引張強度を有しかつプロセス化学品と反応することのない材料から生産されてもよい。ねじ付き支持体1020は、上述した材料のいずれかから作られてもよく、更に、アルミニウムのようなプロセス耐性コーティングによってコーティングされてもよい。バッキングプレート28は、中央領域においてそのバッキングプレート28を貫通して形成された複数の孔1030を有する。ねじ付き支持体1020のそれぞれは、ねじを切られ、かつそのねじの一部分は、拡散器20における雌ねじ1040のような噛み合い部分によって収容されるように適合され、その噛み合い部分は、バッキングプレート28における複数の孔1030に対応する。雌ねじは、拡散器プレート20における複数のオリフィス22を邪魔することのない適切な内腔に配置される。更に、管状の隔壁1063、およびそれぞれの管状隔壁1063に蓋をするキャッププレート1065が示される。キャッププレート1065は、ねじ付き支持体1020にアクセスするのを可能にし、かつ管状の隔壁1063と一緒になって、周囲環境から密封された状態を提供する。キャッププレート1065は、キャッププレート1065を覆う締め付けリング1066のような何らかの既知の方法によって密封され、かつキャッププレート1065とカバー16との間に存在するO−リング1062とともに、ねじ1068によってカバー16に留められてもよい。この実施形態におけるガス供給組立品1050は、チャンバ100内においてその所定の位置に静止した状態にあるように適合され、かつ何らかの既知の方法によって周囲大気から密封されることに注意されたい。   [0072] Chamber 100 has a plurality of threaded supports 1020, such as bolts, that threaded supports 1020 pass through a first plate, such as backing plate 28, such as diffuser 20. Extends to the second plate. The gas supply assembly 1050 may be integrated with the backing plate 28, or the backing plate 28 is adapted to accommodate the gas supply assembly 1050 along the through hole 1070 of the backing plate 28. May be. The threaded support 1020 may be produced from a material that has high tensile strength and does not react with process chemicals, such as stainless steel, titanium, aluminum, or combinations thereof. The threaded support 1020 may be made from any of the materials described above and may be further coated with a process resistant coating such as aluminum. The backing plate 28 has a plurality of holes 1030 formed through the backing plate 28 in the central region. Each of the threaded supports 1020 is threaded and a portion of the screw is adapted to be received by a mating portion such as an internal thread 1040 in the diffuser 20, the mating portion being in the backing plate 28. Corresponds to a plurality of holes 1030. The internal thread is placed in a suitable lumen that does not interfere with the plurality of orifices 22 in the diffuser plate 20. Furthermore, a tubular partition 1063 and a cap plate 1065 that covers each tubular partition 1063 are shown. The cap plate 1065 allows access to the threaded support 1020 and, together with the tubular septum 1063, provides a sealed state from the surrounding environment. The cap plate 1065 is sealed to the cover 16 by screws 1068 together with an O-ring 1062 that is sealed by any known method, such as a clamping ring 1066 that covers the cap plate 1065, and exists between the cap plate 1065 and the cover 16. May be. Note that the gas supply assembly 1050 in this embodiment is adapted to remain stationary in its place within the chamber 100 and is sealed from the ambient atmosphere by any known method.

[0073]動作中、ねじ付き支持体1020は、管状の隔壁1063に挿入され、孔1030を通り、そして、拡散器20のそれぞれの雌ねじ1040に係合させられる。ねじ付き支持体1020は、拡散器20の平面姿勢を調節するために、回転させられる。この実施形態においては、拡散器20の中央部分は、重力のような力、減圧、および熱に対してきわめて大きな許容度を有するように設計されたバッキングプレート28によって、垂直運動を制限される。バッキングプレート28は、これらの力によって撓むかもしれないが、拡散器20において発生するほどには撓まない。このように、拡散器20は、上述した力によって発生する変形を呈するかもしれないが、その変形は、バッキングプレート28によって、効果的に停止させられる。また、力パラメータが、定められてもよく、そして、バッキングプレート28および拡散器20における何らかの既知の変形は、ねじ付き支持体1020の調節によって相殺されてもよいことが考えられる。部分的な変形を許容するために、拡散器20が、調節されてもよいが、許容された変形は、ねじ付き支持体1020が、この例においては座金1052である停止装置に接触するような、機械的な限界に到達すれば、予め定められた点において停止させられる。ねじ付き支持体1020は、拡散器20とバッキングプレート28との間に結合される。バッキングプレート28は、拡散器20よりも断面がかなり厚く、そのために、実質的に静的な支持点を提供する。拡散器20は、相対的な厚さおよび拡散器20の穿孔のために、バッキングプレート28に比較してより可鍛性があり、それは、ねじ付き支持体1020の長さを調節することによって、拡散器のプロフィールを調節するのを可能にする。   [0073] In operation, the threaded support 1020 is inserted into the tubular septum 1063, through the hole 1030, and engaged with the respective female thread 1040 of the diffuser 20. The threaded support 1020 is rotated to adjust the planar orientation of the diffuser 20. In this embodiment, the central portion of the diffuser 20 is limited in vertical motion by a backing plate 28 that is designed to have a very large tolerance for forces such as gravity, vacuum, and heat. The backing plate 28 may bend by these forces, but not as much as occurs in the diffuser 20. Thus, the diffuser 20 may exhibit deformations caused by the forces described above, but the deformations are effectively stopped by the backing plate 28. It is also contemplated that force parameters may be defined and any known deformations in backing plate 28 and diffuser 20 may be offset by adjustment of threaded support 1020. The diffuser 20 may be adjusted to allow partial deformation, but the permitted deformation is such that the threaded support 1020 contacts a stop device, which in this example is a washer 1052. If the mechanical limit is reached, it is stopped at a predetermined point. A threaded support 1020 is coupled between the diffuser 20 and the backing plate 28. The backing plate 28 is much thicker in cross section than the diffuser 20 and thus provides a substantially static support point. The diffuser 20 is more malleable compared to the backing plate 28 due to the relative thickness and perforation of the diffuser 20, which can be achieved by adjusting the length of the threaded support 1020. Allows you to adjust the diffuser profile.

[0074]別の態様においては、スペーサーのような少なくとも1つの調節部材1032が、拡散器20とバッキングプレート28との間の静的な距離を維持するのに使用されてもよく、それによって、ねじ付き支持体1020は、調節部材1032を所定の位置に固定するのに使用される。この実施形態においては、拡散器20は、少なくとも1つの調節部材1032の厚さを変化させることによって望ましい水平方向プロフィールを呈するように形成されてもよい。少なくとも1つの調節部材1032は、取り付けられるとき、拡散器20の中央部分に凸状の水平方向プロフィールを形成するために、より厚いものであってもよく、あるいは凹状の水平方向プロフィールを形成するために、より薄いものであってもよい。そして、調節部材1032を所定の位置に固定するために、ねじ付き支持体1020が、雌ねじ1040の中へ回転させられてもよい。1つの調節部材1032しか示されないが、本発明は、これに限定されることはなく、いかなる数の調節部材1032が、使用されてもよく、例えば、それぞれのねじ付き支持体1020が、それに結合された1つの調節部材を有してもよい。調節部材1032が、使用される場合、拡散器20の垂直運動は、熱、圧力、および重力のような力に反応したときのバッキングプレート28の何らかの運動に限定される。   [0074] In another aspect, at least one adjustment member 1032 such as a spacer may be used to maintain a static distance between the diffuser 20 and the backing plate 28, thereby The threaded support 1020 is used to fix the adjustment member 1032 in place. In this embodiment, the diffuser 20 may be formed to exhibit a desired horizontal profile by varying the thickness of the at least one adjustment member 1032. When attached, the at least one adjustment member 1032 may be thicker to form a convex horizontal profile in the central portion of the diffuser 20, or to form a concave horizontal profile. Further, it may be thinner. Then, the threaded support 1020 may be rotated into the female thread 1040 to fix the adjustment member 1032 in place. Although only one adjustment member 1032 is shown, the present invention is not limited thereto and any number of adjustment members 1032 may be used, for example, each threaded support 1020 coupled to it. One adjusting member may be provided. If the adjustment member 1032 is used, the vertical movement of the diffuser 20 is limited to some movement of the backing plate 28 in response to forces such as heat, pressure, and gravity.

[0075]図13は、ガス分配プレートを支持するための支持部材の別の実施形態であり、その支持部材は、この実施形態においては、ピボット支持体1300である。ピボット支持体1300は、単独で使用されてもよく、あるいは拡散器重力支持体15と組み合わせて使用されてもよい。また、ピボット支持体1300は、単独で使用されてもよく、あるいはねじ付き支持体1020と組み合わせて使用されてもよい。この実施形態におけるピボット支持体1300は、拡散器重力支持体15から外側に位置決めされ、かつ拡散器20およびバッキングプレート28に結合される。ピボット支持体1300は、拡散器20に結合されたボールスタッドハウジング1304およびバッキングプレート28に結合された上側ピボット部材1306に結合するように適合されたボールスタッド1302を備える。ボールスタッド1302は、その一端が、下側ピボット部材1308に結合され、かつ他端が、ねじを切られた部分1310を有する細長い部材である。ボールスタッド1302は、下側ピボット部材1308を備える一体部材として機械加工されてもよく、あるいは下側ピボット部材1308にねじ込まれあるいは結合されたボルトまたはロッドであってもよい。上側ピボット部材1306は、バッキングプレート28の上面に形成された支持シート1322に係合するように適合される。密封ブロック1324は、上側ピボット部材1306の上側部分をハウジングするために、また、チャンバ内部を周囲環境から密封するのを助けるために、バッキングプレート28の上面に結合するように適合される。カバーカップ1326は、ピボット支持体1300の露出部分を覆うために、また、チャンバ内部を更に密封するために、バッキングプレート28の上面に結合される。ピボット支持体1300を収容するために、バッキングプレート28は、支持シート1322の下方に存在する第1の内腔1328、およびボールスタッド1302およびボールスタッドハウジング1304の邪魔されることのない運動を可能にするように構成された拡張内腔1330を有する。   [0075] FIG. 13 is another embodiment of a support member for supporting the gas distribution plate, which in this embodiment is a pivot support 1300. The pivot support 1300 may be used alone or in combination with the diffuser gravity support 15. Also, the pivot support 1300 may be used alone or in combination with the threaded support 1020. The pivot support 1300 in this embodiment is positioned outward from the diffuser gravity support 15 and is coupled to the diffuser 20 and the backing plate 28. The pivot support 1300 includes a ball stud housing 1304 coupled to the diffuser 20 and a ball stud 1302 adapted to couple to an upper pivot member 1306 coupled to the backing plate 28. Ball stud 1302 is an elongated member having one end coupled to lower pivot member 1308 and the other end having a threaded portion 1310. Ball stud 1302 may be machined as an integral member with lower pivot member 1308 or may be a bolt or rod screwed or coupled to lower pivot member 1308. Upper pivot member 1306 is adapted to engage a support sheet 1322 formed on the upper surface of backing plate 28. The sealing block 1324 is adapted to couple to the upper surface of the backing plate 28 to house the upper portion of the upper pivot member 1306 and to help seal the chamber interior from the ambient environment. A cover cup 1326 is coupled to the upper surface of the backing plate 28 to cover the exposed portion of the pivot support 1300 and to further seal the interior of the chamber. To accommodate the pivot support 1300, the backing plate 28 allows unobstructed movement of the first lumen 1328 under the support sheet 1322 and the ball stud 1302 and ball stud housing 1304. Having an expanded lumen 1330 configured to:

[0076]下側ピボット部材1308は、一般的には、球状固体であり、また、上側ピボット部材1306は、形が球状であり、ボールスタッド1302を収容するための中央内腔1320を有する。下側ピボット部材1308および上側ピボット部材1306は、プロセス化学品に対してきわめて小さな反応性しか備えない機械的な強度を呈する材料から作られる。ボールスタッド1302は、下側ピボット部材1308および上側ピボット部材1306に使用される材料と同じ材料から作られてもよい。ボールスタッド1302、上側ピボット部材1306、または下側ピボット部材1308に使用される材料は、ステンレス鋼、チタン、またはアルミニウム、およびそれらを組み合わせたものを含む。ボールスタッド1302の細長い部分が、プロセス化学品に対してある程度の反応性を有する材料から作られる場合、アルミニウムからなる管状のシールド1332が、ボールスタッド1302に結合されてもよい。   [0076] The lower pivot member 1308 is typically a spherical solid and the upper pivot member 1306 is spherical in shape and has a central lumen 1320 for receiving the ball stud 1302. Lower pivot member 1308 and upper pivot member 1306 are made from a material that exhibits mechanical strength with very little reactivity to process chemicals. Ball stud 1302 may be made from the same material used for lower pivot member 1308 and upper pivot member 1306. Materials used for ball stud 1302, upper pivot member 1306, or lower pivot member 1308 include stainless steel, titanium, or aluminum, and combinations thereof. If the elongated portion of the ball stud 1302 is made from a material that has some reactivity to process chemicals, a tubular shield 1332 made of aluminum may be coupled to the ball stud 1302.

[0077]下側ピボット部材1308は、ボールスタッドハウジング1304に結合するように適合され、ボールスタッドハウジング1304は、結合機構1312によって拡散器20に結合するように適合される。ボールスタッドハウジング1304は、シートハウジング1316に結合された下側シート1314を有し、それによって、下側ピボット部材1308をハウジングする。この実施形態における結合機構1312は、縮小されていることを除けば、設計および機能が、図5および図6B〜図6Cにおいて説明した噛み合い接続60に類似している。シートハウジング1316は、拡散器20に形成された複数のスロット(図示しない)に選択的に係合する複数の雄型コネクタ1318を有する。拡散器20は、プロセスガスが大きなプレナム21からピボット支持体1300の下方に形成された複数のオリフィス22を通ってプロセス空間80に流れるのを助けるプレナム1323を有する。   [0077] Lower pivot member 1308 is adapted to couple to ball stud housing 1304, which is adapted to couple to diffuser 20 by coupling mechanism 1312. Ball stud housing 1304 has a lower seat 1314 coupled to seat housing 1316, thereby housing lower pivot member 1308. The coupling mechanism 1312 in this embodiment is similar in design and function to the mating connection 60 described in FIGS. 5 and 6B-6C, except that it is reduced. The seat housing 1316 has a plurality of male connectors 1318 that selectively engage a plurality of slots (not shown) formed in the diffuser 20. The diffuser 20 has a plenum 1323 that helps process gas flow from the large plenum 21 to the process space 80 through a plurality of orifices 22 formed below the pivot support 1300.

[0078]図14は、ピボット支持体1300に結合された拡散器20の詳細図である。示されるように拡散器20に結合する前に、作業員は、バッキングプレート28および拡散器20から離れて、ボールスタッドハウジング1304を組み立ててもよい。組み立てるのを容易にするために、拡散器20およびバッキングプレート28は、チャンバから取り外され、組み立てのために適切な場所に配置されてもよい。ボールスタッド1302は、ボールスタッド1302の細長い部分を、シートハウジング1316に形成された円錐状の開口1408の中に挿入することによって、シートハウジング1316に結合されてもよい。下側ピボット部材1308を収容するために、下側シート1314は、シートハウジング1316の下面に形成された通路1404に沿って挿入される。下側シート1314およびシートハウジング1316は、ねじ接続1402によって噛み合うように構成される。シートハウジング1316は、雌ねじを有してもよく、下側シート1314は、雄ねじを有してもよい。通路1404は、下側シート1314がその中を通るのを可能にし、かつねじが噛み合うのを可能にするような寸法を有する。下側シート1314は、下側シートの上部がシートハウジング1316に形成されたショルダー1406に接触するまで、適切に回転させられてもよい。シートハウジング1316および下側シート1314は、それぞれ、下側ピボット部材1308を収容しかつ嵌め込み、それと同時に、ボールスタッド1302のピボット運動を助けるような形状を備える内面を有する。   FIG. 14 is a detailed view of the diffuser 20 coupled to the pivot support 1300. Prior to coupling to diffuser 20 as shown, an operator may assemble ball stud housing 1304 away from backing plate 28 and diffuser 20. To facilitate assembly, the diffuser 20 and backing plate 28 may be removed from the chamber and placed in a suitable location for assembly. Ball stud 1302 may be coupled to seat housing 1316 by inserting an elongated portion of ball stud 1302 into a conical opening 1408 formed in seat housing 1316. To accommodate the lower pivot member 1308, the lower seat 1314 is inserted along a passage 1404 formed in the lower surface of the seat housing 1316. Lower seat 1314 and seat housing 1316 are configured to mate with threaded connection 1402. The seat housing 1316 may have an internal thread, and the lower seat 1314 may have an external thread. The passage 1404 is dimensioned to allow the lower sheet 1314 to pass therethrough and allow the screws to engage. The lower seat 1314 may be properly rotated until the upper portion of the lower seat contacts a shoulder 1406 formed in the seat housing 1316. The seat housing 1316 and the lower seat 1314 each have an inner surface that is shaped to accommodate and fit the lower pivot member 1308 while at the same time assisting in pivoting the ball stud 1302.

[0079]ショルダー1406が、下側シート1314に接触させられるとき、下側シートがショルダー1406を後退させるのを防止するために、ピン1410が、使用されてもよい。すべてのボールスタッド1302が、ボールスタッドハウジング1304に結合されるとき、それぞれのボールスタッドハウジング1304は、雄型コネクタ1318と噛み合うように適合された拡散器20に形成されたスロットの中に挿入されてもよい。ボールスタッドハウジング1304は、45°だけ回転させられ、そして、シートハウジング1316に形成されたチャンネル1414の中に挿入された止めねじ1412によって固定されてもよい。チャンネル1414は、ねじを切られかつ止めねじ1412上のねじと噛み合う下側部分を有する。止めねじ1412は、適切に回転させられ、チャンネル1414に形成されたショルダーに接触する。止めねじ1412は、チャンネル1414のねじを切られた部分を越えて延びるように構成され、その延びた部分は、拡散器20に形成された凹部1416と噛み合い、それによって、ボールスタッドハウジング1304が、更に回転するのを防止する。すべてのボールスタッドハウジング1304が、拡散器20と結合され、かつ止めねじ1412によって固定されてしまえば、拡散器20は、更なる組み立てのために操作されてもよく、ボールスタッドハウジング1304は、そのままの状態であってもよい。   [0079] A pin 1410 may be used to prevent the lower sheet from retracting the shoulder 1406 when the shoulder 1406 is brought into contact with the lower sheet 1314. When all ball studs 1302 are coupled to ball stud housing 1304, each ball stud housing 1304 is inserted into a slot formed in diffuser 20 that is adapted to mate with male connector 1318. Also good. Ball stud housing 1304 may be rotated by 45 ° and secured by a set screw 1412 inserted into a channel 1414 formed in seat housing 1316. Channel 1414 has a lower portion that is threaded and meshes with a screw on set screw 1412. Set screw 1412 is properly rotated to contact the shoulder formed in channel 1414. The set screw 1412 is configured to extend beyond the threaded portion of the channel 1414, which extends into engagement with a recess 1416 formed in the diffuser 20, whereby the ball stud housing 1304 is Further rotation is prevented. Once all the ball stud housings 1304 are coupled with the diffuser 20 and secured by set screws 1412, the diffuser 20 may be manipulated for further assembly and the ball stud housing 1304 remains intact. It may be in the state.

[0080]図15は、バッキングプレート28に結合されたピボット支持体1300の詳細図である。その中にボールスタッド1302を有するボールスタッドハウジング1304を取り付けた後、拡散器20は、バッキングプレート28に接合されてもよい。この例においては、バッキングプレート28は、チャンバの外側に逆さまに位置決めされ、それに結合された1つ以上のボールスタッド1302を有する拡散器20は、バッキングプレート28の上方に逆さまに位置決めされる。この位置に拡散器20を有することは、ボールスタッド1302のねじを切られた部分1310が、下向きに垂れ下がるのを可能にし、かつねじを切られた部分1310が、バッキングプレート28に形成された支持シート1322から、露出され、そして、突き出るまで、作業員が、ボールスタッド1302を拡張内腔1330および第1の内腔1328の中に挿入するのを可能にする。そして、ねじを切られた部分1310を中央内腔1320に沿って案内することによって、上側ピボット部材1306が、取り付けられてもよい。ねじを切られた部分1310が、中央内腔1320から突き出ると、ナット1516が、ねじを切られた部分1310に結合されてもよく、それによって、上側ピボット部材1306をボールスタッド1302にしっかりと固定する。別の実施形態においては、上側ピボット部材1306の中央内腔1320は、雌ねじを含んでもよく、ボールスタッド1302のねじを切られた部分1310は、ねじ接続によって上側ピボット部材に結合してもよい。   FIG. 15 is a detailed view of pivot support 1300 coupled to backing plate 28. After installing a ball stud housing 1304 having a ball stud 1302 therein, the diffuser 20 may be joined to the backing plate 28. In this example, the backing plate 28 is positioned upside down outside the chamber, and the diffuser 20 having one or more ball studs 1302 coupled thereto is positioned upside down above the backing plate 28. Having the diffuser 20 in this position allows the threaded portion 1310 of the ball stud 1302 to hang down, and the threaded portion 1310 is formed on the backing plate 28 support. From the seat 1322, until it is exposed and protrudes, the operator can insert the ball stud 1302 into the expansion lumen 1330 and the first lumen 1328. The upper pivot member 1306 may then be attached by guiding the threaded portion 1310 along the central lumen 1320. As the threaded portion 1310 protrudes from the central lumen 1320, a nut 1516 may be coupled to the threaded portion 1310, thereby securely securing the upper pivot member 1306 to the ball stud 1302. To do. In another embodiment, the central lumen 1320 of the upper pivot member 1306 may include an internal thread, and the threaded portion 1310 of the ball stud 1302 may be coupled to the upper pivot member by a threaded connection.

[0081]一実施形態においては、ボールスタッド1302の上側部分1506は、小さな径の部分1504を有してもよい。上側ピボット部材1306の中央内腔1320は、上側部分1506および小さな径の部分1504を収容する部分を有し、上側部分が、上側ピボット部材1306に形成されたショルダー領域1508に接触するまで、中央内腔1320内における垂直運動を助ける。ショルダー領域1508は、ボールスタッド1302のための垂直方向制限装置の役割をなし、それによって、調節中に、上側部分1506が、ショルダー領域1508に接触すると、ボールスタッド1302の垂直運動を停止させる。また、上側ピボット部材1306は、上側ピボット部材1306に形成された凹部に配置された少なくとも1つのO−リング1510を備え、プロセスガスがチャンバから漏れるのを防止し、かつボールスタッド1302と上側ピボット部材1306との間に真空密封を形成するように適合される。また、ピボット支持体1300は、バッキングプレート28に形成された凹部に配置されたO−リング1512を備え、プロセスガスが減損するのを防止し、かつ上側ピボット部材1306とバッキングプレート28との間を真空密封するのを助ける。O−リング1510および1512は、プロセス条件に耐えるようになされた高分子材料またはゴム材料のような適切な材料から作られてもよい。   [0081] In one embodiment, the upper portion 1506 of the ball stud 1302 may have a small diameter portion 1504. The central lumen 1320 of the upper pivot member 1306 has a portion that accommodates an upper portion 1506 and a small diameter portion 1504 until the upper portion contacts the shoulder region 1508 formed in the upper pivot member 1306. Helps vertical movement within cavity 1320. Shoulder region 1508 serves as a vertical restriction for ball stud 1302, thereby stopping vertical movement of ball stud 1302 when upper portion 1506 contacts shoulder region 1508 during adjustment. The upper pivot member 1306 also includes at least one O-ring 1510 disposed in a recess formed in the upper pivot member 1306 to prevent process gas from leaking out of the chamber, and the ball stud 1302 and the upper pivot member. Adapted to form a vacuum seal with 1306. Pivot support 1300 also includes an O-ring 1512 disposed in a recess formed in backing plate 28 to prevent process gas from being lost and between upper pivot member 1306 and backing plate 28. Helps to vacuum seal. O-rings 1510 and 1512 may be made from a suitable material, such as a polymeric or rubber material adapted to withstand process conditions.

[0082]ナット1516によってそれぞれのボールスタッド1302に結合された複数の上側ピボット部材1306によって、拡散器20およびバッキングプレート28は、複数のピボット支持体1300によって、お互いに結合される。拡散器20およびバッキングプレート28は、拡散器およびバッキングプレートがチャンバ内に取り付けられたときに位置決めされるべき所定の位置に表を上にして位置決めされてもよい。この時点において、拡散器重力支持体15は、支持シート51の中に挿入され(図5)、拡散器20に結合するために、適切に回転させられてもよい。あるいは拡散器20は、ガス供給組立品1050を使用してもよく、複数のねじ付き支持体1020(図12)が、拡散器に結合されてもよい。   [0082] The diffuser 20 and the backing plate 28 are coupled to each other by a plurality of pivot supports 1300 by a plurality of upper pivot members 1306 coupled to respective ball studs 1302 by nuts 1516. The diffuser 20 and backing plate 28 may be positioned face up at a predetermined position that should be positioned when the diffuser and backing plate are installed in the chamber. At this point, the diffuser gravity support 15 may be inserted into the support sheet 51 (FIG. 5) and rotated appropriately to couple to the diffuser 20. Alternatively, the diffuser 20 may use a gas supply assembly 1050 and a plurality of threaded supports 1020 (FIG. 12) may be coupled to the diffuser.

[0083]また、ピボット支持体1300は、ボールスタッド1302のねじを切られた部分1310およびナット1516を収容するための中央開口1502を有する密封ブロック1324を備える。密封ブロック1324は、上側ピボット部材1306が制限されない運動をなすのを可能にするように構成された上側支持シート1526を上側ピボット部材1306に提供する。中央開口1502は、ナット1516またはオプションとしての座金1526が密封ブロック1324に接触することなく、上側ピボット部材1306およびボールスタッド1302が運動をなすのを可能にするように構成される。密封ブロック1324は、少なくとも1つのO−リング1514を備え、そのO−リング1514は、バッキングプレート28と周囲環境との間の更なる密封を提供し、かつボルトのような複数の留め具1524によってバッキングプレートに結合するように適合される。また、密封ブロックは、上面に形成されたO−リング溝1522を有する。   [0083] The pivot support 1300 also includes a sealing block 1324 having a threaded portion 1310 of the ball stud 1302 and a central opening 1502 for receiving the nut 1516. The sealing block 1324 provides the upper pivot member 1306 with an upper support sheet 1526 configured to allow the upper pivot member 1306 to perform unrestricted movement. The central opening 1502 is configured to allow the upper pivot member 1306 and ball stud 1302 to move without the nut 1516 or optional washer 1526 contacting the sealing block 1324. The sealing block 1324 includes at least one O-ring 1514 that provides additional sealing between the backing plate 28 and the surrounding environment and by a plurality of fasteners 1524 such as bolts. Adapted to couple to a backing plate. The sealing block has an O-ring groove 1522 formed on the upper surface.

[0084]図16は、拡散器20に結合されたピボット支持体1300の別の実施形態の詳細図である。カバーカップ1326が示され、複数のカバーボルト1602によって、密封ブロック1324の上面に結合される。カバーボルトは、密封ブロックに形成された対応する孔にねじで接続されてもよく、あるいは密封ブロックを通って、バッキングプレートに形成された適切にねじを切られた孔まで延びてもよく、その場合には、複数のカバーボルト1602は、密封ブロック1324を結合するのに使用される複数の留め具1524とは異なるバッキングプレート28における孔のパターンを使用する。チャンバ内におけるピボット支持体1300の更なる密封を提供するために、ポリマーまたはゴムからなるカバーO−リング1604が、O−リング溝1522内に配置されてもよい。また、カバーカップ1326は、カバーカップ1326の内部の被覆領域1606を提供し、ねじを切られた部分1310およびナット1516の邪魔されることのない運動を可能にする。   FIG. 16 is a detailed view of another embodiment of a pivot support 1300 coupled to the diffuser 20. Cover cup 1326 is shown and is coupled to the top surface of sealing block 1324 by a plurality of cover bolts 1602. The cover bolt may be screwed into a corresponding hole formed in the sealing block, or may extend through the sealing block to an appropriately threaded hole formed in the backing plate, In some cases, the plurality of cover bolts 1602 uses a different pattern of holes in the backing plate 28 than the plurality of fasteners 1524 used to join the sealing block 1324. A cover O-ring 1604 made of polymer or rubber may be disposed in the O-ring groove 1522 to provide further sealing of the pivot support 1300 within the chamber. The cover cup 1326 also provides a covered area 1606 inside the cover cup 1326 to allow unobstructed movement of the threaded portion 1310 and nut 1516.

[0085]図17Aは、それに結合された複数のピボット支持体1300を有するバッキングプレート28の一実施形態の平面図である。複数のピボット支持体1300および拡散器重力支持体15が示され、中央領域1010内においてバッキングプレート28に結合される。この図面には示されない拡散器20は、典型的には、バッキングプレート28の下方に設置される。拡散器20は、バッキングプレート28の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20は、対応する中央領域1010を有し、その中央領域1010は、この図面に示されるいずれかの構成要素が拡散器20と噛み合うのを可能にしてもよい。この実施形態においては、対称なパターンを有する8つのピボット支持体1300が示されるが、ピボット支持体1300は、バッキングプレート28において、いかなるパターン、数、および寸法を有してもよい。   [0085] FIG. 17A is a plan view of one embodiment of a backing plate 28 having a plurality of pivot supports 1300 coupled thereto. A plurality of pivot supports 1300 and diffuser gravity supports 15 are shown and are coupled to the backing plate 28 in the central region 1010. The diffuser 20 not shown in this drawing is typically installed below the backing plate 28. The diffuser 20 has a dimension that is substantially equal to the dimension of the backing plate 28. The diffuser 20 has a corresponding central region 1010 that may allow any of the components shown in this figure to engage the diffuser 20. In this embodiment, eight pivot supports 1300 having a symmetrical pattern are shown, but the pivot supports 1300 may have any pattern, number, and dimensions in the backing plate 28.

[0086]図17Bは、複数のピボット支持体1300およびガス供給システム1050のための少なくとも1つの開口1048を有するバッキングプレート28の別の実施形態の平面図である。すべての構成要素は、中央領域1010に設置されてもよく、あるいはその代わりに、代替のガス供給システム1050aを収容するように構成された別の開口1048aが、中央領域1010の外側において、バッキングプレートに結合されてもよい。この図面には示されない拡散器20は、典型的には、バッキングプレート28の下方に設置される。拡散器20は、バッキングプレート28の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20は、対応する中央領域1010を有し、その中央領域1010は、この図面に示される中央領域1010内に存在するいずれかの構成要素が拡散器20と噛み合うのを可能にしてもよい。代替のガス供給システム1050aが、使用されるならば、拡散器は、それに形成された対応する結合点を有し、その結合点は、別の供給システムを収容するように適合される。この実施形態においては、対称なパターンを有する8つのピボット支持体1300が示されるが、ピボット支持体1300は、バッキングプレート28において、いかなるパターン、数、および寸法を有してもよい。   [0086] FIG. 17B is a plan view of another embodiment of a backing plate 28 having a plurality of pivot supports 1300 and at least one opening 1048 for a gas supply system 1050. FIG. All components may be located in the central region 1010, or alternatively, a separate opening 1048a configured to accommodate an alternative gas supply system 1050a is located outside the central region 1010 in the backing plate. May be combined. The diffuser 20 not shown in this drawing is typically installed below the backing plate 28. The diffuser 20 has a dimension that is substantially equal to the dimension of the backing plate 28. The diffuser 20 has a corresponding central region 1010 that may allow any component present in the central region 1010 shown in this figure to engage the diffuser 20. . If an alternative gas supply system 1050a is used, the diffuser has a corresponding connection point formed on it that is adapted to accommodate another supply system. In this embodiment, eight pivot supports 1300 having a symmetrical pattern are shown, but the pivot supports 1300 may have any pattern, number, and dimensions in the backing plate 28.

[0087]図17Cは、中央領域1010において複数のねじ付き支持体1020が追加されたことを除けば、図17Bに示される実施形態に類似するバッキングプレート28の別の実施形態の平面図である。この図面には示されない拡散器20は、典型的には、バッキングプレート28の下方に設置される。拡散器20は、バッキングプレート28の寸法に実質的に等しい寸法を有する。拡散器20は、対応する中央領域1010を有し、その中央領域1010は、この図面に描かれるいずれかの構成要素が拡散器20と噛み合うのを可能にしてもよい。この実施形態においては、12のねじ付き支持体1020および8つのピボット支持体1300が、対称なパターンで示されるが、複数のねじ付き支持体1020およびピボット支持体1300は、バッキングプレート28において、いかなるパターン、数、および寸法を有してもよい。また、バッキングプレート28に存在する開口1048が示され、その開口1048は、1つ以上のプロセスガスを拡散器20に供給するためのガス供給システム1050を収容するように適合される。この実施形態においては、拡散器は、また、それに形成された適切な結合点を有し、ガス供給システム1050を収容する。また、代替のガス通路300が示され、単独でまたは開口1048と組み合わせて、プロセスガスを拡散器20に提供するのに使用されてもよい。   [0087] FIG. 17C is a plan view of another embodiment of a backing plate 28 similar to the embodiment shown in FIG. 17B, except that a plurality of threaded supports 1020 have been added in the central region 1010. . The diffuser 20 not shown in this drawing is typically installed below the backing plate 28. The diffuser 20 has a dimension that is substantially equal to the dimension of the backing plate 28. The diffuser 20 has a corresponding central region 1010 that may allow any component depicted in this drawing to engage the diffuser 20. In this embodiment, twelve threaded supports 1020 and eight pivot supports 1300 are shown in a symmetrical pattern, although multiple threaded supports 1020 and pivot supports 1300 can be It may have patterns, numbers, and dimensions. Also shown is an opening 1048 present in the backing plate 28 that is adapted to accommodate a gas supply system 1050 for supplying one or more process gases to the diffuser 20. In this embodiment, the diffuser also has a suitable connection point formed therein and houses a gas supply system 1050. An alternative gas passage 300 is also shown and may be used alone or in combination with the opening 1048 to provide process gas to the diffuser 20.

[0088]拡散器20は、約350℃〜約450℃のプロセス温度で動作するように適合され、そして、拡散器の材料に依存して、拡散器のいくつかの部分は、プロセスサイクル中に、膨張および収縮を呈してもよい。ピボット支持体1300の様々な部品およびバッキングプレート28の対応する部品は、拡散器20の横方向運動1608を可能にすることによって、この膨張または収縮に対処するものである。第1の内腔1328、円錐状の開口1408、および被覆領域1606は、ボールスタッド1302の運動のためのクリアランスを提供し、そして、拡張内腔1330は、ボールスタッドハウジング1304の運動のためのクリアランスを提供する。したがって、拡散器20に発生するあらゆる膨張および収縮に応じて、拡散器20のいくつかの部分の横方向運動1608が、可能である。一実施形態においては、ピボット支持体1300は、拡散器20のいくつかの部分の約0.25インチから約0.5インチまでの範囲にある運動1608を可能にする。   [0088] The diffuser 20 is adapted to operate at a process temperature of about 350 ° C. to about 450 ° C., and depending on the material of the diffuser, some parts of the diffuser may be removed during the process cycle. May exhibit expansion and contraction. Various parts of the pivot support 1300 and corresponding parts of the backing plate 28 address this expansion or contraction by allowing lateral movement 1608 of the diffuser 20. First lumen 1328, conical opening 1408, and covered region 1606 provide clearance for movement of ball stud 1302 and expanded lumen 1330 provides clearance for movement of ball stud housing 1304. I will provide a. Accordingly, in response to any expansion and contraction that occurs in the diffuser 20, lateral movement 1608 of some portions of the diffuser 20 is possible. In one embodiment, the pivot support 1300 allows movement 1608 in the range of about 0.25 inches to about 0.5 inches of some portions of the diffuser 20.

[0089]拡散器20は、特定の領域においてたるむ傾向があり、垂直方向に下向きに変形するかもしれないが、拡散器20のいくつかの部分が、膨張または収縮のために、水平方向に移動すれば、拡散器20の同じ部分またはその他の部分は、ピボット支持体1300の設計に固有の半径方向経路のために、垂直方向に移動することができる。垂直方向に上向きの運動は、拡張内腔1330の上面1610によって停止させられてもよく、その上面1610は、ボールスタッドハウジング1304が上面1610に接触するとき、停止装置の役割をなしてもよい。その代わりに、あるいはそれに加えて、ねじを切られた上側ピボット部材1306が、ボールスタッド1302に結合されてもよい。   [0089] The diffuser 20 tends to sag in certain areas and may deform downward in the vertical direction, but some parts of the diffuser 20 move horizontally due to expansion or contraction. In this way, the same or other parts of the diffuser 20 can move vertically due to the radial path inherent in the design of the pivot support 1300. Vertical upward movement may be stopped by the upper surface 1610 of the expansion lumen 1330, which may serve as a stop device when the ball stud housing 1304 contacts the upper surface 1610. Alternatively or in addition, a threaded upper pivot member 1306 may be coupled to the ball stud 1302.

[0090]別の実施形態においては、ピボット支持体1300は、拡散器20の特定の領域の既知の変形が水平方向の運動およびピボット支持体1300によって助長される何らかの垂直方向の運動を予測することを考慮して、その拡散器20の特定の領域の既知の変形によって調節されてもよい。この実施形態は、複数の支持部材を用いてチャンバ内部の拡散器を支持する方法を記載するものである。拡散器20が、基板支持体12(図1)の上方の特定の高さまたは距離において、バッキングプレート28およびオプションとしての柔軟性のあるサスペンション57から吊り下げられると、拡散器重力支持体15は、予め定められた高さに調節され、そして、図5および図6Aの説明において述べたように、所定の位置に固定されてもよい。基板支持体とピボット支持体1300の下にある拡散器20の部分との実際のまたは望ましい距離に基づいて、図14および図15の説明において述べたようにすでに取り付けられているピボット支持体1300は、ボールスタッド1302のねじを切られた部分1310に存在するナット1516を回転させることによって、上方へまたは下方へ調節されなければならないかもしれない。それぞれのピボット支持体1300の下にある拡散器のそれぞれの部分が、基板支持体12に対して望ましい距離に存在するように定められると、それぞれのねじを切られた部分1310上のナット1516は、しっかりと締められ、ジャムナット1518によって固定されてもよい。   [0090] In another embodiment, the pivot support 1300 predicts a known deformation of a particular region of the diffuser 20 in a horizontal motion and any vertical motion facilitated by the pivot support 1300. May be adjusted by known variations of a particular region of the diffuser 20. This embodiment describes a method of supporting a diffuser inside a chamber using a plurality of support members. When the diffuser 20 is suspended from the backing plate 28 and optional flexible suspension 57 at a specific height or distance above the substrate support 12 (FIG. 1), the diffuser gravity support 15 May be adjusted to a predetermined height and fixed in place as described in the description of FIGS. 5 and 6A. Based on the actual or desired distance between the substrate support and the portion of the diffuser 20 under the pivot support 1300, the pivot support 1300 already attached as described in the description of FIGS. The ball stud 1302 may have to be adjusted up or down by rotating the nut 1516 present in the threaded portion 1310. Once the respective portions of the diffuser under each pivot support 1300 are defined to be at a desired distance relative to the substrate support 12, the nut 1516 on the respective threaded portion 1310 is May be tightened and secured by a jam nut 1518.

[0091]基板支持体と拡散器との間の距離は、拡散器と基板支持体との間の複数の領域を調節および測定するための1つ以上のゲージを用いて、作業員によって調節されてもよい。これらの測定が、完了し、かつ拡散器重力支持体15およびボールスタッド1302のねじを切られた部分1310に結合されたナット1516を調節することによって、基板支持体の上方における拡散器の高さが、満足できるものであることがわかれば、ナット1516は、適切に回転させることによって緩められてもよい。このナット1516を緩めることは、それぞれのピボット支持体1300によって吊り下げられた部分を降下させ、それによって、影響を受けた点において、拡散器と基板支持体との間の距離を短くするかもしれない。ナット1516が、予め定められた量だけ緩められると、ジャムナット1518は、ナット1516に対して適切に締め付けられ、ナット1516を所定の位置に固定するかもしれない。ナット1516を緩め、その後に、拡散器が降下することは、拡散器のいくつかの部分の既知の膨張変形または収縮変形に対処するための意図的なものであってもよい。そして、プロセス条件に曝されるとき、これらの部分は、ナット1516と上側ピボット部材1306とが接触することによって、下向きの方向における変形が制限されてもよい。上述したように作業員によって予め調節された複数のピボット支持体1300は、基板支持体に対してどの点においてもすべて望ましい距離である拡散器の水平方向プロフィールをプロセス中にもたらしてもよい。あるいは拡散器20は、基板支持体12の水平方向プロフィールを考慮したあるいは考慮しない何らかのその他の方法によって調節されてもよい。   [0091] The distance between the substrate support and the diffuser is adjusted by an operator using one or more gauges for adjusting and measuring a plurality of regions between the diffuser and the substrate support. May be. These measurements are completed and the height of the diffuser above the substrate support is adjusted by adjusting the nut 1516 coupled to the threaded portion 1310 of the diffuser gravity support 15 and ball stud 1302. However, if it is found satisfactory, the nut 1516 may be loosened by appropriate rotation. Loosening this nut 1516 may lower the portion suspended by the respective pivot support 1300, thereby shortening the distance between the diffuser and the substrate support at the affected point. Absent. When the nut 1516 is loosened by a predetermined amount, the jam nut 1518 may be properly tightened against the nut 1516 to secure the nut 1516 in place. Loosening nut 1516 and then lowering the diffuser may be intentional to address known expansion or contraction deformations of some parts of the diffuser. And, when exposed to process conditions, these portions may be limited in deformation in the downward direction by contact between the nut 1516 and the upper pivot member 1306. A plurality of pivot supports 1300 pre-adjusted by an operator as described above may provide a diffuser horizontal profile in the process that is at all desired distances to the substrate support at any point. Alternatively, the diffuser 20 may be adjusted by some other method with or without taking into account the horizontal profile of the substrate support 12.

[0092]あるいはねじを切られた部分1310に結合された特定のナット1516を緩めることは、拡散器20を降下させなくてもよく、ナット1516は、上側ピボット部材1306に接触しない。ナット1516が、予め定められた量だけ緩められると、ジャムナット1518は、ナット1516に対して適切に締め付けられ、ナット1516を所定の位置に固定してもよい。この時、拡散器20は、ナット1516を緩める前と同じ高さであってもよい。ナット1516を緩めることは、拡散器のいくつかの部分の既知の膨張変形または収縮変形に対処するための意図的なものであってもよい。そして、プロセス条件に曝されるとき、これらの部分は、それぞれのナット1516が上側ピボット部材1306に接触するまで、垂直方向に下向きに変形することが可能であってもよい。上述したように作業員によって予め調節された複数のピボット支持体1300は、基板支持体に対してどの点においてもすべて望ましい距離である拡散器の水平方向プロフィールをプロセス中にもたらしてもよい。   [0092] Alternatively, loosening a particular nut 1516 coupled to the threaded portion 1310 may not cause the diffuser 20 to descend, and the nut 1516 does not contact the upper pivot member 1306. When the nut 1516 is loosened by a predetermined amount, the jam nut 1518 may be properly tightened against the nut 1516 to secure the nut 1516 in place. At this time, the diffuser 20 may be the same height as before the nut 1516 is loosened. Loosening the nut 1516 may be intentional to address known expansion or contraction deformations of some parts of the diffuser. And when exposed to process conditions, these portions may be capable of deforming vertically downward until the respective nut 1516 contacts the upper pivot member 1306. A plurality of pivot supports 1300 pre-adjusted by an operator as described above may provide a diffuser horizontal profile in the process that is at all desired distances to the substrate support at any point.

[0093]拡散器のプロフィールを調節する上述した方法のすべては、拡散器の水平方向プロフィールを調節するためには必要とされない入口または出口に蓋をすることによって、真空条件下において、実施され、監視され、および調節されてもよい。例えば、ガスブロック17(図1)、ガス通路300、または開口1048は、密封されてもよく、ピボット支持体1300を使用する実施形態においては、密封ブロック1324は、バッキングプレート28に結合されてもよい。また、その他の使用されない開口は、すべて、密封されてもよく、チャンバは、バッキングプレート28または拡散器20のいくつかの部分をたるませるかもしれない適切な圧力まで減圧されてもよい。一実施形態においては、基板支持体に対する拡散器の高さを複数の点において監視および調節するために、1つ以上のゲージが、作業員によって使用されてもよい。別の実施形態においては、拡散器プロフィールは、基板支持体の水平方向の姿勢を考慮せずに、いずれかの方法によって調節されてもよい。調節は、拡散器重力支持体15、ねじ付き支持体1020、およびピボット支持体1300上のナット1516のような、拡散器に結合された調節部材を回転させることによって、実施されてもよい。   [0093] All of the above-described methods of adjusting the profile of the diffuser are performed under vacuum conditions by capping the inlet or outlet which is not required to adjust the horizontal profile of the diffuser, It may be monitored and adjusted. For example, the gas block 17 (FIG. 1), the gas passage 300, or the opening 1048 may be sealed, and in embodiments using the pivot support 1300, the sealing block 1324 may be coupled to the backing plate 28. Good. Also, all other unused openings may be sealed and the chamber may be depressurized to an appropriate pressure that may cause some parts of the backing plate 28 or diffuser 20 to sag. In one embodiment, one or more gauges may be used by an operator to monitor and adjust the height of the diffuser relative to the substrate support at multiple points. In another embodiment, the diffuser profile may be adjusted by any method without considering the horizontal orientation of the substrate support. Adjustment may be performed by rotating adjustment members coupled to the diffuser, such as diffuser gravity support 15, threaded support 1020, and nut 1516 on pivot support 1300.

[0094]すべての調節が、真空下においてまたは周囲環境においてなされ、拡散器が、望ましい水平方向プロフィール、または既知の変形を予測するための予め定められた水平方向プロフィールを呈する場合、カバーカップ1326およびカバー16のような、それぞれのカバーは、チャンバに結合されてもよい。調節中にチャンバ内の負圧を助長するために所定の位置に存在するキャップおよびシールは、除去されてもよく、チャンバは、プロセスのための準備がなされてもよい。   [0094] If all adjustments are made under vacuum or in the ambient environment and the diffuser exhibits a desired horizontal profile, or a predetermined horizontal profile for predicting known deformation, the cover cup 1326 and Each cover, such as cover 16, may be coupled to a chamber. Caps and seals that are in place to facilitate negative pressure in the chamber during adjustment may be removed and the chamber may be ready for the process.

[0095]拡散器の断面曲率または水平方向プロフィールを操作するための装置および方法が説明された。平面、凸状、または凹状の中の1つである水平方向プロフィールを提供するために、拡散器は、操作されてもよい。拡散器の水平方向プロフィールは、チャンバ内の基板支持体に対して調節されてもよい。理論に拘束されることを望まずに、基板支持体が、平面の水平方向プロフィールを呈し、かつ拡散器が、類似する水平方向プロフィールを呈するならば、シランおよび水素のような、プロセス空間に供給されるプロセスガスは、基板の中央領域における堆積と比較すれば基板の縁により大きな割合でアモルファスシリコンを堆積すると考えられる。一実施形態においては、基板支持体は、平面姿勢を呈してもよく、拡散器の水平方向プロフィールは、より大きな量のプロセスガスが基板の上方に案内されるのを可能にするプロセス空間を拡散器の中央領域の下方に作成するために、平面の基板支持体と比較して凹状になるように調節される。より大きな量のプロセスガスを有するこのプロセス空間は、大面積基板全体にわたるより均一な堆積を助長すると考えられる。   [0095] An apparatus and method for manipulating the cross-sectional curvature or horizontal profile of a diffuser has been described. The diffuser may be manipulated to provide a horizontal profile that is one of planar, convex, or concave. The horizontal profile of the diffuser may be adjusted relative to the substrate support in the chamber. Without wishing to be bound by theory, if the substrate support exhibits a planar horizontal profile, and the diffuser exhibits a similar horizontal profile, it is fed into a process space, such as silane and hydrogen. It is believed that the process gas deposited will deposit amorphous silicon at a greater rate on the edge of the substrate as compared to deposition in the central region of the substrate. In one embodiment, the substrate support may assume a planar orientation and the diffuser's horizontal profile diffuses the process space allowing a larger amount of process gas to be guided above the substrate. In order to make it below the central region of the vessel, it is adjusted to be concave compared to a planar substrate support. This process space with a greater amount of process gas is believed to facilitate more uniform deposition across a large area substrate.

[0096]本発明のいくつかの実施形態が説明されたが、本発明のその他のおよび更なる実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに工夫されてもよく、本発明の範囲は、特許請求の範囲に規定される。   [0096] Although several embodiments of the invention have been described, other and further embodiments of the invention may be devised without departing from the basic scope of the invention. The scope is defined in the claims.

プラズマチャンバの側面図である。It is a side view of a plasma chamber. チャンバカバーの一実施形態の平面図である。It is a top view of one embodiment of a chamber cover. チャンバカバーの別に実施形態の平面図である。It is a top view of another embodiment of another chamber cover. 拡散器重力支持体の一実施形態の詳細図である。FIG. 4 is a detailed view of one embodiment of a diffuser gravity support. 図4に示される拡散器重力支持体の詳細分解図である。FIG. 5 is a detailed exploded view of the diffuser gravity support shown in FIG. 4. ガスブロック調節器および噛み合い機構の一実施形態の詳細平面図である。It is a detailed top view of one embodiment of a gas block regulator and a meshing mechanism. 1つの側面における噛み合い機構の詳細図である。It is detail drawing of the meshing mechanism in one side. 別の態様における噛み合い機構詳細図である。It is a meshing mechanism detail drawing in another aspect. 拡散器重力支持体の別の実施形態の概略図である。FIG. 6 is a schematic view of another embodiment of a diffuser gravity support. 拡散器重力支持体の別の実施形態の部分概略図である。FIG. 6 is a partial schematic view of another embodiment of a diffuser gravity support. オリフィスリングの平面図である。It is a top view of an orifice ring. オリフィスリングの側面図である。It is a side view of an orifice ring. オリフィスリングを含む拡散器重力支持体の別の実施形態の部分概略図である。FIG. 6 is a partial schematic view of another embodiment of a diffuser gravity support including an orifice ring. オリフィスリングを含む拡散器重力支持体の別の実施形態の部分概略図である。FIG. 6 is a partial schematic view of another embodiment of a diffuser gravity support including an orifice ring. バッキングプレートの一実施形態の平面図である。It is a top view of one embodiment of a backing plate. バッキングプレートの別の実施形態の平面図である。It is a top view of another embodiment of a backing plate. 拡散器重力支持体の別の実施形態の部分概略図である。FIG. 6 is a partial schematic view of another embodiment of a diffuser gravity support. ピボット支持体の一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of a pivot support body. ピボット支持体に結合された拡散器の詳細図である。FIG. 4 is a detailed view of a diffuser coupled to a pivot support. バッキングプレートに結合されたピボット支持体の詳細図である。FIG. 4 is a detailed view of a pivot support coupled to a backing plate. 拡散器に結合されたピボット支持体1300の詳細図である。FIG. 4 is a detailed view of a pivot support 1300 coupled to a diffuser. バッキングプレートに結合された複数のピボット支持体を有するバッキングプレートの一実施形態の平面図である。FIG. 6 is a plan view of one embodiment of a backing plate having a plurality of pivot supports coupled to the backing plate. 複数のピボット支持体を有するバッキングプレートの別の実施形態の平面図である。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of a backing plate having a plurality of pivot supports. 複数のピボット支持体および複数のねじ付き支持体を有するバッキングプレートの別の実施形態の平面図である。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of a backing plate having a plurality of pivot supports and a plurality of threaded supports. 凹状の水平方向プロフィールを有する拡散器の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a diffuser having a concave horizontal profile. 凸状の水平方向プロフィールを有する拡散器の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a diffuser having a convex horizontal profile.

1…ねじ、2…ジャムナット、3…ねじ、4…O−リング、5…ガス供給源、6…ポート、8…O−リング、10…側壁、11…底部、12…基板支持体、14…大面積基板、15…拡散器重力支持体、16…カバープレート、17…ガスブロック、18…排気チャンネル、19…縦方向の内腔、19a…傾斜した内腔、19b…延長内腔、19c…横方向の内腔、20…拡散器、21…大きなプレナム、22…オリフィス、23…小さなプレナム、24…プラズマ供給源、25…グラウンド、27…チャンバ、28…バッキングプレート、29…真空ポンプ、31…雌型コネクタ、32…雄型コネクタ、33…環状の間隙、34、35、37、38、41…絶縁スペーサー、45…O−リング、46…O−リング、50…支持ブロック、51…支持シート、52…溶接、53…環状カラー、55…上部リップ、56…上側部分の外周、57…柔軟性のあるサスペンション、57…フランジ、58…中央部分、59…下側部分、60…噛み合い接続、61…張り出し部分、62…切り取り部分、65…ショルダー領域、66…上部領域表面の内径、80…プロセス空間、100…チャンバ、210…中央領域、300…ガス通路、501…チャンネル、800…O−リング、804…外径、806…第1の内径、808…第2の内径、810…第1の湾曲部材、820…第2の湾曲部材、830…ねじのシャフト、840…空洞、850…ねじを切られた空洞、860…孔、870…環状のベベル、910…隙間空間、1010…中央領域、1019…内腔、1020…ねじ付き支持体、1030…孔、1032…調節部材、1040…雌型ねじ、1048…開口、1048a…別の開口、1050…ガス供給システム、1050a…ガス供給システム、1052…座金、1062…O−リング、1063…内腔、1063…管状の隔壁、1065…キャッププレート、1066…締め付けリング、1068…ねじ、1070…貫通孔、1300…ピボット支持体、1302…ボールスタッド、1304…ボールスタッドハウジング、1306…上側ピボット部材、1308…下側ピボット部材、1310…ねじを切られた部分、1312…結合機構、1314…下側シート、1316…シートハウジング、1318…雄型コネクタ、1320…中央内腔、1322…支持シート、1323…プレナム、1324…密封ブロック、1326…カバーカップ、1328…第1の内腔、1330…拡張内腔、1332…管状シールド、1402…ねじ接続、1404…通路、1406…ショルダー、1408…円錐状の開口、1410…ピン、1412…ねじ、1414…チャンネル、1416…凹部、1502…中央開口、1504…小さな径の部分、1506…上側部分、1508…ショルダー領域、1510…O−リング、1512…O−リング、1514…O−リング、1516…ナット、1518…ジャムナット、1522…O−リング溝、1524…留め具、1526…上側支持シート、1602…カバーボルト、1604…O−リング、1606…被覆領域、1608…可能な横方向運動、1610…上面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Screw, 2 ... Jam nut, 3 ... Screw, 4 ... O-ring, 5 ... Gas supply source, 6 ... Port, 8 ... O-ring, 10 ... Side wall, 11 ... Bottom, 12 ... Substrate support, 14 ... large area substrate, 15 ... diffuser gravity support, 16 ... cover plate, 17 ... gas block, 18 ... exhaust channel, 19 ... longitudinal lumen, 19a ... tilted lumen, 19b ... extended lumen, 19c ... lateral lumen, 20 ... diffuser, 21 ... large plenum, 22 ... orifice, 23 ... small plenum, 24 ... plasma source, 25 ... ground, 27 ... chamber, 28 ... backing plate, 29 ... vacuum pump, 31 ... Female connector, 32 ... Male connector, 33 ... Circular gap, 34, 35, 37, 38, 41 ... Insulating spacer, 45 ... O-ring, 46 ... O-ring, 50 ... Support block, 5 ... support sheet, 52 ... weld, 53 ... annular collar, 55 ... upper lip, 56 ... outer periphery of upper part, 57 ... flexible suspension, 57 ... flange, 58 ... middle part, 59 ... lower part, 60 ... Intermeshing connection, 61 ... Overhang portion, 62 ... Cut-out portion, 65 ... Shoulder region, 66 ... Inner diameter of upper region surface, 80 ... Process space, 100 ... Chamber, 210 ... Central region, 300 ... Gas passage, 501 ... Channel, 800 ... O-ring, 804 ... outer diameter, 806 ... first inner diameter, 808 ... second inner diameter, 810 ... first bending member, 820 ... second bending member, 830 ... screw shaft, 840 ... cavity, 850 ... threaded cavity, 860 ... hole, 870 ... annular bevel, 910 ... gap space, 1010 ... central region, 1019 ... lumen, 1020 ... threaded support Body, 1030 ... hole, 1032 ... adjustment member, 1040 ... female screw, 1048 ... opening, 1048a ... another opening, 1050 ... gas supply system, 1050a ... gas supply system, 1052 ... washer, 1062 ... O-ring, 1063 ... lumen, 1063 ... tubular partition wall, 1065 ... cap plate, 1066 ... clamping ring, 1068 ... screw, 1070 ... through hole, 1300 ... pivot support, 1302 ... ball stud, 1304 ... ball stud housing, 1306 ... upper pivot Members, 1308 ... lower pivot member, 1310 ... threaded portion, 1312 ... coupling mechanism, 1314 ... lower seat, 1316 ... seat housing, 1318 ... male connector, 1320 ... central lumen, 1322 ... support sheet , 1323 ... Plenum, 1324 ... Sealed bro 1326 ... cover cup, 1328 ... first lumen, 1330 ... expansion lumen, 1332 ... tubular shield, 1402 ... screw connection, 1404 ... passage, 1406 ... shoulder, 1408 ... conical opening, 1410 ... pin , 1412 ... screw, 1414 ... channel, 1416 ... recess, 1502 ... central opening, 1504 ... small diameter part, 1506 ... upper part, 1508 ... shoulder region, 1510 ... O-ring, 1512 ... O-ring, 1514 ... O -Ring, 1516 ... Nut, 1518 ... Jam nut, 1522 ... O-ring groove, 1524 ... Fastener, 1526 ... Upper support sheet, 1602 ... Cover bolt, 1604 ... O-ring, 1606 ... Covered area, 1608 ... Possible Lateral motion, 1610 ... upper surface.

Claims (36)

チャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置であって、
チャンバと、
中央領域と中央領域に存在する少なくとも1つの開口とを有するチャンバ内におけるバッキングプレートと、
中央領域を有するチャンバ内におけるガス分配プレートと、
バッキングプレートにおける少なくとも1つの開口内に存在しかつガス分配プレートの中央領域に係合する少なくとも1つの支持部材であって、ガス分配プレートが、少なくとも1つの支持部材によって吊り下げられる、少なくとも1つの支持部材と、
を備える装置。
An apparatus for supporting a gas distribution plate in a chamber,
A chamber;
A backing plate in the chamber having a central region and at least one opening present in the central region;
A gas distribution plate in a chamber having a central region;
At least one support member that resides in at least one opening in the backing plate and engages a central region of the gas distribution plate, wherein the gas distribution plate is suspended by the at least one support member Members,
A device comprising:
少なくとも1つの支持部材が、拡散器重力支持体である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the at least one support member is a diffuser gravity support. 少なくとも1つの支持部材が、ねじ付き支持体である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the at least one support member is a threaded support. 少なくとも1つの支持体が、ピボット支持体である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the at least one support is a pivot support. ガス分配プレートの少なくとも一部分が、チャンバに結合された柔軟性のある接続によって、周辺を支持される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein at least a portion of the gas distribution plate is supported around the periphery by a flexible connection coupled to the chamber. 拡散器重力支持体が、雄型の噛み合い機構を有し、ガス分配プレートが、雌型の噛み合い機構を有する、請求項2に記載の装置。   The apparatus of claim 2, wherein the diffuser gravity support has a male engagement mechanism and the gas distribution plate has a female engagement mechanism. 支持部材が、電源に結合するように構成され、かつガス分配プレートに電気的に結合するように構成される、請求項2に記載の装置。   The apparatus of claim 2, wherein the support member is configured to couple to a power source and to be electrically coupled to the gas distribution plate. チャンバが、
平面の水平方向プロフィールを有する基板支持体であって、基板支持体が、ガス分配プレートの下方に配置され、かつガス分配プレートが、凹状の水平方向プロフィールを有する基板支持体を、
更に備える、請求項1に記載の装置。
The chamber
A substrate support having a planar horizontal profile, wherein the substrate support is disposed below the gas distribution plate and the gas distribution plate has a concave horizontal profile;
The apparatus of claim 1, further comprising:
チャンバが、プロセスガスをガス分配プレートに供給するためのガス通路を更に備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the chamber further comprises a gas passage for supplying process gas to the gas distribution plate. プロセスガスをプロセスチャンバ内の反応域に供給するためのガス分配プレートであって、
長方形プレートであって、この長方形プレートを貫通して形成された複数のオリフィスを備え、かつ中央領域を有する、長方形プレートと、
少なくとも1つの取り外し可能な支持部材を収容するように適合された中央領域に形成された少なくとも1つの雌型噛み合い機構と、
を備えるガス分配プレート。
A gas distribution plate for supplying process gas to a reaction zone in the process chamber,
A rectangular plate comprising a plurality of orifices formed therethrough and having a central region;
At least one female engagement mechanism formed in a central region adapted to receive at least one removable support member;
A gas distribution plate comprising:
少なくとも1つの雌型噛み合い機構が、ねじ接続である、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the at least one female engagement mechanism is a screw connection. 少なくとも1つの雌型噛み合い機構が、複数のキーと噛み合うように適合された複数のスロットである、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the at least one female engagement mechanism is a plurality of slots adapted to engage a plurality of keys. 取り外し可能な支持部材が、プロセスガスを複数のオリフィスに供給するように構成される、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the removable support member is configured to supply process gas to the plurality of orifices. 取り外し可能な支持部材が、長方形プレートに電気的に結合するように構成される、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the removable support member is configured to electrically couple to the rectangular plate. 長方形プレートが、平面の水平方向プロフィール、凹状の水平方向プロフィール、凸状の水平方向プロフィールの中の1つを呈する、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the rectangular plate exhibits one of a planar horizontal profile, a concave horizontal profile, and a convex horizontal profile. プロセスガスをチャンバ内の反応域に供給するための拡散器であって、
長方形プレートであって、この長方形プレートを貫通して形成された複数の開口を有し、かつ4つの縁および1つの中央領域を有する、長方形プレートと、
4つの縁のそれぞれに結合された支持体と、
中央領域に結合された少なくとも1つの支持部材であって、少なくとも1つの支持部材を調節することによって、中央領域が、平面、凹状、または凸状の中の1つである水平方向プロフィールを提供するように調節可能である支持部材と、
を備える拡散器。
A diffuser for supplying process gas to a reaction zone in the chamber,
A rectangular plate having a plurality of openings formed therethrough and having four edges and one central region;
A support coupled to each of the four edges;
At least one support member coupled to the central region, wherein by adjusting the at least one support member, the central region provides a horizontal profile that is one of planar, concave, or convex A support member that is adjustable so that
A diffuser comprising:
水平方向プロフィールが、凹状であり、かつチャンバ内の基板支持体上に配置された基板の水平方向プロフィールが、平面である、請求項16に記載の拡散器。   The diffuser according to claim 16, wherein the horizontal profile is concave and the horizontal profile of a substrate disposed on a substrate support in the chamber is planar. 中央領域に結合された複数の支持部材であって、複数の支持部材の中の1つが、ガス供給源に結合され、かつプロセスガスを長方形プレートに供給するように適合された支持部材を更に備える、請求項16に記載の拡散器。   A plurality of support members coupled to the central region, wherein one of the plurality of support members further comprises a support member coupled to the gas source and adapted to supply process gas to the rectangular plate. The diffuser according to claim 16. 複数の支持部材を収容するための複数の雌型噛み合い機構を更に備える、請求項18に記載の拡散器。   The diffuser of claim 18, further comprising a plurality of female engagement mechanisms for receiving a plurality of support members. 堆積チャンバ内においてガス分配プレートを支持するように適合された装置であって、
長方形プレートであって、中央領域を有し、かつ堆積チャンバに結合される、長方形プレートと、
少なくとも1つの取り外し可能な支持部材を収容するように適合された中央領域における少なくとも1つの開口と、
を備える装置。
An apparatus adapted to support a gas distribution plate in a deposition chamber,
A rectangular plate having a central region and coupled to the deposition chamber;
At least one opening in the central region adapted to receive at least one removable support member;
A device comprising:
長方形プレートの下方に存在する拡散器であって、少なくとも1つの取り外し可能な支持部材を収容するために、この拡散器に形成された少なくとも1つの雌型噛み合い機構を有する、拡散器を更に備える、請求項20に記載の装置。   A diffuser below the rectangular plate, further comprising a diffuser having at least one female-engagement mechanism formed in the diffuser to accommodate at least one removable support member; The apparatus of claim 20. 少なくとも1つの雌型噛み合い機構が、複数のキーと噛み合うように適合された複数のスロットである、請求項21に記載の装置。   The apparatus of claim 21, wherein the at least one female engagement mechanism is a plurality of slots adapted to engage a plurality of keys. 少なくとも1つの雌型噛み合い機構が、拡散器に形成されたねじ接続と噛み合うように適合されたボルトである、請求項21に記載の装置。   The apparatus of claim 21, wherein the at least one female engagement mechanism is a bolt adapted to engage a threaded connection formed in the diffuser. 取り外し可能な支持部材が、プロセスガスを複数のオリフィスに供給するように構成される、請求項21に記載の装置。   The apparatus of claim 21, wherein the removable support member is configured to supply process gas to the plurality of orifices. 取り外し可能な支持部材が、長方形プレートに電気的に結合するように構成される、請求項21に記載の装置。   The apparatus of claim 21, wherein the removable support member is configured to electrically couple to the rectangular plate. 長方形プレートが、平面であり、拡散器が、平面の水平方向プロフィール、凹状の水平方向プロフィール、または凸状の水平方向プロフィールの中の1つを呈するように構成される、請求項21に記載の装置。   24. The rectangular plate of claim 21, wherein the rectangular plate is planar and the diffuser is configured to exhibit one of a planar horizontal profile, a concave horizontal profile, or a convex horizontal profile. apparatus. プロセスガスをチャンバ内の反応域に供給するための拡散器であって、
長方形プレートであって、この長方形プレートを貫通して形成された複数の開口を有し、かつ4つの縁および1つの中央領域を有する、長方形プレートと、
4つの縁のそれぞれに結合された支持体と、
中央領域に結合するように適合された少なくとも1つの支持部材であって、少なくとも1つの支持部材を調節することによって、中央領域が、平面、凹状、または凸状の中の1つである水平方向プロフィールを提供するように調節可能である、支持部材と、
を備える拡散器。
A diffuser for supplying process gas to a reaction zone in the chamber,
A rectangular plate having a plurality of openings formed therethrough and having four edges and one central region;
A support coupled to each of the four edges;
A horizontal direction, at least one support member adapted to couple to the central region, wherein the central region is one of planar, concave, or convex by adjusting the at least one support member; A support member that is adjustable to provide a profile;
A diffuser comprising:
水平方向プロフィールが、凹状であり、かつチャンバ内の基板支持体上に配置された基板の水平方向プロフィールが、平面である、請求項27に記載の拡散器。   28. The diffuser of claim 27, wherein the horizontal profile is concave and the horizontal profile of a substrate disposed on a substrate support in the chamber is planar. 中央領域に結合された複数の支持部材であって、複数の支持部材の中の1つが、ガス供給源に結合され、かつプロセスガスを長方形プレートに供給するように適合される、支持部材、
を更に備える、請求項27に記載の拡散器。
A plurality of support members coupled to the central region, wherein one of the plurality of support members is coupled to a gas source and adapted to supply process gas to the rectangular plate;
The diffuser of claim 27, further comprising:
複数の支持部材を収容するための複数の雌型噛み合い機構を更に備える、請求項27に記載の拡散器。   28. The diffuser of claim 27, further comprising a plurality of female engagement mechanisms for receiving a plurality of support members. ガス分配プレートを支持するための支持部材であって、
第1の端部および第2の端部を有する本体であって、第2の端部が、ガス分配プレートに配置された雌型噛み合い機構に結合するように適合された雄型噛み合い機構を有する、本体を備える支持部材。
A support member for supporting the gas distribution plate,
A body having a first end and a second end, the second end having a male engagement mechanism adapted to couple to a female engagement mechanism disposed on the gas distribution plate A support member comprising a main body.
雄型噛み合い機構が、ねじ接続を備える、請求項31に記載の支持部材。   32. A support member according to claim 31, wherein the male engagement mechanism comprises a screw connection. 雄型噛み合い機構が、複数のキーを備える、請求項31に記載の支持部材。   32. A support member according to claim 31, wherein the male engagement mechanism comprises a plurality of keys. 支持部材が、ピボット支持体を備える、請求項31に記載の支持部材。   32. A support member according to claim 31, wherein the support member comprises a pivot support. 支持部材が、重力支持体を備える、請求項31に記載の支持部材。   32. A support member according to claim 31, wherein the support member comprises a gravity support. 薄膜堆積のためのガス分配プレートであって、
長方形プレートを貫通して形成された複数のオリフィスを有する長方形プレートと、
中央領域および周辺と、
中央領域に形成された少なくとも1つの雌型噛み合い機構であって、周辺が平面であり、中央領域が凹状である、少なくとも1つの雌型噛み合い機構と、
を備えるガス分配プレート。
A gas distribution plate for thin film deposition,
A rectangular plate having a plurality of orifices formed through the rectangular plate;
The central area and the periphery,
At least one female engagement mechanism formed in the central region, wherein the periphery is planar and the central region is concave;
A gas distribution plate comprising:
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