KR200403653Y1

KR200403653Y1 - A Surface mounting type high brightness light emitting diode

Info

Publication number: KR200403653Y1
Application number: KR20050026755U
Authority: KR
Inventors: 한성식
Original assignee: 옵토세미콘 주식회사
Priority date: 2005-09-16
Filing date: 2005-09-16
Publication date: 2005-12-12

Abstract

본 고안은 표면실장형 고휘도 발광다이오드에 관한 것으로, 빛 반사율이 좋은 박막 금속기판에 은 도금을 하고 다이 패드(E1)에 발광다이오드 칩(A)을 안착하여 광의 입자를 전반사 시킴으로써 광도를 향상시킬 수 있도록 한 것으로, 박막 금속기판의 두께는 0.2mm미만이고, 박막 금속기판으로 이루어진 음극 리드(C) 끝단의 다이 패드(E1) 평면 위 또는 다이 패드(E1) 면에 에칭으로 홈을 형성하여 여기에 발광다이오드 칩(A)을 부착한 후 와이어(A1,A2) 본딩을 하고, 그 위에 광투과 에폭시 수지(F)로 몰딩을 한 것으로, 기존의 발광다이오드보다 두께를 줄일 수 있고, 낮은 광효율의 문제를 해결할 수 있으며, PCB 기판 대신 박막 금속기판을 사용함으로써 재료비를 줄일 수 있다.The present invention relates to a surface-mount high-brightness light emitting diode, which has a silver plating on a thin metal substrate having good light reflectance and a light emitting diode chip (A) mounted on the die pad (E1) to totally reflect the particles of light, thereby improving brightness. The thickness of the thin film metal substrate is less than 0.2 mm, and grooves are formed by etching on the die pad E1 plane or the die pad E1 surface at the end of the cathode lead C made of the thin film metal substrate. After attaching the light emitting diode chip (A) and bonding the wires (A1, A2) and molding with light transmitting epoxy resin (F) thereon, the thickness can be reduced compared to conventional light emitting diodes, the problem of low light efficiency In order to solve the problem, the material cost can be reduced by using a thin metal substrate instead of the PCB substrate.

Description

Surface-mounting type high brightness light emitting diodes

본 고안은 표면실장형 고휘도 발광다이오드에 관한 것으로, 기존의 PCB 기판 대신 표면에 은 도금을 하여 빛 반사율을 좋게 한 박막 금속기판으로 1쌍의 음극 리드와 양극 리드를 만들고 음극 리드의 끝단에 형성된 다이 패드에 발광다이오드 칩을 안착한 후 광투과 에폭시 수지로 몰딩시킨 것으로, 다이 패드면에서 광의 입자를 전반사 시킴으로써 광도를 향상시키고, 열적 충격에 강하여 제조공정 및 솔더 리플로우 공정에서의 불량률을 낮출 수 있으며, 수급이 용이한 박막 금속기판을 사용함으로써 저가로 초박형의 발광다이오드를 생산할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a surface-mount type high brightness light emitting diode, and is a thin metal substrate having a high light reflectance by silver plating on a surface instead of a conventional PCB substrate to make a pair of cathode leads and anode leads, and a die formed at the end of the cathode lead. After the light emitting diode chip is seated on the pad and molded with a light transmitting epoxy resin, the total brightness of the light is reflected on the die pad surface, thereby improving the brightness and being resistant to thermal shock, thereby reducing the defect rate in the manufacturing process and the solder reflow process. By using a thin metal substrate that can be easily supplied, it is possible to produce an ultra-thin light emitting diode at low cost.

일반적으로 광반도체 소자는 발광다이오드 칩에 의해 전기신호를 광에너지로 변환한 후 전방으로 빛을 방출하는 일반적인 발광 소자와, 광의 신호를 전기적인 신호로 전환하는 수광소자로 나뉜다. 이들 광반도체 소자는 반도체 결정의 재료, PN접합을 형성하는 불순물의 종류와 농도 및 구조에 의해 자외광에서 가시광, 적외광에 이르기까지 각종 파장의 제품이 생산되고 있다.In general, an optical semiconductor device is classified into a general light emitting device that emits light forward after converting an electrical signal into optical energy by a light emitting diode chip, and a light receiving device that converts a light signal into an electrical signal. These optical semiconductor devices produce products of various wavelengths ranging from ultraviolet light to visible light and infrared light, depending on the material, the concentration, and the structure of the semiconductor crystal material and the impurities forming the PN junction.

발광다이오드는 발광에 필요한 인가전압이 매우 낮고, 그 수명도 길기 때문에 고체표시소자나 화상표시용 등 그 사용용도가 매우 넓은 반도체 소자이다.A light emitting diode is a semiconductor device having a very wide range of uses, such as a solid state display device or an image display because of a very low applied voltage and a long lifetime.

이들 소자는 여러 가지 형태의 패키지를 사용중이며, 대표적으로 핸드폰 백라이트에 적용되는 표면실장형 발광다이오드 타입 소자와 전광판 및 화상표시용의 버티컬 램프 타입으로 구분된다.These devices use various types of packages, and are typically classified into a surface-mount type LED device and a vertical lamp type for display and image display.

종래 표면실장형 발광다이오드의 구성은 도 1에 도시된 바와 같은데, 이는 전압을 인가하면 빛을 발산하는 칩(A)과, 이 칩(A)에 전압을 전달하는 도전성 금속재의 음극 및 양극 리드(C,D)로 이루어지고, 상기 칩(A)은 음극 리드(C)의 끝단에 형성된 다이 패드(E1) 위에 절연 광투과성 접착제 또는 은 에폭시 접착제(E2)로 부착되며, 음극 및 양극 리드(C,D)의 끝단과 와이어(A1,A2)로 본딩되어 음극 및 양극 리드(C,D) 사이에서 전기적으로 접속된 구조이다. The structure of a conventional surface-mounted light emitting diode is shown in FIG. 1, which is a chip (A) that emits light when a voltage is applied, and a cathode and an anode lead of a conductive metal material that transmits voltage to the chip (A). C, D), and the chip A is attached to the die pad E1 formed at the end of the cathode lead C with an insulating light transmitting adhesive or a silver epoxy adhesive E2, and the cathode and anode leads C It is a structure that is bonded to the end of the (D) and the wires (A1, A2) and electrically connected between the cathode and the anode lead (C, D).

또한, 상기 칩(A)을 외부의 충격으로부터 보호하기 위하여 절연재질의 광투과에폭시(F)로 몰딩한다. 외부에 노출된 음극 및 양극 리드(C,D)에 전원을 인가하게 되면, 음극 리드(C) 및 양극 리드(D)를 통해 칩(A)으로 전원이 인가됨으로써 칩(A)이 발광하게 되며, 이 칩(A)의 종류에 따라 다양한 색이 구현된다.In addition, in order to protect the chip (A) from an external impact, the insulating material is molded with light transmitting epoxy (F). When power is applied to the negative and positive lead (C, D) exposed to the outside, the power is applied to the chip (A) through the negative lead (C) and the positive lead (D) to emit light (C) According to the type of the chip A, various colors are realized.

이와 같은 구조로 이루어진 종래의 표면실장형 발광다이오드는 기판(H)으로 PCB를 사용하는데, 이 PCB 기판은 내열성이 매우 낮아 발광다이오드 소자 제조공정에서 발생하는 열적 스트레스에 의해 열 변형이 발생하여 PCB 기판과 에폭시의 접착력이 떨어짐으로써 제품의 신뢰성을 보증하기가 어렵고, 신뢰성을 보증하기 위한 그 공정이 매우 복잡하여 제조원가의 상승을 초래하게 된다. 또한, 이러한 PCB를 기판으로 사용함으로써 제품의 두께를 박막화 하는데 한계가 있고, PCB 기판은 광 반사율이 매우 낮아 발광 칩의 광도가 떨어지며, 국내 사용중인 PCB 기판은 대부분 수입에 의존하고 있고, 귀금속인 금을 사용해야 함으로써 제조비용도 고가이다.The conventional surface mount light emitting diode having such a structure uses a PCB as the substrate (H). The PCB substrate has very low heat resistance and thermal deformation occurs due to thermal stress generated in the light emitting diode device manufacturing process. It is difficult to guarantee the reliability of the product because the adhesion between the epoxy and the epoxy is poor, and the process for guaranteeing the reliability is very complicated, resulting in an increase in manufacturing cost. In addition, the use of such a PCB as a substrate has a limitation in thinning the thickness of the product, the PCB substrate has a very low light reflectance, so the luminous intensity of the light emitting chip is reduced, most of the PCB substrate in use in Korea depends on imports, precious metal gold The production cost is also high by using the

또한, 핸드폰 등의 적용 분야에서는 솔더 리플로우(solder reflow)공정을 통하여 발광다이오드 칩을 실장하는데, 솔더 리플로우 공정은 220~320℃의 온도조건에서 작업을 진행한다. 그러나 PCB 기판의 열변형온도는 220℃ 이하로서 솔더 리플로우 공정에서 표면실장형 발광다이오드 칩에 치명적인 열적 충격을 입히게 된다.이러한 현상은 금 와이어와 은 에폭시가 PCB기판에서 떨어지는 결과를 초래하며, 이에 의해 기존의 표면실장형 발광다이오드는 신뢰성을 보증하기가 매우 어려운 문제점이 있다.In addition, in applications such as mobile phones, the light emitting diode chip is mounted through a solder reflow process, and the solder reflow process is performed at a temperature condition of 220 to 320 ° C. However, the thermal deformation temperature of the PCB substrate is 220 ° C or lower, which causes a fatal thermal shock to the surface-mount LED chip during the solder reflow process, which results in the drop of gold wire and silver epoxy from the PCB substrate. As a result, conventional surface-mounted light emitting diodes have a very difficult problem of ensuring reliability.

본 고안은 상기한 종래의 제반 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 기존의 표면실장형 발광다이오드의 기판인 PCB 기판이 가지는 문제점 중 제품의 두께를 더는 줄일 수 없는 한계를 극복하기 위하여 PCB 기판 대신 박막 금속기판을 사용하고, 다이 패드부 상면에 발광다이오드 칩을 붙이거나 다이 패드부에 홈을 파고 그곳에 발광다이오드 칩을 안착함으로써 제품의 두께를 줄여 초박형 표면실장형 발광다이오드를 제공함에 있다.The present invention was devised to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to overcome the limitation that the thickness of the product can not be further reduced among the problems of the PCB substrate, which is a substrate of a conventional surface mount type light emitting diode. In order to reduce the thickness of the product, a thin metal substrate is used instead of a PCB substrate, and a light emitting diode chip is attached to the upper surface of the die pad portion, or a groove is formed in the die pad portion, and the light emitting diode chip is seated thereon, thereby providing an ultra-thin surface mount light emitting diode. Is in.

또, 본 고안은 박막 금속기판 위에 은 도금을 함으로써 박막 금속기판에 의해 광입자가 전반사되어 기존 제품보다 광도를 향상시킬 수 있는 발광다이오드를 제공하는 데 있다.In addition, the present invention is to provide a light emitting diode that can be totally reflected by the thin film metal substrate by silver plating on the thin film metal substrate to improve the brightness than conventional products.

또한, 기존의 PCB 기판은 다이 패드부에 금 도금을 하여 사용하며, PCB 기판이 대부분 수입에 의존하고 있기 때문에 고가의 재료로서 그 비용은 제조비용에 그대로 적용되고 있는바, 본 고안에서 사용되는 박막 금속기판은 수급이 원활하고 제조비용 또한 저렴하여 혁신적으로 제조원가를 절감할 수 있어 저가의 표면실장형 발광다이오드를 제공하는 데 있다.In addition, the existing PCB substrate is used by gold plating on the die pad portion, and since the PCB substrate is mostly dependent on imports, the cost is applied to the manufacturing cost as it is an expensive material, the thin film used in the present invention Metal substrates are smoothly supplied and inexpensive to manufacture, and thus, the manufacturing cost can be innovatively reduced, thereby providing a low-cost surface mount light emitting diode.

본 고안에서 사용될 수 있는 박막 금속기판의 소재로는 철, 알루미늄, 구리, 기타 각종 합금 등 열변형온도가 PCB보다 훨씬 높고 가격은 저렴한 내열성의 금속소재이며, 그 표면에는 은 도금을 하여 빛의 반사율을 향상시킴과 아울러 전기전도성을 향상시킬 수 있도록 한다.Thin film metal substrates that can be used in the present invention include iron, aluminum, copper, and other alloys whose heat deflection temperatures are much higher than those of PCBs, and are inexpensive heat-resistant metal materials. In addition to improving the electrical conductivity.

이하, 본 고안을 한정하지 않는 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments that do not limit the present invention will be described in detail.

도 2는 본 고안의 제1실시예에 의한 표면실장형 발광다이오드를 도시한 것으로, 본 실시 예는 0.2mm이하의 박막 금속기판으로 만들어진 양극 리드(D)와 음극 리드(C), 이 음극 리드(C)의 끝단에 형성된 다이 패드(E1), 이 다이 패드(E1) 위에 도전성 은 에폭시 접착제(E2)로 부착되는 발광다이오드 칩(A), 상기 양극 리드(D)의 끝단과 발광다이오드 칩(A) 사이에 연결되는 와이어(A1) 및 상기 칩(A)을 외부의 충격으로부터 보호하기 위하여 몰딩되는 절연재질의 광투과 에폭시 수지(F)를 포함하여 이루어져 있다.FIG. 2 shows a surface mounted light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, which is an anode lead (D) and a cathode lead (C) made of a thin metal substrate of 0.2 mm or less, and the cathode lead. A die pad (E1) formed at the end of (C), a light emitting diode chip (A) attached to the die pad (E1) with a conductive silver epoxy adhesive (E2), an end of the anode lead (D) and a light emitting diode chip ( Wire A1 connected between the A) and the light transmitting epoxy resin (F) of the insulating material is molded to protect the chip (A) from external impact.

본 고안에서 상기 양극 리드(D)와 음극 리드(C)를 형성하는 박막 금속기판은 절연재질의 광투과 에폭시 수지(F)에 의해 일체로 고정되는데, 이 광투과 에폭시 수지(F)는 몰딩용 금형에 상기 양극 리드와 음극 리드를 안착시킨 상태에서 금형의 캐비티 내에 광투과 에폭시를 주입하여 경화시킴으로써 몰딩이 완료되는 것이다.In the present invention, the thin film metal substrate forming the positive electrode lead D and the negative electrode lead C is integrally fixed by a light transmitting epoxy resin F of an insulating material, and the light transmitting epoxy resin F is used for molding. Molding is completed by injecting and curing the light transmitting epoxy into the cavity of the mold in a state where the positive lead and the negative lead are seated in the mold.

상기 음극 리드(C)와 발광다이오드 칩(A)은 도전성 은 에폭시 접착제(E2)로 직접 접착됨으로써 별도의 와이어를 연결하지 않아도 전기적으로 연결된다.The negative electrode lead C and the light emitting diode chip A are directly connected with the conductive silver epoxy adhesive E2 so that they are electrically connected without a separate wire.

도면중 부호 G는 양극 리드(D)와 음극 리드(C)를 형성하는 박막 금속기판으로, 그 표면(상면)에 은(Ag)이 도금된다.In the figure, reference numeral G denotes a thin film metal substrate which forms the positive electrode lead D and the negative electrode lead C, and silver (Ag) is plated on the surface (upper surface).

도 3은 본 고안의 제2실시예에 의한 표면실장형 발광다이오드를 도시한 것으로, 본 실시 예는 박막 금속기판으로 만들어진 양극 리드(D)와 음극 리드(C), 이 음극 리드(C)의 끝단에 형성된 다이 패드(E1), 이 다이 패드(E1) 위에 절연성 광투과 접착제(E)로 부착되는 발광다이오드 칩(A), 상기 양극 리드(D)와 음극 리드(C)의 끝단과 발광다이오드 칩(A) 사이에 연결되는 와이어(A1,A2) 및 상기 칩(A)을 외부의 충격으로부터 보호하기 위하여 몰딩되는 절연재질의 광투과 에폭시 수지(F)를 포함하여 이루어져 있다.FIG. 3 shows a surface mounted light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. The present embodiment includes a cathode lead C, a cathode lead C, and a cathode lead C made of a thin metal substrate. A die pad (E1) formed at the end, a light emitting diode chip (A) attached to the die pad (E1) with an insulating light-transmitting adhesive (E), the ends of the anode lead (D) and the cathode lead (C) and the light emitting diode Wire A1 and A2 connected between the chip A and the light transmitting epoxy resin (F) of the insulating material is molded to protect the chip (A) from external impact.

도 3에 도시된 실시 예의 발광다이오드는 도 2에 도시된 실시 예와 발광다이오드 칩(A)이 음극 리드(C) 끝단의 다이 패드(E1)의 평면 상에 그대로 부착된다는 점에 있어서는 기본적으로 동일하나, 도 2의 실시 예에서는 발광다이오드 칩이 도전성 은 에폭시 접착제로 다이 패드(E1)위에 전기적으로 연결되어 음극 리드와 발광다이오드 칩 사이에 별도의 와이어 본딩을 실시하지 않아도 되는 타입이고, 도 3의 실시 예에서는 발광다이오드 칩이 다이 패드 위에 절연성 광투과 접착제(E)로 부착되고 음극 리드(C)와 와이어(A2)로 연결되는 타입이다.The light emitting diode of the embodiment shown in FIG. 3 is basically the same in that the light emitting diode chip A is attached as it is on the plane of the die pad E1 at the end of the cathode lead C. In the embodiment of FIG. 2, the light emitting diode chip is electrically connected to the die pad E1 with a conductive silver epoxy adhesive, so that no wire bonding is required between the cathode lead and the light emitting diode chip. In the embodiment, the light emitting diode chip is attached to the die pad with an insulating light transmitting adhesive E and connected to the cathode lead C and the wire A2.

도 2 및 도 3에서 부호 I는 음극 리드(C)와 양극 리드(D) 사이에 형성된 공간으로, 열변형을 최소화하기 위한 것이다.In FIG. 2 and FIG. 3, reference numeral I denotes a space formed between the negative lead C and the positive lead D to minimize thermal deformation.

도 4는 본 고안의 제3실시예에 의한 표면실장형 발광다이오드를 도시한 것으로, 본 실시 예는 박막 금속기판으로 만들어진 양극 리드(D)와 음극 리드(C), 이 음극 리드(C)의 끝단에 형성되되 에칭가공에 의해 움푹한 홈 형태로 이루어진 다이 패드(E1), 이 홈 형태의 다이 패드(E1) 위에 은 에폭시 접착제(E2)로 부착되는 발광다이오드 칩(A), 상기 양극 리드(D)의 끝단과 발광다이오드 칩(A) 사이에 연결되는 와이어(A1) 및 상기 칩(A)을 외부의 충격으로부터 보호하기 위하여 몰딩되는 절연재질의 광투과 에폭시 수지(F)를 포함하여 이루어져 있다.FIG. 4 shows a surface mounted light emitting diode according to a third embodiment of the present invention. The present embodiment includes a cathode lead C, a cathode lead C, and a cathode lead C made of a thin metal substrate. A die pad E1 formed at the end and formed in a recessed groove by etching, the light emitting diode chip A attached to the grooved die pad E1 with a silver epoxy adhesive E2, and the anode lead ( It comprises a wire A1 connected between the end of D) and the light emitting diode chip A and a light transmitting epoxy resin F of an insulating material molded to protect the chip A from external impact. .

상기 다이 패드(E1)의 홈 깊이는 0.15mm이하가 적당하며, 홈이 측면은 외측으로 갈수록 내경이 확장되는 컵(cup) 형태를 이루도록 하는 것이 바람직하다.The groove depth of the die pad E1 is preferably 0.15 mm or less, and the groove is preferably formed in a cup shape in which an inner diameter thereof is extended toward the outside.

도 5는 본 고안의 제4실시예에 의한 표면실장형 발광다이오드를 도시한 것으로, 본 실시 예는 박막 금속기판으로 만들어진 양극 리드(D)와 음극 리드(C), 이 음극 리드(C)의 끝단에 형성되되 에칭가공에 의해 움푹한 홈 형태로 이루어진 다이 패드(E1), 이 다이 패드(E1) 위에 절연성 광투과 접착제(E)로 부착되는 발광다이오드 칩(A), 상기 양극 리드(D)와 음극 리드(C)의 끝단과 발광다이오드 칩(A) 사이에 연결되는 와이어(A1,A2) 및 상기 칩(A)을 외부의 충격으로부터 보호하기 위하여 몰딩되는 절연재질의 광투과 에폭시 수지(F)를 포함하여 이루어져 있다.FIG. 5 shows a surface mounted light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention. The present embodiment shows a cathode lead D, a cathode lead C, and a cathode lead C made of a thin metal substrate. A die pad E1 formed at the end and formed into a recessed groove by etching, the light emitting diode chip A attached to the die pad E1 with an insulating light transmitting adhesive E, and the anode lead D. And an optically transmissive epoxy resin (F) of insulating material molded to protect the chip (A) from external shocks and the wires (A1, A2) connected between the ends of the cathode lead (C) and the light emitting diode chip (A). It consists of).

도 4 및 도 5에서 부호 I는 음극 리드(C)와 양극 리드(D) 사이에 형성된 공간으로 열변형을 최소화하기 위한 것이다.In FIG. 4 and FIG. 5, reference numeral I denotes a space formed between the negative lead C and the positive lead D to minimize thermal deformation.

도 5에 도시된 실시 예의 발광다이오드는 도 4에 도시된 실시 예와 발광다이오드 칩(A)이 음극 리드(C) 끝단의 다이 패드(E1)의 홈 내부에 부착된다는 점에 있어서는 기본적으로 동일하나, 도 4의 실시 예에서는 발광다이오드 칩이 도전성 은 에폭시 접착제로 다이 패드(E1) 위에 전기적으로 연결되어 음극 리드와 발광다이오드 칩 사이에 별도의 와이어 본딩을 실시하지 않아도 되는 타입이고, 도 5의 실시 예에서는 발광다이오드 칩이 다이 패드 내부에 절연성 광투과 접착제(E)로 부착되고 음극 리드(C)와 와이어(A2)로 연결되는 타입이다.The light emitting diode of the embodiment shown in FIG. 5 is basically the same in that the light emitting diode chip A is attached to the inside of the groove of the die pad E1 at the end of the cathode lead C. In the embodiment of FIG. 4, the light emitting diode chip is electrically connected to the die pad E1 by using a conductive silver epoxy adhesive, so that a separate wire bonding is not required between the cathode lead and the light emitting diode chip. In the example, the light emitting diode chip is attached to the inside of the die pad by an insulating light transmitting adhesive E and connected to the cathode lead C and the wire A2.

도 4 및 도 5에 도시된 실시 예의 발광다이오드는 다이 패드(E1)가 홈 형태로 이루어져 있어 전체적인 두께를 최소화할 수 있으므로 초박형의 발광다이오드를 생산할 수 있으며, 도 4 및 도 5에 도시된 실시예의 박막 금속기판(G)은 다이 패드(E1)의 홈은 에칭한 후 그 위에 은(Ag)을 도금하여 반사층을 형성한다.4 and 5, the light emitting diodes of the embodiments illustrated in FIGS. 4 and 5 can produce ultra-thin light emitting diodes because the die pad E1 is formed in a groove shape to minimize the overall thickness. The thin film metal substrate G forms a reflective layer by etching the groove of the die pad E1 and plating silver Ag thereon.

이와 같이 구성된 본 고안은 다이 패드 위에 부착된 발광다이오드 칩(A)에서 전반사되지 않고 소멸하던 빛이 은 도금이 되어 있는 박막 금속기판의 다이 패드(E1)면에 반사되어 전반사 됨으로써 기존의 반사율이 매우 낮은 PCB 기판에 비하여 현저하게 광도를 향상시킬 수 있는 것이며, 에칭으로 홈을 만들어 준 다이 패드(E1)에 부착된 발광다이오드 칩(A)에서 발생한 빛은 홈 형태로 이루어진 다이 패드(E1)에 의해 전반사효율이 훨씬 높아져 광도의 향상을 도모할 수 있는 것이다. 또한, 본 고안은 고가의 PCB 대신에 박막 금속기판을 사용함으로써 초박형의 발광다이오드를 생산할 수 있으며, 솔더 리플로우(solder reflow)공정을 통하여 발광다이오드 칩을 실장하는 경우에도 박막 금속기판은 PCB 기판에 비해 열 변형이나 충격이 크지 않아 불량률을 낮추고 제품의 내구성 및 신뢰성을 높일 수 있게 되는 것이다.According to the present invention configured as described above, the light that is not totally reflected from the light emitting diode chip (A) attached to the die pad is reflected on the die pad (E1) surface of the thin metal plate with silver plating and is totally reflected so that the existing reflectance is very high. It is possible to remarkably improve the brightness as compared to the low PCB substrate, and the light generated from the light emitting diode chip A attached to the die pad E1 which has made the groove by etching is formed by the die pad E1 formed in the groove shape. The total reflection efficiency is much higher, and the brightness can be improved. In addition, the present invention can produce an ultra-thin light emitting diode by using a thin film metal substrate instead of an expensive PCB, and even when the light emitting diode chip is mounted through a solder reflow process, the thin film metal substrate is formed on the PCB substrate. Compared with this, thermal deformation or impact is not so great that the defect rate can be lowered and the durability and reliability of the product can be increased.

이상 설명한 바와 같이 본 고안은 빛 반사율이 좋은 박막 금속기판에 은 도금을 하고, 다이 패드에 칩을 안착하여 광의 입자를 전반사 시킴으로써 광도를 향상시킬 수 있도록 한 것으로, 박막 금속기판의 두께는 0.2mm미만이고, 박막 금속기판의 다이 패드 평면 위 또는 박막 금속기판 패드 면에 에칭으로 홈을 형성하여 여기에 발광 다이오드 칩을 부착한 후 와이어 본딩을 하고, 그 위에 광투과 에폭시 수지로 몰딩을 한 것으로, 기존의 발광다이오드보다 두께를 줄일 수 있고, 낮은 광효율의 문제를 해결할 수 있으며, PCB 기판 대신 박막 금속기판을 사용함으로써 재료비를 줄일 수 있는 실용적인 효과를 갖는다.As described above, the present invention is to plate the thin metal substrate with good light reflectance, and seat the chip on the die pad to improve the light intensity by total reflection of light particles. The thickness of the thin metal substrate is less than 0.2 mm. And a groove is formed on the die pad plane of the thin film metal substrate or on the pad surface of the thin metal substrate by attaching a light emitting diode chip to the wire bonding, and then wire bonding and molding with light transmitting epoxy resin thereon. It can reduce the thickness than the light emitting diode of the, can solve the problem of low light efficiency, and has a practical effect to reduce the material cost by using a thin metal substrate instead of a PCB substrate.

도 1은 종래의 표면실장형 발광다이오드를 도시한 사시도,1 is a perspective view showing a conventional surface mount light emitting diode;

도 2는 본 고안의 제1실시예에 의한 발광다이오드를 도시한 사시도,2 is a perspective view showing a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention;

도 3은 본 고안의 제2실시예에 의한 발광다이오드를 도시한 사시도,3 is a perspective view showing a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention;

도 4는 본 고안의 제3실시예에 의한 발광다이오드를 도시한 사시도,4 is a perspective view showing a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention;

도 5는 본 고안의 제4실시예에 의한 발광다이오드를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

A : 발광다이오드 칩 A1,A2 : 와이어A: Light emitting diode chip A1, A2: Wire

C : 음극 리드 D : 양극 리드C: negative lead D: positive lead

E1 : 다이 패드 E2 : 은 에폭시 접착제E1: Die Pad E2: Silver Epoxy Adhesive

E : 절연성 광투과 접착제 F : 광투과 에폭시 수지E: insulating light transmitting adhesive F: light transmitting epoxy resin

G : 박막 금속기판G: thin film metal substrate

Claims

Anode lead (D) and cathode lead (C) made of thin (Ag) plated thin metal substrate, die pad (E1) formed at the end of the cathode lead (C), silver epoxy on the die pad (E1) Protecting the light emitting diode chip (A) attached with the adhesive (E2), the wire (A1) connected between the end of the anode lead (D) and the light emitting diode chip (A) and the chip (A) from external impact Surface-mounted high-brightness light emitting diode comprising a light-transmitting epoxy resin (F) of the insulating material molded in order to.

An anode lead (D) and a cathode lead (C) made of a thin (Ag) plated thin metal substrate, a die pad (E1) formed at the end of the cathode lead (C), and insulating light on the die pad (E1) Light emitting diode chip (A) attached with a transparent adhesive (E), wires (A1, A2) and the chip connected between the ends of the anode lead (D) and the cathode lead (C) and the light emitting diode chip (A) A surface mounted high brightness light emitting diode comprising a light transmitting epoxy resin (F) of insulating material molded to protect A) from external impact.

An anode lead (D) and a cathode lead (C) made of a thin metal substrate, and formed at the end of the cathode lead (C), are formed in a recessed groove shape by etching, and have a silver (Ag) plated die pad. E1), a light emitting diode chip (A) attached to the groove-shaped die pad (E1) with a silver epoxy adhesive (E2), a wire connected between the end of the anode lead (D) and the light emitting diode chip (A) A1) and a surface mounted high brightness light emitting diode comprising a light transmitting epoxy resin (F) of an insulating material molded to protect the chip (A) from external impact.

An anode lead (D) and a cathode lead (C) made of a thin metal substrate, and formed at the end of the cathode lead (C), are formed in a recessed groove shape by etching, and have a silver (Ag) plated die pad. E1), a light emitting diode chip (A) attached on the die pad (E1) with an insulating light transmitting adhesive (E), between the ends of the positive lead (D) and the negative lead (C) and the light emitting diode chip (A). Surface-mounted high brightness light emitting diode, characterized in that it comprises a light transmitting epoxy resin (F) of insulating material molded in order to protect the wire (A1, A2) and the chip (A) to be connected to the external impact.