KR20040110820A - Low pressure chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor devices - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 복수매의 웨이퍼에 대해 증착 공정을 수행하는 저압 화학기상장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a low-pressure chemical vapor apparatus for performing a deposition process for a plurality of wafers.
반도체 제조 공정에서 사용되는 화학 기상 증착 공정이란 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판상에 일정 박막을 증착하는 공정으로, 최근에는 증착막의 균일도(uniformity)가 좋으며, 많은 양의 웨이퍼에 대해 동시에 공정을 진행할 수 있을 뿐만 아니라 가스의 소비량이 적어 생산원가가 낮은 공정이 가능한 저압화학기상증착 장치가 주로 사용되고 있다.The chemical vapor deposition process used in the semiconductor manufacturing process is a process of depositing a certain thin film on a semiconductor substrate by decomposing a gaseous compound and then chemically reacting. Recently, the uniformity of the deposited film is good and a large amount of wafers is used. The low pressure chemical vapor deposition apparatus which can not only simultaneously process but also have low production cost due to low gas consumption is mainly used.
도 1은 일반적인 저압 화학기상장치를 보여주는 도면으로, 저압 화학기상증착장치는 플랜지(620) 상에 놓여지는 내부튜브(640)와 외부튜브(660), 그리고 보트(680)로 구성된다. 내부튜브(640)는 상부와 하부가 개방된 원통의 형상을 가지고, 외부튜브(660)의 측면은 내부튜브(640)의 둘레를 감싸며 원통 형상으로 이루어지고, 외부튜브의 상부면(664)은 라운드(round)진 형상으로 이루어진다.FIG. 1 is a view illustrating a general low pressure chemical vapor apparatus, and the low pressure chemical vapor deposition apparatus includes an inner tube 640, an outer tube 660, and a boat 680 placed on a flange 620. The inner tube 640 has a cylindrical shape with the top and bottom open, the side of the outer tube 660 is formed in a cylindrical shape surrounding the inner tube 640, the upper surface 664 of the outer tube It has a rounded shape.
일반적으로 플랜지(620)를 통해 삽입된 반응가스 공급관(622)으로부터 공급된 공정가스는 내부튜브(640) 내로 유입되어 상부로 흐르면서 보트(680) 내에 탑재된 웨이퍼들(W)에 증착되고, 잔류가스는 내부튜브(640)와 외부튜브(660) 사이의 공간을 통해 아래로 흐르면서 배기관(624)를 통해 배기된다. 외부튜브의 상부면(664)은 일반적으로 저압에서 파손되는 것을 방지하기 위해 상부로 볼록하게 라운드진 형상을 가진다.In general, the process gas supplied from the reaction gas supply pipe 622 inserted through the flange 620 is deposited in the wafers W mounted in the boat 680 while flowing into the inner tube 640 and flowing upward, and remaining. Gas flows down through the space between the inner tube 640 and the outer tube 660 and is exhausted through the exhaust pipe 624. The upper surface 664 of the outer tube generally has a convex rounded shape to the top to prevent breakage at low pressure.
상술한 형상으로 인해 보트의 상부판(682)과 외부튜브의 상부면(664) 사이의간격은 보트(680)와 내부튜브(640) 사이의 간격 및 내부튜브(640)와 외부튜브 측벽(666) 사이의 간격에 비해 넓다. 이로 인해 공정가스는 보트의 상부판(682)과 외부튜브의 상부면(664) 사이의 공간에서 상대적으로 느리게 이동되고, 외부튜브의 상부면(664)에는 공정가스들이 상대적으로 많이 증착된다. 이후에 외부튜브의 상부면(640)에 증착된 막은 스트레스(stress)를 유발하며, 이로 인해 외부튜브의 상부면(640) 표면에 크랙(crack)이 발생된다. 이는 공정진행 중 파티클 발생과 외부튜브 파손의 원인이 된다.Due to the above-described shape, the distance between the top plate 682 of the boat and the top surface 664 of the outer tube is the distance between the boat 680 and the inner tube 640 and the inner tube 640 and the outer tube sidewall 666. ) Wider than the gap between This causes the process gas to move relatively slowly in the space between the top plate 682 of the boat and the top surface 664 of the outer tube, and a relatively large amount of process gases are deposited on the upper surface 664 of the outer tube. Later, the film deposited on the upper surface 640 of the outer tube causes stress, which causes cracks in the surface of the upper surface 640 of the outer tube. This causes particles and breaks in the outer tube during the process.
본 발명은 외부튜브의 상부판 아래에서 공정가스가 느리게 이동됨으로 인해 외부튜브의 상부판에 많은 양의 공정가스가 증착되는 것을 방지할 수 있는 저압 화학기상증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a low-pressure chemical vapor deposition apparatus that can prevent the deposition of a large amount of process gas on the upper plate of the outer tube due to the slow movement of the process gas under the upper plate of the outer tube.
도 1은 일반적인 저압 화학기상 증착장치의 단면도;1 is a cross-sectional view of a general low pressure chemical vapor deposition apparatus;
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 저압 화학기상 증착장치의 단면도;2 is a cross-sectional view of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 3a와 도 3b는 각각 도 2의 보호부의 정면도와 평면도;3A and 3B are a front view and a plan view, respectively, of the protection portion of FIG. 2;
도 4는 본 발명의 다른 예에 의한 저압 화학기상 증착장치의 단면도;그리고4 is a cross-sectional view of a low pressure chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention; and
도 5a와 도 5b는 각각 도 4의 보호부의 정면도와 평면도이다.5A and 5B are front and plan views, respectively, of the protection part of FIG. 4.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 반응챔버 120 : 외부튜브100: reaction chamber 120: outer tube
122 : 외부튜브 상부면 140 : 내부튜브122: outer tube upper surface 140: inner tube
200 : 플랜지 300 : 보트200: flange 300: boat
312 : 보트의 상부판 500 : 보호부312 boat top plate 500 protector
520 : 상부몸체 540 : 하부몸체520: upper body 540: lower body
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 저압 화학기상증착 장치는 적어도 하나의 가스 유입구 및 가스 배기구가 형성된 플랜지, 상기 플랜지에 의해 지지되며 상부 및 하부가 개방된 통형의 내부튜브, 상기 플랜지에 의해 지지되며 상기 내부튜브로부터 일정거리 이격된 상태로 상기 내부튜브의 외측 둘레를 감싸며 개방된 하부와 상부로 볼록한 형상의 상부를 가지는 외부튜브, 그리고 복수매의 반도체 기판들을 탑재하며 공정진행시 상기 내부튜브의 내부로 이동되는 보트를 가진다. 또한, 상기 외부튜브의 상부면과 상기 보트의 상부면 사이에 보호부가 위치되어 상기 외뷰튜브의 상부 아래에 형성된 공간의 크기를 최소화한다.In order to achieve the above object, the low pressure chemical vapor deposition apparatus of the present invention is supported by a flange having at least one gas inlet and a gas exhaust port, a cylindrical inner tube which is supported by the flange and whose upper and lower sides are opened, and is supported by the flange. An outer tube which surrounds the outer periphery of the inner tube at a distance from the inner tube and has an open lower portion and an upper portion of the upper convex shape, and a plurality of semiconductor substrates, and the inner tube of the inner tube during the process Have a boat moved to. In addition, the protective part is located between the upper surface of the outer tube and the upper surface of the boat to minimize the size of the space formed below the upper portion of the outer tube.
일예에 의하면 상기 보호부는 볼록한 형상을 가지는 상부몸체, 상기 상부몸체의 하부에 결합되며 평평한 판 형상으로 형성된 하부몸체를 가지며, 상기 상부몸체의 저면에는 아래로 돌출되며 상기 내부튜브의 측벽 상부에 놓여지는 돌기들이 형성된다.In one embodiment, the protective part has an upper body having a convex shape, a lower body coupled to a lower portion of the upper body and formed in a flat plate shape, protruding downward on the bottom of the upper body and placed on an upper sidewall of the inner tube. Protuberances are formed.
또 다른 예에 의하면, 상기 보호부는 상기 보트의 상부판과 동일한 크기의 원통형상을 가지는 하부몸체와 상기 하부몸체로부터 상부로 연장되며 위방향으로 볼록하게 라운드진 형상을 가지는 상부몸체를 가지고, 상기 하부몸체의 저면에는 상기 보트의 상부판에 놓여지는 돌기들이 형성된다..According to another example, the protective part has a lower body having a cylindrical shape of the same size as the upper plate of the boat and an upper body extending upward from the lower body and convexly rounded upwards, At the bottom of the body, projections are placed on the top plate of the boat.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 5를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 5. In the drawings, the same reference numerals are given to components that perform the same function.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 종형로 타입의 저압 화학기상증착장치의 개략적 구성을 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 저압 화학기상증착 장치(10)는 반응챔버(reactant chamber)(100)와 보트(boat)(300), 플랜지(flange), 그리고 보호부(shielder)(500)를 가진다.2 is a view showing a schematic configuration of a vertical furnace type low pressure chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the low pressure chemical vapor deposition apparatus 10 has a reaction chamber 100, a boat 300, a flange, and a shield 500.
반응챔버(100)는 증착공정이 진행되는 부분으로 내부튜브(inner tube)(120)와 외부튜브(outer tube)(140), 그리고 플랜지(flange)(200)를 포함한다. 내부튜브(120)는 쿼츠(quartz)를 재질로 하여 이루어지며 상부와 하부가 모두 개방된 중공 원통형의 형상을 가진다. 외부튜브(140)는 석영(quartz)을 재질로 하여 이루어지며, 상부와 하부가 개방된 측면(124)과 개방된 상부를 밀폐하는 상부면(122)을 가진다. 외부튜브의 측면(124)은 내부튜브(140) 둘레를 감싸도록 원통의 형상을 가지며, 외부튜브의 상부면(122)은 저압에서 파손되는 것을 방지하기 위해 상부를 향해 볼록하게 라운드진 형상을 가진다. 외부튜브(120)의 바깥쪽에는 공정진행 중 반응챔버(100) 내부를 고온으로 유지하기 위한 히터(600)가 설치될 수 있다.The reaction chamber 100 includes an inner tube 120, an outer tube 140, and a flange 200 as a deposition process. The inner tube 120 is made of quartz and has a hollow cylindrical shape with both top and bottom open. The outer tube 140 is made of quartz, and has an upper side and an open side surface 124 and an upper surface 122 sealing the open upper portion. The side surface 124 of the outer tube has a cylindrical shape to surround the inner tube 140, the upper surface 122 of the outer tube has a convex rounded shape toward the top to prevent breakage at low pressure. . A heater 600 may be installed outside the outer tube 120 to maintain the inside of the reaction chamber 100 at a high temperature during the process.
플랜지(200)는 원통형의 형상을 가지며, 중앙에는 보트의 이동통로인 통공(250)이 형성된다. 플랜지(200)의 외측 상단부에는 외부튜브(120)를 지지하기 위해 바깥쪽으로 돌출된 받침대(220)가 형성되며 내측 중앙부에는 내부튜브(140)를 지지하기 위한 원반형의 받침대(240)가 안쪽으로 돌출되어 있다.The flange 200 has a cylindrical shape, and a through hole 250 that is a moving passage of the boat is formed at the center thereof. A pedestal 220 protruding outward is formed at the outer upper end of the flange 200 to support the outer tube 120, and a disk-shaped pedestal 240 for supporting the inner tube 140 is protruded inward at the inner central portion. It is.
플랜지(200)의 일측에는 공정가스 공급관(262)이 삽입되는 유입구(260)가 형성된다. 공정가스는 내부튜브(140)의 내부로 유입되어 보트(300)에 탑재된 웨이퍼들(W) 상에 증착막을 형성한다. 유입구(260)는 공정의 종류에 따라 더 많은 수가 형성될 수 있다. 유입구(260) 아래에는 퍼지가스 공급관과 연결되는 퍼지가스 주입포트(도시되지 않음)가 형성될 수 있다. 퍼지가스는 웨이퍼(W)상에 자연산화막이 형성되는 것을 방지하기 위해 반응챔버(100) 내의 공기를 제거하는 역할을 하며, 퍼지가스로 질소가스가 사용될 수 있다. 유입구(260)와 마주보는 플랜지(200) 측면에는 공정 진행시 저압분위기를 형성하고 가스를 배출하기 위해 배기관(282)과 연결되는 배기포트(280)가 형성된다.One side of the flange 200 is formed with an inlet 260 into which the process gas supply pipe 262 is inserted. Process gas is introduced into the inner tube 140 to form a deposition film on the wafers (W) mounted on the boat (300). Inlet 260 may be formed in a larger number depending on the type of process. A purge gas injection port (not shown) connected to the purge gas supply pipe may be formed below the inlet 260. The purge gas serves to remove air in the reaction chamber 100 to prevent a natural oxide film from being formed on the wafer W, and nitrogen gas may be used as the purge gas. On the side of the flange 200 facing the inlet 260, an exhaust port 280 is formed which is connected to the exhaust pipe 282 to form a low pressure atmosphere and discharge gas during the process.
보트(300)는 복수매의 웨이퍼들(W)을 탑재하기 위한 것으로, 상부판(312)과 하부판(314), 그리고 연결로드들(320)을 가지며, 석영(quartz)을 재질로 하여 이루어진다. 상부판(312)과 하부판(314)은 원형의 평판으로 형성되며, 상부판(312)과 하부판(314) 사이에는 긴 길이를 가지는 대략 3 내지 4개의 연결로드들(320)이 배치된다. 각각의 연결로드들(320)의 일단은 상부판(312)에 결합되고, 타단은 하부판(314)에 결합될 수 있다. 각각의 연결로드(320)에는 웨이퍼(W) 가장자리가 놓여지는 돌기들(322)이 형성될 수 있다.The boat 300 is for mounting a plurality of wafers W, and has a top plate 312, a bottom plate 314, and connecting rods 320, and is made of quartz. The upper plate 312 and the lower plate 314 are formed in a circular flat plate, and approximately three to four connecting rods 320 having a long length are disposed between the upper plate 312 and the lower plate 314. One end of each of the connecting rods 320 may be coupled to the upper plate 312, and the other end may be coupled to the lower plate 314. Each connection rod 320 may be formed with protrusions 322 on which an edge of the wafer W is placed.
보트의 하부판(314) 아래에는 보트(300)를 상하로 승강하는 이동장치(400)가 배치된다. 이동장치(400)는 보트(300)를 지지하는 지지로드들(440)과 지지로드들(440)이 결합되며 실린더와 같은 구동부(도시되지 않음)에 의해 상하 이동되고 모터(도시되지 않음)에 의해 회전되는 지지판(460)을 가진다. 보트(300)는 반응챔버(100) 아래에 배치되는 로드록 챔버(도시되지 않음)로부터 플랜지(200) 내에 형성된 통공(250)을 통해 내부튜브 안쪽으로 이동된다.Below the lower plate 314 of the boat is disposed a moving device 400 for lifting the boat 300 up and down. The moving device 400 is coupled to the support rods 440 supporting the boat 300 and the support rods 440 and moved up and down by a driving unit (not shown), such as a cylinder, to a motor (not shown). It has a support plate 460 rotated by. The boat 300 is moved into the inner tube through a through hole 250 formed in the flange 200 from a load lock chamber (not shown) disposed below the reaction chamber 100.
지지로드(440)에는 반응챔버(100) 내부의 온도를 일정하게 유지하기 위해 복수의 방열판들(420)이 결합된다. 일반적인 저압 화학기상증착 장치에서 방열판들은 지지로드의 중앙부터 하단부까지 위치에 밀집되어 배치되어 보트의 하부판 아래에는 넓은 빈 공간이 형성된다. 이는 공정가스의 이동속도를 늦추고, 이로 인해 보트의 하부판에는 많은 량의 공정가스가 증착된다. 이들은 후에 파티클로 작용된다.이를 방지하기 위해 본 실시예에서 방열판들(420)은 지지로드(440)의 일단부터 타단에 이루기까지 상하로 균일하게 배치된다. 이로 인해 공정가스들은 내부튜브(140) 내의 하부에서 상부까지 균일한 속도로 흐를 수 있다.A plurality of heat sinks 420 are coupled to the support rod 440 to maintain a constant temperature in the reaction chamber 100. In a general low pressure chemical vapor deposition apparatus, the heat sinks are densely arranged in a position from the center to the bottom of the support rod to form a large empty space under the bottom plate of the boat. This slows the movement of the process gas, which causes a large amount of process gas to deposit on the bottom plate of the boat. These are later acted as particles. In order to prevent this, in the present embodiment, the heat sinks 420 are uniformly disposed up and down from one end of the support rod 440 to the other end. As a result, process gases may flow at a uniform speed from the bottom to the top in the inner tube 140.
또한, 상술한 바와 같이 외부튜브의 상부면(122)은 위쪽으로 돌출되도록 라운드진 형상을 가지고 보트의 상부판(312)은 평평한 형상을 가진다. 따라서 보트의 상부판(312)과 외부튜브의 상부면(122) 사이에는 넓은 공간이 형성되며, 내부튜브 내의 하부에서부터 이동되는 공정가스는 상기 공간에서 느린 속도로 흐른다. 이로 인해 외부튜브의 상부면(122)에는 많은 량의 공정가스가 증착된다. 후에 증착된 막에는 균열이 발생되며, 이로 인해 외부튜브(120)가 파손된다.In addition, as described above, the upper surface 122 of the outer tube has a rounded shape to protrude upward, and the upper plate 312 of the boat has a flat shape. Therefore, a wide space is formed between the upper plate 312 of the boat and the upper surface 122 of the outer tube, the process gas flowing from the bottom in the inner tube flows at a slow speed in the space. As a result, a large amount of process gas is deposited on the upper surface 122 of the outer tube. The deposited film is then cracked, which causes the outer tube 120 to break.
이를 방지하기 위해 본 실시예에서는 외부튜브의 상부면(122)과 보트의 상부판(312) 사이에 배치되며 일정체적을 가지는 보호부(500)를 가진다. 도 3a와 도 3b는 각각 도 2에 도시된 보호부(500)의 정면도와 평면도이다. 도 3a와 도 3b를 참조하면, 보호부(500)는 석영(quartz)을 재질로 하여 이루어지며, 상부몸체(520)와 하부몸체(540)를 가진다. 상부몸체(520)는 외부튜브의 상부면(122)처럼 위로 볼록하게 라우드진 형상을 가지고, 상부몸체(520)의 하부 가장자리에는 내부튜브(140)의 상단부에 놓여지는 복수의 돌기들(522)이 형성된다. 상부몸체(520) 아래 중앙부에는 보트의 상부판(312)과 동일한 크기의 하부면을 가지는 원통형의 하부몸체(540)가 위치된다. 하부몸체(540)는 상부몸체(520)로 아래로 연장되도록 상부몸체(520)와 일체형으로 제조되거나, 상부몸체(520)와 별도로 제작된 후 상부몸체(520)에 부착될 수 있다. 보호부(500)의 체적은 외부튜브의 상부면(122)과 보호부의상부몸체(520) 사이에 형성된 공간이 내부튜브(140)와 외부튜브의 측면(124)사이의 공간보다 작거나 이와 동일하도록 형성된다.In order to prevent this, in the present embodiment, a protective part 500 is disposed between the upper surface 122 of the outer tube and the upper plate 312 of the boat and has a predetermined volume. 3A and 3B are front and plan views, respectively, of the protection part 500 shown in FIG. 2. 3A and 3B, the protection part 500 is made of quartz and has an upper body 520 and a lower body 540. The upper body 520 has a convex upward shape like the upper surface 122 of the outer tube, a plurality of protrusions 522 placed on the upper end of the inner tube 140 on the lower edge of the upper body 520 Is formed. A cylindrical lower body 540 having a lower surface having the same size as the upper plate 312 of the boat is positioned below the upper body 520. The lower body 540 may be manufactured integrally with the upper body 520 to extend down into the upper body 520, or may be attached to the upper body 520 after being manufactured separately from the upper body 520. The volume of the protective part 500 is smaller than or equal to the space formed between the upper surface 122 of the outer tube and the upper body 520 of the protective part than the space between the inner tube 140 and the side surface 124 of the outer tube. It is formed to.
내부튜브(140) 내의 하부에서 상부로 흐르는 공정가스는 보호부의 상부몸체(520)에 형성된 돌기들(522) 사이의 공간을 지난 후 보호부의 상부몸체(520)와 외부튜브의 상부면(122) 사이의 공간 및 내부튜브(140)와 외부튜브의 측면(124) 사이의 공간을 통해 흐르며, 배기관(280)을 통해 외부로 배기된다. 이 때 보호부의 상부몸체(520)와 외부튜브의 상부면(122) 사이의 공간에서 공정가스는 빠르게 이동되므로 외부튜브의 상부면(122)에 증착되는 공정가스의 량은 일반적인 장치에 비해 매우 작다.The process gas flowing from the lower part to the upper part of the inner tube 140 passes through the space between the protrusions 522 formed in the upper body 520 of the protective part, and then the upper body 520 of the protective part and the upper surface 122 of the outer tube. It flows through the space between and the space between the inner tube 140 and the side surface 124 of the outer tube, and is exhausted to the outside through the exhaust pipe 280. At this time, since the process gas is rapidly moved in the space between the upper body 520 of the protection unit and the upper surface 122 of the outer tube, the amount of process gas deposited on the upper surface 122 of the outer tube is very small compared to the general apparatus. .
도 4는 본 발명의 다른 예에 의한 저압 화학기상증착장치(10′)의 단면도이고, 도 5a와 도 5b는 도 5의 보호부(500′)의 정면도와 평면도이다. 보호부(500′)는 상술한 실시예와 달리 보트의 상부판(312) 상에 놓여진다. 하부몸체(540′)는 보트의 상부판(312)과 동일한 하부면을 가지는 원통 형상을 가지며, 상부몸체(520′)는 외부튜브의 상부면(122)처럼 상부로 라운드 지도록 돌출된 형상을 가지며, 상부몸체(520′)의 하부면은 하부몸체(540′)의 하부면과 동일한 크기를 가진다. 하부몸체(540′)의 하부면에는 아래로 돌출되어 보트의 상부판(312) 상에 놓여지는 복수의 돌기들(542)이 형성될 수 있다.4 is a cross-sectional view of the low pressure chemical vapor deposition apparatus 10 'according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 5A and 5B are front and plan views of the protection part 500' of FIG. The protection part 500 'is placed on the top plate 312 of the boat, unlike the embodiment described above. The lower body 540 'has a cylindrical shape having the same lower surface as the upper plate 312 of the boat, and the upper body 520' has a shape projecting to round upwards like the upper surface 122 of the outer tube. The lower surface of the upper body 520 'has the same size as the lower surface of the lower body 540'. The lower surface of the lower body 540 ′ may be provided with a plurality of protrusions 542 protruding downward and placed on the top plate 312 of the boat.
본 발명의 장치는 외부튜브의 상부면(122)과 보트의 상부판(312) 사이에 보호부(500′)가 배치되므로, 외부튜브의 상부면(122) 바로 아래에서 공정가스가 일반적인 장치에 비해 빠르게 흐르고, 이로 인해 외부튜브의 상부면(122)에 증착되는공정가스의 량은 줄어든다.In the device of the present invention, since the protective part 500 'is disposed between the upper surface 122 of the outer tube and the upper plate 312 of the boat, the process gas is directly below the upper surface 122 of the outer tube. Compared to the flow faster, this reduces the amount of process gas deposited on the upper surface 122 of the outer tube.
본 발명에 의하면, 외부튜브의 상부면에 증착되는 공정가스의 량을 현저하게 줄여, 외부튜브가 크랙으로 인해 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to significantly reduce the amount of process gas deposited on the upper surface of the outer tube, thereby preventing the outer tube from being damaged due to cracks.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030040283A KR20040110820A (en) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | Low pressure chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020030040283A KR20040110820A (en) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | Low pressure chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
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KR20040110820A true KR20040110820A (en) | 2004-12-31 |
Family
ID=37383160
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KR1020030040283A KR20040110820A (en) | 2003-06-20 | 2003-06-20 | Low pressure chemical vapor deposition apparatus used in manufacturing semiconductor devices |
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KR (1) | KR20040110820A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023097609A1 (en) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | High-temperature tube furnace |
-
2003
- 2003-06-20 KR KR1020030040283A patent/KR20040110820A/en not_active Application Discontinuation
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