KR20040081833A - Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터 - Google Patents

Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR20040081833A
KR20040081833A KR1020030016381A KR20030016381A KR20040081833A KR 20040081833 A KR20040081833 A KR 20040081833A KR 1020030016381 A KR1020030016381 A KR 1020030016381A KR 20030016381 A KR20030016381 A KR 20030016381A KR 20040081833 A KR20040081833 A KR 20040081833A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
surface acoustic
ltcc
acoustic wave
ltcc package
Prior art date
Application number
KR1020030016381A
Other languages
English (en)
Inventor
황기룡
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020030016381A priority Critical patent/KR20040081833A/ko
Publication of KR20040081833A publication Critical patent/KR20040081833A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 표면 탄성파 필터는 본딩 와이어에 의하여 전기적으로 연결되는 다수의 패드가 형성된 부분이 제거될 수 있도록, 커패시터, 저항, 인덕터 등의 수동 소자들을 기판 내부에 내장한 LTCC 패키지 상에 종래의 SAW 필터 칩과 동일하지만 거꾸로 뒤집은 역 SAW 필터 칩을 실장하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

ＬＴＣＣ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터{SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER APPLYING LTCC PACKAGE}
본 발명은 표면 탄성파 필터에 관한 것으로서, 특히 동일한 표면 탄성파 필터 칩을 사용하면서도 패키지 크기를 줄이고 동시에 와이어 본딩중 발생할 수 있는 불량율을 감소시킬 수 있는 표면 탄성파 필터에 관한 것이다.
표면 탄성파 필터(일명 SAW 필터)는, 압전 특성이 있는 기판 또는 박막을 표면 탄성파의 전송매체로 하고 그 위에 설치된 발모양의 전극변환기의 구조 및 위치를 변경시킴으로써 필요한 주파수 특성을 얻는 필터이다.
도 1은 종래 SAW 필터 패키지(10)의 내부 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 종래 패키지(10)에 SAW 필터 칩(20)이 실장된 형태를 나타낸 측면도이다.
SAW(Surface Acoustic Wave) 필터의 상세한 구조를 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
SAW 필터 패키지(10)는 통상 입력 IDT부(11)와, 접지바아(12)와, 출력 IDT부(13)로 구성되고, 길이 방향의 측면에 본딩 와이어(14)에 의하여 전기적으로 연결되는 다수의 패드가 형성되며, 상부측에는 전체 표면을 뒤덮는 리드(lid: 미도시)가 설치되어서 외부와 차단되는 구조를 가진다.
상기에서 IDT는 Inter Digital Transducer의 약자로서, 압전체 전체 표면에 발 모양으로 배치된 다수의 가는 띠모양의 전극군으로서 탄성 표면파를 발생 또는 수신하기 위한 전극 구조를 가지며, 양전극과 음전극이 서로 교차된 상태로 배열된 변환기를 의미한다. 입력 IDT부(11)는 외부로부터의 신호를 입력하기 위하여 패드(15a)가 사용되고, 출력 IDT부(13)에는 신호를 출력하기 위하여 패드(17b)가 사용된다.
또한, 종래의 신호 입출력에 사용되는 패드(15a, 17b)들을 제외한 나머지 패드(15b, 16a, 16b, 17a)들을 서로 이격되어 있는 다수의 본딩 와이어(14)를 이용하여 연결하였다.
이 때 본딩 와이어(14)들에 의하여 서로 전기적으로 연결되는 패드들은 측면에 인접한 패드들이 아니라, 서로 대향 위치에 있는 패드들이며, 상기 본딩 와이어(14)들은 접지 상태가 된다.
도 1에 도시된 구조는 SAW 필터를 패키지에 넣고 와이어본딩까지 한 상태를 나타내고, 도 2에 도시된 구조는 SAW 필터 칩(20)이 칩 패키지(10)에 실장되었을 때를 나타낸다.
그러나, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, SAW 필터(10)는 기존 세라믹 패키지를 사용하여 SAW 필터 칩을 실장할 경우 와이어 본딩을 통하여 전극을 연결함으로써 패키지의 크기가 증가 및 와이어 본딩 중 불량율이 증가하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, LTCC 패키지를 적용하여 종래의 동일한 SAW 필터를 사용하면서도 패키지의 크기를 줄이는 것을 목적으로 한다.
또한, 와이어 본딩볼을 통해 에폭시를 이용하여 접착시킴으로써 와이어 본딩 중의 불량율을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래 SAW 필터 패키지의 내부 구조를 나타낸 평면도이다.
도 2는 종래 패키지에 SAW 필터 칩이 실장된 형태를 나타낸 측면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 LTCC 패키지에 SAW 필터 칩이 실장된 형태를 나타낸 측면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 LTCC 패키지의 적층 과정을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 LTCC SAW 필터 패키지의 평면도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
20: SAW 필터 칩
30: SAW 필터 칩 패키지
31: 와이어 본딩 볼
본 발명에 따른 표면 탄성파 필터는 본딩 와이어에 의하여 전기적으로 연결되는 다수의 패드가 형성된 부분이 제거될 수 있도록, 커패시터, 저항, 인덕터 등의 수동 소자들을 기판 내부에 내장한 LTCC 패키지 상에 종래의 SAW 필터 칩과 동일하지만 거꾸로 뒤집은 역 SAW 필터 칩을 실장하여 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 LTCC 패키지 상의 와이어 본딩 볼을 통해 상기 LTCC 패키지와 역 SAW 필터 칩이 접착되도록 하는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.
도 3은 본 발명에 따른 LTCC 패키지(30)에 SAW 필터 칩(20)이 실장된 형태를 나타낸 측면도이다.
여기서, LTCC(Low temperature co-fired ceramic)란 800~1000℃ 정도의 저온에서 세라믹과 금속의 동시 소성 방법을 이용하여 기판을 형성하는 기술을 말하며, 이러한 LTCC 기법은 커패시터, 저항, 인덕터 등의 수동 소자들을 기판 내부에 내장함으로써 고집적화, 경박 단소화, 고신뢰성을 이룰 수 있다.
또한, 최근 이동 정보통신 분야의 발전에 따라 단말기 및 관련 부품을 소형 경량화하는 것이 매우 중요한 기술요소로 부각되고 있다.
이를 위해서는 기판의 배선 밀도를 높이는 것과 개별 부품 또는 모듈의 크기와 무게를 줄이는 것이 절실히 필요하며, 이러한 요구에 부응하기 위해 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기술이 필수적이다.
따라서, 본 발명은 이러한 LTCC 패키지를 적용하여 SAW 필터 칩을 실장시킨 표면 탄성파 필터로서, 종래의 세라믹 패키지를 사용할 경우 와이어 본딩으로 인해증가된 2d 만큼의 길이(도 1 참조)를 줄인 표면 탄성파 필터에 관한 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 통상 입력 IDT부(11)와, 접지바아(12)와, 출력 IDT부(13)로 구성되고, 길이 방향의 측면에 본딩 와이어(14)에 의하여 전기적으로 연결되는 다수의 패드가 형성되며, 상부측에는 전체 표면을 뒤덮는 리드(lid: 미도시)가 설치되어서 외부와 차단되는 구조를 가지는 종래의 SAW 필터 패키지(10)와 달리, 본 발명에 따른 SAW 필터는 커패시터, 저항, 인덕터 등의 수동 소자들을 기판 내부에 내장한 LTCC 패키지(30) 상에 종래의 SAW 필터 칩과 동일하지만 거꾸로 뒤집은 역 SAW 필터 칩(20)을 실장하여 구성된 것을 특징으로 한다.
즉, 종래의 본딩 와이어에 의하여 전기적으로 연결되는 상기 다수의 패드가 형성된 부분이 제거된 형태이다.
또한, 상기 LTCC 패키지(30) 상의 와이어 본딩 볼(31)을 통해 역 SAW 필터 칩(20)과 접착된 형태이다.
이와 같이, 본 발명에 따른 표면 탄성파 필터는 LTCC 패키지를 적용하여 종래의 동일한 SAW 필터를 사용하면서도 상대적으로 길이를 2d 만큼 줄여 패키지의 크기를 줄일수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 LTCC 패키지의 적층 과정을 나타낸 도면이다.
도 4a는 레이어(layer) 1층이며, 도 4b는 레이어 2층이며, 도 4c는 레이어 3층이며, 상기 순으로 차례로 적층된다.
도 5는 본 발명에 따른 LTCC SAW 필터 패키지의 평면도이다.
도 5는 상기 도 4a 내지 4c에서 레이어 1, 2, 3층이 차례로 적층되어 겹쳐서 보았을 때로소 LTCC SAW 필터 패키지의 평면도이다.
이와 같이, LTCC 패킹(Packing) 방식으로 실장했을 경우 종래의 화살표에서 표시한 양 쪽면의 d 부분의 길이를 줄일 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 표면 탄성파 필터는 LTCC 패키지를 적용하여 종래의 동일한 SAW 필터를 사용하면서도 상대적으로 길이를 2d 만큼 줄여 패키지의 크기를 줄일수 있으므로 이는 소형화 경량화되는 전자제품의 경향에 탄력적으로 적용될 수 있어 부품의 효용 가치를 증대시킬 수 있다.
또한, 와이어 본딩볼을 통해 에폭시를 이용하여 접착시킴으로써 와이어 본딩 중의 불량율을 감소시켜 수율 향상을 도모할 수 있다.
본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 사상과 범위내에서 다양한 변형이나 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 첨부한 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (2)

  1. 본딩 와이어에 의하여 전기적으로 연결되는 다수의 패드가 형성된 부분이 제거될 수 있도록, 커패시터, 저항, 인덕터 등의 수동 소자들을 기판 내부에 내장한 LTCC 패키지 상에 종래의 SAW 필터 칩과 동일하지만 거꾸로 뒤집은 역 SAW 필터 칩을 실장하여 구성된 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 LTCC 패키지 상의 와이어 본딩 볼을 통해 상기 LTCC 패키지와 역 SAW 필터 칩이 접착되도록 하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터.
KR1020030016381A 2003-03-17 2003-03-17 Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터 KR20040081833A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030016381A KR20040081833A (ko) 2003-03-17 2003-03-17 Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030016381A KR20040081833A (ko) 2003-03-17 2003-03-17 Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040081833A true KR20040081833A (ko) 2004-09-23

Family

ID=37365835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030016381A KR20040081833A (ko) 2003-03-17 2003-03-17 Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040081833A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109286386A (zh) * 2018-12-03 2019-01-29 全讯射频科技(无锡)有限公司 集成压敏电阻的滤波器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109286386A (zh) * 2018-12-03 2019-01-29 全讯射频科技(无锡)有限公司 集成压敏电阻的滤波器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100665217B1 (ko) 반도체 멀티칩 패키지
KR20070080074A (ko) 멀티 밴드용 필터 모듈 및 그의 제작 방법
US20060286718A1 (en) Manufacturing method capable of simultaneously sealing a plurality of electronic parts
US20030071538A1 (en) Surface acoustic wave device
KR20000029387A (ko) 하나의 동일한 패키지내에 중첩된 소자 모듈
CN110444512B (zh) 传感器封装及包括所述传感器封装的传感器封装模块
CN116760385A (zh) 嵌埋芯片的封装基板、模组、电子产品及制备方法
KR20040081833A (ko) Ｌｔｃｃ 패키지를 적용한 표면 탄성파 필터
WO2019065668A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
US11621739B2 (en) Radio-frequency module and communications device
KR101633643B1 (ko) 필터 모듈
JP6253306B2 (ja) 電子デバイス
CN210273992U (zh) 一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构
JP2005005664A (ja) セラミックパッケージ及びその製造方法
JP2005110017A (ja) 高周波フィルタモジュール及びその製造方法
GB2476692A (en) A compact duplexer comprising a pair of stacked flip-chip bonded acoustic wave filters
JP4722204B2 (ja) 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
CN219394806U (zh) 晶圆级封装结构及其模组、电路板、电子设备
JPH09181562A (ja) 二層配置弾性表面波素子
JP7465515B1 (ja) 弾性波デバイス
CN116996043B (zh) 一种mems滤波器结构
CN216354289U (zh) 一种滤波器
KR100306630B1 (ko) 복합 표면 탄성파 필터
JP2002359343A (ja) 半導体装置
KR100435042B1 (ko) 듀플렉스 패키지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination