KR20040076970A - Fabricating method of plasma display panel - Google Patents

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KR20040076970A
KR20040076970A KR1020030012316A KR20030012316A KR20040076970A KR 20040076970 A KR20040076970 A KR 20040076970A KR 1020030012316 A KR1020030012316 A KR 1020030012316A KR 20030012316 A KR20030012316 A KR 20030012316A KR 20040076970 A KR20040076970 A KR 20040076970A
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partition wall
display panel
plasma display
manufacturing
dfr
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KR1020030012316A
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이순률
조윤희
안정식
오진목
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a PDP is provided to form uniform sidewalls and shorten the sidewall forming period by a wet etching method. CONSTITUTION: A method for manufacturing a PDP comprises a step of forming sidewall paste(220) on a substrate(214), a step of patterning the sidewall paste by a wet etching method using an etching solution, and a step of forming sidewalls by firing the patterned sidewall paste.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법{FABRICATING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}Manufacturing Method of Plasma Display Panel {FABRICATING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 특히 균일한 격벽을 형성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel, and more particularly, to a method of manufacturing a partition of a plasma display panel for forming a uniform partition.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하, "PDP"라 함)은 He+Xe, Ne+Xe 및 He+Ne+Xe 등의 가스 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다.Plasma Display Panel (hereinafter referred to as "PDP") displays characters or graphics by emitting phosphors by 147 nm ultraviolet rays generated during gas discharge such as He + Xe, Ne + Xe and He + Ne + Xe. The included image is displayed. Such a PDP is not only thin and easy to enlarge, but also greatly improved in quality due to recent technology development.

도 1을 참조하면, 어드레스전극(2)이 실장되어진 하부기판(14)과 유지전극쌍(4)이 실장되어진 상부 유리기판(16)을 구비하는 교류 구동방식의 PDP가 도시되어 있다. 어드레스전극(2)이 실장된 하부기판(14) 상에는 하부 유전체(18)와 방전셀들을 분할하는 격벽(8)이 형성된다. 하부 유전체(18)와 격벽(8)의 표면에는 형광체(6)가 도포된다. 형광체(6)는 플라즈마 방전시 발생되는 자외선에 의해 발광함으로써 가시광선을 발생한다. 유지전극쌍(4)이 실장된 상부기판(16)에는 상부 유전층(12)과 보호막(10)이 순차적으로 형성된다. 상부 유전층(12)은 플라즈마 방전시 벽전하를 축적하게 되고, 보호막(10)은 플라즈마 방전시 가스 이온의 스퍼터링으로부터 유지전극쌍(4)과 상부 유전층(12)을 보호함과 아울러 이차전자의 방출효율을 높이는 역할을 한다. 이러한 PDP의 방전셀들에는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 봉입된다.Referring to FIG. 1, there is shown an AC drive type PDP having a lower substrate 14 on which an address electrode 2 is mounted and an upper glass substrate 16 on which a pair of sustain electrodes 4 are mounted. On the lower substrate 14 on which the address electrode 2 is mounted, a partition 8 for dividing the lower dielectric 18 and the discharge cells is formed. Phosphor 6 is applied to the surfaces of the lower dielectric 18 and the partition 8. The phosphor 6 emits light by ultraviolet rays generated during plasma discharge to generate visible light. The upper dielectric layer 12 and the passivation layer 10 are sequentially formed on the upper substrate 16 on which the sustain electrode pairs 4 are mounted. The upper dielectric layer 12 accumulates wall charges during plasma discharge, and the protective layer 10 protects the pair of sustain electrodes 4 and the upper dielectric layer 12 from sputtering of gas ions during plasma discharge and emits secondary electrons. It increases the efficiency. The discharge cells of the PDP are filled with a mixed gas of He + Xe or Ne + Xe.

격벽(8)은 방전셀간의 전기적·광학적 크로스토크(Crosstalk)를 방지하는 역할을 한다. 따라서, 격벽(8)은 표시품질과 발광효율을 위한 가장 중요한 요소이며 패널이 대형화·고정세화됨에 따라 격벽에 대한 다양한 연구가 이루어지고 있다. 격벽 제조방법으로는 격벽 페이스트를 인쇄법으로 여러회 인쇄한 후 DFR(Dry Film Resist)를 라미네이팅 한 후 노광 및 현상 공정을 거쳐 샌드 입자를 이용하여 건식 식각하고 DFR을 제거하여 격벽을 형성하는 샌드 블라스트(Sandblasting)법이 주로 이용되고 있다. 샌드 입자는 예를 들어 실리카 파우더(silica powder) 등이 이용될 수 있다. 샌드 블라스팅법을 이용한 격벽 제조방법을 도 2a 내지 도 2f를 도 3과 결부하여 단계적으로 설명하기로 한다.The partition 8 serves to prevent electrical and optical crosstalk between discharge cells. Therefore, the partition wall 8 is the most important factor for display quality and luminous efficiency, and as the panel is enlarged and fixed, various studies on the partition wall have been made. In the manufacturing method of the partition wall, after printing the partition paste several times by printing method, laminating the DFR (Dry Film Resist), dry etching using sand particles through exposure and development process, and removing the DFR to form the partition wall sand blast (Sandblasting) method is mainly used. The sand particles may be, for example, silica powder or the like. A method of manufacturing a partition wall using sand blasting will be described step by step in conjunction with FIGS. 2A to 2F.

먼저 도 2a에 도시된 바와 같이 하부기판(14) 상에 어드레스전극(2)을 형성하고, 어드레스전극(2)을 덮도록 상기 하부기판(14) 전면에 유전체(18)를 도포한다. 유전체(18) 상에 격벽용 페이스트(20)를 형성한다. 격벽용 페이스트(20)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다.(S31) 이후, 격벽용 페이스트(20)를 건조시킨다.(S32)First, as shown in FIG. 2A, an address electrode 2 is formed on the lower substrate 14, and a dielectric 18 is coated on the entire surface of the lower substrate 14 to cover the address electrode 2. The partition paste 20 is formed on the dielectric 18. The partition paste 20 is formed by a printing method or a coating method so as to have a predetermined height. (S31) After that, the partition paste 20 is dried.

도 2b에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트(20) 상에 DFR(22)이 형성된다. 여기서, DFR(22)과 하부기판(14)이 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR(22)과 하부기판(14)이 접착된다.(S33)As shown in FIG. 2B, a DFR 22 is formed on the barrier paste 20. Here, the laminating process is performed to bond the DFR 22 and the lower substrate 14. The laminating process is a process of applying a uniform pressure while applying heat to a predetermined temperature. The laminating process bonds the DFR 22 and the lower substrate 14 to each other (S33).

이어서, DFR(22) 상에 도 2c에 도시된 바와 같이 격벽을 형성하기 위한 마스크(24)를 정렬시킨다. 마스크(24)는 일정한 간격으로 설치되는데, 광차단부(24a)와 광투과부(24b)가 번갈아 형성된다. 광투과부(24b)는 격벽이 형성될 영역에 해당하며 조사되는 광을 투과시켜 DFR이 광에 노출되도록 하고, 광차단부(24a)는 조사되는 광을 차단시켜 DFR(22)이 광에 노출되지 않도록 한다.Subsequently, the mask 24 for forming the partition wall is aligned on the DFR 22 as shown in FIG. 2C. The mask 24 is provided at regular intervals, and the light blocking portion 24a and the light transmitting portion 24b are alternately formed. The light transmitting portion 24b corresponds to the area where the partition wall is to be formed and transmits the irradiated light so that the DFR is exposed to the light, and the light blocking portion 24a blocks the irradiated light so that the DFR 22 is not exposed to the light. Do not

DFR(22)을 노광시킨 후 현상공정을 거치게 되면 도 2d에 도시된 바와 같이 광에 노출된 영역의 DFR(22)은 남아있게 되며, 광에 노출된 영역의 DFR(22)은 현상됨으로써 패터닝된다. 현상공정에서 DFR(22)을 현상하기 위해 사용되는 현상액은 Na2O3, NaOH, KOH 중 어느 하나이다.(S34)When the DFR 22 is exposed and subjected to a developing process, as shown in FIG. 2D, the DFR 22 of the area exposed to light remains, and the DFR 22 of the area exposed to light is developed and patterned. . The developing solution used to develop the DFR 22 in the developing process is any one of Na 2 O 3 , NaOH, and KOH. (S34)

이후, 도 2e에 도시된 바와 같이 도시되지 않은 샌드 블라스팅 장치를 이용하여 샌드 입자를 격벽용 페이스트에 분사시켜 격벽용 페이스트(20)를 건식 식각에 의해 패터닝한다.(S35) 여기서, 샌드 입자는 DFR(22)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(20)를 제거시킨다.Thereafter, as shown in FIG. 2E, sand particles are sprayed onto the partition paste using a sand blasting device (not shown) to pattern the partition paste 20 by dry etching (S35). The partition paste 20 in the region where 22 is not formed is removed.

이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이 DFR(22)을 제거(S36)한 후, 격벽용 페이스트(20)를 소성하여 격벽(8)을 완성한다.(S37) 이때, DFR(22)을 제거하기 위해아민계 염기성 수용액 등을 이용한다.Subsequently, after removing the DFR 22 as shown in FIG. 2F (S36), the partition paste 20 is fired to complete the partition wall 8 (S37). At this time, the DFR 22 is removed. A harmful amine-based basic aqueous solution or the like is used.

그러나, 샌드 블라스팅법 등의 건식 식각공정 과정에서 격벽용 페이스트가 과식각 되어 언더 컷(under cut)현상 등 균일한 격벽이 형성되지 않는 문제가 발생하게 된다.However, in the dry etching process such as sand blasting method, the barrier paste is over-etched to cause a problem of not forming a uniform barrier such as an under cut phenomenon.

또한, DFR(22)을 기판(14) 상에 부착하는 라미네이팅 공정에서 DFR(22)이 제대로 부착되지 않는 경우가 발생되면, DFR(22)의 표면이 울퉁불퉁해지게 되어 샌드 블라스팅 공정에서 격벽(8)의 형태가 제대로 형성되지 않게 된다.In addition, when the DFR 22 is not properly attached in the laminating process of attaching the DFR 22 on the substrate 14, the surface of the DFR 22 becomes rugged, and the partition wall 8 in the sand blasting process is caused. ) Will not form properly.

따라서, 본 발명의 목적은 균일한 격벽을 형성할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel capable of forming a uniform partition wall.

도 1은 교류 구동방식의 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a surface discharge plasma display panel of an AC driving method.

도 2a 내지 도 2f는 도 1에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 단면도이다.2A to 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the partition shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the partition shown in FIG. 1.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP의 격벽 제조방법을 나타내는 순서도이다.4A to 4H are flowcharts illustrating a method of manufacturing a partition wall of a PDP according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 순서도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the partition shown in FIG. 4.

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP의 격벽 제조방법을 나타내는 순서도이다.6A to 6G are flowcharts illustrating a method of manufacturing a partition wall of a PDP according to a second embodiment of the present invention.

도 7는 도 6에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 순서도이다.FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the partition shown in FIG. 6.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2, 102 : 어드레스전극 4 : 유지전극쌍2, 102: address electrode 4: sustain electrode pair

6 : 형광체 8 : 격벽6: phosphor 8: partition wall

10 : 보호막 12 : 유전층10: protective film 12: dielectric layer

14, 114 : 하부기판 16 : 상부기판14, 114: lower substrate 16: upper substrate

20, 120 : 격벽용 페이스트 22, 122 : DFR(Dry Film Resist)20, 120: partition paste 22, 122: DFR (Dry Film Resist)

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 기판 상에 격벽재를 형성하는 단계와; 상기 격벽재를 식각액을 이용한 습식식각 방법으로 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 격벽재를 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a partition member on a substrate; Patterning the partition wall material by a wet etching method using an etchant; Firing the patterned partition wall material to form a partition wall.

상기 격벽재는 페이스트 상태인 것을 특징으로 한다.The partition wall material is in a paste state.

상기 격벽재를 패터닝하는 단계는 상기 격벽재가 형성된 기판 상에 상기 식각액을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The patterning of the partition wall material may include spraying the etchant on the substrate on which the partition wall material is formed.

상기 격벽재를 패터닝하는 단계는 상기 격벽재가 형성된 기판을 상기 식각액에 침전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The patterning of the partition wall material may include depositing the substrate on which the partition wall material is formed in the etchant.

상기 식각액은 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE), 터피놀(Terpinol) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The etching solution is characterized in that at least one of butyl carbyl acetate (BUTYL CARBITAL ACCETATE), terpinol (Terpinol).

상기 식각액은 상기 격벽재에 포함된 바인더 및 분산제 중 적어도 어느 하나를 제거하는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.The etchant includes a material for removing at least one of a binder and a dispersant included in the partition wall material.

상기 바인더는 에틸 셀롤로스(ETHYL CELLULOSE)인 것을 특징으로 한다.The binder is characterized in that the ethyl cellulose (ETHYL CELLULOSE).

상기 식각액은 메틸 에틸 케톤(METHYL ETHYL KETONE) , 톨루엔(Toluene), 에탄올, 메탄올 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The etchant is methyl ethyl ketone (METHYL ETHYL KETONE), toluene (Toluene), characterized in that any one of methanol.

상기 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE)를 0~100% 변화시킬 때 상기 터피놀(Terpinol)은 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE)와 반비례의 함량으로 혼합하는 것을 특징으로 한다.Terpinol is characterized by mixing in an amount of inverse proportion to the butyl carbital acetate (BUTYL CARBITAL ACCETATE) 0 to 100%.

상기 식각액은 샌드 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.The etchant is characterized in that it comprises sand particles.

상기 샌드 입자는 실리카 파우더(SILICA POWDER)인 것을 특징으로 한다.The sand particles are characterized in that the silica powder (SILICA POWDER).

상기 샌드 입자는 상기 식각액에 0~40%를 차지하는 것을 특징으로 한다.The sand particles are characterized in that occupies 0 to 40% to the etchant.

상기 식각액은 용매와 반응성이 적은 무기 화합물, 세라믹 화합물, 금속 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The etchant is characterized in that any one of an inorganic compound, a ceramic compound, a metal compound less reactive with the solvent.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

도 4a 내지 도 4h를 본 발명의 제1 실시예에 따른 격벽 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 순서도이다.4A to 4H are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a partition wall according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a partition wall shown in FIG. 4.

먼저 도 4a에 도시된 바와 같이 하부기판(114) 상에 어드레스전극(102)을 형성하고, 어드레스전극(102)을 덮도록 상기 하부기판(114) 전면에 유전체(118)를 도포한다. 유전체(118) 상에 격벽용 페이스트(120)를 형성한다. 격벽용 페이스트(120)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다.(S51) 이후, 격벽용 페이스트(20)를 건조시킨다.(S52)First, as shown in FIG. 4A, an address electrode 102 is formed on the lower substrate 114, and a dielectric 118 is coated on the entire surface of the lower substrate 114 to cover the address electrode 102. The partition paste 120 is formed on the dielectric 118. The partition paste 120 is formed by a printing method or a coating method so as to have a predetermined height. (S51) After that, the partition paste 20 is dried.

도 4b에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트(120) 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist ; 이하 "DFR")(122)이 형성된다. 여기서, DFR(122)과 하부기판(114)이 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR(122)과 하부기판(114)이 접착된다.(S53)As shown in FIG. 4B, a dry film resist (“DFR”) 122 is formed on the barrier paste 120. Here, a laminating process is performed to bond the DFR 122 and the lower substrate 114. The laminating process is a process of applying a uniform pressure while applying heat to a predetermined temperature. The laminating process bonds the DFR 122 and the lower substrate 114 to each other (S53).

이어서, DFR(122) 상에 도 4c에 도시된 바와 같이 격벽을 형성하기 위한 마스크(124)를 정렬시킨다. 마스크(124)는 일정한 간격으로 설치되는데, 광차단부(124a)와 광투과부(124b)가 번갈아 형성된다. 광투과부(124b)는 격벽이 형성될 영역에 해당하며 조사되는 광을 투과시켜 DFR이 광에 노출되도록 하고, 광차단부(124a)는 조사되는 광을 차단시켜 DFR(122)이 광에 노출되지 않도록 한다.Subsequently, the mask 124 for forming the partition wall is aligned on the DFR 122 as shown in FIG. 4C. The mask 124 is installed at regular intervals, and the light blocking portion 124a and the light transmitting portion 124b are alternately formed. The light transmitting part 124b corresponds to the area where the partition wall is to be formed and transmits the irradiated light so that the DFR is exposed to light, and the light blocking part 124a blocks the irradiated light so that the DFR 122 is not exposed to the light. Do not

DFR(122)을 노광시킨 후 현상공정을 거치게 되면 도 4d에 도시된 바와 같이광에 노출된 영역의 DFR(122)은 남아있게 되며, 광에 노출된 영역의 DFR(122)은 현상됨으로써 패터닝된다. 현상공정에서 DFR(122)을 현상하기 위해 사용되는 현상액은 Na2O3, NaOH, KOH 중 어느 하나이다.(S54)When the DFR 122 is exposed and subjected to the development process, as shown in FIG. 4D, the DFR 122 of the area exposed to light remains, and the DFR 122 of the area exposed to light is developed and patterned. . The developing solution used to develop the DFR 122 in the developing process is any one of Na 2 O 3 , NaOH, and KOH.

이후, 습식식각 방법에 의해 격벽용 페이스트(120)를 패터닝한다.(S55)Thereafter, the partition paste 120 is patterned by a wet etching method (S55).

습식식각 방법으로는 도 4e와 같은 스프레이 방식으로 식각액을 DFR(122)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(120)에 분사하거나 도 4f와 같은 침전방식으로 격벽용 페이스트(120)가 형성된 기판을 식각액에 침전시킴으로써 도 4g와 같이 DFR(122)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(120)를 제거시킨다.In the wet etching method, the etching solution is sprayed onto the partition paste 120 in the region where the DFR 122 is not formed by the spray method as shown in FIG. 4E, or the substrate on which the partition paste 120 is formed by the precipitation method as shown in FIG. 4F. By depositing in the etchant, as shown in FIG. 4G, the barrier paste 120 of the region where the DFR 122 is not formed is removed.

습식식각에 사용되는 식각액은 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE 이하 "BCA" 라고 한다.), 터피놀(Terpinol) 중 적어도 하나가 사용된다. BCA 및 터피놀 모두를 혼합한 식각액을 사용하는 경우에는 BCA를 0~100% 변화시킬 때 터피놀은 BCA와 반비례의 함량으로 혼합하여 식각한다. 여기서, BCA, 터피놀은 유기 성분으로 격벽용 페이스트 내의 분산제 및 바인더 중 적어도 어느 하나를 제거하는 역할을 하게 된다. 여기서, 격벽용 페이스트 내의 바인더로는 에틸 셀롤로스(ETHYL CELLULOSE) 등이 이용될 수 있다.The etchant used for the wet etching is at least one of butyl cavity acetate (hereinafter referred to as "BCA") and terpinol. In the case of using a mixture of both BCA and terpinol, when the BCA is changed from 0 to 100%, the terpinol is mixed and etched in an inverse proportion to the BCA. Here, BCA and terpinol serve to remove at least one of a dispersant and a binder in the partition paste as an organic component. Here, ethyl cellulose (ETHYL CELLULOSE) or the like may be used as the binder in the partition paste.

DFR(122)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(120)가 식각액에 노출되게 되면 식각액에 포함되어 있는 BCA, 터피놀은 격벽용 페이스트 내의 분산제 및 바인더를 제거하고, 이 분산제 및 바인더가 제거되면서 분산제 및 바인더에 묻어 있던 파우더 성분들도 함께 제거됨으로써 식각된다.When the barrier paste 120 in the region where the DFR 122 is not formed is exposed to the etchant, the BCA and terpinol contained in the etchant remove the dispersant and the binder in the barrier paste, and the dispersant and the binder are removed. The powder components on the dispersant and the binder are also removed by etching together.

한편, 식각액으로는 BCA, 터피놀이외에 메틸 에틸 케톤(METHYL ETHYL KETONE), 톨루엔(Toluene), 에탄올, 메탄올 등을 사용할 수 있다.As the etchant, methyl ethyl ketone, toluene, ethanol, methanol, etc. may be used in addition to BCA and terpineol.

이어서, 도 4h에 도시된 바와 같이 DFR(122)을 제거(S56)한 후, 격벽용 페이스트(120)를 소성하여 격벽(108)을 완성한다.(S57) 이때, DFR(122)을 제거하기 위해 아민계 염기성 수용액 등이 이용된다.Subsequently, after removing the DFR 122 as shown in FIG. 4H (S56), the barrier paste 120 is fired to complete the partition 108. (S57) At this time, the DFR 122 is removed. Amine-based basic aqueous solutions and the like are used.

도 6a 내지 도 6g를 본 발명의 제2 실시예에 따른 격벽 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 격벽의 제조방법을 나타내는 순서도이다.6A to 6G are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a partition wall according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a partition wall shown in FIG. 6.

먼저 도 6a에 도시된 바와 같이 하부기판(214) 상에 어드레스전극(202)을 형성하고, 어드레스전극(202)을 덮도록 상기 하부기판(214) 전면에 유전체(218)를 도포한다. 유전체(218) 상에 격벽용 페이스트(220)를 형성한다. 격벽용 페이스트(220)는 소정 높이를 가지게끔 인쇄법이나 코팅방법으로 형성된다.(S71) 이후, 격벽용 페이스트(220)를 건조시킨다.(S72)First, as shown in FIG. 6A, an address electrode 202 is formed on the lower substrate 214, and a dielectric 218 is coated on the entire surface of the lower substrate 214 to cover the address electrode 202. The partition paste 220 is formed on the dielectric 218. The partition paste 220 is formed by a printing method or a coating method to have a predetermined height. (S71) After that, the partition paste 220 is dried.

도 6b에 도시된 바와 같이 격벽용 페이스트(220) 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist ; 이하 "DFR")(222)이 형성된다. 여기서, DFR(222)과 하부기판(214)은 접합되도록 라미네이팅 공정이 수행된다. 라미네이팅 공정은 소정 온도로 열을 가하면서 균일한 압력을 가하는 공정으로서 이 라미네이팅 공정에 의해 DFR(222)과 하부기판(214)이 접착된다.(S73)As shown in FIG. 6B, a dry film resist (“DFR”) 222 is formed on the barrier paste 220. Here, a laminating process is performed to bond the DFR 222 and the lower substrate 214. The laminating process is a process of applying a uniform pressure while applying heat to a predetermined temperature. The laminating process bonds the DFR 222 and the lower substrate 214 to each other (S73).

이어서, DFR(222) 상에 도 6c에 도시된 바와 같이 격벽을 형성하기 위한 마스크(224)를 정렬시킨다. 마스크(224)는 일정한 간격으로 설치되는데,광차단부(224a)와 광투과부(224b)가 번갈아 형성된다. 광투과부(224b)는 격벽이 형성될 영역에 해당하며 조사되는 광을 투과시켜 DFR이 광에 노출되도록 하고, 광차단부(224a)는 조사되는 광을 차단시켜 DFR(222)이 광에 노출되지 않도록 한다.Subsequently, the mask 224 for forming the partition wall is aligned on the DFR 222 as shown in FIG. 6C. The mask 224 is installed at regular intervals, and the light blocking portion 224a and the light transmitting portion 224b are alternately formed. The light transmitting part 224b corresponds to the area where the partition wall is to be formed, and transmits the irradiated light so that the DFR is exposed to light, and the light blocking part 224a blocks the irradiated light so that the DFR 222 is not exposed to the light. Do not

DFR(222)을 노광시킨 후 현상공정을 거치게 되면 도 6d에 도시된 바와 같이 광에 노출된 영역의 DFR(222)은 남아있게 되며, 광에 노출된 영역의 DFR(222)은 현상됨으로써 패터닝된다. 현상공정에서 DFR(222)을 현상하기 위해 사용되는 현상액은 Na2O3, NaOH, KOH 중 어느 하나이다.(S74)After exposing the DFR 222 and undergoing a developing process, as shown in FIG. 6D, the DFR 222 of the area exposed to light remains, and the DFR 222 of the area exposed to light is developed and patterned. . The developing solution used to develop the DFR 222 in the developing process is any one of Na 2 O 3 , NaOH, and KOH.

이후, 상술한 제1 실시 예에서 이용된 식각액에 종래 건식식각에 이용된 샌드 입자를 식각액에 0~40%를 차지하도록 첨가한 형태의 식각액을 사용하여 도 6e와 같이 스프레이 방식으로 DFR(222)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(220)에 분사함으로써 도 6f와 같이 DFR(22)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(120)를 제거시킨다.(S75) 샌드 입자는 예를 들어 , 실리카 파우더(SILICA POWDER) 등이 이용될 수 있다.Subsequently, the DFR 222 is sprayed as shown in FIG. 6E by using an etching solution in which sand particles used in the conventional dry etching are added to the etching solution so as to occupy 0 to 40% in the etching solution. By spraying the partition paste 220 of the unformed region, the partition paste 120 of the region where the DFR 22 is not formed is removed as shown in FIG. 6F. (S75) Sand particles are, for example, silica. Powder (SILICA POWDER) and the like can be used.

구체적으로, 이 식각액을 DFR(22)이 형성되지 않은 영역의 격벽용 페이스트(120)에 스프레이 방식으로 분사하게되면 이 식각액에 포함되어 있는 BCA, 터피놀은 격벽용 페이스트 내의 분산제 및 바인더를 제거하고, 이 분산제 및 바인더가 제거되면서 분산제 및 바인더에 묻어 있던 파우더 성분들도 함께 제거되고 샌드입자의 식각성이 첨가되어 용이하게 식각할 수 있다.Specifically, when the etching solution is sprayed onto the partition paste 120 in the region where the DFR 22 is not formed, the BCA and terpinol contained in the etching solution remove the dispersant and the binder in the partition paste. In addition, as the dispersant and the binder are removed, the powder components buried in the dispersant and the binder are also removed, and the etchability of the sand particles is added to facilitate etching.

여기서, BCA, 터피놀 이외에 메틸 에틸 케톤, 톨루엔, 에탄올, 메탄올 등을사용할 수 있고 , 샌드 입자 외에 용매와 반응성이 적은 무기화합물 성분, 세라믹 화합물 성분, 금속 화합물 성분 등이 이용될 수 있다.Here, methyl ethyl ketone, toluene, ethanol, methanol, and the like may be used in addition to BCA and terpinol, and inorganic compounds, ceramic compounds, metal compounds, etc., which are less reactive with solvents in addition to the sand particles, may be used.

이어서, 도 6g에 도시된 바와 같이 DFR(222)을 제거(S76)한 후, 격벽용 페이스트(220)를 소성하여 격벽(208)을 완성한다.(S77) 이때, DFR(222)을 제거하기 위해 아민계 염기성 수용액 등을 이용한다.Subsequently, as shown in FIG. 6G, after the DFR 222 is removed (S76), the partition paste 220 is fired to complete the partition 208. (S77) At this time, the DFR 222 is removed. Amine-based basic aqueous solution and the like are used.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 PDP의 제조방법은 식각액을 이용한 습식방법 또는 샌드 입자가 포함된 식각액을 이용한 습식방법을 이용하여 격벽을 형성함으로써 균일한 격벽을 형성함과 아울러 격벽형성 소요 시간을 줄일수 있다.As described above, the method of manufacturing a PDP according to the present invention forms a partition by using a wet method using an etchant or a wet method using an etchant containing sand particles, thereby forming a uniform partition and the time required for forming the partition. Can be reduced.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (13)

기판 상에 격벽재를 형성하는 단계와;Forming a partition wall material on the substrate; 상기 격벽재를 식각액을 이용한 습식식각 방법으로 패터닝하는 단계와;Patterning the partition wall material by a wet etching method using an etchant; 상기 패터닝된 격벽재를 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Firing the patterned partition wall material to form a partition wall. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 격벽재는 페이스트 상태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The partition wall material is a paste manufacturing method, characterized in that the plasma display panel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 격벽재를 패터닝하는 단계는Patterning the partition wall material 상기 격벽재가 형성된 기판 상에 상기 식각액을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And spraying the etchant on the substrate on which the barrier material is formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 격벽재를 패터닝하는 단계는Patterning the partition wall material 상기 격벽재가 형성된 기판을 상기 식각액에 침전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And depositing a substrate on which the barrier rib material is formed in the etching solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각액은 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE), 터피놀(Terpinol) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The etching solution is a method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that at least one of butyl carbital acetate (BUTYL CARBITAL ACCETATE), Terpinol (Terpinol). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각액은 상기 격벽재에 포함된 바인더 및 분산제 중 적어도 어느 하나를 제거하는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The etchant includes a material for removing at least one of a binder and a dispersant included in the partition wall material. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 바인더는 에틸 셀롤로스(ETHYL CELLULOSE)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The binder is ethyl cellulose (ETHYL CELLULOSE) manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각액은 메틸 에틸 케톤(METHYL ETHYL KETONE) , 톨루엔(Toluene), 에탄올, 메탄올 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The etchant is methyl ethyl ketone (METHYL ETHYL KETONE), toluene (Toluene), a method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that any one of methanol. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE)를 0~100% 변화시킬 때 상기 터피놀(Terpinol)은 부틸 캐비털 아세테이트(BUTYL CARBITAL ACCETATE)와 반비례의 함량으로 혼합하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Preparation of the plasma display panel, characterized in that when teranol is changed from 0% to 100% of the butyl carbital acetate (BUTYL CARBITAL ACCETATE) and mixed in an inverse proportion to the butyl carbital acetate (BUTYL CARBITAL ACCETATE) Way. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 식각액은 샌드 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The etching solution comprises a plasma display panel manufacturing method comprising the sand particles. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 샌드 입자는 실리카 파우더(SILICA POWDER)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The sand particles are silica powder (SILICA POWDER) manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 샌드 입자는 상기 식각액에 0~40%를 차지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And wherein the sand particles comprise 0 to 40% of the etching solution. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 식각액은 용매와 반응성이 적은 무기 화합물, 세라믹 화합물, 금속 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The etchant is a method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that any one of an inorganic compound, a ceramic compound, a metal compound is less reactive with the solvent.
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