KR20040076528A - 저전압용 적색 형광체 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저전압용 적색 형광체 조성물에 관한 것으로서, 이 저전압용 적색 형광체 조성물은 SrTiO3: Pr, Al의 형광체; 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 금속 산화물; 및 비히클을 포함한다.
본 발명의 저전압용 적색 형광체 조성물은 금속 산화물을 더욱 포함함에 따라 장수명 특성을 나타내는 저전압용 디스플레이를 제공할 수 있다.

Description

저전압용 적색 형광체 조성물{LOW-VOLTAGE RED PHOSPHOR COMPOSITION}
[산업상 이용 분야]
본 발명은 저전압용 적색 형광체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 장수명을 나타내는 저전압용 적색 형광체 조성물에 관한 것이다.
[종래 기술]
주로 1kV 이하의 저전압 디스플레이에는 진공 형광 디스플레이(Vacuum Fluorescent Display: VFD), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display: FED) 등이 있다. VFD는 주로 가전, AV, 자동차 등의 각종 표시 소자로 사용되고 dLT고 FED는 차세대 소형 평판 표시 소자로 활발히 연구되고 있다. 이들 저전압 디스플레이는 열선 등과 같은 전자 방출 장치(emitter)로부터 방출된 전자가 형광체를 발광시켜 원하는 화상을 재현하는 구조로 되어 있다.
이러한 저전압 디스플레이용용 형광체는 저저항이고, 발광 개시 전압이 낮아야 하고, 저가속 전압에서의 발광 효율이 높고 휘도 포화가 없으며, 형광체 입자 표면에 결함이 적고, 저속 전자 여기 발광 상태가 안정하고 분해가 일어나지 않아야 한다.
현재 저전압 디스플레이용 적색 형광체로는 (ZnCd)S를 모체로 하는 황화물계 형광체, Y2O3:Eu 형광체 및 SrTiO3:Pr,Al 형광체가 사용되고 있다. 이들 형광체 중에서 초기에는 (ZnCd)S 형광체가 주로 사용되었으나, 최근 환경 유해 물질 사용 규제에 의해 카드뮴을 포함하는 물질의 사용이 제한됨에 따라 SrTiO3:Pr,Al 형광체가 디스플레이 내부 및 환경 오염 문제가 발생하지 않으므로 최근 활발히 연구되고 있다. 그러나 상기 SrTiO3:Pr,Al 형광체는 (ZnCd)S 형광체에 비해 수명이 짧아 상용화에 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 장수명의 저전압용 적색 형광체 조성물을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 2 및 비교예 1의 형광체 조성물을 이용한 진공 형광 디스플레이의 수명을 나타낸 그래프.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 SrTiO3: Pr, Al의 형광체; 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 금속 산화물; 및 비히클을 포함하는 저전압용 적색 형광체 조성물을 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 저전압용 적색 형광체 조성물에 관한 것으로서, 스크린 인쇄법으로 형성되는 진공 형광 디스플레이(VFD)의 형광층 형성시 사용되는 조성물이다.
상기 적색 형광체 조성물은 적색 형광체로 SrTiO3:Pr, Al을 포함하고, 여기에 수명을 증가시킬 수 있는 텅스텐 산화물(WO3), 몰리브덴 산화물(MoO3) 또는 이들의 혼합물의 금속 산화물을 포함한다. 상기 적색 형광체 조성물에서 금속 산화물의 첨가량은 상기 SrTiO3:Pr,Al 형광체 중량 대비 0.1 내지 10 중량%가 바람직하다. 상기 금속 산화물의 첨가량이 0.1 중량% 미만인 경우에는 금속 산화물을 첨가함에 따른 수명 증가 효과가 미미하고, 10 중량%를 초과하는 경우에는 초기 휘도값이 저하되는 문제점이 있다.
상기 금속 산화물은 VFD 내부에 존재하는 수분 및 카본계 가스(CO, CO2, CH4등)등 잔류 가스를 흡착하여, 이러한 잔류 가스가 형광체 표면에 흡착하여 발광을 저해할 뿐만 아니라, 장기간 구동시 형광체 표면의 열화를 촉진하는 문제점을 방지할 수 있어 형광체의 수명을 향상시킬 수 있다.
상기 형광체 조성물을 스크린 인쇄법을 이용하여 기판에 스크린 인쇄하기 위해서는 비히클(vehicle)을 포함한다. 비히클은 인쇄가 용이하게 되도록 조성물의 점도, 농도 등을 조절하는 역할을 하는 물질로서, 형광체 조성물을 기판에 인쇄하여 형광층을 형성한 후, 적정 온도에서 소성하면 비히클 성분은 H2O와 CO2의 가스 형태로 날라가고 형광체 입자 및 금속 산화물 입자만 남아 패턴을 형성하게 된다.
즉, 금속 산화물 입자는 최종 소성 후에도 형광체와 함께 남게 되어 형광체의 효율 향상 및 특성 개선이 가능하게 된다.
본 발명의 형광체 조성물의 제조 방법은 먼저 SrTiO3:Pr, Al 형광체와 텅스텐 산화물 또는 몰리브덴 산화물의 금속 산화물을 혼합한다. 이때, 혼합 공정은 입자간의 건식 혼합 또는 용매를 이용한 습식 혼합법을 이용할 수 있다. 습식 혼합시에 사용가능한 용매로는 메틸 알콜, 에틸 알콜 또는 이소프로필알콜의 알콜을 사용할 수 있다. 혼합 공정을 습식 혼합법을 이용할 경우에는 별도의 건조 공정이 필요할 수 있다.
상기 혼합 공정 이후 얻어진 혼합물을 비히클과 혼합하여 형광체 조성물을 제조한다. 혼합물과 비히클의 혼합 비율은 얻어진 형광체 조성물이 스크린 인쇄가 용이하게 적절한 점도를 갖도록 적당하게 조절하면 되며 특별한 제약은 없다.
상기 형광체 조성물에 형광체 모체의 저항을 낮추기 위하여 ZnO, In2O3, SnO2등과 같은 도전성 물질을 더욱 첨가할 수도 있다. 도전성 물질의 첨가량은 SrTiO3:Pr,Al 형광체 중량의 3 내지 20 중량%가 바람직하다. 도전성 물질의 첨가량이 3 중량% 미만인 경우에는 막에 얼룩이 발생되고, 20 중량%를 초과하는 경우에는 초기 휘도가 저하되어 바람직하지 않다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
SrTiO3:Pr,Al 형광체 60g과 WO30.3g을 각각 칭량한 뒤, 에틸 알콜을 용매로 하여 습식 혼합을 하였다. 1시간 정도 혼합한 뒤에 200℃에서 3시간 동안 건조하여 혼합 분말을 얻었다.
상기 혼합 분말 66g을 비히클 36.7g에 분산하여 혼합하고, 이때 ZnO 3g과 함께 1시간 정도 교반하여 저전압용 적색 형광체 페이스트를 제조하였다.
(실시예 2)
WO3를 3g 사용하여 혼합 분말을 제조하고, 제조된 혼합 분말 66g과 비히클 34g을 혼합한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 저전압용 적색 형광체 페이스트를 제조하였다.
(비교예 1)
SrTiO3:Pr,Al 형광체 60g을 비히클 37g에 분산시키고, 이때 ZnO 3g과 함께 1시간 정도 교반하여 저전압용 적색 형광체 페이스트를 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1의 적색 형광체 페이스트를 이용하여 제조된 VFD를 작동시켜 작동 시간에 따른 형광체 휘도 잔존율을 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 표 1에서, 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 모두 1시간 동안 작동하였을때의 휘도 잔존율을 100%로 환산하여 각 시간에 따른 휘도 잔존율을 계산하였다.
시간 1 24 144 312 504 1008
실시예 1 100% 104% 101% 96% 95% 79%
실시예 2 100% 106% 104% 102% 98% 86%
비교예 1 100% 114% 119% 108% 90% 57%
상기 표 1에 나타낸 것과 같이, 실시예 1 내지 2의 형광체 페이스트를 사용한 VFD는 초기 약 312시간 작동시간까지는 비교예 1에 비해서 휘도 잔존율이 다소 떨어지나, 500시간을 넘는 시간부터는 휘도 잔존율이 비교예 1보다 높음을 알 수 있다.
이 결과는 도 1을 보면 더욱 명확하게 알 수 있으며, 도 1에서 보면, 약 500시간을 초과하여 작동하는 경우 비교예 1은 실시예 1 내지 2에 비하여 휘도 잔존율이 급격하게 저하됨을 알 수 있다.
본 발명의 저전압용 적색 형광체 조성물은 금속 산화물을 더욱 포함함에 따라 장수명 특성을 나타내는 저전압용 디스플레이를 제공할 수 있다.

Claims (4)

  1. SrTiO3: Pr, Al의 형광체;
    텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 금속 산화물; 및
    비히클
    을 포함하는 저전압용 적색 형광체 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물의 첨가량은 상기 형광체 중량 대비 0.1 내지 10 중량%인 저전압용 적색 형광체 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 형광체 조성물은 도전성 물질을 더욱 포함하는 것인 저전압용 적색 형광체 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 도전성 물질은 ZnO, In2O3, SnO2및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 저전압용 적색 형광체 조성물.
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