KR20040070432A - 초소형 전기적·기계적 복합체소자의 제조방법 - Google Patents

초소형 전기적·기계적 복합체소자의 제조방법 Download PDF

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KR20040070432A
KR20040070432A KR10-2003-7011044A KR20037011044A KR20040070432A KR 20040070432 A KR20040070432 A KR 20040070432A KR 20037011044 A KR20037011044 A KR 20037011044A KR 20040070432 A KR20040070432 A KR 20040070432A
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silicate glass
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이케다고이치
기노시타다카시
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명은, 구동측 전극표면의 평탄화를 도모하고, 빔형태의 불균일의 저감, 성능향상 및 성능의 균일성 향상을 도모한 정전구동형 MEMS소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 MEMS소자의 제조방법은, 기판 상에 기판측 전극을 형성하고, 희생층의 형성전 또는 형성후에 유동성막을 형성하고, 다시 평탄화 된 표면 상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하고, 그 후, 희생층을 제거한다.

Description

초소형 전기적·기계적 복합체소자의 제조방법{MEMS element manufacturing method}
미세기술의 진전에 수반하여, 소위 마이크로 머신(MEMS: Micro Electro Mechanical Systems, 초소형 전기적·기계적 복합체)소자 및 MEMS소자를 짜 넣은 소형기기가, 주목되고 있다.
MEMS소자는, 실리콘 기판, 유리 기판 등의 기판상에 미세구조체로서 형성되고, 기계적 구동력을 출력하는 구동체와, 구동체를 제어하는 반도체 집적회로 등을 전기적으로, 또한 기계적으로 결합시킨 소자이다.
MEMS소자의 기본적인 특징은, 기계적 구조로서 구성되어 있는 구동체가 소자의 일부에 짜 넣어져 있는 것이며, 구동체의 구동은, 전극간의 쿨롱(coulomb) 인력 등을 응용하여 전기적으로 행해진다.
도 11 및 도 12는, 빛의 반사나 회절을 이용하고, 광스위치, 광변조 소자에 적용되는 광학 MEMS소자의 대표적인 구성을 나타낸다.
도 11에 나타내는 광학 MEMS소자(1)는, 기판(2)과, 기판(2) 상에 형성한 기판측 전극(3)과, 기판측 전극(3)에 대향하여 평행하게 배치한 구동측 전극(4)을 가지는 빔(梁)(6)과, 이 빔(6)의 일단을 지지하는 지지부(7)를 갖추어 이룬다. 빔(6)과 기판측 전극(3)과는, 그 사이의 공극(8)에 의해 전기적으로 절연되어 있다.
기판(2)은, 예를 들면, 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 등의 반도체 기판 상에 절연막을 형성한 기판, 유리기판과 같은 절연성 기판등의 소요 기판이 이용된다. 기판측 전극(3)은, 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막, 금속막(예를 들면 W증착막)등으로 형성된다.
빔(6)은, 예를 들면 실리콘 질화막(SiN막) 등의 절연막(5)과, 그 상면에 형성된 막두께 100nm정도의 예를 들면 Al막으로 이루는 반사막을 겸하는 구동측 전극(4)으로 구성된다. 이 빔(6)은, 지지부(7)에 그 일단을 지지한, 소위 한쪽 지지형식으로 형성된다.
이 광학 MEMS소자(1)에서는, 기판측 전극(3)과 구동측 전극(4)에 부여하는 전위에 따라서, 빔(6)이 기판측 전극(3)과의 사이의 정전 인력 또는 정전 반발력에 의해 변위하고, 예를 들면 도 11의 실선과 파선으로 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(3)에 대해서 평행상태와 경사상태로 변위한다.
도 12에 나타내는 광학 MEMS소자(11)는, 기판(12)과, 기판(12)상에 형성한 기판측 전극(13)과, 기판측 전극(13)을 브리지형으로 걸치는 빔(14)을 갖추어 이룬다. 빔(14)과 기판측 전극(13)은 그 사이의 공극(8)에 의해 전기적으로 절연되어 있다.
빔(14)은, 기판측 전극(3)을 브리지형으로 걸쳐서 기판(12) 상에 입각하는예를 들면 SiN막으로 이루는 브리지부재(15)와, 기판측 전극(13)에 대향하여 상호 평행하게 브리지부재(15) 상에 설치된, 예를 들면 막두께 100nm정도의 Al막으로 이루는 반사막을 겸하는 구동측 전극(16)으로 구성된다.
기판(12), 기판측 전극(13), 빔(14) 등은, 도 11에서 설명한 것과 동일한 구성, 재료를 채득한다. 빔(14)은, 그 양단이 지지된 소위 양(兩)쪽 지지형식으로 형성된다.
이 광학 MEMS소자(11)에서는, 기판측 전극(3)과 구동측 전극(4)에 부여하는 전위에 따라서, 빔(14)이 기판측 전극(13)과의 사이의 정전 인력 또는 정전 반발력에 의해 변위하고, 예를 들면 도 12의 실선과 파선으로 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(3)에 대해서 평행상태와 오목상태로 변위한다.
이것 등의 광학 MEMS소자(1, 11)는, 광반사막을 겸하는 구동측 전극(4, 16)의 표면에 빛이 조사되고, 빔(4, 14)의 구동위치에 따라서, 그 빛의 반사방향이 다른 것을 이용하여, 일 방향의 반사광을 검출하여 스위치 기능을 지닌, 광스위치로서 적용할 수 있다.
또, 광학 MEMS소자(1, 11)는, 광강도를 변조시키는 광변조 소자로서 적용할 수 있다. 빛의 반사를 이용할 때는, 빔(4, 14)을 진동시켜서 단위 시간당의 일방향의 반사광량으로 광강도를 변조한다. 이 광변조 소자는, 소위 시간변조이다.
빛의 회절을 이용할 때는, 공통의 기판측 기판(3, 13)에 대해서 복수의 빔(6, 14)을 병렬배치하여 광변조 소자를 구성하고, 공통의 기판측 전극(3, 13)에대한 예를 들면 1걸러의 빔(6, 14)의 근접, 이간의 동작에 의해, 광반사막을 겸하는 구동측 전극의 높이를 변위시키고, 빛의 회절에 의해 구동측 전극에서 반사하는 빛의 광강도를 변조한다. 이 광변조 소자는, 소위 공간변조이다.
도 13은, SLM(실리콘 라이트 머신)사가 레이저 디스플레이용 광강도 변환소자, 즉 광변조기로서 개발한 GLV(Grating Light Valve) 디바이스의 구성을 나타낸다.
GLV디바이스(21)는, 도 13a에 나타내는 바와 같이, 유리기판 등의 절연기판(22) 상에 W박막이란 고융점 금속이나 그 질화막, 혹은, 다결정 실리콘 박막에 의한 공통의 기판측 전극(23)이 형성되고, 이 기판측 전극(23)에 교차하여 브리지형으로 걸치는 복수, 본 예에서는 6개의 빔(24)[241, 242,243, 244, 245, 246]이 병렬 배치되어서 이룬다. 기판측 기판(23) 및 빔(24)의 구성은, 상술한 도 11에서 설명한 것과 동일구성이다. 즉, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 빔(24)에서는 예를 들면 SiN막에 의한 브리지부재(25)의 기판측 전극(23)과 평행하는 면상에 막두께 100nm정도의 Al막에 의한 반사막 겸 구동측 전극(26)이 형성되어서 이룬다.
브리지부재(25)와, 그 위에 설치된 반사막 겸 구동측 전극(26)으로 이루는 빔(24)은, 리본으로 통칭되어 있는 부위이다.
빔(24)의 반사막 겸 구동전극(26)으로서 사용한 알루미늄막(Al막)은, (1) 비교적 용이하게 성막할 수 있는 금속인 것, (2) 가시광 영역에서의 반사율의 파장분산이 작은 것, (3) Al막 표면에 생성한 알루미나 자연산화막이 보호막으로 되어 반사면을 보호하는 것등의 이유에서, 광학부품 재료로서 바람직한 금속이다.
또, 브리지부재(25)를 구성하는 SiN막(질화실리콘막)은, 감압 CVD법에 의해 성막된 SiN막이며, 그 강도, 탄성 정수 등의 물리값이, 브리지부재(25)의 기계적 구동에 대해서 적절한 것으로서 선정되어 있다.
기판측 전극(23)과 반사막 겸 구동측 전극(26)과의 사이에 미소전극을 인가하면, 상술한 정전현상에 의해 빔(24)이 기판측 전극(23)으로 향해서 근접하고, 또, 전압의 인가를 정지하면 이간하여 원래의 상태로 복귀한다.
CVL디바이스(21)는, 기판측 전극(23)에 대한 복수의 빔(24)의 근접, 이간의 동작(즉, 1걸러의 빔의 근접, 이간의 동작)에 의해, 광반사막 겸 구동측 전극(26)의 높이를 서로 변화시키고, 빛의 회절에 의해(6개의 빔(24) 전체에 대해서 하나의 광스폿이 조사된다), 구동측 전극(26)에서 반사하는 빛의 강도를 변조한다.
정전 인력 및 정전 반발력을 이용하여 구동하는 빔의 역학적 특성은, CVD법 등에서 성막되는 SiN막의 물성에 의해 거의 결정되고, Al막은 미러로서의 역할이 주이다.
그런데, MEMS소자에 있어서의 기판측 전극은, 상술한 바와 같이 실리콘이나 GaAs 등의 반도체기판 상의 절연층 상, 혹은 유리기판 등의 절연성 기판 상에 형성된다. 그 전극재료로서는, 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막이나 금속막이 사용된다. 그렇지만, 이들의 전극재료는 결정구조를 갖기 때문에, 표면에 요철이 발생한다. 예를 들면, 다결정 실리콘 전극의 경우, AFM(원자간력 현미경) 분석에 의하면, 표면의 조도 RMS(평방 자승평균) 값을 제어하는 것은, 제조공정의 온도제어를 엄밀하게 행함으로써 달성할 수 있는 것이며, 통상의 성막방법과, 종래 실시되어 온 반도체 제조공정을 거친 후에 용이하게 20nm이상의 표면요철을 생성할 수 있는 것이 알려져 있다. 그 정도는 재료나 형성방법에 의존한다.
이 표면요철은, 전기적인 특성이나 MEMS소자의 동작 특성상, 큰 문제로는 되기 어렵지만, 특히, 광학 MEMS소자를 제조할 때에 종종 문제가 되고 있었다. 즉, 상술한 바와 같은 광학 MEMS소자의 기판측 전극은, 광반사막을 겸하는 구동측 전극의 하부에 위치되는 일이 많다. 이 경우, 제조공정에 있어서, 하층막의 표면요철은 상층막에 순차 전사되게 되며, 최상층에 있는 광학적으로 중요한 막표면에는, 확대 전사된 표면요철을 가지는 구동측 전극, 즉 반사막이 형성되게 된다.
MEMS소자의 제조방법의 하나로, 박막의 적층과 그 가공을 반복함으로써 다층구조를 작성하고, 그 후, 다층구조막의 하나의 막을 선택적으로 제거하여 기판측 전극과 빔 사이에 공극을 가지는, 소위 중공구조를 만들도록 한 제법이다. 이 제법을 도 14에 나타낸다. 이 예는, 상술한 도 11의 MEMS소자(1)가 제조에 적용한 경우이다.
우선, 도 14a에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘기판(8)의 상면에 SiO2막등의 절연막(9)을 형성한 기판(2) 상에, 예를 들면 다결정 실리콘막에 의한 기판측 전극(3)을 형성하고, 지지부(7)를 형성한 후, 기판측 전극(3)을 포함하는 면상에 공극 형성용의 희생층(18)을 형성한다. 다음에, 도 14b에 나타내는 바와 같이 지지부(7) 상(上) 및 희생층(18) 상(上)에 빔이 되는 예를 들면 실리콘 질화(SiN)막(5) 및 구동측 전극 재료층의 예를 들면 알루미늄(Al)막(4')을 형성한다. 다음에, 도 14c에 나타내는 바와 같이, 레지스트 마스크(19)를 거쳐서 실리콘 질화막(5) 및 알루미늄막(4')을 패터닝하여 실리콘 질화막(5)과 알루미늄의 구동측 전극(4)으로 이루어지는 빔(6)을 형성한다. 그 후, 도 14d에 나타내는 바와 같이, 희생층(18)을 제거하고 기판측 전극(3)과 빔(6)과의 사이에 공극(8)을 형성하여, MEMS소자(1)를 제조한다.
희생층(18)은, 실리콘(예를 들면 비정질 실리콘, 다결정 실리콘등)이나, 실리콘 산화막이 이용되고 있다. 희생층(18)이 실리콘의 경우는, 예를 들면 질산과 불화수산의 혼합액이나, 불소(F)를 포함하는 가스의 가스 에칭에 의해 제거할 수 있고, 희생층(18)이 산화막의 경우는, 불화수산의 용액이나, 불화 탄소가스를 사용하는 플라즈마 에칭에 의해 제거하는 것이 일반적이다.
이와 같은 기판측 전극(a)과 공극 형성용의 희생층(b)과 반사막을 겸하는 구동측 전극(c)의 3층 구성으로 제작된 광학 MEMS소자에 있어서는, 각각의 막 단독에서의 관측되는 표면요철의 최대값을, Rmax(a), Rmax(b), Rmax(c)로 하면, 3층의 적층막을 형성하였을 때의 최상층의 표면에서는, 이들의 최대치의 합이, 발생할 가능성이 있는 표면 요철량으로 된다.
광학부품의 성능으로 표현하면, 알루미늄(Al)을 반사막으로 하는 광학 MEMS소자에 있어서, Al막의 반사율은 이상적인 벌크 Al막에서는 92%가 얻어질 것이지만, 이 표면요철량의 제어가 행해지지 않으면, 이 반사율은 수% 이상의 열화를 나타내고 85%정도 밖에 얻어지지 않는 것도 있다. 극단의 경우, 표면이 탁해진 것 같이 보일 때도 있다. 이와 같은 광학 MEMS소자는, 예를 들면 도 15(구동부분의 요부의 확대도)에 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(3)을 다결정 실리콘으로 형성한 경우, 그 다결정 실리콘막의 표면의 요철이 확대하고 빔(Al/SiN적층막)(6)을 구성하는 구동측 전극(Al막)(4)의 표면에 전사되어, 구동측 전극을 미러로 하는 광반사율이 열화한다.
또, 설계상의 과제도 있다. MEMS진동자, 즉 빔의 공진주파수는, 진동의 질량이나, 구동부를 지지하는 각 부위의 막의 장력 등에서 설계되지만, 일반적으로 설계시에는 각 막의 물성치는 이상적인 박막상태에서의 물성치를 사용하여 계산, 설계되는 것이 현상이다.
그런데, 예를 들면, 도 16에 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(3)에 0.3㎛의 반구(a)가 존재한 경우, 이 위에 0.5㎛의 희생층(18)을 퇴적하면, 등방적인 성막에서는 1.3㎛지름의 반구(b)가 되며, 또한 그 위에 빔(6)이 퇴적되고, 빔(6)의 표면의 요철이 확대하게 된다.
빔의 두께가 이 1.3㎛와 비교하여 충분히 두꺼운 경우는, 빔(6)의 요철로서 관측된다. 그러나 빔막 두께가 얇게 되면, 빔(6) 자신의 형태가 변형하고, 예를 들면 접이식 구조를 취하는 것 같이 관측된다(도 17참조).
이 때, MEMS소자는 설계대로의 동작특성이 얻어지지 않는 문제가 발생한다. 도 18은, 그 예를 나타낸 것이다. 빔(6)의 막의 장력을 이용하여 MEMS소자의 구동을 행하는 경우, 빔(6)의 막형태가 장력에 의해 양단에서 인장되면, 사복(蛇腹)구조로 펼쳐지게 되어, 마치 스프링에서 근사되는 물성치가 크게 변동하게 된다.
이와 같이, 기판측 전극 표면의 요철은, 빔의 표면조도 뿐아니라, 공진주파수 등의 MEMS소자 고유 파라미터의 변동의 요인으로 되고 있었다.
본 발명은, 정전구동형의 MEMS소자의 제조방법에 관한 것이다.
도 1a ~ c는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 일 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 1)이다.
도 2a ~ c는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 일 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 2)이다.
도 3a는 도 2d의 요부의 확대 단면도이며, 도 3b는 도 2f의 요부의 확대 단면도이다.
도 4a ~ c는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 1)이다.
도 5a ~ b는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 2)이다.
도 6a ~ c는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 1)이다.
도 7a ~ b는 본 발명에 관계되는 일 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타내는 제조공정도(그 2)이다.
도 8a는 도 4c의 요부의 확대 단면도이며, 도 8b는 도 5e의 요부의 확대 단면도이다.
도 9a는 본 발명의 유동성막의 형성에 적용되는 마스크의 레이아웃 도면이며, 도 9b는 그 단면도이다.
도 10a ~ d는 본 발명에 관계되는 다른 대표적인 정전구동형 MEMS소자의 제조방법의 일 실시형태를 나타내는 제조공정도이다.
도 11은 종래의 설명에 제공하는 광학 MEMS소자의 대표적인 일 예이다.
도 12는 종래의 설명에 제공하는 광학 MEMS소자의 대표적인 다른 예이다.
도 13a는 종래의 GLV디바이스를 나타내는 구성도이며, 도 13b는 그 단면도이다.
도 14a ~ d는 종래의 정전구동형 MEMS소자의 제조방법을 나타내는 제조공정도이다.
도 15는 종래의 광학 MEMS소자의 구동측 전극의 요철을 나타내는 요부의 단면도이다.
도 16은 하층의 요철이 상층에 확대 전사되는 상태의 설명도이다.
도 17은 종래의 제법에서 얻어진 빔의 막 형태를 나타내는 단면도이다.
도 18은 종래의 제법에서 얻어진 빔의 막 형태를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11. 광학 MEMS소자 2,12. 기판
3,13. 기판측 전극 4,16. 구동측 전극
6,14. 빔 7. 지지부
8. 공극 15. 브리지부재
21. GLV디바이스 22. 기판
23. 기판측 전극 24[241~ 246]. 빔
25. 브리지부재 26. 반사막 겸 구동측 전극
31. 기판 32. 반도체 기판
33. 절연막 34. 기판측 전극
35. 유동성막 36. 지지부
37. 희생층 38. 실리콘 질화막
39. 구동측 전극 39'. 구동측 전극 재료층
40. 레지스트 마스크 41. 빔
42,55. 공극 43,44. MEMS소자
46. 보호막 47. MEMS소자
51. 레지스트 마스크 52. 개구
본 발명은, 빔 표면의 평탄화를 도모하고, 빔 형태의 불균일을 저감하고, 성능향상 및 성능의 균일성 향상을 도모한 MEMS소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 관계되는 MEMS소자의 제조방법은, 기판 상에 기판측 전극을 형성하는 공정과, 기판측 전극 상에 유동성막을 형성하고, 이 유동성막의 평탄화 된표면 상에 희생층을 형성하는 공정과, 희생층 상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하는 공정과, 희생층을 제거하는 공정을 갖는다.
본 발명에 관계되는 MEMS소자의 제조방법은, 기판 상에 기판측 전극을 형성하는 공정과, 기판측 전극 상에, 보호막을 거쳐서 또는 개재하지 않고 희생층을 형성하는 공정과, 희생층 상에 유동성막을 형성하고, 이 유동성막의 평탄화 된표면상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하는 공정과, 희생층을 제거하는 공정을 갖는다.
상기 유동성막으로서는, 단차 피복형태가 유동형태로 되는 실리케이트 유리막을 이용할 수 있다. 실리케이트 유리막을 인, 붕소, 또는 양자를 포함하는 실리케이트 유리막으로 형성하고, 이 실리케이트 유리막의 퇴적 후에 열처리하여 상기 실리케이트 유리막의 표면을 평탄화 할 수 있다.
실리케이트 유리막을, 오존과 알콕시실란을 원료로 한 CVD법에 의한 실리콘 산화막으로 형성할 수 있다.
본 발명의 MEMS소자의 제조방법에서는, 기판 상에 기판측 전극을 형성한 후, 기판측 전극 상에 유동성막을 형성하고, 그 유동성막의 평탄화 된표면 상에 희생층, 빔을 순차 퇴적하므로, 빔 표면이 요철이 없는 평탄면이 된다. 그 후, 희생층을 제거하므로, 표면이 평탄화 된 구동측 전극을 가지는 빔을 기판측 전극에 대해서 소요의 공극을 갖고 형성할 수 있다.
또, 본 발명의 MEMS소자의 다른 제조방법에서는, 기판 상에 기판측 전극을 형성한 후, 기판측 전극에 보호막을 개재하고 또는 개재하지 않고 희생층을 형성하고, 이어서 희생층 상에 유동성막을 형성하고, 그 유동성막의 평탄화 된 표면 상에 빔을 형성하므로, 빔 표면이 요철이 없는 평탄면이 된다. 그 후, 희생층을 제거하므로, 표면이 평탄화 된 구동측 전극을 가지는 빔을 기판측 전극에 대해서 소요의 공극을 갖고 형성할 수 있다.
상술한 본 발명에 관계되는 MEMS소자의 제조방법에 의하면, 희생층의 퇴적 전, 또는 퇴적 후에 유동성막을 형성하고, 유동성막의 유동화로 평탄화 된 막 상에 빔을 구성하는 절연막, 구동측 전극을 형성하므로, 최종적으로 표면이 평탄화 된 빔을 형성할 수 있다. 따라서, 빔막의 균일성이 얻어지는 빔의 막형태의 불균일을 저감할 수 있고, 빔의 물성치를 크게 변동하지 않는다. 또, 빔의 표면요철을 없애는 동시에, 빔의 진동특성의 불균일을 저감할 수 있으므로, MEMS소자의 성능의 균일성을 높이고, 고품질의 MEMS소자의 대량생산을 가능하게 한다. 본 발명의 제법으로 제조된 MEMS소자는, 빛의 반사 혹은 회절을 이용한, 예를 들면 광스위치, 혹은 광변조소자 등에 이용되는 광학 MEMS소자에 적용할 때는, 광반사막에 겸용되는 구동측 전극에서의 광반사율이 향상하고, 광학 MEMS소자로서의 광 이용효율의 향상을 도모할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1 ~ 도 3은, 본 발명의 MEMS소자의 제조방법의 일 실시형태를 나타낸다. 본 예는 대표적인 정전구동형의 MEMS소자의 제조에 적용한 경우이다.
우선, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 기판, 본 예에서는 반도체 기판(32) 상에 절연막(33)을 형성한 기판(31) 상에, 기판측 전극(34)을 형성한다. 반도체 기판(32)은, 예를 들면 실리콘(Si) 기판, 갈륨비소(GaAs) 기판 등을 이용할 수 있고, 절연막(33)은, 실리콘 산화(SiO2)막, 실리콘 질화(SiN)막 등으로 형성할 수 있다. 기판측 전극(34)은, 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막, 금속막 등으로 형성할 수 있고, 본 예에서는 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막으로 형성한다. 다결정 실리콘막에 의한 기판측 전극(34)의 표면(34a)은, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 현저한 요철을 갖고 있다.
다음에, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(34) 상을 포함하는 전면에 유동화에 의해 표면이 평탄화 된 유동성막(35)을 생성한다.
이 유동성막(35)은, 다음과 같이 하여 형성할 수 있다.
예를 들면, 유동성막(35)으로서, 인(燐) 도프 혹은 붕소 도프, 혹은 이 양자(인과 붕소)를 도프한 실리콘 산화막, 소위 PSG(인 실리케이트 유리)막, BSG(붕소 실리케이트 유리)막, 혹은 PBSG(인 붕소 실리케이트 유리), 막을 CVD(화하기상성장)법에 의해 형성한다. 도입하는 인, 붕소의 농도는 각각 7wt%정도로 할 수 있고, 각각 단일체를 도프한 것, 양자를 도프한 상기의 실리케이트 유리막을 사용할 수 있다. 이와 같은 불순물 도프의 실리케이트 유리막에 의한 유동성막(35)을 형성한 후, 750℃ 이상의 온도에서 아닐처리를 행하여 유동화 하고, 유동성막(35)의 표면을 평탄화 한다. CVD는, 실란가스 50cc/분과 N20가스 100cc/분을 반응가스로 한 핫 월 타입(hot wall type)의 CVD에 의해 행한다. 인을 도프하는 원료는, PH3를 사용하고, 붕소를 도프하는 원료는, B2, H6를 사용한다. 아닐은, 예를 들면 질소가스 분위기에서 850℃, 30분 행할 수 있다.
다른 예로서는, 유동성막(35)인 실리케이트 유리막을 오존과 알콕시실란을 원료로 한 CVD법에 의한 실리콘 산화막으로 형성할 수 있다. 예를 들면, TEOS(테트라 에톡시실란)와 오존을 원료로 하는 상압 CVD법에 의해 실리콘 산화막을 형성한다. 성막조건으로서는, 유량을 TEOS : 40cc/분, 오존 : 350cc/분 정도로 하고, 오존을 수송하기 위한 산소, 희석질소를 이용하여, 기판온도를 350℃정도로 설정한다. TEOS/오존을 원료로 한 CVD에서는, 유동화하면서 성막되고, 유동성막(35)을 성막한 상태에서 이미 표면은 평활화 하고 있다. 이 실리케이트 유리막은 논도프막으로 형성할 수 있고, 불순물 도프막(예를 들면, BSG막, PSG막)으로 형성할 수 있다. TEOS/오존에 의한 CVD의 특징으로서, 단차기판 상으로의 피복형태가 상기 예에서 나타낸 BSG막, PSG막, BPSG막과 동일한 유동형태가 얻어지는 것을 예로 들 수 있다. 본 예에 있어서도, 퇴적된 논도프의 2산화 실리콘막은, 기판측 전극(23) 표면의 요철을 평탄화 하고, 상당히 평활한 화면을 얻을 수 있었다. 기타의 물성, 막특성에서는, 상기 예의 불순물 도프의 실리케이트막과, 오존 TEOSCVD 산화막에서 큰 차이가 없고, 어떠한 방법에서도 후술하는 소망의 MEMS소자가 얻어진다. 본 예에서는, TEOS를 이용하였으나, 기타의, 예를 들면 테트라 메톡시실란, 테트라 이소프로폭시실란 등의 알콕시실란을 이용하여도 좋다. 또한, 알콕시실란의 탄소수가 커지면 유동형태가 얻어지기 어렵게 되기 때문에, 소망의 표면평활도를 얻기 위해 보다 두꺼운 막이 필요하게 된다. 또, 불화 트리에톡시실란[(C2H50)3CF] 등의 붕소 함유원료를 사용하여도 좋다. 그 경우에도 동일한 구조가 얻어지고, 다시 퇴적되는 막이 불소를 함유하기 때문에, 저유전율막을 얻을 수 있는 부가가치가 발생하고, MEMS소자의 특성 향상에 기여한다.
다음에, 도 1c에 나타내는 바와 같이, 유동성막(35)의 상면에 지지부가 되는 실리콘 질화(SiN)막, 실리콘 산화(SiO2)막 등의 절연막, 본 예에서는 실리콘 질화막을 CVD법 등에 의해 성막하고, 패터닝하여 기판측 전극(34)에서 떨어진 위치에 실리콘 질화막에 의한 지지부(36)를 형성한다.
다음에, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 전면에 공극 형성용의 희생층, 본 예에서는 비정질 실리콘층(37)을 형성하고, 지지부(36)의 면과 동일면이 되도록 비정질 실리콘층(37)을 에치백한다. 또한, 희생층(37)으로서는, 비정질 외, 비정질 실리콘막, 포토레지스트막 혹은 지지부(36)와 후술한 빔을 구성하는 절연막과 에칭레이트의 다른 절연막(예를 들면 실리콘 산화막, 실리콘 질화막등)등을 이용할 수 있다. 그렇지만, MEMS소자의 성능을 향상할 목적을 위해서는, 희생층에 이용하는 막 자신의 입자지름의 성장을 억제하면서, 막 종류를 선택하지 않으면, 본 발명에 의해, 평탄화를 달성한 하부전극/유동성막의 효과가 소실되게 되는 일이 있으므로 주의가 필요하다.
이어서, 지지부(36) 및 희생층인 비정질 실리콘층(37) 위를 포함하여 전면에, 예를 들면 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 등의 절연막, 본 예에서는 실리콘 질화막(38)을 형성하고, 또한 그 위에 구동측 전극재료층(39'), 본 예에서는 A1재료층을 형성한다. 도 3a는, 그 확대한 요부를 나타낸다. 구동측 전극재료층으로서는, 은 Ag막, 알루미늄(Al) 주성분으로 하는 Al막, 혹은 티탄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 등의 고융점 금속막 등을 이용할 수 있다.
다음에, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 레지스트 마스크(40)를 형성하고, 이 레지스트 마스크(40)를 거쳐서 구동측 전극재료층(39') 및 그 아래의 실리콘 질화막(38)을 선택적으로 에칭 제거하고 지지부(36)에 지지되는, 구동측전극(Al전극)(39) 및 실리콘 질화막(38)으로 이루는 빔(41)을 형성한다.
다음에, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 희생층인 다결정 실리콘층(37)을 예를 들면 XeF2가스에 의한 가스에칭에 의해, 제거하고 기판측 전극(34)(실질적으로는 유동성막(35))과 빔(41)과의 사이에 공극(42)을 형성하고, 빔(41)을 한쪽 지지교량식으로 구성한 목적의 정전형의 MEMS소자(43)를 얻는다. 도 3b는 그 확대한 빔(41)을 포함하는 요부를 나타낸다.
이 MEMS소자(43)는, 요철이 현저한 기판측 전극(34)의 표면에 보호막을 겸하는 표면이 평탄한 유동성막(35)을 가지며, 또한 유동성막(35)에서 소요의 공극(42)만큼 떨어져서 표면 및 유동성막에 대향하는 이면이 평탄화 된 빔(41)을 갖도록 구성된다.
본 실시형태에 관계되는 MEMS소자의 제조방법에 의하면, 다결정 실리콘에 의한 기판측 전극(34)을 형성한 후, 유동성막(35)을 형성하고, 그 표면(35a)이 평탄화 된 유동성막(35) 상에 순서로 희생층(37), 빔을 구성하는 실리콘 질화막(38) 및 구동측 전극재료층(39')을 퇴적함으로써, 희생층(37)의 표면, 실리콘 질화막(38)의 표면, 구동측 전극재료층(39')의 표면은 평탄화되어서, 최종적으로 표면이 평탄화 된 빔(41)을 형성할 수 있다. 즉, 예를 들면 구동측 전극(39)을 Al막에서 형성할 때는, Al막 표면은 Al막의 결정그레인에 의한 요철만큼이 반영되게 된다. 그 결과, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 평탄성이 양호한 빔(41)이 형성된다.
따라서, 빔(41)의 막의 균일성이 얻어지는 빔의 막형태의 불균일을 저감할 수 있고, 빔의 물성치를 크게 변동하지 않는다. 빔의 막 전체에서의 흔들림이없는 MEMS소자를 얻을 수 있다.
또, 빔(41)의 표면요철을 없애는 동시에, 빔(41)의 진동수 등의 불균일을 저감할 수 있으므로, MEMS소자의 성능의 균일성을 높이고, 고품질의 MEMS소자(43)의 대량생산을 가능하게 한다.
본 실시형태에서 제조된 MEMS소자(43)를, 빛의 반사 혹은 회절을 이용한, 예를 들면 광스위치, 혹은 광변조소자 등에 이용되는 광학 MEMS소자에 적용할 때는, 광반사막에 겸용되는 구동측 전극(39)에서의 광반사율이 향상하고, 광학 MEMS소자로서의 광이용 효율의 향상을 도모할 수 있다.
상술한 실시형태에서는, 지지부(36)를 패터닝에 의해 형성하였으나, 이 지지부의 형성방법에 대해서, 다시 또 하나의 방법을 나타낸다. 도 4 ~ 도 5는 이 방법을 채용한 발명의 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타낸다.
우선, 도 1b와 동일하게, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 반도체 기판(32) 상에 절연막(33)을 형성한 기판(31) 상에, 패터닝된 기판측 전극(34)을 형성하고, 기판측 전극(34) 상에 유동성막(35)을 퇴적한다. 이어서, 평탄화한 기판 전면에 대해서, 희생층이 되는 예를 들면 비정질 실리콘막(50)을 퇴적한다.
다음에, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 비정질 실리콘막(50)의 소정부분, 즉 후에 형성되는 빔을 지지하는 지지부(지주: 포스트)에 대응하는 부분에 개구멍부(開孔部)(51)를 형성한다.
다음에, 도 4c에 나타내는 바와 같이, 개구멍부(51) 속을 포함하여 비정질 실리콘막(50) 상에, 절연막(예를 들면 실리콘 질화막)(38)과, 그 위에 구동측 전극재료층(예를 들면 Al재)(39')로 이루어지는 Al/SiN적층막을 형성한다. 여기서, 개구멍부(51)의 측벽에 형성된 Al/SiN적층막은, 그 대로 빔을 지지하는 지지부(52), 즉 중심이 공동(空洞)이 된 원주 내지는 각주의 포스트가 된다.
다음에, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 실리콘 질화막(38) 및 비정질 실리콘막(39')에 의한 Al/SiN적층막을 패터닝하여 실리콘 질화막(38) 및 그 위의 구동측 전극(39)으로 이루는 빔(41)을 형성한다. 이어서, 희생층인 비정질 실리콘막을 제거하고, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 목적의 MEMS소자(44)를 얻는다. 도 5b에서는, 지지부(52)에서 일방향의 빔(41)을 길게 하고 있으므로, 소위 한쪽 지지 형식의 MEMS구조를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 있어서도, 상술한 도 1 ~ 도 3의 제법과 동일한 효과가 얻어진다. 또, 본 실시형태에서 제조된 MEMS소자(44)도, 상술한 MEMS소자(43)와 동일하게, 예를 들면 광스위치, 광변조소자 등에 이용되는 광학 MEMS소자에 적용하여 호적하다.
도 6 ~ 도 8은, 본 발명의 MEMS소자의 제조방법의 다른 실시형태를 나타낸다. 본 예도 상술과 동일한 빔을 한쪽 지지교량식으로 한 대표적인 정전구동형의 MEMS소자의 제조에 적용한 경우이다.
우선, 도 6a에 나타내는 바와 같이, 기판, 본 예에서는 실리콘 반도체 기판(32) 상에 실리콘 산화(SiO2)막 등의 절연막(33)을 형성한 기판(31) 위에, 기판측 전극(34)을 형성한다. 기판측 전극(34)은, 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막, 금속막 등에서 형성할 수 있고, 본 예에서는 불순물을 도핑한 다결정 실리콘막에서 형성한다. 다결정 실리콘막에 의한 기판측 전극(34)의 표면(34a)은, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 현저한 요철을 갖고 있다.
다음에, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(34)의 표면에 절연막에 의한 보호막, 본 예에서는 실리콘 산화(SiO2)막(46)을 형성한 후, 기판(31)의 면상에 지지부가 되는 실리콘 질화(SiN)막, 실리콘 산화(SiO2)막 등의 절연막, 본 예에서는 실리콘 질화막을 CVD법 등에 의해 성막하고, 패터닝하여 기판측 전극(34)에서 떨어진 위치에 실리콘 질화막에 의한 지지부(36)를 형성한다.
이어서, 전면에 공극형성용의 희생층, 본 예에서는 다정질 실리콘층(37)을 형성하고, 지지부(36)의 면과 동일면이 되도록 다정질 실리콘층(37)을 에치백한다. 또한, 희생층(37)으로서는 상술과 동일하게 다결정 실리콘막 이외, 비정질 실리콘막, 포토레지스트막 혹은 지지부(36)와 후술한 빔을 구성하는 절연막과 에칭레이트가 다른 절연막(예를 들면 실리콘 산화막, 실리콘 질화막등) 등을 이용할 수 있다.
다음에, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 지지부(36) 및 희생층인 다결정 실리콘층(37) 위를 포함하고 전면에, 상술과 동일한 유동화에 의해 표면이 평탄화 된 유동성막(35)을 형성한다. 이 유동성막(35)은, 상술과 동일하게 불순물을 도프한 실리케이트 유리막(예를 들면, BSG막, PSG막, PBSG막 등)을 형성한 후에 아닐처리하여 형성하는 방법으로, 혹은 오존과 알콕시실란을 원료로 한 CVD법에 의한 실리콘막에서 형성할 수 있다.
이 유동성막(35) 상에 예를 들면 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 등의 절연막, 본 예에서는 실리콘 질화막(38)을 형성하고, 또한 그 위에 구동측 전극재료층(39'), 본 예에서는 Al재료층을 형성한다.
도 8a는, 그 확대한 요부를 나타낸다. 구동측 전극재료층으로서는, 상술과 동일하게 Ag막, 알루미늄(Al) 주성분으로 하는 Al막, 혹은 티탄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 등의 고융점 금속막 등을 이용할 수 있다.
다음에, 도 7a에 나타내는 바와 같이, 레지스트 마스크(40)를 형성하고, 이 레지스트 마스크(40)를 거쳐서 구동측 전극재료층(39') 및 그 아래의 실리콘 질화막(38), 유동성막(35)을 선택적으로 에칭 제거하여 지지부(36)에 지지되는, 구동측 전극(Al전극)(39) 및 실리콘 질화막(38)으로 이루는 빔(41)을 형성한다. 본 예에서는 유동성막(35)을 남도록 하고 있으므로, 빔(41)은 구동측 전극(39), 실리콘 질화막(38) 및 유동성막(35)의 3층막으로 형성된다.
다음에, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 희생층인 다결정 실리콘층(37)을 제거한다. 희생층(37)을 다결정 실리콘으로 형성한 경우에는, 상술한 바와 같이 XeF2가스에 의한 가스 에칭을 이용하여 용이하게 제거할 수 있다. 희생층(37)의 제거에 의해 기판측 전극(34)(실질적으로는 보호막(46))과 빔(41)과의 사이에 공극(42)을 형성하고, 빔을 한쪽 지지교량식으로 구성한 목적의 정전형의 MEMS소자(47)를 얻는다. 도 8b는 확대한 빔(41)을 포함하는 요부를 나타낸다.
이 MEMS소자(47)는, 요철이 현저한 기판측 전극(34)(실질적으로는 보호막( 46))에서 소요의 공극(42)만큼 떨어져서, 표면 및 유동성막으로 대향하는 이면이 평탄화 된 빔(41)을 갖도록 구성된다.
실리케이트 유리에 의한 유동성막(35)의 막 응력은, 실리콘 질화막과 비교하여 충분히 작으므로, 사용양태에 의해서는 본 예와 같이 빔(41) 하면의 유동성막(35)을 남길 수 있다. 기타, 유동성막(35)을 희(希) 플루오르화 수소산용액을 이용해서 제거하고, 초(超) 임계건조하여 구동측 전극(39)과 실리콘 질화막(38)의 2층막에서 빔(41)을 형성할 수도 있다.
상기 예에서는, 기판측 전극(34)을 다결정 실리콘으로 형성하고, 희생층(37)을 실리콘으로 형성하기 위해, 기판측 전극(34)의 표면에 에칭 스토퍼를 겸하는 보호층(46)을 형성하였지만, 희생층(37)의 재료에 의해서는, 이 보호층(46)을 생략할 수 있다.
여기서는, 희생층 박막재료에 하지 요철을 정확히 전사할 수 있는 비정질 실리콘을 사용하였기 때문에, 유동성막(35)의 기판측 전극(34)에 대면하는 하면과 기판측 전극(34) 상의 절연막(46)의 표면의 요철은, 조합되도록 한 개념도를 나타내었으나, 희생층 박막재료에 예를 들면 다결정 실리콘을 사용하면, 다결정 실리콘 자신의 입자지름 분포가 있기 때문에, 유동성막(35) 하면쪽이 크게 꾸불꾸불한 구조가 된다.
본 실시형태에 관계되는 MEMS소자의 제조방법에 의하면, 다결정 실리콘에 의한 기판측 전극(34), 보호층(46), 희생층(37)을 형성한 후, 유동성막(35)을 형성하고, 그 표면(35a)이 평탄화 된 유동성막(35) 상에 순서로 빔을 구성하는 실리콘 질화막(38) 및 구동측 전극재료층(39')을 퇴적함으로써, 상술한 실시형태와 동일하게, 실리콘 질화막(38)의 표면, 구동측 전극재료층(39')의 표면은 평탄화 되고, 최종적으로 표면이 평탄화 된 빔(41)을 형성할 수 있다.
따라서, 빔(41)의 막의 균일성이 얻어져 빔의 막형태의 불균일을 저감할 수 있고, 빔의 물성값을 크게 변동하지 않는다. 빔의 막 전체에서의 흔들림이 없는 MEMS소자를 얻을 수 있다. 또, 빔(41)의 표면요철을 없애는 동시에, 빔(41)의 진동수 등의 불균일을 저감할 수 있으므로, MEMS소자의 성능의 균일성을 높이고, 고품질의 MEMS소자(43)의 대량생산을 가능하게 한다.
본 실시형태에서 제조된 MEMS소자(47)를 빛의 반사 혹은 회절을 이용한, 예를 들면 광스위치, 혹은 광변조소자 등에 이용되는 광학 MEMS소자에 적용할 때는, 광반사막에 겸용되는 구동측 전극(39)에서의 광반사율이 향상하고, 광학 MEMS소자로서의 광 이용효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 있어서의 유동성막(35)은, 적어도 빔(41)에 대응한 부분의 아래에만 형성하면 좋다. 따라서, 도 9a, 9b에 나타내는 바와 같이, 기판측 전극(34) 상을 포함하고 빔(41)에 대응하는 부분에 유동성막(35)을 형성하기 위해서는, 레지스트 마스크(51)를 형성한다. 도면부호(52) 부분은 개구이다. 이 레지스트 패턴을 사용하여, 구동측 전극(34)을 덮도록, 유동성막(35)을 에칭함으로써 도 9b의 단면구조를 얻는다. 이 것으로, 표면이 평탄한 구동측 전극(39)을 가지는 빔(41)을 형성할 수 있다.
상술한 실시형태에서는, 빔이 한쪽 지지교량식의 MEMS소자의 제조에 적용하였으나, 기타, 상술한 도 12에 나타내는 빔이 브리지식의 MEMS소자의 제조에도 적용할 수 있다.
도 10은, 본 발명의 제조방법을 빔을 양쪽 지지교량식으로 한 MEMS소자의 제조에 적용한 경우이다. 본 예는 도 1 ~ 도 2의 공정을 적용한 경우이다.
우선, 도 10a에 나타내는 바와 같이, 기판, 본 예에서는 반도체기판(32) 상에 절연막(33)을 형성한 기판(31) 상에, 예를 들면 다결절 실리콘에 의한 기판측 전극(34)을 형성한다. 이어서, 기판측 전극(34)을 포함하는 기판(31) 상에 상술과 동일한 유동화에 의해 표면이 평탄화 된 유동성막(35)을 형성한다.
다음에, 도 10b에 나타내는 바와 같이, 평탄화 된 유동성막(35) 상에 기판측 전극(34)의 위치에 대응하도록, 선택적으로 공극 형성용의 희생층(37)을 형성한다.
다음에, 도 10c에 나타내는 바와 같이, 희생층(37) 위 및 유동성막(35) 위를 포함하고 절연막의 예를 들면 실리콘 질화막(38) 및 구동측 전극재료(39')의 예를 들면 Al막을 순차 형성하여 패터닝하고, 구동측 전극(36) 및 그 아래의 브리지부가 되는 실리콘 질화막(38)으로 이루는 양쪽 지지교량식의 빔(54)을 형성한다.
다음에, 도 10d에 나타내는 바와 같이, 희생층(37)을 제거하고, 기판측 전극(실질적으로는 유동성막)(34)과 빔(54)과의 사이에 공극(55)을 형성하여, 빔(54)을 브리지형으로 형성한 목적의 정전 구동형의 MEMS소자(56)를 얻는다.
또한, 도시하지 않았으나, 빔을 양쪽 지지교량식으로 한 MEMS소자는, 도 6 ~ 도 7의 공정을 이용하여 제조하는 것도 가능하다.
도 10에 나타내는 MEMS소자의 제조방법에 있어서도, 상술한 실시형태와 동일한 효과를 나타낸다.
본 발명의 MEMS소자의 제조방법은, 도시하지 않았으나 상술한GLV디바이스(21)의 제조에도 적용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 기판측 전극을 형성하는 공정과, 상기 기판측 전극 상에 유동성막을 형성하고, 이 유동성막의 평탄화 된 표면상에 희생층을 형성하는 공정과, 상기 희생층 상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  2. 기판 상에 기판측 전극을 형성하는 공정과, 상기 기판측 전극 상에, 보호막을 거쳐서 또는 거치지 않고서 희생층을 형성하는 공정과, 상기 희생층 상에 유동성막을 형성하고, 이 유동성막의 평탄화 된 표면 상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 유동성막에 단차 피복형태가 유동형태가 되는 실리케이트 유리막을 이용하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 유동성막에 단차 피복형태가 유동형태가 되는 실리케이트 유리막을 이용하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 실리케이트 유리막을, 인, 붕소 또는 양자를 함유하는 실리케이트 유리막으로 형성하고, 이 실리케이트 유리막의 퇴적 후에 열처리하여 상기 실리케이트 유리막의 표면을 평탄화 하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 실리케이트 유리막을, 인, 붕소 또는 양자를 함유하는 실리케이트 유리막으로 형성하고, 이 실리케이트 유리막의 퇴적 후에 열처리하여 상기 실리케이트 유리막의 표면을 평탄화 하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 실리케이트 유리막을, 오존과 알콕시실란을 원료로 한 CVD법에 의한 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 실리케이트 유리막을, 오존과 알콕시실란을 원료로 한 CVD법에 의한 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 MEMS소자의 제조방법.
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