KR20040060546A - manufacturing method of electric programable mask - Google Patents

manufacturing method of electric programable mask Download PDF

Info

Publication number
KR20040060546A
KR20040060546A KR1020020087353A KR20020087353A KR20040060546A KR 20040060546 A KR20040060546 A KR 20040060546A KR 1020020087353 A KR1020020087353 A KR 1020020087353A KR 20020087353 A KR20020087353 A KR 20020087353A KR 20040060546 A KR20040060546 A KR 20040060546A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
manufacturing
liquid crystal
depositing
predetermined thickness
Prior art date
Application number
KR1020020087353A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김홍래
Original Assignee
동부전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부전자 주식회사 filed Critical 동부전자 주식회사
Priority to KR1020020087353A priority Critical patent/KR20040060546A/en
Publication of KR20040060546A publication Critical patent/KR20040060546A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Abstract

PURPOSE: A method of manufacturing an electrically programmable mask for a semiconductor device is provided to reduce development period of a new semiconductor device and to economize remarkably fabrication cost of the mask by applying directly a changed design of mask pattern. CONSTITUTION: Liquid crystal is coated on a quartz plate after a cleaning process. A silicon oxide layer is deposited on the liquid crystal. Metal or polysilicon is deposited on the oxide layer. A metal or polysilicon pattern is formed by using etching. A protection layer is deposited on the metal or polysilicon pattern. CAD data of a mask pattern is transformed into an electrical signal and the electrical signal is transmitted to the liquid crystal.

Description

전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법{manufacturing method of electric programable mask}Manufacturing method of electric programable mask for semiconductor manufacture

본 발명은 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 노광 장비에 장착하여 사용시 패턴이 변경될 때마다 제작하여 사용하는 불편함을 제거하고, 디자인 데이터를 바로 노광장비에서 전기적 마스크에 전달하여 마스크 역할을 할 수 있는 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an electrically programmable mask for manufacturing a semiconductor, and in more detail, it is mounted on an exposure apparatus to remove the inconvenience of manufacturing and using every time a pattern is changed, and design data is directly exposed to an exposure apparatus. The present invention relates to a method for manufacturing a mask for manufacturing an electrically programmable semiconductor that can serve as a mask by transferring to an electrical mask.

도1을 참조하면, 종래 반도체 제조용 마스크 제조 방법에 도시되어 있다.Referring to Fig. 1, a conventional method for manufacturing a mask for semiconductor manufacturing is shown.

도시된 바와 같이 종래의 마스크 제조 방법은 대략 판상의 석영 원판(통상적으로 6인치)을 준비하는 단계와, 상기 석영 원판의 표면에 일정 두께의 크롬(Cr)을 증착하는 단계와, 상기 크롬(Cr)의 표면에 일정 두께의 포토레지스트를 코팅하는단계와, 상기 포토레지스트 표면에 전자빔 또는 레이저를 조사하여 노광하는 단계와, 상기 노광 영역 및 비노광 영역의 물리화학적 성질이 완전히 변경되도록 현상하는 단계와, 상기 노광 영역 또는 비노광 영역을 제거하는 에칭 단계와, 각종 화학 물질을 제거하는 세정 단계와, 결함 여부를 검사하는 단계로 이루어져 있다.As shown, a conventional mask manufacturing method includes preparing a substantially plate-shaped quartz disc (typically 6 inches), depositing chromium (Cr) of a predetermined thickness on the surface of the quartz disc, and the chromium (Cr). Coating a photoresist having a predetermined thickness on the surface of the photoresist, exposing the surface of the photoresist by irradiating an electron beam or laser, and developing the physicochemical properties of the exposed and non-exposed areas to be completely changed. The etching step removes the exposed or non-exposed areas, the cleaning step removes various chemical substances, and the step of inspecting for defects.

한편, 여기서 상기 노광 전에 마스크 패턴을 CAD(Computer Aided Data)로 디자인한 데이터는 전자빔 장비나 레이저 장비가 노광할 수 있도록 MEBES(MEBES : Manufacturing Electronic Beam Exposure System) 파일로 전환되는 과정이 이루어진다.Meanwhile, the data in which the mask pattern is designed as CAD (Computer Aided Data) before the exposure is converted into a MEBES (manufacturing electronic beam exposure system) file so that the electron beam equipment or the laser equipment can be exposed.

그러나 이러한 종래의 마스크는 매번 디자인이 변경될때마다 칩 메이커(chip maker)에서 마스크 제작 업체에 디자인된 캐드 데이터를 일일이 보내어 제작하는 불편한 문제점이 있다. 또한, 이와 같은 과정에 의해 새로운 소자의 개발 시간이 오래 걸리고, 칩 메이커 입장에서는 마스크 제작 비용이 고가로 되는 문제도 있다.However, such a conventional mask has an uncomfortable problem of sending a CAD data designed to a mask manufacturer from a chip maker every time a design is changed. In addition, such a process takes a long time to develop a new device, and there is a problem in that a mask manufacturing cost becomes expensive for a chip maker.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 노광 장비에 장착하여 사용시 패턴이 변경될 때마다 제작하여 사용하는 불편함을 제거하고, 디자인 데이터를 바로 노광장비에서 전기적 마스크에 전달하여 마스크 역할을 할 수 있는 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법을 제공하는데 있다.The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to remove the inconvenience to manufacture and use every time the pattern is changed when used in the exposure equipment, the design data directly from the exposure equipment electrical mask The present invention provides a method of manufacturing a mask for a semiconductor manufacturing that can be electrically programmed to serve as a mask.

도1은 종래의 반도체 제조용 마스크 제조 방법을 도시한 설명도이다.1 is an explanatory diagram showing a conventional method for manufacturing a mask for semiconductor manufacturing.

도2는 본 발명에 의한 반도체 제조용 마스크 제조 방법을 도시한 설명도이다.2 is an explanatory diagram showing a method for manufacturing a mask for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 판상의 석영 원판을 준비하는 단계와, 상기 석영 원판의 표면에 일정 두께의 크롬(Cr)을 증착하는 단계와, 상기 크롬(Cr)의 표면에 일정 두께의 포토레지스트를 코팅하는 단계와, 상기 포토레지스트 표면에 전자빔 또는 레이저를 조사하여 노광하는 단계와, 상기 노광 영역 및 비노광 영역의 물리화학적 성질이 완전히 변경되도록 현상하는 단계와, 상기 노광 영역 또는 비노광 영역을 제거하는 에칭 단계와, 각종 화학 물질을 제거하는 세정 단계로 이루어진 반도체 제조용 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 세정 단계 후에는 전기적 신호에 따라 빛에 대한 극성이 변경되는 일정 두께의 액정을 코팅하는 단계와, 상기 액정의 표면에 일정 두께의 실리콘 산화막을 증착하는 단계와, 상기 산화막 위에 일정 두께의 금속 또는 폴리를 증착하는 단계와, 상기 금속 또는 폴리를 소정 패턴으로 에칭하는 단계와, 상기 금속 또는 폴리의 표면에 보호막을 증착하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of preparing a plate-shaped quartz disc, the step of depositing a predetermined thickness of chromium (Cr) on the surface of the quartz disc, the surface of the chromium (Cr) of a predetermined thickness Coating a photoresist, irradiating an electron beam or a laser onto the surface of the photoresist, developing the physicochemical properties of the exposed and non-exposed areas to be completely changed, and exposing the exposed or non-exposed areas In the method of manufacturing a mask for a semiconductor manufacturing comprising an etching step to remove the region, and a cleaning step to remove various chemicals, after the cleaning step to coat a liquid crystal of a predetermined thickness that the polarity of the light is changed according to the electrical signal Depositing a silicon oxide film having a predetermined thickness on a surface of the liquid crystal; and depositing a predetermined thickness of gold on the oxide film. Depositing a core or poly, etching the metal or poly in a predetermined pattern, and depositing a protective film on the surface of the metal or poly.

여기서, 상기 액정 코팅 단계 후에는 마스크 패턴이 캐드로 디자인된 데이터를 각 픽셀의 액정에 전기적 신호로 변경하여 전달하는 단계가 더 포함된다.Here, after the liquid crystal coating step, the mask pattern may further include converting data designed as a CAD into an electric signal to the liquid crystal of each pixel.

또한, 상기 보호막 증착 단계에서 형성된 보호막은 실리콘 산화막일 수 있다.In addition, the protective film formed in the protective film deposition step may be a silicon oxide film.

이와 같이하여 본 발명에 의한 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법은, 초기 마스크 제조 비용은 비록 고가이지만 한번에 동일하게 여러개를 제작하여 사용할 수 있고, 또한 한개의 마스크를 이용하여 변경된 디자인을 즉시 적용할 수 있기 때문에 새로운 반소체 소자의 개발 시간을 단축하고, 더불어 칩 메이커 입장에서는 마스크의 제조 비용을 획기적으로 절감할 수 있는 장점이있다.In this manner, in the method of manufacturing an electrically programmable mask for semiconductor manufacturing according to the present invention, although the initial mask manufacturing cost is expensive, it is possible to manufacture and use several pieces at the same time, and also immediately apply a changed design using one mask. This can shorten the development time of new semi-elements and can dramatically reduce the cost of manufacturing masks for chip makers.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명은 판상의 석영 원판을 준비하는 단계와, 상기 석영 원판의 표면에 일정 두께의 크롬(Cr)을 증착하는 단계와, 상기 크롬(Cr)의 표면에 일정 두께의 포토레지스트를 코팅하는 단계와, 상기 포토레지스트 표면에 전자빔 또는 레이저를 조사하여 노광하는 단계와, 상기 노광 영역 및 비노광 영역의 물리화학적 성질이 완전히 변경되도록 현상하는 단계와, 상기 노광 영역 또는 비노광 영역을 제거하는 에칭 단계와, 각종 화학 물질을 제거하는 세정 단계를 포함하며, 이러한 방법은 종래와 동일하다.As shown, the present invention comprises the steps of preparing a plate-shaped quartz disc, depositing a predetermined thickness of chromium (Cr) on the surface of the quartz disc, and a photoresist of a predetermined thickness on the surface of the chromium (Cr) Coating, exposing the surface of the photoresist by irradiation with an electron beam or a laser, developing the physicochemical properties of the exposed and non-exposed areas completely, and removing the exposed or non-exposed areas. And an etching step to remove various chemicals, and this method is the same as the conventional method.

단, 본 발명은 액정 코팅 단계, 실리콘 산화막 증착 단계, 금속 또는 폴리 증착 단계, 에칭 단계, 보호막 증착 단계가 더 포함된 것을 특징으로 한다.However, the present invention is characterized in that the liquid crystal coating step, silicon oxide film deposition step, metal or poly deposition step, etching step, protective film deposition step is further included.

먼저, 상기 액정 코팅 단계는 상술한 세정 단계 후에 전기적 신호에 따라 빛에 대한 극성이 변경되는 일정 두께의 액정을 코팅하여 이루어진다.First, the liquid crystal coating step is performed by coating a liquid crystal having a predetermined thickness whose polarity with respect to light is changed according to the electrical signal after the cleaning step described above.

여기서, 상기 액정 코팅 단계 후에는 마스크 패턴이 캐드로 디자인된 데이터를 각 픽셀의 액정에 전기적 신호로 변경하여 전달하는 단계가 더 포함된다.Here, after the liquid crystal coating step, the mask pattern may further include converting data designed as a CAD into an electric signal to the liquid crystal of each pixel.

이어서, 상기 실리콘 산화막 증착 단계는 상기 액정의 표면에 일정 두께의 실리콘 산화막을 증착하여 이루어진다.Subsequently, the silicon oxide film deposition step is performed by depositing a silicon oxide film having a predetermined thickness on the surface of the liquid crystal.

이어서, 상기 금속 또는 폴리 증착 단계는 상기 산화막 위에 일정 두께의 금속 또는 폴리를 증착하여 이루어진다.Subsequently, the metal or poly deposition step is performed by depositing a metal or poly having a predetermined thickness on the oxide film.

이어서, 상기 에칭 단계는 상기 금속 또는 폴리를 소정 패턴으로 에칭하여 이루어진다.Subsequently, the etching step is performed by etching the metal or poly in a predetermined pattern.

이어서, 상기 보호막 증착 단계는 상기 금속 또는 폴리의 표면에 일정 두께의 보호막을 증착하여 이루어진다.Subsequently, the protective film deposition step is performed by depositing a protective film having a predetermined thickness on the surface of the metal or poly.

여기서, 상기 보호막은 통상의 실리콘 산화막을 이용하여 형성함이 바람직하다.Here, the protective film is preferably formed using a conventional silicon oxide film.

마지막으로, 상기 보호막 형성 단계 후에는 마스크 표면의 결함 여부를 검사하는 단계가 더 수행되어 본 발명에 의한 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 공정이 완료된다.Finally, after the protective film forming step, a step of inspecting whether a mask surface is defective is further performed to complete a manufacturing process of an electrically programmable mask for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만, 본 발명은 상기의 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범주와 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modified embodiments may be possible without departing from the scope and spirit of the present invention.

상술한 바와같이, 본 발명에 따른 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법은 초기 마스크 제조 비용은 비록 고가이지만 한번에 동일하게 여러개를 제작하여 사용할 수 있고, 또한 한개의 마스크를 이용하여 변경된 디자인을 즉시 적용할 수 있기 때문에 새로운 반소체 소자의 개발 시간을 단축하고, 더불어 칩 메이커 입장에서는 마스크의 제조 비용을 획기적으로 절감할 수 있는 효과가 있다.As described above, in the method of manufacturing an electrically programmable mask for semiconductor manufacturing according to the present invention, although the initial mask manufacturing cost is expensive, it is possible to manufacture several pieces at the same time, and also immediately change the design using one mask. This can shorten the development time of new semi-elements and greatly reduce the manufacturing cost of masks for chip makers.

Claims (3)

판상의 석영 원판을 준비하는 단계와, 상기 석영 원판의 표면에 일정 두께의 크롬(Cr)을 증착하는 단계와, 상기 크롬(Cr)의 표면에 일정 두께의 포토레지스트를 코팅하는 단계와, 상기 포토레지스트 표면에 전자빔 또는 레이저를 조사하여 노광하는 단계와, 상기 노광 영역 및 비노광 영역의 물리화학적 성질이 완전히 변경되도록 현상하는 단계와, 상기 노광 영역 또는 비노광 영역을 제거하는 에칭 단계와, 각종 화학 물질을 제거하는 세정 단계로 이루어진 반도체 제조용 마스크의 제조 방법에 있어서,Preparing a plate-shaped quartz disc, depositing a chromium (Cr) of a predetermined thickness on the surface of the quartz disc, coating a photoresist of a predetermined thickness on the surface of the chromium (Cr), and the photo Exposing the resist surface by irradiation with an electron beam or laser, developing such that the physical and chemical properties of the exposed and non-exposed areas are completely changed, etching to remove the exposed or non-exposed areas, and various chemicals In the manufacturing method of the mask for semiconductor manufacturing which consists of a washing | cleaning step which removes a substance, 상기 세정 단계 후에는 전기적 신호에 따라 빛에 대한 극성이 변경되는 일정 두께의 액정을 코팅하는 단계와, 상기 액정의 표면에 일정 두께의 실리콘 산화막을 증착하는 단계와, 상기 산화막 위에 일정 두께의 금속 또는 폴리를 증착하는 단계와, 상기 금속 또는 폴리를 소정 패턴으로 에칭하는 단계와, 상기 금속 또는 폴리의 표면에 보호막을 증착하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 하는 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법.After the cleaning step, coating a liquid crystal having a predetermined thickness whose polarity to light is changed according to an electrical signal, depositing a silicon oxide film having a predetermined thickness on the surface of the liquid crystal, and depositing a metal or a predetermined thickness on the oxide film. Depositing a poly, etching the metal or poly in a predetermined pattern, and depositing a protective film on a surface of the metal or poly, the method of manufacturing an electrically programmable mask for semiconductor manufacturing. . 제1항에 있어서, 상기 액정 코팅 단계 후에는 마스크 패턴이 캐드로 디자인된 데이터를 각 픽셀의 액정에 전기적 신호로 변경하여 전달하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 하는 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, further comprising, after the liquid crystal coating step, changing and transferring data, which is designed by using a mask pattern as a CAD, to the liquid crystal of each pixel as an electrical signal. Manufacturing method. 제1항에 있어서, 상기 보호막 증착 단계에서 형성된 보호막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 전기적 프로그램이 가능한 반도체 제조용 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the protective film formed in the protective film deposition step is a silicon oxide film.
KR1020020087353A 2002-12-30 2002-12-30 manufacturing method of electric programable mask KR20040060546A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020087353A KR20040060546A (en) 2002-12-30 2002-12-30 manufacturing method of electric programable mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020087353A KR20040060546A (en) 2002-12-30 2002-12-30 manufacturing method of electric programable mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040060546A true KR20040060546A (en) 2004-07-06

Family

ID=37352428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020087353A KR20040060546A (en) 2002-12-30 2002-12-30 manufacturing method of electric programable mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040060546A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002062634A (en) Method for producing photomask, method for producing photomask blank and method for regenerating photomask
JP2004006765A (en) Method and device for manufacturing photomask blank and unnecessary film removing device
KR20020019978A (en) Exposure during rework for enhanced resist removal
JP2002196470A (en) Method of manufacturing photomask and method of manufacturing semiconductor integrated circuit device
JP3475314B2 (en) Method of forming resist pattern
US3986876A (en) Method for making a mask having a sloped relief
KR20040060546A (en) manufacturing method of electric programable mask
JP2003121989A (en) Method for modifying halftone phase shifting mask
JP3157772B2 (en) Repair method of metal wiring
US5459013A (en) Image reversal method for repairing defective areas on microelectronic substrates
US6228661B1 (en) Method to determine the dark-to-clear exposure dose for the swing curve
JPS59141230A (en) Formation of pattern
KR100284026B1 (en) Fine pattern formation method using sillation
JPH01239928A (en) Formation of pattern
JPS61241745A (en) Negative type photoresist composition and formation of resist pattern
KR100827482B1 (en) Method for manufacturing a mask for producing a semiconductor device
KR100401206B1 (en) Fabrication method of semiconductor and optical chip using photo resist with silica
JP2002072447A (en) Method for producing semiconductor device
KR100358161B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH11204414A (en) Pattern formation method
JP2002075832A (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR0141156B1 (en) Mask repair method
JPS6315249A (en) Manufacture of optical mask
JPH1055059A (en) Production of photomask and production of semiconductor integrated circuit device
JPH06260382A (en) Manufacture of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination