KR20040053464A - 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법을 개시한다. 이에 의하면, 공정 처리부의 배기관에 펌핑부와 트랩부 및 스크러빙부로 구성된다. 상기 트랩부의 본체의 측면부에 투시부가 설치되고, 상기 본체의 저면부에 배출구가 설치되고, 상기 배출구에 개폐용 밸브가 설치된다.
따라서, 본 발명은 TEOS 가스를 공정 가스로 사용하는 공정을 상기 공정 처리부에서 처리할 때, 상기 트랩부 내에 잔류하는 액상의 TEOS의 수위를 상기 트랩부의 투시부에 의해 용이하게 확인할 수 있고, 상기 액상의 TEOS의 수위가 높아지면 상기 배출구의 밸브를 개방시킴으로써 상기 액상의 TEOS를 배출시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 배기관으로부터 분리시키지 않으면서도 상기 트랩부 내에 잔류한 상기 액상의 TEOS를 배출시킬 수 있으므로 상기 반도체 제조 장치의 설비 가동율을 높이고 생산성을 높이는 것이 가능하다. 또한, 상기 트랩부 내에 잔류하는 액상의 TEOS의 수위를 확인할 수 있으므로 상기 액상의 TEOS의 배출 지연에 따른 공정 사고를 예방할 수 있다.

Description

반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된 트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법{Ventilation System For Semiconductor Manufacturing Equipment And Liquid TEOS Exhausting Method In Trap Employed Therein}
본 발명은 반도체 소자 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 배기 시스템의 트랩부 내에 잔류하는 액상 TEOS의 수위를 용이하게 확인하고 아울러 공정 처리부의 가동 중단 없이도 트랩부로부터 액상 TEOS를 배출시키도록 한 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법에 관한것이다.
일반적으로, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판에 확산공정, 산화공정, 사진식각공정, 화학기상증착공정 및 금속배선공정 등을 일련의 순서에 의해 반복 실시함으로써 상기 반도체 기판에 메모리 소자나 로직 소자와 같은 반도체 소자가 제조된다. 특히, 공정용 퍼니스(process furnace)와 같은 공정 처리부의 내부에 다수개의 반도체 기판을 장착한 상태에서 상기 공정 처리부의 내부로 공정 가스를 유입시키면서 상기 공정 처리부의 내부 온도와 압력을 공정 조건으로 맞추어주면, 상기 반도체 기판 상에 원하는 막이 적층될 수 있다.
상기 공정 가스가 통상 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 독성이 매우 강하므로 별도의 정화 과정을 거치지 않고 외부의 대기로 배기되는 경우, 대기의 심각한 오염 및 안전 사고를 가져올 수 있다. 따라서, 상기 공정 처리부에 연결된 배기관에는 상기 배기 가스를 안전한 상태로 분해 또는 정화시키기 위한 트랩(trap)부나 스크러빙(scrubber)부와 같은 배기 시스템이 설치되어 왔다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 장치의 배기 시스템을 나타낸 개략 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(100)는 임의의 제조 공정을 처리하기 위한 공정 처리부(10)와, 상기 공정 처리부(10)로부터 배기 가스를 배기하기 위한 배기 시스템(20)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 공정 처리부(10)는 상기 제조 공정에 필요한 공정 가스를 상기 공정 처리부(10)의 유입구(11)를 거쳐 유입하여 상기 제조 공정을 처리한다. 상기 배기 시스템(20)은 상기 공정 처리부(10)의 배기구(13)에 연결된 배기관(21)을 거쳐 외부의 대기로 배기한다. 상기 배기 시스템(20)은 펌핑부(23), 트랩부(25) 및 스크러링부(27)를 포함하여 구성된다.
상기 펌핑부(23)는 상기 공정 처리부(10) 내의 진공도를 일정하게 유지하여 줌과 아울러 상기 공정 처리부(10)의 내부에서 반응 완료한 후에 생성되는 반응 부산물 및 미반응 공정 가스를 포함한 배기 가스를 상기 배기관(21)을 거쳐 상기 스크러빙부(27)로 배기한다. 상기 스크러빙부(27)는 상기 펌핑부(23)로부터 상기 배기관(21)을 거쳐 배기되는 배기 가스에 포함된 파우더와 같은 반응 부산물을 걸러준다.
통상적으로, 질화막이나 TEOS(tetraethylorthosilane) 산화막의 적층과 같은 화학기상증착공정이 상기 공정 처리부(10)에서 진행되는 동안에는 상기 반응 부산물이 특히 많이 발생한다. 상기 반응 부산물은 상기 공정 처리부(10)로부터 배기되면서 고온의 파우더(powder) 형태를 이룬다. 그러므로, 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 상기 파우더가 상기 펌핑부(23)와 상기 스크러빙부(27) 사이의 배기관(21)의 내벽에 점차 두껍게 부착되고 결국에는 상기 배기관(21)을 거의 막아버릴 가능성이 높다. 이는 상기 공정 처리부(10)의 내부 압력의 변화를 일으켜 공정 불량을 가져온다. 따라서, 상기 배기관(21)을 세정하기 위해 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 진행을 일시적으로 중단하지 않으면 안된다. 그 결과, 상기 공정 처리부(10)에서의 가동율이 저하되고 또한 생산성이 저하되므로 이에 따른 경제적 손실이 심각하다.
이를 개선하기 위해 상기 펌핑부(23)와 상기 스크러빙부(27) 사이의배기관(21)에 상기 파우더를 추가로 걸러주기 위한 트랩부(25)가 설치된다. 물론, 도면에 도시되지 않았으나 상기 공정 처리부(10)에도 상기 파우더를 추가로 걸러주기 위한 트랩부가 설치될 수 있다.
그런데, TEOS 산화막 적층 공정에 사용되는 공정 가스인 TEOS 가스는 주위 온도가 약 60℃ 이하로 낮아지면 액상으로 변하고, 60℃ 보다 높아지면 기화하고, 적정 온도 이상이면 막 형태로 변한다. 상기 공정 처리부(10)가 상기 TEOS 산화막 적층 공정을 위한 600℃ 이상의 온도에서 공정 가스인 TEOS 가스를 처리하고 나면, 미반응 TEOS 가스와 함께 반응 부산물인 TEOS 파우더가 상기 공정 처리부(10)에 설치된 트랩부(도시 안됨)에 의해 1차 걸러지고, 또한 상기 트랩부(25)에 의해 2차 걸러진다.
상기 트랩부(25)는 도 2에 도시된 바와 같이, 냉각 방식으로서, 냉각수(process cooling water: PCW)의 순환을 이용하여 상기 트랩부(25)를 통과하는 배기 가스로부터 상기 TEOS 파우더를 걸러내기 때문에 상기 파우더는 상기 공정 처리부(10)의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 상기 트랩부(25)의 내벽에 점차 두껍게 부착된다. 또한, 상당한 양의 미반응 TEOS 가스가 상기 트랩부(25) 내에서 액상의 TEOS로 변환하므로 상기 트랩부(25) 내에 잔류하는 액상 TEOS의 수위도 상기 공정 처리부(10)의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 점차 높아진다.
따라서, 상기 반도체 제조장치의 종류에 따라 평균 생산량이 상이하지만, 대략 2~3개월에 1회씩 상기 트랩부(25)를 예방 정비(preventive maintenance: PM)함으로써 상기 펌핑부(23)의 수명을 연장시킬 수가 있다.
하지만, 상기 트랩부(25)의 예방 정비에 3시간 정도의 장시간이 소요되므로 상기 예방 정비 동안에 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 진행이 불가능하다. 그 결과, 상기 공정 처리부(10)의 가동율 저하와 생산성 저하가 불가피하다.
더욱이, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 트랩부(25)의 본체(125)는 불투명 재질로 구성되고, 상기 본체(125)에는 투시부가 미설치되어 있으므로 상기 작업자가 상기 트랩부(25)의 내부에 있는 상기 액상 TEOS의 수위를 확인할 수 없다. 그래서, 상기 작업자가 상기 트랩부(25) 내의 상기 액상 TEOS를 수시로 배출시키지 못하고 상기 트랩부(25)의 예방 정비 때에만 상기 트랩부(25) 내의 상기 액상 TEOS를 배출시켜주기 때문에 상기 트랩부(25) 내의 상기 액상 TEOS의 수위가 빠른 속도로 위험 수위 이상으로 높아질 경우, 상기 액상 TEOS의 배출이 지연될 수밖에 없다. 그 결과, 상기 배기관(21)이 상기 액상 TEOS에 의해 막혀버리므로 상기 공정 처리부(10)의 내부 압력이 급상승하고 그에 따른 공정 처리부(10)의 가동 중단과 같은 공정사고가 갑자기 발생하기 쉽다. 심한 경우, 공정 처리부(10)에서 공정 처리중이던 웨이퍼들을 전부 폐기하여야 하는 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수도 있다. 또한, 예정되지 않았던 공정 처리부(10)의 가동 중단이 발생할 가능성이 높으므로 공정의 시간 손실(Time Loss)이 발생하기 쉽다.
또한, 작업자가 상기 트랩부(25) 내의 액상의 TEOS를 배출할 시기를 적절하게 판단하였을지라도 상기 액상의 TEOS를 배출하기 위해서는 상기 트랩부(25)의 예방 정비와 마찬가지로 상기 트랩부(25)의 분해 및 조립에 3시간 정도의 장시간이 소요되므로 이 동안에 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 진행이 불가능하다. 그 결과, 상기 공정 처리부(10)의 가동율 저하와 생산성 저하가 상당히 많을 수밖에 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 트랩부 내의 액상 TEOS를 용이하게 배출시킴으로써 설비의 가동율 저하를 억제하도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 트랩부 내의 액상 TEOS를 용이하게 배출시킴으로써 설비의 생산성 저하를 억제하도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 트랩부 내의 액상 TEOS의 수위를 육안으로 확인하여 상기 액상 TEOS를 적절한 시기에 배출시킴으로써 상기 액상 TEOS의 배출 지연에 따른 공정 사고를 예방하도록 하는데 있다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 장치의 배기 시스템을 나타낸 개략 구성도.
도 2는 도 1의 트랩부를 나타낸 세부 구성도.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템을 나타낸 개략 구성도.
도 4는 도 3의 트랩부를 나타낸 세부 구성도.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템은
소정의 공정 가스를 유입하여 원하는 반도체 제조 공정을 처리하는 공정 처리부; 상기 공정 처리부에 연통된 배기관에 설치되어, 상기 공정 처리부 내의 반응 부산물 및 미반응 가스를 펌핑하여 배기하는 펌핑부; 상기 펌핑부로부터 상기 배기관을 거쳐 배기되는 상기 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 걸러내며, 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질을 배출하기 위한 개폐용 밸브가 본체의 배출구에 형성된 트랩부; 및 상기 트랩부로부터 상기 배기관을 거쳐 배기되는 상기 배기 가스로부터 상기 반응 부산물을 걸러내는 스크러빙부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 트랩부 내의 액상 물질의 수위를 확인하기 위한 투시부가 상기 트랩부의 본체에 설치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 투시부가 상기 본체의 측면부 외측에 관 형상으로 설치될 수 있다.
또한, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법은
소정의 공정 가스를 유입하여 원하는 반도체 제조 공정을 공정 처리부에서 처리하는 단계; 상기 공정 처리부로부터 반응 부산물 및 미반응 가스를 포함한 배기 가스를 펌핑부에서 펌핑하여 상기 공정 처리부의 배기관으로 배기하는 단계; 상기 펌핑된 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 트랩핑하여 걸러내는 단계; 상기 트랩핑된 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 걸러내는 스크러빙 단계; 및 상기 공정 처리부의 중단 없이 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질을 상기 트랩부의 배출구의 밸브를 개방시킴으로써 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질의 수위를 상기 트랩부의 투시부에 의해 확인할 수 있다.
바람직하게는, 상기 투시부를 상기 트랩부의 본체의 측면부 외측에 관 형상으로 설치할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템을 나타낸 개략 구성도이고, 도 4는 도 3의 트랩부를 나타낸 세부 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 반도체 제조 장치(200)는 임의의 제조 공정을 처리하기 위한 공정 처리부(10)와, 상기 공정 처리부(10)로부터 배기 가스를 배기하기 위한 배기 시스템(30)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 공정 처리부(10)는 상기 제조 공정에 필요한 공정 가스를 상기 공정 처리부(10)의 유입구(11)를 거쳐 유입하여 상기 제조 공정을 처리한다. 상기 배기 시스템(30)은 상기 공정 처리부(10)의 배기구(13)에 연결된 배기관(21)을 거쳐 외부의 대기로 배기한다. 상기 배기 시스템(30)은 펌핑부(23), 트랩부(35) 및 스크러링부(27)를 포함하여 구성된다. 상기 펌핑부(23), 트랩부(35) 및 스크러링부(27)는 상기 배기구(13)로부터 멀어지는 순서로 상기 배기관(21)에 설치된다.
상기 펌핑부(23)는 상기 공정 처리부(10) 내의 진공도를 일정하게 유지하여 줌과 아울러 상기 공정 처리부(10)의 내부에서 공정 처리 후에 생성되는 반응 부산물 및 미반응 공정 가스를 포함한 배기 가스를 상기 배기관(21)을 거쳐 상기 트랩부(35)로 배기한다.
상기 트랩부(35)는 상기 펌핑부(23)로부터 배기되는 배기 가스로부터 상기 파우더를 상기 스크러빙부(27)보다 먼저 걸러준다. 상기 트랩부(35)가 상기 스크러빙부(27)의 전단에 설치되어야 하는 필요성을 살펴보면, 상기 트랩부(35)가 질화막이나 TEOS(tetraethylorthosilane) 산화막의 적층과 같은 화학기상증착공정이 상기 공정 처리부(10)에서 진행되는 동안에는 상기 반응 부산물이 특히 많이 발생하는데, 이때, 상기 반응 부산물은 상기 공정 처리부(10)로부터 배기되면서 고온의 파우더(powder) 형태를 이룬다. 그러므로, 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 상기 파우더가 상기 펌핑부(23)와 상기 스크러빙부(27) 사이의 배기관(21)의 내벽에 점차 두껍게 부착되고 결국에는 상기 배기관(21)을 거의 막아버릴 가능성이 높다. 이는 상기 공정 처리부(10)의 내부 압력의 변화를 일으켜 공정 불량을 가져온다. 따라서, 상기 배기관(21)을 세정하기 위해 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 진행을 일시적으로 중단하지 않으면 안된다. 그 결과, 상기 공정 처리부(10)에서의 가동율이 저하되고 또한 생산성이 저하되므로 이에 따른 경제적 손실이 심각하다. 따라서, 상기 트랩부(35)가 상기 스크러빙부(27)의 전단에 설치되는 것이 필요하다.
상기 스크러빙부(27)는 상기 트랩부(35)에 의해 걸러지지 않은 채 상기 배기관(21)을 거쳐 배기되는 배기 가스에 포함된 파우더와 같은 반응 부산물을 걸러준다.
한편, 상기 트랩부(35)는 도 4에 도시된 바와 같이, 냉각 방식으로서, 냉각수(PCW)의 순환을 이용하여 상기 트랩부(35)를 통과하는 배기 가스로부터 상기 TEOS 파우더를 걸러내기 때문에 상기 파우더는 상기 공정 처리부(10)의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 상기 트랩부(35)의 내벽에 점차 두껍게 부착된다. 또한, 상당한 양의 미반응 TEOS 가스가 상기 트랩부(35) 내에서 액상의 TEOS로 변환하므로 상기 트랩부(35) 내에 잔류하는 액상 TEOS의 수위도 상기 공정 처리부(10)의 공정 처리 시간이 많아짐에 따라 점차 높아진다. 따라서, 상기 반도체 제조장치의 종류에 따라 평균 생산량이 상이하지만, 대략 2~3개월에 1회씩 상기 트랩부(35)를 예방 정비(PM)함으로써 상기 펌핑부(23)의 수명을 연장시킬 수가 있다.
이때, 본 발명의 트랩부(35)는 도 1의 트랩부(25)와 마찬가지로, 트랩부의 예방 정비에 3시간 정도의 장시간이 소요되므로 상기 예방 정비 동안에 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 진행이 불가능하다. 그 결과, 상기 공정 처리부(10)의 가동율 저하와 생산성 저하가 상당히 많을 수가 있다.
상기 트랩부(35)의 예방 정비를 위해서는 작업자가 상기 펌핑부(23)로의 전원 공급을 차단시키고 상기 트랩부(35)를 상기 배기관(21)으로부터 분리한 후 기존의 오염된 트랩부(35) 대신에 별개의 세정된 트랩부(35)를 상기 배기관(21)에 재결합시키고, 상기 펌핑부(23)로 전원을 재공급시켜준다. 따라서, 상기 공정 처리부(10)에서의 공정 처리가 재개될 수 있다. 이와는 별도로, 상기 오염된 트랩부(35)의 내벽에 부착된 상기 파우더를 제거시키고 또한 상기 트랩부(35) 내의 액상 TEOS를 배출시키는 작업이 진행된다. 상기 세정된 트랩부(35)는 다음 교체 주기 때에 재 사용할 수 있도록 정해진 장소에 보관된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 트랩부(35)의 불투명 본체(135)의 측면부 외측에 투시부(137)가 설치되고, 상기 본체(135)의 저면부에 배출구(139) 및 상기 배출구(139)의 개폐용 밸브(V)가 설치된다.
여기서, 상기 투시부(137)는 예를 들어 관 형태를 이루며, 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS(138)의 수위를 육안으로 볼 수 있도록 하기 위해 상기 관의 일부분이 투명하거나 상기 관의 전체가 투명한 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 투시부(137)의 하측부가 상기 본체(135)의 측면 하측부에서 상기 본체의 내부와 연통하고 상기 투시부(137)의 상측부가 상기 본체(135)의 측면 상측부에서 상기 본체의 내부와 연통한다.
따라서, 작업자가 상기 투시부(137)에 나타나는 액상의 TEOS(138)의 수위를 육안으로 확인할 수 있으므로 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS(138)의 수위를 정확하게 알아낼 수가 있다.
그러므로, 상기 작업자가 상기 투시부(137)에서 상기 액상의 TEOS(138)의 수위가 미리 설정한 수준 이상으로 높아진 것을 육안으로 확인하면, 상기 밸브(V)를 개방시킴으로써 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS를 상기 배출구(139)를 거쳐 배출시킨다. 이후, 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS이 거의 배출되고 나면, 상기 밸브(V)를 원래의 상태로 폐쇄시킨다.
따라서, 본 발명은 상기 펌핑부(23)의 전원 공급을 중단시키지 않으면서도 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS를 용이하게 배출시키므로 상기 트랩부(35) 내의 액상의 TEOS를 배출하는 동안에도 상기 공정 처리부(10)의 공정 처리를 계속 진행시킬 수 있다. 그 결과, 본 발명의 반도체 제조 장치의 설비 가동율 저하를 억제할 수 있고 생산성 저하도 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 트랩부(35) 내의 액상 TEOS(138)의 수위를 상기 투시부(137)에 의해 육안으로 확인하여 상기 액상 TEOS(138)를 적절한 시기에 배출시킨다. 그 결과, 상기 액상 TEOS의 배출 지연에 따른 공정 사고를 예방할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 본체(135)의 측면부 외측에 투시부(137)가 관 형상으로 돌출하여 설치되는 것을 기준으로 설명하였으나 상기 본체(135)의 측면부의 일부분이 투시부를 형성하는 것도 가능하다. 설명의 편의상 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법은 공정 처리부의 배기관에 펌핑부와 트랩부 및 스크러빙부로 구성된다. 상기 트랩부의 본체의 측면부에 투시부가 설치되고, 상기 본체의 저면부에 배출구가 설치되고, 상기 배출구에 개폐용 밸브가 설치된다.
따라서, 본 발명은 TEOS 가스를 공정 가스로 사용하는 공정을 상기 공정 처리부에서 처리할 때, 상기 트랩부 내에 잔류하는 액상의 TEOS의 수위를 상기 트랩부의 투시부에 의해 용이하게 확인할 수 있고, 상기 액상의 TEOS의 수위가 높아지면 상기 배출구의 밸브를 개방시킴으로써 상기 액상의 TEOS를 배출시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 배기관으로부터 분리시키지 않으면서도 상기 트랩부 내에 잔류한 상기 액상의 TEOS를 배출시킬 수 있으므로 상기 반도체 제조 장치의 설비 가동율을 높이고 생산성을 높이는 것이 가능하다. 또한, 상기 트랩부 내에 잔류하는 액상의 TEOS의 수위를 확인할 수 있으므로 상기 액상의 TEOS의 배출 지연에 따른 공정 사고를 예방할 수 있다.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (6)

  1. 소정의 공정 가스를 유입하여 원하는 반도체 제조 공정을 처리하는 공정 처리부;
    상기 공정 처리부에 연통된 배기관에 설치되어, 상기 공정 처리부 내의 반응 부산물 및 미반응 가스를 펌핑하여 배기하는 펌핑부;
    상기 펌핑부로부터 상기 배기관을 거쳐 배기되는 상기 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 걸러내며, 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질을 배출하기 위한 개폐용 밸브가 본체의 배출구에 형성된 트랩부; 및
    상기 트랩부로부터 상기 배기관을 거쳐 배기되는 상기 배기 가스로부터 상기 반응 부산물을 걸러내는 스크러빙부를 포함하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 트랩부 내의 액상 물질의 수위를 확인하기 위한 투시부가 상기 트랩부의 본체에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 투시부가 상기 본체의 측면부 외측에 관 형상으로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템.
  4. 소정의 공정 가스를 유입하여 원하는 반도체 제조 공정을 공정 처리부에서 처리하는 단계;
    상기 공정 처리부로부터 반응 부산물 및 미반응 가스를 포함한 배기 가스를 펌핑부에서 펌핑하여 상기 공정 처리부의 배기관으로 배기하는 단계;
    상기 펌핑된 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 트랩핑하여 걸러내는 단계;
    상기 트랩핑된 배기 가스로부터 상기 반응 부산물 및 상기 미반응 가스를 걸러내는 스크러빙 단계; 및
    상기 공정 처리부의 중단 없이 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질을 상기 트랩부의 배출구의 밸브를 개방시킴으로써 배출시키는 단계를 포함하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 트랩부 내의 잔류하는 액상 물질의 수위를 상기 트랩부의 투시부에 의해 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 투시부를 상기 트랩부의 본체의 측면부 외측에 관 형상으로 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기 시스템에 적용된 트랩부에서의 액상 TEOS 배출 방법.
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